INSTITUTO TECNOLOGICO DE AGUASCALIENTES

SUBDIRECCIÓN ACADÉMICA

DEPARTAMENTO ACADÉMICO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA

Apuntes para la materia de Física de Semiconductores

Carrera de Ingeniería Electrónica

Tema 1: Introducción a la física del semiconductor

Semestre: Agosto - Diciembre de 2020

M.D.E.S. MARICELA AZUARA DUEÑAS

1.1 Propiedades y crecimiento de cristales semiconductores

Actualmente la mayoría de los dispositivos electrónicos son construidos con base en los materiales
semiconductores, ya sea un dispositivo discreto como un diodo o un transistor o un circuito
integrado en el cual se encuentran miles de estos dispositivos.

Pero ¿quienes conforman este tipo de materiales? ¿cómo son? ¿cuáles son sus propiedades? ¿para
que se utilizan? A continuación, daremos respuesta a cada uno de los cuestionamientos anteriores.
A través de la información proporcionada construiremos una definición de los materiales
semiconductores.

Primeramente, analicemos el término semiconductor. Es una palabra compuesta formada por dos
partes. La primera “semi” en español significa “medio” o “casi” que al conjuntarse con la palabra
conductor nos genera la idea de que es medio conductor o casi conductor. Por lo anterior tendremos
un material que medio conduce conduce la corriente eléctrica.

Lo anterior nos lleva a considerar las principales propiedades básicas características determinantes
que poseen estos materiales y que determinan su comportamiento eléctrico.

a. Conductividad eléctrica variable (svariable)

Los materiales semiconductores poseen una conductividad variable cuyos valores pueden variar
entre la conductividad de los materiales conductores y la conductividad de los materiales aislantes.

La conductividad eléctrica es la medida de la capacidad de un material para conducir la corriente

eléctrica, nos habla de la facilidad de un material para dejar circular libremente las cargas eléctricas
a través de él. La conductividad depende de la estructura atómica y molecular del material.

La conductividad (s) es el inverso de la resistividad (r), por lo tanto, sus unidades de medición son
siemens/m o W-1m-1.

La figura 1.1 muestra los valores de conductividad para diversos materiales como son los aislantes
(vidrio, diamante, etc.) sus valores se sitúan por debajo de 10-8 S/cm. Para los conductores (plata,
cobre, aluminio, etc.) sus valores se sitúan por arriba de 104 S/cm.
El rango de conductividad de los diversos materiales semiconductores queda comprendido
aproximadamente entre 10-8 y 103 S/cm. Observe como la conductividad para los materiales
semiconductores varía en un amplio rango, por ejemplo, para el Silicio se observa que su
conductividad puede variar entre 10-4 y 103 aproximadamente. Para los otros materiales tanto
conductores como aislantes los valores de su conductividad no varían.
 Figura 1.1 Valores de conductividad
https://www.upv.es/materiales/Fcm/Fcm08/fcm8_1.html

b. Coeficiente negativo de temperatura (NTC)

La conductividad de los materiales semiconductores aumenta al incrementarse la temperatura. El
coeficiente de temperatura a es una propiedad de los materiales que cuantifica la relación entre la
variación de la resistencia eléctrica del material y el cambio de temperatura. Este coeficiente se
expresa según el Sistema Internacional de Unidades con la siguiente expresión matemática:

a(T) = [ 1/R(T0)]·[R(T) – R(T0)]/ (T – T0)

donde:
a(T) = coeficiente de temperatura
R(T) = La resistencia del material a la temperatura T
R(T0) = La resistencia del material a la temperatura de referencia T0

La siguiente tabla (Figura 1.2) muestra los valores del coeficiente de temperatura de la resistencia
eléctrica para algunos metales y para el semiconductor de Germanio. Se observa que para el
semiconductor el coeficiente de temperatura es negativo lo que indica que al aumentar la
temperatura disminuye su resistencia y aumenta su conductividad.

c. Fotoconductividad
La conductividad de los semiconductores aumenta con la presencia de la luz. Cuando la luz incide
sobre la superficie de los semiconductores la conductividad del material se incrementa
grandemente.
 Figura 1.2 Resistividad y Coeficiente de temperatura de algunos materiales a 20 oC
https://www.fisic.ch/contenidos/electromagnetismo/ley-de-ohm-y-resistencia/
.

d. Sensibilidad frente a la presencia de átomos extraños (impurezas)

La presencia de impurezas dentro del material semiconductor también aumenta su conductividad.

e. Efecto Rectificador
Según sea el sentido de circulación de la corriente eléctrica, el semiconductor con estructura en
capas (unión PN) o un contacto metal semiconductor metálico tendrá características de conducción
o de bloqueo.

f. Tensión Fotoeléctrica
La incidencia de la luz sobre la superficie de un semiconductor con estructura en capas (unión PN)
producirá una tensión eléctrica en sus extremos (Efecto Fotovoltaico).

Revisando las seis propiedades anteriores vale la pena puntualizar lo siguiente: la conductividad en
los materiales semiconductores es la propiedad fundamental y varía con respecto a tres factores:
presencia de temperatura, de luz o impurezas. Los factores anteriores son catalogados como
factores intrínsecos y factores extrínsecos.

Factores intrínsecos: Temperatura y luz

Son aquellos factores que se encuentran en el medio ambiente como la temperatura y la luz y que
al interactuar con el semiconductor afectarán su conductividad.
El material semiconductor siempre estará expuesto a la temperatura ambiente y por lo tanto a sus
efectos sobre la conductividad del material, sin embargo, la presencia de la luz sobre su superficie
puede ser controlada ya sea permitiendo du exposición sobre su superficie o aislándolo.
1.1.1 Dopado
Se considera como factor extrínseco la presencia de impurezas dentro del material semiconductor
y tecnológicamente se puede controlar la cantidad y tipo de impurezas introducidas al
semiconductor, proceso conocido como dopado(doping), con lo cual se controla el tipo de
semiconductor y el portador de carga mayoritario.

Según sea el tipo de impureza introducida al cristal se puede tener dos tipos de semiconductores
extrínsecos: Semiconductor tipo P (𝑆𝐶$ ) y semiconductor extrínseco tipo N (𝑆𝐶& ).

En el caso de un 𝑆𝐶$ los portadores de carga mayoritarios son los huecos los cuales se consideran
portadores de carga positiva. Por otro lado, en el caso de un 𝑆𝐶& los portadores mayoritarios son
los electrones poseedores de carga negativa.

Materiales semiconductores
Los materiales semiconductores provienen de diferentes grupos de la tabla periódica, sin embargo,
comparten similitudes. Las propiedades del material semiconductor están relacionadas con sus
características atómicas, y cambian de un grupo a otro. Los investigadores y los diseñadores se
aprovechan de estas diferencias para mejorar el diseño y elegir el material óptimo para una
determinada aplicación. La tabla 1.1 muestra la porción de la tabla periódica que incluye a los
materiales semiconductores.

Elementos químicos que forman SC

II III IV V VI
B C N O
Al Si P S
Zn Ga Ge As Se
Cd In Sn Sb Te
Hg Tl Pb Bi
Tabla 1.1. Porción de la tabla periódica que contiene los elementos que forman materiales
semiconductores.

Materiales Semiconductores
La tabla 1.2 muestra los materiales semiconductores existentes. Como se observa éstos son
clasificados en: elementales porque poseen átomos de un solo elemento. Los compuestos formados
por átomos de dos tipos de elementos y aleaciones las cuales incluyen átomos de dos, tres o cuatro
elementos.

Semiconductores Elementales
El grupo IV de la tabla contiene los elementos Si y Ge que forman los semiconductores elementales,
llamados así porque contienen en su estructura un solo elemento. El silicio es el semiconductor base
para la construcción de circuitos integrados, también se utiliza al igual que el Germanio en la
construcción de diodos y transistores
 Clasificación General Símbolo Nombre del Semiconductor
Elementales Si Silicio
Ge Germanio
Compuestos
(a) IV – IV SiC Carburo de Silicio
(b) III – V AlP Fosfuro de Aluminio
AlAs Arseniuro de Aluminio
AlSb Antimoniuro de Aluminio
GaN Nitruro de Galio
GaAs Arseniuro de Galio
GaSb Antimoniuro de Galio
InP Fosfuro de Indio
InAs Arseniuro de Indio
InSb Antimoniuro de Indio
(c) II – VI ZnO Óxido de Zinc
ZnS Sulfuro de Zinc
ZnSe Seleniuro de Zinc
ZnTe Teleniuro de Zinc
CdS Sulfuro de Cadmio
CdSe Seleniuro de Cadmio
CdTe Teleniuro de Cadmio
HgS Sulfuro de Mercurio
(d) IV –VI PbS Sulfuro de Plomo
PbSe Seleniuro de Plomo
PbTe Teleniuro de Plomo
Aleaciones
(a) Binarias Sil - xGex
(b) Terciarias AlxGal - xAs (o Gal – xAlxAs)
AlxInl - xAs (o Inl – xAlxAs)
Cdl- xMnxTe
GaAsl - xPx
GaxInl - xAs (o Inl – xGaxAs)
GaxInl – xP (o Inl – xGaxP)
Hgl - xCdxTe
(c) Cuaternarias AlxGal - xAsySbl – y
GaxInl – xAsl - yPy
Tabla 1.2 Materiales Semiconductores
Pierret Robert F. (1996). Semiconductor Device Fundamentals.USA: Addison-Wesley Publishing
Company, Inc.
Compuestos Binarios
Los compuestos binarios formados por átomos del grupo III con átomos del grupo V son conocidos
como Intermetálicos. Los demás compuestos binarios se conocen como compuestos
semiconductores.
La tabla 1.2 muestra que existen numerosos materiales semiconductores los cuales poseen una gran
variedad de propiedades electrónicas y ópticas para ser utilizadas y aprovechadas en el diseño de
numerosos dispositivos optoelectrónicos. Los compuestos semiconductores son ampliamente
usados en dispositivos de alta velocidad y en dispositivos que requieren de la absorción y emisión
de luz. Detectores de luz son comúnmente construidos con InSb, CdSe, o de otros compuestos como
PbTe y HgCdTe. El Si y el Ge son también usados en los detectores de radiación infrarroja y nuclear.
El diodo Gunn es usualmente construido de GaAs o InP. Los diodos laser son construidos de GaAs,
AlGaAs y de otros compuestos terciarios y cuaternarios.

Crecimiento de cristales semiconductores

Estructura Cristalina
Los materiales semiconductores se clasifican como sólidos cristalinos. Pero ¿qué implica esto?
primeramente realicemos una revisión de los sólidos, el arreglo espacial de los átomos dentro de
los materiales sólidos juega un importante papel en la determinación de sus propiedades. Al tomar
en cuenta la distribución de sus átomos dentro de los sólidos estos pueden ser pueden ser
clasificados en sólidos amorfos y sólidos cristalinos.

Los sólidos amorfos se caracterizan por una distribución de sus átomos al azar, sin ninguna
organización ni colocación ordenada de sus átomos.

Los sólidos cristalinos se caracterizan porque sus átomos se distribuyen ordenadamente siguiendo
patrones de ordenamiento que se repiten a lo largo de toda la muestra. Los átomos forman redes
cristalinas formando configuraciones definidas.

La figura 1.3 muestra como es una distribución de átomos tanto en un sólido cristalino como en un
amorfo.

Figura 1.3 Distribución de átomos en sólidos cristalinos y amorfos

http://liquidosysolidos607.blogspot.mx/2014/01/redes-cristalinas.html
Los cristales a su vez pueden ser policristalinos o monocristalinos. Una muestra policristalina se
caracteriza porque si bien sus átomos se distribuyen ordenadamente de acuerdo a un patrón, este
ordenamiento se presenta por secciones dentro del cristal, variando éste ligeramente de una
sección a otra. Por otra parte, en una muestra monocristalina el ordenamiento de los átomos es
perfecto, sin ninguna variación y se repite a lo largo de toda la muestra.

Para la construcción de dispositivos electrónicos se debe contar con muestras monocristalinas para
un control riguroso las propiedades eléctricas. La figura 1.4 ejemplifica de una manera sencilla como
es la distribución de los átomos de manera ordenada dentro de una muestra cristalina, al azar en
una muestra amorfa y por secciones en una policristalina.

(a) Cristalina (b) Amorfa (c) Policristalina

Figura 1. 4 Distribución de los átomos en los sólidos

http://www.monografias.com/trabajos81/perspectivas-desarrollo-obtencion-silicio/perspectivas-
desarrollo-obtencion-silicio2.shtml

Clasificación de los sólidos cristalinos

Los sólidos cristalinos tienen diversas clasificaciones observando a distintos criterios. Para los fines
de estudio de los materiales semiconductores se revisarán dos de ellas, de acuerdo al patrón de
ordenamiento de sus átomos y a su enlace químico, centrando la atención en el lugar ocupado por
los semiconductores.

