Está en la página 1de 76

Revisión técnica, modelación y simulación de

Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

 Dispositivos semiconductores de potencia utilizados en Sistemas


VSC HVDC

1 Introducción

A partir de la década de 1950, las aplicaciones de transmisión y


distribución (Transmission and Distribution – T&D) comenzaron a
estar relacionadas con la electrónica de potencia, a través de los
conversores de arco de mercurio para los primeros sistemas HVDC
construidos alrededor del mundo, y años más tarde (1970)
pudieron incorporar los semiconductores de potencia propiamente
dichos, también a la transmisión HVDC, con los tiristores
convencionales. Los semiconductores de potencia comenzaron a
utilizarse en otras aplicaciones de T&D, como los Compensadores
Estáticos de Reactivos (Static Var Compensators - SVC), los cuales
virtualmente reemplazaron a los condensadores sincrónicos, y
posteriormente los sistemas controladores flexibles de transmisión
de corriente alterna (Flexible Alternating Current Transmission
Systems – FACTS). Poco después de la introducción de estas
aplicaciones en sistemas de potencia eléctrica (Electric Power
Systems – EPS), los semiconductores de potencia se han ganado
el reconocimiento de los ingenieros relacionados con este campo
ya que trae beneficios especialmente en el control eficiente de la
potencia activa y reactiva.

La incursión de la electrónica de potencia en las aplicaciones de


T&D no fue un evento accidental; los EPS basados completamente
en sistemas electromecánicos mostraron rápidamente tener
ciertas limitaciones inherentes, y con el impulso que recibió la
demanda de potencia eléctrica después de la Segunda Guerra
Mundial, había que pensar en solucionar esas limitaciones para
primordialmente, transmitir mayores volúmenes de potencia a
mayores distancias, pero también con el propósito de estabilizar,
proteger, filtrar y controlar el flujo de potencia, para garantizar

1
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

confiabilidad en la distribución de potencia. La respuesta vino con


el apoyo de los sistemas electrónicos de potencia (Power
Electronic Systems – PES) a los sistemas electromecánicos
convencionales. Esa tendencia tomaría fuerza en la última década
con la aparición de fallas generalizadas en el suministro de
potencia eléctrica en naciones industrializadas, como los Estados
Unidos, Canadá, el Reino Unido, Dinamarca e Italia.

Los fenómenos paralelos que han reforzado la necesidad de


nuevas tecnologías en las aplicaciones de T&D han sido:

1. La desregulación del mercado eléctrico, la cual ha obligado a


las empresas de servicios públicos a reestructurarse,
basadas en principios de costo - beneficio económico en
lugar de costo - beneficio social. Un efecto colateral es la
entrada de generadores, transmisores y distribuidores
independientes en los mercados eléctricos, lo cual tiende a
eliminar los monopolios y a invertir en mayor proporción en
nuevas tecnologías eficientes técnica y económicamente.
2. Nuevas regulaciones técnicas en relación a la eficiencia de
los sistemas, y en términos ambientales.
3. Creciente preocupación y resistencia social respecto a los
proyectos eléctricos de gran infraestructura, tanto a nivel de
generación como de transmisión, que generen impactos
negativos en lo social y ambiental, como las grandes
centrales hidroeléctricas o excesivas líneas de transmisión
aéreas. La presión pública lleva a la necesidad de
incrementar la utilización de la capacidad de generación,
transmisión y distribución existente, y a recurrir a
tecnologías ambientalmente aceptables de generar,
transmitir y distribuir la potencia eléctrica.

Uno de los principales efectos de la necesidad de introducir mayor


confiabilidad, capacidad de control, volumen de potencia y ser

2
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

coherente con los tres parámetros anteriores, son los grandes


esfuerzos que se realizan en la investigación y desarrollo
(Research and Development – R&D) de semiconductores para alta
potencia, los cuales han estado otorgando beneficios a los
sistemas de T&D desde su incursión en el año de 1970.

En los últimos años ha habido un fuerte impulso hacia la utilización


de dos dispositivos en particular en las aplicaciones de T&D, los
cuales son los Tiristores de Corte por Compuerta (Gate Turn-Off
Tiristor - GTO) y los Transistores Bipolares de Compuerta Aislada
(Insulated Gate Bipolar Transistor - IGBT), los cuales, entre
diferentes modificaciones y denominaciones, son conocidos como
Dispositivos de Activación de Corte (Turn-Off Devices – TOD), los
cuales conforman los Conversores Alimentados por Tensión
(Voltage Sourced Converters – VSC), y constituyen la esencia
misma de los sistemas VSC HVDC. En este capítulo pretende
tratarse estos dispositivos, además de los diodos de alta potencia,
ya que aunque su principio operativo es relativamente común,
también hace parte de los sistemas VSC.

2 Generalidades de los dispositivos semiconductores de


alta potencia

Los dispositivos semiconductores de alta potencia, al igual que los


del mundo de la baja potencia, están basados en materiales o
elementos semiconductores como el silicio (Si) o el carburo de
silicio (SiC), los cuales se disponen en forma de obleas para
configurar los dispositivos según se requiera. Los materiales puros
o en bruto se tratan con tecnología avanzada para que adquieran
las características deseadas por el fabricante, para que modifiquen
sus propiedades de conducción de corriente, rigidez dieléctrica,
eficiencia térmica, robustez mecánica, etc.; los dispositivos como
unidades individuales tienen varias capas semiconductoras, con
diferente tamaño y características conductivas y dieléctricas según

3
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

su dopaje, configuradas para que el dispositivo funcione de una


forma predeterminada. Hablando en particular, los dispositivos
semiconductores de alta potencia son esencialmente interruptores
de alta velocidad basados en silicio monocristalino de alta pureza,
algunos de los cuales tienen la capacidad de activar la conducción
de corriente y de activar el corte de corriente cuando reciben
señales de mando externo por su terminal de compuerta. En
algunos casos los dispositivos se diseñan para que tengan
capacidad de bloqueo de voltaje inverso, para lo cual se disponen
de dispositivos con esta capacidad (diodos) en serie o en
derivación (bypass).

En la actualidad, los valores nominales de los dispositivos


semiconductores orientados a aplicaciones de T&D alcanzan
niveles muy altos, los cuales van desde 1 hasta 5 kA en estado de
conducción y de 5 a 10 kV en estado de corte, pero no alcanzando
los máximos niveles de manera simultánea, es decir, debe existir
compensación entre la capacidad de transporte de corriente y la
capacidad de tensión no disruptiva del dispositivo según la
voluntad del fabricante, como por ejemplo la de producir un
dispositivo de 2 kA y 8kV o uno de 4 kA y 5 kV; esta
compensación se relaciona directamente con el dopaje al que se
someta el material semiconductor. Además de la compensación,
en la práctica sólo existe un margen de utilización de estas
capacidades que oscila entre el 25 y el 50% por razones de
seguridad y disminución de pérdidas.

Dado que un solo dispositivo no tiene la capacidad de voltaje no


disruptivo nominal (y quizá de corriente) de este tipo de sistemas,
los cuales alcanzan algunos cientos de kilovoltios, es necesario
conectar decenas o cientos de dispositivos en serie (configuración
back-to-back) y algunas veces en paralelo por capacidad de
corriente, cada uno con su respectivo circuito amortiguador
(circuito de seguridad o circuito snubber) con el propósito de
evitar activación de conducción por altos dv/dt y también para
mantener una distribución homogénea de tensión a lo largo de

4
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

todos los dispositivos. De la misma forma, cada dispositivo debe


tener asociado un circuito controlador de activación de conducción
y corte, si dispone de estas funciones. Un arreglo de decenas de
dispositivos semiconductores conectados de una manera específica
y con sus respectivos circuitos amortiguadores y controladores se
denomina válvula, y a su vez un arreglo de válvulas constituye un
módulo conversor.

Figura 34. Dispositivo semiconductor general y sus circuitos


complementarios.

Estas características de conexión traen la posibilidad o incluso la


necesidad de que haya modularidad o estandarización de módulos
y submódulos en los dispositivos semiconductores, y a su vez esto
permite reducir los costos y posiblemente brindar al usuario de los
dispositivos mayor confiabilidad, redundancia y la oportunidad de
crear su sistema por etapas.

5
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

6
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 35. Arreglo general de una válvula conversora.

7
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

8
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 36. Configuración de un conversor a partir de un arreglo de


válvulas conversoras.

Los niveles nominales y las características de los dispositivos


semiconductores y su factor de utilización tienen una influencia
determinante en el costo, tanto de los propios dispositivos como
de todo lo que los rodea, como los circuitos amortiguadores,
circuitos controladores, transformadores y demás equipos
magnéticos, filtros y equipos de refrigeración, como también en el
desempeño operativo, requerimientos de mantenimiento, tamaño,
peso y pérdidas de las aplicaciones de T&D. Por ejemplo, una
rápida capacidad de conmutación implica menores componentes
amortiguadores, menores pérdidas por componentes
amortiguadores y adaptación de conceptos que producen menos
armónicos y una respuesta más rápida de los sistemas.

