Taller de investigación 2

Julian Rubiano, Juan Felipe Otalora, William Sánchez

septiembre 2022

1 Tiristores: SCR, TRIAC, DIAC.

1.1 SCR
El SCR o Silicon Controled Rectifier es un dispositivo triterminal (A o
ánodo, C o cátodo y G o gate o puerta de control) muy similar al diodo de
cuatro capas pero que posee una entrada adicional (G) que permite disparar
el dispositivo antes de alcanzar la VBO (Tensión de ruptura directa). En la
figura 1.a se muestra el sı́mbolo del SCR y en la figura 1.b su modelo a nivel
transistor. En el modelo a nivel de transistor se observa que al introducir una
corriente por la lı́nea G se produce la conducción de los transistores, es decir,
el disparo del dispositivo sin ser necesario alcanzar la VBO . La figura 2 permite
ver claramente como las caracterı́sticas del SCR varı́an con la corriente de su
puerta cuyos valores son del orden de miliamperios o inferiores.

Figura 1: a) Simbolo del SCR. b) Modelo a nivel de transistor.

1
 Figura 2: Caracterı́sticas I-V del SCR.

Algunos parámetros del SCR son los siguientes:

• Tiempo de conducción (Turn-on Time). Tiempo de duración mı́nima

de la tensión de disparo para pasar el SCR de bloqueo a conducción. Este
tiempo tiene dos componentes: TON = td + tr , siendo td el tiempo de
retraso (delay time) y tr el tiempo de subida (rise time). Por ejemplo, el
2N5060 tiene el TON = td + tr = 3µs + 0.2µs = 3.2µs.

• Tiempo de corte (Turn-off Time). Tiempo que el SCR puede per-

manecer por debajo de las condiciones de mantenimiento. El 2N5060 tiene
un TOF F =tq de 10µs.

• Máxima corriente de conducción. Máxima corriente eficaz que puede

circular por el SCR durante el estado de conducción. Para el 2N5060, la
IT (rms) = 0.8A.

• Velocidad crı́tica de elevación. Variaciones muy rápidas de tensión

entre el ánodo y cátodo en un SCR pueden originar un disparo indeseado.
Para evitar este problema, la variación de tensión ánodo-cátodo no debe
superar un valor conocido como velocidad crı́tica de elevación (dv/dt); si se
supera este valor además de producir el disparo puede llegar a deteriorar el
dispositivo. El 2N5060 tiene un dv/dt = 30V /µs. A veces transitorios en
las lı́neas de alimentación pueden originar problemas de comportamiento
del SCR al ser superado su velocidad crı́tica de elevación. Los circuitos
de protección contra transitorios de corriente (figura 3.a) y transitorios de

2
 tensión (figura 3.b) evitan este indeseado disparo. Básicamente son filtros
basados en RC o inducciones que eliminan esas señales espúreas.

Figura 3: Circuitos de protección contra transitorios de a) tensión y b)

intensidad.

1.2 TRIAC
Un TRIAC (TRIode for Alternative Current) es un SCR bidireccional que se
comporta como dos SCR en paralelo e invertidos, de tal manera que este dispos-
itivo puede controlar corriente en cualquier dirección. Normalmente, tiene una
tensión de ruptura alta y el procedimiento normal de hacer entrar en conducción
a un TRIAC es a través de un pulso de disparo de puerta (positivo o negativo).
La figura 4.a muestra su sı́mbolo y la figura 4.b su modelo equivalente basado
en dos SCR conectados en oposición. Ejemplos tı́picos de TRIACS: BT136 (de
5 A) y el BT138 (16A) de Philips y la serie MAC de Motorola con corrientes de
8A (MAC97-8) hasta 350 A (MAC224A4).

• EL circuito de control resulta mucho mas sencillo al no existir más que un

electrodo de mando.

• Puede calcular el estado conductor independentemente de la polaridad de

a tensión aplicada al terminal de control.

Figura 4: a) Sı́mbolo del TRIAC y b) Modelo equivalente en SCRs.

Su estructura interna se presenta en la figura 5, formada por seis capas de

semiconductor.

3
 Figura 5: Estructura interna del TRIAC

Si dividimos su estructura interna del triac segun su eje vertical, obtenemos dos
tiristores que lo forman:
• P2 − N2 − P1 − N1 , para ternsiones de A2 positivas respecto de A1 .

• P1 − N2 − P2 − N3 , para ternsiones de A2 negativas respecto de A1 .

N4 y P 1 forman la puerta de las distintas polaridades de este terminal. En

la figura 5 se puede ver esta división, asi como el sentido de circulación de la
corriente para ambas mitades del elemento.

Si se polariza al triac con una tension positiva en A2 respecto de A1 con el

terminal G al aire, y aumentamos el valor de esta polarización, sc obtendrá una
curva caracteristca idéntica a la del tiristor en polarización directa, pero al con-
trario que éste, si se invierte el sentido de esta polarización se observa una curva
simétrica de la anterior respecto del origen, tal como se muestra en la Figura 6.a.

