Dispositivos semiconductores en electrnica de potencia

1. Diodos de recuperacin rpida y diodos de carburo de silicio

Primero que todo hay que definir que un diodo simpe funciona como un interruptor, el cual no se puede controlar debido a que las tensiones y corrientes del circuitos las determina en el estado que se encuentre el diodo ya sea de activacin (conduccin) o desactivacin, un diodo puede estar polarizado en directo cuando la corriente Id de la figura 1 es positiva o puede estar en polarizacin inversa cuando la tensin Vd es negativa, en el caso de que existiera un diodo ideal este se comportara como un corto en polarizacin inversa y como un circuito abierto en polarizacin inversa. Una de las principales caractersticas dinmicas del diodo se puede ver en la curva de la corriente de recuperacin de inversa cuando un diodo pasa de polarizacin directa a inversa la corriente en el disminuye y momentneamente se hace negativa antes de volverse cero y es all donde vemos el tiempo de recuperacin inversa trr el cual es de vital importancia para aplicaciones a alta frecuencia.

Figura 1. El diodo, curva caracterstica y funcionameinto

A. Diodos de recuperacin rpida: Los diodos de recuperacin rpida son utilizados en circuitos de alta frecuencia en combinacin de interruptores controlables, para poder obtener tiempos de recuperacin mnimos. Los cuales pueden estar en tiempos de recuperacin inverso (trr) de pocos nanosegundos. Los diodos de recuperacin rpida se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente, y hay un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Para el proceso de fabricacin de los diodos de recuperacin rpida es necesaria la utilizacin de oro o platino y un dopaje de electrones a travs de una fuerte irradiacin para ello se utilizan una serie de ncapas que permiten que la tensin inversa sea tan fina como sea posible, para reducir al mnimo la cada de tensin que a su vez reduce la carga almacenada en la unin pn. Para obtener una oblea de espesor que permita una buena manipulacin mecnica de estas, la tecnologa de capas epitaxiales se convierte en la eleccin ms favorable. Esta tecnologa hace uso de un espesor (relativamente n) + dopados (wafer) de sustrato para mejorar la resistencia mecnica,

en la que una fina capa de n-monocristal (la llamada capa epitaxial), se cultiva. El espesor de la capa y la resistividad debe ajustarse de acuerdo con la capacidad de tensin de bloqueo.

Figura 2. Vista transversal de un diodo de unin con una pasivacin FRED plana

La parcelacin de la unin pn para usos de la tecnologa plana es similar al proceso de fabricacin de transistores. Se hacen anillos para reducir la intensidad de campo elctrico y as disminuir la fuerza de tensin para evitar la ruptura; la superficie es de vidrio con un revestimiento especial para garantizar la estabilidad de voltaje. Para mejorar el desvo de comportamiento, los tomos pueden ser difundidos ya sea con oro o platino y estos tomos actan como trampas, en la que el exceso de agujeros puede recombinarse con los electrones. Esta recombinacin tambin puede ser creada por electrones mediante la irradiacin, un proceso que desplaza al silicio de sus tomos normales. Los diodos pueden subdividirse en dos clases principales: Diodos Rectificadores y diodos rpidos. Los diodos rectificadores se emplean para la conversin de corriente alterna (AC) a continua (DC). Aun habiendo sido optimizados para lograr unas bajas prdidas en conduccin, los Diodos Rectificadores tan slo soportan solicitaciones dinmicas moderadas en el paso del estado de conduccin al de circuito abierto. Los Diodos Rpidos, por otra parte, son dispositivos auxiliares a los transistores en el proceso de conversin de corriente continua a corriente alterna. Cada conmutador (GTO, IGCT o IGBT) requiere de un diodo complementario (por ejemplo, la libre circulacin de potencia reactiva) para permitir el funcionamiento del sistema convertidor de continua a alterna con cargas inductivas. Los Diodos Rpidos estn optimizados para soportar solicitaciones dinmicas elevadas (transicin rpida del estado de conduccin al de circuito abierto). Sin embargo, por lo general presentan unas prdidas en conduccin superiores a los Diodos Rectificadores. Para cada familia de conmutadores (GTOs, IGCTs e IGBTs) disponemos de Diodos Rpidos que han sido optimizados para aplicaciones con: Conmutacin. Inversores. choppers. Circuitos Flyback.