Los sistemas electrónicos de potencia a nivel industrial tienen


muchos conceptos que son interesantes tanto desde el punto de
vista técnico como económico para los diseñadores de aplicaciones
de T&D, entre los cuales se pueden contar el de conmutación
suave (soft switching), conversores resonantes, troceadotes
(choppers), y fundamentalmente, para sistemas VSC HVDC, el
concepto de Modulación de Ancho de Pulso (Pulse Wide Modulation
- PWM), pero la aplicación satisfactoria de estos conceptos al
mundo de la alta potencia depende fundamentalmente de las
características de los dispositivos semiconductores de alta
potencia. Esto es muy importante, tanto para los diseñadores de
aplicaciones de T&D como para los fabricantes de dispositivos
semiconductores, ya que en ambas partes se trata de disponer de
los mejores dispositivos al menor costo y con el mejor rendimiento
posible. En el campo de la alta potencia es común que los
diseñadores negocien directamente con los fabricantes las
características de los dispositivos y no asumirlas con base en
catálogos como se realiza a nivel industrial, lo cual es beneficioso
en la medida que ambas partes estén al tanto del estado actual de

9
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

la tecnología en alta potencia, de las propiedades de los proyectos


de la misma clase que se diseñan e instalan en el mundo entero,
de las aplicaciones industriales y a nivel de T&D y de las
tendencias futuras que demuestre el campo de aplicación.

Básicamente, los dispositivos semiconductores de potencia


consisten de una gran variedad de diodos, transistores y tiristores.
En sistemas VSC HVDC son especialmente importantes los
transistores y los tiristores con capacidad corte, pero también es
importante tratar los diodos ya que hacen parte de los sistemas y
su principio de funcionamiento hace que sea más fácil entender el
de los TOD.

2.1 Principales familias de dispositivos semiconductores


2.1.1 Diodos

Los diodos son una familia de dispositivos semiconductores de dos


capas, con dos terminales conectados a cada capa (ánodo y
cátodo), sin capacidad de control por compuerta. Los diodos
conducen corriente en sentido directo, de ánodo a cátodo, cuando
el primero es positivo respecto al segundo (polarización directa);
cuando el cátodo es positivo respecto al ánodo el dispositivo entra
en estado de corte o de bloqueo de conducción (polarización
inversa). Se dice entonces que el diodo es un dispositivo de
conducción unidireccional. El diodo es un componente clave de las
configuraciones VSC.

2.1.2 Transistores

Los transitores constituyen una familia de dispositivos


semiconductores de tres capas, cuyos terminales son nombrados
dependiendo del tipo de transistor, en general base, colector y

10
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

emisor. El transistor entra en conducción cuando un terminal


(generalmente el colector) es positivo respecto a otro terminal
(generalmente el emisor) y se aplica un nivel de voltaje o
corriente determinado en el terminal restante (generalmente la
base); cuando el dispositivo entra en conducción y la corriente o el
voltaje del terminal de control disminuye por debajo del necesario,
el dispositivo se mantendrá en conducción mientras entre los otros
dos terminales exista suficiente voltaje. Los transistores son
ampliamente utilizados en aplicaciones de baja y media potencia,
y en el campo de la alta potencia, desde hace unos años se viene
empleando con creciente popularidad el Transistor Bipolar de
Compuerta Aislada (Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT), el
cual ha migrado desde la baja potencia hacia mayores potencias,
hasta aplicaciones de algunos o cientos de megavatios; este
transistor es un componente fundamental de los sistemas VSC
HVDC comerciales. Otro transistor importante por sus funciones de
control es el Transistor de Efecto de Campo MOS (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor - MOSFET), ya que aunque
su capacidad nominal sólo corresponde a bajas potencias, tiene
alta velocidad de activación de conducción y corte y es
comúnmente utilizado en circuitos controladores de compuerta de
dispositivos de alta potencia.

2.1.3 Tiristores

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de


cuatro capas, con número variable de electrodos, tres o cuatro
dependiendo del dispositivo. Los electrodos a través de los cuales
se transporta la corriente nominal se denominan ánodo y cátodo,
como en los diodos, y los electrodos adicionales son los de
activación de conducción y corte (compuerta); el dispositivo entra
en conducción en sentido directo cuando el ánodo es positivo
respecto al cátodo y se aplica un pulso de corriente de compuerta.
La conducción sostenida es muy importante para disminuir las

11
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

pérdidas en estado de conducción. En algunos tiristores no se


tiene capacidad de activación de corte por mando sino que se
relega la función de corte a la topología misma del circuito en el
que está incorporado el dispositivo (la corriente es traída a cero
por el mismo circuito). Estos tiristores se denominan dispositivos
conmutados por línea, mientras que los que tienen la capacidad de
ser activados para corte pertenecen a la familia de los TOD, y
también se denominan dispositivos auto-conmutados. Los
tiristores también pueden ser dispositivos simétricos o asimétricos
dependiendo de si pueden activar corte tanto en sentido directo
como en sentido inverso o si sólo pueden hacer esto en sentido
directo, respectivamente. Los tiristores son los principales
componentes semiconductores de los sistemas HVDC
convencionales y en sistemas VSC HVDC no son muy empleados
debido a sus altas pérdidas y baja velocidad de conmutación, si
bien una evolución del Tiristor de Apagado por Compuerta (Gate
Turn-Off Thyristor – GTO), el Tiristor Integrado Conmutado por
Compuerta (Integrated Gate-Commutated Tiristor), el cual es
básicamente un GTO con un diodo antiparalelo integrados en un
solo dispositivo, promete superar las limitaciones técnicas de los
tiristores en sistemas VSC HVDC.

Si se comparan directamente los tiristores y los transistores de


alta potencia, se tiene que sus ventajas son complementarias, lo
que insinúa cierta necesidad de integración de estos dos
dispositivos en este campo. Los tiristores tienen menores pérdidas
en estado de conducción que los transistores y pueden manipular
mayores volúmenes de potencia, pero los transistores tienen
mayor velocidad de conmutación y menores pérdidas en activación
de conducción y corte.

Tipos de dispositivos tiristores de alta potencia. Los


inventores del primer tiristor, con capacidad de activación de
conducción pero no de corte, fue denominado por los inventores
como «Rectificador Controlado de Silicio» (Silicon Controlled
Rectifier - SCR), pero comenzó a ser denominado por otros como

12
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

«tiristor». Con la aparición del dispositivo de cuatro capas con la


capacidad de no sólo activar conducción sino también corte,
denominado Tiristor de Corte por Compuerta, el SCR pasó a ser
tratado comúnmente como tiristor convencional, y a medida que
aparecen nuevos dispositivos con estas características se los
asocia a la familia de los tiristores.

Los tiristores entran en conducción cuando se aplica un pulso de


corriente con una magnitud y duración determinada entre el
electrodo de compuerta y el de cátodo, y existe un voltaje positivo
del ánodo respecto al cátodo; cuando sucede esto rápidamente
disminuye la tensión entre ánodo y cátodo hasta entre 1.5 y 3 V
(caída de voltaje del dispositivo en conducción) y la corriente
aumenta. Ya sea por conmutación de línea o por autoconmutación,
cuando el tiristor entra en estado de corte empieza rápidamente a
bloquear voltaje en sentido directo o inverso hasta que las
condiciones sean nuevamente propicias para entrar en conducción.

Los tiristores convencionales son ampliamente utilizados a nivel


mundial, especialmente en aplicaciones industriales y en
aplicaciones de T&D, ya que son de bajo costo, rígidos
mecánicamente, con altas capacidades de manipulación de voltaje
y corriente y tienen alta eficiencia en aplicaciones donde no se
requiere capacidad de activación de corte por mando externo. La
capacidad de activación de corte en muchos casos no ofrece
ventajas técnicas o económicas atractivas, y por esto el tiristor
convencional ha sido y es considerado el pilar de las aplicaciones
de electrónica de potencia.

Hay algunas versiones del tiristor con capacidad de corte, como el


Tiristor de Corte MOS (MOS Turn-Off Thyristor – MTO), el Tiristor
de Corte por Emisor (Emitter Turn-Off Thyristor – ETO), el Tiristor
–Integrado- de Compuerta Conmutada (-Integrated- Gate-
Commutated Thyristor – GCT e IGCT) y el Tiristor Controlado por
MOS (MOS-Controlled Thyristor – MCT), pero el más importante
para aplicaciones generales y el más relevante para los sistemas

13
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

VSC HVDC es el Tiristor Corte por Compuerta (Gate Turn-Off


Thyristor - GTO), el cual se tratará posteriormente.

Figura 37. Principales dispositivos semiconductores.

14
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

2.2 Principales características y requerimientos de los


dispositivos de alta potencia
2.2.1 Niveles nominales de voltaje y corriente

El diámetro de las obleas semiconductoras de las que están


hechas los dispositivos de potencia está entre 75 y 125 mm, con la
tendencia hacia incrementarse, aunque existe también la
tendencia de fabricar los dispositivos con encapsulados modulares
basados en secciones de chips con geometría rectangular, de los
cuales se tratará posteriormente. Para un dispositivo que tenga un
diámetro determinado, hasta cierto punto se puede aumentar la
capacidad de corriente disminuyendo la de soporte de voltaje y
viceversa. El silicio monocristalino en su estado puro tiene una
capacidad de voltaje no disruptivo muy alta, la cual alcanza los
200 kV/cm, y su resistividad es la propia de un semiconductor, la
cual está entre la de los conductores y los aisladores. La
característica de conducción de un semiconductor se puede
modificar por medio del proceso de dopaje, en el cual se configura
el material para tener mayor capacidad de flujo de corriente pero
con menor capacidad de bloqueo de tensión, o con mayor
capacidad de bloqueo de tensión pero mayores caídas de tensión
en estado de conducción y menor capacidad de corriente.