Al igual que ocurria con el tiristor, si el terminal G se conecta a una fuente de

tensión respecto de A1 , vemos que el momento del cebado del triac se adelanta
respecto al anterior. Lo excepcional del triac es que este cebado se produce
independientemente del sentido de la tension aplcada a la puerta.

Tomando como referencia el terminal A1 , y en función del sentido de las po-

larizaciones de los circuitos principales y de arranque, cabe hablar de los cuatro
cuadrantes de disparo del trac, tal como se ve en la figura 6.b.

4
 Figura 6: a) Curvas caracteristicas del triac. b) Cuadrantes de disparo.
Del análisis de las Gráficas 6.a y 6.b se deduce que hay tres posibles modos de
aplicar el impulso de disparo de un triac:
• Disparo por impulsos siempre positivos (cuadrantes I y IV). Es la
forma más cómoda sı́ se dispone de una fuente de señal de disparo suficien-
temente potente, ya que presenta el inconveniente de la menor sensibilidad
al cebado del elemento en el cuadrante IV.

• Disparo por impulsos siempre negativos (cuadrantes II y 111).

Presenta el inconveniente de la mayor intensidad de cebado requerida en
el cuadrante II.

• Disparo por impulsos alternativamente posı́itivos y negativos

(cuadrantes I y 111). Es el caso más favorable, sobre todo sı́ la po-
laridad de los impulsos coincide con la polaridad de la tensión del circuito
principal.

Por lo visto anteriormente, se trabaja preferentemente con la misma po-

laridad para la tensión A2 − A1 , (V21 ) que para la tensión G − A1 , (VG1 ),
0 bien, sı́ sólo es posible disponer de impulsos de control de una única
polaridad, con impulsos siempre negativos.

1.3 DIAC
Si a la estructura de la Figura 6.la se le quita la capa N4 y el terminal de
puerta, obtenemos un nuevo elemento compuesto por dos tiristores en anti-
paralelo. Dicho elemento está preparado para conducir en los dos sentidos

5
de sus terminales, y se le conoce como diac, diodo de corriente alterna.
En la Figura 7.a se representa la estructura resultante, y su sı́mbolo, en
la 7.b, siendo el nombre de sus terminales los de A2 y A1 .

Al igual que en el triac, si dividimos la estructura según un eje vertical,

se observan los dos tiristores que lo componen:

– P2 − N2 − P1 − N1 , para V21 > 0.

– P1 − N2 − P2 − N3 , para V21 < 0.

Figura 7: a) Estrucutra interna DIAC. b) Simbolo.

La curva caracterı́stica del diac es igualmente simétrica respecto del ori-

gen, pero sólo cuenta con una curva, ya que no dispone de terminal de
puerta. Otra diferencia respecto del triac es que la tensión a la que se
produce el cebado es considerablemente menor y suele estar alrededor de
los 30 voltios. Esta curva se representa en la Gráfica Figura 7.1.

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 Figura 7.1: Curva caracteristica del DIAC.

Debido a su comportamiento bidireccional Y a su bajo valor de tensión

de cebado, se suele emplear como elemento de disparo de un tiristor o un
triac. De hecho, esta práctica está limitada al control y cebado de un triac
mediante el disparo de un diac.

2 Otros tipos de tiristores: GTO, MCT.

2.1 GTO
El GTO o Gate Turn-Off SCR es un tiristor que puede ser disparado con un
pulso positivo a su terminal gate y bloqueado si se aplica un impulso negativo
a ese mismo terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones
interesantes en el dominio de altas potencias cuyo control se realiza fácilmente
mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de su
control facilitan la aplicación de técnicas de modulación de anchura de pulsos.
En la figura 12.16 se indica su sı́mbolo. El MGTO1000/2000 de Motorola es un
GTO diseñado para aplicaciones de alta velocidad y es capaz de porporcionar
hasta 18 A.

7
 Figura 8: Simbolo del GTO

2.2 MCT
Tiristor controlado por MOS (MCT). El MCT es otro dispositivo semiconduc-
tor de potencia hı́brido que combina los atributos del MOSFET y el tiristor.
Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado y su aplicación funda-
mental es en la electrónica de potencia.
Está integrado por 2 MOSFET, uno de ellos enciende al tiristor y el otro lo
apaga. Existen diversos tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden existe
un tiristor pnpn que determina las propiedades de conducción (y de bloqueo).

Entre el ánodo A y el cátodo K existe una estructura pnpn que como ya se

mencionó forma la estructura del tiristor del MCT. La región gate - ánodo está
formada por más de 105 celdas. Este largo número de celdas provee superficies
cortas de largas secciones transversales para una rápida y uniforme conmutación
de corriente. Dentro de la región ánodo - gate existen dos MOSFET’s. Uno de
ellos es un canal p, tipo pnp que es usado para el encendido y el otro es un canal
n, de tipo npn que es usado para el apagado.

Sus caracteristicas son:

• Una baja caı́da de voltaje directo durante la conducción.

