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nº57 / Septiembre 2020
Precisamente cada una de estas capas de un solo hasta quedarse únicamente con una capa de un
átomo de espesor se conocen con el nombre de átomo de espesor que colocaron sobre un substrato
grafeno y aunque se conocía teóricamente desde de SiO2/Si. De esta forma no sólo demostraron que
los años 50 [5], durante muchos años se consideró era posible aislar una capa bidimensional de un solo
que era imposible obtenerlo de forma aislada pues átomo de espesor, sino que además, aplicando una
se creía que como película monoatómica sería tensión al substrato de silicio, demostraron que era
termodinámicamente inestable. Sin embargo, en el posible modular la conductividad de la lámina de
año 2004, en el laboratorio de los profesores Andre grafeno por efecto del campo eléctrico transversal
Geim y Konstantin Novoselov en la Universidad de generado.
Manchester en el Reino Unido se consiguió aislar Precisamente esta estructura hexagonal
experimentalmente por primera vez una lámina bidimensional de un solo átomo de espesor, también
monoatómica de grafeno a partir de la exfoliación conocida como “honeycomb” o panel de abeja,
mecánica de grafito pirolítico altamente orientado le confiere al grafeno unas propiedades físicas
(2004) [6]. Este descubrimiento les valió a Geim y espectaculares, tanto estructurales como eléctricas,
Novoselov el premio Nobel de Física en 2010 [7]. En ópticas y térmicas. El grafeno es un material muy
un experimento poco convencional, Geim y Novoselov resistente, flexible y transparente con excelentes
utilizaron una estructura de grafito tridimensional a la propiedades conductoras tanto térmicas cómo
que mediante una cinta adhesiva fueron despegando eléctricas. Es alrededor de 200 veces más resistente
láminas de grafeno. Recursivamente aplicaron la que el acero, más duro que el diamante, tan ligero
misma técnica a la parte adherida a la cinta adhesiva como las fibras de carbono, pero aún más flexibles
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que éstas, tan denso que ni el helio puede penetrarlo corriente de drenador, ID, cuyo valor depende de
y conduce la electricidad mejor que el cobre. El la tensión aplicada al terminal de control, o puerta
grafeno es un material muy ligero: una lámina de (Gate). Las características eléctricas (curva ID-VG)
un metro cuadrado pesa tan sólo 0,77 miligramos, del transistor FET de grafeno presentan un claro
y con un gramo podríamos cubrir completamente la comportamiento ambipolar. En equilibrio, es decir, sin
superficie de un estadio de fútbol. La movilidad de los tensión aplicada, se obtiene el mínimo de corriente,
portadores de carga en el grafeno es extremadamente también conocido como punto de Dirac [10].
alta lo que lo hace un material con una conductividad
eléctrica excepcional. Es químicamente estable y
sus propiedades eléctricas son muy sensibles a
su entorno, que pueden modificarse mediante la
aplicación de campos eléctricos o con la colocación
de especias cargadas próximas a su superficie.
Precisamente gracias a esta última propiedad, el
grafeno puede emplearse como canal en dispositivos
de efecto campo (Field-Effect transistors, FET) [6]
. Un transistor de efecto campo es un dispositivo
electrónico en el que la conductividad de un trozo
de material llamado canal (en este caso grafeno)
y que contacta a dos zonas de alta concentración
de portadores de carga (drenador (drain), y fuente
(source) generalmente metales como cromo (Cr)
y oro (Au)) puede modificarse significativamente
dependiendo del valor de un campo eléctrico externo
aplicado y que se controla con la tensión aplicada
a un terminal denominado puerta y que se acopla
capacitivamente al grafeno mediante un aislante
(SiO2) o una solución electrolítica (Figura 3) [8], [9].
b) Crecimiento epitaxial
La epitaxia utiliza la estructura atómica de un
sustrato cristalino para sustentar el crecimiento de
un material depositado sobre éste. En el caso del
crecimiento epitaxial de grafeno se utiliza carburo
de silicio (SiC) como substrato. Tras un proceso
de calentamiento a temperaturas muy elevadas,
alrededor de los 1200ºC, y en condiciones de
ultra alto vacío (UHV), se produce la sublimación
de los átomos de silicio de las capas superiores,
dejando atrás los átomos de carbono del SiC que
Figura 5. Métodos de obtención de grafeno. se reordenan para formar algunas capas de grafeno
Figure 5. Methods of growth os graphene. sobre la superficie [12]. El número de capas puede
controlarse limitando el tiempo o la temperatura en
Por este motivo, en la actualidad existe un amplio la etapa de calentamiento. La calidad y el número de
abanico de técnicas para producir grafeno, las cuales capas en las muestras también dependen de la cara
suelen agruparse en técnicas “top-down”, cuando se de SiC utilizada para su crecimiento: la superficie
obtienen estructuras de espesor nanométrico a partir terminada en carbono produce pocas capas, pero
de un material de mayores dimensiones (método estas tienen una baja conductividad, mientras que
de exfoliación mecánica), o “bottom-up”, en los que la superficie terminada en silicio produce varias
se parte de los átomos de carbono, generalmente capas de grafeno pero con conductividad movilidad.
