INSTITUTO TECNOLÓGICO

RUMIÑAHUI

INVESTIGUE APLICACIONES EN LA INDUSTRIA DE LOS TIRISTORES

DIAC Y TRIAC

ALUMNO: HÉCTOR ANTONIO COBEÑA MEDINA

DOCENTE: ING. HENRY MAURICIO OSORIO ZAMBRANO

2do NIVEL DE ELECTRCIDAD

30-AGOSTO-2022
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Los tiristores son interruptores electrónicos utilizados en circuitos electrónicos de potencia donde
es necesario controlar la activación del interruptor. Los tiristores constituyen una familia de
dispositivos de tres terminales, entre los que se encuentran: el rectificador controlado de silicio
(SCR), el triac, el tiristor de bloqueo por puerta (GTO) y el tiristor MCT o tiristor controlado
por MOS (metal-óxido-semiconductor). Los tres terminales son el ánodo, el cátodo y la puerta. A
veces, se utilizan los términos tiristor y SCR como sinónimos. Los tiristores pueden soportar
altas corrientes y altas tensiones de bloqueo en aplicaciones de alta potencia, pero las frecuencias
de conmutación están limitadas a valores de entre 10 y 20 kHz, aproximadamente. (Hart, 2001)

Para que el SCR entre en conducción, hay que aplicar una corriente de puerta cuando la tensión
ánodo-cátodo sea positiva. Una vez que el dispositivo haya entrado en conducción, la señal de
puerta deja de ser necesaria para mantener la corriente de ánodo. El SCR continuará conduciendo
mientras la corriente de ánodo siga siendo positiva y esté por encima de un valor mínimo,
denominado nivel de mantenimiento. Las Figuras 1a y 1b muestran el SCR y la característica
corriente-tensión ideal. (Hart, 2001)

El tiristor GTO de la Figura 1c, al igual que el SCR, se activa al aplicar una corriente de puerta
de corta duración cuando la tensión ánodo-cátodo es positiva. Sin embargo, a diferencia del
SCR, el GTO puede desactivarse aplicando una corriente de puerta negativa. El GTO es, por
tanto, apropiado para algunas aplicaciones en las que es necesario controlar tanto la activación
como la desactivación del interruptor. La corriente negativa en el GTO puede ser muy breve
(unos pocos microsegundos), pero su magnitud debe ser muy grande comparada con la corriente
de activación. Generalmente, la corriente de desactivación de puerta es un tercio de la corriente
de ánodo en estado de conducción. La característica i-v ideal es igual que la que muestra la
Figura 1b para el SCR. (Hart, 2001)

El TRIAC (Figura 1d) es un tiristor capaz de conducir corriente en ambos sentidos. El triac es
funcionalmente equivalente a dos SCR conectados en antiparalelo (en paralelo, pero en sentidos
opuestos). Los circuitos atenuadores de luz comunes utilizan un triac para modificar los
semiciclos positivos y negativos de la onda sinusoidal de entrada.

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El MCT mostrado en la Figura 1e es un dispositivo funcionalmente equivalente al GTO, pero sin

el requisito de la alta corriente de desactivación de puerta. El MCT está formado por un SCR y
dos transistores MOSFET (transistor de efecto de campo de metal-óxido) integrados en un
mismo dispositivo. Un MOSFET activa el SCR y el otro lo desactiva. El MCT se activa y
desactiva estableciendo la tensión puerta-cátodo apropiada, en lugar de establecer una corriente
de puerta como en el GTO. Los tiristores han sido históricamente los interruptores electrónicos
de potencia preferidos, debido a los altos valores nominales de tensión y corriente disponibles.
Los tiristores todavía se utilizan, especialmente en aplicaciones de alta potencia, pero, dado que
las características nominales de los transistores de potencia han aumentado notablemente, el
transistor resulta ahora más conveniente para muchas aplicaciones. (Hart, 2001)

Figura 1Dispositivos tiristores. (a) Rectificador controlado de silicio (SCR). (b) Característica i-v ideal del SCR. (c)
Tiristor de bloqueo por puerta (GTO) (d) Triac. (e) Tiristor controlado por MOS (MCT).

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DIAC

Es básicamente una combinación inversa en paralelo de dos terminales de capas semiconductoras

que permite la activación o disparo en cualquier dirección. Las características del dispositivo
presentadas en la figura 2a demuestran con claridad que hay un voltaje de conducción en
cualquiera de las dos direcciones. Se puede aprovechar al máximo la condición de encendido en
cualquiera de las dos direcciones en aplicaciones de ca. (Boylestad & Nashelsky)

Figura 2Diac: (a) características; (b) símbolos y construcción básica. (Cortesía de General Electric Company.)