Clasificación de acuerdo al patrón de ordenamiento de sus átomos: Como se comentó en los

sólidos cristalinos los átomos siguen patrones de ordenamiento que se repiten en todo el cristal, sin
embargo, existe un mínimo ordenamiento de los átomos que luego se repite, y esto conlleva a
definir un concepto muy importante conocido como celda unitaria.

Celda Unitaria: Mínimo patrón de ordenamiento de los átomos dentro de un cristal y que se repite
a lo largo de toda la muestra de material.
El estudio de cada celda se realiza a través de tres vectores unitarios (a, b, c) y el ángulo comprendido
entre ellos (a, b, g).

Tomando en cuenta las celdas unitarias presentes en cada cristal se han definido un total de siete
sistemas cristalinos básicos, y catorce redes espaciales denominadas redes de Bravais. La figura 1.5
muestra la celda unitaria de los siete sistemas cristalinos y las catorce redes de Bravais.
 Figura 1.5 Sistemas cristalinos, redes de Bravais
http://estructurascristalinas.weebly.com

Sistema Cristalino Características de la celda unitaria Red cristalina

Cúbico Ejes iguales en ángulos rectos
𝑎 = 𝑏 = 𝑐, 𝛼 = 𝛽 = 𝛾 = 903
Tetragonal Ejes iguales en ángulos rectos, dos de ellos
iguales.
𝑎 = 𝑏 ≠ 𝑐, 𝛼 = 𝛽 = 𝛾 = 903
Cúbica simple
Cúbica centrada en el cuerpo
Cúbica centrada en las caras
Tetragonal simple
Tetragonal centrada en el cuerpo

Ortorrómbico Ejes distintos en ángulos rectos Ortorrómbica simple

𝑎 ≠ 𝑏 ≠ 𝑐, 𝛼 = 𝛽 = 𝛾 = 903
Romboédrico Ejes iguales, inclinados por igual.
𝑎 = 𝑏 = 𝑐, 𝛼 = 𝛽 = 𝛾 ≠ 903
Ortorrómbica centrada en el cuerpo
Ortorrómbica centrada en las bases
Ortorrómbica centrada en las caras
Romboédrica simple

Hexagonal Ejes iguales a 120o y a 90o con el tercero. Hexagonal simple

𝑎 = 𝑏 ≠ 𝑐, 𝛼 = 𝛽 = 903 𝑦 𝛾 = 1203
Monoclínico Ejes distintos, dos de ellos no forman ángulo Monoclínica simple
recto Monoclínica centrada en la base
𝑎 ≠ 𝑏 ≠ 𝑐, 𝛼 = 𝛾 = 903 ≠ 𝛽
Triclinico Ejes distintos con distinta inclinación y Triclínica simple
ninguno en ángulo recto.
𝑎 ≠ 𝑏 ≠ 𝑐, 𝛼 ≠ 𝛽 ≠ 𝛾
Figura 1.6 Características de la celda unitaria
De manera particular centraremos la atención en el sistema cristalino cúbico. Consultando la figura
1.6 se observa que las características de la celda unitaria cúbica son a = b = c y los ángulos iguales a
900 a = b = g = 900. Este sistema se divide en tres redes de Bravais, cúbica simple, cúbica centrada
en las caras y cúbica centrado en el cuerpo.

De manera particular interesa resaltar dentro del estudio de los cristales donde se sitúan los
semiconductores. Los semiconductores han sido identificados por poseer una red cristalina cúbica
centrada en las caras.

Los semiconductores elementales Silicio y Germanio tienen una red cristalina igual a la que posee
el diamante (estructura cristalina de carbono) ver figura 1.7 y 1.8.

Figura 1.7 Estructura cristalina del diamante

http://tecnologiaselectividad.blogspot.mx/2009/08/isomorfismo-polimorfismo-y-alotropia.htm

Figura 1.8 Estructura cristalina del Silicio y Germanio

http://jas.eng.buffalo.edu/

Los compuestos intermetálicos poseen una red cristalina igual a la Zincblenda (ZnS). La figura 1.9
muestra como ejemplo la estructura cristalina del GaAs.
 Figura 1.9 Estructura cristalina del GaAs
http://ocw.usal.es/ensenanzas-
tecnicas/electronica/contenido/electronica/Tema1_SemiConduct.pdf

Construcción de cristales semiconductores

Para la utilización de los cristales semiconductores en la construcción de dispositivos electrónicos
se utilizan procesos metalúrgicos y químicos que dependen del cristal que se utilizará. Lo que es
necesario independientemente del material que se elija es asegurar las dos condiciones siguientes
para tener el control de sus propiedades eléctricas:

• Cristales químicamente puros

Contar con una etapa de purificación del cristal es decir debe asegurarse de contar con
cristales químicamente puros ya que la presencia de impurezas influye directamente en la
conductividad.

• Material Monocristalino
La utilización de muestras monocristalinas es fundamental para asegurar un control riguroso
de las propiedades eléctricas del cristal. Se han concebido diversos métodos para realizar el
crecimiento del cristal a partir de una pequeña muestra monocristalina llamada “semilla”.
De manera particular para la fabricación de circuitos integrados de silicio los más
importantes son:

a) El método de Czochralski
El método de Czochralski es el método empleado en el 90% de los casos para obtener silicio
monocristalino a partir de silicio policristalino. Este método utiliza para el crecimiento de
cristales un aparato denominado ‘puller’ (ver figura 1.10), que consta de tres componentes
principales:
(a) Un horno, que incluye un crisol de sílice fundida (SiO2), un soporte de grafito, un
mecanismo de rotación (en el sentido de las agujas del reloj) un calentador y una fuente de
alimentación.
(b) Mecanismo de crecimiento del cristal, que incluye un soporte para la semilla muestra
que es patrón del cristal que se pretende crecer y un mecanismo de rotación (en el sentido
contrario al de las agujas del reloj).
(c) Mecanismo del control de ambiente. Incluye una fuente gaseosa (argón, por ejemplo),
un mecanismo para controlar el flujo gaseoso y un sistema de vaciado.

Figura 1.10 Esquema de un puller (fuente original en inglés)

http://sharif.edu/~hessabi/Adv_VLSI/slides/CRYSTALG.HTM

b) El método de Zona Flotante

El método Zona Flotante representado en la figura 1.12, se utiliza para crecer silicio
monocristalino con concentración de impurezas más bajas que las normalmente
obtenidas por el método de Czochralski.
 Figura 1.12 Método de Zona flotante para el crecimiento de un cristal semiconductor
“Libro VLSI Technology de Sze”

Pasos que se realizan en el método de zona flotante:

• El proceso parte de un cilindro de silicio policristalino. 

• Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a la 
semilla.

• Una pequeña zona del cristal se funde mediante un calentador por radio frecuencia que se
desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla. 

• El Si fundido es retenido por la tensión superficial entre ambas caras del Si sólido. 

• Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el silicio monocristalino se solidifica en el
extremo inferior de la zona flotante y crece como una extensión de la semilla.

La figura 1,13 muestra la sección del Si fundido.


Figura 1.13 Método de zona flotante.

http://www.oja-services.nl/iea-pvps/ar02/dnk.htm

Mediante este proceso de zona flotante ("float zone") pueden obtenerse materiales con
resistividades más altas que mediante el método de Czochralski. Además, como no se necesita
crisol, no existe, como en el caso anterior, posible contaminación.

Clasificación de los sólidos cristalinos de acuerdo a su enlace químico

Siguiendo con el estudio de los cristales, otra clasificación de los sólidos cristalinos en general es la
que toma como criterio el tipo de enlace químico establecido entre sus átomos, atendiendo a este
criterio tenemos cristales iónicos, covalentes y metálicos. El tipo de enlace influye de manera
directa en sus propiedades eléctricas.

Cristales iónicos
Los cristales iónicos poseen enlace iónico. Este tipo de enlace se realiza cediendo y aceptando
electrones por parte de los átomos participantes en el enlace. La fuerza que mantiene a los átomos
unidos es la fuerza de atracción electrostática establecida entre los iones negativo y positivo
formados. Estos cristales son aislantes, se caracterizan por ser malos conductores eléctricos.

Cristales covalentes
Este tipo de cristales posee enlace covalente por lo que unen con sus átomos vecinos compartiendo
electrones de valencia para completar la última órbita. Son materiales duros y quebradizos, malos
conductores eléctricos algunos y otros poseen propiedades semiconductoras. Ejemplo de éstos se
encuentran los cristales de Silicio y Germanio.

Cristales metálicos
Los cristales metálicos poseen enlace metálico. Este tipo de enlace caracteriza porque los electrones
de valencia de los átomos del sólido conforman una “nube de electrones” o también conocido como
“mar electrones”. Dentro de esta nube o mar, los electrones pueden moverse fácilmente a través
de todo el cristal. Por lo anterior esto hace en consecuencia que los materiales posean una alta
conductividad eléctrica. Ejemplo de este tipo de cristales los tenemos en los metales como el oro,
plata, cobre entre otros clasificados como conductores.

Los materiales semiconductores son cristales covalentes ya que este tipo de enlace es el que les da
las propiedades eléctricas que poseen. Los semiconductores elementales como el Silicio y Germanio
son cristales covalentes puros, los compuestos intermetálicos son cristales covalentes ligeramente
iónicos y los compuestos II – VI son cristales covalente-iónico.

Hasta aquí vale la pena realizar un resumen de todo lo que concierne a los materiales
semiconductores y que hemos ido extrayendo de los temas tratados. Por lo tanto, se puede decir
que:

“Los materiales semiconductores son sólidos cristalinos con enlace covalente que poseen una
conductividad eléctrica variable la cual se ve afectada por la presencia de factores intrínsecos
(variación de la temperatura o presencia de luz) o por factores extrínsecos (impurificación del
semiconductor de manera controlada).”

1.2 Átomos y electrones

Continuando con el estudio de los cristales semiconductores, es importante explicar cómo se origina
su conductividad variable y como ésta se ve afectada por los factores intrínsecos y extrínsecos. La
corriente eléctrica en los materiales conductores se debe al movimiento de electrones dentro del
cristal, por lo que para el estudio de sus propiedades habrá que dirigir la mirada a la forma como los
electrones rompen el enlace covalente y fluyen a través del material.

Para la comprensión y análisis de las propiedades y comportamiento eléctrico de los materiales

semiconductores se ha recurrido a la utilización de dos modelos que proporcionan información de
lo que ocurre en el interior de estos materiales, de lo que pasa con sus átomos y electrones que
conforman el cristal, de cómo se generan los portadores de corriente eléctrica y cómo influyen los
factores intrínsecos y extrínsecos en la conductividad de estos materiales. Los modelos son el
Modelo de Enlace Covalente y el Modelo de Bandas de Energía.

1.2.1 Modelo de Enlace Covalente

Este modelo tiene su fundamento en el enlace químico covalente que poseen los cristales
semiconductores. Es un modelo que de manera cualitativa y gráfica explica el comportamiento
eléctrico de los materiales de estudio, permite, además definir aquellos conceptos importantes y
necesarios para su estudio.
A manera de definición se puede decir que “el modelo de enlace covalente es una representación
gráfica de un cristal semiconductor con base en el enlace químico covalente y que sirve para explicar
de manera cualitativa las propiedades eléctricas del semiconductor”.

El modelo anterior parte de las consideraciones siguientes:

• Los fenómenos eléctricos dentro de un material ocurren debido al movimiento de los
electrones de la última órbita llamada de valencia, asimismo estos electrones participan en
los enlaces químicos con sus átomos vecinos. Por lo tanto, el modelo se ocupa de
representar con fines didácticos una pequeñísima porción de estos átomos y sus electrones
de valencia.
• El modelo se aplica básicamente en los cristales semiconductores de silicio y germanio.

En la figura 1.14 se muestra la representación de un cristal semiconductor de Si través del modelo

de enlace covalente
En esta representación se muestra que se trata de un cristal de Silicio, al centro se indica a través
de círculos los núcleos atómicos y los electrones ubicados en órbitas interiores, en el interior se
encuentra el símbolo del elemento en este caso Si. Alrededor de cada átomo se indica mediante
líneas paralelas los enlaces covalentes, sobre ellas aparecen los electrones compartidos, mismo que
en ocasiones se omiten, en el entendido que las líneas significarán tanto enlaces como electrones.

