UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TACHIRA

VICERRECTORADO ACADEMICO
COMISION GENERAL DE CURRICULUM

PROGRAMA ANALITICO

Asignatura: Electrónica del Estado Sólido. . Código: 0244706T

Unidad: I. Dispositivos Bipolares.
Objetivo general Analizar e interpretar el funcionamiento físico de los dispositivos semiconductores bipolares básicos.

Objetivos Contenidos Actividades Evaluación Recursos Bibliografía

1. Introducir en los 1.1 La tabla periódica. Exposición por parte del 15% Evaluación Material de Dispositivos
conceptos básicos 1.2 Los compuestos: facilitador. de trabajo de Apoyo Semiconductores
de la cristalografía GaAs, InP. investigación presentado en Jasprit Singh.
de materiales del 1.3 Tipos de sólidos. Interacción grupal para el Internet. McGraw-Hill
estado sólido. 1.4 Las estructuras análisis de los conceptos 15% Asistencia ISBN 970-10-1024-
cristalinas. suministrados. a clases Diapositivas o 8
1.5 Los Planos transparencias.
cristalinos, índices de Mecánica de la pregunta. 70% Examen Solid State
Miller, la estructura de escrito Marcadores. Electronic Devices
Diamante y la Resolución de problemas Ben G. Streetman
estructura Zincblende. propuestos por el 1er Parcial Pizarra. Prentice-Hall
1.6 Los enlaces facilitador en el aula. Ponderación: ISBN 0-13-158767-
atómicos. 30% Borradora. 5 TK7871.85.S77
1.7 Defectos en la Formulación de
estructura cristalina. conclusiones por parte Computadora. Fiber Optics &
del estudiante y el Optoelectronics
2. Analizar e 2.1 El cuanto de facilitador. Peter K. Cheo
interpretar energía, la dualidad Prentice-Hall
físicamente los onda partícula y el Asignación de tópicos de ISBN 0-13-312646-
conceptos básicos principio de investigación por parte 3
de la mecánica incertidumbre de del facilitador.
cuántica. Heisenberg.
2.2 La ecuación de
Schrödinger general.
2.3 La ecuación de
Schrödinger del
 electrón libre.
2.4 La ecuación de
Schrödinger en el Pozo
de Potencial infinito.
2.5 Describa la
solución e la ecuación e
Schrödinger para el
átomo de un electrón.

3. Analizar la teoría 3.1 Las bandas de

de bandas de energía en los sólidos.
energía en cristales El modelo de Bandas
semiconductores. de energía de Kronig-
Penney.
3.2 Las bandas de
energía en los sólidos
en el espacio k.
3.3 La conducción
eléctrica en cristales.
3.4 La masa efectiva.
3.5 El concepto de
Hueco.
3.6 Las propiedades
físicas de metales,
aislantes y
semiconductores.
3.7 El modelo de
bandas de energía en el
espacio k,
tridimensional.

4. Analizar los 4.1 La densidad de

conceptos básicos estados en los
de la Física semiconductores.
estadísticas 4.2 El semiconductor
aplicada a los intrínseco.
semiconductores. 4.3 El semiconductor
intrínseco ante la
variación de la
 temperatura.
4.4 El modelo de
bandas de energía de
los dadores y aceptores.
4.5 El concepto de: a-
Densidad de estados
N(E) b- la distribución
de Fermi, c- la
concentración de
portadores para un
semiconductor
intrínseco en equilibrio
térmico.
4.6 El Nivel de Fermi
en un semiconductor
intrínseco.

5. Analizar e 5.1 La Movilidad de

interpretar electrones y huecos.
físicamente los 5.2 El efecto Hall.
diferentes procesos 5.3 La resistividad en
que intervienen en un semiconductor.
la conductividad 5.4 La recombinación.
de portadores de la generación de
carga en los fonones y fotones en el
semiconductores. espacio k.
5.5 Materiales
semiconductores que
generan fonones o
fotones.
5.6 La conductividad
térmica.
5.7 Los campos de alta
intensidad en el
semiconductor.
5.8 Las ecuaciones de
Maxwell, la ecuación
de densidad de
corriente y la ecuación
 de continuidad.

