ProblemasCEA 11-12

Componentes electrónicos Avanzados. Problemas.
Curso 2011-12
Semic. InSb InAs Ge GaSb Si InP GaAs AlSb AlAs GaP AlP GaN AlN InN
Eg(eV) 0.17 0.36 0.66 0.73 1.12 1.35 1.42 1.65 2.16 2.26 2.45 3.4 6.1 0.9
a (nm) 0.6479 0.6057 0.5646 0.6095 0.5431 0.5869 0.5653 0.6149 0.5661 0.5451 0.5452 0.3188 0.3112 0.3533
constante valor
q (C) 1.60218·10-19
kB (eV/K) 8.61734·10-5
c0 (m/s) 2.99792·108
h (J·s) 6.62607·10-34
Tema 1. Propiedades básicas de los semiconductores.

1) [Cfr. Jul.11-(1.b-c)]
a) La sensibilidad del ojo humano (en visión diurna) es máxima para  =……..…
Las longitudes de onda más importantes para comunicación por fibra óptica son ….…. y ………
b) Indica a qué región del espectro electromagnético corresponden las siguientes longitudes de onda.
Utiliza la siguiente notación: V = visible, NIR = infrarrojo cercano, MIR = infrarrojo medio, FIR = infrarrojo
lejano, UV = ultravioleta. Dentro del visible, señala con una R las longitudes de onda que estén en el rojo.
95 nm ……. 193 nm ……. 325 nm ……. 450 nm ……. 590 nm ……. 635 nm …….
720 nm ……. 870 nm ……. 1064 nm ……. 5 m ……. 12 m ……. 42.5 m ……
2) Mirando a la gráfica de Eg en función del parámetro de red responde a las siguientes cuestiones:
a) Qué rango de Eg (anchura de banda prohibida) y de g ( equivalente) cubre el GaAsP
b) En qué rango de g (aprox.) es directo el AlGaSb
c) Qué Eg (aprox.) tiene el InAsSb que tiene el mismo parámetro de red que el GaSb
d) Idea feliz: Queremos encontrar una aleación cuaternaria con Eg un poco mayor que el
Ga0.5In0.5As, que tenga el mismo parámetro de red que ésta y que no sea GaInAsP. A la vista de
lo visto con otros semiconductores ¿cuál se te ocurre que quizá podría valer?
3) Usando los parámetros de red que se dan en la tabla:
a) Haz una estimación del parámetro de red de los siguientes semiconductores y su desajuste de
parámetro de red (en %) respecto al GaAs: (i) Ga0.9In0.1As; (ii) Al0.5Ga0.5As; (iii) GaAs0.6P0.4.
b) Haz una estimación de para qué composiciones las siguientes aleaciones tendrán el mismo
parámetro de red que el sustrato que se indica: (i) Ga1-xInxAs/InP; (ii) Ga1-xInxP/GaAs
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Componentes electrónicos Avanzados. Problemas. Curso 2011-12
4) [Nov.10-(1.a)] Calcula qué relación de composiciones tendrá que cumplir la aleación de GaInAsP para
que su parámetro de red sea el mismo que el del InP. Nota: indica claramente la notación que utilices.
5) [cfr. Sept.03-(1.a-c)] Supón que estamos interesados en el GaInAsP acoplado al GaAs:
a) Dibuja sobre la gráfica de clase esta aleación.
b) ¿Cuáles de los materiales de esta familia será el de menor Eg y cuál el de mayor?
c) Si denominamos este material como Ga1-xInxAs1-yPy , encuentra la relación entre x e y para que se
cumpla la condición de que el parámetro de red sea el mismo que el del GaAs.
6) [Cfr. Jul.11-(1.a)] Indica si los siguientes dopados son de tipo donor (D), aceptor (A), anfótero (D/A) o
ninguno de los tres (?), razonando tu respuesta:
a) Si:B b) Ge:As c) Si:C d) Si1-xGex:Ga e) InP:S f) GaAs:Zn g) GaN:Mg h) AlGaAs:Si
7) Dibuja en cinco viñetas (1.- estado inicial más probable, 2.- primer paso, 3.- estado intermedio, 4.- segundo
paso y 5.- estado final) en el diagrama E(x) (energía frente a posición) los siguientes procesos:
a) [Feb.08-(3.b)] Recombinación vía centro profundo en un semiconductor tipo n

b) [Cfr. Feb.09-(2.b)] Generación vía Fe (centro profundo) en Si:B.
8) [Feb.09-(1)] En el proceso conocido como recombinación Auger el número de recombinaciones por
unidad de volumen en la unidad de tiempo es proporcional a la concentración de minoritarios y
proporcional a la de mayoritarios al cuadrado. Sea un semiconductor extrínseco tipo n en el que
domine este proceso. Llamamos no y po a las concentraciones de portadores en equilibrio.
Suponemos inicialmente baja inyección.
a) Deduce una expresión para el tiempo de recombinación 
b) Escribe n(t) si para t=0 n= n(0) y para t>0 no existe generación externa de portadores.
c) Di el tiempo que tarda n en reducirse a la mitad.
d) e) y f) Repite los apartados anteriores para alta inyección (n >> NDef)
9) [Jul.10-(1)] Una muestra de semiconductor tiene una constante de tiempo de recombinación radiativa
rad=15 ns y una constante de tiempo de recombinación no radiativa norad =80 ns. Calcula:
a) la constante de tiempo total 
b) la eficiencia de recombinación radiativa rad (en %)
c) el número de pares electrón-hueco que habría que generar por unidad de volumen y unidad de
tiempo (R) para conseguir un exceso de portadores n=p=1010 cm-3
d) el tiempo que, una vez cesada la generación externa, tardaría el exceso de portadores en reducirse
al 1% de la de condiciones estacionarias.
Supón que, debido a un proceso tecnológico incorrecto, aumenta en un factor 10 la concentración de
centros profundos en la muestra.
e) Haz una estimación de la nueva constante de tiempo  y la nueva rad
10) [Oct.03-(10)] Sea una oblea de InP a T=300 K dopada con carbono en una concentración de 2·1017
cm-3 de modo que el 80% de los átomos de C han sustituido al P y el 20% al In. Se dan como datos
ni = 3·107 cm-3,  = 20 ns, Eg = 1.35 eV y Ei = 0.69 eV, tomando el origen de energías en Ev.
a) Calcula la concentración de portadores en el equilibrio, indicando cómo lo calculas
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b) Calcula la energía de los pseudoniveles de Fermi (tomando el origen de energías en Ev) para una
generación externa de 5·1020 pares e-h/(cm3 s)
c) A la vista de los resultados, justifica numéricamente si son correctas o no en este caso la
suposición de baja inyección y la aproximación de no degeneración.
11) [Nov.07-(3)] Dibuja los pseudo-niveles de Fermi en función de la posición (x) para la inyección de
portadores n(x)=p(x) de la figura. Pon especial atención a los puntos x1, x2, x3 y x4 que se indican.
12) [Jul.11-(2)] Indica cuáles de las frases siguientes son verdaderas (y argumenta brevemente por qué)
y cuáles falsas (y desmiéntelas con un ejemplo):
a) Si la generación es igual a la recombinación la situación es de equilibrio
b) Si las concentraciones de portadores en un semiconductor son iguales a las de equilibrio dicho
semiconductor está en equilibrio
c) En inyección de portadores y neutralidad de carga Fn y Fp se desplazan aproximadamente lo
mismo respecto al nivel de Fermi de equilibrio
13) [Soluciones] Experimentalmente se sabe que la anchura de banda del AlxGa1-xAs a temperatura
ambiente en el rango de composiciones en el que es directo (x < 0.45) viene dada por Eg(x)  1.42
eV + 1.247·x eV. Se sabe además, como vimos en teoría, que para las heterouniones GaAs/AlGaAs
(o AlGaAs/ AlGaAs) con AlGaAs directo se cumple que Ev  Eg/3. Dibuja los diagramas de
bandas de las heterouniones siguientes, indicando los valores de Eg, Ec y Ev:
a) GaAs/Al0.3Ga0.7As; b) Al0.4Ga0.6As /Al0.3Ga0.7As. (Puedes suponer dopados despreciables).
14) [Soluciones] La anchura de banda prohibida del Ga1-xInxAs sin tensar viene dada por Eg(x)= 1.42 -
1.62·x + 0.56·x2 eV. Una hipotética heterounión Ga1-xInxAs(sin tensar)/GaAs tendría Ec/Eg  0.7
y sería de tipo I. Sin embargo, el parámetro de red del Ga1-xInxAs depende de la composición (los
parámetros de red del GaAs y el InAs son 0.5653 nm y 0.6057 nm, respectivamente) y nos interesa
el alineamiento de las bandas en heterouniones Ga1-xInxAs/GaAs en las que el Ga1-xInxAs esté
acoplado al parámetro de red de un substrato de GaAs. (El Ga1-xInxAs estará, pues, comprimido
biaxialmente). Se sabe además que para una compresión biaxial la energía de la banda de valencia
del Ga1-xInxAs se desplaza 44 meV/% mientras que apenas modifica Ec.
a) Busca una expresión para Eg(x) para el Ga1-xInxAs acoplado al GaAs y dibújala en una gráfica
junto a la Eg(x) del Ga1-xInxAs sin tensar. Da los valores numéricos para x= 0.1, 0.2 y 0.3.
b) Calcula Ec, Ev y Ec/Eg para x= 0.1, 0.2 y 0.3, dibuja los diagramas de bandas para las
heterouniones correspondientes (supón dopados despreciables) y di si son de tipo I o de tipo II.
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15) [Jul.11-(3)] Alineamiento de bandas en heteroestructuras AlGaInP/AlGaInP acopladas al GaAs.