Figura 1.14 Modelo de enlace covalente

 http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/mater_semic.htm

Acción de los factores intrínsecos

En la representación de la figura 1.14 se observa que todos los electrones de valencia se encuentran
enlazados. Ahora bien, ya se había comentado que todos los semiconductores se encuentran
expuestos a la temperatura ambiente y esta hace variar su conductividad. Por lo que la situación
representada se encuentra únicamente a la temperatura de “cero absoluto” o sea a 0 oK (- 273 oC).

A la temperatura de 0 oK y aislados de la luz se considera a los semiconductores como “aislantes

perfectos” ya que, si se aplicará una diferencia de potencial en los extremos del cristal no habría
corriente eléctrica, porque no existen electrones libres que puedan moverse a lo largo del cristal ya
que todos están enlazados. Sin embargo, las condiciones anteriores solo existen de manera
controlada en un laboratorio de investigación, y de manera cotidiana a la temperatura ambiente la
energía proporcionada por la temperatura es absorbida por el semiconductor y provoca la ruptura
de enlaces covalentes generando electrones libres que se pueden mover dentro del cristal.

A mayor temperatura mayor cantidad de enlaces covalentes rotos y mayor cantidad de electrones
libres generados y si se aplica una diferencia de potencial en los extremos de la muestra (ver la figura
1.15), esto hará que los electrones liberados (poseen carga eléctrica negativa) se muevan hacia el
extremo de potencial positivo.

Por otro lado, los espacios dejados por los electrones liberados llamados huecos atraerán hacia ellos
electrones de valencia moviéndose a través de ellos hacia el extremo de potencial negativo, por
esto se asumirá que los huecos poseen una carga eléctrica positiva.

Figura 1.15 Conducción eléctrica en el semiconductor puro

http://electronicageneralenet1.blogspot.mx/2013_05_01_archive.html

Lo mismo se puede decir de la acción de la luz sobre el material semiconductor, la energía

proporcionada por ésta al semiconductor romperá enlaces covalentes generando electrones libres
y huecos que podrán participar en la corriente eléctrica al aplicar una diferencia de potencial al
semiconductor, sin embargo, este factor intrínseco puede ser controlado al aislar o exponer la
superficie del material a la luz ambiental.
A partir de la explicación anterior se pueden definir los conceptos siguientes:

• Electrón libre: electrón que ha roto el enlace covalente dentro de un cristal semiconductor
por la acción de la luz o la temperatura (factores intrínsecos).
• Hueco: Espacio dejado por un electrón que ha roto enlace covalente por la acción de la luz
o la temperatura (factores intrínsecos) dentro de un cristal semiconductor y que se desplaza
a través de electrones de valencia.
• Portador de carga: son los electrones libres (portadores de carga negativa) y los huecos
(portadores de carga positiva) generados por factores intrínsecos dentro de un cristal
semiconductor.

Concentración de portadores de carga negativa (n)

La concentración o densidad de portadores de carga negativa será representada con la letra n
(negativa) y representará el número de electrones libres en un centímetro cúbico de muestra de
material semiconductor.

n = Número de electrones libres/cm3

Concentración de portadores de carga positiva (p)

La concentración o densidad de portadores de carga positiva será representada con la letra p
(positiva) y representará el número de huecos en un centímetro cúbico de muestra de material
semiconductor.

p = Número de huecos/cm3

Clasificación de los semiconductores de acuerdo a la concentración de portadores de carga n y p

Tomando en cuenta la concentración de portadores (n y p) existentes dentro de la muestra del

cristal semiconductor se tienen básicamente dos grupos:

a) Semiconductores Intrínsecos (SCINT cumplen n = p)

Son aquellos cristales químicamente puros (libre de impurezas), en los que los portadores de carga
son generados por pares (se rompe un enlace covalente y se genera un par electrón-hueco) de tal
manera que n = p y por la acción de los factores intrínsecos (temperatura y/o luz). La representación
a través del modelo de enlace covalente es mostrada en la figura 1.16.
 Figura 1.16 Semiconductor intrínseco
http://agarciai2011.blogspot.mx

Por medio del modelo de enlace covalente se puede representar el cristal con el número de átomos
que sea necesario para estudiar este tipo de semiconductor, cumpliendo las condiciones de un
semiconductor intrínseco o sea químicamente puro y con acción de la temperatura (ET) y de la luz
(EF) y los portadores generados en pares electrón-hueco.

Para este tipo de semiconductor los portadores de carga son generados únicamente por factores
intrínsecos cumpliendo la siguiente condición:

n = p = ni

donde ni = concentración intrínseca de portadores (número de portadores de carga/cm3)

b) Semiconductores Extrínsecos (n ¹ p)
Son aquellos semiconductores en los cuales la concentración de portadores es diferente, por lo que
se tienen dos tipos: aquellos en los cuales n > p o n < p. Estos semiconductores se ven influenciados
por los factores intrínsecos luz y temperatura, pero principalmente por la presencia de impurezas
agregadas extrínsecamente de manera controlada en tipo y cantidad por un proceso de dopado.

Semiconductores extrínsecos tipo N (SCN)

Son los semiconductores que se impurifican (dopan) de manera controlada agregándole átomos de
impureza que aportan un electrón libre a la red cristalina. Los factores intrínsecos (luz y
temperatura) liberan un electrón de las impurezas introducidas además de generar portadores
intrínsecos.
 Figura 1.17 Modelo de enlace covalente para un SCN
http://autotronicalicfreddymamani.blogspot.mx/2012/08/diodo-semiconductor.html

En la figura 1.17 se representa a través del modelo de enlace covalente un semiconductor extrínseco
tipo N de silicio impurificado con átomos de antimonio (Sb). El antimonio se encuentra en el grupo
V de la tabla periódica por lo tanto contiene cinco electrones en su órbita de valencia. Al impurificar
al cristal cuatro de sus electrones de valencia los enlaza con átomos de Si vecinos, un quinto electrón
queda unido al átomo pudiendo este ser liberado mediante factores intrínsecos a la red cristalina.
Al ser liberado el quinto electrón de la impureza esta adquiere una carga eléctrica positiva.

De manera general se asume que un semiconductor tipo N (SCN) reúne las características siguientes:

• Cumple la condición de n > p; la concentración de electrones libres es mayor a la

concentración de huecos.
• Los portadores de carga mayoritarios son los electrones libres y son producidos por
factores extrínsecos en su mayoría.
• Los portadores de carga minoritarios son los huecos y son producidos por factores
intrínsecos.
• Se le agregan impurezas que donan un electrón a la red cristalina. Por tal motivo éstas son
llamadas Impurezas Donadoras
• La concentración de impurezas donadoras se representa por Nd donde:

Nd = Número de Impurezas donadoras/cm3

• Se denomina nd a la concentración de impurezas que no se encuentren ionizadas dentro del

material semiconductor por lo que:

Nd – nd = Concentración de impurezas donadoras ionizadas dentro del cristal

• El cristal SCN es eléctricamente neutro, es decir, el número de cargas positivas es igual al

número de cargas negativas, aunque n > p (número de electrones libres con carga negativa
es mayor al número de huecos con carga positiva), ya que se cuentan las impurezas
 donadoras ionizadas que han adquirido una carga positiva. Por lo tanto, se establece como
ecuación de neutralidad de carga para el SCN la siguiente:

Ecuación de Neutralidad de Carga para un SCN: n = p + Nd – nd

Para los semiconductores elementales (Si y Ge) las impurezas donadoras corresponden a átomos
del grupo V de la tabla periódica; para compuestos intermetálicos o compuestos del grupo II – VI se
elige aquellas impurezas que donen un electrón a la red cristalina.

Semiconductores Extrínsecos tipo P (SCP)

Son los semiconductores que se impurifican (dopan) de manera controlada agregándole átomos de
impureza que aportan un hueco a la red cristalina. Los factores intrínsecos (luz y temperatura) hacen
que una impureza acepte un electrón de valencia liberando con esto un hueco en la red cristalina.

La representación del modelo de enlace covalente para un SCP se aprecia en la figura 1.18. Se
representa a través del modelo de enlace covalente un semiconductor extrínseco tipo P de silicio
impurificado con átomos de B. El boro se encuentra en el grupo IIIa de la tabla periódica por lo tanto
contiene tres electrones en su órbita de valencia. Al impurificar al cristal con este tipo de impurezas
sus tres electrones de valencia los enlaza con átomos de Si vecinos, quedando un hueco entre el
cuarto átomo de Si. Por medio de los factores intrínsecos la impureza acepta un electrón de valencia
liberando un hueco a la red cristalina.

Figura 1.18 Modelo de Enlace Covalente para un SCP

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/mater_semic.htm

De manera general se asume que un semiconductor tipo P (SCP) reúne las características siguientes:

• Cumple la condición de p > n; la concentración de huecos es mayor a la concentración de

electrones libres.
• Los portadores de carga mayoritarios son los huecos y son producidos por factores
extrínsecos en su mayoría.
• Los portadores de carga minoritarios son los electrones libres y son producidos por
factores intrínsecos.
 • Se le agregan impurezas que aceptan un electrón de valencia de la red cristalina. Por tal
motivo éstas son llamadas Impurezas Aceptoras
• La concentración de impurezas aceptoras se representa por Na donde:

Na = Número de Impurezas aceptoras/cm3

• Se denomina pa a la concentración de impurezas que no se encuentren ionizadas dentro del

material semiconductor por lo que:

Na – pa = Concentración de impurezas aceptoras ionizadas dentro del cristal

• El cristal SCP es eléctricamente neutro, es decir, aunque p > n (número de huecos con carga
positiva es mayor al número de electrones con carga negativa), se cuentan las impurezas
aceptoras ionizadas que han adquirido una carga negativa al aceptar un electrón liberando
un hueco. Por lo tanto, se establece como ecuación de neutralidad de carga para un SCP la
siguiente:

Ecuación de Neutralidad de Carga para un SCN: p = n + Na – pa

Para los semiconductores elementales (Si y Ge) las impurezas aceptoras corresponden a átomos del
grupo IIIa de la tabla periódica; para compuestos intermetálicos o compuestos del grupo IIb – VIa se
elige aquellas impurezas que acepten un electrón a la red cristalina.

Semiconductor extrínseco con ambos tipos de impurezas

El caso más general que se puede tener es un semiconductor extrínseco que contenga ambos tipos
de impurezas aceptoras y donadoras. En tal caso el semiconductor se definirá por aquella
concentración de impurezas que sea mayor. Es decir, será SCN si Nd > Na y será SCP si Na > Nd. La
ecuación de neutralidad de carga planteada será la general y a partir de ella se puede obtener
cualquier tipo de semiconductor.

Ecuación de Neutralidad de Carga General para un SCext: n + Na – pa = p + Nd - nd

A manera de resumen se ha revisado el modelo de enlace covalente, la clasificación de los

semiconductores de acuerdo a la concentración de portadores de carga y se han definido conceptos
básicos para de los cristales semiconductores.

1.3 Bandas de energía y portadores de carga en semiconductores

Existe otro modelo a partir del cual es posible continuar con el estudio de los sólidos cristalinos
semiconductores, este es el Modelo de Bandas de Energía.
El modelo de bandas de energía se desprende de la Teoría de bandas establecida en el estudio de
la física del estado sólido. La teoría de bandas permite explicar con una excelente aproximación el
fenómeno de conducción eléctrica en los sólidos cristalinos. El modelo de bandas de energía
derivado de la teoría sirve para explicar de manera general el comportamiento eléctrico de los
sólidos cristalinos aislantes, semiconductores y conductores.
La teoría de bandas de energía parte de lo siguiente:

• Cada átomo tiene diferentes niveles permitidos de energía que pueden ser ocupados por
los electrones del átomo y niveles prohibidos de energía no permitidos para los electrones
(toma en cuenta modelo atómico de Borh).

• Los sólidos cristalinos poseen un ordenamiento en la distribución de sus átomos que se

repite a lo largo del cristal. Además, los átomos se encuentran muy próximos entre sí como
corresponde a los sólidos en general.

• Como consecuencia del ordenamiento del cristal los potenciales eléctricos establecidos en
la red cristalina debidos a los núcleos atómicos y de los electrones son periódicos.

Formación de las bandas de energía

Los sólidos cristalinos presentan una estructura periódica por lo que un electrón del cristal que se
someta a la influencia de la red cristalina posee una energía potencial que varía también de forma
periódica en el espacio. Por otro lado, cada uno de los niveles de energía que corresponden a un
átomo aislado se ve influenciados dentro de la red cristalina por los niveles de energía del resto de
átomos del cristal y los niveles de energía se traslapan o yuxtaponen formando bandas permitidas
de energía, separadas por intervalos o bandas de energía prohibidas. Cada banda de energía
permitida se encontrará integrada por todos los niveles correspondientes al mismo nivel de energía
de todos los átomos que se encuentran dentro del cristal.