• Un tiempo de activado rápido, tı́picamente 0.4m s, y un tiempo de desac-

tivado rápido, tı́picamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500V.

• Bajas perdidas de conmutación

• Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.

• Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho

los circuitos de excitación. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo,
para interrumpir corrientes altas, con sólo modestas reducciones en la
especificación de corriente del dispositivo. No se puede excitar fácilmente
a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarización
continua a fin de evitar ambigüedad de estado

8
Debido a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.5 ms)
y que posee un elevado di/dt (1000 A/ms) y dv/dt ( 5000 V/ms), éstas car-
acterı́sticas superiores lo convierten en un dispositivo de conmutación ideal y
posee un tremendo potencial para aplicaciones en motores de media y alta po-
tencia, ası́ como en distintas aplicaciones en la electrónica de potencia.

Figura 9: Esquema del MCT.

3 Relés de estado sólido y módulos inteligentes

basados en tiristores (SSR, Thyristor Intelli-
gent Modules).
3.1 SSR
El relé de estado sólido (SSR) es un elemento que permite aislar eléctricamente
el circuito de entrada o mando y el circuito de salida.
Las diferentes partes que forman un SSR son:

• Circuito de entrada

• Aislamiento, está asegurado generalmente por un acoplamiento óptico

con semiconductor (Fotoacoplador, fototriac,....)

• Detector paso por cero (En algunos modelos): Un relé de estado

sólido con función de paso por cero opera cuando la tensión de la carga
(tensión alterna) se acerca o alcanza el punto cero. Los relés con esta

9
 función tienen una buena inmunidad a los parásitos de entrada y pro-
ducen unas bajas radiaciones parásitas al conmutar tensiones bajas.
Los relés de estado sólido con la función de detección de paso por cero son
adecuados para cargas resistivas, capacitivas y cargas inductivas con un
factor de potencia entre 0.7 y 1.

• Circuito de salida, Salida CA con tiristores antiparalelos o triacs, salida

CC con transistor bipolar o MOS FET, salida CA-CC con transistor MOS
FET (ya que tiene igual ganancia en directo que en inverso)

• Protección frente a transitorios, (En algunos modelos): Los mas fre-

cuentemente utilizados son redes RC, diodos, etc

3.1.1 Algunas cargas en un SSR

Cuando se produce una conmutación de OFF a ON se producen picos en la
corriente que pueden destruir los dispositivos semiconductores de potencia de
los SSR.

Figura 9: Corriente SSR

• Carga resistiva:
La relación entre el pico de corriente en la conmutación y la corriente
nominal es 1. En este caso la corriente y la tensión están en fase de
manera que no hay problemas en el funcionamiento del SSR Una tı́pica
carga resistiva es una calentador que se suele combinar con un controlador
de temperatura con salida en tensión
.

10
 Figura 10: Carga resistiva SSR

• Lámparas incandescentes
La relación entre el pico de corriente en la conmutación y la corriente
nominal es de 10 a 15 veces.
Se debe seleccionar un SSR cuya resistencia a picos de corriente sea el
doble que el valor máximo del pico de corriente en el transitorio. Utilizar
un fusible en serie con la lámpara para proteger al relé en el encendido de
la lámpara y en el caso de producirse un cortocircuito como consecuencia
de la rotura del filamento Al ser una carga inductiva aparece un desfase
entre la tensión y la corriente y se utiliza un filtro RC (Se explica en la
sección de protección en la salida) para mejorar el funcionamiento.
• Motor
Cuando un motor arranca la corriente es de 5 a 10 veces mayor que la
corriente nominal.
Se debe seleccionar un SSR cuya resistencia a picos de corriente sea el
doble que el máximo valor de la corriente en el arranque. Al ser una carga
inductiva aparece un desfase entre la tensión y la corriente y se utiliza un
filtro RC (Se explica en la sección de protección en la salida) para mejorar
el funcionamiento.

• Transistor
Cuando el SSR conmuta a ON la corriente que pasa por el SSR es de 10
a 20 veces la corriente nominal durante un tiempo de 10 a 500ms Se debe
seleccionar un SSR cuya resistencia a picos de corriente sea el doble que
el máximo valor del pico de corriente.

• Rectificador de media onda

En este caso cuando se utiliza un SSR con función de paso por cero el relé
no conmutará a ON, hay dos posibles soluciones:Conectar una resistencia
de absorción, que absorba un 20% de la corriente en la carga aproximada-
mente. La otra es utilizar un SSR sin función de paso por cero.

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 Figura 11: Rectificación media onda SSR

• Rectificador de onda completa

La corriente en la carga tendrá una forma rectangular como la que se
muestra a continuación.

