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ELECTRÓNICA DE POTENCIA

RELACIÓN DE PROBLEMAS DE LA
UNIDAD 2.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA (ETAPA DE SALIDA).


EJERCICIO 1. [1]

En el siguiente amplificador de potencia de clase A de la


figura, calcular: A) El valor de RB para localizar el punto
Q en al centro de la línea de carga. B) La máxima potencia
de salida. Datos: Vcc = 12V, Rc=100W, hFE = 60 y VBE
=0.7V. Sol: A) 11.3kW. B) 180 mW.

Ejer1.mcd ; Tamaño (341KB)

EJERCICIO 2. [2]

En un amplificador de potencia (Figura), clase A,


sin transformador, determinar la relación
existente entre potencia alterna de salida en la
carga y distorsión.
Para el circuito de la figura, admitiendo que los
armónicos de orden superior al 2º son
despreciables, determinar la distorsión armónica
en el mismo.
Calcular el rendimiento de la conversión de
potencia continua en alterna. Datos: Nivel de
continua en colector para iB = 0, Ic = 350mA.
Nivel de continua en colector para la iB normal
de excitación, Ic=390mA. RL =40W.Potencia de
alterna en la carga RL, Pa =2W.
NOTA: Considérese el transistor ideal. Sol: A)
12.75%.B) 18,06%.

El desarrollo en serie de Fourier de la corriente de salida del amplificador, ic, para una
excitación de entrada senoidal ib, es de la forma:

en la que:
IC = corriente de colector para excitación ib=0.
A0 = Nivel de continua de la onda de salida debida a la distorsión.
A1, A2,....An = Amplitud de los armónicos de la onda de salida.
De donde para los siguientes valores obtenemos:

1)*w t = 0º, iC = Imax = IC + A0+A1+A2+...


2)*w t = 90º, iC = IC = IC +A0 -A2+A4-...
3)*w t = 180º, iC = Imin = IC + A0-A1+A2-...

Tomando únicamente hasta el 2º armonico, se obtiene del punto 2), anterior: A0=A2 ; y
resolviendo entre 1) y 3)

La distorsión del armonico de orden, se define como:

La distorsión total se define como,

Por otra parte la potencia en la carga del armonico de orden i, viene dado por:

Finalmente la potencia total en la carga debido al conjunto de armónicos viene dado por:

La potencia total alterna substituyendo este valor en Pa,

A) En el ejemplo pedido se tiene, IC=350mA, IC + A0 = 390mA., A2=A0 = 40mA, PT =


2W. Despejando,

;
B) El rendimiento de la conversión viene dado por,

P1= Potencia de alterna en la carga para el primer armonico.


PC= Potencia de continua en la carga.
En nuestro caso:

El calculo de VCC, se realiza a partir de la recta de


carga siguiente.

EJERCICIO 3. [3]

Diseñar un amplificador complementario de clase B, donde obtengamos una salida igual


a la de la siguiente figura. Sabiendo que la resistencia de carga de 8W, con una potencia
media de salida de 50W deseada para una amplitud máxima de señal senoidal. Calcular:
A) ¿Que valor de Vcc es requerido?, B) ¿Que valor de corriente máxima es requerido
para Q1 y Q2?, C) Valor máximo de tensión colector-emisor requerido para Q1 y Q2. D)
PDQ1max y PDQ2max. Sol: A) 28.3V.B) 3.54A. C) 56.6V. D) 10.2W, 10.2W.

EJERCICIO 4.

De una etapa de potencia clase B con transistores simétricos complementarios (Figura


ejercicio anterior). Calcular: A) Dibujar la señal de salida en la que se pueda observar la
distorsión de salida. B) Potencia máxima en la carga. C) Potencia que suministra cada
fuente de alimentación. D) Potencia que disipa los transistores cuando la potencia en la
carga es máxima. E) Rendimiento para la condición expresada anteriormente. F) Potencia
instantánea teórica máxima en los transistores de salida. G) Potencia media máxima en
los transistores de salida. Datos: Vcc=15V; RL=2kW;Vm=13.69V. Sol: A) Ver simulación
GRAF1.B) 46.85mW. C) 32.68mW. D) 9.25W. E)71.67%. F) 28.12mW. G) 9.37mW.

Distorsión de cruce.Graf1.jpg PQ1, VCEQ1, ICQ1.Graf2.jpg

Ejer4out.txt. Tamaño (5KB). Ejer4.cir.Tamaño (1KB).

Ejer4.mcd ; Tamaño (381KB)

B) La potencia en la carga máxima será:

C) Potencia que suministra cada fuente de alimentación:

De donde Pcc1=Pcc2.