6. Analizar el 6.1 La fabricación de

funcionamiento semiconductores.
físico de la unión 6.2 La unión PN
PN y su aplicación abrupta en equilibrio
en diferentes térmico.
dispositivos 6.3 La unión PN con
bipolares. asimetría fuerte en
equilibrio térmico.
6.4 La unión PN
gradual lineal, en
equilibrio térmico.
6.5 La curva
característica corriente-
tensión de la unión PN
y el diagrama de
bandas de energía.
6.6 La distribución de
portadores y
densidades de corriente
de la unión PN.
6.7 La generación y
recombinación en la
unión PN.
6.8 La concentración
de portadores y del
Nivel Intrínseco de
Fermi en la unión PN.
6.9 El fenómeno de
capacitancia de
difusión en la unión
PN.
6.10 La ruptura y de
instabilidad térmica.
6.11 El efecto túnel en
la unión PN y su
ruptura.
6.12 La ruptura por
 multiplicación por
avalancha.
6.13 La respuesta
transitoria y el ruido.
6.14 El varactor.
6.15 El diodo PIN.
6.16 La heterounión.

7. Analizar el modelo 7.1 Las relaciones

físico del transistor básicas de corriente-
bipolar y explicar tensión del transistor
los modelos de bipolar.
funcionamiento. 7.2 El transistor base
común.
7.3 La ganancia de
corriente del transistor
bipolar.
7.4 Las curvas de la
densidad de huecos en
la región de la base de
un transistor PNP para
varias tensiones
aplicadas,
7.5 Las curvas
características del
transistor PNP, base
común con el emisor
común.
7.6 El concepto de: a-
Para base común de
BVCBO, ICO, b- Para
emisor común de
BVCEO, I´CO.
7.7 El diagrama
circuital y los modelos
matemáticos del
modelo de Ebers-Moll.
7.8 La frecuencia de
corte de un transistor
de Microondas.
7.9 El modelo de la red
de dos puertos.
7.10 El circuito
equivalente
simplificado de
microondas.
7.11 La ganancia y la
potencia de salida de
un transistor de
microondas bipolar.
7.12 El transistor de
potencia y su circuito
equivalente.
7.13 Las técnicas de
integración de
circuitos.
 UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TACHIRA
VICERRECTORADO ACADEMICO
COMISION GENERAL DE CURRICULUM

PROGRAMA ANALITICO

Asignatura: Electrónica del Estado Sólido. . Código: 0244706T

Unidad: II. Dispositivos Unipolares y Ópticos.
Objetivo general: Analizar e interpretar el funcionamiento físico de los dispositivos semiconductores unipolares y ópticos básicos.

Objetivos Contenidos Actividades Evaluación Recursos Bibliografía

1. Analizar la 1.1 El modelo ideal de Exposición por parte del 15% Evaluación Material de Apoyo Dispositivos
física básica bandas de energía de la facilitador. de trabajo de presentado en Internet. Semiconductores
del contacto unión metal- investigación Jasprit Singh.
metal- semiconductor. Interacción grupal para el Diapositivas o McGraw-Hill
semiconductor 1.2 El efecto Schottky del análisis de los conceptos 15% Asistencia transparencias. ISBN 970-10-
sistema metal-vacío. suministrados. a clases 1024-8
1.3 El efecto Schottky de Marcadores.
un contacto metal- Mecánica de la pregunta. 70% Examen Solid State
semiconductor. escrito Pizarra. Electronic
1.4 Los procesos de Resolución de problemas Devices
transporte básicos en propuestos por el 2do Parcial Borradora. Ben G.
polarización directa del facilitador en el aula. Ponderación: Streetman
contacto metal- 30% Computadora. Prentice-Hall
semiconductor. Formulación de ISBN 0-13-
1.5 El transporte de conclusiones por parte del 158767-5
corriente y el proceso de estudiante y el facilitador. TK7871.85.S77
emisión termoiónica y de
difusión. Asignación de tópicos de Fiber Optics &
1.6 El efecto de la investigación por parte Optoelectronics
corriente Túnel en el del facilitador. Peter K. Cheo
transporte de corriente de Prentice-Hall
la unión metal- ISBN 0-13-
semiconductor. 312646-3
1.7 Los efectos de la
inyección de portadores
 minoritarios en el
transporte de corriente de
la unión metal-
semiconductor.
1.8 La barrera de potencial
del contacto metal-
semiconductor.
1.9 La respuesta corriente-
voltaje en función de la
barrera de potencial en la
unión metal-
semiconductor.