Figura 12: Rectificación onda completa SSR

3.2 Thyristor Intelligent Modules

Los llamados ITPM son los nuevos módulos que empaquetan el circuito principal
del tiristor y el circuito de disparo con cambio de fase y función de control en
el mismo recinto. El circuito de disparo de cambio de fase ITPM más reciente
es el circuito digital completo; la función la completa el SCM. Con múltiples
sensores de corriente, voltaje y temperatura en el interior, a través del módulo de

12
conectores, puede llevar todo tipo de lı́nea al teclado para tener configuración de
parámetros eléctricos y pantalla LED o LCD. Cada corriente de chip del módulo
ha alcanzado 1000A; el voltaje alcanzó 1600 2200 V. Este módulo en realidad
es un equipo electrónico de potencia, sin importar el tamaño o la capacidad;
función, grados inteligentes y confiabilidad, tiene una ventaja muy grande en
comparación con el dispositivo tradicional, y la instalación y el uso son muy
convenientes.
Aplicaciones ITPM
El ITPM más completo generalmente se combina con la potencia del tiristor, el
disparador de cambio de fase, el control de software de una microcomputadora
de un solo chip, sensores de corriente, voltaje, temperatura y teclado operativo,
pantalla LED o LCD

Excepto por la limitación de la capacidad del tiristor de potencia, ITPM

tiene una inteligencia y adaptabilidad muy altas. Por lo tanto, es ampliamente
utilizado en el sistema de distribución de control eléctrico.

En la velocidad del motor de CC, un solo ITPM puede hacer un controlador

de velocidad de CC de circuito cerrado doble irreversible; dos ITPM pueden for-
mar un gobernador operativo reversible de cuatro cuadrantes. Como se muestra
en la figura a continuación.

Figura 13: Modulos inteligentes

ITPM es la alta concentración de digitalización, inteligencia y realización

modular de productos electrónicos de potencia, muestra altamente el papel de
la tecnologı́a electrónica de potencia moderna en el control eléctrico. ITPM

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no solo se puede utilizar en un campo de control más complejo y, en general,
en ocasiones de control de interruptores, tiene una gran ventaja. Debido a
que tiene una velocidad de conmutación rápida y apagado sin contacto y otras
caracterı́sticas, mejorará la calidad y el rendimiento del sistema de control. El
uso amplio y extensivo de ITPM ahorrará una gran cantidad de materiales
metálicos, y el volumen de su sistema de control disminuirá considerablemente,
y aún puede hacer que un sistema de control eléctrico muy complejo se vuelva
muy simple.

4 Drivers para disparo de tiristores: acople di-

recto.
En los sistemas de potencia se presenta un área de control la cual está confor-
mada principalmente por microcontroladores los cuales a diferencia del área de
potencia manejan muy bajos voltajes y corrientes, por ende se necesita de una
interfaz la cual haga el paso del sistema de control al sistema de potencia, para
esto se usa un driver, el cual recibirá una señal del micro controlador y activará
los sistemas de potencia.

Primero debemos entender como funciona la activación y bloqueo de los tiri-

stores: Al aplicar un voltaje positiva entre ánodo y cátodo se puede observar
que la unión J1 y J3 está polarizada en directa y la unión J2 polarizada en
inversa. En estas condiciones únicamente circula una corriente muy baja la cual
se desprecia y el dispositivo se encuentra cortado al aumentar esta tensión posi-
tiva se llega a una tensión VBO de ruptura o avalancha donde la corriente crece
de forma abrupta y la caı́da de tensión decrece de la misma manera. En este
momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a conducción:

Para su bloqueo se debe llevar la corriente por debajo del valor nominal de
la corriente de mantenimiento.

También debemos saber que sub-circuitos se necesitan para el disparo de n

tiristor, estos son:

• Circuito sincronizador: Este circuito es el encargado de iniciar la base de

tiempo en sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar
el mismo ángulo (respecto al cruce por cero de la tensión de red) para ası́
tener el pulso de disparo en el mismo ángulo en todos los semiciclos de la
señal.
• Entrada señal de control: Esta señal es la que determina el retraso del
ángulo de disparo, señal generada en forma manual o a través de un sis-
tema realimentado. Para este ultimo caso, la señal se genera por la inter-
acción de la señal de referencia, la señal realimentada y el algoritmo de
control (proporcional, proporcional+integrador, etc.).

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• Circuito base de tiempo: En los circuitos analógicos, la base de tiempo
se genera por medio de un circuito tipo RC haciendo uso de la carga del
condensador el cual como bien sabemos tiene una constante de tiempo
=CR, y una tensión que genera un pulso de disparo, ósea que se fija una
referencia de voltaje con ayuda de por ejemplo un potenciometro En los
sistemas programables, la base de tiempo se genera por programación o por
medio de un temporizador interno que se carga también por programación.
• Generación de los pulsos de disparo: Para la generación de los pulsos, se
disponen de muchas variantes de circuitos, con aplicación de transistores
bipolares o mediante semiconductores especı́ficos, que generan, cortos pul-
sos de disparo; acá es donde varian los diferentes disparadores.
• Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito conver-
tidor: fundamentalmente se utilizan dos técnicas una de ellas es la de
utilizar un transformador aislador de pulsos y la otra un dispositivo semi-
conductor foto controlado de silicio (octoacoplador). Otra técnica uti-
lizada es a través de las fibras ópticas con emisor en el circuito de disparo
y receptor en el circuito de compuerta.