El número de electrones que pueden ocupar una banda determinada se encuentra limitado por el
principio de Exclusión de Pauli que indica que en cada nivel atómico se pueden acomodar, a lo más,
dos electrones y siempre y cuando sus espines respectivos sean opuestos, por tal motivo en
cualquiera de las bandas permitidas de una red cristalina formada por N átomos podrán acomodarse
como máximo 2N electrones.
Las bandas de energía en un sólido cristalino desempeñan el mismo papel que los niveles
electrónicos de un átomo aislado e incluso se representan de la misma manera mediante las letras
s, p, d, f. por tanto la energía de un electrón en un sólido sólo puede tomar valores comprendidos
en alguna de las múltiples bandas de energía del sólido.

Hasta aquí existen dos conceptos importantes para el modelo y son banda permitida de energía y
banda prohibida de energía.

Banda permitida de energía: conjunto de niveles permitidos del mismo valor de energía de todos
los átomos que se encuentran en un cristal los cuales pueden ser ocupados por electrones.

Banda prohibida de energía: banda de separación entre cada banda de energía permitida y cuyos
valores son prohibidos para los electrones de los átomos del cristal.

La figura 1.19 esquematiza las bandas permitidas de energía, las cuatro primeras (de abajo hacia
arriba) en gris indican que se encuentran llenas (Filled bands), es decir ocupadas por electrones. Las
tres siguientes se encuentran vacías (Unfilled bands). La última banda llena (Valence band) se
encuentra formada por todos los niveles de energía correspondiente a las orbitas de valencia de
todos los átomos que conforman el cristal. Otra cosa importante es que los fenómenos de
conducción eléctrica se realizarán entre la última banda llena de electrones y la primera vacía
(Conduction band), ya que es en estas bandas es donde los electrones pueden liberarse de la última
banda llena y brincar a la primera vacía donde hay muchos lugares para moverse.

Figura 1.19 Esquema de las bandas de energía de un sólido cristalino (fuente original en inglés)
https://es.wikipedia.org/wiki/Teor%C3%ADa_de_bandas

Figura 1.20 Bandas de energía dentro de un sólido cristalino

http://jscucaitam.blogspot.mx

Por otro lado, la figura 1.20 esquematiza también la existencia de varias bandas permitidas desde
las cercanas a los núcleos de los átomos que conforman el cristal, separadas por bandas prohibidas
y las dos últimas bandas donde se realizan los fenómenos de conducción eléctrica llamadas banda
de valencia y banda de conducción.
Para cuestiones prácticas de estudio de los fenómenos eléctricos de los sólidos cristalinos y en
especial de los cristales semiconductores el modelo anterior se reduce al tomar en cuenta
únicamente la banda de Valencia, la banda de conducción y la banda prohibida entre ellas.

Banda de Valencia
Última banda de niveles de energía llenos de electrones, integrada por todos los niveles
correspondientes a las órbitas de valencia de los átomos del cristal.

Banda de conducción
Primera banda de niveles de energía permitidos vacíos, conformada por las primeras órbitas vacías
de los átomos del cristal.

Banda Prohibida
Banda de valores de energía prohibidos situada entre banda de conducción y de valencia. El ancho
de la banda prohibida se simboliza con Eg (de las siglas en ingles correspondientes a energy gap =
brecha de energía) y se mide en unidades de eV (electrón- Volt).

Un eV se define como la energía necesaria para mover un electrón aplicándole una diferencia de
potencial de 1 Volt por lo que:

1 eV = (carga del electrón) x (1 Volt)

1 eV = (1.6 x 10-19 C) x (1Volt) = 1.6 x 10-19 Joules

Figura 1.21 Bandas de conducción y de valencia en conductores, semiconductores y aislantes

http://www.quimitube.com/videos/enlace-metalico-teoria-de-bandas

La figura 1.21 muestra las bandas de interés para los cristales conductores, semiconductores y
aislantes.

Sólidos cristalinos conductores

Para los conductores la banda de conducción y la banda de valencia quedan sobrepuestas lo cual
implica que no existe banda prohibida (Eg = 0 eV) entre ellas por lo que los electrones de valencia
pueden transitar fácilmente entre banda de conducción y de valencia esto explica su alta
conductividad eléctrica. La “nube de electrones” mencionada en el enlace metálico se situaría entre
banda de valencia y banda de conducción.
Sólidos cristalinos semiconductores
Para los semiconductores la banda prohibida tiene valores de energía que se sitúan en el intervalo
de décimas de eV a 3.5 eV dependiendo del semiconductor. En la tabla 1.3 se muestran algunos
ejemplos de semiconductores y el valor de su correspondiente banda prohibida.

Semiconductor Símbolo Eg en eV a T = 300oK

Silicio Si 1.11
Germanio Ge 0.66
Fosfuro de Aluminio AlP 2.45
Arseniuro de Aluminio AlAs 2.16
Antimoniuro de Aluminio AlSb 1.6
Arseniuro de Galio GaAs 1.43
Antimoniuro de Galio GaSb 0.7
Sulfuro de Cinc ZnS 3.6
Seleniuro de Cinc ZnSe 2.7
Sulfuro de Cadmio CdS 2.42
Sulfuro de Plomo PbS 0.37
Tabla 1.3 Ejemplos de semiconductores y su Eg
Streetman, Ben G.; Sanjay Banerjee (2000). Solid state electronic devices (5th edition) Prentice
Hall.
Sólidos cristalinos aislantes
Se consideran aislantes aquellos cristales en los cuales el ancho de banda prohibida es mayor a 4
eV. Como ejemplo se menciona al Diamante con Eg = 5.5 eV.

Diagrama de Bandas de Energía para un Semiconductor

Ya que los fenómenos de conducción se realizan únicamente en banda de valencia y banda de
conducción y más aún con una mayor precisión los electrones participantes son aquellos que se
encuentran en los niveles de energía de la parte superior de la banda de valencia y que logran
romper el enlace covalente y brincar por acción de la energía térmica (temperatura) o de la energía
fotónica (Luz), el modelo de bandas se reduce al diagrama de bandas de energía de la figura 1.22.

___________________________________ EC
­

Eg

¯
__________________________________ EV

Figura 1.22 Diagrama de bandas de energía para un SC a 0 oK y aislado de la luz

El diagrama de la figura 1.22 incluye dos referentes de energía importantes:

EC = Energía del fondo de la Banda de Conducción

EV = Engería del tope de la Banda de Valencia
La energía de la banda prohibida: Eg = EC - EV

También en el diagrama de la figura 1.22 se observa que a la temperatura de 0 oK no existen

portadores de carga libres.

Con la presencia de factores intrínsecos existe la presencia de energía ya sea se la temperatura o la

luz para romper enlaces covalentes y generar portadores de carga. Los electrones se liberarán de
los niveles de energía cercanos al tope de la banda de valencia dejando huecos en estos niveles y
brincando a los niveles vacíos cercanos al fondo de la banda de conducción.

En el diagrama de bandas de la figura 1.23 se representan por:

-- = electrón libre en banda de conducción + = hueco en banda de valencia
_ _ _ _ _ _
___________________________________ EC

___________________________________EV
+ + + + + +

Figura 1.23 Diagrama de bandas de energía para un SCint a Tambiente

El diagrama de bandas para un semiconductor intrínseco es representado en la figura 1.23 Se
observa que existe el mismo número de portadores de carga electrones libres y huecos o sea n = p.

Diagrama de bandas de energía para los semiconductores extrínsecos

Semiconductor tipo N:
Para los semiconductores tipo N el diagrama de bandas de energía toma en cuenta la energía de
enlace del electrón que dona la impureza, esta energía es la suficiente para liberar al electrón a
banda de conducción. Si EB es la energía de enlace del electrón donante este necesita absorber Ec –
EB para brincar a banda de conducción y esta diferencia es llamada Energía del nivel donador Ed.

Por lo anterior se define como energía del nivel donador (Ed) la energía necesaria para que la
impureza donadora done un electrón a la banda de conducción.

_ _ _ _ _ _
___________________________________ EC
Å Å Å O Å Ed

___________________________________EV
+ +

Figura 1.24 Diagrama de bandas de energía para un SCN a Tambiente

En el diagrama de la figura 1.24 se representa con el símbolo Å a un centro donador ionizado es
decir una impureza que ha donado un electrón a banda de conducción y en consecuencia se ha
ionizado positivamente. El símbolo O representa un centro donador sin ionizar. Se observa además
portadores generados por factores intrínsecos que en este caso son los huecos. La ecuación de
neutralidad de carga es la ya vista para el modelo de enlace covalente n = p + Nd – nd.

Semiconductor tipo P:
Para los semiconductores tipo P el diagrama de bandas toma en cuenta la energía necesaria para
que impureza acepte un electrón de valencia de la red cristalina, liberando un hueco en banda de
valencia. Si EB es la energía de enlace del electrón de valencia que se necesita absorber EB– EV para
romper enlace covalente y ser aceptado por la impureza y esta corresponderá a la energía del nivel
aceptor (Ea).

Por lo anterior se define como energía del nivel aceptor (Ea) la energía necesaria para que la
impureza aceptora acepte un electrón liberando un hueco en banda de valencia. En el diagrama de
la figura 1.25 se representa con los símbolos Æ un centro aceptor ionizado es decir una impureza
que ha aceptado un electrón de banda de valencia y en consecuencia se ha ionizado negativamente.
El O un centro aceptor sin ionizar. Se observa además portadores generados por factores intrínsecos
que en este caso son los huecos. La ecuación de neutralidad de carga es la ya vista para el modelo
de enlace covalente p = n + Na – pa.
_ _
___________________________________ EC

Æ Æ Æ O Æ Ea
___________________________________EV
+ + + + + +

Figura 1.25 Diagrama de bandas de energía de un SCP a Tambiente

En la tabla 1.4 se muestran los valores de energía EB para los centros dopantes (donador y aceptor)
para un semiconductor de Silicio.

Impureza donante EB(eV) Impureza aceptora EB(eV)

Sb 0.039 B 0.045
P 0.05 Al 0.067
As 0.054 Ga 0.072
In 0.16
Tabla 1.4 Energías de enlace de los centros dopantes donadores y aceptores en un semiconductor
de Silicio
Pierret, Robert F. (1996). Semiconductor Device Fundamentals. USA: Addison-Wesley
Casos especiales
1. Semiconductor con ambos tipos de impurezas (Nd y Na)
Este caso representa el más general y a partir de él puede deducirse cualquier tipo de
semiconductor. Si Nd > Na Þ SCN y si Na > Nd Þ SCP.

La ecuación de neutralidad de carga general para cualquier caso de SCextrínseco: n + Na – pa = p + Nd -

nd y sudiagrama se muestra en la figura 1.26.

_ _ _ _ _ _ _ _
___________________________________ EC
Å Å Å O Å Å Å Ed

Æ Æ Æ O Æ Ea
___________________________________EV
+ + + + + +

Figura 1.26 Diagrama de bandas de energía para un SCN con ambos tipos de impurezas
parcialmente ionizadas.

2. Semiconductor extrínseco con impurezas compensadas

Este caso representa un semiconductor con ambos tipos de impurezas y en igual concentración (Nd
= Na) y además la temperatura es tal que todas las impurezas se encuentran ionizadas por lo que nd
= pa = 0. Para este caso la ecuación de neutralidad de carga es n + Na = p + Nd y su diagrama de
bandas de energía es mostrado en la figura 1.27.

_ _ _ _ _ _ _ _
___________________________________ EC
Å Å Å O Å Å Å Ed

Æ Æ Æ O Æ Æ Æ Ea
___________________________________EV
+ + + + + + + +

Figura 1.27 Diagrama de bandas energía de un SCext con impurezas compensadas

En este diagrama se observa que se tiene el mismo número de huecos y electrones de lo cual se
deduce que este tipo de semiconductor se comporta como un semiconductor intrínseco.

Propiedades de los portadores de carga (n y p)

• Carga eléctrica (e)
Como ya se comentó ambos portadores de carga, electrones libres y huecos poseen carga eléctrica.
La magnitud de la carga para ambos portadores es e = 1.6 X 10-19 C. Para los electrones libres
corresponde a –e y para los huecos a +e.

