Dispositivos Semiconductores

DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES
Facultad de Ingeniería, UASLP
Área de Ciencias de la Computación
MEBC. Gustavo Adolfo Cervantes Salas

gustavo.cervantes@uaslp.mx
UNIDAD 1.- TEORÍA DEL
SEMICONDUCTOR
1.1 Física de los semiconductores
1.2 Purificación y contaminación del

semiconductor
1.3 Características y comportamiento de

semiconductores tipo N y P
1.4 Comportamiento de la unión NP y su

polarización
1.5 Graficas del comportamiento del diodo
2
1.1 FÍSICA DE LOS
SEMICONDUCTORES
AGREGAR UN PIE DE PÁGINA 3

Modelos atómicos y orbita de valencia
¿Qué es un semiconductor?
• Son materiales capaces de actuar como conductores
eléctricos o como aislantes eléctricos, dependiendo de
las condiciones físicas en que se encuentren.
• Estas condiciones usualmente involucran

la temperatura y la presión, la incidencia de las
radiaciones o las intensidades del campo
eléctrico o campo magnético al cual se vea sometido el
material.
• Están compuestos por elementos químicos muy

variados entre sí, que de hecho provienen de regiones
distintas de la Tabla Periódica, pero que comparten
ciertos rasgos químicos (generalmente son
tetravalentes), que les confieren sus particulares
propiedades eléctricas.
4
¿Qué es un semiconductor?
• En la actualidad, el semiconductor más empleado es el
silicio (Si), particularmente en la industria electrónica y
de la computación.
• Junto con los materiales aislantes, los semiconductores

fueron descubiertos en 1727 por el físico y naturalista
inglés Stephen Gray (1666-1736), pero las leyes que
describen sus comportamientos y propiedades fueron
descritas mucho después, en 1821, por el célebre físico
alemán Georg Simon Ohm (1789-1854).
5
Aplicaciones
• Son especialmente útiles en la industria de la
electrónica, dado que permiten conducir y modular
la corriente eléctrica de acuerdo a los patrones
necesarios.
• Es usual que se empleen para:
• Transistores
• Circuitos integrados
• Diodos eléctricos
• Sensores ópticos
• Láseres de estado sólido
• Moduladores de transmisión eléctrica (como un
amplificador de guitarra eléctrica)
6
Tipos de Semiconductores
• Los semiconductores pueden ser de dos tipos

distintos, dependiendo de su respuesta al
entorno físico en que se encuentren:
• Semiconductores intrínsecos
• Semiconductores extrínsecos
7
Semiconductores intrínsecos
• Están conformados por un único tipo de átomos, dispuestos

en moléculas tetraédricas (o sea, de cuatro átomos con valencia
de 4) y sus átomos unidos por enlaces covalentes.
• Esta configuración química impide el movimiento libre de
los electrones alrededor de la molécula, excepto ante un
aumento de temperatura: entonces los electrones toman parte
de la energía disponible y “saltan”, dejando un espacio libre que
se traduce como una carga positiva, que a su vez atraerá nuevos
electrones.
• Dicho proceso se llama recombinación, y la cantidad
de calor requerida para ello depende del elemento químico del
que se trate.
8
Semiconductores extrínsecos
• Estos materiales permiten un proceso de dopaje, es decir,

permiten que se incluyan en su configuración atómica algún tipo
de impurezas.
• Dependiendo de estas impurezas, que pueden ser pentavalentes

o trivalentes, los materiales semiconductores se dividen en dos:
• Semiconductores extrínsecos tipo N (donadores)

• Semiconductores extrínsecos tipo P (aceptores)
9
• Semiconductores extrínsecos tipo N (donadores).

• En este tipo de materiales, los electrones superan en
número a los huecos o portadores de carga libre (
“espacios” de carga positiva).
• Cuando se aplica una diferencia de potencial al material,

los electrones libres se mueven hacia la izquierda del
material y los huecos entonces hacia la derecha.
• Cuando los huecos llegan al extremo derecho, los

electrones del circuito externo entran al semiconductor, y
se produce la transmisión de corriente eléctrica.
10
• Semiconductores extrínsecos tipo P (aceptores).

