Módulo 3

DIODOS
SEMICONDUCTORES
 3. Diodos semiconductores
3.1.1 La unión pn en circuito abierto
ID
IS
p n
____
++++ - +
____
++++ - +
____
++++ - +
____
++++ - +
x
Región de escasez

Potencial Potencial de barrera para los huecos, V0

x
3. Diodos semiconductores
Corriente de difusión, ID.
Portadores mayoritarios
h: p → n
e: n → p
Potencial de barrera
⎛ N A ND ⎞
V0 = VT ln⎜⎜ 2
⎟⎟
⎝ ni ⎠
kT
VT =
q
k =1.38 x 10-23 joules/K, constante de Boltzmann.
Para T = 23 °C, VT = 25.5 mV, como aproximación
tomaremos VT = 25 mV.
3. Diodos semiconductores
Corriente de desplazamiento IS
Influencia del potencial de barrera
Movimiento de portadores minoritarios
e: p → n
h: n → p

Equilibrio
ID =IS
3. Diodos semiconductores
La barrera de potencial V0, establece un proceso de
regulación para mantener el equilibrio

Región de escasez
Si ID > IS V0 aumenta ID disminuye
se ensancha

Región de escasez
Si ID < IS V0 disminuye ID aumenta
se angosta
3. Diodos semiconductores
Ancho de la región de escasez
qx p AN A = qx n AND p n
xn N A
= x
x p ND
xp xn
N A ND
qj = q AW W
N A + ND
1/ 2
⎡ 2ε s ⎛ 1 1 ⎞ ⎤
W =⎢ ⎜⎜ + ⎟⎟V0 ⎥
⎣ q ⎝ N A ND ⎠ ⎦
εsA
Cj0 =
2ε s ⎛ 1 1 ⎞
⎜⎜ + ⎟⎟V0
q ⎝ N A ND ⎠
3. Diodos semiconductores
Tabla 3.1. Material εs (F/cm)
Permitividad eléctrica Si 1.04x10-12
GaAs 1.16x10-12
Ge 1.42x10-12

Ejemplo 3.1.
Una unión pn sin polarización tiene NA=ND= 1016 cm-3 y
ni=1010cm-3. Encuentra: a) El valor del potencial de
barrera. b) El ancho de la región de escasez y su
penetración en los materiales p y n. c) La magnitud de la
carga acumulada a cada lado de la unión si la sección
de área es de 100 μm2. d) El valor de la capacitancia de
la unión.
3. Diodos semiconductores
La unión pn en inverso
IS Corriente esencialmente de
portadores minoritarios
ID
p n
huecos ___ electrones
+++ - +
___
+++ - +
___
+++ - +
___
+++ - +
- VR +

I
I = IS − I D
3. Diodos semiconductores
Si I ≤ IS,
La región de escasez se ensancha.
El potencial de la barrera aumenta.
Se reduce la corriente de difusión ID.
La es IS independiente del potencial de la barrera.
En equilibrio
I = IS -ID
ID es muy pequeña comparada con IS por lo que:
I ≈ IS (0.1 a 1 fA)

IS es la corriente inversa en la práctica es del orden

de 1 nA.
3. Diodos semiconductores
Capacitancia de la región de escasez en inverso
εS A
C jr =
Wr

C j0 C j0
C jr = → C jr = m
V ⎛ VR ⎞ Coeficiente de
1+ R ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ distribución o graduación
V0 ⎝ V0 ⎠
3. Diodos semiconductores
Ruptura en inverso
Si I >IS,
Se ensancha la barrera de potencial,
Se genera un mecanismo de ruptura para proveer el
exceso de corriente en relación a IS.
Efecto
Ruptura enlaces covalentes
Zener
Generación pares electrón hueco
VZ < 5.7 V
Ruptura
Cruce portadores minoritarios con
Efecto de
alta energía que chocan con
Avalancha
átomos, generando portadores que
VZ > 7 V
chocan a su vez con otros átomos
3. Diodos semiconductores
Ejemplo 3.2:
Una unión pn tiene NA=1017/cm3.y ND=1016/cm3, y
ni=1010/cm3. Encuentra: a) El valor del potencial de
barrera. b) El ancho de la región de escasez y su
penetración en los materiales p y n, si la unión se
polariza en inverso con 5.5 V. c) La magnitud de la
carga acumulada a cada lado de la unión si la sección
de área es de 500 μm2. d) El valor de la capacitancia de
la unión.
3. Diodos semiconductores

La unión pn polarizada en directo

ID Corriente esencialmente de
portadores mayoritarios
IS
p n
____ electrones
huecos ++++ - +
____
++++ - +
____
++++ - +
____
++++ - +
+V-

I = I D − IS I
3. Diodos semiconductores
Concentración de portadores minoritarios en la vecindad
de la región de escasez

Región pn(xn) Región

p n

Concentración en exceso
np(-xp)

np(x) pn(x)
pn0
np0
x
-xp 0 xn
Valor en equilibrio térmico
3. El diodo semiconductor
Las corrientes de huecos y electrones tienen la misma
dirección y se puede demostrar que:
I = IS (eV / nVT − 1) n toma valores de 1 o 2.