B. Diodos de carburo de silicio Los semiconductores unipolares, como los MOSFET y diodos de barrera Schottky (SBD) sustituyeron, en la mayora de los casos, los dispositivos bipolares en bsqueda de reducir significativamente las prdidas de la conmutacin. La principal caracterstica de los semiconductores unipolares es la ausencia de acumulacin del portador de carga minoritaria y as, idealmente, de una conmutacin instantnea solo limitado por pequeas capacitancias parsitas. Hoy en da es posible encontrar MOSFETs con el bloqueo de tensiones de hasta 1.000/1.200 y 1500 voltios, pero esto no es cierto para el SBD porque son capaces de bloquear tensiones de hasta 250/300 voltios por las caractersticas intrnsecas de los materiales bsicos tales como el silicio (Si) o el arseniuro de galio (GaAs).

Fig. 3. Diodos Fast Recovering

El carburo de silicio, tambin llamado carborundo, (SiC) es un carburo covalente de estequiometria 1:1 y que tiene una estructura de diamante, a pesar del diferente tamao del C y Si, que podra impedir la misma. Es casi tan duro como el diamante. Es un compuesto que se puede denominar aleacin slida, y que se basa en que sobre la estructura anfitrin (C en forma de diamante) se cambian tomos de este por tomos de Si, siempre y cuando el hueco que se deje sea similar al tamao del tomo que lo va a ocupar. El Carburo de Silicio se trata de un material semiconductor (2,4V) y refractario que presenta muchas ventajas para ser utilizado en dispositivos que impliquen trabajar en condiciones extremas de temperatura, voltaje y frecuencia; el Carburo de Silicio puede soportar un gradiente de tensin o de campo elctrico hasta ocho veces mayor que el silicio o el arseniuro de galio sin que sobrevenga la ruptura. Este elevado valor de campo elctrico de ruptura le hace ser de utilidad en la fabricacin de componentes que operan a elevado voltaje y alta energa como por ejemplo: diodos, transistores, supresores..., e incluso dispositivos para microondas de alta energa. A esto, se suma la ventaja de poder colocar una elevada densidad de empaquetamiento en los circuitos integrados. Gracias a la elevada velocidad de saturacin de portadores de carga es posible emplear SiC para dispositivos que trabajen a altas frecuencias, ya sean Radiofrecuencias o Microondas. Por ltimo una dureza de 9 en la escala de Mohs le proporciona resistencia mecnica que junto a sus propiedades elctricas hacen que dispositivos basados en SiC ofrezcan numerosos beneficios frente a otros semiconductores.

Fig. 4. Diodos Fast Recovering MOSPEC Punto Medio

Los diodos de carburo de silicio han alcanzado tiempos de hasta 25ns de recuperacin inversa, las propiedades de materiales como 4H-SiC produce cambios naturales en aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y altas temperaturas. Puede tener un voltaje de ruptura de 4MV/cm que permite soportar un alto voltaje a travs de una capa delgada. Un diodo de 5KV en carburo de silicio requiere una capa de 40m de espesor comparada con los 500m para el diodo de silicio Este sistema naci hacia el ao 2000 y ya se encuentran en la segunda o tercera generacin y todava representan la mayor eficiencia. Las principales ventajas que tienen las propiedades intrnsecas de SiC pueden resumirse en tres puntos: 10 veces ms campo elctrico de rotura que reduce drsticamente la resistencia a la conduccin (sobre la resistencia) a 600 V los diodos de SiC tienen un Ron de 1,4 m- cm2, la cual es mucho menor que GaAs y SBD en Si. La alta energa de banda eleva significativamente la barrera semiconductor-metal de Schottky, lo que significa que la fuga de las corrientes es extremadamente pequea, incluso a las altas temperaturas de juntura. La alta conductibilidad trmica reduce la resistencia trmica, facilitando as la dispersin de calor.

2. Tiristores: SCR, TRIAC, DIAC, GTO, MCT.

A. SCR El SCR es un rectificador controlado. Su caracterstica voltaje - corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, se ilustra en la figura 5: Esta grafica consta de tres partes principales, la regin de reverso bloqueada, donde el tiristor se comporta como un diodo comn e impide el flujo de corriente hasta conseguir la tensin disruptiva inversa. En la regin de conduccin se comporta nuevamente como un diodo comn, permitiendo que fluyan grandes cantidades de corriente con poca cada de tensin. Lo que lo distingue y hace importante para ciertas aplicaciones es la regin de bloqueo directo. El voltaje de ruptura o de encendido VBO puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada.