• Masa efectiva (m*)

Es un concepto dentro del modelo de bandas de energía y que está relacionado con la “facilidad”
que tiene el portador de carga para moverse a través de diferentes fuerzas eléctricas que son
producto de todos los electrones y núcleos atómicos de los átomos que conforman el cristal
semiconductor. Depende del tipo de semiconductor (Si, G, GaAs, ... etc.) y es diferente de la masa
del electrón al vacío.

La tabla 1.5 muestra algunos valores de la densidad de la masa efectiva de estados a T = 300 oK para
tres semiconductores:

Material Semiconductor 𝒎∗𝒏< 𝑚>∗

𝒎𝒐 <𝑚
3
Si 1.18 0.81
Ge 0.55 0.36
GaAs 0.066 0.52
Tabla 1.5 Densidad de la masa efectiva de estados
Pierret, Robert F. (1996). Semiconductor Device Fundamentals. USA: Addison-Wesley

Estados de energía y distribución de portadores

Hasta este punto en los modelos estudiados se ha revisado información sobre conceptos y aspectos
cualitativos de los semiconductores, sin embargo, en la elaboración de los dispositivos electrónicos
la mayoría de los semiconductores requieren de concentraciones de impurezas precisas, así como
conocer la concentración de portadores de carga y como varía esta con la presencia y variación de
factores intrínsecos.

A continuación, se revisarán algunas expresiones matemáticas obtenidas desde concepciones de la

física cuántica y considerando las propiedades que poseen los portadores de carga electrones libres
y huecos. Es importante mencionar que estas expresiones son obtenidas considerando bajo la
condición de equilibrio térmico el cual es definido en los términos siguientes.

Equilibrio Térmico: es la condición en la cual el semiconductor se encuentra libre de cualquier

influencia externa, únicamente influye la temperatura esta permanece constante

Densidad de estados N(E)

Con el fin de obtener las expresiones de las concentraciones de electrones libres y huecos en las
bandas de conducción y de valencia respectivamente en un cristal semiconductor, es necesario
primeramente determinar la densidad de estados con posibilidad de ser ocupados para, con
posterioridad, determinar la probabilidad de ocupación de los distintos estados y sus respectivos
niveles energéticos.
 Para la determinación de la densidad de estados de energía se toma en cuenta un análisis basado
en consideraciones mecánico-cuánticas de los portadores de carga, los resultados de este proceso
son presentados a continuación.

Para Banda de Conducción:

L
O
FG ∗ J
𝑁@ (𝐸 ) = 4𝜋 · E JH K
I
· (𝐸 − 𝐸N )J para 𝐸 > 𝐸N

Donde:
𝑁@ (𝐸 ) = número de estados por unidad de volumen y por unidad de energía en banda de
conducción.

𝑚@∗ = masa efectiva del electrón
ℎ = constante de Planck (6.62 X 10-34 J·s)
𝐸 = energía del nivel considerado
𝐸N = Energía del fondo de la banda de conducción

Para Banda de Valencia:

L
∗
FGR O
J
𝑁> (𝐸 ) = 4𝜋 · E K · (𝐸S − 𝐸 )J para 𝐸S > 𝐸
IJ

Donde:
𝑁> (𝐸 ) = número de estados por unidad de volumen y por unidad de energía en banda de
valencia
𝑚>∗ = masa efectiva de huecos
ℎ = constante de Planck (6.62 X 10-34 J·s)
𝐸 = energía del nivel considerado
𝐸S = Energía del tope de la banda de valencia

La figura 1.28 muestra una gráfica de 𝑁@ (𝐸 ) 𝑦 𝑁> (𝐸 ).

 Figura 1.28 Distribución de la densidad de estados de energía
https://www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-02.pdf

Distribución de Fermi – Dirac

El objetivo final de toda teoría de física estadística es la de encontrar una expresión matemática
(función de distribución) que a una temperatura absoluta T proporcione cual es la probabilidad de
que una partícula ocupe un nivel dado de energía E en equilibrio térmico.

Para el estudio de semiconductores se ocupa la función de distribución Fermi – Dirac. La

𝑓 (𝐸 ) especifica en condiciones de equilibrio la probabilidad de que un determinado estado de
energía sea ocupado por un electrón. Las características de las partículas cuánticas estudiadas por
esta distribución son las siguientes:

• Las partículas son idénticas e indistinguibles

• Las partículas cumplen el Principio de Exclusión de Pauli (ningún par de partículas pueden
ocupar el mismo nivel de energía).

Matemáticamente se expresa como:

1
𝑓(𝐸 ) = WXWY
1+𝑒 Z[
Donde:
𝑓(𝐸) = Probabilidad de que el estado de energía E este ocupado.
𝐸 = Nivel de energía considerado.
𝐾 = Constante de Boltzman
= 1.38 𝑥 10 − 23 𝐽/𝑜𝐾 = 8.615 𝑥 10 − 5 𝑒𝑉/𝑜𝐾
𝑇 = Temperatura en oK
𝐸g = Energía de Fermi
 Figura 1.29 Función de Fermi – Dirac para varias temperaturas
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap01.htm

Observar en la figura 1.29 que para E = EF, f(E) es siempre 0.5. En consecuencia, se puede definir EF
como la energía que ha de poseer la partícula para que la probabilidad de ocupación sea de 0.5 a
cualquier temperatura.

Dado que la probabilidad de ocupación de un estado es f(E), la probabilidad de que dicho estado no
esté ocupado es [1-f(E)]. Es decir, la probabilidad de que un hueco ocupe un nivel de energía E viene
dada por [1-f(E)]. La figura 1.30 muestra este razonamiento.

Figura 1.30 Función de distribución de Fermi – Dirac y probabilidad de que un estado este ocupado
o vacío.
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap01.htm
En la figura 1.30 se observa que f(E) es simétrica alrededor del nivel de Fermi. Para energías
superiores a 3KT por encima del nivel de Fermi (banda de conducción), la exponencial de f(E) es
mayor que 20. En estas condiciones se puede dar la siguiente aproximación:

hijhjY k
𝑓 (𝐸 ) = 𝑓N (𝐸 ) = 𝑒 lm para 𝐸 − 𝐸g > 3𝐾𝑇
La relación E-EF > 3KT se cumple en la mayor parte de los dispositivos semiconductores (en diodos y
transistores con excepción del diodo túnel y el láser de inyección).

Para energías superiores a 3KT por debajo del nivel de Fermi (banda de valencia), la exponencial de
f(E) es menor de 0.5 por lo que la probabilidad de que haya un hueco es:

1
1 − 𝑓(𝐸 ) = 1 − (WXWY )
1+𝑒 Z[

hijY hjk
≈ 𝑓S (𝐸) = 𝑒 lm para 𝐸g − 𝐸 > 3𝐾𝑇

La expresión 𝑓N coincide con la distribución de Maxwell-Boltzman de un sistema clásico (gas de

partículas).

Para una determinada temperatura absoluta T, la probabilidad de ocupación de un estado es menor

cuanto mayor sea el nivel E de energía de dicho estado. Por tanto, estados con niveles energéticos
superiores es menos probable que estén ocupados que los estados con niveles energéticos
menores. Como casos límite de la función de Fermi-Dirac, 𝑓 (𝐸 ) puede verse que para 𝐸 − 𝐸g = 0,
𝑓 (𝐸 ) será́ igual a 0.5, para 𝐸 − 𝐸g ≫ 0, 𝑓 (𝐸 ) → 0 y para 𝐸 − 𝐸g → −∞, 𝑓(𝐸) → 1.

Como puede observarse a partir de la ecuación correspondiente la densidad de estados energéticos

N(E), es mayor cuanto mayor es el nivel energético, por lo que se puede concluir que, para niveles
energéticos superiores, donde los estados son más numerosos, la probabilidad de ocupación de un
estado es mucho menor que a niveles inferiores, con un numero de estados inferior. La razón de
este comportamiento está en el hecho de que los electrones inicialmente ocupan los estados
energéticos inferiores donde el Principio de Exclusión de Pauli permite únicamente dos electrones
de spin opuesto para cada estado.

Con respecto al papel que juega la temperatura absoluta 𝑇 puede verse que hay dos tendencias o
límites claros. Para temperaturas cercanas al cero absoluto (𝑇 = 03 𝐾) y para 𝐸 < 𝐸g , 𝑓(𝐸) será́
igual a 1 y, para 𝐸 > 𝐸g , 𝑓(𝐸) será́ cero. Por tanto, a la temperatura del cero absoluto, EF es la
energía por debajo de la cual todos los estados están ocupados por electrones y por encima todos
los estados están desocupados. Cuando se incrementa la temperatura, algunos electrones
adquieren suficiente energía para moverse a estados por encima de 𝐸g . Otra conclusión que se
obtiene de la figura 1.29 es que un estado de energía 𝐸 aumenta la probabilidad de ser ocupado al
producirse un aumento de la temperatura, es decir, el aumento de temperatura favorece la
probabilidad de ocupación.

Concentración de portadores
Para obtener la densidad de electrones (es decir, el número de electrones por unidad de volumen)
en un material semiconductor se calculará primeramente dicha densidad por unidad de volumen y
de energía. Esta densidad, que llamaremos 𝑛(𝐸), se obtiene mediante el producto de la densidad
de estados energéticos permitidos por unidad de volumen y de energía 𝑁(𝐸) por la probabilidad de
que ese intervalo energético esté ocupado por electrones 𝑓(𝐸).
 𝑛(𝐸 ) = 𝑓(𝐸 ) · 𝑁(𝐸 )

En un intervalo de energía 𝑑𝐸:

𝑛(𝐸 ) · 𝑑(𝐸 ) = 𝑓 (𝐸 )𝑁(𝐸 ) · 𝑑(𝐸 )

Para electrones en banda de conducción:

La densidad de electrones en la banda de conducción se obtendrá́ integrando el producto anterior
para valores comprendidos entre 𝐸u y 𝐸[v$ , donde 𝐸[v$ es el nivel superior de la banda de
conducción. Tomando 𝐸u = 0 por simplicidad como el origen de energías en la banda de
conducción y 𝐸[v$ = 𝐸.

W W
n = ∫z mxy 𝑛(𝐸 ) · 𝑑𝐸 = ∫z mxy 𝑓N (𝐸 ) · 𝑁@ (𝐸 ) · 𝑑𝐸

donde:
𝐸[v$ = ∞ ya que decrece exponencialmente
}
2𝑚@∗ F ~
𝑁@ (𝐸 ) = 4𝜋 { F | · (𝐸 − 𝐸N )F
ℎ

(WX WY )
𝑓N (𝐸 ) = 𝑒 X Z[

Al resolver la integral anterior se obtiene la densidad de electrones en la banda de conducción:

L
∗ Z[ j‚ h jY
F€GH
· 𝑒 XE K
J·
𝑛 = 2• J • lm
I

Donde:
L
F€G ∗ Z[ J
𝑁N = 2 • I JH • = Constante densidad efectiva de estados de energía en banda de
conducción.
Por lo tanto, la expresión anterior queda:

W‚ X WY
𝑛 = 𝑁N · 𝑒 XE Z[
K

@úG„…3 †„ „‡„Nˆ…3@„‰
donde 𝑛 = Concentración de electrones en banda de conducción E NG hL
K

Cálculo de la constante densidad efectiva de estados de energía en banda de conducción

La constante anterior puede ser expresada como:
 } }
2𝜋𝐾𝑚3 F 𝑚@∗ F }
𝑁N = 2 { | { | 𝑇F
ℎF 𝑚3

Sustituyendo las constantes de Boltzman, Planck y masa del electrón se obtiene:

L
G∗ J L L
𝑁N = 4.83 𝑋 10 ~‹ E HK 𝑇 J
GŒ
con unidades de 𝑐𝑚 X} 𝑇 XJ

Caso especial: Si 𝑚3 = 𝑚@∗ 𝑦 𝑇•GŽ•„@ˆ„ 𝑁N = 2.5 𝑋 10~• 𝑐𝑚 X}

Para huecos en banda de Valencia

Siguiendo un procedimiento análogo:

’ W
𝑝 = ∫X“ 𝑓S(W) ·𝑁> (𝐸 ) · 𝑑𝐸

donde:
L
∗
FGR J
𝑁> (𝐸 ) = 4𝜋 E K · (𝐸S − 𝐸 ) · 𝑑𝐸
IJ
X(WY XW)
𝑓S (𝐸) = 𝑒 Z[

Al resolver la integral anterior se obtiene la densidad de electrones en la banda de conducción:

L
∗ Z[ jY h j”
F€GR
• · 𝑒 XE K
J·
𝑝 = 2• lm
IJ
Donde:

L
∗ Z[
F€GR J
𝑁S = 2 • IJ
• = Constante densidad efectiva de estados de energía en banda de
valencia.