2.1 Clasificación de la
2. Analizar las familia de los transistores
características de efecto de campo FET.
físicas de 2.2 El modelo Schockley
funcionamient de una unión del transistor
o de los de efecto de campo.
transistores de 2.3 Las curvas
efecto de características básicas I-V
campo. del JFET.
2.4 La curva característica
de transferencia de un
JFET de canal largo.
Las curvas características
I_V del MESFET
normalmente ON y OFF.
2.5 La curva de la
velocidad de arrastre en
función del campo
eléctrico para Si, GaAs y
InP.
2.6 La movilidad con el
incremento del campo
eléctrico del MESFET.
2.7 Las curvas de corriente
de drenaje, respecto a la
movilidad del MESFET.
 2.8 El modelo de dos
regiones de un MESFET.
2.9 El modelo de la
velocidad saturada del
MESFET.
2.10 El perfil del campo
eléctrico y la curva
característica corriente
tensión del MESFET para
diferentes condiciones de
polarización de compuerta
y drenaje.
2.11 La velocidad de
arrastre y la distribución de
carga espacial en el corte
transversal del canal de un
MESFET.
2.12 La velocidad del
electrón al entrar en la
región de alta intensidad
de campo bajo la
compuerta.
2.13 El circuito
equivalente del MESFET
de microondas y el origen
físico de los elementos del
circuito.
2.14 Las limitaciones de
potencia y de frecuencia
del MESFET de
microondas.
2.15 El circuito
equivalente de análisis de
ruido del MESFET de
microondas.

3. Introducir en la 3.1 El concepto básico del

física básica de transmisor óptico.
funcionamient 3.2 Los modelos de bandas
 o del transistor de energía de los procesos
óptico. de absorción.
3.3 Las características
físicas de los procesos de
emisión espontánea y
estimulada.
3.4 La vecindad de
densidades atómicas para
la generación de la emisión
estimulada.
3.5 Las características de
emisión óptica de la
homounión PN.
3.6 Las características de
emisión óptica de la
Heterounión doble.

4. Analizar las 4.1 La eficiencia cuántica

características externa del LED y del
físicas de láser.
funcionamient 4.2 Los semiconductores
o del Diodo compuestos.
Luminiscente 4.3 Las técnicas de
LED. fabricación de las fuentes
ópticas semiconductoras.
4.4 Explique las
características físicas Luz-
corriente del LED.
4.5 La respuesta a la
modulación del LED.
4.6 El funcionamiento del
LED emisor superficial.
4.7 El funcionamiento del
LED emisor de borde.

5. Analizar las 5.1 Las características

características físicas de funcionamiento
básicas de del láser.
funcionamient 5.2 La Ganancia óptica del
 o de diferentes láser.
tipos de 5.3 La retroalimentación y
láseres. el umbral láser.
5.4 El láser de Fabry Perot.
5.5 El láser de área
transversal ancha.
5.6 El láser semiconductor
de ganancia guiada.
5.7 El láser BH de
heteroestructura
encubierta.
5.8 La propagación de
modos en láseres con
heteroestructura encubierta
BH.

6. Analizar las 6.1 El láser semiconductor

características monomodo longitudinal.
físicas de 6.2 El láser con
funcionamient retroalimentación
o de láseres de distribuida DFB.
alta eficiencia 6.3 El láser con reflector
y de emisión de Bragg distribuido DBR.
monomodo. 6.4 El láser con
acoplamiento por cavidad.
6.5 El láser acoplado por
hendidura.
6.6 El láser multisecciones
DBR.
6.7 El láser VCSEL de
emisión superficial con
cavidad vertical.
6.8 La respuesta de la
curva característica Luz-
corriente.
6.9 La respuesta a la
modulación de los láseres
semiconductores para
pequeña y gran señal.
7. Analizar e 7.1 La pieza
interpretar semiconductora como
físicamente el receptor óptico.
funcionamient 7.2 El concepto de: a-
o de diferentes Corriente fotónica Ip, b-
tipos de Factor de fotosensibilidad
dispositivos R, c- Eficiencia cuántica,
fotodetectores. d- Potencia transmitida Ptr,
e- Potencia absorbida
Pabs, f- Longitud de onda
de corte, g- Ancho de
Banda, h- Corriente de
oscuridad.
7.3 El Fotodiodo PN.
7.4 El Fotodiodo PIN.
7.5 El Fotodiodo de
Avalancha APD.