Para el (AlxGa1-x)0.5In0.5P la dependencia con la composición de la energía del máximo de la banda
de valencia Ev(x) y de los mínimos de la banda de conducción Ec(x) y EcX(x) (siendo Ec la energía
del mínimo en k=0 y EcX la energía de los mínimos en k0 ), viene dada por:
Ev(x)  - 0.35·x Ec(x)  1.85 + 0.25·x EcX(x)  2.08 - 0.2·x ,
donde se ha tomado el origen de energías en Ev(0).
a) Dibuja Ev(x) y Ec(x) y determina la composición de paso de directo a indirecto
Sean las heterouniones que se indican:
(1) Ga0.5In0.5P/Al0.2Ga0.3In0.5P ; (2) Ga0.5In0.5P/ Al0.4Ga0.1In0.5P ; (3) Al0.2Ga0.3In0.5P/Al0.5In0.5P
b) Calcula Ec y Ev para dichas heterouniones e indican si son de tipo I o de tipo II.
c) Dibuja los diagramas de banda correspondientes, indicando también los valores de E g de los
semiconductores que las componen y si son directos o indirectos. (Puedes suponer dopados
despreciables)
d) Si quisiéramos hacer una heteroestructura de tipo I Al0.2Ga0.3In0.5P/(AlxGa1-x)0.5In0.5P, de modo
que los portadores estuvieran confinados en el Al0.2Ga0.3In0.5P ¿cuál sería el mayor valor de Ec
que podríamos conseguir y cuál tendría que ser el valor de x para conseguirlo?
16) [Ene.11-(2), cfr. Nov.07-(4)] (i) Completa el diagrama de bandas de la unión extrínseca de la figura
(con dopado p uniforme) teniendo en cuenta el alineamiento de bandas de la heterounión intrínseca
(figura de la izquierda). (ii) Dibuja la dependencia espacial de las concentraciones de portadores en
equilibrio (no(x) y po(x)) y de la concentración intrínseca de portadores (ni(x)).
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Problemas de autoevaluación
Problemas de exámenes de la asignatura Componentes Electrónicos Avanzados (CEA).
Los enunciados originales y las soluciones están en www.ele.uva.es/~pedro/optoele/exams/CEA .
La referencia entre corchetes indica el examen y el número de problema.
1) [Feb.10-(3.a)+ xls] Deduce la relación entre la longitud de onda  expresada en micras y la energía de
fotón h expresada en eV, y obtén el “1.24” con cuatro decimales. (ver tabla de la página 1).
2) [Oct.03-(6)]
a) Deduce la relación entre E y k para los fotones y dibújalo para valores de k positivos y negativos.
b) Haz una estimación del valor de la energía (en eV) que tendría un fotón si tuviera un vector de
onda en el vacío igual al kmax de un semiconductor típico.
(Notación: llamamos 2kmax al periodo de las curvas E(k) en los semiconductores).
3) [Oct.04-(2)] Responde ayudándote de la gráfica “Eg vs.a” y de la tabla de la página 1:
a) Qué familia de semiconductores III-V directos tiene el mismo parámetro de red que el InAs.
Di también cuál será el semiconductor de esta familia con menor Eg y cuál será su g (aprox.).
b) Qué aleación III-V directa con a = a(Ge) tiene mayor Eg.
c) Qué sustrato comercial de semiconductor III-V elegirías para el crecimiento epitaxial de
Si0.3Ge0.7.
4) [Oct.03-(4-5)] Contesta sin la ayuda de la gráfica de “Eg vs.a”.
a) Cuál es el semiconductor III-V binario directo con mayor Eg que conoces.
b) Qué aleación directa nos permite conseguir g en el rango de la 2ª y de la 3ª ventana de
comunicación óptica con un parámetro de red igual al de un sustrato comercial.
c) Di cuál es el sustrato comercial con aprox. el mismo parámetro de red que el Ga0.5In0.5P.
d) Cómo se puede modificar la composición del Ga0.5In0.5P de modo que aumente su Eg y no cambie
apreciablemente su parámetro de red.
5) [Feb.08-(1)] Estamos interesados en la familia del GaxIn1-xAs1-ySby con el mismo parámetro de red que
el InAs. Ayudándote de la tabla y de la gráfica (página 1):
a) Calcula la composición del material de dicha familia que tiene mayor anchura de banda prohibida
Eg. Indica las operaciones.
b) Calcula la relación que se tiene que cumplir entre x e y para que el parámetro de red sea el del
InAs. Indica cómo lo calculas.
6) [Feb.07-(3)] La familia del AlGaAsSb con el mismo parámetro de red que el InP ha suscitado
recientemente un cierto interés tecnológico.(1) Ayudándote de la tabla y de la gráfica (página 1):
a) Señala dicha familia en la gráfica y haz una estimación del rango de Eg que cubre.
b) Calcula la composición de los miembros de dicha familia con mayor y menor Eg.
c) Calcula la relación entre x e y tiene que cumplir el AlxGa1-xAsySb1-y para tener el mismo
parámetro de red que el InP.(2)
(1): En concreto, se está intentado utilizar para la fabricación de reflectores de Bragg en láseres de
cavidad vertical con emisión en 2ª y 3ª ventana, ya que permite conseguir un contraste de índices de
refracción bastante mayor que la familia del GaInAsP/InP (cfr. temas 2 y 6).
(2): Si haces aproximaciones justifícalas y cerciórate de que son adecuadas para este caso.
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7) [Oct.04-(3)] Representa en el diagrama de energías frente a posición:

a) una impureza de Zn en InP sin ionizar. b) una impureza de Zn ionizada.
Representa en un diagrama de enlaces:
c) una impureza de Zn en InP sin ionizar. d) una impureza de Zn ionizada.
8) [Feb.05-(2); cfr. Sept.06-(1)] Sea una muestra de semiconductor III-V a T=300 K con una concentración
de Be de 1017 cm-3 y una concentración de S de 4·1016 cm-3, y con Eg= 1.3 eV , Ei - Ev = 0.7 eV, ni=
107 cm-3, rad =10 ns y norad=15ns. Dicha muestra se somete a una generación externa de R=1021
pares electrón-hueco/(cm3·s). Calcula:
a) las concentraciones de electrones y de huecos (n y p)
b) las posiciones de los pseudoniveles de Fermi (Fn y Fp), medidos respecto a Ev.
c) el número de recombinaciones radiativas por unidad de volumen en la unidad de tiempo.
9) [Feb.06-(2)] Sea un semiconductor tipo n, con concentraciones de equilibrio no y po en el que la
recombinación es banda a banda. Supón que para t=0 tenemos p ≈ 0 (es decir, p«po) y que hay
neutralidad de carga. Indica si estamos o no en baja inyección. Calcula la dependencia funcional de
p(t) (evolución temporal de la concentración de minoritarios) suponiendo que para t>0 el sistema
evoluciona sin perturbación externa. Indica cómo lo hayas.
10) [Feb.07-(1)] Sea una muestra de semiconductor III-V a 25ºC con Eg= 1.7 eV , Ei - Ev = 0.9 eV, ni=
105 cm-3 y que está impurificada con una concentración de Se de 2·1016 cm-3 y una concentración de
Be de 1017 cm-3. Se sabe además que para dicha muestra la eficiencia de recombinación radiativa es
ηrad=50% y que la constante de recombinación radiativa banda a banda en baja inyección es rad = 40
ns. Responde a los apartados siguientes indicando cómo haces los cálculos.
a) Calcula las concentraciones de electrones y huecos en equilibrio (no y po)
b) Calcula el número de recombinaciones radiativas banda a banda por unidad de volumen y unidad
de tiempo en el equilibrio.
Se somete a la muestra a una generación de pares electrón-hueco con aporte externo de energía y se
alcanza la situación estacionaria, de modo que la concentración de portadores minoritarios es de
2·1012 cm-3
c) Argumenta si la situación es de baja inyección o no y calcula el número de pares electrón-hueco
generados (mediante aporte externo de energía) por unidad de volumen y unidad de tiempo (R).
d) Calcula las posiciones de los pseudo-niveles de Fermi respecto a Ei (Fn-Ei y Fp-Ei) y argumenta
numéricamente si es válida la aproximación de semiconductor no degenerado.
Supón que partimos de la situación de los apartados c) y d) y cesa la generación externa.
e) Calcula cuando tiempo deberá transcurrir para que la concentración de minoritarios sea tan solo
diez veces mayor que la del equilibrio.
f) Demuestra que, durante el intervalo temporal del apartado anterior, el pseudonivel de Fermi de
los minoritarios cambia linealmente con el tiempo y calcula dF/dt (en eV/s)
g) Repite el apartado c) si la concentración de portadores minoritarios hubiera sido de 1018 cm-3
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11) [Feb.08-(2); Nov.10-(3)] Sea un semiconductor que, para t<0, está sometido a una generación externa
de R1 pares electrón-hueco por unidad de tiempo y unidad de volumen y se encuentra en situación
estacionaria. Para t=0 la generación externa aumenta bruscamente de modo que, para t>0 se generan
R2 pares electrón-hueco por unidad de tiempo y unidad de volumen (con R 2>R1). Suponemos que en
todo momento está en baja inyección y que la constante de recombinación de los portadores es .
Calcula la forma funcional del exceso de portadores n(t) en función de R1, R2 y , indica cómo lo
calculas y da el valor de n para t = 0, t =  y t  .
12) [Sept.07-(1); cfr. Oct.04-(4)] Sea un semiconductor que, para t < 0, se encuentra en alta inyección y
condiciones estacionarias, con exceso de portadores Δn = Δn(0) y tiempo de vida de los portadores τ
= τ(0), ambos con valores conocidos. En t=0 cesa la generación externa a la que se hallaba sometido.
Queremos saber la evolución de Δn(t) y τ(t) para t>0 en el rango temporal en el que sigue siendo
cierto que Δn(t)  n0+p0, (n0 y p0 son las concentraciones de portadores en el equilibrio). Para ello:
a) (i) Deduce una expresión para Δn(t) en función de Δn(0) y τ(0) en el rango temporal
mencionado y (ii) calcula cuánto tardará Δn en disminuir hasta el 10% de su valor inicial
(suponiendo que Δn(0)/10  n0+p0 ).
b) Deduce una expresión para dτ/dt (que sea válida mientras sea cierto que Δn(t)  n0+p0)
13) [Oct.04-(5)] Sea la situación de pseudo-equilibrio representada en la figura y Fp
Ec
en la que se sabe que se cumple la neutralidad de carga y que Fp-Ec > 3kBT, Fn
Ei
Ec-Fn > 3kBT y Fn-Ei >3kBT
a) ¿Es válida la aproximación de Maxwell-Boltzmann en ambas bandas?. Ev
Razona tu respuesta
b) Dibuja sobre la figura la posición en la que estaría el nivel de Fermi en el equilibrio. Razónalo.
c) Cuál de las siguientes contestaciones para el valor de p (= p-po) será la correcta. Razónalo.
(a) p » no (b) p  no (c) ni « p « no (d) p  ni (e) po « p « ni (f) p  po
(g) 0 < p « po (h) p = 0 (i) p < 0 y |p|« po (j) p  -po (k) p < -po
14) [cfr. Oct.04-(9)] Sea un semiconductor en pseudo-equilibrio. Deduce cuál es el valor mínimo de
Fn-Fp para que la probabilidad de ocupación sea mayor en el borde de la banda de conducción que
en el borde de la banda de valencia.
15) [Feb.05-(1)] A la vista de los parámetros de red listado en la tabla (página 1), calcula:
a) la composición del AlInAs que tiene el mismo parámetro de red que el InP
b) la relación entre x e y para el AlxGayIn1-x-yAs que tiene el mismo parámetro de red que el InP
Se sabe que:
 la heterounión entre el InP y el GaInAs con a=aInP es de tipo I, con Ec=0.25 eV y Ev=0.35 eV
 la heterounión entre el GaInAs y el AlInAs, ambos con a=a(InP), es también de de tipo I, con
Ec=0.5 eV y Ev=0.2 eV
 Eg(GaInAs) < Eg(InP) = 1.35 eV < Eg(AlInAs) , todos con a=a(InP)
c) Dibuja el alineamiento de bandas entre el InP y el AlInAs (con a=a(InP)) indicando Ec, Ev y
si la unión es de tipo I o de tipo II.
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16) [Sept.07-(4)] Teniendo en cuenta las figuras siguientes, marca en la tabla las casillas que
correspondan. (En todos los casos puedes suponer que n=p).
Nota: Lo de “inversión de población” corresponde al tema 2.
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17) [Ene.11-(3)] Teniendo en cuenta las figuras siguientes, m arca en la tabla las casillas que
correspondan. (En todos los casos puedes suponer que n=p).
a) Ei > Fn > Fp b) EF - Ec > 3kT c) EF - Ec > 3kT

Fn - Ec > 3kT EF Ec Ei - EF > 3kT
Ec
Ec
Ei Ei
Ei Fn EF
Ev Ev
Fp
Ev
d) Fn - Ei = Ei - Fp e) 0 < Ev – Fp < 3kT f) 0 < Ev – Fn < 3kT