• Driver control pedestal:

Esta basado en cargar de forma rápida un capacitor exponencialmente
hasta la tensión de disparo Vp. De esta forma, la tensión de disparo
queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potenciómetro,
como muestra el circuito:

Control pedestal

En la gráfica se observa que tenemos una variación brusca de la tensión

sobre la carga debida a la variación de la resistencia del potenciómetro.
Este control podrı́a aplicarse el “control todo o nada” como el caso de los
relés estáticos asincrónicos y se puede manejar desde un “sistema de con-
trol automático” incluso se podrı́a hacer funcionar mediante un transistor,
controlando la corriente de base de manera que el circuito se verı́a de la
siguiente forma:

15
 Control pedestal

Para este caso cuando el transistor pasa al corte, haciendo la corriente

de base cero, el UJT se dispara en el inicio de cada ciclo para entregar la
maxima potencia posible a la carga, cuando el transistor esta conduciendo
el condensador queda cargado con una tensión baja y por lo tanto nunca se
llega a la tensión de disparo Vp del UJT por lo que no se entrega potencia
a la carga.
• Control por pedestal y rampa exponencial:

Consta de una combinación de control por pedestal con rampa exponen-

cial que puede ser iniciada a partir de una tensión pedestal (precarga del
capacitor a través del potenciómetro y el diodo). La tensión pedestal esta
determinada por el divisor resistivo que fija el potenciómetro y el tiempo
de precarga, es rápido dado el valor bajo de la resistencia Rp y el conden-
sador CE .
El diodo bloquea una posible derivación de corriente, cuando el conden-
sador supera la tensión pedestal su carga será exponencial. Los tiempos de
disparo T1 y T2, se logran modificando el valor de la tensión de pedestal,
con un mismo valor de constante de carga exponencial (RC), en la gráfica
del porcentaje de (VL) en función de la variación del potenciómetro, ten-
emos dos curvas 1 y 2, que corresponden para distintos valores de producto
(RC). Para un determinado valor de este producto, se logra mejorar la lin-
ealidad de la función graficada:

16
 Control pedestal

• Control por pedestal y rampa cosenoidal:

El control por pedestal y rampa cosenoidal, es similar al caso anterior,
con la diferencia que la tensión de carga del capacitor, después de su pre-
carga (pedestal) es cosenoidal. Para lograr este tipo de rampa, el circuito
que carga al capacitor a través de RE el cual debe ser alimentado por
una tensión alterna senoidal, tomada en la entrada del circuito de sin-
cronización, antes de ser recortada por el diodo zener. De esta forma, la
tensión del condensador la podemos expresar de la siguiente forma:

1
R
Vc = V1 + CE iE dt

Vmax
Sabemos que iE = RE la ecuación quedará como:

1
Vc = V1 + CE RE (1 − cos(wt))

Este es el control que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia

en la carga y la variación de la tensión de pedestal (en este caso, a través
de un potenciómetro).

17
 Control pedestal

5 Drivers para disparo de tiristores: transistor

monojuntura UJT.
Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales; en dos termi-
nales, denominados base 1 y base2, se sitúa una resistencia semiconductora (tipo
n) denominada resistencia inter-base (RBB), cuyo valor puede estar desde 4,7
a 10 K según el diseño del fabricante, se difunde una zona “p” que forma una
juntura diódica que se conecta al tercer terminal, denominado “emisor” (E).
El grafico muestra la caracterı́stica V-I del emisor respecto a la base1 (B1), el
sı́mbolo del UJT y su circuito equivalente:

18
 circuito equivalente

La polarización la haremos aplicando una tensión positiva a la base (B2) la

cual dependiendo del fabricante puede ser de 5 a 30 voltios, y los valores maxi-
mos de estas están limitadas por la capacidad de disipación del transistor.

p
VBB = RBB · VDmax (1)
Y la corriente esta definida como:

VBB
IB2 = (2)
RBB
El UJT se dispara cuando la juntura PN se polariza directamente. Si la
tensión del emisor VE es menor a Vc circulará por la juntura una corriente in-
versa denominada IEBO y cuando la tensión del emisor supera a la tensión Vc
la juntura se polariza directamente y la corriente del emisor se hará positiva ,
inyectando portadores minoritarios en la porción de la resistencia RBB ubiucada
entre el diodo y la base 1, haciendo que este tramo, aumente drásticamente su
conductividad y disminuya su resistencia eléctrica. En esta situación la tensión
del emisor disminuye cuando la corriente del emisor aumenta debido a la zona
de resistencia negativa y dado que la tensión Vc = VBB R1R+R1
2
disminuye al dis-
minuir R1, en la grafica V vs I este fenómeno comienza en el punto Vp , Ip la
corriente queda limitada solamente por la resistencia R1 y la tensión que polar-
iza al emisor. ( se produce un pulso de corriente de magnitud). La tensión VE ,
para producir el disparo, o sea que Vp se calcula de la siguiente forma:

R1
Vp = ( ) · VBB + VD (3)
R1 + R2
donde a la relación R1R+R
1
2
se le conoce como relación intinseca η y tiene un
valor diferente para cada tipo de transistor, esta toma valores usualmente entre
0.45 y 0.82.