Entre más altos sean los niveles nominales de corriente y voltaje


de los dispositivos semiconductores, el número que se requiere
para las aplicaciones disminuye y a su vez los costos tienden a
bajar por los circuitos auxiliares que no se requieren. Los niveles
nominales de tensión «ideales» en los dispositivos
semiconductores de sistemas VSC HVDC están en el rango de 3 a
5 kV para IGBT y de 5 a 8 kV para los GTO. Como se mencionó
anteriormente, la capacidad utilizable de bloqueo de voltaje en
estos dispositivos es inferior a la mitad de su capacidad nominal, y
se requiere conectar en serie decenas o algunos cientos de
dispositivos en serie para configurar las válvulas de alta tensión;
de igual manera, en el proceso de diseño se tiene que garantizar
que existe una distribución equitativa de tensión en estado de

15
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

corte, conducción y cambios dinámicos para todos los dispositivos


semiconductores. La mejor manera de asegurar esto es con
dispositivos de idénticas características operativas.

No es poco común encontrar configuraciones en las cuales se


dispone de varios dispositivos semiconductores en paralelo con el
propósito de manipular grandes volúmenes de corriente; sin
embargo la corriente para la que diseñan estas configuraciones no
es la de carga, sino la de corto-circuito, en cuyo caso se debe
ponderar todos los estados posibles de falla para emplear
adecuadamente los dispositivos semiconductores como
instrumentos de protección de alta velocidad en vista de la
inconveniencia de utilizar fusibles en aplicaciones de T&D. Los
tiristores tienen alta capacidad de manipulación de corriente y
funcionan muy bien con altas corrientes de falla con duración de
unos pocos ciclos y corrientes de falla moderadas por cortos
períodos de tiempo, sin embargo tanto los tiristores como los
diodos tienen cierta incapacidad de detectar estados de falla
cuando existen pequeñas caídas de tensión.

Por motivaciones técnico-económicas, la mayoría de los TOD se


diseñan sin la capacidad de bloquear tensiones inversas, en cuyo
caso se denominan dispositivos asimétricos; sin esta capacidad los
dispositivos pueden ser más pequeños, y presentar menores
pérdidas en estado de conducción y conmutación. En las
configuraciones VSC, se requieren entonces dispositivos con esta
capacidad (diodos) en paralelo inverso con una corriente de
dispersión (fuga) lo más baja posible debido a que esto tiene un
impacto directo en los dispositivos semiconductores principales.

2.2.2 Pérdidas y velocidad de conmutación

Otras características importantes en los dispositivos


semiconductores son:

16
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

 Pérdidas en estado de conducción. Estas pérdidas están


asociadas con la caída de voltaje a través del dispositivo
cuando circula la corriente de carga. Este voltaje es el
responsable de pérdidas de potencia y calentamiento de los
dispositivos, para lo cual debe disponerse de sistemas de
refrigeración eficientes.

 Velocidad de conmutación. La velocidad de conmutación se


relaciona con la tasa de cambio del voltaje (dv/dt) y de la
corriente (di/dt) en el dispositivo en los estados de
activación de conducción y corte, bien sea por mando
externo o por las características del circuito. Se entiende que
el dv/dt se cuantifica cuando el dispositivo pasa de estado
de conducción total a no conducción total (activación de
conducción), y que el di/dt se determina cuando el
dispositivo pasa de estado de no conducción total a estado
de conducción total; estos parámetros son muy importantes
para diseñar los sistemas, ya que se relacionan directamente
con los circuitos amortiguadores, su costo y pérdidas, como
también con la facilidad de conexión serie de los propios
dispositivos y el margen de utilización que se puede tener
sobre los valores nominales de los mismos.

 Pérdidas de conmutación. Las pérdidas de conmutación se


dan cuando existe activación de conducción y activación de
corte, ya que mientras la corriente aumenta, el voltaje
disminuye de manera no instantánea y viceversa. Esta
existencia simultánea de determinado nivel de voltaje y
corriente implica existencia de potencia disipada en el
dispositivo o pérdidas, las cuales generalmente superan las
pérdidas en conducción. Las pérdidas de conmutación y de
conducción también se pueden compensar entre sí, como las

17
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

capacidades de voltaje y corriente, y depende del fabricante


y del diseñador de la aplicación encontrar la proporción
óptima. En los conversores que emplean el concepto de
PWM, entre los cuales están los de los sistemas VSC HVDC,
la gran cantidad de maniobras de conmutación puede
representar en pérdidas un volumen predominante dentro de
las pérdidas totales.

 Requerimientos de potencia y energía para el controlador de


compuerta. Para los sistemas VSC HVDC son determinantes
los requerimientos de los controladores de los dispositivos
semiconductores, ya que esto determina claramente el
dispositivo elegido para esta aplicación. Ciertos dispositivos,
como por ejemplo los GTO, requieren pulsos de corriente de
alta magnitud y duración para activar conducción pero
especialmente para activar corte, lo cual aumenta no sólo
las pérdidas totales del sistema, sino los costos de los
circuitos controladores. Si no se tiene esto en cuenta, las
pérdidas en los controladores pueden ser incluso mayores
que las de los dispositivos mismos, además a medida que se
incrementa la potencia necesaria para el circuito controlador,
aumenta el tamaño de estos circuitos y se refuerzan los
efectos capacitivos e inductivos parásitos, que tiene
repercusiones en los niveles de aislamiento, velocidad de
conmutación, y pérdidas en circuitos amortiguadores. La
tendencia hacia el futuro inmediato es integrar el controlador
con el mismo dispositivo para minimizar las pérdidas y los
efectos perjudiciales para el sistema.

Las pérdidas son muy representativas en una aplicación de T&D


porque:

1. Las pérdidas totales determinan el nivel de ganancias que


tiene el inversionista en el proyecto y en algunos casos se

18
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

trasladan de manera directa a los clientes (donde la


legislación lo permite), o dicho de otra forma, los vatios de
pérdidas se trasladan instantáneamente a unidades
monetarias. Las empresas de servicios públicos,
gubernamentales o independientes, y los inversionistas
industriales evalúan de manera cuidadosa las pérdidas con
base en la vida útil de los proyectos y los valores presentes,
los cuales varían de mercado a mercado. Para ilustrar este
concepto, se supone que una aplicación T&D le cuesta al
inversionista 200 USD por cada kilovatio nominal
transferido, y las pérdidas totales de su proyecto equivalen
al 2% de la capacidad nominal del sistema; si el
inversionista o el mercado determinan que el kilovatio puede
venderse a 2.000 USD, las pérdidas totales equivaldrán a 40
USD por kilovatio, que miradas desde el punto de vista de la
inversión inicial, equivalen al 40% del costo del proyecto. La
eficiencia mínima que debe tener una aplicación de T&D
debe ser del 98%, y los PES incluidos en ellos deben tener
por lo menos el 99%, con el propósito de que sea
económicamente atractiva tal aplicación.

2. La potencia disipada por los dispositivos se materializa en


calentamiento, y para evitar esfuerzos térmicos que afecten
las estructuras mecánicas de los equipos, debe ser removida
con rapidez y eficiencia. El calentamiento se genera en el
interior de las obleas semiconductoras y deben fluir a través
de la misma, del recipiente en el cual están contenidas, de
los aislamientos y drenarse a través de los sistemas de
refrigeración. El diseño de estos sistemas es altamente
complejo, y tiene como principio fundamental evitar que las
obleas se calienten más allá de 100ºC, para que funcionen
en un nivel de operación segura, con características de
conmutación adecuadas y que exista un margen térmico
para operación en estados de falla y sobrecarga. Del mismo

19
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

modo, las técnicas de refrigeración empleadas redundan en


los costos totales del proyecto.

2.2.3 Parámetros de diseño en los dispositivos

Para el fabricante de dispositivos semiconductores resulta


necesario diseñar dispositivos con diferentes características y
ejercer sobre ellos un estricto proceso de control de calidad, en el
que para alta potencia generalmente se incluye la prueba
individual de cada dispositivo para guardar registros de operación
de cada uno de ellos. El costo del dispositivo también está
asociado con la eficiencia y el rendimiento del proceso de
producción y control de calidad requerido para su fabricación.

Aparte de la compensación entre capacidad de corriente y voltaje,


otros parámetros de diseño incluyen:

 Requerimientos de potencia para la compuerta.


 Capacidad di/dt.
 Capacidad dv/dt.
 Tiempo de activación de conducción y tiempo de activación
de corte.
 Capacidad de activación de conducción y corte, también
llamada Área de Operación Segura (Safe Operation Area –
SOA).
 Uniformidad de características en el dispositivo.
 Calidad de las obleas de silicio no procesadas.
 Clase de ambiente aséptico para la manufactura de
dispositivos, etc.

Para los fabricantes es muy importante tener muy bien


identificado el mercado para sus dispositivos, ya que con base en

20
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

las necesidades de cada aplicación se diseña cada dispositivo,


haciendo la mejor combinación posible de las anteriores y otras
características. Es común que para grandes clientes y proyectos
individuales se diseñen y fabriquen los dispositivos sobre
especificaciones técnicas precisas.

