ELECTRNICA BSICA

Unidad 2
Ing. Rosa Imelda Garca Chi, MTI
Ingeniero en Sistemas Computacionales Mster en Tecnologas de la Informacin Ingeniera en Tecnologas de la Informacin y Telecomunicaciones
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Encuentro 3

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UNIDAD II TRANSISTOR Y SUS APLICACIONES

2.0 Construccin del transistor 2.1 Operacin del transistor 2.1.1 Base comn 2.1.2 Emisor comn 2.1.3 Colector comn 2.2 Hojas de especificaciones del transistor 2.3 Verificacin de transistores e identificacin de terminales 2.4 Varsistores: TRIAC, DIAC, UJT y SCR.
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transistores

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2.0 Construccin del transistor

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transistor
Del ingles transistor , acrnimo de re sistor

trans fer

Semiconductor provisto de tres o ms electrodos que sirve para rectificar y amplificar los impulsos elctricos. Sustituye ventajosamente a las lmparas o tubos electrnicos por no requerir corriente de caldeo, por su tamao pequesimo, por su robustez y por operar con voltajes pequeos y poder admitir corrientes relativamente intensas.

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El Transistor

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Construccin del Transistor

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Construccin del Transistor

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.Construccin del Transistor

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radios Televisores Grabadoras reproductores de audio Reproductores de video hornos de microondas Lavadoras Automviles equipos de refrigeracin Alarmas relojes de cuarzo Ing. en Tecnologas de Inf. y Tel. Ordenadores Electrnica Bsica
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Historia

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2.1 Operacin del transistor 2.1.1 Base comn 2.1.2 Emisor comn 2.1.3 Colector comn

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Componentes electrnicos : El transistor bipolar Tipos de transistores Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor tipo PNP Transistor tipo NPN Caractersticas elctricas de un transistor bipolar El fototransistor Conclusiones

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tipos de transistores
BIPOLARES NPN PNP
TRANSISTORES

UNIN EFECTO DE CAMPO

CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P)

METALCANAL N (MOSFET-N) OXIDOSEMICONDUCTOR CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

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Principio de funcionamiento del transistor bipola

- - - -

- - - -

+ -

Concentracin de huecos

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+ + + + + + ++ + + + + + + + +
P

+ + + + + + ++ + + + + + + + +

Principio de funcionamiento del transistor bipola

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda

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Principio de funcionamiento del transistor bipola

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Principio de funcionamiento del transistor bipola

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Principio de funcionamiento del transistor bipola

El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR

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Principio de funcionamiento del transistor bipola

Base Emisor
P N

Colector
P

Transistor PNP

El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector. El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del colector: emisor y colector no son intercambiables

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Principio de funcionamiento del transistor bipola

Transistor NPN

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones. En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP.

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Principio de funcionamiento del transistor bipola

Transistor NPN

Base Emisor
N P

Colector
N

Transistor NPN

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones.

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Principio de funcionamiento del transistor bipola

Conclusiones: Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN. Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1)La zona de Base debe ser muy estrecha. 2)El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
C NP B N+ E

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN
IB = f(VBE , VCE ) Caracterstica de entrada + IC + VCE IE -

En principio necesitamos conocer 3 voltajes y 3 corrientes: IC, IB, IE VCE , VBE , VCB En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y 2 voltajes. Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE y VBE .
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VCB + VBE IB -

IC = f(VCE , IB) Caracterstica de salida

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN
IB = f(VBE , VCE ) Caracterstica de entrada IC + IB VCE VBE IB VCE

+ VBE -

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La caracterstica de este diodo depende de VCE pero la variacin es pequea.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN
IC = f(IB, VCE ) Caracterstica de salida IC + IB VCE IB IC

+ VBE -

VCE

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Equivalente hidrulico del transistor

h2

Caudal

Apertura

h1 - h2

h1

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de salida
IC IB Zona activa: IC= + VCE Zona de saturacin IC (mA)

+ VBE -

40 30 20 10

(A) 400 300 200 100 0 2 VCE (V)

IB Zona de corte

El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del transistor es la ganancia de corriente .