• En estos materiales, la impureza añadida, en lugar de
aumentar los electrones disponibles, aumenta los huecos
• Así, se habla de material aceptor añadido, ya que hay

mayor demanda de electrones que disponibilidad y cada
“espacio” libre en donde debería ir un electrón sirve para
facilitar el paso de la corriente.
11
Diferencias entre conductores, aislantes y semiconductores
Ejemplos de materiales semiconductores

• Los semiconductores más comunes y empleados en
la industria son:
• Silicio (Si)
• Germanio (Ge), a menudo en aleaciones de silicio
• Arseniuro de Galio (GaAs)
• Azufre
• Oxígeno
• Cadmio
• Selenio
• Indio
• Otros materiales químicos resultantes de la combinación
de elementos de los grupos 12 y 13 de la tabla periódica,
con elementos de los grupos 16 y 15 respectivamente.
12
Diferencias entre conductores, aislantes y semiconductores
Materiales conductores Materiales aislantes

• Los materiales conductores se muestran siempre dispuestos a • Son aquellos que se resisten a la conducción de la electricidad, o
transmitir la electricidad, debido a la configuración electrónica sea, que impiden el paso de los electrones y son útiles, por lo
de sus átomos. tanto, para protegerse de la electricidad, para impedir que siga
un curso libre, o que se produzcan cortocircuitos.
• Dicha conductividad puede oscilar y verse afectada en cierto
grado por el estado físico del entorno ya que la conductividad • Los aislantes tampoco aíslan de manera cien por ciento eficiente,
eléctrica no es absoluta. poseen un límite (tensión de ruptura) a partir del cual la energía
es tan intensa que no pueden mantener su condición de
aislantes y, por lo tanto, transmiten la corriente eléctrica, al
• Son ejemplos de materiales conductores la inmensa mayoría de menos en cierto grado.
los metales (hierro, mercurio, cobre, aluminio, etc.) y el agua.
• Son ejemplos de materiales aislantes el plástico, la cerámica, el

vidrio, la madera y el papel.
13
1.2 PURIFICACIÓN Y
CONTAMINACIÓN DEL
SEMICONDUCTOR

1.2 Purificación y contaminación del semiconductor
Contaminantes trivalentes y pentavalentes
Semiconductores
• Son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un
conductor metálico pero superior a la de un buen aislante.
• El semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante
en la naturaleza, después del oxígeno.
• Otros semiconductores son el germanio y el selenio.
• Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo cuatro
electrones, denominados electrones de valencia.
• Estos átomos forman una red cristalina, en la que cada átomo
comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro átomos
vecinos, formando enlaces covalentes.
• A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben
suficiente energía calorífica para librarse del enlace covalente y
moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones
libres.
• Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete
al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.
15
1.2 Purificación y contaminación del semiconductor
Contaminantes trivalentes y pentavalentes

Semiconductores
• Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio,
deja en la red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones
próximos tiene efectos similares a los que provocaría una carga
positiva.
• Los huecos tienen la misma carga que el electrón pero con signo
positivo.
• El comportamiento eléctrico de un semiconductor se caracteriza por
los siguientes fenómenos:
• Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el
polo positivo de la pila.
• Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo
negativo de la pila.
• Al conectar una pila, circula una corriente eléctrica en el circuito cerrado,
siendo constante en todo momento el número de electrones dentro del
cristal de silicio.
• Los huecos sólo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el
conductor exterior sólo circulan los electrones que dan lugar a la corriente
eléctrica.
16
1.3 CARACTERÍSTICAS Y
COMPORTAMIENTO DE
SEMICONDUCTORES TIPO N Y P

1.3 Características y comportamiento de semiconductores tipo N y P
Materiales extrínsecos: materiales tipo N y tipo P

Semiconductores P y N
• En la práctica, para mejorar la conductividad eléctrica de los
semiconductores, se utilizan impurezas añadidas voluntariamente.
• Esta operación se denomina dopado, utilizándose dos tipos:
• Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos átomos tienen cinco

electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el
fósforo, el antimonio y el arsénico.
• Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones

de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el
galio y el indio.
• Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red

cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia
que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto
electrón que le hace mucho mejor conductor. De un semiconductor
dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N.
18