Fn - Ec > 3kT; Ev- Fp > 3kT Ei = Fn Ei – Fn > 3kT; Fp – Ev > 3kT
Fn Ec
Ec Ec
Ei Ei Fn Ei
Fp
Ev Ev Ev
Fp Fp Fn
El semiconductor está/es (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)
g) Fn - Ei = Ei - Fp
Degenerado
□ □ □ □ □ □ □
Ec - Fn > 3kT
No degenerado
□ □ □ □ □ □ □
Fp - Ev > 3kT
En equilibrio
□ □ □ □ □ □ □
No en equilibrio, pero con Δn=0
□ □ □ □ □ □ □ Ec Fn
En baja inyección, con 0 < Δn ≤ ni
□ □ □ □ □ □ □
En baja inyección, con Δn > ni
□ □ □ □ □ □ □ Ei Fp
En alta inyección
□ □ □ □ □ □ □
Con Δn < 0
□ □ □ □ □ □ □ Ev
Intrínseco
□ □
Extrínseco tipo-n
□ □ □ □
h) Fn - Fp > Eg
Extrínseco tipo-p
□ □ □ □
3kT > Ec - Fn > 0
Sin campo eléctrico
□ □ □
Ev - Fp > 3kT
Con campo eléctrico positivo
□ □ □ Ec
Con campo eléctrico negativo
□ □ □ Fn
En inversión de población
□ □ □ □ □ □
En no inversión de población
□ □ □ □ □ □ Ei
Forma de puntuación: Cuando hay n para elegir, las respuestas correctas
suman (n-1)/30 p. Las respuestas incorrectas restan siempre 1/30 p. Ev
Fp
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18) [Sept.08-(1.1-6), cfr. Feb.10-(2.a-b),] Sea un semiconductor que, para situación de equilibrio, tiene el
nivel de Fermi donde se representa en la figura, concentraciones de electrones y huecos no y po y
concentración intrínseca de portadores ni. Se le somete a las diferentes
perturbaciones que se indican, siendo n y p las nuevas concentraciones de Ec
portadores, siempre con n=p. Dibuja (si es posible) Fn y Fp en cada uno de Ei
los casos: (a) ni « n « po . (b) n < 0 y n « no. (c) -po « n « -no . (d) 0 < n « no. EF
eq
(e) ni « n « no . (f) no « n « ni. Si no fuera posible dibujarlos, razona Ev

brevemente por qué.
19) [Sept.09-(1)] Sea la familia del AlxGa1-xAs.
Suponemos que, para 25ºC, EgΓ(x) = (1.42 + 1.2·x) eV y que EgX(x) = (1.9 + 0.15·x) eV.
a) Calcula para qué composición xD/I ocurre el paso de directo a indirecto.
Para el caso del Al0.4Ga0.6As no degenerado a 25ºC:
b) Calcula la diferencia de energía entre EcΓ y EcX y dibuja sus curvas de dispersión E(k).
c) Calcula la relación entre la probabilidad de ocupación del mínimo X respecto al mínimo Γ .
d) Suponiendo que su densidad efectiva de estados para el mínimo Γ es NcΓ = 5·1017 cm-3 y que su
densidad efectiva de estados para X es NcX =2·1019 cm-3, calcula el porcentaje de electrones que
estarán en el mínimo Γ.
Suponemos que, para todo el rango de composiciones del AlxGa1-xAs, el tiempo de recombinación
radiativa para los electrones en el mínimo Γ es τradΓ =60 ns, que el tiempo de recombinación
radiativa para los electrones en el mínimo X es muy largo (τradX ≫) y que el tiempo de
recombinación no radiativa para los electrones es τnorad =100 ns ambos mínimos.
e) Calcula el tiempo de recombinación radiativa promedio (τrad) para el Al0.4Ga0.6As.
f) Calcula la eficiencia de recombinación radiativa (ηrad) para el Al0.4Ga0.6As.
g) Calcula también, como referencia, la eficiencia de recombinación radiativa del GaAs. (Puedes
suponer directamente que, para el GaAs, fcX« fcΓ).
20) [Oct.04-(6), Nov.06-(1)] Sea una familia de aleaciones semiconductoras con Eg(x)=1.3 + 1.2x eV y
EgX(x)=1.65 + 0.3x eV (siendo x la composición, que varía entre 0 y 1). Se sabe que Ec/ Ev  3
(y Ec+Ev = Eg) para todo el rango de x.
a) Calcula Ec y Ec/Ev para la heterounión formada por las aleaciones con x = 0.6 y x=1. Dibuja
Ec(z), EcX(z) y Ev(z) (siendo z la posición) suponiendo que la heterounión es intrínseca.
b) Calcula Ec, Ev y EcX para la heterounión formada por las aleaciones con x =0.2 y x=0.6.
Dibuja Ec(z), EcX(z), Ev(z) suponiendo que la heterounión es intrínseca.
c) Repite el dibujo del apartado b) si la heterounión fuera extrínseca, estuviera en equilibrio y
ambas aleaciones fueran de tipo p de modo que lejos de la unión ambas tengan EF-Ev ≈ 0.05 eV.
21) [Sept.05-(1)]
a) Determina la composición de galio (x) en una aleación de GaxIn1-xP para que crecida
pseudomórficamente sobre un sustrato de GaAs experimente una compresión biaxial del 1%
(ver tabla adjunta). Indica cómo lo calculas.
b) Determina la relación entre la composición de galio (x) y la de aluminio (y) en una aleación de
AlyGaxIn1-x-yP de modo que cumpla la misma condición del apartado anterior.
10
22) [Nov.05-(1)] a) Determina el desajuste de parámetro de red entre el Al0.1Ga0.3In0.6P y el GaAs.

b) Sean dos capas epitaxiales de Al0.1Ga0.3In0.6P crecidas sobre sustrato de GaAs, una de ellas con
espesor menor que el espesor crítico (d < dc) y la otra con d > dc. ¿Cuál tendrá mayor g? ¿Cuál
tendrá mayor  (tiempo de vida de los portadores)? Argumenta de forma concisa y ordenada.
23) [Nov.10-(1.b)] Razona con argumentos numéricos cuál de las siguientes aleaciones tendrá un mayor
espesor crítico para crecimiento epitaxial sobre sustrato de InP: (i) Ga0.44In0.56As, (ii) Ga0.27In0.73As.
24) [Oct.04-(1)] Calcula la diferencia de anchuras de banda prohibida entre el Ga1-xInxAs con el mismo
parámetro de red que el InP y el Ga0.5In0.5As crecido pseudomórficamente sobre el InP.
Se sabe que para el Ga1-xInxAs sin tensar Eg(x)= 1.42 - 1.62·x + 0.56 x2 eV. Suponemos que para el
rango de composiciones de interés la Eg del Ga1-xInxAs se modifica con la tensión 44 meV/%. Los
parámetros de red están en la tabla adjunta.
25) [Feb.10-(1)] En la figura adjunta se representa esquemáticamente la relación entre la anchura de
banda prohibida y el parámetro de red en los nitruros III-V. Se supone por sencillez que las anchuras
de banda prohibida varían linealmente con la composición. (Los datos de Eg y del parámetro de red
se encuentran en la tabla de la página 1).
a) Calcula el desajuste de parámetro de red del AlN respecto al GaN.
b) Di el rango de g que cubrirían las aleaciones de AlGaInN que
tuvieran el mismo parámetro de red que el GaN y di cuál serían los
materiales de mayor y de menor g de dicha sub-familia. (Si alguno
de los dos fuera una aleación, calcula su composición).
c) Encuentra la relación entre la composición de Al (x) y la
composición de In (y) para que el AlxGa1-x-yInyN tenga el mismo
parámetro de red que el GaN, y di el rango posible de x o de y.
d) Encuentra la relación entre la composición de Al (x) y la
composición de In (y) para que una capa epitaxial de AlxGa1-x-yInyN
crecida sobre un sustrato de GaN esté sometida a una compresión
biaxial del 1%. Di también el rango posible de x o de y.
26) [Feb.04-(1.a-b)] Se desea sustituir una capa de Al0.06Ga0.94As por una capa de AlxGa1-x-yInyAs que
tenga la misma anchura de banda prohibida (Eg) que la anterior pero tenga un desajuste de parámetro
de red respecto al GaAs (a/a) de un 0.85%. Se da como datos:
 a(GaAs)=0.5653 nm y a(InAs)=0.6057 nm , a(AlAs)=0.5661 nm
 La Eg del AlxGa1-x-yInyAs sin tensar a 25ºC es Ego(x,y)  1.42 eV + 1.25·x - 1.61·y eV .
 Para una compresión biaxial la variación de la Eg es de (44 – 14x) meV/% .
Calcula la composición de indio (y) y de aluminio (x) de dicha aleación.
Nota: Puedes hacer las aproximaciones que consideres oportunas, justificándolas.
27) [Nov.08-(2)] (i) Completa el diagrama de bandas de la unión extrínseca de la figura teniendo en
cuenta el alineamiento de bandas de la heterounión intrínseca (figura de la izquierda). (ii) Dibuja la
dependencia espacial de las concentraciones de portadores en equilibrio (no(x) y po(x)) y de la
concentración intrínseca de portadores (ni(x)) para cada uno de los casos. (Supón que el dopado es
uniforme en las dos regiones).
11
Tema 2. Propiedades ópticas de los semiconductores

1) Mirando la gráfica de “Semiconductores III-V” (Eg vs. a), di:
a) Qué semiconductores III-V binarios absorben la luz (banda a banda, se entiende) para =3m.
b) Qué semiconductores III-V binarios son transparentes para = 620 nm.
c) Qué parámetro de red tiene el GaInAs que tiene el borde de absorción en 1 m.
2) [Feb.06-(3); Ene.11-(5)] Sea un proceso de absorción de un fotón con energía h en un semiconductor
indirecto (con Eg < h < Egdir) en el cuál se genera un par electrón-hueco y se emite un fonón.
a) Escribe las expresiones correspondientes a la ley de la conservación de la energía y a la ley de
conservación del momento (k) para dicho proceso.
b) Reescribe las expresiones anteriores despreciando las contribuciones poco importantes (de E o k),
indicando, cuando proceda, “parecido pero un poco menor” o “parecido pero un poco mayor”.
c) [Nov.09-(3.a)] Repite los apartados a) y b) si se genera un par electrón-hueco y se absorbe un fonón.
3) Ayudándote de la gráfica de los espectros de absorción, haz una estimación de:
a) la longitud de penetración (o “longitud de absorción”) de la luz en el silicio para =0.9 m.
b) el porcentaje de luz que atravesará una oblea de silicio de 300 m de espesor, para =0.9 m.
c) el espesor que tendría que tener una capa de silicio para absorber el 90% de la luz, para =0.9 m
d) Igual que el apartado anterior para 1.05 m y para 630 nm
4) [Oct.03-(7)] Sea el semiconductor degenerado cuyas curvas E(k) y cuyo EF se E(k)
representan esquemáticamente en la figura. Supón que EF – Ec > 3kT.
EF
a) Dibuja en escala lineal el coeficiente de absorción (h) debido a absorción EC
banda a banda para dicho semiconductor e indica de forma concisa cómo lo
obtienes. Indica en el eje h las energías relevantes.
EV
b) Para o  3m > g, ¿cuál crees que será el proceso de absorción más
probable en este semiconductor? ¿será permitido o prohibido en energía? ¿y k
en k? Represéntalo esquemáticamente en un diagrama E(z) (z  posición).
5) [cfr. Nov.07-(5), con diferentes valores] El AlAs es un semiconductor con Eg = 2.16 eV y Egdir = 2.85 eV.
Representa cualitativamente () para este semiconductor en escala semilogarítmica para el rango
espectral del visible, procurando que tanto la forma de () como los valores de  (en cm-1) sean
verosímiles e indicando los valores representativos de .
6) [Feb.10-(3.b)] Deduce la distancia de Eg a la que estará el máximo del espectro de emisión espontánea
banda a banda para un semiconductor directo homogéneo no degenerado.
7) [Nov.09-(3.b)] Explica la aparente paradoja de los semiconductores indirectos no emitan luz por ser
éste un proceso prohibido, mientras que sí que absorben la luz para Eg < h < Egdir (ver, por ejemplo,
el problema 3.b) a pesar de que éste último es también un proceso prohibido.
8) Explica:
a) [Feb.09-(2.a)] Por qué en el espectro de emisión se va a notar mucho menos la no parabolicidad de
las bandas que en el espectro de absorción.
b) Por qué cuando hemos estudiado la emisión estimulada no hemos utilizado en ningún momento la
aproximación de semiconductor no degenerado.
12
9) [Nov.06-(2), Jul.10-(2)] Sea un semiconductor (al que llamaremos “pozo cuántico”) cuya densidad
conjunta de estados (h), para h  Eg, es una función escalón. Suponemos además que es
homogéneo y no degenerado.
a) Deduce la forma espectral de la emisión espontánea banda a banda rsp(h) (para hEg) para
dicho semiconductor y represéntala en la figura.
b) Indica los valores del máximo de emisión (hmax) y de la anchura espectral (FWHM) expresada
 rsp
1
Eg h Eg h
en energías (h) y en longitudes de onda (), tomando como datos conocidos Eg, 1 y kBT.
10) [Nov.05-(3)] Queremos deducir una relación entre la probabilidad de ocupación para la emisión y
la probabilidad de ocupación para la absorción para una energía de fotón h ( fem(h)/ fab(h) ).
Suponemos que estamos en pseudo-equilibrio y que no es válida en general la aproximación de
Maxwell-Boltzmann.
a) Deduce una expresión simplificada para relación entre la probabilidad de ocupación y la
probabilidad de desocupación para un estado de la banda de conducción con energía E2.
Escribe también (por analogía o por deducción, según prefieras) la expresión análoga para un
estado de la banda de valencia con energía E1.
b) Utilizando las expresiones de (a), encuentra una expresión sencilla para fem(h)/ fab(h).
c) Aplicación numérica. Calcula cuál debe ser la distancia entre los pseudos-niveles de Fermi de la
banda de conducción y de la banda de valencia (Fn-Fp [eV]) para que, para =800 nm y T=25ºC,
la probabilidad de que se produzca emisión estimulada sea el doble de que se produzca
absorción.
11) Para 420 nm, la parte real del índice de refracción del GaAs es n r =4.6 y su coeficiente de
absorción es  = 6·105 cm-1. Calcula la parte imaginaria del índice de refracción y la reflectividad
(con el aire) en incidencia normal del GaAs para =420 nm.
12) Sea un haz de luz con longitud de onda en el vacío o=1.2 m y sea una oblea de InP. El índice de
refracción del InP (para o=1.2 m) es n = 3.23 . Calcula :
a) La longitud de onda  de esa luz en el interior del InP
b) La velocidad de la luz en el interior del InP
c) La energía del fotón de la luz en el interior del InP
d) El porcentaje de luz que se transmite al pasar del aire al InP en incidencia normal
e) Ángulo crítico al pasar del InP al aire
13
13) [Sept.08-(3)] Variación de  con la temperatura