8. Analizar el 8.1 El amplificador óptico.

funcionamient 8.2 Los regeneradores y
o físico de los los amplificadores ópticos
diferentes tipos en los sistemas de
de comunicaciones ópticos.
amplificadores 8.3 El amplificador SOA y
ópticos y sus del EDFA.
aplicaciones. 8.4 El amplificador óptico
Banda Angosta y Banda
Ancha.
8.5 La ganancia óptica en
el SOA.
8.6 Las ecuaciones de
velocidad de variación.
8.7 El modelo para la
Potencia de Saturación.
8.8 Las reflexiones
laterales en la región activa
de un SOA.
8.9 La generación de ruido
ASE en el SOA.
8.10 La generación de
ruido en el Fotodetector.
8.11 El ruido ASE en el
Fotodetector.
8.12 El concepto de: a-
Señal con emisión
espontánea, b- Emisión
espontánea con emisión
espontánea.
8.13 El SNR de un sistema
IM-DD.
8.14 La probabilidad de
error de bits (BER).
8.15 El concepto de: a-
Pérdidas por acoplamiento,
b- El ancho de banda.
8.16 El detector óptico
heterodino coherente.
8.17 La variación de la
polarización en el SOA.
8.18 La intermodulación
multicanal y la saturación
inducida por la
interferencia cruzada.
8.19 Aplicaciones de los
amplificadores ópticos
semiconductores
 UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TACHIRA
VICERRECTORADO ACADEMICO
COMISION GENERAL DE CURRICULUM

PROGRAMA ANALITICO

Asignatura: Electrónica del Estado Sólido. . Código: 0244706T

Unidad: III. Tecnologías ópticas, de microondas y procesos de fabricación de semiconductores.
Objetivo general: Analizar los desarrollos y tendencias tecnológicas de los nuevos dispositivos semiconductores para aplicaciones en la electrónica,
microondas y óptica.

Objetivos Contenidos Actividades Evaluación Recursos Bibliografía

.
1. Analizar el 1.1 Los sistemas ópticos Exposición por parte del 15% Evaluación de Material de Apoyo Dispositivos
funcionamient WDM. facilitador. trabajo de presentado en Semiconductores
o de los 1.2 El láser DBR de investigación Internet. Jasprit Singh.
diferentes reflector de Bragg Interacción grupal para el McGraw-Hill
dispositivos Distribuido de tres análisis de los conceptos 15% Asistencia a Diapositivas o ISBN 970-10-
usados en las secciones. suministrados. clases transparencias. 1024-8
redes de 1.3 El Modulador externo
comunicacione con interferómetro Mach- Mecánica de la pregunta. 70% Examen Marcadores. Solid State
s ópticas. Zehnder de Litio-Niobio. escrito Electronic
1.4 El láser DFB para Resolución de problemas Pizarra. Devices
múltiples longitudes de propuestos por el 3er Parcial Ben G. Streetman
ondas de emisión de facilitador en el aula. Ponderación: 40% Borradora. Prentice-Hall
borde. ISBN 0-13-
1.5 El láser VCSEL Formulación de Computadora. 158767-5
bidimensional para conclusiones por parte TK7871.85.S77
múltiples longitudes de del estudiante y el
ondas. facilitador. Fiber Optics &
1.6 El Filtro de Fabry- Optoelectronics
Perot. Asignación de tópicos de Peter K. Cheo
1.7 El filtro investigación por parte Prentice-Hall
semiconductor con rejilla del facilitador. ISBN 0-13-
de Bragg en la cavidad. 312646-3
1.8 El Filtro óptico
sintonizable de Fabry-
 Perot (FFP).
1.9 El Filtro óptico
sintonizable de Fabry-
Perot de cristal líquido.
1.10 El Filtro con
Interferómetro MZ en
cascada.
1.11 El Filtro
sintonizable AOTF.
1.12 El acoplador NxN
en estrella.