Semiconductores P y N
• En cambio, si se introduce una impureza trivalente en
la red cristalina del silicio, se forman tres enlaces
covalentes con tres átomos de silicio vecinos,
quedando un cuarto átomo de silicio con un electrón
sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina.
• De un semiconductor dopado con impurezas

trivalentes se dice que es de tipo P.
19

Semiconductores Tipo N
• Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son
impurezas pentavalentes.
• Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor
tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios",
mientras que a los huecos se les denomina "portadores
minoritarios".
• Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los
electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha.
• Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de
los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se
recombina con el hueco.
• Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo
izquierdo del cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia el
positivo de la batería.
20

Semiconductores Tipo P
• Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son
impurezas trivalentes.
• Como el número de huecos supera el número de electrones
libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los
electrones libres son los minoritarios.
• Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha.
• En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal
se recombinan con los electrones libres del circuito externo.
• En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios.
• Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de
derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores
minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.
21
1.4 COMPORTAMIENTO DE
LA UNIÓN NP Y SU POLARIZACIÓN

1.4 COMPORTAMIENTO DE LA UNIÓN NP Y SU POLARIZACIÓN
La unión NP y el diodo semiconductor

Unión PN
• Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas • Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la
de tipo P por un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una región N y otra negativa en la región P, ambas junto a la unión.
unión PN .
• Esta distribución de cargas en la unión establece una «barrera
• Los electrones libres de la región N más próximos a la región P de potencial» que repele los huecos de la región P y los
se difunden en ésta, produciéndose la recombinación con los electrones de la región N alejándolos de la mencionada unión.
huecos más próximos de dicha región.
• Una unión PN no conectada a un circuito exterior queda
• En la región N se crean iones positivos y en la región P se crean bloqueada y en equilibrio electrónico a temperatura constante.
iones negativos.
• Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones

mencionados están interaccionados entre sí y, por tanto, no son
libres para recombinarse.
•
23

Unión PN
24

Unión PN polarizado en directo
• Si se polariza la unión PN en sentido directo, es decir, el polo
positivo de la pila a la región P y el polo negativo a la región
N , la tensión U de la pila contrarresta la «barrera de potencial»
creada por la distribución espacial de cargas en la unión,
desbloqueándola, y apareciendo una circulación de electrones
de la región N a la región P y una circulación de huecos en
sentido contrarío.
• Tenemos así una corriente eléctrica de valor elevado, puesto
que la unión PN se hace conductora, presentando una
resistencia eléctrica muy pequeña.
• El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los
traslada por el circuito exterior circulando con el sentido
eléctrico real, que es contrario al convencional establecido para
la corriente eléctrica.
•
25

Unión PN polarizado en inverso
• Si se polariza la unión PN en sentido inverso, es decir, el polo
positivo de la pila a la región N y el polo negativo a la región P, la
tensión U de la pila ensancha la «barrera de potencial» creada
por la distribución espacial de cargas en la unión, produciendo
un aumento de iones negativos en la región P y de iones
positivos en la región N, impidiendo la circulación de electrones
y huecos a través de la unión.
• La unión PN se comporta de una forma asimétrica respecto de la

conducción eléctrica; dependiendo (le¡ sentido de la conexión, se
comporta corno un buen conductor (polarizada en dire(-to) o
como un aislante (polarizada en inverso).
26
1.5 GRÁFICAS DEL
COMPORTAMIENTO DEL DIODO

1.5 Gráficas del comportamiento del diodo
Lo ideal comparado con lo práctica

Diodos. Curva característica y
tensión umbral
• La curva característica representa el comportamiento en el flujo • Cuando el diodo está polarizado en directa, no hay una
de electrones (corriente) que ocurre al ser sometido el diodo a corriente significativa hasta que la tensión en el diodo sea
una tensión que polarice al mismo directa o inversamente. superior a la barrera de potencial.
• Cuando el diodo está polarizado en inversa, casi no hay

corriente inversa hasta que la tensión del diodo alcanza
la tensión de ruptura. Se produce entonces una avalancha de
electrones inversa que destruye al diodo.
28

Tensión umbral
• En la zona de polarización directa, es la tensión a partir de la

cual la corriente empieza a incrementarse
rápidamente. Normalmente en el análisis de circuitos con
diodos se dirige a determinar si la tensión del diodo es mayor o
menor que la tensión umbral. Si es mayor, el diodo conduce
fácilmente, si es menor, lo hace con pobreza.
• Para un diodo de silicio: Vk ≈ 0,7 V
• Para un diodo de germanio Vk ≈ 0,3 V
29