Además de esto, las características mencionadas anteriormente


más otras como el tamaño, costo y pérdidas de los circuitos
amortiguadores y especialmente el desempeño total que están
asociados a los propios dispositivos semiconductores, dependen en
gran medida del grado de integración y uniformidad que se tenga
entre los circuitos controladores, amortiguadores y dispositivos
semiconductores, y por esta razón existe la gran tendencia de
presentar al mercado estos sistemas integrados, en la que
también influye el diseño de las conexiones que se realizan entre
dispositivos, válvulas y conversores con el sistema completo.
Además de las ventajas que presenta a nivel local este tipo de
integración, tiene un impacto significativo en todo el proyecto.

A nivel industrial existe la práctica de integrar diferentes


dispositivos que representan un circuito completo o una parte de
él en una sola caja, como los interruptores de caja moldeada, lo
cual reduce los costos significativamente pero no en todos los
casos satisface la necesidad de integrar los semiconductores
mismos con sus controladores y circuitos auxiliares. Con este
objetivo la Oficina de Investigación Naval de los Estados Unidos
(U.S. Office of Naval Research – ONR) emprendió un programa de
electrónica de potencia llamado Bloque de Montaje de Electrónica
de Potencia (Power Electronics Building Block – PEBB), que incluye
la integración del dispositivo semiconductor, su controlador, su
recinto y su interfaz (terminales), para aumentar la eficiencia,
modularidad y de paso reducir los costos asociados y el tamaño y
peso de los equipos; este programa ha demostrado ser eficaz, ya
que sus resultados se traducen en beneficios técnicos y
económicos. Los equipos que se diseñan, construyen y ofrecen el

21
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

mercado con estas características pueden no especificar que se


basan en este concepto, pero todos están asociados con él.

2.3 Material de los dispositivos de potencia

Tradicionalmente los dispositivos semiconductores de potencia


están basados en silicio monocristalino de alta pureza. Para su
fabricación debe de disponerse de silicio no procesado,
denominado «Cristal germen», el cual se procesa a través de un
horno de «Zona Flotante» para formar cilindros monocristalinos de
varios metros de longitud, con diámetros de hasta 150 mm. Los
cilindros son laminados en obleas, las cuales son procesadas para
que adquieran diferentes propiedades en complejos
procedimientos.

La red cristalina pura contiene átomos de silicio, los cuales tienen


enlaces de cuatro electrones por átomo; en estado puro, tiene alta
resistividad y rigidez dieléctrica (sobre 200 kV/cm), las cuales
pueden ser modificadas a través de la implantación de impurezas
específicas (dopaje). Con procesos de alta tecnología como la
fotolitografía, cortado por láser, grabado o ataque químico
(etching), y modernas técnicas de aislamiento, y empaque o
envasado, se puede cambiar los niveles, formas y tipos de
impurezas implantadas en las estructuras cristalinas para la
fabricación de buenos dispositivos semiconductores.

22
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 38. Estructura de un horno de «Zona Flotante», tomado de


http://www.sumcosi.com/english/laboratory/laboratory1.html.

Figura 39. Cilindros de silicio monocristalino (izquierda), tomado de


http://www.sumcosi.com/english/products/products2.html, cilindro de

23
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

silicio monocristalino cortado en obleas delgadas (derecha), tomado


de http://svmi.best.vwh.net/.

Para el proceso de dopaje existen dos tipos de impurezas que se


implantan en las redes cristalinas de silicio, las donantes y las
receptoras; los elementos más aptos para servir en este propósito
son el fósforo y el boro, respectivamente. El fósforo es un donante
ya que dispone de un electrón extra respecto a los átomos de
silicio, mientras que el boro es un receptor ya que tiene un
electrón menos. Cuando un átomo de estos se implanta en una
red cristalina, se implanta también un electrón más o un electrón
faltante (hueco), que con la aplicación de un pequeño campo
eléctrico externo puede generar fácilmente el movimiento del
electrón extra o de un electrón de un átomo de silicio al hueco del
átomo de boro, lo cual genera a su vez el movimiento de otros
electrones debido al desplazamiento de electrones y de huecos,
que no es otra cosa diferente al proceso mismo de conducción
eléctrica. El dopaje por átomos de fósforo es conocido como
«dopaje n» debido a la implantación de cargas negativas extra,
mientras que el dopaje por boro es conocido como «dopaje p», por
la adición de cargas positivas; el nivel de dopaje también puede
ser descrito por medio de los superíndices + y -, que indican
dopaje ligero (n-, p-) o dopaje fuerte (n+, p+).

24
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 40. Gráfico conceptual de materiales semiconductores.

En el gráfico anterior se muestra que en los materiales tipo n


existen electrones disponibles, y son llamados portadores
mayoritarios, mientras los huecos son los minoritarios y en los tipo
p existen huecos libres, llamados portadores mayoritarios,
mientras los electrones son los portadores minoritarios asociados
al proceso de conducción cuando se aplica un campo eléctrico
externo.

Además de los portadores mayoritarios y minoritarios, existen los


portadores intrínsecos, los cuales son introducidos en los
materiales por efecto térmico; estos portadores generan una carga
neta nula, es decir, aparecen en igual proporción huecos y
electrones, y se recombinan continuamente. La densidad que
alcanzan estos portadores va desde 1010 hasta 1013/cm3 para una
temperatura que va desde 0ºC hasta 100ºC. En los materiales
ligeramente dopados (donde existe menor proporción de
portadores libres), los portadores intrínsecos son significativos en
el proceso de conducción, y más aún debido al efecto de

25
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

calentamiento generado por la transferencia de grandes


volúmenes de corriente. Si, por ejemplo, se dopa un material en
un reactor de neutrones con una concentración uniforme de
5x1012/cm3, es directamente comparable con la proporción de
portadores intrínsecos que generan conducción.

Los materiales semiconductores se tratan en procesos sumamente


complejos para que tengan múltiples perfiles de dopaje en capas,
canales entre capas y diversas configuraciones dependiendo de la
clase de dispositivo que pretenda construir el fabricante.

Carburo de silicio. Aunque los semiconductores de potencia


basados en silicio continuarán mejorando en su comportamiento,
se vislumbran ciertas limitaciones fundamentales inherentes a
estos materiales. La máxima densidad de potencia manipulada
(robustez) y estabilidad térmica (pérdidas, refrigeración) son
importantes parámetros de comportamiento en los dispositivos,
que serán limitados por tales parámetros básicos del material. Los
diodos de silicio de alta potencia de la actualidad están muy cerca
de estos límites y los interruptores basados en semiconductores
están siguiendo esta tendencia. Muchos diseños de conversores
requieren algunos circuitos adicionales o son limitados en su
velocidad durante la conmutación para la protección de los
dispositivos. Esto incrementa los costos y las pérdidas de potencia.
Por otra parte, los conversores con mayores frecuencias de
conmutación son atractivos para niveles de potencia altos
(mayores de 10 MW) en aplicaciones típicas de T&D. La posibilidad
de operar el conversor a altas frecuencias con bajas pérdidas de
potencia haría posible minimizar el tamaño y el costo de los filtros
y el equipo de refrigeración.

Para satisfacer estas futuras aplicaciones, se deben idear


soluciones más allá de rediseñar las estructuras de los dispositivos
o crear nuevos controladores de compuerta. Una alternativa muy

26
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

promisoria es construir dispositivos basados en carburo de silicio


(SiC). Este material semiconductor tiene un potencial inherente de
nivel de desempeño decenas de veces más alto que el silicio,
debido a la gran energía de enlace atómica (banda vacía o
bandgap) y la gran fuerza específica del campo eléctrico.
Adicionalmente, el carburo de silicio puede ser operado a
temperaturas considerablemente mayores que las del silicio,
ofreciendo el potencial de integrar semiconductores de potencia
directamente en otro equipo eléctrico como generadores y
motores. Dispositivos optimizados para este nuevo material
ofrecerían un gran paso adelante en mejoramiento de
comportamiento cuando se compara con dispositivos basados en
silicio.

27
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 41. Comparación de las características más importantes del


silicio y del carburo de silicio para dispositivos semiconductores.

28
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 42. Cristal SiC en bruto y oblea SiC procesada de 2 pulgadas de


diámetro (izquierda), instrumentos de alta precisión para controlar los
procesos de fabricación de las obleas SiC (centro), y diodo pn SiC de 3
kV con una corriente de 5 A en conducción (derecha), tomado de
http://w4.siemens.de/FuI/en/archiv/zeitschrift/heft2_98/artikel06/.

2.4 Diodo (Juntura pn)

Los diodos son importantes para los sistemas VSC HVDC ya que:

1. Un diodo se conecta en paralelo a cada dispositivo GTO e


IGBT para constituir la configuración de conversor
alimentado por tensión (VSC) propia de sistemas VSC HVDC.

29
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

2. Los diodos se usan en circuitos controladores y


amortiguadores.