Por lo tanto, la expresión anterior queda:

WY X W”
𝑝 = 𝑁S · 𝑒 XE Z[
K

@úG„…3 †„ I•„N3‰
donde 𝑝 = Concentración de huecos en banda de valencia E NG hL
K

Cálculo de la constante densidad efectiva de estados de energía en banda de valencia

La constante anterior puede ser expresada como:
 } }
2𝜋𝐾𝑚3 F 𝑚>∗ F }
𝑁S = 2 { | – — 𝑇F
ℎF 𝑚3

Sustituyendo las constantes de Boltzman, Planck y masa del electrón se obtiene:

L
G J∗ L L
𝑁S = 4.83 𝑋 10~‹ E GR K 𝑇 J con unidades de 𝑐𝑚 X} 𝑇 XJ
Œ

Caso especial: Si 𝑚3 = 𝑚@∗ 𝑦 𝑇•GŽ•„@ˆ„ 𝑁S = 2.5 𝑋 10~• 𝑐𝑚 X}

Concentración intrínseca, producto n · p y Nivel de Fermi

Para un semiconductor intrínseco la concentración de electrones en la banda de conducción

coincide con la de huecos en la banda de valencia, es decir 𝑛 = 𝑝 = 𝑛• donde 𝑛 • es la densidad o
concentración de portadores intrínseca. La concentración de portadores intrínsecos 𝑛• se obtiene
de la siguiente forma:

𝑛•F = 𝑛 · 𝑝

j hj j hj
XE ˜ Y K XE Y ’ K
𝑛•F = 𝑁N · 𝑒 lm ·𝑁S · 𝑒 lm
j™
𝑛•F = 𝑁N 𝑁S 𝑒 lm ya que 𝐸š = 𝐸N − 𝐸S

W™
𝑛• = ›𝑁N · 𝑁S · 𝑒 FZ[

Esta ecuación es la llamada ley de acción de masas la cual, como se observa sólo depende del tipo
de semiconductor empleado (𝑁u , 𝑁œ 𝑦 𝐸š) y de la temperatura absoluta (𝑇). Bajo equilibrio
térmico es válida tanto para semiconductores intrínsecos como para semiconductores extrínsecos.
En estos últimos el aumento de la concentración de un tipo de portadores produce la disminución
del otro tipo por fenómenos de recombinación de forma que la cantidad ni permanece constante a
una temperatura dada.
Se puede sustituir los valores de las constantes involucradas en 𝑁N 𝑦 𝑁S y se llega a la siguiente
expresión:
} }
2𝜋𝐾𝑚3 𝑚@∗ • 𝑚>∗ • } X W™
𝑛• = 2 { | { | – — 𝑇 F 𝑒 FZ[
ℎF 𝑚3 𝑚3

} }
𝑚@∗ • 𝑚>∗ • } W™
𝑛• = 4.83 𝑋 10~‹ { | – — 𝑇 F 𝑒 XFZ[
𝑚3 𝑚3
Nivel de Fermi para semiconductores intrínsecos
Para un semiconductor intrínseco la concentración de electrones en la banda de conducción
coincide con la de huecos en la banda de valencia, es decir 𝑛 = 𝑝 = 𝑛• donde ni es la densidad o
concentración de portadores intrínseca. De la igualdad de 𝑛 y de 𝑝, puede obtenerse el nivel de
Fermi para un semiconductor intrínseco:

𝑛 = 𝑝 = 𝑛•

W˜ XWY WY XW’
𝑁N · 𝑒 XE
K
= 𝑁S · 𝑒 XE
K
Z[ Z[

Despejando 𝐸g :

}
𝐸N + 𝐸S 𝐾𝑇 𝑁S 1 𝑚>∗ •
𝐸gž 𝐸• = + · 𝑙𝑛 { | = 𝐸š + 𝐾𝑇𝑙𝑛 – ∗ —
2 2 𝑁N 2 𝑚@

De la ecuación anterior se observa que:

~
𝐸g = 𝐸š cuando 𝑇 = 0 ó 𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑚>∗ = 𝑚@∗
F

El nivel de Fermi queda justo a la mitad de la banda prohibida como lo muestra el diagrama de
bandas la figura 1.31.

_ _ _ _ _ _
___________________________________ EC

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -𝐸•

___________________________________EV
+ + + + + +
Figura 1.31 Nivel de Fermi en un SCintrínseco

Concentración de portadores en semiconductores extrínsecos

Para semiconductores extrínsecos se estudiará el caso de un semiconductor extrínseco en
condiciones de equilibrio térmico, a temperatura ambiente y con todas sus impurezas ionizadas.

La ecuación de neutralidad de carga será:

𝑛 + 𝑁• = 𝑝 + 𝑁†

de la ecuación anterior se puede despejar para 𝑛 𝑜 𝑝 y considerando el producto 𝑛•F = 𝑛𝑝

 @¢J @¢J
𝑛= >
; 𝑝 = @

Obtención de n:

A partir de la ecuación de neutralidad de carga general se sustituye 𝑝 en función de 𝑛:

@¢J
𝑛 + 𝑁• = + 𝑁†
@

@¢J
se despeja para n: 𝑛 − (𝑁† − 𝑁• ) − =0
@

se plantea como una ecuación cuadrática que se resuelve para 𝑛 aplicando la fórmula general:

𝑛F − (𝑁† − 𝑁• )𝑛 − 𝑛•F = 0

(𝑁† − 𝑁• ) ± ¥(𝑁† − 𝑁• )F + 4𝑛•F

𝑛=
2

𝑁† − 𝑁• 𝑁† − 𝑁• F
𝑛={ ¦
|+ { | + 𝑛•F
2 2

Para la ecuación anterior solo es válido el resultado positivo del radical, ya que el resultado con el
signo negativo representa una cantidad negativa para 𝑛 lo cual no tiene significado físico.

Obtención de 𝑝:
𝑛•F
+ 𝑁• = 𝑝 + 𝑁†
𝑝

se sigue un procedimiento similar al anterior obteniéndose para 𝑝:

𝑁† − 𝑁• 𝑁† − 𝑁• F
𝑝 = −{ | + ¦{ | + 𝑛•F
2 2
Casos particulares

1. 𝑺𝑪𝒏 con ambos tipos de impurezas, todas ionizadas y fuertemente extrínseco, para este
caso se tiene que 𝑁† > 𝑁• y además |𝑁† − 𝑁• | ≫ 𝑛• por ser fuertemente extrínseco y por
lo tanto se puede despreciar 𝑛• reduciéndose la ecuación anterior a:

𝑛 = 𝑁† − 𝑁• concentración de portadores mayoritarios

@¢J
𝑝=& concentración de portadores minoritarios
ª X&«
 2. 𝑺𝑪𝒏 con un solo tipo de impurezas, todas ionizadas y fuertemente extrínseco, para este
caso se tiene que 𝑁• = 0 𝑦 𝑎𝑑𝑒𝑚á𝑠 𝑁† ≫ 𝑛• por ser fuertemente extrínseco y por lo tanto
se pueden realizar las aproximaciones siguientes:

𝑛 = 𝑁† concentración de portadores mayoritarios

@J
𝑝 = &¢ concentración de portadores minoritarios
ª

3. 𝑺𝑪𝒑 con ambos tipos de impurezas, todas ionizadas y fuertemente extrínseco, para este
caso se tiene que 𝑁† < 𝑁• y además |𝑁• − 𝑁† | ≫ 𝑛• por ser fuertemente extrínseco y por
lo tanto se puede despreciar 𝑛• reduciéndose la ecuación anterior a:

𝑝 = 𝑁• − 𝑁† concentración de portadores mayoritarios

@¢J
𝑛=& concentración de portadores minoritarios
ª X&«

4. 𝑺𝑪𝒑 con un solo tipo de impurezas, todas ionizadas y fuertemente extrínseco, para este
caso se tiene que 𝑁† = 0 𝑦 𝑎𝑑𝑒𝑚á𝑠 𝑁• ≫ 𝑛• por ser fuertemente extrínseco y por lo tanto
se pueden realizar las aproximaciones siguientes:

𝑝 = 𝑁• concentración de portadores mayoritarios

@J
𝑛 = &¢ concentración de portadores minoritarios
«

5. 𝑺𝑪𝒆𝒙𝒕𝒓í𝒏𝒔𝒆𝒔𝒐 con impurezas compensadas todas ionizadas. En este caso sucede que 𝑁† =
𝑁• por lo tanto las ecuaciones generales se reducen a:

𝑛 = 𝑛• ; 𝑝 = 𝑛• y por lo tanto el 𝑆𝐶„µˆ…í@‰„N3 se comporta como un 𝑆𝐶•@ˆ…í@‰„N3

6. 𝑺𝑪𝒆𝒙𝒕𝒓í𝒏𝒔𝒆𝒔𝒐 a muy altas temperaturas. Se consideran muy altas temperaturas aquellas en

las cuales sucede que |𝑁† − 𝑁• | ≪ 𝑛• es decir la concentración intrínseca de portadores se
hace mayor a la concentración de impurezas debido a la ruptura de enlaces covalentes y
aumento en la cantidad de portadores por lo tanto las ecuaciones generales se aproximan
a:
𝑛 = 𝑝 = 𝑛• por lo tanto, el comportamiento es de un 𝑆𝐶•@ˆ…í@‰„N3

Nivel de Fermi para semiconductores extrínsecos

Igualmente se seguirá con el caso de semiconductores extrínsecos se estudiará el caso de un
semiconductor extrínseco en condiciones de equilibrio térmico, a temperatura ambiente y con
todas sus impurezas ionizadas.

La ecuación de neutralidad de carga será:

𝑛 + 𝑁• = 𝑝 + 𝑁†
 j h j j h j
XE ‚ Y K XE Y ” K
donde 𝑛= 𝑁N · 𝑒 lm y 𝑝 = 𝑁S · 𝑒 lm por lo tanto:

j‚ h jY jY h j”
𝑁N · 𝑒 XE lm
K
+ 𝑁• = 𝑁S · 𝑒 XE lm
K
+𝑁†

W‚ X WY WY X W”
𝑁N · 𝑒 XE Z[
K
− (𝑁† − 𝑁• ) − 𝑁S · 𝑒 XE Z[
K
=0

Para realizar el despegue del nivel de Fermi 𝐸g se hace uso de los siguientes operadores
matemáticos con la finalidad de plantear una ecuación cuadrática que se resuelva de la manera
general.

Operadores usados:
jY j‚ j’
∝= 𝑒 lm ; 𝛽N = 𝑒 Xlm ; 𝛽S = 𝑒 lm

Sustituyendo los operadores:

𝑁S 𝛽S
𝑁N 𝛽N ∝ −(𝑁† − 𝑁• ) − =0
∝

Planteando una ecuación cuadrática para ∝:

(𝑁† − 𝑁• ) 𝑁S 𝛽S
∝F − ∝− =0
𝑁N 𝛽N 𝑁N 𝑁N

resolviendo con la ecuación cuadrática general:

𝑁† − 𝑁• 𝑁† − 𝑁• F 𝑁S 𝛽S
∝= { | + ¦{ | +
2𝑁N 𝛽N 2𝑁N 𝛽N 𝑁N 𝛽N

de la solución se toma únicamente la de signo positivo del radical por las razones ya expresadas
anteriormente. Sustituyendo el valor de ∝ y despejando 𝐸g :

𝐸g 𝑁† − 𝑁• 𝑁† − 𝑁• F 𝑁S 𝛽S
= ln »{ | + ¦{ | + ¼
𝐾𝑇 2𝑁N 𝛽N 2𝑁N 𝛽N 𝑁N 𝛽N

A la ecuación anterior se le aplica la siguiente identidad:

𝑎
ln E𝑎 + ›𝑎F + 𝑥 F K = ln 𝑥 + sinhX~
𝑥
Resultando como:

~ 𝑁† − 𝑁•
𝐸g 𝑁S 𝛽S F 2𝑁N 𝛽N
= ln { | + sinhX~ ~
𝐾𝑇 𝑁N 𝛽N
𝑁S 𝛽S F
{𝑁 𝛽 |
N N

Sustituyendo los valores de 𝑁N , 𝑁S , 𝛽N y 𝛽S y manejando algébricamente la ecuación se obtiene:

}
1 𝑚>∗ • 𝑁† − 𝑁•
𝐸g = (𝐸S + 𝐸N ) + 𝐾𝑇 ln – ∗ — + 𝐾𝑇 sinhX~ À ~ XW™
Á
2 𝑚@
2(𝑁N 𝑁S )F 𝑒FZ[

𝑁† − 𝑁•
𝐸g = 𝐸• + 𝐾𝑇 sinhX~ { |
2𝑛•

Analizando la ecuación anterior se observa que si se trata de un 𝑆𝐶@ al nivel de Fermi intrínseco se
le suma el segundo término de la ecuación dando como resultado que el nivel de Fermi extrínseco
se aproxima al fondo de la banda de conducción, y a mayor cantidad de impurezas donadoras más
se acerca a 𝐸u . La figura 1.32 muestra el nivel de Fermi para 𝑆𝐶@ .