Fig. 5. Caracterstica tensin corriente

Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de manera que su voltaje de ruptura, sin seal de compuerta, sea mayor que el voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la aplicacin de una corriente a la compuerta. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje a travs de un diodo comn. Los SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso ms comn en los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un mximo de 3A. Para entender el funcionamiento del SCR emplearemos el mecanismo de cebado, en el cual suponemos: Que el SCR se comporta como la unin de dos transistores BJT, para una mejor apreciacin podemos hacer: Formas de provocar el disparo del SCR 1. Corriente de Puerta 2. Elevada tensin nodo-Ctodo 3. Aplicacin de tensin nodo-Ctodo positiva antes de que el proceso de bloqueo haya terminado. 4. Elevada derivada de la tensin nodo - Ctodo. 5. Temperatura elevada 6. Radiacin luminosa; slo ocurre en los dispositivos especialmente construidos para funcionar de esta forma (LASCR)

Fig. 6. SCR simplificado y SCR como 2 transistores

Fig. 7. SCR como transistor.

B. Triack (Triode AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensin y conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Su estructura bsica y smbolo aparecen en la Figura 8. Es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 iT2 es igual a la del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin prcticamente igual a las

de un tiristor y el hecho de que entre en conduccin, si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por sobretensin.

Fig. 8. Estructura, Smbolo, circuito equivalente y curva caracterstica del TRIAC

Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en anti paralelo, con una conexin de compuerta comn. Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar una seal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1. No es necesario que estn presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos). El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles. Modo I +: Terminal T2 positiva con respecto a T1.Intensidad de puerta entrante Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2. La corriente de puerta circula internamente hasta T1, en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella inicindose la conduccin. Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.

Modo III +: Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de la unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin.

Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.

Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible. El fabricante facilita datos de caractersticas elctricas de bloqueo, conduccin y de disparo por puerta. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as hasta que su corriente cae por debajo de IH.

C. DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen. Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia. Existen dos tipos de DIAC: DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones. DIAC de cuatro capas: Consiste en dos diodos Shockley conectados en anti paralelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.

Figura 9. Smbolo, estructura y curva caracterstica del DIAC

D.

GTO

Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el tiristor de apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente excede. Estos dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR en circuitos de DC.

Fig. 17. Smbolo GTO

Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR comn. Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10A o ms. Para apagarlos se necesita una gran pulsacin de corriente negativa entre 20 y 30 s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente negativa debe ser de cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato. E. MCT Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. La estructura NPNP se puede representar por un transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de canal n M2

Fig. 19. Circuito equivalente y smbolo de un MCT

Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR normal, el nodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las seales de compuerta. Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo directo y se aplica un voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de inversin) se forma en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a travs del canal p hacia la base p B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal p). Este flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente al transistor npn Q1. A continuacin e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C1) que hace que el emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que se active el transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VGA de compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal p, proporcionando as la corriente de base del transistor Q2. Supongamos que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un voltaje positivo VGA. Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan lateralmente electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a travs del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del MOSFET M2 del canal n+). Este flujo de electrones desva la corriente de base del transistor PNP Q2 de tal forma que su unin base-emisor se desactiva, y ya no habr huecos disponibles para recoleccin por la base p B1 de Q1 (y el colector p C2 de Q2). La eliminacin de esta corriente de huecos en la base p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el MCT regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta VGA, desva la corriente que excita la base de Ql, desactivando por lo tanto el MCT. El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado. Un MCT tiene Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin: Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4 s, y un tiempo de desactivado rpido, tpicamente 1.25s, para un MCT de 300A, 500v. Bajas perdidas de conmutacin. Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de excitacin.

Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin continua a fin de evitar ambigedad de estado.

3. Drivers para disparo de tiristores: acople directo, transistor monojuntura ujt.

A. Acople directo En general, se requiere un circuito aislante entre el tiristor y su circuito generador de impulso de compuerta. Este aislamiento se puede llevar a cabo ya sea con un transformador de pulso o un optoacoplador. Un acoplador ptico puede ser como el que se muestra a continuacin:

Figura 12. Aislador acoplado por foto SCR Este circuito consiste en que con un pequeo pulso el LED active el foto SCR, para que se dispare el Tiristor de potencia. Por otro lado, se puede utilizar el siguiente arreglo de aislamiento con transformador de pulso.