Un diodo, convencional o de alta potencia, es un dispositivo


semiconductor compuesto por dos capas, una tipo p y otra tipo n,
una sobre la otra (por tal razón se denomina también juntura pn),
y en el cual un electrodo llamado ánodo se conecta al material tipo
p y otro llamado cátodo al material tipo n; su símbolo y estructura
transversal esquemática se muestra en la figura. El material tipo p
tiene exceso de cargas positivas mientras el tipo n tiene exceso de
cargas negativas, y cuando se aplica un campo eléctrico entre los
electrodos, las cargas se comportarán de acuerdo al potencial que
adquiera una capa respecto a otra. Si el voltaje que se aplica en el
ánodo es positivo respecto al cátodo, los huecos libres de la capa p
se sentirán atraídos hacia la capa n y los electrones libres de la
capa n se verán atraídos hacia la capa p, y eventualmente el diodo
entrará en conducción si el voltaje sobrepasa un voltaje
determinado, siendo proporcional la corriente al voltaje aplicado
más no en una relación lineal. Pero si el voltaje es negativo en el
ánodo respecto al cátodo, entonces los huecos y los electrones
libres permanecerán en sus capas con tendencia a alejarse de la
juntura, sin embargo no existe conducción debido a que no fluyen
cargas a través de la juntura. El principio de funcionamiento de
este dispositivo es fundamental para comprender el de otros
dispositivos de varias capas.

30
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 43. Características del diodo.

Figura 44. Gráfico conceptual del diodo (juntura pn).

Estos electrones y huecos se pueden mover bajo dos mecanismos


físicos:

31
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

1. Por difusión, causada por diferencias en la densidad de portadores.


2. Por desplazamiento, en una dirección establecida por un voltaje externo
aplicado.

Debido a la diferencia en la densidad de portadores de una capa a


otra existe una diferencia de potencial, generalmente menor de 1
V, que se concentra principalmente en el área de la juntura, que
origina el movimiento de algunos huecos y electrones a través de
la propia juntura; este campo es positivo en el lado del cátodo y
negativo en el lado del ánodo debido a la recombinación de cargas
en esta zona, y cuando se aplica un campo eléctrico externo, este
debe superar el campo interno para establecer conducción por
desplazamiento en el dispositivo. Cuando fluye la corriente existe
una pequeña resistencia del silicio, la cual hace que a plena
corriente haya una caída de voltaje de 1.5 a 3 V.

Figura 45. Movimiento de electrones y huecos por difusión.

32
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Con un voltaje externo negativo entre ánodo y cátodo, los


electrones y los huecos se alejan de la zona de la juntura, creando
un campo eléctrico positivo en la capa n y negativo en la capa p
alrededor de la juntura, y por esta razón se bloquea el flujo de
corriente (estado de no conducción). La región de campo eléctrico
que se forma en la juntura se conoce como región de
agotamiento, y su grosor (e intensidad por unidad de volumen)
están en función del dopaje del material, a mayor dopaje menor
grosor y mayor intensidad de campo en esa zona. A medida que el
voltaje negativo del ánodo respecto al cátodo aumenta, el grosor
de la región de agotamiento se ensancha, y si el voltaje es tal que
la región llega hasta los límites de los electrodos, el diodo se
destruirá.

33
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 46. Gráfico conceptual de la región de agotamiento en los


diodos.

Durante la conducción, tanto electrones como huecos cruzan la


región de agotamiento y al cruzar la juntura se convierten en
portadores minoritarios. En este estado el dispositivo pasa a ser
de portadores minoritarios siempre y cuando los portadores
mayoritarios dominen la conducción.

En los diodos de potencia tipo n, existen dos capas tipo n con


diferente nivel de dopaje. La capa p+ junto con la capa n+, tienen
en su intermedio la capa n-, la cual se dispone de esta forma para
que contenga la mayor parte de la región de agotamiento, es
decir, para que soporte la mayor parte del voltaje externo; esta
capa también se denomina capa de desplazamiento, y en ella la
conducción se debe casi en su totalidad a portadores intrínsecos,
dado su nivel de dopaje. Estos diodos se diseñan para que la capa
n sea la más gruesa pero al ser más gruesa con menor dopaje, la
resistencia se incrementa y por consiguiente las pérdidas. La

34
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

función de las capas n+ y p+ es evitar que la región de


agotamiento alcance los electrodos, aumentando la capacidad de
voltaje inverso en estos dispositivos y aumentando la
conductividad en estas regiones para compensar la alta
resistividad de la capa n-.

En todos los dispositivos semiconductores de alta tensión se


contornean los bordes (físicamente y con el nivel de dopaje) para
evitar flameos en las fronteras del mismo. Este procedimiento es
indispensable ya que el voltaje de ruptura de la atmósfera es cerca
de una décima parte del dispositivo a través de su grosor. La
transición entre el dispositivo y la atmósfera, directamente sobre
la frontera del dispositivo es un fenómeno muy complejo y se
conoce como neutralización o pasivación. El diseño del dispositivo
incluye un empaque o envase que garantice sellado total y robusto
con suficiente nivel de aislamiento entre ánodo y cátodo y al
mismo tiempo un sistema eficiente de disipación térmica, es decir,
un reto técnico impresionante con severas demandas eléctricas,
mecánicas y térmicas.

En los diodos para alta potencia se le presta mucha atención a la


corriente inversa que fluye a través del dispositivo en la transición
entre conducción y corte, o activación de corte. Esta corriente
tiene magnitudes considerables durante los pocos microsegundos
que el diodo tarda en reponerse del voltaje inverso, recombinando
el exceso de cargas internas y restaurando la capa de
agotamiento, y su influencia es significativa en las pérdidas ya que
los dispositivos de corte (GTO – IGBT) deben conducir esta
corriente. Por este motivo, los diodos deben de tener una alta
velocidad de corte y reposición interna, con baja carga
almacenada; a medida que esto se perfecciona, existe un efecto
significativo en el costo de los conversores VSC.

35
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

En la siguiente gráfica se muestra la curva característica de un


diodo, la cual describe su comportamiento en función de la
corriente y el voltaje; cuando se aplica un voltaje mayor que VT,
en el diodo comienza a fluir una corriente mucho mayor a medida
que se incrementa el voltaje. Cuando se aplica un voltaje negativo
entre ánodo y cátodo, el diodo permite el flujo de una corriente
muy pequeña denominada corriente de dispersión (la cual, como
se mencionó, debe ser reducida al máximo para conversores VSC),
y si ese voltaje sobrepasa el voltaje de ruptura el diodo comenzará
a conducir grandes volúmenes de corriente, y si no está diseñado
para operar en esa zona, se destruirá.

36
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 19. Curva característica de un diodo típico.

2.5 Tiristor de Corte por Compuerta (GTO)

Los GTO tienen un comportamiento muy similar a los tiristores


convencionales en casi todos sus aspectos; tanto los GTO como los
tiristores convencionales son dispositivos que pueden activar y

37
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

mantener conducción (latch-on), pero a diferencia de ellos pueden


también activar y mantener corte (latch-off). En este tratado se
analizará el comportamiento del GTO en los sistemas VSC HVDC,
aunque no sea muy empleado en estos proyectos por motivos de
eficiencia; la razón para esto es que hacia el futuro es posible que
incursionen los IGCT en el mundo de la transmisión HVDC, y el
comportamiento de esos dispositivos es análogo a un GTO con un
diodo antiparalelo.

Figura 47. Características del GTO.

El circuito equivalente del GTO es igual al del tiristor convencional,


al igual que la estructura transversal, con la única diferencia de
que la capa n interior tiene diferentes perfiles de dopaje. En el
circuito equivalente se tienen dos transistores, uno pnp en la parte
inferior y un npn en la parte superior, conectados por medio de
sus bases y colectores, con el ánodo correspondiente al emisor del
transistor pnp y con el cátodo en el emisor del transistor npn; el

38
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

terminal de compuerta corresponde a la conexión base (npn) –


colector (pnp), y entre ese terminal y el cátodo se aplican pulsos
de corriente, en un sentido u otro con el propósito de activar el
dispositivo. Cuando existe una tensión positiva del ánodo respecto
al cátodo y se envía un pulso de corriente a través de la
compuerta hacia el cátodo, el transistor npn se polariza e
inmediatamente polariza al transistor pnp, lo que hace entrar al
dispositivo en conducción. Por el contrario, cuando el dispositivo
está en conducción, con tensión positiva del ánodo respecto al
cátodo, y se introduce un pulso de corriente suficientemente
grande como para retirar un número elevado de portadores de
carga del cátodo, el transistor npn se quedará sin acción
regenerativa y corta la conducción del dispositivo, retornándolo a
estado de no conducción.

Sin embargo, la demanda de corriente, potencia y energía de


activación tanto de conducción como de corte en los GTO es una
limitación determinante. Los GTO demandan mucha mayor
corriente que un tiristor convencional para activar conducción (de
10 a 20 veces más), y para activar corte se requieren corrientes
también 10 ó 20 mayores que las de activación de conducción del
mismo GTO, con períodos de tiempo de 2 a 5 veces mayores, lo
que se relaciona directamente con la energía consumida. Para
poner un ejemplo numérico, se supone que existe un tiristor de 1
kA comparado con un GTO de 1 kA; el tiristor necesitaría de 3 a 5
A para activar conducción, y el GTO de 30 a 50 A, los dos con
duraciones de 10 Φs, mientras para activar corte en el GTO se
requerirían pulsos de 300 a 500 A de cátodo a compuerta con
duración de 20 a 50 Φs. En ambos casos, el voltaje de control de
los pulsos de corriente no es elevado (de 10 a 20 V), lo que
implicaría una energía necesaria para activación de 0.0167Η10-3 a
0.1388Η10-3 Wh por pulso, lo que aparentemente no es una
energía elevada. No obstante, si se consideran cientos de pulsos
por segundo en un solo dispositivo, la magnitud de la energía

39
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

necesaria se eleva dramáticamente. Si se presentan cinco cortes


por ciclo, con 100 dispositivos en serie por válvula, con seis
válvulas, en un día se puede requerir de 260 kWh a 2,16 MWh sólo
para controlar los dispositivos. El costo de la energía necesaria
para controlar los dispositivos es una carga económica grande
para el operador del sistema, y además de esto por la necesidad
disponer de sistemas eficientes de refrigeración que drenen las
pérdidas que se generan por el número elevado de pulsos por ciclo
y por la magnitud de las corrientes. De esta manera, el costo de
los controladores de compuerta se aumenta demasiado, al punto
de ser directamente comparable con el costo de los mismos
dispositivos.

