Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Eléctrica

Departamento de Ciencias e Ingeniería de Materiales
Carrera de:
Licenciatura en Ingeniería Electromecánica
Grupo:
1IE141 (B)
Asignatura de:
Ciencias de los materiales
(7897)
Profesor:
Jovanny Díaz
Instructor:
Rodrigo Caballero
ASIGNACIÓN #2
“Resumen de los capítulos 3 y 4, del libro Ciencia e ingeniería de los materiales, autor: Donald Azkeland”

Realizado por:
Urriola, Raquel 4-810-1249

Capítulo 3:
Arreglos atómicos e iónicos
Tipos de arreglos atómicos o iónicos:
- Sin orden: en éste los átomos o iones no tienen un arreglo ordenado. Los gases monoatómicos inertes (ej:
argón) no tienen un ordenamiento regular de átomos.
- orden de corto alcance (OCA): es cuando el arreglo espacial de los átomos en un material se extiende sólo a
los átomos vecinos más cercanos. estos ocurren por ejemplo en las moléculas de vapor de agua, vidrios
inorgánicos (de silicato), el gas nitrógeno, el silicio amorfo y muchos polímeros.
- orden de largo alcance (OLA): es cuando el arreglo atómico abarca escalas de longitud mucho mayores a los
100 nanómetros. Este se da en la mayoría de los metales y las aleaciones, los semiconductores las cerámicas
y algunos polímeros. En estos materiales los átomos o iones exhiben un patrón repetitivo regular semejante a
una cuadrícula tridimensional, este tipo de material se conoce como material cristalino.
Hay materiales monocristalinos, es decir que están conformados por un solo cristal; y policristalinos,
constituidos por varios cristales más pequeños conocidos como granos. Los límites entre los cristales donde
no están alineados se denominan límites de grano.
El OLA en materiales cristalinos se puede detectar y medir utilizando técnicas como la difracción de rayos X
(XDR) o la difracción de electrones.
- Cristales líquidos: tienen un tipo de orden especial. Polímeros de cristal líquido se comportan como amorfos
similar a los líquidos cuando están en un estado, pero cuando se provee un estímulo externo algunas de sus
moléculas se alinean y forman pequeñas regiones cristalinas (ej: LCD)

Materiales amorfos
Son materiales que solamente exhiben un orden de corto alcance de átomos o iones. la formación de estos
materiales ocurre normalmente cuando la cinética el proceso por el cual se prepararon no deja que se formen
arreglos regulares periódicos (ej: los vidrios, geles poliméricos o coloidales, plásticos).
Suele suceder que algunos materiales “amorfos” tengan una fracción que es cristalina. Los materiales amorfos
tienden a cristalizarse por naturaleza. En los vidrios la cristalización puede controlarse mediante la aplicación de
una fuerza conductora térmica, por lo que resultan materiales como los vidrios cerámicos que son hasta 99.9%
cristalinos y bastante resistentes. Otra forma de cristalización en materiales amorfos es la cristalización inducida
por esfuerzo, por ejemplo, la que ocurre al fabricar una botella de plástico PET.

Red, base, celdas unitarias y estructuras cristalinas

Podemos utilizar 2 metodologías para describir los arreglos tridimensionales que forman los átomos en un cristal:
El concepto de red y base y el concepto de celda unitaria, los cuales se basan en los principios de la cristalografía.
Para ambos conceptos los átomos se tomarán como esferas rígidas.
- Red y base: una red es una colección de puntos de red, los cuales están arreglados en patrones periódicos, de
manera que los alrededores de cada punto de red sean idénticos. una red es una construcción matemática e
infinita, y puede ser uni, bi o tridimensional. en una dimensión la única red posible es una línea de puntos
separados entre sí por una distancia igual. una base o motivo es un grupo de uno o más átomos ubicados de
una manera en particular respecto uno de otro y asociados con cada punto de red. Una estructura cristalina
está definida por la combinación de una red y una base.
Existen 14 maneras únicas de arreglar los puntos en 3 dimensiones para que cada punto tenga entornos
idénticos, conocidas como redes de Bravais.