19
 La VBB se denomina “tensión ı́nter básica” y es la tensión que se aplica
entre la base 1 y la base 2, y VD la cual es la tensión umbral de polarizacion
directa de la juntura PN, cuyo valor es aproximadamente de 0,56V, esto a 25
grados centigrados ya que este valor va a variar con respecto a la temperatura
de manera que disminuye 2mV por grado centigrado.

Cuando IE aumenta VE disminuirá ya que estará en la zona de caracterı́stica

negativa hasta un valor dado por Iv y Vv , donde nuevamente comienzará a cre-
cer, si hacemos trabajar al dispositivo por debajo de los valores de Iv y Vv ,
el valor de R1 retoma su valor original. Si la tensión de emisor se mantiene
constante y mayor que Vv , R1 se mantiene en su valor bajo y no se reestablece.
En la aplicación, la tensión de disparo VE = V p se deben mantener a un valor
constante pero como varia con la temperatura, debido la valor de VD , resulta
entonces necesario compensar esta variación. El procedimiento es colocar una
resistencia de carbón en la base 2 que tiene un coeficiente de variación positivo,
para contrarrestar el coeficiente negativo de la juntura PN.

El calculo para RB2 se realiza de la siguiente forma:

Vp = Vd + ηVBB

VBB = Vcc − RB2 IB2

Vcc
IB2 = RB2 +RBB

Al reemplazar en los valores obtenemos que:

Vp = VD + ηVcc − ηVcc RB2R+R

B2
BB

Como tenemos que RBB >> RB2 podemos expresar Vp como:

RB2
Vp = VD + ηVcc − ηVcc R BB

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 Sabiendo que el coeficiente de temperatura usual de RBB es de 0.008% por
grado centı́grado y que el de RB2 es de 0.004% por grado centı́grado, podemos
concluir que VD tendrá estas mismas variaciones de temperatura ya que esta en
función de las dos resistencias.

Ahora sabiendo esto podemos pasar a generar un oscilador de relajación con

este transistor.

Oscilador de relajación
El transistor de monojuntura, se utiliza como oscilador de relajación, para
generar pulsos de disparo. El circuito trabaja de la siguiente manera,un capac-
itor conectado entre el emisor y la base 1, se carga exponencialmente con una
constante de carga (RC), cuando se llega al valor de la tensión de disparo Vp el
capacitor se descarga a través del emisor dado por la constante de descarga que
no será (RC) sino será CE (R1 +RB1 ) Cuando se llega al valor VE = VV el emisor
se despolariza, parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el
ciclo de carga, con esto en mente podemos comensar a realizar los calculos del
periodo de los pulsos:

Para calcular el periodo de los pulsos, partimos de la tension de carga del

condensador:

Vc = Vcc (1 − e− RC
t )

Como dijismos anteriormente VE = VV :

Vc = (Vcc − Vv )(1 − e− T 1 )
RC

Despejando el tiempo T1 obtenemos:

RC
T1 = Vcc −Vv ln(Vcc − Vv )

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 Ahora debemos solucionar el problema de las cincronixación de los pulsos y
el estimulo ya que el periodo de los osciladores no es preciso, y para eso es que
se usan los pulsos de sincronismo:

Sincronización oscilador de relajación

Cuando se utiliza el transistor monojuntura para generar pulsos de disparo

para tiristores para el control de potencia eléctrica en sistemas eléctricos de
frecuencia industrial (50 o 60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo
con la frecuencia de la red. En todos ellos se aprovecha el cruce por cero de
la tensión. Una forma es alimentar el oscilador de relajación con UJT con una
tensión rectificada de onda completa y estabilizada con un diodo Zener de esta
manera al pasar por cero todo el circuito prácticamente esta con valor cero y
el capacitor CE esta descargado y de esta forma en cada semi-ciclo la base de
tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de tiempo T1 o de otra
forma podrá disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o ángulo, con
respecto al cruce por cero de la tensión de red. El diodo zener cumple la función
de estabilizar la tensión de alimentación del generador de pulsos, permitiendo
en cada semi-ciclo generar el pulso, con la misma tensión de disparo Vp.