_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
___________________________________ 𝐸N
--------------------------------------------------------- 𝐸gH

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -𝐸•

___________________________________𝐸S
+ +
Figura 1.32 Energía de Fermi en un 𝑆𝐶@

Por lo contrario, para un 𝑆𝐶$ el argumento de la función del segundo término de 𝐸g es negativo y
en consecuencia al nivel de Fermi intrínseco se le resta la cantidad resultante lo que hace que el
nivel de Fermi extrínseco se aproxime al tope de la banda de valencia 𝐸S , y a mayor cantidad de
impurezas aceptoras más se acerca a 𝐸S . En la figura 1.3 se representa el diagrama de bandas de
energía mostrando el nivel de Fermi para 𝑆𝐶> .
 _ _
___________________________________ 𝐸N

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -𝐸•

_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 𝐸gR
___________________________________𝐸S
+ + + + + + + + + + +

Figura 1.33 Energía de Fermi en un 𝑆𝐶>

La figura 1.34 muestra los distintos semiconductores y como el nivel de Fermi (EF) se mueve para
seguir representando la energía a la cual la función de distribución de Fermi-Dirac vale 0.5.

Figura 1.34 Nivel de Fermi en semiconductores

http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap01.htm

1.4 Portadores en exceso

Hasta este punto solo se ha tratado al semiconductor en equilibrio térmico, es decir, sin la influencia
de ningún agente externo. Si se da una excitación externa al semiconductor, el efecto es el de alterar
la velocidad media de los portadores de carga huecos y electrones de forma que ahora la velocidad
ya no será nula. En estas condiciones se dice que el semiconductor se encuentra fuera del equilibrio.
Los mecanismos provocados en los portadores de carga por acción de excitaciones externas reciben
el nombre de fenómenos de transporte. La excitación externa puede ser de tipo eléctrico, térmico
u óptico.

Entre los fenómenos de transporte cabe mencionar como fundamentales a los de arrastre, difusión
y efecto Hall.

- Conducción por arrastre: Se produce cuando se somete al semiconductor a una

diferencia de potencial o a la acción de un campo eléctrico externo.

- Conducción por difusión: Las corrientes de portadores generadas por difusión se

deben a la diferente concentración de estas dentro del semiconductor.

- Efecto Hall: La corriente de portadores se crea por la acción conjunta de un campo

eléctrico y una magnético sobre el semiconductor.

Conducción por arrastre

Se considera una muestra de semiconductor de tipo N con una concentración donadora constante
y en equilibrio térmico. Los electrones en la banda de conducción son esencialmente partículas
libres, ya que no están asociados a ninguna estructura en particular. La influencia de la estructura
cristalina está en la masa efectiva de los electrones en conducción, la cual es ligeramente diferente
a la de los electrones libres. Bajo condiciones de equilibrio térmico, la energía térmica promedio de
los electrones en la banda de conducción puede ser obtenida a partir del Teorema de Equipartición
~
de energía: 𝐾𝑇por cada grado de libertad, donde K es la constante de Boltzman y T la temperatura
F
absoluta. Los electrones en un semiconductor tienen tres grados de libertad ya que pueden moverse
en un espacio tridimensional. Por lo tanto, la energía cinética de los electrones está dada por:

1 ∗ F 3
𝑚@ 𝑣ˆI = 𝐾𝑇
2 2

donde 𝑚@∗ = masa efectiva de los electrones y 𝑣ˆI =velocidad térmica promedio. A temperatura
NG
ambiente (T=300 oK) ⇒ 𝑣ˆI =10Ã para Si y GaAs.
‰

Por el hecho de recibir energía térmica, los electrones están en un movimiento constante,
moviéndose rápidamente en todas direcciones. Como están continuamente en movimiento, no
están asociados con ninguna posición particular de la estructura. El movimiento térmico de un
electrón individual puede ser visto como una sucesión de movimientos aleatorios con colisiones con
átomos de la estructura cristalina, con impurezas, etc., como se muestra en la figura 1.35.
 (a) (b)
Figura 1.35. Movimiento aleatorio térmico de un electrón (a) y bajo la acción de un campo
eléctrico (b)
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap01.htm

Este movimiento aleatorio de los electrones conduce a un desplazamiento neto cero de un electrón
en un periodo de tiempo suficientemente largo (siempre y cuando no esté sometido a ningún campo
eléctrico externo). Luego, la velocidad media de los electrones es nula. La distancia promedio entre
colisiones es llamada recorrido libre medio, 𝑙, y el tiempo promedio entre colisiones tiempo libre
medio, 𝜏N . Ambas magnitudes están relacionadas con la velocidad térmica promedio mediante la
relación:

𝑙
𝑣ˆI =
𝜏N

Velocidad de arrastre
Cuando se somete al semiconductor a un pequeño campo eléctrico 𝐸, cada electrón experimenta
una fuerza 𝐹 = −𝑒𝐸, de manera que es acelerado. Los electrones experimentan un recorrido antes
de la próxima colisión que se realiza en la dirección del campo, pero en sentido opuesto a este.

Adquieren en consecuencia una nueva componente de velocidad debido a la acción del campo, es
la llamada velocidad de arrastre 𝑣@ . Esta nueva componente de la velocidad es, en la mayor parte
de los dispositivos, mucho más pequeña que la velocidad térmica por lo que la velocidad de arrastre
puede ser considerada como una perturbación de la velocidad térmica. La acción combinada de la
velocidad térmica y la de arrastre da lugar a un movimiento neto de los electrones en sentido
contrario al del campo eléctrico aplicado como se indica en la figura 1.35(b).

Se puede obtener una expresión para la velocidad de arrastre igualando el momento (fuerza x
tiempo) aplicado a un electrón durante el recorrido libre entre colisiones con el momento ganado
por el electrón en el mismo periodo. Esta igualdad es válida ya que, en el caso estacionario, todo el
momento que se gana entre colisiones es cedido a la estructura en la colisión, iniciándose el proceso
de nuevo antes de la siguiente colisión.

Por conservación del momento, el momento proporcionado por la acción del campo eléctrico 𝐸 (es
decir, −e𝐸𝜏N ) deberá ser igual al momento lineal (𝑚@∗ 𝑣@ ) ganado entre colisiones, por lo que se
obtiene que:
 −𝑒𝐸𝜏N = 𝑚@∗ 𝑣@

es decir
𝑒𝜏N
𝑣@ = − { |𝐸
𝑚@∗

Esta expresión afirma que la velocidad de arrastre es proporcional al campo eléctrico externo
aplicado. El factor de proporcionalidad, que depende del tiempo libre medio y de la masa efectiva
NG J
es llamado movilidad del electrón y sus unidades son .
œ‰

𝑒𝜏N
𝜇@ = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑚𝑜𝑣𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠
𝑚@∗

y, por tanto:

𝑣@ = −𝜇@ 𝐸 𝑣𝑒𝑙𝑜𝑐𝑖𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑎𝑟𝑟𝑎𝑠𝑡𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠

La movilidad es un parámetro importante es el transporte de portadores ya que expresa

cuantitativamente la facilidad o no de movimiento de los electrones frente a la acción de un campo
eléctrico.

El tratamiento hecho hasta el momento para los electrones en la banda de conducción puede
extrapolarse para los huecos en la banda de valencia:

𝑣>ž 𝜇> 𝐸 𝑣𝑒𝑙𝑜𝑐𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑎𝑟𝑟𝑎𝑠𝑡𝑟𝑒 𝑑𝑒 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠

donde 𝜇> es igual a:

𝑒𝜏N
𝜇> =
𝑚>∗

ahora no aparece el signo negativo pues los huecos se desplazan en el mismo sentido que el campo
eléctrico externo.

Dado que 𝜏N es el recorrido libre medio entre colisiones y dichas colisiones pueden producirse con
los átomos de la estructura cristalina o con las impurezas, la movilidad tanto de electrones como de
huecos es función, a una temperatura dada, de la concentración de impurezas. Ambas movilidades
presentan un valor máximo para baja concentración de impurezas (limitación impuesta por las
colisiones con los átomos de la estructura cristalina) disminuyendo su valor al aumentar la
concentración de impurezas.
Por otra parte, y dado que se tiene la siguiente relación entre las masas efectivas de electrón y
hueco, 𝑚@∗ < 𝑚>∗ la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos para una misma
concentración de impurezas (donadoras o aceptoras); 𝜇@ > 𝜇> .

La tabla 1.6 muestra las constantes de movilidad de los portadores de carga para los
semiconductores de silicio, germanio y arseniuro de galio.

𝒄𝒎𝟐
Movilidad del portador a 300 oK en 𝑽𝒔
Semiconductor
𝝁𝒏 𝝁𝒑
Germanio (Ge) 3900 1900
Silicio (Si) 1500 450
Arseniuro de Galio (GaAs) 8500 400
Tabla 1.6 Constantes de movilidad de electrones y huecos. http://jas.eng.buffalo.edu

Conductividad
Suponiendo que se cuenta con un semiconductor de tipo N impurificado homogéneamente cuyo
diagrama de bandas puede ser observado en la figura 1.32. Si se aplica un voltaje de polarización en
el terminal de la parte derecha (deduciendo que tanto el terminal de la derecha como el de la
izquierda son óhmicos con una caída de voltaje despreciable en cada contacto).

Cuando un campo eléctrico 𝐸 se aplica al semiconductor, dicho campo realiza una fuerza 𝐹 =
−𝑒𝐸 sobre cada electrón, donde e es el valor de la carga del electrón.
También se sabe que dicha fuerza ejercida es igual al valor negativo del gradiente (variación
espacial) de la energía potencial:

𝐹 = −𝑒𝐸 = - (gradiente de la energía potencial del electrón)

Se sabe que el valor inferior de la banda de conducción, 𝐸N , corresponde a la energía potencial de

un electrón. Como interesa el gradiente de la energía potencial, es posible utilizar cualquier parte
del diagrama de bandas que sea paralelo a 𝐸N (es decir, 𝐸g , 𝐸• 𝑜 𝐸S). Es conveniente utilizar 𝐸 • pues
dicha magnitud es ampliamente utilizada en el caso de uniones PN. Por tanto y para el caso
unidimensional:

𝑑𝐸• 1 𝑑𝐸•
−𝑒𝐸 = − ⇒𝐸= ·
𝑑𝑥 𝑒 𝑑𝑥

Para un semiconductor impurificado homogéneamente, la energía potencial (𝐸N ) y por tanto 𝐸•

decrecen linealmente con la distancia con lo que el campo eléctrico es constante al aplicar una
diferencia de potencial V constante. Su valor iguala al voltaje aplicado dividido por la longitud de la
muestra, como se va a demostrar.
La caída de tensión entre dos puntos se define como la energía empleada o adquirida para mover
una carga positiva unidad desde uno al otro. Para mover una carga positiva 𝑄 desde un punto a otro
entre los cuales exista una diferencia de potencial 𝑉, se realiza un trabajo y la energía empleada es:
𝑄 ⋅ 𝑉, por lo que al llegar a su destino la carga positiva ha ganado una energía potencial igual a la
energía empleada es decir 𝑄 ⋅ 𝑉.

En el caso del electrón, si este es llevado de un punto a otro con una diferencia de potencial 𝑉, el
electrón (carga negativa) pierde una energía potencial −𝑒𝑉 donde 𝑒 es la carga del electrón.

𝑉𝑎𝑟𝑖𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑒𝑛𝑒𝑟𝑔í𝑎 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙 ⟶ Δ𝐸> = −𝑒𝑉

Po lo que el campo eléctrico es constante y de valor:

1 𝑒𝑉 𝑉
𝐸= · = = 𝑐𝑡𝑒.
𝑒 𝐿 𝐿

Los electrones en la banda de conducción se mueven hacia la derecha. Cuando un electrón colisiona,
cede su energía cinética a la estructura y vuelve a su posición en equilibrio térmico. Posteriormente
este electrón empieza a moverse de nuevo hacia la derecha, repitiéndose el mismo proceso muchas
veces.

La conducción por huecos puede ser entendida de manera similar, pero en sentido opuesto. El
transporte de portadores bajo la influencia de un campo eléctrico produce una corriente llamada
corriente de arrastre.