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de entrada
IC IB IB Ideal VCE

+ VCE -

+ VBE -

VBE

La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean las aproximaciones lineales vistas en el tema anterior.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC IC + VBE IB + VCE -

Zona activa
+ VBE -

IB

+ VCE -

IB IC

IC

Zona de saturacin
IB VBE

+ -

IB

IC< IBVCE =0 IC=0 + VCE -

VCE

Zona de corte
VBE
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+ -

IB

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Funcionamiento en conmutacin de un transistor NP

12 V 36 W 12 V I 3A = 100 40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital

12 V 36 W

3A 12 V I

IC 4A (ON) 3A OFF 12 V (OFF) VCE ON IB = 40 mA

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor PNP
IB = f(VBE , VEC ) Caracterstica de entrada IC IB VEC VEB + + IB VEC

VEB

Los voltajes y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN. Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Transistor PNP
IC = f(IB, VCE ) Caracterstica de salida IC IB VEC IB IC

VEB +

VEC

La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante la corriente de base IB.

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Funcionamiento en conmutacin de un transistor PNP

12 V 36 W 12 V 40 mA I = 100 3A 12 V 36 W IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.

3A 12 V I

4A (ON) 3A OFF 12 V (OFF) ON

IB = 40 mA

VEC

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Caractersticas reales (NPN)
Activa Avalancha Secundaria IB6 IB5 Saturacin IB3 IB2 IB1 I B4 PMax = VCEI C Avalancha Primaria

IB
VCE = 0 V CE1 V CE2

IC I
CMax

VBE
1V

IB= 0 VCEMax Corte VCE

Caracterstica de Entrada

Caracterstica de Salida

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC IC-MAX VCE-MAX PMAX VCE-SAT HFE Corriente mxima de colector Voltaje mximo CE Potencia mxima Voltaje C.E. de saturacin Ganancia PMAX ICMAX B E C

SOAR

VCE-MAX VCE

rea de operacin segura (Safety Operation Area)

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20

T O S H IB A

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Configuracin en Base comun (BC)

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Efector transistor

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Efector transistor

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Colector comn

La configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor comn.

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El fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempean el papel de corriente de base C El terminal de Base, puede estar presente o no. No confundir con un fotodiodo.

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El fototransistor

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El fototransistor

DISTINTOS ENCAPSULADOS

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El fototransistor
OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO: Proporcionar aislamiento galvnico y proteccin elctrica. Deteccin de obstculos.

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2.2 Hojas de especificaciones del transistor

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Hoja de especificaciones del transistor

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Lista de valores nominales mximos que vcemax

VCEO 30 V con ICmax 200 mA. La mxima disipacin de colectora . 625 mW. El factor de degradacin bajo los valores nominales mximos especifica que el valor nominal mximo debe descender 5 mW por cada grado de incremento en la temperatura sobre los 25C. En las caractersticas durante el estado "apagado" ICBO se especifica como de 50 nA y durante el estado "encendido" VCEsat 0.3 V. El nivel de hFE tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una IC 2 mA y VCE =1 V y un valor mnimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje. Los limites de operacin se han definido ahora para el dispositivo y se repiten a continuacin en el formato de la ecuacin (3.17) empleando hFE 150 (el lmite superior). En realidad, para muchas aplicaciones, los 7.5 uA 0.0075 mA se pueden considerar como 0 mA sobre una base aproximada. Ing. en Tecnologas de Inf. y Tel. Electrnica Bsica MTI Rosa Imelda Garca Chi

2.3 Verificacin de transistores e identificacin de terminales

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Verificacin de Transistores

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Como se mide un transistor con el multmetro?

En la figura siguiente hay una secuencia de imgenes con las cuales observaremos si un transistor est en buenas o malas condiciones. En la secuencia del 1 al 4 dentro de la lnea verde, te mostramos la forma de probar un transistor NPN, puedes ver el smbolo del mismo en la parte inferior
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En primer lugar seleccionamos en el multmetro la opcin R X 10 R X 100, hecho esto hacemos lo siguiente:

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Dentro de la lnea roja te mostramos como probar un transistor PNP, puedes ver el smbolo en la parte superior derecha de la secuencia correpondiente ( 5 al 8 ).

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COMO SE PUEDE DETERMINAR CUAL ES LA BASE DE UN TRANSISTOR:

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Ya sabemos cual es la base, pero ignoramos cual es el colector y el emisor. Para saberlo hacemos lo siguiente:

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Bien, aclaremos ahora,

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2.4 Varsistores: TRIAC, DIAC, UJT y SCR

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DIAC (Diodo Interruptor de Corriente Alterna):

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TRIAC

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El transistor de Unijuntura (UJT)

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SCR - Silicon Controled Rectifier

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Analizando los diagramas: A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

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Conclusiones
Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de Potencia y en Electrnica Digital. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica Analgica. Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares. Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de condiciones.

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