Circuito de disparo de tiristores con UJT

22
6 Drivers aislados para disparo de tiristores: trans-
formadores de pulso.
Un transformador de pulsos, es un tipo de transformador especial, diseñado
para soportar la transmisión de pulsos entre su primario y su secundario, pro-
visionando un aislamiento galvánico entre la fuente de los pulsos y el circuito
conectado al secundario; se suele utilizar además, para cambiar la amplitud o
polarización de los pulsos que se envı́an. Su uso para el disparo de tiristores
SCR es muy común, pues es una solución sencilla a la vez que efectiva, pues
entrega un método de aislamiento básico pero útil; una conexión básica para la
habilitación del disparo se presenta a continuación:

Figura 14: Circuito de activación de un tiristor con un transformador de

pulsos a) Para un secundario b) Para dos secundarios.
Como se observa, el transformador tiene como único objetivo aislar la fuente
de pulsos de la activación del tiristor. En el primario, con una fuente DC y
un MOSFET (o transistor, en su defecto) conectado a una fuente de pulsos,
produce la corriente en el primario a transformar, con la forma necesaria; en
el secundario, se ubica un diodo rectificador (de alta velocidad, en caso de ser
necesario) que impida corrientes inversas en la compuerta del tiristor, y el con-
densador funciona como filtro (en conjunto con la resistencia) para evitar ruido
o errores en la señal de pulsos que llega al gate. La resistencia, además de la
aplicación ya mencionada, para el caso de ser un transformador de pulsos con
dos secundarios (capaz de activar dos tiristores a la vez), busca balancear la
corriente entre los dos circuitos de activación.

El primero de los pulsos que recibirá la compuerta pondrá a conducir al com-

ponente (en caso que se cumpla el voltaje de ánodo a cátodo), mientras que los

23
demás, al ser pulsos cortos y de alta frecuencia, no producirán daños consider-
ables en el tiristor, y el componente dejará de conducir cuando el voltaje A-K
sea igual o menor a cero (en casos ideales).
El transformador debe estar diseñado para tener el factor de conversión de cor-
riente necesario para tener una corriente de activación en los rangos necesarios
(según la referencia del tiristor). La fuente de pulsos puede diseñarse según con-
venga, con la condición de que cumpla con la frecuencia y los anchos de pulso
necesarios para el funcionamiento correcto del circuito.

Figura 15: Generación de una fuente de pulsos con un NE555, para la

alimentación de dos transformadores de pulsos.

La ventaja de este circuito, es que nace a partir de una fuente de voltaje

DC convencional, y según los valores de resistencia que se elijan, se tendrán
distintas frecuencias y ciclos útiles de los pulsos, teniendo control total sobre el
tren de pulsos a enviar al tiristor. Un punto en contra, es que se hace necesario
trabajar con altas frecuencias, pues la señal que recibe el secundario en caso
contrario difiere de los pulsos deseados para el mismo:

7 Drivers aislados para disparo de tiristores: ópticos

(opto-triacs)
Los opto-triacs, como su nombre lo indica, son TRIACS (tiristores bidirec-
cionales) los cuales no se activan con una corriente de gate, sino con la luz
emitida por medio de un diodo LED, otorgando otro tipo de aislamiento para

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el circuito de control (que se encargará de la generación del tren de pulsos), con
el circuito de interés.

Figura 17: Circuito de funcionamiento de un opto-triac

Como se observa, los circuitos de la izquierda y derecha no están conectados

de ninguna manera, lo que permite que la fuente de pulsos y el circuito de interés
trabajen a distintos niveles de potencia. En la imagen se presenta la activación
de un TRIAC con el optoacoplador, de la misma forma que puede funcionar al
reemplazar dicho TRIAC por un SCR convencional (como se desea aplicar para
el los rectificadores controlados).

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 Figura 17: Conexión de un optoacoplador para la activación de un SCR
Para este caso, la fuente de 5V se verı́a reemplazada por un tren de pul-
sos que activarı́a entonces el optoacoplador H11C4, de forma que permitirı́a la
conducción entre la fuente de potencia (24V) y la compuerta del SCR, donde
la resistencia de 270 ohmios serı́a quien reguları́a la corriente que llegarı́a al
gate, de forma que esté entre los valores esperados para el funcionamiento del
componente.

La diferencia principal entre el uso de un opto-SCR y un opto-triac es la misma

que entre un SCR y un TRIAC convencional: Los TRIACs están diseñados
para conducir en ambas direcciones cuando su compuerta se activa, pues se
representan como dos diodos en paralelo con sus cátodos y ánodos invertidos
uno respecto de otro, mientras que el SCR solo tiene conducción en un sentido,
independientemente de la corriente que haya en el gate.

8 Drivers Integrados (IC) para control de tiris-

tores, funcionamiento, sincronización y ejem-
plos.
Cuando hablamos de controlar cargas de corriente alterna el elemento de control
será usualmente un triac o dos SCR en conexión en antiparalelo para caso de la

26
corriente monofasica. Para el caso de una fuente trifasica debemos asegurarnos
que las cargas esten balanceadas para que la carga de los triac se repartan correc-
tamente, ya que en dado caso que uno de ellos este sobregargado podrı́a dañarse
y esto generarı́a un efecto en cadena que causarı́a el daño de los demas tiris-
tores, por eso se busco que los tiristores tuvieran integrados sensores y demas
elementos de protección, control y señalización, para esto se generaron circuitos
integrados con todas estas capacidades un ejemplo de esto es el TCA-785:

TCA-785

Donde los pines 1 y 6 son los encargados de la alimentación.

En el pin 5 se conectan los diodos en anti-paralelo para limpiar la tensión a

0,6V.

