UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN

Facultad De Producción y Servicios

Escuela Profesional De Ingeniería Electrónica

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNCOS 3

ESCUELA: INGENIERIA ELECTRÓNICA

INTEGRANTES ¨ GRUPO A - G4 ¨:

➢ Arnold Bill Layme Polanco (CUI: 20162731)

➢ Cristian Tino Checya Aquise (CUI: 20090598)

➢ Edisson Alfredo Gutierrez Oppe (CUI: 20130498)

➢ Erick Yeyson Mamani Apaza (CUI: 20173157)

➢ Fernando Jefferson Choque Puma (CUI: 20150571)

➢ German Ramiro Huarca Chicaña (CUI: 20150575)

➢ Gean Pierre Colque Bernedo (CUI: 20120477)

➢ Kevin Joel Quiza Ccalloquispe (CUI: 20150535)

➢ Luis Alberto Cupa Hancco (CUI: 20123064)

➢ Renzo Victor Carpio Hallasi (CUI: 20084021)

Arequipa-2020
 EXPERIMENTO Nº 1
EL AMPLIFICADOR CLASE B EN SIMETRÍA COMPLEMENTARIA OBJETIVO:
Estudiar el comportamiento de un amplificador clase B en simetría complementaria.
Estudiar su funcionamiento con fuente de alimentación única y doble.

Nota: para desarrollar el experimento utilice software que más domine.

MATERIAL Y EQUIPO:
- Osciloscopio
- Generador de onda senoidal
- Fuente de Alimentación bipolar
- Multímetro
- 2 Transistores Complementarios: 2N3904 y 2N3906
- 2 Diodos 1N4148
- 9 Resistencias (¼W): 2x10Ω, 100Ω, 2x680Ω, 2x2.2KΩ, 2x4.7KΩ
- 2 Condensadores : 1uF/25V, 10uF/25V, 100uF/25V
- Tablero de conexión
- Alicate

PROCEDIMIENTO:
1. Arme el circuito de la Fig. 1-1. Calcule IC1,sat.(impuesto por el valor de VCC). Anote este
valor en la Tabla 1.

Fig. 1-1

2. Calcule el 2% de IC1,sat. y anote este valor en la Tabla 1.

TABLA 1
VCC = 10V

IC1,sat. 0.109 mA
2%IC1,sat. 0.002 mA

3. Energice la Fig. 1-1 con VCC = 5V.

 Fig. 1-1.1

4. Mida las tensiones DC en las bases de los transistores, en los emisores y en la carga RL.

Transistores DC bases DC emisor

2N3904 4.332 V 4.938 V
2N3906 0.645 V 5.062 V
RL 0.00000001 V aprox

5. Ponga el generador a una frecuencia de 1KHz y el nivel de señal de salida del generador
a 2 Vpp.

Fig. 1-1.2

6. Observe la señal de salida en los extremos de la resistencia de 100Ω.

¿Qué tipo de distorsión es ésta?. Anote aquí el nombre:
Distorsión cruzada - Crossover distortion

7. Superponga en el osciloscopio las señales de entrada y salida y observe el umbral de

conducción de los transistores. Medir la amplitud del umbral en la entrada.
 Fig. 1-1.3

Es 0.77 aprox.
8. Reduzca la señal del generador a cero y conecte el multímetro como amperímetro (teniendo
cuidado de seleccionar la escala más ALTA) en serie con el colector del transistor superior
(NPN). Ver la Fig. 1-2.

Fig. 1-2

9. Lentamente incremente VCC hasta que Icq = 1 mA. Quite el multímetro y reconecte el
colector superior a la fuente VCC.

Fig. 1-2.1

10. Utilice el multímetro para medir Vbe (de uno de los transistores) y anote el valor en la
Tabla 2.
TABLA 2
MEDICIONES
Vbe 0.104 V
Vpp 0.40 V
Vrms 0.75 V
Pcarga 3.05 nmW

11. Aumente el nivel de la señal del generador hasta obtener a la salida una señal de 8 Vpp.
 Fig. 1-2.2

12. Lentamente aumente el nivel de la señal hasta el punto en que aparezca un recorte en la
señal de salida.
13. Anote el voltaje de salida pico a pico en la Tabla 2.
14. Usando el multímetro como voltímetro de alterna, mida el valor RMS del voltaje de salida
y anótelo en la Tabla 2. A continuación, calcule y anote el valor de la potencia disipada en
la carga.