Otra desventaja inherente al proceso de activación de corte es que


la extracción de portadores debe darse de manera uniforme sobre
todo el dispositivo, para lo cual debe dividirse el cátodo en varias
secciones, generalmente anillos concéntricos y secciones de esos
anillos, que se conectan en un punto común, que es la compuerta.
Esta distribución resta área utilizable sobre la oblea y su
consecuente disminución en capacidad nominal y mayor caída de
tensión, la cual es cercana a 150% la de un tiristor convencional,
pero aún así, la mitad de la de un IGBT. Por la alta complejidad de
la estructura del dispositivo es muy improbable que hacia el futuro
pueda implementarse amplificación de compuerta integrada en el
dispositivo.

40
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 48. Estructura del cátodo para un tiristor de corte por


compuerta (GTO) de potencia, el cual consiste de gran número de
celdas arregladas en formación de anillos, tomado de http://www.e-
technik.fh-muenchen.de/fb/lab/lle/pr+ver.html.

Existen similitudes y diferencias en la fabricación de GTO respecto


a la de los tiristores convencionales; ya que se basan en principios
físicos similares, existen procesos de diseño y construcción
similares, y también pueden compensarse parámetros como
capacidad de corriente, tensión, di/dt y el dv/dt, y pérdidas, pero
debido a la compleja estructura del cátodo, los procesos son más
estrictos, costosos y quizá menos rentables que los de un tiristor
convencional.

La diferencia estructural respecto a los tiristores convencionales


relacionada con la capa intermedia tipo n con diferentes perfiles de
dopaje (capa reguladora o buffer) se relaciona con la necesidad de
incrementar los valores nominales de corriente y voltaje con
menores caídas de tensión en conducción gracias a que los
dispositivos no se diseñan con capacidad para soportar voltaje
inverso entre ánodo y cátodo gracias a la conexión de un diodo de

41
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

recuperación rápida antiparalelo. El mercado para los GTO consiste


básicamente en los circuitos VSC.

Como en otros dispositivos semiconductores, la temperatura de


operación en la oblea se procura mantener por debajo de 100ºC,
con márgenes térmicos predeterminados para eventos de
sobrecorriente o falla. Los GTO pueden soportar altas corrientes
por reducidos períodos de tiempo sin necesidad de activar corte
(hasta 10 p.u.), y deben ser diseñados para soportar severos
esfuerzos dieléctricos y tratados con métodos de pasivación para
evitar flameos cerca de los bordes.

En los GTO es necesario reducir la tasa de cambio de la tensión


(dv/dt) en bornes debido a que el dispositivo puede activar corte
cuando el voltaje sea positivo entre ánodo y cátodo, además de la
activación de conducción, y para esto se emplean circuitos
amortiguadores. Los GTO están diseñados para bloquear el voltaje
inverso a través de la juntura pn- del lado del ánodo, mientras que
la juntura pn del lado del cátodo puede tener un voltaje de ruptura
de unos pocos voltios.

2.5.1 Proceso de activación de conducción y corte

Además de sus elevados requerimientos de compuerta, los GTO


presentan pérdidas considerables de conmutación, además de que
los procesos de activación de corte y conducción demandan
esfuerzos sobre el dispositivo mismo. Los procesos de activación y
corte necesitan de pulsos de corriente de cierta magnitud y
duración, los cuales generan cambios en la corriente y el voltaje,
como se muestra en la figura.

42
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 20. Proceso de activación de conducción y corte en GTO.

La activación de conducción requiere de un pulso de corriente


inyectado desde la compuerta hacia el cátodo, con una magnitud
mayor del 3% de la corriente nominal del dispositivo y con una
duración aproximada de 10 Φs, el cual es limitado en su tasa de
crecimiento (di/dt) por la inductancia del circuito controlador.
Después de aplicado el pulso, puede tardar unos pocos
microsegundos el cambio en la magnitud de la corriente y el
voltaje entre ánodo y cátodo, limitado por la reactancia serie del
circuito (diseñada para que exista una distribución homogénea en
las celdas de los cátodos) y la capacitancia del circuito
amortiguador, respectivamente. En las configuraciones VSC, los
GTO deben además transportar por unos instantes una gran
corriente de dispersión de un diodo equivalente de otra válvula de
la misma fase. El tiempo de disminución del voltaje depende
además del tiempo de recombinación de portadores en los
dispositivos. Después de que se envía el pulso de activación es
necesario mantener un nivel de corriente cercano al 0.5% de la
corriente nominal para asegurar que la conducción no se
desenclave, y esta corriente se conoce como corriente de «umbral
posterior» (back-porch). Las pérdidas en estado de activación de
conducción se refuerzan por la existencia de las corrientes de
dispersión en los diodos del conversor.

43
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

La activación de corte requiere un pulso de corriente, aplicado


desde el cátodo hacia la compuerta, de magnitudes superiores al
30% de la corriente nominal del dispositivo, la cual ayuda a
remover parte de los portadores de carga en el cátodo, por
períodos de tiempo que oscilan entre 20 y 50 Φs. El tiempo que
tarda el dispositivo en asimilar este pulso es más largo que el de
activación de conducción, el cual se conoce como tiempo de
almacenamiento, antes de que la corriente y el voltaje comiencen
a cambiar. La corriente disminuye entonces rápidamente hasta
una pequeña magnitud, pero a partir de cierto valor comienza a
disminuir con una tasa muy baja, lo que incrementa las pérdidas
del dispositivo. Esto se debe a un efecto de recombinación el la
región pn del lado del ánodo. De manera similar a la activación de
conducción, la tasa de cambio de corriente debe ser limitada para
asegurar una distribución homogénea sobre las celdas del cátodo.

Las pérdidas de conmutación están asociadas directamente con la


existencia simultánea de voltaje y corriente, razón por la cual se
asocia la velocidad de conmutación y los parámetros di/dt y dv/dt
a las pérdidas totales.

Los GTO tienen ventajas y desventajas respecto a los IGBT. Las


desventajas incluyen el largo tiempo de activación de corte, la
menor velocidad de conmutación y por consiguiente mayor costo
de circuitos amortiguadores y mayores pérdidas, pero la principal
es la gran demanda de energía para la activación de corte. Aunque
es más lento que los IGBT, su velocidad de conmutación es
suficiente para adaptarse a los conversores basados en PWM,
mientras que sus ventajas son básicamente la menor caída de
tensión en estado de conducción y mayor capacidad de corriente y
voltaje.

44
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 21. Curva característica de un GTO.

Los GTO clásicos no son tan aptos como los IGBT clásicos para el
mundo de los sistemas VSC HVDC ya que tienen limitaciones
inherentes a su estructura, como la inductancia de dispersión del
lazo compuerta – cátodo o el diseño del controlador de compuerta,
pero están siendo desarrollados diversos semiconductores basados
en el GTO que prometen combinar las ventajas de los tiristores y
de los transistores, siendo el ejemplo más evidente el del IGCT. La
clave del éxito de estos dispositivos hacia el futuro es presentar
bajos requerimientos de compuerta, activación de corte rápida,
baja caída de tensión en estado de conducción y bajas pérdidas en
conmutación. Hacia el futuro se vislumbran este tipo de avances
en los semiconductores empleados en sistemas VSC HVDC.

45
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

En la Gráfica 21 se muestra la característica VI de un GTO. Se


observa que si se aplica una corriente de compuerta de la
magnitud y la duración suficiente, el dispositivo entra en estado de
conducción, tanto desde la zona de voltaje cero como desde la
zona de corte, y si el dispositivo está en conducción, se puede
aplicar un pulso de corte, desde el cátodo hasta la compuerta
(IGAC) de una magnitud y duración elevadas, para poner al
dispositivo en la zona de corte.

2.6 Transistor Bipolar de Compuerta Aislada (IGBT)

El IGBT es un dispositivo semiconductor que encontró un campo


de aplicación en alta potencia, y perteneciendo a la familia de los
transistores se comporta como un tiristor en algunos sentidos,
como por tener una estructura análoga a dos transistores, pero la
activación de conducción y corte se realiza por medio de una
estructura MOSFET en el transistor npn, pero sin que exista
conducción sostenida y presenta caídas de tensión en conducción
más altas. Como se muestra en la figura, en la juntura emisor –
base existe una resistencia, la cual está integrada al dispositivo y
sirve para derivar parte de la corriente que fluye a través del
cátodo.

46
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 49. Características del IGBT.

