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  • Taller Mosfer

    Cargado por

    Laura Gutierrez
    24 vistas2 páginas
    El documento presenta tres problemas de diseño de circuitos con MOSFET. El primer problema pide diseñar un circuito tal que la corriente de drenaje ID sea de 1mA y la tensión drenaje-surce VDS sea de 1,5V, dados los parámetros del transistor. El segundo problema pide diseñar un circuito tal que ID sea de 0,5mA y VDS sea de 4V, considerando ciertos valores de tensión de alimentación y umbral. El tercer problema pide diseñar un circuito tal que VDS sea de 1,6V, dados los parámetros

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    Taller mosfer

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    El documento presenta tres problemas de diseño de circuitos con MOSFET. El primer problema pide diseñar un circuito tal que la corriente de drenaje ID sea de 1mA y la tensión drenaje-surce VDS sea de 1,5V, dados los parámetros del transistor. El segundo problema pide diseñar un circuito tal que ID sea de 0,5mA y VDS sea de 4V, considerando ciertos valores de tensión de alimentación y umbral. El tercer problema pide diseñar un circuito tal que VDS sea de 1,6V, dados los parámetros

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    UD - Electrónica de Potencia 2020-1

    Ingenierı́a Eléctrica por ciclos propedéuticos Taller

    Taller - Transistores MOSFET


    28 de mayo de 2020
    1. Considere el circuito de la siguiente figura.

    RD

    Suponga que VDD = 5V , VT = −0,8V , K = 0,2mA/V 2 . Diseñar el circuito de tal


    manera que ID = 1mA y VDS = 1,5V
    2. Para el siguiente circuito.

    RD

    RG
    RS

    Diseñarlo de tal manera que ID = 0,5mA y VDS = 4V . Tenga en cuenta que VDD = 5V ,
    VSS = −5V , VT = 1,2V , K = 6,25µA/V 2

    Prof. Angélica Mercedes Nivia Vargas Pag. 1


    UD - Electrónica de Potencia 2020-1
    Ingenierı́a Eléctrica por ciclos propedéuticos Taller

    3. Considere el siguiente circuito:

    Los parámetros del transistor son: VT = 0,4V , K = 100µA/V 2 . Diseñe el circuito de


    tal manera que VDS = 1,6V . Suponga VDD = 3,3V

    Prof. Angélica Mercedes Nivia Vargas Pag. 2

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