Circuitos con diodos
• El símbolo del diodo es una flecha que apunta del lado P a N: • El símbolo del diodo es una flecha que apunta del lado P a N:
• Para resolver circuitos con diodos, se sustituye el diodo
por un elemento de circuito equivalente, dependiendo
de cuál sea la región de trabajo:
• Polarización directa: el modelo más simple por el que se puede

sustituir el diodo es un interruptor cerrado, ya que en estas
condiciones el diodo conduce muy bien el sentido de P a N.
• Polarización inversa: el modelo más sencillo por el que se puede

sustituir el diodo es por un interruptor abierto, ya que en estas
condiciones el diodo prácticamente no deja pasar la corriente.
30

Circuitos con diodos
• Por lo general, no sabemos si el diodo está polarizado en

directa o en inversa. Que en el circuito esté representado de
una manera no significa que el diodo se esté comportando de
esa manera, por lo que tendremos que plantear una hipótesis
sencilla:
• Si está polarizado en directa, la corriente va de P a N.
• Si está polarizado en inversa, no hay corriente entre P y

N.
31
UNIDAD 2.- DIODOS
RECTIFICADORES
2.1 Símbolo eléctrico y curva de operación. Polarización

directa e inversa
2.2 Las tres aproximaciones del diodo
2.3 Hoja de datos del diodo
2.4 Alimentación alterna de entrada
2.5 Rectificadores con uno, dos y cuatro diodos
2.6 Filtros con capacitores y reguladores lineales de

voltaje DC
32
2.1 SÍMBOLO ELÉCTRICO Y CURVA DE
OPERACIÓN. POLARIZACIÓN DIRECTA
E INVERSA

2.1 Símbolo eléctrico y curva de operación.
Polarización directa e inversa
La curva del diodo
• Un diodo rectificador recoge unos parámetros muy importantes

para definir una curva característica.
• Esta gráfica nos sirve para analizar la región de polarización de

un diodo y cual es la corriente umbral a la que opera el
dispositivo.
• Con estos parámetros podemos evitar daños en el dispositivo y

deterioro de su vida útil si lo que queremos es mantener el
dispositivo.
34
Tensión de umbral de codo o de

partida
• Para que esta tensión de umbral se de, inicialmente el diodo debe estar en
polarización directa.
• Esta tensión debe coincidir en valor, con el voltaje de la zona de carga

espacial del diodo no polarizado.
• Al momento de aplicar polarización directa al diodo, la barrera de potencial

inicial empieza a reducirse y se empieza a incrementar ligeramente la
corriente.
• Si el voltaje externo supera el voltaje umbral, la barrera de potencial

desaparece de tal forma que para pequeños incrementos de voltaje se
produzcan grandes variaciones en la corriente.
35
Corriente máxima (I) Corriente inversa de saturación
• Es una cantidad pequeñísima de corriente que se da al

• Es básicamente la corriente máxima que puede conducir el
momento de polarizar inversamente el diodo debido a la
diodo sin que este se queme por el efecto Joule.
formación de pares de electrón-hueco en función de la
temperatura.
• En conclusión, es la cantidad de calor que puede disipar el diodo
en función de la corriente eléctrica.
36
Corriente superficial de fugas Voltaje de ruptura
• Es un voltaje inverso máximo que el diodo puede soportar antes

• Es una pequeña corriente que circula por la estructura del diodo
de que se presente el efecto avalancha ( muy común en los
en polarización inversa.
diodos Zener).
• Esta corriente se encuentra en función del voltaje aplicado al