El método usado para el desfase ϕ será con el voltajr de referencia el cual

se ingresa por el pin 11 el cual debe ser un diente de cierra el cuak tiene el
periodo igual al semi-ciclo de la onda alterna, esta alimenta a el capacitor del
pin 10 y es co trolada con ayuda de la resistencia del pin 9, al generarse el cruce
entre las dos señales se disparará el pulso de salida, luego de esto el capacitor es
descargado atraves dek transistor interno en un tiempo de 0.5% el tiempo del
semi-ciclo.

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 Además tiene una fuente regulada de 3.1V en el canal la cual con ayuda de
un potenciómetro se pude ajustar a la tensión de referencia del pin 11.

Si conectamos el pin 12 a tierra haremos que el pulso dure todo el semi-ciclo

osea π.

El pin 6 lo usaremos para deshabilitar el circuito lógico esto se usa con el

propósito de conectar sub-circuitos de seguridad o para el control por ”paquetes
de semi-ciclos”.

Los pines 2, 3, 4, 7, 14, 15 son salidas de señales las cuales podemos observar
en la siguiente gráfica:

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 Adicionalmente estos integrados cuentan con distintos configuraciones de
operación, esto se logran recortando la forma de la onda de corriente alterna,
aunque el problema es que estos equipos son generadores de armónicos con bas-
tante potencia como para generar interferencias en sistemas de radio-frecuencia
y en las comunicaciones de baja potencia de los demás circuitos.

La forma de regular la potencia que entregará se hará regulando la cantidad

de semi-ciclos en conducción respecto a los semi-ciclos en no conducción, aunque
esto es posible cuando la carga es ”continua” como por ejemplo en un horno
para otros casos de la industria como la soldadura de punto se requiere una
configuración especial ya que en ese caso la carga no es resistiva pura, entonces
debemos conectar el pin 11 a tierra para hacer que el ángulo ϕ se haga cero y
realizar el control atreves del pin 6.

9 Snubbers y Diseño de Snubbers, para tiris-

tores.
Uno de los problemas que tienen los SCR es las activaciones no deseadas, siendo
una de las fuentes la activación por cambios bruscos el voltaje A-K: Las junturas
PN internas del tiristor tendrán asociadas una capacitancia, de forma que un
cambio de voltaje producirá sobre ellas una corriente (como ocurre en los con-

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densadores); si esta corriente es lo suficientemente alta, activará la compuerta
de forma no deseada, permitiendo la conducción sin haber ingresado corriente
de forma voluntaria al gate.

dVC (t)
IC (t) = C (4)
dt
Una forma de solucionar esto es haciendo uso de un circuito snubber, que se
puede entender como un circuito RC conectado en paralelo al ánodo y cátodo
del tiristor:

Figura 18: Conexión de un circuito snubber para tiristores

Los condensadores, por su naturaleza, con protectores ante cambios fuertes

de voltaje, pues fuerzan al circuito a tener un ’tiempo de carga’, de forma que
en conjunto con una resistencia en serie, producen una subida exponencial de
voltaje, mucho menor que la que se tendrı́a originalmente sin el circuito, e im-
pidiendo de esta manera que se realicen activaciones no deseadas por dichos
cambios de voltaje.
Luego de que la compuerta se active, la caı́da de voltaje en el SCR (y por tanto
en el condensador) producirá una corriente de descarga que ocurrirá por el tiris-
tor; otra función de la resistencia será entonces limitar dicho valor de corriente
que, en caso de no estar en el circuito, la corriente serı́a muy alta, superando la
que puede soportar el SCR, y produciendo ası́ daños en el componente.

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Para diseñar la red snubber, se debe tener en cuenta la siguiente relación de
componentes:
dv 0.632 ∗ RL ∗ VS
= (5)
dt Cs(Rs + R)2
Por tanto, se deben elegir los valores de Rs Y Cs, de forma que la razón del
voltaje no supere la razón de activación del componente; además, considerando
la corriente de descarga:
VS
IDes = (6)
RS
Se debe elegir una corriente de descarga que no sea peligrosa para el com-
ponente. Con estas dos ecuaciones, se puede obtener entonces el valor de los
componentes de la red snubber, de forma que se proteja correctamente el tiristor.

Adicionalmente, se puede añadir una bobina en serie con el tiristor, de forma que
se limiten también los cambios de corriente que puedan afectar el componente
(y que no estén asociados a la descarga del circuito RC).

10 Bibiliografı́a
[1]http://dea.unsj.edu.ar/ea1/Tema12.pdf
https://electronicavm.files.wordpress.com/2011/05/diacs-y-triacs.pdf
https://www.ingmecafenix.com/electronica/que-es-un-tiristor-y-como-funciona/
https://www.reitec.es/Pdf/documentacion6.pdf
https://www.diarioelectronicohoy.com/modulos-de-potencia-inteligentes/
https://powermodules.skyrock.com/3033096030-Intelligent-Thyristor-Module-in-
Electric-Control-Application.html
https://electricalbaba.com/snubber-circuit-purpose-design-working/ [8]

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