a) Indica de manera razonada si, para un semiconductor determinado y una h dada, el coeficiente
de absorción  aumentará o disminuirá con la temperatura (¿es d/dT > 0 o < 0 ?).
b) Deduce una expresión aproximada para d/dT(h) cerca de Eg y represéntalo.
14) Sea una aleación de AlGaAs no degenerado sometida a baja inyección en la que la emisión de luz
es banda a banda. Se da como dato que para T=25ºC su espectro de emisión tiene el máximo en
1.59 eV y una anchura espectral (FWHM) 60 meV. Haz una estimación del ensanchamiento
inhomogéneo del pico de emisión.
15) Representa en el diagrama E(x) (energía frente a posición) los siguientes procesos:
a) [Nov.05-(2)] Emisión de luz vía dopante en GaAs:Zn
b) [Feb.08-(3.a)] Emisión de luz vía dopante en GaAs:Be no degenerado
c) [Nov.05-(2)] Absorción de luz banda a banda en una heteroestructura AlGaAs/GaAs/AlGaAs
intrínseca, para una  comprendida entre la g del AlGaAs y la del GaAs.
d) Absorción de luz por portadores libres en un InP:Be.
14
Problemas de autoevaluación
1) [Sept.05-(2)] Indica si, para un semiconductor dado, la longitud de onda de emisión vía aceptor será
más larga o más corta que la de emisión vía donor, y arguméntalo de forma concisa pero partiendo
de todo lo atrás que sepas.
2) [Nov.08-(6)] Sea un proceso (que puede ocurrir en los semiconductores y al cual llamaremos
“dispersión Raman”) en el que un fotón incidente (hν1,k1) da lugar a un fotón dispersado (hν2,k2) y a
un fonón (Efonón kfonón) (ver figura 1). Nota 1: hν1 puede ser grande, por ejemplo del rango visible. Nota 2: En este
proceso no intervienen los estados electrónicos.
a) Escribe las expresiones correspondientes a la conservación de la energía y de k para este proceso.
b) Da una expresión aproximada para kfonón, haciendo las aproximaciones oportunas y
justificándolas brevemente.
c) Teniendo en cuenta los apartados a) y b) y las curvas E(k) que se adjuntan para los fonones
(figura 2), di qué valores posibles puede tener la diferencia de energía de los fotones hν1- hν2 para
que se cumplan las leyes de conservación de la energía y del momento. Justifícalo brevemente.
LA
3) [Feb.04-(3.1-2)] Indica cuáles de las frases siguientes son verdaderas (y argumenta brevemente por
qué) y cuáles falsas (y desmiéntelas con un ejemplo):
a) Para cualquier semiconductor no degenerado en baja inyección el factor de ocupación para la
absorción fabs(h) es aproximadamente 1 para h>Eg .
b) Para cualquier semiconductor en equilibrio la probabilidad de ocupación para la absorción
fabs(h) es aproximadamente 1 para h>Eg .
4) [Ene.11-(1), cfr. Feb.04-(2)] Como sabes los semiconductores
indirectos no emiten luz para h = Eg, ya que este es un proceso
prohibido que no conserva el momento. Sin embargo, tampoco
emiten luz para h = Egdir = Ec -Ev, a pesar de que este proceso sí
conserva el momento (ver figura). Indica cuáles de las siguientes
explicaciones son verdaderas y cuáles falsas.
a) Dado un par electrón-hueco con E1  Ev, E2  Ec y k1  k2  0,
la probabilidad de recombinación radiativa (emisión) para este
par será aproximada-mente proporcional a exp(-Egdir/kT) y va a
ser muy pequeña, ya que Egdir es grande. V F
b) En los semiconductores indirectos el tiempo de recombinación no radiativa norad es mucho menor
(más rápido) que el tiempo de recombinación radiativa. Por lo tanto, que en caso de que exista un
par electrón-hueco con E1  Ev, E2  Ec y k1 k2  0, dicho par se recombinará no radiativamente,
ya que este proceso competidor es más rápido que la recombinación radiativa. V F
15
c) En un semiconductor indirecto, si Ec(energía de la BC en k=0) es bastante mayor que Ec

(mínimo de la BC en k0), las probabilidades de ocupación cumplirán que fc(Ec)<< fc(Ec), por lo
que los electrones ocuparán estados con k0 y su recombinación radiativa será un proceso
prohibido. V F
d) Como el tiempo de relajación intrabanda es mucho más corto que el tiempo de recombinación
radiativa, un electrón que estuviera en un estado con E  Ec (y k  0) se relajará rápidamente
hacia estados con energía parecida a Ec (con k0) y no le dará tiempo a recombinarse
radiativamente. V F
e) En los semiconductores indirectos el tiempo de recombinación no radiativa norad es, en general,
mucho menor (más rápido) que en los semiconductores directos (suponiendo calidad estructural y
electrónica semejante). Por lo tanto, a pesar de que la recombinación entre un estado E2  Ec y
un estado E1  Ev es un proceso permitido (y por tanto rápido), el proceso competidor
(recombinación no radiativa) será aún más rápido. V F
5) [Oct.04-(7)] Como sabes, la recombinación banda a banda en semiconductores indirectos es un
proceso prohibido porque para que ocurra tienen que emitirse o absorberse fonones y es, por tanto,
muy poco probable. Sin embargo, en la relajación intrabanda también se emiten fonones y nunca nos
hemos referido a ella como “proceso prohibido” y, de hecho, es un proceso muy rápido.
¿Cuál es la diferencia?¿Por qué un fenómeno es muy probable y el otro no?. Arguméntalo brevemente
6) [Oct.04-(8)] Sea el semiconductor directo y degenerado (y homogéneo) cuyas curvas E(k)
E(k) y cuyo EF en equilibrio se representan esquemáticamente en la figura. EF
Por sencillez suponemos bandas son parabólicas, EF – Ec > 3kT y me* = mh*.
EC
a) Da una expresión para el factor de ocupación para la emisión, fem, para el rango de
energías relevante haciendo las aproximaciones que consideres oportunas. EV
b) Deduce la forma funcional rsp(h) que tendría el espectro de emisión espontánea

k
banda a banda de dicho semiconductor en baja inyección (y con Fp > Ev+3kBT).
c) Calcula a qué distancia de Eg estará el máximo de emisión.
7) [Nov.10-(2); cfr. Oct.03-(1)] Emisión estimulada y absorción
(a) Partiendo de las expresiones para la probabilidad de ocupación para la emisión fem(h) y para la
probabilidad de ocupación para la absorción fab(h) y teniendo en cuenta a qué son
proporcionales rst(h) y rab(h), deduce la relación entre las probabilidades de ocupación entre
dos estados 1 y 2, fv(E1) y fc(E2), para que la emisión estimulada domine sobre la absorción para
fotones con energía h, siendo E2 -E1=h>Eg, k1=k2, E2 >Ec y E1 <Ev,
(b) Partiendo del resultado del apartado anterior, deduce cuánto debe ser la distancia entre
pseudoniveles de Fermi (Fn-Fp) para que la emisión estimulada domine sobre la absorción para
fotones con energía h.
(c) Calcula el máximo valor que puede tomar rst(h)/rab(h) para un semiconductor no
degenerado.
Notación: rst(h) y rab(h) son el número de fotones que son emitidos de manera estimulada, rst, o que son
absorbidos, rab, en la unidad de volumen por unidad de tiempo y unidad de energía. No hace falta que escribas
su expresión completa, sino sólo los términos a los que sean proporcionales que sean relevantes para la
deducción.
16
8) [Feb.10-(2.c-d), Sept.08-(1.7-8)] Sea un semiconductor que, para situación de

Ec
equilibrio, tiene el nivel de Fermi donde se representa en la figura. Se le somete a
perturbación, con n=p. Dibuja Fn y Fp en cada uno de los casos: (a) γneta(hν ≈ Ei
EFeq
Eg) > 0 y (b) po« p y αneta(hν ≈ Eg) > 0. Ev
9) [Oct.03-(9.a); Feb.04-(4)] Deduce la relación entre él coeficiente de absorción  y la
parte imaginaria nim del índice de refracción
10) [Oct.04-(10)] Para h=2.25 eV la función dieléctrica relativa del InAs vale  = 17.1 + 7.5 i.
Calcula nreal y  para dicha energía de fotón. (No se te olvide dar las unidades).
11) [Oct.03-(9.b-d)] Sea el GaAs a 25ºC. Para o = 510 nm su coeficiente de absorción es  = 4.3·104
cm-1, y su variación con la longitud de onda es d/do -95 m-2.
a) Calcula nim para o = 510 nm
b) Calcula d/dh, en cm-1 eV-1, para o = 510 nm
c) Calcula d/dT (para o = 510 nm y T= 25ºC), en cm-1/ºC, sabiendo que, para T = 25ºC, la Eg del
GaAs disminuye 0.45 meV/ºC.
12) [Sept.04-(1)] Variación de n con la temperatura y con la composición.
a) Indica de manera razonada si, para un semiconductor determinado y una longitud de onda 
dada, el índice de refracción n aumentará o disminuirá con la temperatura (¿es dn/dT positivo o
negativo?). (Para fijar ideas supón que el semiconductor es directo y que g < ). Puedes
ayudarte de una gráfica.
b) Para el caso del AlxGa1-xAs, indica de manera razonada si, para una T fija y una longitud de
onda  dada, n aumenta o disminuye con la composición de aluminio. (Supón que estamos en el
rango de composiciones en que el AlGaAs es directo y que g(x) < ).
17
Tema 3. Diodos Emisores de Luz (LEDs) : Fundamentos.