Figura 1: los 14 tipos de redes de Bravais en los siete sistemas cristalinos

Para cada red se muestra una sola celda unitaria. Una celda unitaria es la subdivisión más pequeña de la
estructura cristalina que sigue describiendo la red. Los puntos de red se localizan en las esquinas de las celdas
unitarias OA veces en el centro o en sus caras. Las 14 redes de Bravais Se agrupan en 7 sistemas cristalinos:
cúbico (CS, CCCa y CCCu), tetragonal (Sencilla y centrada en el cuerpo), ortorrómbico (Sencilla, centrada
en el cuerpo, centrada en la base y centrada en la cara), romboédrico, hexagonal, monoclínico (Sencilla y
centrada en la base) y triclínico. Aunque sólo haya 14 redes de Bravais se pueden tener infinitas bases.

- Celda unitaria: Una celda unitaria es la subdivisión más pequeña de la estructura cristalina que describe la
red, es decir que al duplicar la y trasladarla se puede reproducir toda la estructura cristalina de un material.
Sólo la fracción del átomo que está contenido dentro de la celda unitaria contribuye al número total de átomos
por celda unitaria. Cada celda unitaria tiene su propio origen.

Parámetros de red y ángulos interaxiales

Los parámetros de red son las longitudes axiales de la celda unitaria y se indican por convención como a, b y c.
los ángulos entre las longitudes axiales son conocidos como ángulos interaxiales y se indican por medio de las
letras griegas α (ángulo entre b y c), β (ángulo entre a y c) y γ(ángulo entre a y b).
 Figura 2 tabla de las características de los siete sistemas cristalinos

Para definir por completo una celda unitaria se ven especificar: los parámetros de red, los ángulos interaxiales y
las coordenadas atómicas. al especificar las coordenadas atómicas todos los átomos se colocan en la celda unitaria.

Número de átomos por celda unitaria

Celda unitaria contiene un número específico de puntos de red. las esquinas contribuyen 1/8 de un punto, las caras
½ y las posiciones centradas en el cuerpo, 1 punto. El número de átomos por celda unitaria es el producto del
número de átomos por punto de red y el número de puntos de red por celda unitaria.

Radio atómico en función del parámetro de red

Para calcular la relación entre el tamaño aparente del átomo y el tamaño de la celda unitaria se determina por
geometría la longitud de la dirección compacta (direcciones en la celda unitaria a lo largo de las cuales los átomos
están en contacto continuo) con relación a los parámetros de red y se le adiciona el número de radios atómicos a
lo largo de esta dirección.

Número de coordinación
es el número de átomos que tocan un átomo en particular. Indica qué tan eficientemente están empaquetados los
átomos entre sí.

Factor de empaquetamiento
o fracción de empaquetamiento atómico es la fracción del espacio ocupado por los átomos, tomando a los átomos
como esferas duras. se expresa como:

Densidad
la densidad teórica de un material puede calcularse usando las propiedades de la estructura cristalina. la fórmula
general es:

Transformaciones alotrópicas y polimórficas

Decir que un material es alotrópico o polimórfico significa que este posee más de una estructura cristalina.
alotropía se refiere a elementos puros mientras que polimorfismo se utiliza para los compuestos. un material
modifica su estructura cristalina como resultado de la presión o la temperatura.

Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria

- Puntos de coordinación: En una red o celda unitaria se pueden localizar las posiciones de los átomos
construyendo un sistema coordenado orto normal, en donde la distancia se da desde el origen Hasta el punto
en cuestión en términos de los parámetros de red.
- Direcciones en la celda unitaria: los índices de Miller para las direcciones son la notación utilizada para
describir direcciones en la celda unitaria. Para encontrar los índices de Miller para las direcciones se deben
seguir los siguientes pasos:
o Determinar las coordenadas de 2 puntos que se encuentren en la dirección usando un sistema
coordenado ortonormal.
o Restar las coordenadas del punto final menos las del inicial.
o Eliminar las fracciones transformando los resultados a los enteros más bajos.
o Colocar los números entre corchetes. el signo negativo es una barra sobre el número.
Debido a que las direcciones son vectores, una dirección y su negativo no son idénticos. hay grupos de
direcciones que son equivalentes. se puede referir a este grupo como direcciones de una forma o familia. se
espera que un material tenga las mismas propiedades en cada una de estas direcciones de la forma.
- Planos en la celda unitaria: para identificarlos se utilizan los índices de Miller de plano. Para encontrar estos
índices de Miller se siguen los siguientes pasos:
o Identificar los puntos en los que el plano interseca a los ejes x, y y z. sii el plano pasa a través del
origen se debe mover el origen del sistema.
o Calcular los recíprocos de estas intersecciones
o eliminar fracciones pero no reducir a los enteros más bajos
o encerrar entre paréntesis los números resultantes.

Sitios intersticiales
Son los espacios entre los átomos usuales en los que se pueden colocar átomos más pequeños. Los átomos o iones
intersticiales cuyos radios según poco mayores al radio del sitio intersticial al entrar en ese sitio separan
ligeramente a los átomos circundantes. Átomos cuyos radios son menores al del sitio intersticial no puede entrar
al sitio intersticial. Si un átomo intersticial es muy grande prefiere un sitio con un mayor número de coordinación.

estructuras cristalinas
- En los materiales iónicos: las estructuras cristalinas de muchos materiales iónicos están formadas por el
empaquetamiento de aniones. los cationes entran en el poliedro de coordinación formado por los aniones los
cuál es regularmente comparten esquinas y conducen a estructuras cristalinas. se deben cumplir las
condiciones de neutralidad de la carga y la estequiometría debe estar balanceada.
- en materiales con enlaces covalentes: las estructuras cristalinas de los materiales enlazados de manera
covalente tienden a ser abiertas (ej: la estructura cúbica del diamante en Si, Ge).

Capítulo 4:
Imperfecciones en los arreglos atómicos e iónicos
Todos los materiales de ingeniería contienen imperfecciones o defectos en el arreglo de sus átomos o iones los
cuales afectan en gran medida sus propiedades. los 3 tipos básicos de imperfecciones son: defectos puntuales,
defectos lineales o dislocaciones y defectos superficiales. Para fines prácticos la presencia de estas imperfecciones
resulta útil, por lo que el material no se le considera defectuoso al decir que posee imperfecciones, sin embargo,
para algunas aplicaciones se debe minimizar un tipo de defecto en particular.

Defectos puntuales
son perturbaciones localizadas en los arreglos iónicos o atómicos en una estructura cristalina que de otra manera
sería perfecta. aunque se llame puntual esta perturbación afecta una región constituida por varios átomos o iones.
Este tipo de imperfecciones pueden deberse al movimiento de los átomos o guion es cuando ganan energía al
calentarse coma durante el procesamiento del material o por la introducción intencional (dopado) o no intencional
de impurezas. Cabe destacar que aunque los defectos puntuales ocurren en uno o 2 sitios, Presencia es detectable
a distancias mucho mayores en el material cristalino.
figura 3: defectos puntuales a) vacancia, b) átomo intersticial, c) átomo sustitución al pequeño, d) átomo sustitucional grande,
e) defecto de Frenkel, defecto de Schottky

- Vacancias: una vacancia ocurre cuando un átomo o un ion está ausente de su sitio normal en la estructura
cristalina. cuando se presentan vacancias aumenta la aleatoriedad o entropía general del material, volviéndolo
más termodinámicamente estable. puro ambiente la concentración de vacancias es pequeña, pero al aumentar
la temperatura la concentración de éstas aumenta exponencialmente.
- Defectos intersticiales: ocurren cuando se inserta un átomo o ion adicional en la estructura cristalina en una
posición por lo general desocupada. Los átomos o iones intersticiales ocasionan que la región cristalina
circundante se comprima y distorsione.
- Defectos sustitucionales: ocurren cuando se reemplaza un átomo o ion por un tipo distinto de átomo o ion,
qué pasó a ocupar el sitio de red normal. estos átomos o iones sustitucionales pueden ser mayores o menores
que los normales, por lo que reducen o aumentan respectivamente los espaciados interatómicos circundantes.
- Otros defectos puntuales: se crea una intersticialidad cuando un átomo idéntico a aquello los puntos de red
normales se localiza en una posición intersticial, este tipo de defectos normalmente se encuentra en estructuras
cristalinas con factor de empaquetamiento pequeño.
Un defecto Frenkel es un par de vacancia-intersticial qué ocurre cuando un ion salta de un punto de red normal
a un sitio intersticial, dejando atrás una vacancia.
Un defecto de Schottyky es único en materiales iónicos y se encuentra de manera común en muchos materiales
cerámicos.

