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Índice

I. OBJETIVOS ...................................................................................................................................... 2
II. MATERIALES Y EQUIPOS................................................................................................................. 2
III. MARCO TEORICO ........................................................................................................................ 3
IV. PROCEDIMIENTO ........................................................................................................................ 4
V. RESULTADOS................................................................................................................................... 5
VI. SIMULACIONES ........................................................................................................................... 7

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LABORATORIO N° 06
Tema: POLARIZACION DE TRANSISTORES

I. OBJETIVOS

 El objetivo de la práctica es comprobar experimentalmente la polarización de un


transistor y la influencia de distintos parámetros en su polarización, para las
configuraciones de emisor y colector común.

II. MATERIALES Y EQUIPOS

 1 Resistencia de 100 Ω 1 Diodo 1N4148 2 Transistores BC 548B


 2 Resistencia de 1 KΩ 1 Diodo Led Rojo 1 Transistor BC 327
 2 Resistencia de 3.3 kΩ 1 Diodo Led Verde Hojas de datos del BC
548 y del BC 327
 1 Resistencia de 4.7 KΩ 1 Relé 12V con cables para 1 Pulsador
N.A. para circuito impreso
 1 Resistencia de 33 KΩ su conexión al protoboard1 1 Pulsador
N.C. para circuito impreso
 1 Resistencia de 47 KΩ 1 Lamparita 12V con cables para 1
Capacitor de 1000 µF x 16V
 1 Resistencia de 56 KΩ su conexión al protoboard Alambre tipo
telefónico
 1 Resistencia de 68 KΩ 1 Preset de 5 KΩ Cables y herramientas básicas.

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III. MARCO TEORICO

Transistor de Unión Bipolar (BJT)

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de los


terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para amplificación, regulación
de potencia y como interruptores. El transistor de unión bipolar (BJT) está formado por la
unión de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipo p y uno tipo n.

Se conoce como transistor bipolar ya que la corriente es producida tanto por electrones como
por huecos. La figura 1 muestra la construcción de un BJT tipo npn (dos semiconductores tipo
n separados por un semiconductor tipo p) y su correspondiente símbolo esquemático. Los
terminales del transistor se identifican como Colector (C), Emisor (E) y Base (B). La figura
muestra un BJT tipo pnp.

La figuras 3 y 4 muestran un ejemplo y un esquemático de la parte inferior de un BJT que nos


permite identificar sus terminales (Colector, Base y Emisor), respectivamente. Note que los
terminales son los mismos para NPN y PNP.

Como los transistores BJT pueden representarse internalmente como la unión de dos diodos
(ver figura 5), el DMM puede utilizarse para revisar cada diodo como aprendimos en las
prácticas anteriores.

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IV. PROCEDIMIENTO

VARIACIÓN DE LA RESISTENCIA DE BASE.

a) Armar el circuito de la figura.


b) Medir Icq y Vceq. Completar el cuadro Nº1. (Icq y Vceq deberán ser también calculados
por nosotros mismos.) El casillero correspondiente a “Zona de Trabajo” se refiere a si el
transistor se encuentra en la Zona Activa, de Corte o de Saturación.
c) Reemplazar R2 por los valores indicados en el cuadro y completar la 2° y 3° línea del
mismo.
d) Volver a poner el resistor de 47 KΩ como R2.
e) Reemplazar ahora el R1 por los valores indicados en el cuadro y completar la 4° y 5° línea
del mismo.
f) Dejar sin conexión R1. Completar el cuadro.
g) Volver a colocar el resistor de 56 KΩ como R1. Eliminar el resistor de 47 KΩ como R2.
Completar el cuadro.
h) Completar el cuadro con los valores de teóricos correspondientes. De existir diferencias
importantes entre los valores medidos y los calculados, se deberán revisar los cálculos y
si el error persiste se realizará nuevamente la medición.

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V. RESULTADOS

 Cuadro de valores Nº 1 ( con Re= 3.3 K y Rc = 1 K)

Valores medidos Valores calculados


R1 R2 Icq Vce Icq Vce Zona de
K K mA q mA q Trabajo
 V V
56 47 1.43 5.38 1.63 4.99
56 68 1.8 4.24 1.3 6.41
56 33 1.2 7.1 1.7 8.63
68 47 1.2 6.09 1.9 7.56
33 47 4.5 3.87 3.12 5.71
2 47 0 11.9 0.079 11.66
56  2.8 0.1 -0.18 12.74

𝑅𝑏 = 𝑅1 //𝑅2
𝑅1 = 56KΩ 𝛽 = 100
𝑅2 = 47KΩ 𝑉𝐶𝐶 = 12
𝑅𝑏 = 25.55KΩ 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉
𝑅1
𝑉𝐵𝐵 = × 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = 6.52𝑉
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅
𝑅𝑒 + 𝑏⁄𝛽

𝐼𝐶 = 1.63𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝑒 + 𝑅𝐶 )

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 4.99𝑉

 Cuadro de valores Nº 2 ( con R1= 56 K, R2 = 47 K y Rc = 1 K)

Valores medidos Valores calculados


Re Icq Vce Icq Vce
K mA q m q
V A V
1 9.5 3.13 4.63 2.74
3,3 1.5 5.86 1.63 4.99
4,7 1.1 6.23 1.17 5.33

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𝑅𝑏 = 𝑅1 //𝑅2
𝑅1 = 56KΩ 𝛽 = 100 𝑅𝑒 = 1KΩ
𝑅2 = 47KΩ 𝑉𝐶𝐶 = 12
𝑅𝑏 = 25.55KΩ 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉
𝑅1
𝑉𝐵𝐵 = × 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = 6.52𝑉
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅
𝑅𝑒 + 𝑏⁄𝛽

𝐼𝐶 = 4.63𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝑒 + 𝑅𝐶 )

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 2.74𝑉

 Cuadro de valores Nº 3 ( con R1= 56 K , R2 = 47 K y Re = 3.3 K)

Valores medidos Valores calculados


Rc Icq Vce Icq Vce
K mA q m q
V A V
1 1.3 5.84 1.63 4.99
3,3 1.3 2.6 1.63 3.02
4,7 1.4 0.61 1.63 1.12
𝑅𝑏 = 𝑅1 //𝑅2
𝑅1 = 56KΩ 𝛽 = 100 𝑅𝑒 = 1KΩ
𝑅2 = 47KΩ 𝑉𝐶𝐶 = 12
𝑅𝑏 = 25.55KΩ 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉
𝑅1
𝑉𝐵𝐵 = × 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = 6.52𝑉
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅
𝑅𝑒 + 𝑏⁄𝛽

𝐼𝐶 = 1.63𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝑒 + 𝑅𝐶 )

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 4.99𝑉

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VI. SIMULACIONES

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