1) [Jul.11-(5); Cfr. Feb.04-(5)] Sea un LED cuyas características se adjuntan.
(Nota: Puedes suponer que la emisión es banda a banda)
Tabla 1. Valores típicos (para Ta= 25ºC)
Valor
Parámetro Condiciones de la medida Símbolo Unidad
típico
Longitud de onda del pico IF =20 mA (dc) peak 650 nm
Anchura espectral (FWHM) IF =20 mA, tpulso= 20s  20 nm
Voltaje en directa IF =20 mA (dc) VF 1.8 V
Intensidad luminosa IF =20 mA (dc) Iv 70 mcd
Relación entre intensidad
- Iv /  v 1.9 srad-1
luminosa y flujo luminoso
Eficacia luminosa (*) - v 80 lm/W
Capacidad - C 40 pF
Frecuencia de corte RL=50 fc 8 MHz
(*) tomado del estándar CIE
Tabla 2. Valores máximos
Parámetro Símbolo Valor Unidad IF,max (Ta) 1 Fig.2
Corriente DC máxima IFDCMAX 30 mA
Temperatura mínima de operación TaMIN -20 ºC 2
Temperatura máxima de operación TaMAX 100 ºC

Temperatura máxima de la unión TJMAX 110 ºC Ta
a) Calcula la potencia óptica emitida, la eficiencia cuántica externa η ext y la eficiencia de conversión
de potencia ηP para IF = 20 mA (dc) y Ta = 25ºC. Deduce la expresión que uses para ηext.
b) Argumenta numéricamente a partir de los datos de que dispones si es de doble heterounión o no.
c) Haz una estimación de: (i) el ángulo mitad de este LED y (ii) la resistencia parásita en serie.
d) Haz una estimación de la anchura espectral asociada a las inhomogeneidades inhom. Calcula
después la anchura espectral  que tendrías en continua (IF =20mA dc) para Ta = 25ºC si la
resistencia térmica entre la unión y el ambiente fuera 575ºC/W.
e) La figura 2 representa esquemáticamente la corriente máxima de operación en continua en
función de la temperatura ambiente Ta. Calcula los valores de IF y Ta en los puntos (1 y 2) que se
indican, para una resistencia térmica RthJA = 575ºC/W.
f) Calcula el tiempo de carga para las condiciones de la tabla (RL=50.) y la constante de tiempo
asociada a recombinación.
g) Calcula la frecuencia de corte y el tiempo de subida tr de este LED (del 10 al 90%) para
RL=500.
h) Dibuja un circuito de polarización del LED con el que, usando un BJT npn, una Vcc de 5 V y una
resistencia de carga RL (y si quieres una puerta lógica), puedas conmutar el LED. Calcula el valor
de RL para que la corriente por el LED cuando esté encendido sea de 20 mA.
2) Supón que un LED con Popt = 1 mW tuviera una emisión isótropa (independiente del ángulo) para 
< H y que no tuviera emisión para  > H.
a) Suponiendo H = 10º, dibuja el diagrama de emisión (tanto en representación polar como en
representación cartesiana) y calcula la intensidad radiante (en mW/sr).
b) Idem, suponiendo H = 60º.
3) Sea un LED cuyo diagrama de emisión para la intensidad radiante es Ie() = Ie(0º)·[1-(/0)2] para 
 0 y Ie() = 0 para  > 0, siendo 0 « 90º.
18
a) [Sept.05-(7a)] Deduce una expresión que relacione la potencia óptica del LED Popt en función de
Ie(0) y de 0.
b) [Sept.05-(7b)] Calcula el flujo luminoso emitido, v, si la intensidad luminosa para =0º fuera
Iv(0º) = 3 cd y suponiendo 0 = 10º . (No se te olvide indicar las unidades).
(Opcional) Supón ahora que, generalizando más, suponemos que la emisión del LED es Ie() =
Ie(0º)·[1-(/0)] con  > 0 para   0 y Ie() = 0 para  > 0, siendo 0 « 90º.
c) Repite la deducción del apartado a) para este caso más general.
d) Indica para qué valores de  se cumple que Popt = Ie(0)·H, siendo H el ángulo sólido definido
por el ángulo mitad H (para el cual Ie(H) = Ie(0)/2).
4) [Sept.08-(2)] Sea un LED con el diagrama de emisión que se muestra en la figura e intensidad de 7.5
cd para θ=0º y eficiencia luminosa de 300 lm/W.
a) Calcula la potencia óptica que le llegará a un detector de 8 mm 2 de área situado a 2 m del emisor
(i) en θ=0º (es decir, en el eje de emisión) y (ii) a 10º de su eje. (Ver figura inferior derecha).
b) Haz una estimación del flujo luminoso total y del flujo radiante total emitidos por el LED.
5) [Sept.04-(5c) (no resuelto)] Si tenemos dos LED con chips iguales pero con distintos diagramas de
emisión (uno por ejemplo con 1/2=10º y el otro con 1/2=30º), ¿cuál será la diferencia entre ambos?.
¿Cuál de los dos tendrá mayor responsividad?. ¿Cuál de los dos dará un mayor valor para la
intensidad radiante (mW/sr)?. Razona las respuestas.
6) [Feb.05-(3); Jul.10-(3)] Como sabes, en los LEDs para altas corrientes se produce
autocalentamiento, efecto que es responsable en muchos casos de la Popt
disminución de la responsividad para altas corrientes. En algunas condiciones
se llega a observar que, debido a este afecto, la potencia óptica (Popt) emitida en
continua por el LED puede llegar a disminuir (en vez de aumentar) al aumentar IF1 IF
la corriente, tal como se representa en la figura.
a) Deduce una expresión para IF1 (valor de IF a partir del cual dPopt/dIF < 0) en función de la
temperatura ambiente TA y de los parámetros significativos del LED, tales como el coeficiente
de temperatura de la responsividad (TC=(d/dT)/), la resistencia térmica entre la unión y el
ambiente (RthJA) y la tensión de funcionamiento típica (VF).
b) Calcula IF1 para TA= 25ºC, TC = -1% K-1, RthJA = 500ºC/W y VF ≈ 2V
Nota: Por sencillez, en los dos apartados puedes suponer que la eficiencia de conversión de potencia es
pequeña, la tensión de funcionamiento VF varía poco con IF y la emisión estimulada es despreciable.
19
7) [Cfr. Nov.05-(4) y Sept.06-(4)] Sea el LED cuyos parámetros están en la tabla y en la gráfica adjunta.
Puedes suponer que la tensión de funcionamiento en directa es VF ≈ 1.6 V ≈ constante.
Parámetro Símbolo Valor Unidad
Temperatura ambiente máxima de
TaM ºC
operación
1
Temperatura máxima de la unión TJM ºC
Corriente máxima de operación (dc) IFM mA

2
Responsividad (para temperatura ambiente

-2
2·10 W/A
Ta =25ºC y corriente IF = 25 mA, dc)
Coeficiente de temperatura de la
TC -0.7 % / ºC
responsividad (TC = (/T)/ )
a) A la vista de la gráfica, completa los parámetros máximos que faltan en la tabla.

b) Calcula cuánto varía la temperatura de la unión al aumentar la corriente (TJ/IF).
c) Calcula la resistencia térmica Rth,JA entre la unión y el ambiente. (No olvides poner las unidades).
d) Calcula la temperatura de la unión en las condiciones de operación para las que se da la
responsividad en la tabla (Ta =25ºC y IF = 25 mA, dc).
e) Calcula la temperatura de la unión para las condiciones de operación (1) y (2) señaladas en la
gráfica: (1) Ta = 25ºC, IF = 40 mA, dc; (2) Ta = 75ºC, IF = 15 mA, dc y para (3) Ta =25ºC y IF = 25
mA, pulsado, con ton=0.1 ms y toff= 0.1 s.
f) Da una expresión para la responsividad en función de la temperatura de la unión, (TJ).
g) Calcula  y Popt para las tres condiciones de operación mencionadas en el apartado (e).
8) [Sept.03-(2)] Sea un LED de GaAs con =0.1 mW/mA, rs= 4, C= 50pF y RthJA= 800ºC/W.
Suponemos que la temperatura ambiente es TA= 20ºC. Calcula:
a) La potencia térmica que se disipa al emitir 10 mW en continua y la temperatura de la unión.
b) La constante de tiempo de recombinación, suponiendo que f-3dB= 400 KHz con RL=50 .
9) Calcula cuánto tiempo habría que someter a un LED a un envejecimiento acelerado a 100ºC para
que equivaliera a una semana a 20ºC, suponiendo que su energía de activación para el fallo fuera
Eact= 0.6 eV.
10) [Nov.07-(1)] Sea un LED de referencia (“1”) con eficiencia cuántica interna ηi ≈1, frecuencia de
corte fc1 y responsividad a baja frecuencia 1(f=0). Con el fin de modificar sus características, se
fabrica un nuevo LED (“2”) en el que se introducen intencionadamente centros de recombinación
no radiativos de modo que su eficiencia cuántica interna sea ηi2 , con valor conocido y <1.
Llamamos fc2 y 2 a los nuevos valores de fc y . Suponemos de momento que el tiempo de carga
RC es despreciable.
a) Indica de forma razonada si fc2 será mayor, menor o igual que fc1 y deduce el valor de fc2/fc1 en
función de ηi2, indicando cómo lo calculas.
b) Indica de forma razonada si 2(f=0) será mayor, menor o igual que 1(f=0) y di cuánto valdrá el
cociente 2(f=0)/ 1(f=0) en función de ηi2 , argumentando tu respuesta.
c) Calcula 2(f)/ 1(f) para alta frecuencia (f » fc1 y f » fc2) indicando las operaciones y
suposiciones.
20
d) Representa en una misma gráfica |1(f)| y |2(f)| en escala logarítmica (log-log) de modo que se
reflejen cualitativamente los resultados de los apartados a, b) y c).
Supón ahora que RC fuera muy grande (y la misma para los dos LEDs), de modo que limitara de
forma determinante la respuesta en frecuencia.
e) Di cuánto valdrían en este caso fc2/fc1 y 2(f=0)/ 1(f=0).
f) Calcula cuánto valdría en este caso 2(f)/1(f) para alta frecuencia (f » fc1 y f » fc2) y representa
en una misma gráfica |1(f)| y |2(f)| (en escala log-log).
A la vista de los apartados anteriores (a-f):
g) Discute brevemente en qué condiciones y para qué rango de frecuencias se puede obtener alguna
mejora de (f) al introducir centros de recombinación no radiativos en un LED.
11) Cuestiones breves
a) Además de la pérdida de eficiencia, ¿existe alguna otra razón que desaconseje el funcionamiento
de un LED a alta temperatura?
b) Dependencia de fc de un LED con el dopado para baja inyección: Por qué no puede ser el dopado
todo lo grande que se quiera.
21
Ejercicios de autoevaluación
1) [Nov.08-(4)] Sea un LED que para una corriente IF, tiene una tensión directa VF y emite una potencia
óptica Popt en una longitud de onda λ.
a) Partiendo de la definición de la eficiencia cuántica externa ηext , deduce la expresión que
relacione ηext con IF y Popt.
b) Deduce y formula una regla sencilla que indique, a partir de los parámetros mencionados que
vengan al caso, si va a ser mayor la eficiencia cuántica externa ηext o la eficiencia de conversión
de potencia ηP.
2) Sea un LED con un diagrama de emisión lambertiano:
a) [Nov.09-(2) y Nov.04-(2)] Deduce el valor de Iv(0º) /v, y calcula su intensidad luminosa para  = 0º
si emite un flujo luminoso total de 0.2 lm.
b) [Feb.08-(5)] Calcula qué tanto por ciento de la potencia óptica es emitida para ángulos mayores de
su ángulo mitad.
c) [Nov.08-(5)] Calcula a qué distancia del LED habrá que poner un detector circular de gran área con
radio r para que el flujo radiante que le llegue sea la mitad del flujo radiante emitido por el LED.
3) [Sept.07-(2)] La casa Lumileds comercializa LEDs con emisión lateral cuyo diagrama angular (que
tiene simetría de revolución axial) se puede aproximar por Iv(φ) ≈ Iv,max para | φ - 90º| < φo y por
Iv(φ) ≈ 0 para los demás ángulos, siendo φo  90º.
a) Da una expresión para el flujo luminoso total v en función de Iv,max y φo. Puedes hacer las
aproximaciones que consideres oportunas.
b) Calcula la eficiencia de conversión de potencia ηP (en %) de un LEDs de este tipo que tiene φo
=15º y que, para IF = 700 mA y VF = 3.7 V, emite con Iv,max = 20 cd, sabiendo que, para su rango
espectral de emisión, la eficacia luminosa es ηv = 200 lm/W.
n1
4) [Nov.06-(3)] Queremos analizar cómo afectan las pérdidas por
adireccionalidad en la ηext de un LED.
θc
Para ello vamos a suponer que, como parece lógico:
 la emisión espontánea es isótropa (igual en todas direcciones),
 la intercara de salida (semiconductor/ambiente) es plana,
n2
 el ambiente (aire, epoxy o lo que sea) tiene un índice de refracción n1,
 el semiconductor tiene un índice de refracción n2 (n2>n1) lo suficientemente grande como para
suponer que el ángulo crítico c para pasar del semiconductor al ambiente es pequeño.
a) Expresa en función de n1 y n2 el ángulo sólido c definido por el ángulo crítico c. Puedes hacer
las aproximaciones que consideres oportunas. Indica brevemente cómo lo calculas.
b) Calcula la proporción de fotones que emite el LED dentro del cono de ángulo sólido c
c) Usando el resultado anterior, da una cota máxima para la ηext (en %) de un
LED con n2=3.4 y en el que al ambiente es aire (n1=1) y suponiendo que tiene n0 = 1
sustrato transparente y contacto posterior especular. Indica cómo lo calculas. n1
d) Repite el apartado c) suponiendo que el ambiente fuera un epoxy con n1=1.7
(manteniendo n2=3.4) y que la salida del epoxy al aire (n0=1) ocurre siempre
en incidencia normal. (Ver figura adjunta).
22
5) [Soluciones, cfr. Nov.09-(1)] Pretendemos estudiar la saturación de la recombinación vía centros