2. Analizar e 2.1 El multiplexor de

interpretar el longitud de onda basado
funcionamient en rejilla integrada.
o de 2.2 El filtro de canal
dispositivos add/drop basado en rejilla
usados en las integrada.
redes ópticas 2.3 El enrutador de
WDM. frecuencia integrada.
2.4 El arreglo receptor
con detectores MSM.
2.5 El sistema de
conexiones cruzadas
WDM/SDM.
2.6 El conmutador
cruzado 2x2.
2.7 El demultiplexar
varios canales WDM con
un filtro óptico FP.
2.8 El láser DBR para
sintonización de
longitudes de onda, con
un modulador óptico
externo integrado en el
mismo Chip.

3. Introducir en la 3.1 El amplificador de

técnica de altas frecuencias de un
 diseño de puerto.
circuitos de 3.2 El amplificador de
altas reflexión con diodo túnel.
frecuencias. 3.3 El elemento Gunn y
el Diodo de avalancha.
3.4 El amplificador
paramétrico de
reactancia.
3.5 El amplificador de
reactancia lineal: a- De
un puerto, b- De dos
puertos.

4. Analizar las 4.1 La conductividad

características diferencial negativa.
físicas de 4.2 El Efecto Gunn.
funcionamient 4.3 Las bandas de energía
o del Elemento del Elemento Gunn.
Gunn. 4.4 La Generación-
Recombinación y la
banda trampa, dentro del
análisis físico del Efecto
Gunn.
4.5 El proceso de
ionización por impacto,
dentro del análisis físico
del Efecto Gunn.
4.6 Los mecanismos de
producción de NDC,
dentro del análisis físico
del Efecto Gunn.
4.7 Los factores
importantes en la NDC,
a- La característica V(ε).
4.8 Las características
físicas de funcionamiento
de un circuito con un
elemento NDC.
 4.9 El comportamiento
físico de los contactos del
elemento NDC.

5. Analizar las 5.1 El desarrollo que han

características tenido los
físicas de semiconductores de
funcionamient nitruro de galio GaN y
o del transistor sus aleaciones AlGaN,
HEMT en InGaN.
tecnología 5.2 Las características
GaN. físicas en las aplicaciones
de alta potencia del GaN
con el GaAs.
5.3 El transistor de alta
movilidad HEMT.
La curva característica I-
V del transistor HEMT.
5.4 El fenómeno del
efecto de colapso de un
transistor HEMT.
5.5 El desarrollo que ha
tenido el transistor FET
de AlGaN/GaN.

6. Describir la 6.1 El crecimiento

técnica de epitaxial en
fabricación de semiconductores III-V.
dispositivos 6.2 La técnica de
electrónicos crecimiento epitaxial en
con el proceso fase a vapor mediante
de crecimiento precursores
epitaxial metalorgánicos MOVPE.
MOVPE. 6.3 Las ventajas e
inconvenientes de la
técnica de crecimiento
MOVPE.
6.4 La técnica de
crecimiento MOVPE.
 6.5 Los efectos de la
temperatura de
crecimiento TG, como
variable que controla el
crecimiento MOVPE.
6.6 Los efectos de la
proporción de los flujos
de los elementos de los
grupos V/III, como
variable que controla el
crecimiento MOVPE.
6.7 Los efectos de los
flujos de los precursores,
como variable que
controla el crecimiento
MOVPE.
6.8 El sistema de un
reactor MOVPE: a-
Sistema de gases, b-
Cámara de reacción, c-
Sistema de
calentamiento, d- Sistema
de escape y seguridad.
6.9 La receta típica del
crecimiento MOVPE:
6.10 Las técnicas de
caracterización de
semiconductores III-V,
mediciones: a- Hall, b-
SEM, c- HRXRD, d-
ECV, e-
Fotoluminiscencia, f-
TRPL, g- AFM, h- SIMS
y XPS.

..
 UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TACHIRA
VICERRECTORADO ACADEMICO
COMISION GENERAL DE CURRICULUM

PROGRAMA ANALITICO

Plan de Evaluación

PARCIAL No. PONDERACION TEORIA LABORATORIO

1 30% 100% 0%
2 30% 100% 0%
3 40% 100% 0%