Figura 12. Pulso corto Cuando se aplica un voltaje en el transistor conmutador, el transistor se satura y el voltaje Vcc aparece en el primario del transformador, que a su vez produce un voltaje en el secundario, el cual va a ser aplicado a la compuerta del tiristor. Cuando el voltaje a la entrada del transistor es cero, por lo que aparece un voltaje inducido opuesto sobre el primario, haciendo que el diodo conduzca, induciendo nuevamente un voltaje (inverso) en el secundario. Si se desea aumentar el ancho del pulso, se puede conectar un capacitor a la resistencia; el transformador se saturara y limitara el ancho del pulso. Este tipo de arreglos se utiliza tpicamente para anchos de pulso entre 50S y 100S.

Figura 13. Pulso largo y generador de tren de pulsos.

Tambin se puede utilizar un embobinado auxiliar para obtener un tren de impulsos. Cuando se activa el transistor, aparece un voltaje sobre la bobina auxiliar, haciendo que el diodo de la base se polarice en inverso y se desactive el transistor. Mientras tanto, el capacitor a la entrada se cargara mediante la resistencia que tiene conectada, activando nuevamente al transistor. El proceso de activacin y desactivacin contina siempre y cuando exista una seal a la entrada del circuito aislador. Del mismo modo, en vez de utilizar el embobinado auxiliar, se podra generar un tren de pulsos utilizando una compuerta AND, que conmuta respecto a un oscilador. En la prctica, la compuerta AND no se conecta directamente al transistor sin alguna etapa intermedia entre los dos elementos.

Figura 14. Tren de pulsos con mecanismos de tiempo y lgica AND A continuacin se muestra otro arreglo con amplificador de pulsos. El circuito de la derecha es el modelo simplificado del transformador visto desde el primario. Se tiene un transistor conmutando con una carga inductiva. Cuando el transistor se encuentra activo, el diodo del colector se encontrar abierto debido A una tensin positiva ctodo - nodo, pero a diferencia, el diodo del secundario se encontrar polarizado positivamente, por lo que conducir corriente a travs de la resistencia de carga. Debido a que la tensin sobre la bobina es la tensin de la fuente, la corriente que a traviesa la bobina es la integral de Vcc/L, obteniendo una corriente en forma de rampa. A diferencia, la corriente que circula por la resistencia de carga ser V cc=n2R, cuyo valor es constante. Ahora, cuando el transistor queda abierto debido a la seal de entrada. La polaridad de la bobina polariza inversamente al diodo que acompaa a la resistencia de carga, pero a su vez polariza en directo al diodo auxiliar y a su vez al diodo zener, el cual va a establecer un voltaje zener. Como la polaridad de la bobina cambi, el sentido de la corriente tambin, por lo que la corriente tendr la forma de rampa descendente. Para que el transformador de impulsos funcione correctamente, la bobina debe desmagnetizarse antes del siguiente impulso, por lo que en caso contrario se puede llegar a la saturacin del transformador.

Figura 15. Diferencia en carga.

A. Transistor monojuntura UJT El IC TCA785 est diseado especficamente para el control de tiristores y triacs. Con este dispositivo se puede calcular el retardo con el que se realizar el disparo del tiristor. Algunas aplicaciones tpicas incluyen circuitos convertidores, controladores AC y controladores de corriente trifsica. A continuacin el diagrama de bloques del IC. La seal de sincronizacin se obtiene del voltaje V5. Un detector de cruce por cero, evala los cruces por cero y los transfiere al registro de sincronizacin. Este registro de sincronizacin controla un generador de rampa, es decir el condensador C10

que se carga a una corriente constante determinada por R9. Si la tensin de la rampa V10 excede el voltaje de control de V11(con ngulo phi), una seal se procesa. Dependiendo de la magnitud del voltaje de control V11, el valor de phi se desplazar entre 0 y 180 grados.

4. Drivers aislados para disparo de tiristores: transformadores de pulso, pticos (opto-triacs)

En los convertidores de tiristores, aparecen diferentes potenciales en las distintas terminales. El circuito de potencia est sujeto a una alta tensin, por lo general mayor a 100V, y el circuito de compuerta se mantiene a una baja tensin, tpicamente de 12 a 30 V. Se requiere de un circuito aislante entre el tiristor individual y su circuito generador de impulso de compuerta. El aislamiento se puede llevar a cabo ya sea mediante transformadores de pulso o mediante acopladores pticos. Un acoplador ptico podra ser un fototransistor o un foto SCR, tal y como se muestra en la figura 1. Un pequeo pulso a la entrada de un diodo de emisor de luz infrarroja (ILED), D1, activa el foto SCR T1 y dispara el tiristor de potencia Tl. Este tipo de aislamiento requiere de una fuente de alimentacin de energa por separado Vcc y aumenta el costo y el peso del circuito de disparo.

