Transistor ujt

Como es el ujt?

El transistor de unión única o sus siglas UJT del ingles significa (Uni Junction Transistor). Es un
componente electrónico de conmutación a base de semiconductores en sus 3 terminales. El
transistor Unijunction es un dispositivo muy simple que consiste en una lámina de silicio del tipo n;
con un contacto en cada extremo(base 1 y base 2) y con un contacto rectificador para el terminal
del emisor; formando la única unión dentro del dispositivo de ahí el nombre de única unión.

En el transistor de unión única; la unión PN está formada por una barra de silicio tipo N
ligeramente dopada con material tipo P fuertemente dopado en un lado. El contacto óhmico en
cualquiera de los extremos de la barra de silicio; se denomina Base 1 (B 1 ) y Base 2 (B 2 ) y el
terminal tipo P se denomina emisor.

La unión del emisor se coloca de manera que esté más cerca de la terminal Base 2 que de la Base
1. Los símbolos de UJT y JFET se parecen a los mismos; excepto que la punta de flecha del emisor
representa la dirección en la que fluye la corriente convencional, pero funcionan de manera
diferente.

Como esta compuesto?

El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT está constituido por dos regiones
contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor.

En la figura 12.21.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor está fuertemente
dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las
dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10KΩ estando el emisor abierto).

Cuando se polariza el transistor la barra actúa como un divisor de tensión apareciendo una VEB1
de 0,4 a 0,8v. Al conducir el valor de RB1 se reduce notablemente. Observa el circuito equivalente.
Observando el circuito de polarización de la figura se advierte que al ir aumentando la tensión Vee
la unión E-B1 se comporta como un diodo polarizado directamente. Si la tensión Vee es cero, con
un valor determinado de Vbb, circulará una corriente entre bases que originará un potencial
interno en el cátodo del diodo (Vk). Si en este caso aumentamos la tensión Vee y se superan los
0,7v en la unión E-B1 se produce un aumento de la corriente de emisor (IE) y una importante
disminución de RB1, por lo tanto un aumento de VBE1. En estas condiciones se dice que el
dispositivo se ha activado, pasando por la zona de resistencia negativa hacia la de conducción,
alcanzando previamente la VEB1 la tensión de pico (Vp).

Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda por debajo de la intensidad
de valle (Iv).De lo anterior se deduce que la tensión de activación Vp se alcanza antes o después
dependiendo del menor o mayor valor que tengamos de tensión entre bases VBB.

La frecuencia de oscilación de un oscilador de relajación del mostrado en la figura está

determinada por la siguiente ecuación.