• Lo que ocurre es que al polarizar el diodo de forma inversa, por
diodo con lo que al aumentar el voltaje aumenta la corriente
medio de este habrá una circulación de corriente inversa de
superficial de fugas.
saturación (condiciones teóricas).
• En condiciones reales a partir de un determinado valor de

voltaje, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se
debe al efecto de avalancha; sin embargo hay otro tipo de
diodos como por ejemplo el Zener en los que las rupturas se
deben a dos efectos que son: el efecto avalancha y el efecto
Zener.
37
Efecto avalancha
• Cuando el diodo es polarizado inversamente se generan pares
electrón-Hueco que ocasionan una corriente inversa de
saturación;
• Si el voltaje inverso es elevado los electrones entran en
aceleración incrementando de esta forma su energía cinética de
tal forma que al chocar con electrones de valencia provocan un
salto a la banda conductiva.
• Esos electrones que son liberados se aceleran por efecto del
voltaje chocando con más electrones de valencia y liberándolos
al tiempo.
• Lo que sigue es una avalancha de electrones que provoca una
corriente bastante grande.
• Este efecto solo ocurre cuando los voltajes aplicados son
superiores a 6 voltios.
38
Efecto Zener Comparativa de diodos

• Entre más dopado esté el material, menor será el ancho de la
zona de carga, esto se debe a que el campo eléctrico puede
expresarse como el cociente de la tensión o voltaje (V) entre la
distancia (d), cuando el diodo presente un dopado muy alto y el
valor de «d» sea muy pequeño.
• Bajo estas condiciones, el campo eléctrico es capaz de arrancar

electrones de valencia incrementando de esta forma la
corriente eléctrica.
• Este efecto se produce para voltajes de 4V o menores y para

tensiones inversas de entre 4 y 6 voltios, la ruptura de estos
diodos especiales como por ejemplo: Los Zener, pueden
producir ambos efectos.
39
2.2 LAS TRES APROXIMACIONES DEL
DIODO

Circuitos equivalentes del diodo
41
El diodo ideal, la segunda y tercera aproximación
1ª Aproximación (el diodo ideal)

• La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que • Polarización directa • Polarización inversa
pasan por el origen de coordenadas. Este diodo ideal no existe
en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.
42
2ª Aproximación
• La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que • Polarización directa • Polarización inversa
pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la tensión umbral para
el silicio, porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera
de germanio se tomaría el valor de 0,2 V).
43
3ª Aproximación
• La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y
tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia
interna.
44
3ª Aproximación
• La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y
tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia
interna.
45
2.3 HOJA DE DATOS DEL DIODO

Diodos rectificadores
¿Qué son?
• Un diodo rectificadores es un dispositivo semiconductor que
permite el flujo de la corriente eléctrica en una sola dirección.
• Parecido a un interruptor, se distingue por su curva de 2 partes:
por debajo o por encima del diferencial de potencia.
• Este componente electrónico está diseñado para dejar pasar la
mitad positiva o negativa de la señal de corriente alterna (AC)
usando la rectificación.
• A menudo, dicho proceso está presente en la creación de
fuentes de poder donde hace falta transformar la AC en
corriente directa (DC), función esencial para la estabilidad del
circuito.
47
Funcionamiento
• El diodo rectificador presenta una curva característica que • Polarización inversa
muestra las bases de su funcionamiento. En ese diagrama
distinguimos 2 elementos esenciales: • Esta condición ocurre al unir el diodo rectificador
con los polos de una batería. Así, el cátodo queda
• Polarización directa conectado al terminal positivo y el ánodo al
negativo. Este genera la transmisión de corriente de
baja potencia, que se conoce como de saturación
• Esto sucede cuando se conecta este inversa o fugas.
semiconductor a una fuente de tensión en donde
el potencial positivo está en contacto con el ánodo
y el negativo con el cátodo. • A medida que se eleva la temperatura, esta
corriente también crece. Si la tensión aplicada está
por debajo del valor conocido como tensión de
• Esta configuración directa de tensión permite que ruptura, se genera un flujo de energía
este componente electrónico conduzca el flujo de independiente. Esto puede hacer que la corriente
corriente. suba de forma rápida y con pequeños picos de
tensión.
48
Tipos de circuitos con estos

componente
• Rectificación de media onda.
• Este tipo de circuito permite transformar la corriente
alterna en corriente continua.
• Estos rectificadores suelen producir mayor número de

oscilaciones que aquellos de onda completa.
• Por esta razón, se debe incorporar un condensador para

regularlas y al mismo tiempo reducir la frecuencia
armónica de la AC con relación a la salida de la DC.
49
Tipos de circuitos con estos

componente
• Rectificación de onda completa.
• Aunque parecido al circuito anterior, esta versión sirve
para aprovechar los semiciclos de la AC para conseguir la
DC.
• En esta configuración, se puede observar una menor