Figura 16. Aislador acoplado por foto SCR. En la figura 17A aparece un sencillo arreglo de aislamiento con transformadores de pulso. Cuando se aplica de tensin adecuado en la base del transistor conmutador Q1, el transistor se satura y la tensin de cd Vcc aparece a travs del primario del transformador, produciendo una tensin pulsando sobre el secundario del transformador, el cual es aplicado entre la compuerta del tiristor y su ctodo. Cuando se elimina el pulso de la base del transistor, est se desactiva presentando una polaridad opuesta en el primario, por lo que el diodo en marcha libre Dm conduce. La corriente debida a la energa magntica del transformador se reduce desde Dm hasta cero. Durante esta reduccin transitoria, una tensin inversa correspondiente se induce en el secundario. El ancho del pulso se puede hacer ms largo, conectando un capacitor C a travs de la resistencia R, tal y como se muestra en 2B. El transformador conduce corriente unidireccional y el ncleo magntico se satura, limitando por lo tanto el ancho del pulso. Esta tipo de aislamiento es adecuado para pulsos tpicamente de 50s a 100s.

Figura 17. Aislamiento por transformador de pulso. En muchos convertidores de potencia con cargas inductivas, el periodo de conduccin de un tiristor depende del factor de potencia de la carga; por lo tanto el inicio de la conduccin del tiristor queda bien definido. En esta situacin, a menudo resulta necesario disparar los tiristores en forma continua. Sin embargo, una conmutacin continua aumenta las perdidas en el tiristor. Se puede obtener un tren de pulsos, cosa que resulta preferible, mediante un embobinado auxiliar, tal y como se muestra en la figura 2 C. Cuando se activa el transistor Q1, tambin se induce una tensin en el embobinado N3 en la base del transistor Q1, de tal forma que el diodo D1 queda en polarizacin inversa y Q1 se desactiva. Entretanto, el capacitor C1 se carga a travs de R1 y vuelve a activar a Q1. Esta proceso de activacin y desactivacin continuar siempre que exista una seal de entrada v1 al circuito aislador. En vez de utilizar el embobinado auxiliar como oscilador de bloqueo, se podra generar un tren de pulsos mediante una compuerta lgica AND con un oscilador, tal y como se muestra en la figura 2 D. En la prctica, la compuerta AND no puede excitar directamente al transistor Q1, y normalmente se conecta una etapa intermedia antes del transistor.

5. Drivers integrados para el control de tiristores

En aplicaciones comerciales con tiristores se acostumbra a utilizar drivers integrados en lugar de emplear drivers con elementos discretos. Un ejemplo de driver integrado es el chip TCA-785.

Fig 18. Diagrama de bloques del driver TCA-785.

En el diagrama se puede observar algunas caractersticas especiales del circuito, dispone de un pin para la sincronizacin con la lnea, dos pines para limitar el cruce por cero de la seal de la lnea, as como de una fuente de corriente interna. El mtodo empleado para generar la seal de control (ngulo de desfase) para el tiristor, consiste en comparar una seal de tensin continua (ajustada con elementos externos) con una seal diente de sierra sincronizada con la lnea, cuando se produce un cruce de la seal de la lnea con la diente de sierra el circuito comparador interno genera una seal que es convertida en un pulso a la salida del circuito.

Fig 19. Seales de comparacin utilizadas para generar el pulso de control.

La potencia entregada por el convertidor de potencia que se controla es graduada por el nmero de pulsos generados y su anchura. Algunas de las ventajas de utilizar circuitos driver integrados es que se reducen los transitorios y no se emite radiofrecuencias.