Dislocaciones
son defectos lineales en un cristal que de otra manera sería perfecto. normalmente se introducen en el cristal
durante la solidificación del material o cuando se deforma de una manera permanente. las dislocaciones están
presentes en todos los materiales, pero resultan particularmente útiles para explicar la deformación y el
endurecimiento de los materiales metálicos. Hay 3 tipos de dislocaciones:
- Dislocaciones helicoidales: se pueden ilustrar cortando de manera parcial a través de un cristal perfecto y
después torciendo el cristal en un espaciado atómico. s

figura 4: Dislocación helicoidal

- Dislocaciones de arista: puede ilustrarse cortando de manera parcial a través de un cristal perfecto, separando
el cristal y llenando de manera parcial el corte con un medio plano adicional de átomos.
 figura 5: dislocación de arista

- Dislocaciones mixtas: tienen componentes de arista y helicoidal, con una región de transición entre ellas.

figura 6: dislocación mixta

Esfuerzos
El esfuerzo es la fuerza por unidad de área y tiene unidades de lb/plg^2 (psi) o N/m^2 (Pa). Se genera un esfuerzo
normal cuando la fuerza aplicada es perpendicular al área de interés, y se genera un esfuerzo cortante cuando la
fuerza actúa en dirección paralela al área.

Deslizamiento
Durante el deslizamiento, una dislocación se mueve de un conjunto de entornos a un conjunto de entornos
idénticos. Para mover la dislocación de una localización de equilibrio a otra se requiere del esfuerzo de Peierls-
Nabarro Que se calcula como sigue:

Defectos superficiales
son los límites o planos que separan un material en regiones. por ejemplo, cada región puede tener la misma
estructura cristalina, pero orientaciones distintas.
- Superficial material: las dimensiones Exteriores del material representan las superficies en las que el cristal
termina de manera abrupta. en ésta, cada átomo ya no posee el número de coordinación apropiado y se
interrumpe el enlazamiento atómico. la superficie exterior de un material puede ser áspera, contener muestras
diminutas y ser mucho más reactiva que la mayor parte del material.
- Límites de grano: un grano es una porción del material dentro de la cual el arreglo de los átomos es casi
idéntico. sin embargo, la orientación del arreglo de átomos o estructura cristalina es distinta para cada grano
vecino. Un limite de grano es la superficie que separa los granos individuales. el límite de grano es una zona
angosta en la que los átomos no están espaciados de manera apropiada.
- Límites de grano de ángulo pequeño: es un arreglo de las dislocaciones que produce una desorientación
pequeña entre los cristales adyacentes.
- Fallas de apilamiento: ocurren en metales con una estructura cristalina CCCa Y representan un error en la
secuencia de apilamiento de los planos compactos.
- límites de macla: un límite del macla es un plano a través del cual hay una desorientación especial de imagen
secular en la estructura cristalina. pueden producirse cuando una fuerza de corte ocasiona que los átomos se
desplacen de su posición.
- límites de dominio: un dominio es una región pequeña del material en el que la dirección de la magnetización
o de la polarización dieléctrica permanece igual. En estos materiales se forman varios dominios pequeños por
lo que sé minimiza la energía libre total del material.

Referencias
[1] A, F, W, D. R. P. P. W. J. (2011). Ciencia e ingeniería de los materiales (Sexta Edición ed.). CENGAGE Learning.