caída de tensión y mayores niveles de intensidad cuando
le aplica una carga tipo RL.
• Esta rectificación es posible mediante un transformador

de toma central en el devanado secundario o el uso de
un puente de diodos (4).
50
Diodos de pequeña señal
¿Qué son?
• Los diodos de señal son usados en los circuitos para procesar
información (señales eléctricas), por lo que solo son requeridos
para pasar pequeñas corrientes de hasta 100 mA.
• Un diodo de señal de uso general tal como el 1N4148 está

hecho de silicio y tiene una caída de tensión directa de 0,7 V.
• Un diodo de germanio tal como el OA90 tiene una caída de

tensión directa más baja, de 0,2 V, y esto lo hace conveniente
para usar en circuitos de radio como detectores los cuales
extraen la señal de audio desde la débil señal de radio.
• Para uso general, donde la medida de la caída de tensión directa

es menos importante, los diodos de silicio son mejores porque
son menos fácilmente dañados cuando se sueldan, tienen una
más baja resistencia cuando conducen, y tienen muy baja
corriente de pérdida cuando se les aplica un voltaje en inversa.
51
Diodos de potencia
¿Qué son?
• Se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída
de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar
una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña
intensidad de fugas.
• El diodo responde a la ecuación:
52
Diodos de potencia
¿Qué son?
• Un diodo de potencia o diodo de alta potencia es uno de los
dispositivos semiconductores de potencia que tienen dos
terminales (cátodo y ánodo) similares al diodo de unión PN
normal, pero que presentan una mayor capacidad de manejo de
potencia.
• Están diseñados para manejar varios kiloamperios de corriente

en condiciones de polarización directa con una pérdida de
potencia insignificante y deben bloquear varios kilovoltios en
estado de polarización inversa.
• Son dispositivos diseñados para transportar una gran cantidad

de corriente a alta tensión. Los dispositivos semiconductores de
potencia se utilizan principalmente en los circuitos electrónicos
de potencia.
•
53
Diodos de potencia
Principio de Funcionamiento de los

diodos de potencia
• Es similar al del diodo de unión PN normal.
• Cuando la tensión del terminal anódico es mayor que la del

terminal catódico, el diodo conduce.
• El rango de caída de tensión directa en este diodo es muy

pequeño, aproximadamente 0.5V – 1.2V. En este modo, el diodo
funciona como una característica directa.
• Si la tensión del cátodo es mayor que la del ánodo, el diodo

funciona como modo de bloqueo. En este modo, el diodo
funciona como una característica inversa.
54
Diodos de potencia
Características de los Diodos de

Potencia
• Inicialmente, sin tensión de alimentación, la corriente directa es
0, pero a medida que la entrada de alimentación aumenta, y
alcanza el valor umbral (de unos 0.7 V), una pequeña cantidad
de corriente directa fluye a través del dispositivo.
• Una vez superado el valor umbral, se observa un aumento

considerable de la corriente del diodo (a 1V), ya que comienza a
conducir. En este caso, se observa un aumento lineal de la
corriente directa cuando la tensión supera el umbral
55
Diodos de potencia
Tipos de Diodo de Potencia
• La clasificación de los diodos de potencia puede hacerse en

función del tiempo de recuperación inversa, el proceso de
fabricación y la penetración de la región de agotamiento en
condiciones de polarización inversa.
• Los diodos de potencia, en función del tiempo de recuperación

inversa y del proceso de fabricación, se clasifican en tres tipos:
• Diodos de uso general
• Diodos de recuperación rápida
• Diodos Schottky
56
2.4 ALIMENTACIÓN ALTERNA DE
ENTRADA

Comportamiento del diodo con alimentación directa
• Cuando un diodo permite un flujo de corriente, tiene

polarización directa. Cuando un diodo tiene polarización
inversa, actúa como un aislante y no permite que fluya
la corriente. Extraño pero cierto: la flecha del símbolo
del diodo apunta en sentido opuesto al sentido del flujo de
electrones.
58
Alimentación en corriente alterna
• El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo

semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional
disparable que conduce la corriente sólo tras haberse superado
su tensión de disparo, y mientras la corriente circulante no sea
inferior al valor característico para ese dispositivo.
59
2.5 RECTIFICADORES CON UNO, DOS
Y CUATRO DIODOS