Potencia de Carga:

15. Arme el circuito de la Fig. 1-3. Con el generador en cero voltios mida las tensiones
continuas (DC) en las bases y emisores de los transistores, así como en la carga RL. Anote
sus observaciones y complete la Tabla 3 en base a los valores medidos.

Fig. 1-3
 TABLA 3
MEDICIONES
VbQ1 638.1mV
VeQ1 5.550mV
VbQ2 -637.8mV
VeQ2 3.461mV
VRL 4.291mV

16. Mida la corriente de reposo de los transistores. ¿Son idénticas?

¿Porqué?.

Por que el circuito es simétrico

Fig. 1-3.1

La figura 1-3.1 es un recorte de la figura 1-3, De donde podemos decir que las corrientes de reposo
ICQ1 y ICQ2 , son idénticos debido a que ambas corrientes son cantidades pequeñas en el orden de los
microAmperios y las corrientes IBQ1 y IBQ1 están en el orden de los nanoAmperios.
 17. Repita el paso 5. ¿Se observa distorsión en la señal de salida del circuito? Fundamente.
NO, eso se puede comprobar en las siguientes 2 gráficas:

Fig. 1-4.
En la señal de corriente de entrada Vs corriente de salida podemos ver que no hay distorción.

Fig. 1-5.
En la señal de voltaje de entrada Vs el voltaje de salida podemos ver que no hay distorsión.
Según el libro: “DISEÑO ELECTRÓNICO-Savant Y Carpenter; 6.3.2” Se debe mantener los diodos
de polarización en conducción todo el tiempo para evitar la distorsión. También es importante para
este fin conocer la resistencia del diodo en directo, que la corriente de polarización del diodo sea
bastante grande para mantener a los diodos en su porción lineal de su región de polarización directa
para todas las tensiones de entrada y finalmente se requiere que la corriente de polarización en directo
sea mayor que la corriente pico a través del diodo (ID>|idp|).

18. Repita los pasos 11, 12 y 14. Complete la Tabla 4 con los valores medidos.

Paso 11:

Fig. 1-6.

De la figura 1-6 podemos apreciar que el voltaje pico a pico de la señal de salida es próximo a 8V,
y esto se consigue con Vpp de la señal de entrada igual a 9V, pero cabe aclarar que esto se
consigue, cuando Vcc1 y Vcc2 tienen 12V de alimentación.

Paso 12:
 Fig. 1-7.

Si de la figura 1-6. Regulamos el valor de las fuentes a 5Vdc, la señal de salida se recorta en 3.66V,
como se puede ver en la figura 1-7.
Paso 14:

Fig. 1-8.
De la figura 1-8. podemos ver que aproximadamente Vp-p de salida es 7.9V, entonces el Vrms de salida es 5.59V.
 TABLA 4
MEDICIONES
Vpp 8V

Vrms 5.59V
Pcarga 312.48mW

CUESTIONARIO:
A. Calcule teóricamente las potencias máximas de los dos circuitos ensayados.

Del circuito de la figura 1-3 y la TABLA 4: Tomando como referencia la figura 10.22 del
libro : “CIRCUITOS ELECTRÓNICOS análisis, simulación, diseño ; Norbert R. Malik”
la potencia desarrollada en la carga es :

𝑉𝑐𝑐 2
𝑃𝑅𝐿 = 0.406 ∗ 2∗𝑅𝐿= 292.32mW;Vcc=12V
𝑃𝑏𝑖𝑏𝑙𝑖𝑜𝑔𝑟á𝑓𝑖𝑐𝑎 − 𝑃𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑎 312.48𝑚𝑊 − 292.32𝑚𝑊
𝑒% = | | ∗ 100% = | | ∗ 100%
𝑃𝑏𝑖𝑏𝑙𝑖𝑜𝑔𝑟á𝑓𝑖𝑐𝑎 312.48𝑚𝑊
𝑒% = 6.45%

B. Dé sus observaciones y conclusiones sobre el experimento realizado.

➢ Se observó y analizó el comportamiento de un amplificador clase B en simetría

complementaria, además de las diferentes estructuras para amplificadores de potencia,
incorporando conocimientos relativos a estrategias de implementación y diseño.
➢ Se eliminó la distorsión del amplificador clase B, con ayuda de dos diodos para que el
amplificador no se vea limitado en tratar con señales mayores a 0.7V, teniendo en cuenta lo
perjudicial que es esta distorsión en señales con pequeña amplitud.