en forma gaseosa, generados mediante la Los valores de conductividad medidos en el grafeno
descomposición de moléculas orgánicas, para formar epitaxial son inferiores a los medidos en el grafeno
la estructura del grafeno (métodos de crecimiento exfoliado [13]. Se ha comprobado que las películas de
epitaxial, deposición química de vapor o síntesis grafeno preparadas en UHV exhiben una morfología
química). rugosa y muestran áreas de diferentes grosores,
que potencialmente podrían ser responsables de la
disminución de la movilidad registrada para estas
a) Exfoliación mecánica películas.
La exfoliación mecánica se refiere al proceso en el
que se utiliza la fuerza mecánica para separar las
capas de grafeno del grafito. Esto implica bien utilizar c) Deposición química en fase de vapor (CVD)
una cinta adhesiva para fijar la superficie del grafito Una de las técnicas más populares para la síntesis a
y el uso de la fuerza para despegar la cinta junto a gran escala de películas de grafeno es la deposición
las capas de grafeno que se han quedado adheridas química de vapor (CVD) sobre superficies de
a la misma, o frotar la superficie del grafito contra metal, debido a su bajo coste, reproductibilidad
otro material para desprender las láminas de grafeno y razonablemente alta calidad de producción
del volumen. Este método es posible gracias al débil [14]. A diferencia de las láminas disgregadas
acoplamiento de tipo van der Waals entre las capas aleatoriamente que se obtienen en los métodos de
de grafeno que constituyen el grafito. La facilidad exfoliación, el crecimiento por CVD produce grandes
de producción y el bajo coste en el instrumental superficies de grafeno continuas y uniformes,
requerido, hacen que la exfoliación del grafito sea la aunque no necesariamente monocristalina. Aunque
técnica más generalizada para preparar el grafeno históricamente, la formación de las capas de grafito
[11]. La exfoliación micromecánica con cinta adhesiva a partir del procesado de metales de transición
es fácil y rápida, y proporciona grandes láminas de y la exposición a fuentes de carbono en forma de
grafeno (varias micras) de alta calidad que son útiles hidrocarburos o de carbono evaporado se conoce
para diversos estudios a nivel de laboratorio (usando desde hace más de 50 años [15], el actual interés
esta técnica, Geim y Novoselov consiguieron sobre este material ha llevado a una renovada
obtener, de forma fiable y reproducible, películas de tendencia por obtener láminas de grafeno con un
grafeno de pocas capas con tamaños de hasta 10 número de capas controlado, sobre varios tipos de
μm y espesores de menos de 10 nm). El principal sustratos de metal (Ni, Co, Ru, Ir, Re, Pt, Pa y Cu
inconveniente de esta técnica es que no proporciona entre otros) mediante esta técnica de deposición.
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Figura 6. Esquema de crecimiento de grafeno por el método CVD. 1 y 2) Horno CVD en el laboratorio de Nanoelectrónica de la UGR;
3) Sustrato de cobre; 4) Introducción del sustrato de cobre en el tubo de cuarzo; 5) Reducción de la superficie del cobre y crecimiento
de grafeno; 6) Eliminación del substrato de cobre mediante ataque químico con cloruro férrico; 7) Enjuague de la lámina de grafeno
en agua desionizada; 8) Transferencia sobre substrato PET (tereftalano de polietileno); 9) Resultado final.