6. Transistores de conmutacin
A. BJT (Bipolar Junction Transistor) El colector conduce la corriente (en una direccin) cuando la corriente aplicada en base es suficiente. Potencias del dispositivo de corriente son de 0,5 a 500 A o ms; tensiones de 30 a 1200V. Tiempos de conmutacin 0,5 a 100 ms. Se aplican a los circuitos de CC-CC, combinaciones con los diodos se utilizan en los inversores. Los BJTs estn siendo reemplazados por los FETs y de los IGBT. B. MOSFET (Field Effect Transistor) Realiza consumo de corriente cuando la tensin aplicada a gate es suficiente. FET de potencia (casi siempre enhancemento de MOSFETs) tienen un diodo conectado en paralelo inverso, en virtud de su construccin. Calificaciones de 1 a 100 A y 30 hasta 1000V. Tiempos de conmutacin son rpidos, de 50 o menos hasta 200 ns. La funcin se aplica a la conversin DC-DC, donde el FET es de uso generalizado, y para inversores. C. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Un tipo especial de transistor FET de potencia que tiene la funcin de un BJT con su base impulsado por un FET. Ms rpido que un BJT de las calificaciones similares, y fcil de usar. Clasificaciones de 10 a> 600 A, con tensiones de 600 a 1700V. El IGBT es popular en los inversores de 1 a 100 kW o ms. Se encuentra casi exclusivamente en aplicaciones de electrnica de potencia.

7. Drivers para disparo de transistores bjt, mosfet, igbt: acople directo.

La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo de activacin t(on) y el tiempo de desactivacin t(off). Se puede reducir t(on) permitiendo el pico de corriente de base durante la activacin, resultando en el principio una (f) forzada baja. Despus de la activacin, se puede aumentar (f) a un valor lo suficientemente alta como para

mantener el transistor casi de saturacin. t(off) se puede reducir invirtiendo la corriente de base y permitiendo que durante la desactivacin la corriente de base llegue a valor pico. Aumentar el valor de la corriente de base inversa Ib2 reduce el tiempo de alimentacin.

Fig 20. Forma de onda de la corriente de excitacin de la base

8. Drivers para disparo de transistores bjt, mosfet, igbt: transformadores de pulso, pticos.
Los transformadores de pulso tienen un embobinado primario y pueden tener o no uno o ms embobinados secundarios. Varios embobinados secundarios permiten seales de compuerta a transistores conectados en serie o en paralelo. Es importante que el transformador deber tener una pequea inductancia de fuga, y el tiempo de elevacin del pulso de salida deber ser muy pequeo. Con un pulso relativamente largo y un abaja frecuencia de conmutacin el transformador se saturara y su salida se distorsionara. Los acopladores pticos un diodo emisor de luz infrarroja (ILED) y un fototransistor de silicio. La seal de entrada se aplica al ILED y la salida se forma del fototransistor. Los tiempos de elevacin y de abatimiento de los fototransistores son muy cortos, con valores tpicos de tiempo de activacin t(on) = 2 a 5 us y un tiempo de abatimiento t(off) = 300 ns. Estos tiempos de activacin y de abatimiento restringen las aplicaciones de alta frecuencia. El fototransistor podra ser un par Darlington. Los fototransistores requieren de una alimentacin de energa por separado y aumentando la complejidad, costo y peso de los circuitos de excitacin.

9. Drivers para disparo de transistores bjt, mosfet, igbt: drivers integrados.

Una clase de circuitos integrados que se puede encontrar, son los denominados CI excitadores de compuerta. Los requisitos de excitacin que debe satisfacer un interruptor con MOSFET o con IGBT, son los siguientes: El voltaje de compuerta debe ser de 10 a 15 V mayor que el voltaje de la fuente o el emisor. Como el excitador de potencia se conecta al canal de voltaje principal + Vs el voltaje de compuerta debe ser mayor que el del canal. El voltaje de compuerta, que se refiere a tierra en el caso normal, debe ser controlable desde un circuito lgico. As, las seales de control deben desplazar su nivel hasta la terminal de alimentacin del dispositivo de potencia, que en la mayor parte de las aplicaciones oscila entre los dos canales V+.

Entre ellos estn el control por modulacin de ancho de pulso (PWM). Por correccin de factor de potencia, control por PWM y PFC combinados, control por modo de corriente, puente excitador en excitador servo, excitadores en medio