⎛ Dp Dn ⎞
⎜
IS = Aqn ⎜
2
+ ⎟
i ⎟
⎝ Lp ND Ln N A ⎠
Área de la unión Longitudes de difusión

Lp = Dpτ p
1-100μm τ : Tiempo de tránsito: 1-104 ns
Ln = Dnτ n
3. Diodos semiconductores
Capacitancia de la unión (escasez)
C j0 Cj0
C jf = → C jf =
(1 − V / V0 )
1/ 2
(1 − V / V0 )m
Donde m es el coeficiente de graduación en el cambio
de concentración de portadores del lado p al lado n, y
tiene valores entre 1/3 y 1/2.
En la práctica la capacitancia de la unión se toma como

C jf = 2C j 0
3. Diodos semiconductores
Ejemplo 3.3:
Una unión pn tiene NA=1016/cm3.y ND=1017/cm3,
ni=1010/cm3, IS= 1 fA y A=3000 μm2. La unión está
polarizada en directo y conduce una corriente de 0.1
mA. Encuentra el valor del potencial de polarización V y
la capacitancia de la unión.
3. Diodos semiconductores
Definición de diodo
Dispositivo de dos terminales (unión pn) que puede
conducir corriente en una sola dirección.
El diodo es considerado el elemento no lineal
fundamental en electrónica.
3. Diodos semiconductores
Característica iD-vD y símbolo del diodo

iD

Región
directa
Ánodo
-VZ IS
+
0 VD vD iD vD
−
Región
Región de inversa Cátodo
ruptura
3. Diodos semiconductores
Comparación de las curvas del Si y el Ge

iD Ge Si

Tmax Si = 200°C
VDf Si = 0.7 V
IS Si = 0.01mA
VZ VZ IS IS
TPImax Si = 1000V
0 VDf vD
VDf
Tmax Ge = 100°C
VDf Ge = 0.2 V
IS Ge = 0.04 mA
TPImax Ge = 400V
3. Diodos semiconductores
Efecto de la temperatura
T3 T2 T1
Si VDf disminuye con la iD
temperatura, el coeficiente
de temperatura es negativo
IS Aumenta con la
temperatura, si:
T1 < T2 < T3 0 vD
VDf1 > VDf2 > VDf3
IS1 < IS2 < IS3
VZ1 < VZ2 < VZ3
VZ < 5V ⇒ CT (-)
VZ > 5V ⇒ CT (+)
3. Diodos semiconductores
Ejemplo 3.4.
En el circuito de la figura se requiere conocer los valores
de la tensión y la corriente en el diodo, para el cual IS
=10-13 A y n = 1.

iD
(A)
+ vD −
VDD
R
VDD iD R
IDQ
5V 1 kΩ

0 VDQ VDD vD
V
3. Diodos semiconductores
Modelos eléctricos equivalentes del diodo
Un modelo equivalente es una combinación de
elementos que se eligen para representar, lo mejor
posible, las características terminales reales de un
dispositivo, sistema o similar en una región de operación
en particular.
• Ideal
Modelo lineal • Fuente de tensión constante
de segmentos • Fuente de tensión constante
y resistencia en serie
3. Diodos semiconductores
Modelo ideal.

iD

+ + +
Región de Pol. iD vD iD vD iD vD
directa − − −

0 vD vD < 0 vD > 0
Región de Pol.
inversa
3. Diodos semiconductores
Ejemplo 3.5.
En el circuito de la figura, usando el modelo ideal se
requiere conocer los valores de la tensión y la corriente
en el resistor R. i D
(A)
+ vD − + vD − VDD
R
VDD + R VDD + R
iD iD
5V vR 1 kΩ 5V vR 1 kΩ
− −
0 vD
VDD
(V)
3. Diodos semiconductores
Modelo de tensión constante
iD
Región de Pol.
Directa +
Diodo ideal

iD vD
VD 0
−

0 VD 0 vD
3. Diodos semiconductores
Ejemplo 3.6.
En el circuito de la figura, usando el modelo de tensión
constante se requiere conocer los valores de la tensión y
la corriente en el resistor R.
iD
+ vD − VD 0 A
VDD
VDD + R VDD + R
iD iD vR R
5V vR 1 kΩ
− −
0 0.7 VDD vD
V
3. Diodos semiconductores
Modelo de fuente de tensión en serie con un resistor
iD

ID 2 iD +
Diodo ideal
1/rD
VD 0
vD
ID 1 rD
0 VD 2 vD −
VD 0 VD 1

VD 2 − VD1
rD = VD 0 = VD1 + rDID1
I D 2 − I D1
 3. Diodos semiconductores
Ejemplo 3.7.
En el circuito de la figura 1.23, usando el modelo de
fuente de tensión en serie con un resistor se requiere
conocer los valores de la tensión y la corriente en el
diodo. Para el modelo VD 0 = 0.6 V y rD = 0.7 Ω.
iD
(A)
+ vD − VD 0
rD VDD
R
VDD + R VDD +
iD IDQ Q
5V vR iD vR R
1 kΩ
− −

0 0.7 V vD
VDD
DQ (V)
3. Diodos semiconductores
Modelo del diodo en inverso
-VZ 0 iD iD +
0
vD VZ 0
vD

Región de Diodo
Pol. Inversa ideal −
+
iD vD
iD iD +
-VZ 0 0
− vD
rZ
vD
VZ 0
1/rZ Región de
Diodo
Pol. Indirecta
ideal −
3. Diodos semiconductores
Ejemplo 3.8.
En el circuito de la figura, usando el modelo de fuente de
tensión en serie con un resistor se requiere conocer los
valores de la tensión y la corriente en el diodo. Para el
modelo VZ 0 = 10 V y rZ = 10 Ω.

R R
2.2 kΩ
VDD
+ VZ 0
VDD iZ vZ
20 V rZ
−
3. Diodos semiconductores
3.3. Premisas para el análisis de circuitos con diodo
Formas básicas de operar circuitos con diodos:
Con corriente constante
Con corriente variable con el tiempo
Con corrientes constante y variable con el tiempo
superpuestas
3. Diodos semiconductores
Aprovechando el principio de superposición, la técnica de
análisis de circuitos electrónicos se divide en dos:
Análisis en CD → Definición punto de operación
Análisis en CA → Respuesta en frecuencia o
tiempo, ganancia