La disposición básica de las capas semiconductoras del diac se muestra en la figura 2b, junto con
su símbolo gráfico. Observe que ninguna de las terminales se designa como cátodo. En cambio,
hay un ánodo 1 (o electrodo 1) y un ánodo (o electrodo 2). Cuando el ánodo 1 es positivo con
respecto al ánodo 2, las capas semiconductoras de interés particular son p1n2p2 y n3. Para el
ánodo 2 positivo con respecto al ánodo 1, las capas aplicables son p2n2p1 y n1. Para la unidad
que aparece en la figura 2, los voltajes de ruptura son muy parecidos en cuanto a magnitud,
aunque pueden variar desde un mínimo de 28 V hasta un máximo de 42 V. Están relacionados
por la siguiente ecuación provista en hoja de especificaciones: (Boylestad & Nashelsky)

VBR1 = VBR2  0.1VBR2

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Los niveles de corriente I BR1 y I BR2 y 200uA=0.2mA también son de magnitud muy parecida

para cada dispositivo. Para la unidad de la figura 2, ambos niveles de corriente son
aproximadamente de 200uA=0.2mA

Una de las aplicaciones del DIAC un detector de proximidad se muestra en la figura 3. Observe
el uso de un SCR en serie con la carga y el transistor de monounión programable (que se
describirá en la sección 3) conectado directamente al electrodo de detección o sensor.

Figura 3Detector de proximidad o interruptor de tacto. (Cortesía de Powerex, Inc.)

Cuando una persona se aproxima al electrodo de detección, la capacitancia entre el electrodo y la

tierra se incrementa. El UJT programable (PUT) es un dispositivo que se encenderá (entrará al
estado de cortocircuito) cuando el voltaje en el ánodo (VA) sea por lo menos de 0.7 V (para
silicio) mayor que el voltaje de compuerta (VG). Antes de que el dispositivo programable se
encienda, el sistema es en esencia como se muestra en la figura 4. A medida que el voltaje de
entrada se eleva, el voltaje VG en el diac lo hará como se muestra en la figura hasta que alcanza
el potencial de encendido. Luego se encenderá y su voltaje se reducirá sustancialmente, como se
muestra. (Boylestad & Nashelsky)

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Figura 4Efecto de un elemento capacitivo en el comportamiento de la red de la figura 3.

Observe que el diac es en esencia un circuito abierto hasta que se enciende. Antes de que se
introduzca el elemento capacitivo, el voltaje V G será igual a la entrada. Como se indica en la
figura, puesto que tanto VA como VG siguen la entrada, VA nunca puede ser mayor que VG por
0.7 V y encender el dispositivo. Sin embargo, a medida que se introduzca el elemento capacitivo,
el voltaje VG comenzará a retrasarse con respecto al voltaje de entrada en un ángulo cada vez
más grande, como se indica en la figura 4. Existe por consiguiente un punto establecido donde
VA puede exceder a VG por 0.7 V y hacer que el dispositivo programable se encienda. Se
establece una intensa corriente a través del PUT en este momento y se eleva el voltaje V K y el
SCR se enciende. A través de la carga fluirá una corriente intensa que reacciona ante la presencia
de la persona que se aproxima.

TRIAC

El triac es fundamentalmente un diac con una terminal de compuerta para controlar las
condiciones de encendido del dispositivo bilateral en cualquiera de las dos direcciones. En otras
palabras, para cualquier dirección la corriente de compuerta puede controlar la acción del
dispositivo de una manera muy parecida a la demostrada para un SCR. Sin embargo, las
características del triac en el primero y tercer cuadrantes son algo diferentes de las del diac,

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como se muestra en la figura 5c. Observe que la corriente de mantenimiento en cada dirección no
aparece en las características del diac. (Boylestad & Nashelsky)

Figura 5Triac: (a) símbolo; (b) construcción básica; (c) características

El símbolo gráfico del dispositivo y la distribución de las capas semiconductoras se dan en la

figura 5 junto con fotografías del dispositivo. Para cada una de las posibles direcciones de
conducción hay una combinación de capas semiconductoras cuyo estado controlará la señal
aplicada a la terminal de compuerta.

Una aplicación fundamental del triac se presenta en la figura 7. En esta capacidad, controla la
potencia de ca suministrada a la carga encendiéndose y apagándose durante las regiones positiva
y negativa de la señal senoidal de entrada. La acción de este circuito durante la parte positiva de
la señal de entrada es muy parecida a la encontrada para el diodo Schockley en la figura 6. La
ventaja de esta configuración es que durante la parte negativa de la señal de entrada se obtendrá
el mismo tipo de respuesta ya que tanto el diac como el triac se pueden encender en la dirección
inversa. (Boylestad & Nashelsky)

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Figura 6Aplicación del diodo Shockley como interruptor de disparo para un SCR.

La forma de onda resultante de la corriente a través de la carga aparece en la figura 7. Si

modificamos el resistor R, podemos controlar el ángulo de conducción. Existen unidades
disponibles capaces de manejar cargas de más de 10 kW.

Figura 7Aplicación de un triac: control de fase (potencia).

DATASHEET

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