profundos que, en ocasiones, da lugar a diferentes rangos de corriente en las curvas P-I de los LED.
Consideramos un semiconductor tipo p, con una concentración de centros profundos NT.
a) Representa en cinco viñetas (1.- estado inicial más probable, 2.- primer paso, 3.- estado
intermedio, 4.- segundo paso y 5.- estado final) en el diagrama E(x) (energía frente a posición) la
recombinación vía centro profundo en un semiconductor tipo p.
Suponemos que:
 el semiconductor es de tipo p, con concentración de mayoritarios p0.
 la concentración de centros profundos es NT
 La recombinación vía centro profundo es no radiativa (y es el único mecanismo de recomb. no rad.)
 el semiconductor está sometido a una generación externa de R pares electrón-hueco por unidad de
volumen y unidad de tiempo, con R constante, y hay condiciones estacionarias
b) Deduce una expresión para el tiempo de recombinación vía centro profundo T0 para el caso
(visto en teoría) en el que los centros profundos no se saturan
 Consideramos ahora además el hecho de que no todos los centros profundos estarán disponibles
para capturar un minoritario, de modo que la relación entre R y el exceso de portadores n será:
( )
donde es la concentración de centros profundos que no pueden capturar un minoritario, por
estar pendientes de capturar un mayoritario (viñeta 3.- de a)). Y suponemos que ,
siendo sat una constante, con sat<<T0. (El apartado b) equivale a sat=0).
c) Deduce una expresión para el tiempo de recombinación vía centro profundo T en función de T0
y n, demostrando que se puede escribir de la forma ( )
y expresa nsat en función de los parámetros conocidos (por ejemplo: NT, T0 , sat , p0 ).
Vamos a estudiar ahora la dependencia de la eficiencia de recomb. radiativa ηrad con n y con la
densidad de portadores inyectados por unidad de tiempo R. Completa los valores en la tabla.
d) Partiendo de la definición de ηrad, deduce la expresión de ηrad en función de rad y T (=no rad).
e) Para n = n1, con n1<<nsat, calcula el n ηrad R
valor de ηrad (que denominamos ηrad0) y de R.
e) n1 (<<nsat) ηrad0=
f) Calcula cuánto deben valer n y R para tener
ηrad=50%. f) ½
g) Calcula ηrad y n para
g)
( )
h) Deduce una expresión de ηrad en función de R y representa ηrad(R) en escala log-log.

i) (i) Deduce una expresión de Popt en función de IF , (ii) di cuánto vale Popt para rad >>T0 en el
rango de IF en que los centros profundos están saturados y (iii) representa Popt(IF) en escala
lineal-lineal para rad >>T0.
23
6) [Nov.04-(3), Jul.11-(4)] Deduce una expresión para la densidad de corriente en directa J 1 a la que tendrá
lugar el paso de baja inyección a alta inyección (ver Figura) para un LED con concentración efectiva
de dopantes N y en el que los portadores se inyectan en un espesor efectivo d.
a) Deduce las expresiones que utilices, partiendo de las expresiones del tiempo de recombinación 
para alta y baja inyección. (Puedes suponer que su eficiencia cuántica interna es i ≈ 1 y que RC « ).
b) Dibuja sobre la gráfica las curvas fc(J) de los LEDs cuyas características se indican en la tabla
LED Dopado Espesor fc
referencia N d (log)
(1) 2N d fc ≡ f -3d B= frecuencia de corte
(2) N 4d
J1 J
(log)
7) [Sept.09-(3), cfr. Feb.07-(2)] En la figura se representa la corriente máxima permitida en continua (dc)
para un determinado LED en función de la temperatura ambiente. Para las condiciones de operación
señaladas en la gráfica (Ta= 20ºC, IF = 20 mA) dicho LED emite en continua una potencia óptica Popt
= 0.5 mW. La tensión de funcionamiento del LED es VF ≈ 2V. Se sabe además que el coeficiente de
temperatura de la potencia óptica es TCe = -1 %/ºC.
a) Determina la temperatura máxima de la unión TJM y la
resistencia térmica entre la unión y el ambiente.
b) Calcula: (i) la variación de la temperatura de la unión con la
corriente, ∂TJ/∂IF., y (ii) la temperatura de la unión TJ para
las condiciones señaladas (Ta= 20ºC, IFdc = 20 mA).
c) Calcula la potencia óptica emitida para Ta=80ºC, IFdc=10 mA.
d) Dibuja una línea en la gráfica de modo que represente todos
los puntos de operación válidos en continua (Ta, IFdc) que
tengan la misma responsividad que el punto (20ºC, 20 mA).
Etiqueta la línea con “(dc)”. Justifica tu respuesta.
e) Id. para los puntos de operación válidos en continua (Ta, IFdc) que tengan una responsividad sea
un 25% menor que la del punto (20ºC, 20 mA), y etiquétala con “0.75·(dc)”.
f) Calcula la potencia óptica que emitiría el LED en régimen pulsado para Ta= 20ºC, IF = 20 mA,
suponiendo que los pulsos son cortos (≈10 μs) y que la separación entre pulsos es grande (≈1
ms). Indica cómo lo calculas. Nota: lo que se pide no es la potencia óptica promedio sino la que emite
durante el tiempo que el LED está encendido.
g) Dibuja en la gráfica las líneas que representen todos los puntos de operación válidos en régimen
pulsado (Ta, IF,pulse) que tengan: (i) la misma responsividad (en régimen pulsado) que el punto
(20ºC, 20 mA), y etiquétala con “(pulse)”; (ii) una responsividad (en régimen pulsado) un
25% menor que el punto (20ºC, 20 mA), y etiquétala con “0.75·(pulse)”. .
Nota: Supón que a baja IF no se aprecia disminución de eficiencia cuántica interna ηi debido a centros de recombinación
no radiativos no saturados.
24
Sea un LED de homounión con emisión en 590 nm (amarillo-ámbar) cuyas

8) [Nov.10-(4), Cfr. Feb.02-(1)]
características se adjuntan en la tabla. Puedes suponer que la emisión es banda a banda.
parámetro símbolo valor unidad
TA,min -40
Rango de temperatura ambiente de operación ºC
TA,máx +100
Temperatura máxima de la unión Tj,max 130 ºC
Corriente continua directa máxima IF,max 50 mA
Longitud de onda de emisión (IF=25 mA, TA=25ºC, dc) λ 590 nm
Flujo luminoso (IF=25 mA, TA=25ºC, dc) v 4 lm
Eficacia luminosa v 500 lm/W
Ángulo mitad φ½ 20 º
Capacidad C 40 pF
Resistencia parásita en serie rs 12 
Coeficiente de temperatura del flujo luminoso (∂v/∂TJ)IF=cte/v TC v –0.5 %/ºC
Frecuencia de corte (IF=25 mA, RL=50) fc 8 MHz
Resistencia térmica entre unión y ambiente RJA 780 ºC/W
a) Calcula la potencia emitida, la responsividad y la eficiencia cuántica externa ext para IF=25 mA
y TA=25ºC, deduciendo brevemente la expresión que uses para ext.
b) Haz una estimación de (i) la tensión de disparo V, (ii) la tensión de funcionamiento VF para
IF=25 mA y (iii) la intensidad luminosa máxima Iv para IF=25 mA y TA=25ºC.
c) [Cfr. Feb.02-(1)] Calcula la eficiencia de conversión de potencia para IF=25 mA y TA=25ºC y los
lúmenes que obtendrías por unidad de potencia eléctrica consumida en estas condiciones.
d) [Cfr. Feb.02-(1)] Calcula el valor de la resistencia de carga RL adecuado para tener IF = 25 mA
usando una tensión continua VCC= 5V y dibuja como conectarías dicho LED a la salida digital
de una tarjeta TTL (“0”= 0 V, “1”= 5 V, Vcc=5V) de modo para cuando dicha salida esté en baja
por el LED circulen 25 mA y que cuando esté en alta no circule corriente. Supón que la
resistencia de salida de la fuente es ro = 2 . (No utilices ni puertas lógicas ni transistores).
e) (i) Calcula la temperatura de la unión para IF=25mA y TA=25ºC. (ii) Indica cómo se modificaría
el resultado anterior si RJA fuera 780 K/W (en vez de 780 ºC/W). (iii) Dibuja una gráfica con la
corriente de operación máxima en continua en función de la temperatura ambiente TA., dando
los valores de los puntos significativos (i.e.: de las “esquinas del lado inclinado”).
Nota: Por sencillez en este apartado puedes tomar VF constante e igual al valor para 25 mA.
f) Calcula el valor de V que obtendrías para (i) IF=25 mA y TJ=25ºC y (ii) IF=40 mA y TA=25ºC.
g) [Cfr. Feb.02-(1)] Supón que dicho LED tiene un tiempo medio para el fallo (MTTF) de 2·107
horas para IF=25mA y Tj=50ºC y que la energía de activación para el fallo de 0.45 eV. Calcula
su MTTF para TJ= 120ºC y IF=25mA.
Nota: indica en cada uno de los apartados las unidades resultantes
9) [Sept.06-(2)] a) Dibuja un circuito básico para polarizar una matriz de LEDs en ánodo común con
ayuda de BJTs npn y resistencias pero sin puertas lógicas, de modo que cuando una entrada esté en
alta el LED correspondiente esté encendido. b) Calcula el valor de la resistencia para que en
encendido circulen 20 mA por los LEDs, sabiendo que son LEDs de GaP (Eg = 2.26 eV) y que la
tensión de alimentación es de 5 voltios.
25
Cuestiones teóricas
10) [Sept.02-(1a)]
a) Di cuál es el principal motivo por el que la longitud de onda de emisión de un LED varía al
cambiar la temperatura. Justifica en particular si d/dT es positivo o negativo.
b) Indica si al aumentar T la eficiencia cuántica interna de los LEDs aumenta o disminuye y por qué
11) [Nov.03-(2)] Dibuja esquemáticamente una gráfica en la que se represente (en escalas logarítmicas)
la eficiencia quántica externa de un LED en función de la corriente, señalando las posibles
regiones de la gráfica con comportamiento no ideal e indicando en cada caso a qué efecto se le
puede atribuir.
12) [Sept.05-(3c)] Razona si para un LED azul la longitud de onda aparente (o “longitud de onda
dominante”) d será mayor o menor que la longitud de onda del máximo de emisión en max.
13) [Nov.03-(2)] Indica de forma clara y concisa en qué casos será ventajoso realizar un envejecimiento
térmico de un lote de LEDs antes de sacarlos al mercado.
14) [Feb.09-(2.c), Sept.09-(2.b), cfr. Feb.10-(3.c)] Partiendo de la expresión del tiempo de recombinación
banda a banda τrecomb en función del exceso de portadores n en alta inyección, deduce una
expresión para la frecuencia de corte fc en función de la corriente inyectada para el caso de un LED
que funcione en alta inyección. Por sencillez puedes suponer ηi 1 y τRC « τrecomb.
26
Tema 4. LEDs específicos: estructura, características y aplicaciones.