D) La potencia que disipa los transistores cuando la potencia en la carga es máxima es:

E) El rendimiento por lo tanto seria:

F) Potencia instantánea teórica máxima en los transistores de salida.

G) Potencia media máxima en los transistores de salida:


EJERCICIO 5. [4]

Diseñar un circuito con simetría complementaria compensado por diodos (Ver figura
junto a circuito equivalente a la base) para un amplificador de audio con una respuesta en
frecuencia de 60Hz a 20KHz y una potencia de salida de 0.5W en un altavoz de
8W.Utilícense transistores de silicio con b=60. Los diodos tienen una resistencia en
directo de 8W. La fuente de alimentación es de 12V. Determinar: A) La ganancia de
corriente. B) La potencia proporcionada por la fuente. C) Potencia máxima disipada por
cada transistor. Sol: A) 17.9.B) 1.52W. C) 1.02W.

EJERCICIO 6. [4]

Diseñar un amplificador push-pull clase B con simetría complementaria compensado por


diodos (Ver figura del circuito anterior) para excitar una carga de 4W a ±3V para un
intervalo de frecuencias de 50Hz a 20KHz. Suponer que los transistores NPN y PNP
poseen una b=100 para cada uno y VBE = ±0.7V. Los diodos tienen una resistencia en
directo Rf=10W. Determinar todas las tensiones y corrientes en reposo para una tensión
de alimentación Vcc=16V. Determinar la máxima potencia que se extrae de la fuente de
alimentación, la potencia desarrollada en la carga y disipación de potencia en los
transistores. Sol: Pcc=4.04W; PL=1.13W; PT =1.62W.

EJERCICIO 7.

Comentar el diseño, formas de onda y funcionamiento del circuito de la figura para los
siguientes casos: A) Los interruptores estén en modo LINEAR. B) Los interruptores estén
en modo PWM.
EJERCICIO 8. [5]

Del siguiente circuito y tablas asociadas: A) Identificar las etapas y elementos principales
junto con la función que desempeñan. B) Comprobar para una carga de 8W y PL= 10W
los diferentes valores de tensiones y comentar la tabla.
Diseño del circuito y tablas cortesía de Texas Instruments.

Pot Imp. Sal. Tens.(RMS) Tens.(Pico) Tens(Pico-Pico) Int(RMS) Int(Pico) Tens.aliment.

W W V V V A A V
10 8 8.94 12.61 25.22 1.12 1.58 32
10 15 12.25 17.31 34.62 0.82 1.15 40
15 8 10.95 15.50 31.00 1.37 1.94 36
15 15 15.00 21.20 42.40 1.00 1.41 50
20 8 12.64 17.88 35.78 1.58 2.24 42
30 8 15.60 22.05 44.10 1.95 2.76 50

Ps RL R4 R5 R6 R8 R9 R11 C7 T7 T8
10 8 12K 3K3 12K 56K 1K2 3K9 2000 TIP32 TIP31
10 15 15K 3K9 15K 120K 820 10K 1000 TIP32A TIP31A
15 8 15K 3K9 15K 82K 1K 5K6 2000 TIP42 TIP41
15 15 15K 4K7 15K 82K 680 8K2 1000 TIP32A TIP31A
20 8 15K 3K9 15K 82K 820 5K6 2000 TIP42A TIP41A
30 8 15K 4K7 15K 82K 860 4K7 2000 TIP34A TIP33A
EJERCICIO 9.

En el circuito de polarización de la base de los


transistores de salida se suele colocar un transistor
como el indicado en la figura. Determinar el valor de R1
y R2 para obtener una buena compensación térmica
con los transistores de salida.Sol: R1=R2.

EJERCICIO 10. [1]

En circuito de la figura tenemos un


amplificador de simetría complementaria.
Determinar: A) El voltaje en el punto A. B)
La máxima potencia entregada en la
carga.Datos: Vcc=28V, VD(ON)
=VBE(ON)=0.7V,
hFE1=hFE2=hFE3=hFE4=hFE5=50,
Co=5000mF,Ce=1000mF, hie1=10kW,
RL=8W, R1=12kW, R2=1kW, RE=100W,
R=2.2kW. Sugerencia: Obtener la ecuación
de VA en función de I, seguido obtener I.
Sol: A) 15.6V; B) 11.7W.
A) El voltaje en el punto A con respecto a masa es:

Como Q2 y Q3 son idénticos, por lo tanto VBE2 = VBE3 = 0,7V.