puente, excitador por motor a pasos y excitador para compuerta de tiristor. Esos CI se pueden usar para aplicaciones como convertidores reductores para cargadores de bateras, convertidor directo dual para propulsores de motorde reluctancia conmutada, inversor de puente completo con control por modo de corriente, inversor trifsico para propulsores de motor sin escobillas y de induccin, puente convertidor reductor-elevador para fuentes de alimentacin y control sncrono por PWM de fuentes de alimentacin en modo conmutado (SMPS). Los canales lgicos de entrada se controlan con seales compatibles cpn TJI /CMOS. Los umbrales de transicin son distintos de un dispositivo a otro. Algunos MGD tienen el umbral de transicin proporcional al App de alimentacin lgica (3 a 20 V), y los acopladores Schimitt de disparo con histresis igual al 10% de Vdd para aceptar entradas con largo tiempo de subida, mientras que otros MGD tienen una transicin fija del 0 lgico al 1 lgico entre 1.5 y 2 V. Algunos MGD solo pueden excitar un dispositivo en el lado de alta potencia, mientras que otros uno en el lado de alta potencia y uno en el de baja. Otros pueden excitar un puente trifsico completo. Todo excitador en lado de alta potencia tambin puede excitar a un dispositivo en el de baja. Los MGD con dos canales de excitacin de compuerta pueden tener comandos duales, y en consecuencia independientes de entrada, o un solo comando de entrada con excitacin complementaria y tiempo muerto predeterminado. La etapa de salida del lado de baja potencia se implementa ya sea con dos MOSFET de canal N en configuracin ttem, o con una etapa de inversor CMOS de canal N y uno de canal P. El seguidor de fuente funciona como fuente de corriente y como fuente comn para disipar corriente. La fuente del excitador de baja se conecta en forma independiente con la terminal 2, por lo que se puede hacer una conexin directa a la alimentacin del dispositivo de potencia para el retorno de la corriente de excitacin de compuerta. De este modo se puede evitar que algn canal opere con bloqueo por bajo voltaje se Vcc es menor que un valor especificado. El canal del lado de alta potencia se ha incorporado a una tina de aislamiento capaz de flotar con respecto a la tierra comn (COM). La tina flota en el potencial de Vs que se establece pero el voltaje aplicado a Vcc y oscila entre los dos canales. La carga de compuerta para el MOSFET del lado de alta potencia la proporcional el capacitor de de arranque durante el tiempo en que el dispositivo est apagado. Como el capacitor se carga con una fuente de bajo voltaje, la potencia consumida para excitar la compuerta es pequea. Por consiguiente los transistores excitados por MOS presentan una caracterstica de entrada capacitiva; esto es al suministrar una carga a la compuerta en lugar de una corriente continua, se puede encender el dispositivo. El controlador en modo de corriente PWM entre sus propiedades estn baja potencia en estado de reserva, arranque suave, deteccin de corriente pico, bloqueo por bajo voltaje en la entrada, desconexin trmica y proteccin contra sobre voltaje, as como una alta frecuencia de conmutacin, de 100kHz.

En el mercado podemos encontrar varias clases de CI que se pueden implementar como drivers de disparo: IR2110 De International Rectifier, es un driver de alta velocidad y alto voltaje para MOSFET e IGBT, en la siguiente figura se observa una configuracin tpica del CI IR2110:

Fig. 21 Conexin IR2110 CI TLP250 De Toshiba, es otro CI utilizado para la activacin y control de los transistores MOSFET e IGBT funciona utilizando un LED de GaAlAs y un fotodetector integrado.

Fig. 22 TLP250

Si4720CY De VISHAY, que funciona como un bloqueador en inverso para aplicaciones de batera desconectada, til para dispositivos que requieran mltiples bateras, o una aislacin del bus de poder durante la carga, aqu se muestra un esquema del interior del CI:

Fig.23 esquema del CI TC4424 Por ultimo vale la pena mencionar este CI fabricado por la empresa Microchip, de alta velocidad, que asegura poder cargar 1800pF de capacitancia en la compuerta, por debajo de los 35ns, lo cual puede asegurar impedancias lo suficientemente bajas tanto en el encendido como en el apagado, asegurando que el estado del MOSFET no se ver afectado.

10. Snubbers y diseo de snubbers.

Los semiconductores presentan unos lmites muy estrictos en cuanto a valores mximos de tensin corriente y potencia soportados, que si son superados podran provocar la destruccin del dispositivo. Cuando se disea un circuito se tiene