Rectificador de media onda
¿Qué es?
• Es un circuito que elimina a mitad de la señal que recibe en la
entrada, en función de cómo esté polarizado el diodo: si la
polarización es directa, eliminará la parte negativa de la señal, y
si la polarización es inversa, eliminará la parte positiva.
61
¿Qué es?
• Es un circuito que elimina a mitad de la señal que recibe en la
entrada, en función de cómo esté polarizado el diodo: si la
polarización es directa, eliminará la parte negativa de la señal, y
si la polarización es inversa, eliminará la parte positiva.
62
¿Qué es?
63
Rectificador de onda completa con 2 diodos
¿Qué es?
• Es el tipo más empleado en las fuentes de alimentación de los
equipos, debido a que con él se obtiene una corriente continua
muy parecida a la que proporcionan las pilas o las baterías.
64
Rectificador de onda completa con 2 diodos

¿Qué es?
65
Rectificador de puente con 4 diodos
¿Qué es?
• Es uno de los más usados en las fuentes alimentación, tanto si
está formado por cuatro diodos individuales como en su versión
integrada.
• Estos últimos son más fáciles de manejar, puesto que disponen
de cuatro patillas, dos para su conexión al transformador, y
otras para la conexión hacia la carga.
• La forma de la onda es igual a la que se obtiene en el
rectificador con transformador de toma intermedia.
66
Rectificador de puente con 4 diodos
¿Qué es?
67

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1.2 Purificación y contaminación del

1.3 Características y comportamiento de

1.4 Comportamiento de la unión NP y su

1.5 Graficas del comportamiento del diodo

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• Estas condiciones usualmente involucran

• Están compuestos por elementos químicos muy

• Junto con los materiales aislantes, los semiconductores

• Los semiconductores pueden ser de dos tipos

• Están conformados por un único tipo de átomos, dispuestos

• Estos materiales permiten un proceso de dopaje, es decir,

• Dependiendo de estas impurezas, que pueden ser pentavalentes

• Semiconductores extrínsecos tipo N (donadores)

• Semiconductores extrínsecos tipo N (donadores).

• Cuando se aplica una diferencia de potencial al material,

• Cuando los huecos llegan al extremo derecho, los

• Semiconductores extrínsecos tipo P (aceptores).

• Así, se habla de material aceptor añadido, ya que hay

Ejemplos de materiales semiconductores

Materiales conductores Materiales aislantes

• Son ejemplos de materiales aislantes el plástico, la cerámica, el

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Contaminantes trivalentes y pentavalentes

Contaminantes trivalentes y pentavalentes

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Materiales extrínsecos: materiales tipo N y tipo P

• Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos átomos tienen cinco

• Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones

• Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red

Materiales extrínsecos: materiales tipo N y tipo P

• De un semiconductor dopado con impurezas

Materiales extrínsecos: materiales tipo N y tipo P

Materiales extrínsecos: materiales tipo N y tipo P

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La unión NP y el diodo semiconductor

• Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones

La unión NP y el diodo semiconductor

La unión NP y el diodo semiconductor

La unión NP y el diodo semiconductor

• La unión PN se comporta de una forma asimétrica respecto de la

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Lo ideal comparado con lo práctica

• Cuando el diodo está polarizado en inversa, casi no hay

Lo ideal comparado con lo práctica

• En la zona de polarización directa, es la tensión a partir de la

• Para un diodo de silicio: Vk ≈ 0,7 V

• Para un diodo de germanio Vk ≈ 0,3 V

Lo ideal comparado con lo práctica

• Polarización directa: el modelo más simple por el que se puede

• Polarización inversa: el modelo más sencillo por el que se puede

Lo ideal comparado con lo práctica

• Por lo general, no sabemos si el diodo está polarizado en

• Si está polarizado en directa, la corriente va de P a N.

• Si está polarizado en inversa, no hay corriente entre P y

2.1 Símbolo eléctrico y curva de operación. Polarización

2.2 Las tres aproximaciones del diodo

2.3 Hoja de datos del diodo

2.4 Alimentación alterna de entrada

2.5 Rectificadores con uno, dos y cuatro diodos

2.6 Filtros con capacitores y reguladores lineales de