El voltaje en el emisor de Q1 puede expresarse como:

La corriente de emisor de Q1 es:

Como IE1@ IC1, y asumiendo que IB2 y IB3 son insignificante con respecto a IC1,
entonces IE1@ I y por lo tanto:

sustituyendo I en la ecuación donde obtenemos VA.

una vez obtenido VA si sustituimos en la siguiente ecuación para hallar I.

B) Antes de calcular la máxima potencia entregada en la carga, calculamos primero


VCE1.

esta tensión es de pico, para pasarlo a RMS seria , por lo tanto ahora podemos

hallar el valor de la máxima potencia entregada a la carga:


EJERCICIO 11. [7]

Diseñar el amplificador de la figura, dando los valores de las resistencias, de Vcc y de Is


de Q4 de tal forma que suministre una potencia de 100W sobre 8W. En reposo, la
corriente de salida deberá ser nula y la de colector de Q1 de 5mA. Datos: Q1 es idéntico a
Q2; Q6 a Q7. Is1 = 9.74·10-13, Is3 = 4.82·10-14, Is5 = 7.4·10-14, b1L =100, b3=100, b5
=200, b1H =40,b6 =300. Sol: R4=33.9kW ,R2=1004kW ,R3=502W, Is=7.91·10 -14 A, Vcc=42V.

Potencia RMS carga.Graf3.jpg

IRL,Potencia AVG carga.Graf4.jpg

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Ejer11out.txt. Tamaño (5KB).

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EJERCICIO 12.

Sea el amplificador de audiofrecuencia de clase A mostrado en la siguiente figura. A )


Diseñar el amplificador de forma que entregue la máxima potencia a una carga RL de
750W, considerando los condensadores de valor elevado (realizar un diseño
aproximado). B ) Modificar el diseño realizando un acoplo por transformador,
entregando la máxima potencia de salida a una carga RL de 5W. Determinar la
amplificación de salida. DATOS: ICmax =1A, VCEmax =50V, PDmax =5W, bMIN =30,
Tc=25º. Sol A)Rc = 150 W ; Re = 15 W ; Vcc = 58 V ; R1 = 662 W ; R2 = 48 W. B ) N = 5 ; Vcc =
28 V

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EJERCICIO 13. [7]

Diseñar un circuito amplificador de clase AB. A) Diseñar


un circuito amplificador de clase AB de la siguiente figura,
que pueda abastecer el máximo voltaje de salida, con una
resistencia de carga de 5W ,con una corriente IQ =2 mA ; VCC
= 12V. DATOS: (Diodo) IS = 10-13 A ; VD1 = VD1 = 0.7V y IDmin =
1 mA que asegure la conducción. (Transistor ) ßf = 50 ; VBE =
0.7V ; VCEsat = 0.2V ; VT=25.8 mV. B) Hallar el voltaje en
los diodos VBB para una tensión de salida Vo = 0V y Vo =
11.8V. Sol A)R1 = R2 = 1994 W ; B) VBB = 1.277V y VBB = 1.19V.

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EJERCICIO 14. [6]

Para la etapa de salida de la figura, Vcc=15V y que para todos


los dispositivos VCEsat =0.2V,VBEon = 0.7V y ß= 50, R1=20kW.
A)Calcular los limites máximos positivos y negativos para
RL=10kWy RL=2kW.B) Calcula la potencia máxima
promedio que se puede entregar a RL antes de que ocurra el
recorte para RL=10kWy para RL=2kW.Calcular la eficiencia
del circuito correspondiente y la potencia promedio disipada
por cada uno de los dispositivos de salida. Desprecie la
distorsión por cruce y suponga señales senoidales.

Ejer14.mcd ; Tamaño (517KB)

BIBLIOGRAFíA.

[1] Research and Education Association; "The electronics problem solver".Piscataway,


New Yersey. 0885.
[2] Garcia, S. y otros; Problemas de electrónica; Ed. Marcombo.1990.
[3] Allan R. Hambley; Electronics a top-down approach to computeraided circuit desing.
Mc Millan Publishy Company.
[4] Savan, Roden, Carpenter; Diseño electrónico. Ed. Addison-Wesley Iberoamericana.
[5] Aguilar Peña, J.D; Amplificadores de Potencia, Teoría y problemas. Ed. Paraninfo.
[6] Gray P.R., Meyer R.G.; Análisis y diseño de Circuitos integrados analógicos. Prentice
Hall.
[7] Rashid, M.H. ; Circuitos Microelectrónicos "Analisis y Diseño".Ed. Thomson.

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