que poner especial cuidado en que sus componentes puedan resistir las condiciones de trabajo ms desfavorables que tengan lugar, tanto durante su funcionamiento normal como ante determinadas acciones ajenas a la propia operacin normal del circuito. Los circuitos de ayuda a la conmutacin conocidos comnmente como snubber son una parte esencial en muchos de los circuitos electrnicos de potencia. Bsicamente podemos considerarlos como un conjunto de componentes (pasivos y/o activos) que se incorporan al circuito de potencia para reducir en el dispositivo semiconductor el estrs elctrico durante las conmutaciones (Voltajes aplicados a los dispositivos durante el apagado, la corriente en el dispositivo durante el encendido, el rango de subida de la corriente di /dt en el dispositivo durante el encendido, el rango de subida dv/ dt del voltaje a travs del dispositivo durante el apagado o durante la aplicacin del voltaje de bloqueo, y por ltimo en dar forma a las trayectorias de conmutacin mientras el dispositivo se enciende y se apaga ) y asegurar un rgimen de trabajo seguro. La funcin principal que desarrollan los circuitos de ayuda a la conmutacin es absorber la energa procedente de los elementos reactivos del circuito durante el proceso de conmutacin controlando parmetros tales como la evolucin de la tensin o corriente en el interruptor, o bien limitando los valores mximos de tensin que ha de soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los semiconductores al reducirse la degradacin que sufren debido a los aumentos de potencia disipada y de la temperatura de la unin. As, entre los circuitos de snubbers pueden distinguirse dos tipos bsicos: Aquellos que controlan el transitorio de apagado controlando el crecimiento de la tensin entre nodo y ctodo vAK (snubber de apagado). Como elementos almacenadores de energa emplean condensadores, ya que la tensin en estos componentes no puede variar bruscamente. Aquellos que controlan el transitorio de encendido controlando la velocidad de crecimiento de la corriente que atraviesa el tiristor (snubber de encendido). Emplean bobinas como elementos almacenadores de energa, ya que la intensidad en ellas no puede variar de forma brusca.

Asi mismo, a continuacin se explica el funcionamiento bsico de cada uno de estos circuitos de proteccin. A. Snubbers para el control de dvAK/dt El apagado de un tiristor no es un proceso controlable de forma externa mediante el circuito de control. Para apagarlo, el circuito al que el semiconductor est conectado debe provocar que la intensidad que circula por l sea menor que la intensidad de mantenimiento (tpicamente se supone igual a cero). Pero no slo eso: desde el instante en que se anula la intensidad que circula por el tiristor hasta que realmente puede aplicarse una tensin vAK>0 sin riesgo de que el tiristor se encienda de nuevo de forma accidental, debe transcurrir un tiempo mnimo tq especificado por el fabricante. Adems, al aplicar una tensin v AK>0, la velocidad de crecimiento de sta debe mantenerse por debajo de un lmite, tambin especificado por el fabricante, pues en caso contrario se disparar por derivada de tensin. Para limitar el crecimiento de la tensin se emplean circuitos del tipo RC (figura 3.24). Cuando el tiristor T est apagado, el condensador Csnubber se carga a travs de la resistencia en serie. Justo en el momento en que el tiristor se dispara, el condensador se descarga a travs de l.

El valor de Rsnubber debe ser lo suficientemente grande como para limitar la corriente que pasa por T en el momento en que ste entre en conduccin, ya que por l no slo circular la corriente procedente del condensador, sino tambin la que

le llega a travs del circuito de potencia. Sin embargo, un valor de Rsnubber muy elevado provocara un aumento de la tensin vAK excesivamente lento que perjudicara al circuito de potencia.

B. Snubbers para el control de di/dt Para evitar que al entrar en conduccin el tiristor la corriente que circula por l crezca muy rpidamente y originen puntos calientes que provoquen la destruccin del semiconductor, se conecta en serie con el tiristor una inductancia. El valor de L debe elegirse de forma tal que cumpla que la derivada de intensidad di/dt sea menor que la especificada por el fabricante. Sin embargo, esta configuracin, adems de limitar la velocidad de aumento de la corriente en el proceso de encendido (que es el objetivo que se persigue), tambin limita la velocidad de disminucin de la misma en el proceso de apagado. Esto ltimo puede resultar un inconveniente. Para evitarlo, resulta apropiado emplear el circuito de proteccin que se presenta en la figura 3.26. Normalmente no preocupa demasiado el proteger contra grandes derivadas de corriente, ya que el propio circuito de potencia al que est conectado el tiristor posee inductancias parsitas procedentes de las fuentes, de las propias conexiones, etc., que hacen el papel de un snubber. Estas inductancias parsitas provocan que la corriente que circula por el tiristor no aumente ni disminuya de forma brusca.

Otras configuraciones de snubbers de apagado

Snubbers de encendido