1) [Nov.03-(5)] El GL380 es un diodo que emite en 950 nm, cuyas características de funcionamiento
están recogidas en la tabla y las figuras adjuntas.
Parámetro (Ta= 25ºC) Símbolo Valor Unidad

Rango de temperatura (ambiente) -25
Top ºC
de operación +85
Corriente máxima IFM 60 mA
Capacidad total Ct 70 pF
Flujo radiante (IF=50 mA) e 2.5 mW
Ángulo mitad ½ ±13 º
Frecuencia de corte (RL= 50 ) fc 300 kHz
Resistencia parásita en serie rs <2 
a) Indica de qué tipo de LED es (especificando todo lo que puedas) y cuál es el mecanismo de
emisión
b) Calcula la anchura de banda prohibida del material de la zona activa.
c) Haz una estimación de la tensión de disparo, indicando las suposiciones que hagas
d) Calcula la eficiencia cuántica externa ext, deduciendo la expresión de ext que utilices
e) Este dispositivo tiene una emisión bastante direccional. Indica cómo se consigue esto.
f) Calcula el valor de la intensidad luminosa (en candelas) para IF=50 mA y Ta=25ºC.
g) Haz una estimación de la constante de tiempo de carga y de la constante de tiempo de
recombinación.
h) Calcula el tiempo que tardaría este dispositivo en subir del 20% al 80% cuando se le aplica una
entrada de corriente en escalón.
i) De acuerdo con los datos que se nos proporcionan. ¿Cuál es el valor de la temperatura máxima de
la unión (TJM)?. Justifica tu respuesta.
j) Haz una estimación de la resistencia térmica entre la unión y el ambiente.
k) Calcula la variación de TJ con la corriente (continua) para Ta constante (TJ/IF|Ta=cte).
l) Calcula la variación relativa de la responsividad  al variar la corriente (en continua) (en %/mA).
Nota: Se puede demostrar que si en vez de representar el flujo radiante relativo frente a la temperatura ambiente para
IF constante se representara el flujo radiante relativo frente a la temperatura de la unión la gráfica no se modificaría.
27
2) [Feb.10-(4)+ xls, cfr. [Feb.09-(3)] Los datos que se adjuntan corresponden al HE8404 de Opnext.
a) Calcula su eficiencia cuántica externa ext para temperatura de la unión TJ=25ºC e IF=50 mA y
completa el dato en la tabla.
b) Calcula su coeficiente de temperatura para la responsividad TC = (d/dTJ)/ en %/ºC.
c) Calcula su potencia óptica Popt para TJ=-20ºC e IF=100 mA y completa el dato en la tabla.
d) Calcula su responsividad para temperatura de encapsulado Tc=60ºC e IF=250 mA y calcula a qué
temperatura estará la unión. Completa el dato en la tabla.
e) Calcula la resistencia térmica entre el encapsulado y la unión RthJC, indicando las unidades.
f) Calcula eficiencia de conversión de potencia P para Tc=60ºC e IF=250 mA y completa el dato en
la tabla.
g) Calcula TJ, Popt y ext para Tc = 25ºC e IF = 250 mA y completa el dato en la tabla.
h) Completa en la tabla a qué temperatura estará el encapsulado para la primera columna de la tabla
(suponiendo pulsos cortos y separados).
i) Haz una estimación de su resistencia parásita en serie para Tc=25ºC.
j) Haz una estimación de la diferencia de anchura de banda prohibida Eg entre la zona activa y las
barreras.
k) Haz una estimación de Ie e IV en  = 0º, para TJ=25ºC e IF =50 mA.
l) Calcula la constante de tiempo de recombinación.
m) Calcula cuánto vale la componente del ensanchamiento espectral debido a inhomogeneidades
(λinhomog). Supón que la emisión es banda a banda y que el valor de λ que dan en la tabla está
medido para baja corriente, de modo que TJ = Tc, siendo TJ la temperatura de la unión y Tc la
temperatura del encapsulado
Parámetro (TJ= 25ºC) Símbolo Valor Unidad
Longitud de onda de emisión λ 820 nm

Anchura espectral λ 50 nm
Ángulo mitad ½ ±50 º
Tiempo de subida y de bajada (RL= 50 ) tr, tf 10 ns
Capacidad C 30 pF
Tc dc o TJ IF Popt ext P
(ºC) pulsado (ºC) (mA) (mW) (%) (%)
pulsado 25 50 15
60 50 12
-20 100
60 dc 250 45
25 dc 250
28
3) [Ene.11-(4)] El HPWS-TH00 y el HPWS-FH00 son LED de alta luminosidad con emisión en el rojo-
anaranjado. Sus características se encuentran en las figuras y en la tabla adjunta.
Tabla 1. Características para TA=25ºC , IF=150 mA, Rth,J-A = 100ºC/W
Parámetro símbolo valor unidad
Flujo luminoso total (típico) v 4 lm
Relación entre la intensidad HPWS-TH00 0.6
Iv/v cd/lm
luminosa y el flujo total (típ.) HPWS-FH00 2.0
Eficacia luminosa v 200 lm/W
Longitud de onda del color dominante d 620 nm
1
Coeficiente de temperatura del flujo luminoso TCv -1.1 %/ºC
Tiempo de respuesta2  20 ns
1. TCv = (∂v/∂TJ)/v ; 2.  es la constante de tiempo de la exponencial e-t/
Nota: no se recomienda la operación para corrientes menores de 20 mA
Figura 1. Espectro de emisión en continua para TA= 25ºC,

Figura 2. Curva I-V de los HPWS-xH00.
IF=150 mA y RJ-A = 100ºC/W
a) Da un valor estimado para: (i) la Eg del material que forma la unión p-n, (ii) la Eg de la zona
activa suponiendo que la emisión es banda a banda y (iii) la resistencia parásita en serie de este
LED, indicando en cada caso cómo lo obtienes.
b) Calcula la potencia óptica, la responsividad y la ext para las condiciones de la Tabla 1.
c) (i) Calcula la temperatura de la unión para las condiciones Tabla 2. TA=25ºC , Rth,J-A = 100ºC/W
de la Tabla 1. (ii) Repite el cálculo para las condiciones de IF TJ  Popt v
la Tabla 2 y completa en ella los valores de TJ. (mA) (ºC) (W/A) (mW) (lm)
d) Deduce una expresión para la responsividad en función de 25
TJ indicando las suposiciones que hagas y completa los
50
valores de  en la Tabla 2. Suponemos que v no varía.
e) Completa los valores de P y  en la Tabla 2. 150
opt v
f) En las condiciones de la Figura 1, haz una estimación del

ensanchamiento espectral térmico y del debido a inhomogeneidades. Indica las operaciones y
señala las suposiciones que hagas.
g) Calcula (i) la frecuencia de corte fc y (ii) (20MHz)/(0 MHz) para este LED
h) Explica brevemente a qué crees que debe ser debido el que, como dice en la nota al pie de la
Tabla 1, no sea recomendable la operación del dispositivo para IF < 20 mA.
i) Explica brevemente cuál será la diferencia física entre el HPWS-TH00 y el HPWS-FH00.
j) Haz una estimación del ángulo mitad para el HPWS-TH00 y el HPWS-FH00.
29
4) [Cfr. Feb.02-(1)] El HLMP-EL31 es un LED amarillo-ámbar, con el espectro de emisión de la figura,

obtenido en modo pulsado para TA=25ºC. Puede suponerse que la emisión es banda a banda.
a) Indica de qué semiconductor es la zona activa de este
LED y de qué material era el substrato sobre el que se
realizó el crecimiento epitaxial.
b) Se sabe que su resistencia parásita en serie es de 12 Ω. Di
a qué puede ser atribuible este alto valor.
c) (i) Justifica numéricamente si en el espectro de este LED
domina el ensanchamiento térmico o el debido a las
inhomogeneidades de la aleación. (ii) Calcula la anchura
del espectro (FWHM) que obtendrías para TJ = 60ºC.
5) [Jul.11-(1.a-e.l-o); Cfr. Feb.04-(6)] Sea un LED blanco con coordenadas cromáticas x = 0.33, y = 0.33,
formado por un LED azul con emisión en 470 nm recubierto con una capa fosforescente.
a) Dibuja la estructura del LED azul indicando: (i) el material de la zona activa, (ii) un posible
sustrato sobre el que se haya realizado el crecimiento epitaxial, (iii) los materiales de la buffer y
de las demás capas semiconductoras y (iv) dónde se realizan los contactos.
b) Señala en la carta cromática de la hoja adjunta las coordenadas (x,y) de la capa fosforescente, de
modo que se vea cómo las hallas. Puedes suponer que su coordenada z es despreciable
Indica sobre la carta cromática las coordenadas

(x,y) (de modo que se vea cómo las hallas) y di de
qué color se apreciaría la luz para los siguientes
LEDs, que son iguales en todo al LED blanco
arriba mencionado a excepción de la diferencia que
se señala en cada caso:
c) Disminuye la eficiencia cuántica de la capa
fosforescente.
d) La capa fosforescente es más gruesa.
e) El LED azul tiene menos responsibidad.
f) El LED azul emite en 490 nm.
Nota: Definimos la eficiencia cuántica de la capa
fosforescente como el cociente entre el número de fotones
reemitidos y el número de fotones primarios absorbidos
6) [Nov.03-(4)] Un amigo mío estaba montando un Belén y me llamó para pedirme opinión sobre el
diseño que había hecho. Pretendía utilizar LEDs rojos y LEDs blancos (azul + capa fosforescente)
que se encendieran y se apagaran. Con el fin de ahorrarse componentes y de simplificar el montaje,
el diseño contaba con una única resistencia (de valor a elegir y de potencia suficiente), tal como se
indica en la figura. (LB1, LB2: LEDs blancos; LR1, LR2: LEDs rojos. Se puede suponer que todos
los LEDs rojos son idénticos y suponemos lo mismo para los blancos).
¿Crees que dicho circuito funcionaría como pretendía mi amigo o presentaría algún problema?.
Explica razonadamente tu respuesta.
30
7) [Sept.06-(4.5-5)] El NSPW510BS de Nichia es un LED blanco de alta luminosidad, algunas de cuyas

características se adjuntan en las tablas y figuras adjunta.
a) Para las condiciones de la Tabla 1, haz una estimación del flujo luminoso, indicando en la tabla
su valor, símbolo y unidades. Haz las aproximaciones que consideres oportunas.
b) Indica de qué material serán probablemente (i) el sustrato sobre el que se ha realizado el
crecimiento, (ii) la capa buffer y (iii) la capa activa del diodo.
c) (i) ¿A qué temperatura la luz emitida será menos blanca? ¿De qué tono se verá? Razónalo.
(ii) A la vista de las gráficas, argumenta cuál se degradará más al aumentar la temperatura, la
eficiencia cuántica del semiconductor o la de la capa fosforescente.
d) Calcula la anchura espectral en energía (en meV) de la emisión primaria (la emitida en la zona
activa del diodo). A la vista del resultado, discute numéricamente si será importante el
ensanchamiento espectral debido a las inhomogeneidades para la emisión primaria.
e) Calcula qué resistencia de carga habría que poner al LED para que conectado a una fuente de 5 V
tuviera a temperatura ambiente una intensidad luminosa de 1 cd. Puedes suponer que la eficiencia
cuántica del LED cambia poco con la corriente.
f) Haz una estimación de la resistencia parásita en serie, rs.. Indica como lo calculas y di a qué se
debe su elevado valor.
Características ópticas para TA = 25ºC, IF,DC = 20 mA