La estructura transversal el IGBT cuenta con múltiples capas con


diferentes perfiles de dopaje, las cuales reciben diferentes
nombres; en primer lugar, la capa n+ superior es la fuente de
portadores n del MOS, p es la base, la capa n- es la región de
desplazamiento, la capa n+ inferior es la capa intermedia, y
finalmente la p+ es el sustrato. Al igual que un MOSFET, la
activación de conducción depende de que la compuerta tenga una
tensión positiva respecto al emisor para que los portadores n sean
atraidos al canal p cerca de la región de compuerta, para polarizar
directamente la base del transistor npn. El circuito controlador de
los IGBT es muy simple ya que la activación de conducción o corte
depende de si se aplica o no un voltaje positivo en la base
respecto al emisor.

Debido a la complejidad de la tecnología MOS, la cual está


integrada completamente en el dispositivo IGBT, el tamaño de
estos últimos se limita seriamente, a tamaños de sólo 1 cm2., lo

47
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

cual implica menor capacidad nominal y la necesidad de conectar


muchos más dispositivos en serie y en paralelo en los conversores.
Aún así, una de las principales ventajas de los IGBT es su rápida
capacidad de activación de conducción y corte, por lo que es
comúnmente empleado en conversores que utilizan el concepto
PWM a alta frecuencia, y su desventaja principal, como se
mencionó antes, es la caída de tensión en conducción. Los IGBT
han evolucionado desde el mundo de la baja tensión hacia
aplicaciones industriales y sistemas de gran potencia con
características muy favorables, desplazando paulatinamente a los
GTO.

Los dispositivos que pertenecen a la familia de los transistores


tienen la capacidad de controlar en mayor o menor grado la
corriente que circula entre sus terminales principales mediante
ligeras variaciones en el voltaje de compuerta, sin embargo, en las
aplicaciones de alta potencia esta capacidad no es utilizable
permanentemente debido a las grandes pérdidas que presentan
los IGBT cuando regulan corriente, y sólo es viable durante unos
pocos microsegundos, aunque este tiempo puede ser suficiente
para llevar a cabo funciones de protección sobre el sistema. Esta
capacidad es muy valiosa en sistemas VSC HVDC ya que se
pueden limitar las grandes corrientes de falla en el lado de directa;
esto sumado a una rápida detección, puede asegurar activación de
corte en tiempos de hasta 2 ó 3 Φs, lo cual evita disipación de
potencia elevada y prolongación de la vida útil de los dispositivos.
Esto es impracticable con los GTO convencionales.

Las limitaciones inherentes de los IGBT incluyen caídas de voltaje


altas en conducción, complejidad en el diseño de disipación
térmica doble, limitación en el aumento de mayor niveles de
bloqueo de tensión ya que las estructuras MOS lo impiden, y
mayor complejidad en la producción de los dispositivos debido a su
complicada estructura.

48
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

En la actualidad los IGBT tienen ventajas insuperables en los


sistemas VSC HVDC, como son las bajas pérdidas y rapidez de
conmutación y su capacidad de regulación de corriente. Sin
embargo, los GTO avanzados prometen por lo menos presentar
oposición a su dominio total como semiconductores de potencia en
estos sistemas. De otra parte, la aparición de nuevos dispositivos
depende de las fuerzas del mercado, de los volúmenes de
producción, y esto está a favor de que los IGBT continúen siendo
empleados en mayores niveles de potencia.

Gráfica 22. Característica VI del IGBT.

En la gráfica anterior se muestra la curva característica del IGBT.


Se observa que el voltaje entre la compuerta y el emisor
determina la corriente que fluye entre el emisor y el colector,
prefiriéndose trabajar sobre las zonas de alta pendiente las cuales
son similares a las de los tiristores, ya que en las zonas donde la

49
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

corriente se torna constante se dan caídas de voltaje elevadas y


por consiguiente altas pérdidas. El dispositivo puede cambiar de
estado de conducción a estado de corte o viceversa con mucha
rapidez y decenas de veces durante un ciclo.

3 Dispositivo semiconductor utilizado en HVDC Light™

El dispositivo semiconductor utilizado en los sistemas HVDC


Light™ de ABB se denomina StakPak™, que es una posible
abreviación de Stacked Pack («Paquete apilado»), es una familia
de dispositivos encapsulados IGBT y diodos de alta potencia en
recintos modulares avanzados que garantizan presión uniforme
sobre los chips aún en pilas de múltiples dispositivos. Aunque la
presentación más común para los IGBT es el módulo aislado, para
aplicaciones que requieren conexiones en serie, no aisladas, los
dispositivos ensamblados a presión (empaques prensados) se
prefieren por la facilidad con la que pueden ser conectados
eléctrica y mecánicamente en serie y por su habilidad inherente de
conducir en estado de falla del dispositivo (corto) (una
característica esencial donde se requiere redundancia). Ya que los
IGBT se fabrican con múltiples chips en paralelo, hay una
dificultad (con los empaques prensados convencionales) en
asegurar presión uniforme en todos los chips; una dificultad que
aumenta el número de dispositivos en una pila. La solución a estos
problemas vino con la tecnología patentada de resortes por parte
de la compañía ABB:

Los modelos StakPak™, los cuales están optimizados para


conexiones serie, presentan un concepto modular basado en sub-
módulos ajustados en un marco de fibra de vidrio reforzado (como
se muestra en la figura) que permite la materialización efectiva en
función del costo de un rango de productos con diferentes niveles
nominales de corriente y relaciones entre IGBT y diodos.

50
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Posteriormente se muestra una tabla con los parámetros que


ofrecen estos dispositivos.

Para incrementar la capacidad de manipulación de potencia, se


conectan en paralelo seis chips IGBT y tres chips de diodos en un
sub-módulo. Un bloque IGBT StakPak™ tiene dos, cuatro o seis
sub-módulos, que determinan el nivel nominal de corriente del
IGBT.

Figura 50. Diferentes módulos StakPak™ (izquierda), dos sub-módulos


StakPak™ (con el lado del colector arriba) con un sub-módulo abierto
(lado del emisor arriba) mostrando los ensambles de resortes del lado
del emisor (derecha). Tomado de ABB Group.

Una posición completa de IGBT consta de un IGBT, una unidad de


compuerta, un divisor de tensión y un disipador de calor
refrigerado por agua. Cada unidad de compuerta incluye circuitos
controladores de compuerta, circuitos de vigilancia e interfaces
ópticas. La electrónica de control de compuerta controla el voltaje
y la corriente de compuerta en la activación de conducción y corte,
para alcanzar los procesos óptimos de activación de conducción y
corte en el IGBT. Se mide la tensión a través del IGBT durante la

51
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

conmutación, y la información se envía a la unidad de control de


válvula a través de fibra óptica. El divisor de voltaje conectado a
través del IGBT provee a la unidad de compuerta con la corriente
necesaria para controlar la compuerta y alimentar los circuitos de
comunicación óptica y la electrónica de control.

3.1 Valores nominales de los dispositivos

El rango de los dispositivos se divide en dos familias básicas, un


rango estándar y otro diseñado con niveles nominales para «Modo
de Falla en Corto Circuito» (Short Circuit Failure Mode – SCFM).
Los tipo estándar se destinan a uso en inversores convencionales
con o sin conexiones en serie pero sin redundancia. Como todos
los empaques prensados, estos dispositivos fallan en corto y no
abiertos, lo que simplifica las fallas y las protecciones pero no se
diseñan para conducir corriente de carga en estado de corto
indefinidamente (meses o años). El rango SCFM, por otra parte, se
destina para uso en conexiones en serie con redundancia; en tales
aplicaciones, se insertan dispositivos adicionales (redundantes) en
la cadena serie para que la falla del dispositivo no interrumpa la
operación del conversor. Se espera, en tales casos, que el
dispositivo fallado conduzca corriente por un período de tiempo
mayor que el intervalo planeado de servicio del equipo. Este
período de tiempo, durante el cual la corriente de carga debe fluir
en el dispositivo fallado sin degradación externa del recinto o
degradación interna del contacto eléctrico, es una función de la
dependencia del tiempo de corriente de carga. Esta compañía
ofrece niveles nominales de SCFM para usuarios que requieren
esta característica y que son capaces de especificar las formas de
onda y perfiles de corriente de carga.

Tabla 19. Valores nominales de los dispositivos StakPak™.

Referencia del Corrient Voltaj Tipo Disponibilidad Configuración

52
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

dispositivo e [A] e [V]


Alto
5SNR 10H2500 1000 2500 Ahora
SCFM
Alto
5SNR 13H2500 1300 2500 Ahora
SCFM
Alto
5SNR 20H2500 200 2500 Ahora
SCFM
5SNX 10H2500 1000 2500 Estándar 3Q04
5SNX 13H2500 1300 2500 Estándar 3Q05
5SNX 20H2500 2000 2500 Estándar 3Q06
5SNX 20J4500 2000 4500 Estándar TBD
Alto
5SLF 20H2500 2000 2500 Ahora
SCFM
5SFK 20H2500 2000 2500 Estándar Ahora
5SFK 20L4500 2000 4500 Estándar TBD

3.1.1 Tecnologías de empaques prensados

Existen dos tecnologías de empaques prensados multi-chip de


varios proveedores: chips cuyos contactos se basan en piezas
polares (tecnología convencional) y chips cuyos contactos se
basan en resortes individuales, que es la tecnología en la cual se
basa StakPak™.