Considérese ahora una muestra de semiconductor homogéneo de longitud L, sección transversal A

y con una concentración de electrones igual a 𝑛.

Supóngase que ahora se somete la muestra a la acción de un campo eléctrico externo 𝐸. La

presencia de dicho campo eléctrico origina una corriente de arrastre de los electrones de la banda
de conducción cuya densidad de corriente 𝐽@ (corriente por unidad de superficie) se obtiene
sumando para cada uno de los n electrones por unidad de volumen el producto de su carga –e por
su velocidad:

@
𝐼@
𝐽@ = = ×(−𝑒 · 𝑣• ) = −𝑒𝑛𝑣@
𝐴
•ž~

𝐽@ == 𝑒𝑛𝜇@ 𝐸
De igual forma, para los huecos en la banda de valencia:

𝐽> = 𝑒𝑝𝑣> = 𝑒𝑝𝜇> 𝐸

La densidad de corriente neta de portadores debida a la acción del campo eléctrico externo es:

𝐽[ = 𝐽@ + 𝐽>

𝐽[ = i𝑒𝑛𝜇@ + 𝑒𝑝𝜇> k𝐸

La cantidad entre paréntesis recibe el nombre de conductividad σ (S/cm) e indica la capacidad del
material de conducir una corriente eléctrica:

𝜎 = 𝑒i𝑛𝜇@ + 𝑝𝜇> k 𝐸𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑔𝑒𝑛𝑒𝑟𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑

Para el caso de semiconductores extrínsecos, generalmente hay una concentración de portadores

de carga que es mayoritaria respecto de la otra (en varios órdenes de magnitud) y de esta forma:

Para un semiconductor tipo N: 𝑛 ≫ 𝑝 ⇒ 𝜎 = 𝑒𝑛𝜇@

𝜎 = 𝑒𝜇@ (𝑁† − 𝑁• ) 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑆𝐶@ 𝑐𝑜𝑛 𝑎𝑚𝑏𝑜𝑠 𝑡𝑖𝑝𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑖𝑚𝑝𝑢𝑒𝑧𝑎𝑠

𝜎 = 𝑒𝜇@ 𝑁† 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑆𝐶@ 𝑐𝑜𝑛 𝑢𝑛 𝑠ó𝑙𝑜 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑑𝑒 𝑖𝑚𝑝𝑢𝑟𝑒𝑧𝑎

Para un semiconductor tipo P: 𝑛 ≪ 𝑝 ⇒ 𝜎 = 𝑒𝑝𝜇>

𝜎 = 𝑒𝜇> (𝑁• − 𝑁† ) 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑆𝐶> 𝑐𝑜𝑛 𝑎𝑚𝑏𝑜𝑠 𝑡𝑖𝑝𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑖𝑚𝑝𝑢𝑒𝑧𝑎𝑠

𝜎 = 𝑒𝜇> 𝑁• 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑆𝐶> 𝑐𝑜𝑛 𝑢𝑛 𝑠ó𝑙𝑜 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑑𝑒 𝑖𝑚𝑝𝑢𝑟𝑒𝑧𝑎

La resistividad del semiconductor ρ (Ω ⋅ cm) es el reciproco de la conductividad y viene dada por:

1 1
𝜌= =
𝜎 𝑒i𝑛𝜇@ + 𝑝𝜇> k
Fenómenos de difusión de portadores
Procesos de difusión
El movimiento de los portadores en semiconductores, el cual da lugar a una corriente, es algunas
veces causado por la aplicación de un campo eléctrico, el cual provoca una corriente de arrastre o
por los procesos de difusión de portadores.

La corriente de difusión es la corriente de portadores que aparece en un semiconductor cuando

existe una variación espacial de la concentración de estos portadores. Los portadores, en estos
casos, tienden a moverse en un sentido determinado siempre desde las zonas de más concentración
hacia las de baja concentración, dicho movimiento se superpone al movimiento caótico de los
portadores por agitación térmica que tiende a uniformizar su repartición.

Los flujos de electrones y huecos son proporcionales a sus gradientes de concentración respectivos
(Ley de Fick). Las densidades de corriente por difusión para huecos y electrones están dadas por:

𝑑𝑛
𝐽@ = 𝑒𝐷@ 𝐷𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑝𝑜𝑟 𝑑𝑖𝑓𝑢𝑠𝑖ó𝑛
𝑑𝑥

𝑑𝑝
𝐽> = −𝑒𝐷> 𝐷𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 𝑝𝑜𝑟 𝑑𝑖𝑓𝑢𝑠𝑖ó𝑛
𝑑𝑥

donde:
NG J
𝐷@ = 𝐶𝑜𝑒𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑖𝑓𝑢𝑠𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 E K
‰
NG J
𝐷>ž 𝐶𝑜𝑒𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒. 𝑑𝑒 𝑑𝑖𝑓𝑢𝑠𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 E K
‰

Cuando en un cristal existen tanto gradientes de potencial como de concentración, se tiene que la
densidad de corriente total es el resultado del efecto de estos gradientes en cualquier punto del
semiconductor, esto es:

𝑑𝑛 𝑑𝑝
𝐽@ = 𝑒𝜇@ 𝑛𝐸 + 𝑒𝐷@ ; 𝐽> = 𝑒𝜇> 𝑝𝐸 − 𝑒𝐷>
𝑑𝑥 𝑑𝑥

y, en consecuencia, la densidad de corriente de conducción está dada por:

𝐽N3@†•NN•ó@ = 𝐽@ + 𝐽>

La relación entre la movilidad y el coeficiente de difusión se conoce con el nombre de relación de

Einstein:
 𝐾𝑇 𝐾𝑇
𝐷@ = · 𝜇@ ; 𝐷> = · 𝜇>
𝑒 𝑒

Portadores de carga en exceso

En equilibrio térmico, en un semiconductor se satisface la ley de acción de masas respecto de la
concentración de sus portadores, 𝑛•F = 𝑛𝑝 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑛• es la concentración de portadores en el
semiconductor intrínseco.

Si por cualquier medio externo, se introducen en el semiconductor portadores adicionales el

producto intrínseco ya no se satisface y ahora se tendrá́ 𝑛𝑝 > 𝑛•F . Se estará́ en una situación fuera
del equilibrio. El proceso por el cual se introducen portadores de carga en exceso recibe el nombre
de inyección de portadores. A los portadores que se han introducido externamente se les llama
portadores en exceso.

Hay varios métodos diferentes de inyectar portadores de carga en un semiconductor entre los
cuales cabe destacar la excitación óptica. También hay un proceso de inyección de portadores en
exceso para el caso de una unión p-n directamente polarizada (como se verá́ en el siguiente
capítulo). En el caso de excitación óptica, se irradia la muestra de semiconductor.

Si la energía del fotón de la luz 𝐸g3ˆó@ = ℎ𝜈 es mayor que la anchura de la banda prohibida 𝐸š del
semiconductor, donde h es la constante de Planck y 𝜈 es la frecuencia óptica, el fotón es absorbido
por el semiconductor generándose un par electrón-hueco.

La magnitud relativa de la concentración de portadores en exceso respecto de la concentración de

portadores mayoritarios, determina el grado o nivel de inyección.

Cuando la concentración de portadores en exceso es pequeña comparada con la concentración de

impurezas (concentración de portadores mayoritarios antes de la inyección de portadores en
exceso), ∆𝑛 = ∆𝑝 ≪ 𝑁† es referida con el nombre de bajo nivel de inyección.

Cuando la concentración de portadores en exceso iguala o incluso supera a la de impurezas

(concentración de portadores mayoritarios antes de la inyección de portadores en exceso) da lugar
al llamado alto nivel de inyección.

Procesos de generación-recombinación de portadores

Hasta el momento se han introducido los dos procesos de movimiento de portadores que son
difusión y arrastre. Una tercera categoría que involucra una variación de las concentraciones de
electrones y huecos son los procesos de generación y recombinación.

De hecho, estos son dos procesos independientes que tienen lugar de forma simultánea y cuyas
velocidades son iguales únicamente en equilibrio térmico. Recordando que la condición de
equilibrio térmico se da cuando no existen fuerzas externas (tales como luz) o un campo eléctrico
aplicado al semiconductor. Estos dos procesos (generación y recombinación) afectan
indirectamente a las corrientes cambiando las concentraciones de portadores involucradas en los
procesos de arrastre y difusión.
Por un lado, los electrones de la banda de conducción pueden ceder energía (por ejemplo, mediante
colisiones con la red cristalina o la emisión de un fotón) de forma que vayan a ocupar un nivel de
energía localizado en la banda de valencia y, en consecuencia, electrón y hueco desaparecen
simultáneamente. Este proceso de neutralización de portadores recibe el nombre de recombinación
de portadores y, como se ha visto, conlleva la desaparición de un par electrón-hueco.

Análogo razonamiento se puede seguir si un electrón de la banda de valencia sufre una transición
de la banda de valencia a la banda de conducción (por ejemplo, gracias al aporte energético debido
a la energía térmica) dejando un hueco en la banda de valencia. Este proceso recibe el nombre de
generación de portadores y conlleva la aparición de un par electrón-hueco.

En un semiconductor en condiciones de equilibrio, el número de pares electrón-hueco generados

(mediante la absorción de energía vibracional de la red), iguala al número de pares electrón-hueco
aniquilados por recombinación de forma que se cumple la ley de acción de masas 𝑛•F = 𝑛𝑝.

Cuando se rompe la situación de equilibrio térmico, la tendencia de los sistemas es retornar a la

situación de equilibrio. Por ejemplo, cuando se produce una inyección de portadores minoritarios
en exceso en un extremo de una barra semiconductora, las concentraciones de electrones y huecos
tenderán a volver a sus valores en el equilibrio causando que la velocidad de recombinación exceda
a la de generación.

Por tanto, fuera de la situación de equilibrio las velocidades de generación y recombinación no son
iguales, causando que la concentración de un tipo de portador de carga exceda su valor de
equilibrio.

Por ejemplo, un semiconductor de tipo N en equilibrio térmico con unas concentraciones de

portadores mayoritarios y minoritarios 𝑛3 y 𝑝3 respectivamente. Si este semiconductor es expuesto
a una fuente de energía que incrementa la concentración de portadores minoritarios, entonces el
proceso de generación-recombinación actúa para reducir la concentración de estos portadores
causando que la velocidad de recombinación supere a la velocidad de generación. Si, por el
contrario, debido a la extracción de portadores, la concentración de portadores se disminuyera
entonces la velocidad de generación excederá́ a la velocidad de recombinación hasta que se llegue
al equilibrio.

Los procesos de generación-recombinación pueden ser de dos tipos: procesos directos o de banda
a banda y procesos indirectos o a través de centros intermedios (en el volumen y en la superficie
del cristal).

Una vez revisados a los materiales semiconductores, sus propiedades físicas, su clasificación, su
comportamiento eléctrico en el siguiente capítulo se estudiará lo que sucede cuando se une un
semiconductor N con un semiconductor P dando lugar a una unión PN rectificante y que se
encuentra presente en la mayoría de los dispositivos electrónicos.
Fuentes de información consultadas

• Conductividad Eléctrica. Equipos y Laboratorio de Colombia. Consultado en:

http://www.equiposylaoratorio.com/sitio/contenidos_mo.php?it=10059

• Gamboa Zuñiga Mariano.;Reynel Iglesias Heberto. (1989). Introducción a la Física

Electrónica. IPN

• García Burciaga Margarita, Cepeda Salinas Arturo (1985). Dispositivos Electrónicos tomo I.
México: IPN

• Mckelvey John P (1988). Física del Estado Sólido y de Semiconductores. México: Limusa.

• Pierret, Robert (1996). Semiconductor Device Fundamentals. USA: Addison Wesley

Publishing Company, Inc.

• Siemens (1986). Los chips y sus perspectivas. Balance de una tecnología básica. Siemens

• Streetman Ben G. (1995). Solid State Electronic Devices. Consultado en:

https://archive.org/stream/fe_Solid-State-Electronic-Devices-6th-Edition/Solid-State-
Electronic-Devices-6th-Edition#page/n131/mode/2up

• Tema 1 Tecnología de Fabricación de Circuitos Integrados. https://ita-

sc.wikispaces.com/file/view/Fabricacion.pdf

• Tema 2: Estadística y Fenómenos de transporte en semiconductor. Consultado en:

http://www.uv.es/candid/docencia/Tema2(01-02).pdf

• Unidad 8. Características eléctricas de los materiales. Curso Fundamentos de ciencias de los

materiales. Consultado en: https://www.upv.es/materiales/Fcm/Fcm08/fcm8_1.html