C. Busque en la bibliografía, el circuito de un amplificador de 5-10W de potencia de salida y

emplee elementos discretos. Identifique las funciones de los componentes del circuito y
calcule las tensiones y corrientes de reposo. (entregue el diagrama esquemático del mismo).
AMPLIFICADOR DE 10W
Diagrama esquemático:

CÁLCULOS Y PROCEDIMIENTOS:
VCC: √2x10x8= 12.64 ≅13v
La fuente de alimentación debe suministrar una tensión de ± 13V
La corriente máxima que debe suministrar cada fuente es:
Ic = Vcc/Rl=13V/8= 1.62 A = Ic
Características de los transistores
Los transistores Q5 y Q6 tienen las siguientes características:
Vcc ≥ 13V
Ic ≥ 1.62 A
β= 20
Características de R9 y R11 se eligen de 0,47Ω
PR9=V.I
PR9= R.i2
PR9MAX=0.47ΩX1.622 A
PR9MAX= 1.23W
R9 y R11 son resistencias de 0.47Ω y con una capacidad de disipación superior a 1.23W
Características de los transistores Q3 y Q4:
Q4 es un transistor NPN en configuración Darlington junto con Q6. Q3 es un transistor RNP en
configuración Darlington complementario junto con Q5.
Q4 y Q5 equivalen a un transistor NPN de
β=β1xβ2
Q3 y Q5 equivalen a un transistor PNP de
β=β1xβ2
Los transistores de potencia tienen una β aprox. de 20 por ejemplo se elige el 2N3055.
Para Q4 se elige un transistor de β=100 por ejemplo el 2N2222A. Para Q5 un transistor de β=100,
por ejemplo el 2N2905.
Cálculo R8, la tensión en la base de Q4 es de 0.81
Ib= Io/β1xβ2=(1.62 A)/20x100=0.00081≈0.81mA
Se toma para R4 una corriente superior para garantizar que los diodos y el transistor Q2 siempre
 estén conduciendo por ejemplo 5mA.
R8=(Vcc-2xVbe)/1=(13-0.8)/5mA= 2438Ω
R8= 2438Ω

Cálculo C4:
C≈ 1/(2πxfIcx(3xid))
Id= 25mV/I=25mV/5mA = 5Ω
Sustituyendo:
C4= 1/(2πx20(3x5)) = 530µF
C4= 530µF
Elección de diodos D1, D2, D3:
La corriente que circula por los diodos es pequeña, 5 mA sirve cualquier diodo ejemplo: 1N4148.
Elección de Q2, se elige el transistor ejemplo 2N2222A de
Cálculo R7, se elige una caída de tensión =1.3
R7 = 0.26x1000 =260Ω
R7= 260Ω
R5, se elige una corriente por R5 y R6 superior a la de la base, la corriente por la base de Q2 es:
Ib2=ib2/b2 =0.05mA
R5=1.3+07/1mA= 2000Ω
R5=2000Ω
Calculo R6:
La I=corriente es de 1mA, la diferencia de potencial en extremo es:
V= 1.3 – (-19.1) = 32.1V
La resistencia
R6= 32.1/1mA = 32100Ω
R6=32100Ω
Q1=NPW 2N2222A de
Cálculo R3 y R4 = 1.3V
R3= vc/ic= 130 Ω
R3= 130 Ω
En el colector de Q1 se tiene la siguiente tensión:
Vc=Ve + Vce = Ve + = 1.3+ =7.8V=Vo
R4= = 0.52 x 1000= 520Ω
R4= 520Ω

La ganancia de la etapa es:

A= 20 x log(r4/ze2/id+r3)
Ganancia ej:
A= 20 x log(r4/ze2/id+r3)
Ze2= R5//R6// X(Id+17) = 2553Ω
Ze2=2553Ω
rd2= 25mV/ 5mA = 5 Ω
Ze2= 2900Ω // 41100Ω// 20(5Ω+440Ω)
2900Ω// 41100Ω// 2 (445Ω)
19.85 (445)