Figure 6. Growth of Graphene by CVD method. 1 and 2) CVD furnace at Nanoelectronics Laboratory at UGR; 3) copper foil; 4)
Introduction of copper foil inside the quartz tube; 5) Reduction of copper surface and graphene growth; 6) Etching of copper foil by
chemical attack; 7) Rinse of graphene in de-ionized water 8) Transfer of graphene to PET (polyethylene terephthalate); 9) Final result.
de los grupos carboxilo (COOH) situados en los borohidruro de sodio (NaBH4) [21], ácido L-ascórbico
bordes de la lámina de hibridación sp2 del carbono. [22], o por tratamientos térmicos o fototérmicos
Estos grupos funcionales proporcionan una amplia mediante láser [23]. Este método presenta cuatro
variedad de reacciones de modificación de superficie ventajas fundamentales frente a los procedimientos
para desarrollar materiales basados en óxido de de reducción química:
grafeno funcionalizado, lo que abre nuevas vías 1. Permite controlar la eficiencia de reducción a
para la combinación del grafeno con otros materiales través de la potencia fototérmica aplicada con el
y superficies para mejorar su aplicabilidad. Sin láser. Las variables de control son la potencia del
embargo, debido a la alteración de la estructura láser, la longitud de onda del láser y la velocidad
electrónica provocada por estos grupos funcionales, de excursión del haz sobre la superficie de la
el óxido de grafeno contiene defectos y desordenes muestra.
irreversibles que degradan sus propiedades eléctricas
2. El láser controlado por una unidad de control
haciéndolo eléctricamente aislante, aunque su
numérico (CNC) permite realizar patrones
posterior reducción, puede restaurar parcialmente
litográficos directamente, sin necesidad de
la conductividad, pero a valores siempre por debajo
un proceso litográfico posterior o el uso de
de los del grafeno prístino [19]. Esto hace que este
máscaras. La resolución viene determinada por
método sea menos atractivo, en comparación con la
el sistema de posicionamiento del láser.
exfoliación mecánica, para aplicaciones que sean
muy estrictas en cuanto a los requisitos de calidad 3. Es un procedimiento económico (sólo es
del cristal. Una vez que el grafito ha sido oxidado, necesario invertir inicialmente en la adquisición
este puede exfoliarse ya sea por sonicación o por de los equipos láser).
una agitación prolongada en agua, produciendo una 4. Es un procedimiento ecológico (frente a otras
dispersión homogénea e indefinidamente estable aproximaciones que requieren del uso de
que consiste principalmente en láminas de una sola reactivos que provocan reacciones altamente
capa (óxido de grafeno). La naturaleza hidrófila exotérmicas como la hidrazina).
del óxido de grafeno implica que las moléculas de En la Figura 7.b se muestra una fotografía de un
agua se pueden intercalar fácilmente en el óxido equipo de reducción láser de baja potencia. La
de grafito, provocando la separación interlaminar. Figura 7.c presenta un ejemplo de muestra de
Además, las cargas superficiales en el óxido de óxido de grafeno, con motivos litográficos en forma
grafeno son altamente negativas cuando se dispersa de cuadrado de 1cm x1cm de óxido de grafeno
en agua, debido a la ionización del ácido carboxílico reducido a potencias de láser crecientes. A medida
y los grupos hidroxilo fenólicos [20], provocando una que la potencia del láser aumenta, el óxido de
repulsión electrostática que evita que los coloides grafeno va perdiendo su transparencia tornándose
de óxido de grafeno se re-agreguen. Finalmente, oscuro, consecuencia de la recuperación de las
el óxido de grafeno puede ser depositado como estructuras grafíticas. El procedimiento de reducción
una película fina sobre casi cualquier superficie, y láser permite modular la conductividad de la muestra
convertirse a grafeno (u óxido de grafeno reducido) directamente a través de la potencia fototérmica de
por métodos químicos que suponen el uso de forma muy precisa.
agentes reductores como la hidracina (N2H4) [19] o el
Figura 7. (a) Esquema del proceso de reducción laser; de izquierda a derecha: lámina de óxido de grafeno presentando grupos
funcionales; proceso de reducción fototérmico láser; óxido de grafeno reducido una vez eliminados los grupos funcionales. (b) Detalle
de unas de las unidades de control numérico (CNC) con una cabeza láser. (c) Detalle de una muestra de óxido de grafeno con motivos
cuadrados de 1cm2 de óxido de grafeno reducido obtenidos a potencias láser crecientes.
Figure 7. (a) (a) Illustration of GO reduction with laser diode irradiation; from left to right: layer of graphene oxide with a large amount
of functional groups; the functional groups are broken during the reduction process for obtaining the partial restoration of the graphene
layers, although some defects remain in the structure (right). (b) Image of the experimental setup based on a numerical control unit with
interchangeable laser head. (c) An example of 1 cmx1cm rGO samples on a PET substrate reduced at increasing laser power intensities.
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