53
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 23. Vista transversal de un empaque prensado multi-chip


clásico con piezas polares comunes: cada chip soporta la fuerza del
dispositivo dividida por el número de chips.

Los contactos individuales de resortes reducen las tolerancias de


planeidad (propiedad de ser plano) en los disipadores de calor y la
uniformidad de presión entre la pila que pudiera ser requerida de
otra forma. Esto, a su vez, reduce los costos de construcción
mecánica de la pila e incrementa enormemente la confiabilidad de
campo. Gracias a esta «suspensión independiente» sólo se aplica
la fuerza correcta a cada chip permitiendo que se transmita el
exceso de fuerza a las paredes de los recintos como se muestra en
la figura.

La fuerza necesaria para una pila larga puede de hecho ser mucho
mayor que la tolerada por los chips de silicio siendo contactados
por medio de sus micro-estructuras de superficie sensible. La
rigidez y estabilidad de una pila sujeta al impacto o vibración en
servicio o durante el transporte dependen de la fuerza de montaje
que puede no siempre coincidir con la requerida por los chips
encapsulados. Es por tanto relevante desacoplar las dos fuerzas,
permitiendo que la fuerza óptima en los chips sea menor que la

54
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

fuerza (óptima) en la pila: los resortes individuales de esta


tecnología permiten esto.

Gráfica 24. Vista transversal de los empaques prensados multi-chip de


ABB Group con contactos de resorte individuales: los chips soportan
la fuerza determinada por los resortes; el exceso de fuerza es
soportada por las paredes del recinto. El dibujo ilustra un sub-módulo
multi-chip en un recinto de empaque prensado.

55
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 51. Principio de contactos de presión individuales en el emisor.


F es la fuerza, c la constante de resorte y Δx la longitud de elongación.

3.2 Especificaciones de la referencia 5SNX 20H2500 de ABB


Group

Las características más esenciales del dispositivo son,

56
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Las prestaciones cualitativas que describe el fabricante son,

 Alta SOA (Área de Operación Segura).


 Alta tolerancia a las presiones de montaje irregulares.
 Ajustables para conexiones en serie.
 Empaques resistentes a explosiones.
 Concepto de diseño modular, disponible para un amplio rango
de niveles nominales de corriente.

Los máximos valores nominales son,

Tabla 20. Valores nominales máximos en los dispositivos


semiconductores.

Parámetro (1)
Símbolo Condiciones Mínimo Máximo Unidad

Voltaje colector-emisor VCES 2500 V

Corriente de directa en
IC Tc = 75ºC 2000 A
el colector

Corriente pico repetitiva


ICM 4000 A
en el colector

Voltaje compuerta-
VGES ± 20 V
emisor
Disipación total de
Ptot Tc = 25ºC 18000 W
potencia
Corriente de directa en
IF Tc = 75ºC 2000 A
sentido directo
Corriente pico repetitiva
IFM 4000 A
en sentido directo

57
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Parámetro (1)
Símbolo Condiciones Mínimo Máximo Unidad
Sobrecorriente
IFSM 23 kA
transitoria
VCC = 1500 V

SOA de corto-circuito VCEM ≤ 2500


tPSC 10 µs
para el IGBT V

VGE ≤ 15 V
Temperatura de juntura Tvj 5 125 ºC
Temperatura de
Tstg -40 70 ºC
almacenamiento
Fuerza de montaje (2) FM 65 95 kN

1) Los valores nominales máximos indican los límites más allá de


los cuales pueden ocasionar daños al dispositivo por IEC 60747-9.

2) Para instrucciones de montaje detalladas referirse al documento


de ABB No. 5SYA 2037-02.

Los valores característicos de los IGBT son,

Tabla 21. Valores característicos en los IGBT según la norma IEC


60747-9.

Parámetro Símbolo Condiciones Tvj minimo típico máximo Unidad


IC = 2000 A
Voltaje de 25ºC 2,2 2,6 V
saturación VGE = 15 V
VCEsat
colector- IC = 2000 A
emisor 125ºC 2,7 3 V
VGE = 15

58
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Parámetro Símbolo Condiciones Tvj minimo típico máximo Unidad


VCE = 2500
Corriente de
V
corte en el ICES 125ºC 35 100 mA
colector
VGE = 0 V
Corriente de VCE = 0 V
dispersión en IGES 125ºC ± 500 nA
la compuerta VGE = ±20
Voltaje
IC = 360 mA
umbral
VGE(TO) 25ºC 5 7 8,5 V
compuerta-
VCE = VGE
emisor
IC = 2000 A

VCE = 1250
Carga total
Qge V 18,6 μC
de compuerta
VGE = -15 a
15 V
Capacitancia
Cies 315 nF
de entrada
VCE = 25 V
Capacitancia
Coes 25,5 nF
de salida VGE = 0 V
Capacitancia
f = 1 MHz
de
Cres 5,3 nF
transferencia
inversa

59
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Parámetro Símbolo Condiciones Tvj minimo típico máximo Unidad


Tiempo de VCC = 1250
retardo de la V 25ºC 1,2 μs
td(on)
activación de
conducción VGE = 2000
A 125ºC 1,1 μs

RG = 3.9 Ω
25ºC 0,9 μs
Tiempo de VGE = ±15 V
tr
crecimiento
Lσ = 200 nH
125ºC 1 μs
carga
inductiva
Tiempo de VCC = 1250
retardo de la V 25ºC 2 μs
td(off)
activación de
corte VGE = 2000
A 125ºC 2,3 μs

RG = 3.9 Ω
25ºC 0,7 μs
Tiempo de VGE = ±15 V
tf
decrecimiento
Lσ = 200 nH
125ºC 0,7 μs
carga
inductiva

Los valores característicos de los diodos son,

60
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Tabla 22. Valores característicos en los diodos según la norma IEC


60747-9.

Parámetro Símbolo Condiciones Tvj min típico máximo Unidad


Voltaje en 25ºC 1,95 2,2 V
sentido VF IF = 2000 A
directo 125ºC 1,9 2,2 V
Corriente de
25ºC 1100 A
recuperación
Irr
en sentido VCC = 1250 V 125ºC 1600 A
inverso
Carga de VGE = 2000 A 25ºC 1000 μC
recuperación
Qrr
en sentido RG = 3.9 Ω 125ºC 1900 μC
inverso
Tiempo de VGE = ±15 V 25ºC 1,7 μs
recuperación
trr
en sentido Lσ = 200 nH 125ºC 1,8 μs
inverso
Energía de carga 25ºC 0,9 μs
recuperación inductiva
Erec
en sentido 125ºC 1,7 μs
inverso

Las propiedades térmicas son,

Tabla 23. Propiedades térmicas de los dispositivos semiconductores.

Parámetro Símbolo Condiciones mínimo típico máximo Unidad


Resistencia
térmica
Rth(j-c)
juntura - 5,5 K/kW
IGBT
carcasa del
IGBT

61
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Resistencia
térmica
Rth(j-c)
juntura - 11 K/kW
Diodo
carcasa del
diodo
Resistencia Planeidad del
térmica disipador: 1 K/kW
Rth(c-s)
carcasa -
IGBT
disipador del Área del módulo
IGBT completo < μm
Resistencia
térmica Área de cada
carcasa - submódulo < 50 2 K/kW
Rth(c-s)
disipador del μm
Diodo
diodo
Rugosidad < 6.3
μm
Temperatura
de operación Tvjop 5 ºC
de la juntura

Las propiedades mecánicas son,

Tabla 24. Propiedades mecánicas de los dispositivos


semiconductores.

Parámetro Símbolo Condiciones min típico máximo Unidad


Típico, ver el
L*W*
Dimensiones diagrama 236 * 150 * 26 mm
H
esquemático
de acuerdo a
Distancia de
DC IEC 60664-1 y 10 mm
holgura
EN50124-1

62
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Distancia de de acuerdo a
termodeformación DSC IEC 60664-1 y 23 mm
plástica EN50124-2

Peso 2,2 kg

Figura 52. Configuración eléctrica.

63
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Figura 53. Dibujo esquemático.

64
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

65
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 25. Características típicas en estado de conducción para IGBT


(izquierda) y diodo (derecha).

66
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 26. Características típicas de salida para IGBT con Tvj = 25ºC
(izquierda) y Tvj = 125ºC (derecha).

67
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

68
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 27. Característica típica de transferencia de un IGBT (izquierda)


y Área de Operación Segura (SOA) de activación de corte del IGBT
(derecha).

69
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 28. Capacitancias típicas de los IGBT contra voltaje colector


emisor (izquierda) y característica típica de carga de compuerta en el
IGBT (derecha).

70
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 29. Energías de conmutación típicas por pulso para un IGBT


contra corriente de conducción (izquierda) y resistencia de compuerta
(derecha).

71
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

72
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 30. Tiempos de conmutación típicas por pulso para un IGBT


contra corriente de conducción (izquierda) y resistencia de compuerta
(derecha).

73
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

74
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 31. Características típicas de recuperación inversa en diodos


contra corriente en sentido directo (izquierda) y resistencia de
compuerta (derecha).

75
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es
Revisión técnica, modelación y simulación de
Sistemas VSC-HVDC
Unidad académica: Grupo T&D
Profesor: Diego Alejandro Restrepo

Gráfica 32. Máxima impedancia térmica de un IGBT y un diodo contra


tiempo.

76
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/co/deed.es