Valor
Descripción Símbolo Unidad
Típico
Ángulo mitad ½ 25 º
Intensidad luminosa Iv 2.5 cd
Flujo luminoso
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8) Cuestiones breves
a) Enumera las características óptimas para que un semiconductor sirva para fabricar LEDs que
tengan una buena eficiencia de recombinación radiativa. Di también por qué es más difícil hacer
un LED de visible que de infrarrojo.
b) Explica, en tres frases y un dibujo, qué es, qué ventajas ofrece y para qué se utiliza una impureza
isoelectrónica.
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1) Cuestiones para explicar sobre LEDs de GaAs:
a) [Sept.02-(1b)] Explica de forma breve, clara y concisa por qué la eficiencia cuántica externa de los
LED de GaAs:Si, que emiten en   950 nm, es mayor que la de los LED de GaAs:Zn, que
emiten en   880nm. Nota 1: Esto ocurre incluso en los casos en los que la eficiencia cuántica
interna es parecida. Nota 2: Eg(GaAs) = 1.42 eV.
b) [Feb.03-(2a). Cfr. Feb.05-(10i)] Los LED de GaAs:Si tienen tiempos de recombinación radiativa
relativamente largos (~1s). Sin embargo su eficiencia cuántica interna (que según vimos en
teoría i = (1 + rad/norad)-1 ) es grande. Explica de forma breve, clara y concisa cómo se resuelve
esta contradicción.
c) [Feb.03-(5a)] Di dos motivos por los que pueda ser ventajoso utilizar IREDs de AlGaAs en vez de
IRED de GaAs:Si
2) [Nov.04-(4); cfr. Sept.07-(3)] El SFH4591 es un IRED de AlGaAs cuyas características se dan en las
tablas.
Parámetros máximos Características (TA = 25ºC)
Descripción Símbolo Valor Unidad Descripción Símbolo Valor Unidad
Rango de temperatura de -40 Longitud de onda del pico (IF = 100mA, tp = 20 ms (1) )  880 nm
Top;Tstg ºC
operación y almacenam. +100 Flujo radiante (IF = 100mA, tp = 20 ms (1) ) e 25 mW
Temperatura de la unión TJ 100 ºC Tensión en directa (IF = 100mA) VF 1.5 V
Corriente en directa (DC) IFDC 100 mA Resistencia diferencial (IF = 100mA) rs <1 
Tensión en inversa VR 2 V Coeficiente de temperatura de Ie y e TCI -0.44 %/K
(1): un único pulso de corriente de duración tp
a) Calcula la corriente máxima en continua, IFDCmáx, para TA=25ºC y RthJA=750ºC/W.
b) Calcula e en continua para IF = IFDCmáx (y TA=25ºC y RthJA=750ºC/W). Indica en cada apartado
cómo lo calculas, justificando brevemente las aproximaciones.
3) [Nov.06-(4)] Sea un IRED de AlGaAs de doble heterounión con las características de la tabla.
a) Calcula la frecuencia de corte que tendría para RL= 1 K. Indica cómo lo calculas. (Puedes
suponer que la “constante de tiempo” es constate).
b) (i) Haz una estimación de su tensión de disparo V (indicando las aproximaciones que haces).
(ii) Calcula la tensión V0 para que en el circuito de la figura el Φe máximo sea 10 mW.
(Suponemos ω « 2fc). (iii) Si fuera necesario, modifica el circuito para proteger al LED en
inversa (y si no fuera necesario justifica por qué).
Descripción (para TA = 25ºC) Símbolo

Valor
Unidad 50 
típico
Longitud de onda del pico  875 nm
Frecuencia de corte (f-3dB) (para RL = 50 ) fc 9 MHz
Capacidad total Co 40 pF V0 sen(ωt) IRED
Resistencia parásita en serie rs <1 
Flujo radiante (IF = 50 mA) Φe 16 mW
Tensión inversa máxima VR 2 V
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4) [Feb.09-(3.g-i)] Las gráficas adjuntas corresponden a las características P-I e I-V en continua del IRED
HE8404 para diferentes temperaturas de encapsulado Tc.
a) Dibuja sobre la gráfica las características P-I que obtendrías en modo pulsado (con pulsos cortos
y muy separados) para Tc=25ºC y para Tc=60ºC.
b) Encuentra gráficamente a qué corriente continua la temperatura de la unión es 60ºC para
Tc=25ºC, y argumenta brevemente tu respuesta.
c) Valiéndote del apartado anterior, haz una estimación de la resistencia térmica entre la unión y el
encapsulado (Rth,JC).
5) [Nov.08-(2)] Sea el IRED de doble heterounión acoplado a fibra con emisión en 850 nm que se
muestra en la Fig. 1 y que funciona en alta inyección con recombinación banda a banda.
a) Completa en la figura 1 el material, el dopado y la misión de las capas semiconductoras.

b) Completa la figura 2 con las anchuras de banda prohibida de las diferentes capas.
c) Indica en las casillas correspondientes cómo evolucionarán las magnitudes que se indican
(aumentará: ↑, disminuirá: ↓ o no variará: =) si se modifican los siguientes parámetros:
 Se baja el dopado del sustrato: Resistencia parásita en serie (rs)  Eficiencia de emisión (ηe) 
 Se remplaza el epoxy por un material con índice de refracción n=1.2:
rs  Pérdidas por adireccionalidad  Pérdidas por reflexión en las intercaras 
 Se hace más gruesa la capa activa (por ejemplo 2 μm):
Pérdidas por autoabsorción  Frecuencia de corte (fc)  Anchura espectral (λ) 
 Se hace mucho más gruesa la capa para contacto (p. ej. 5 μm): ηe  Tensión de disparo (Vγ) 
 Se elimina la capa para contacto: rs  Vγ  Tensión en directa VF (para IF=cte) 
 Aumenta la temperatura de la unión: ηi  MTTF  Pérdidas por autoabsorción 
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6) Sea un LED para comunicación por fibra óptica en la 2ª ventana.

a) [Feb.08-(6), Sept.09-(2.a)] Dibuja su estructura de capas, indicando la función de cada capa (sustrato,
capa superior para contacto óhmico, etc.), el semiconductor de que está hecha y su dopado.
b) [Nov.05-(5.b)] Suponiendo que el sustrato es de tipo n, di un posible dopante no anfótero: (i) para el
sustrato y (ii) para la capa para contacto óhmico, e indica en cada caso a qué átomo sustituye
c) [Nov.05-(5.c)] ¿Cuál será su tensión de disparo V? (Indica escuetamente abajo las operaciones)
d) [Nov.05-(5.d)] Sabiendo que este LED va a funcionar en alta densidad de corriente, ¿es de esperar
que su frecuencia de corte dependa del espesor de la zona activa? (Si respondes que sí, di cómo y
brevemente por qué. Si respondes que no di brevemente por qué).
7) a) [Sept.08-(4), Feb.10-(3.d)] Partiendo de la naturaleza ondulatoria del electrón, (i) explica por qué la
localización espacial de un estado electrónico asociado a una impureza isoelectrónica (p. ej.
GaP:N) conlleva una indeterminación del vector de ondas del estado localizado y (ii) por qué esto
puede dar lugar a un aumento de la eficiencia de recombinación radiativa en semiconductores
indirectos.
b) [Feb.06-(1)] Sea un portador en un estado asociado a una impureza (por ejemplo, por fijar ideas, un
aceptor) en un semiconductor directo. Supón que ese estado está bastante localizado
espacialmente. Contesta de forma razonada si el tiempo de recombinación radiativa vía impureza
será mayor o menor que para el caso de un estado menos localizado.
8) [Nov.05-(6)] Sea un LED verde amarillento convencional (peak = 565 nm, v = 600 lm/W) que, para
20 mA, emite 9·10-2 lúmenes. Calcula su eficiencia cuántica externa (en %), indicando las
operaciones.
9) [Dic.06-(A); Jul.10-(4)] El TGLD240P es un LED Descripción (para TA = Valor
25ºC, IF = 30 mA, dc) Símbolo Unidad
verde-amarillento convencional, algunas de cuyas típico
Longitud de onda del pico p 565 nm
características se recogen en la tabla adjunta. Intensidad luminosa Iv cd
a) Completa en la tabla los valores que faltan e Flujo luminoso Φv 3.5 mlm
indica cómo los calculas o cómo haces la Flujo radiante Φe mW
Tensión en directa VF 2.25 V
estimación. Ángulo mitad θH ±6 º
b) Calcula la eficiencia cuántica externa (ηext) y la Eficacia luminosa ηv 600 lm/W
eficiencia de conversión de potencia (ηP).
c) Haz una estimación de su resistencia parásita en serie y de la tensión que tendría para IF= 10 mA.
d) Queremos comparar este LED verde-amarillento con un LED verde primario con longitud de
onda del pico en 520 nm. Argumenta brevemente pero convincentemente tus respuestas.
 ¿Cuál de los dos tendrá mayor eficacia luminosa (ηv)?⁯
 ¿Cuál de los dos tendrá mayor eficiencia cuántica externa?⁯
 ¿Cuál de los dos tendrá mejor calidad estructural? ⁯
 ¿Cuál de los dos tendrá mayor tensión de disparo? ⁯
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10) [Feb.06-(4)] (a) Calcula qué resistencia de carga RL habría que ponerle a un LED verde amarillento
convencional para hacerle circular 20 mA al conectarle a una batería de 4 V, suponiendo que la
resistencia parásita en serie del LED fuera de 30. (b) Y si se le conecta a la batería sin resistencia
de carga, ¿qué corriente circulara? ¿Qué temperatura aproximada alcanzaría la unión suponiendo
que la resistencia térmica entre unión y ambiente fuera RthJA=1 ºC/mW y Ta=25 ºC? Indica todas las
operaciones.
11) [Nov.07-(2)] Recientemente ha salido al mercado un LED verde azulado de muy alta luminosidad,
excelente disipación térmica (baja RthJC) y muy robusto (alta TJM y alta fiabilidad) (ver tabla).
a) Di: (i) de qué semiconductor será su zona Descripción Valor
Símbolo Unidad
activa, (ii) si será de homounión, de (para IF = 350 mA, TJ = 25ºC) típico
Longitud de onda del pico  505 nm
heterounión simple o de doble
Eficiencia luminosa ηv 230 lm/W
heterounión y, en caso de que proceda, Flujo luminoso Φv 60 lm
cuál será el semiconductor de las barreras Coeficiente de temperatura de Φv TCv -0.12 %/ºC
y (iii) sobre qué sustrato crees que se ha Anchura espectral (FWHM)  30 nm
Tensión de operación VF 3.4 V
realizado el crecimiento epitaxial.
Resistencia térmica unión-encapsulado RthJC 9 ºC/W
b) Haz una estimación de: (i) su tensión de Tiempo medio para el fallo MTTF 5·104 horas
disparo y (ii) su resistencia parásita en Corriente máxima (dc) IFM 1.5 A
Temperatura máxima de la unión TJM 185 ºC
serie.
c) Sabiendo que su MTTF para TJ=150ºC es de 500 horas y que, como se dice en la tabla, su MTTF
proyectado para TJ=25ºC es de 5·104 horas, calcula su energía de activación para el fallo, Eact, y
cuánto debe ser la temperatura de la unión para que su MTTF no sea inferior a 104 horas.
d) Calcula su eficiencia cuántica externa y la eficiencia de conversión de potencia para las
condiciones de la tabla indicando cómo lo calculas.
e) Calcula la temperatura de la unión TJ y el flujo luminoso Φv para IF=1 A, TA = 25ºC y resistencia
térmica entre el encapsulado y el ambiente RthCA= 6ºC/W.
f) Calcula la anchura espectral  (FWHM) para TJ=TJM=185ºC. Para ello, indica los parámetros
intermedios que calcules y deduce la expresión de térmica que utilices. (Puedes suponer que la
emisión es banda a banda, que el semiconductor es no degenerado y que  cambia poco con la
temperatura).
12) [Nov.08-(3)] En un artículo reciente, publican los resultados correspondientes a un LED de doble
heterounión sobre sustrato de GaSb y que emite banda a banda en el infrarrojo medio. Se sabe que:
 Tanto la barrera como la zona activa tienen el mismo parámetro de red que el substrato.
 La zona activa es una aleación ternaria.
 La barrera es una aleación cuaternaria con Eg = 1.2 eV
Con la ayuda de la figura y de la tabla del Tema 1, responde a las siguientes cuestiones:
a) Di cuál es la aleación ternaria de la zona activa, calcula su composición y di en qué λ emitirá
(suponiendo emisión banda a banda).
b) Di cuál crees que será la aleación cuaternaria de la barrera y señálala sobre la figura.
c) Aunque no puedas calcular la composición concreta de la aleación cuaternaria de la barrera,
calcula qué relación tendrá que cumplirse para que esté acoplada al substrato.
d) Haz una estimación de la tensión de disparo Vγ de este LED indicando cómo la calculas.
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13) [Dic.08] El LXK2-PD12-S00 es un LED rojo de muy alta potencia fabricado con la reciente
tecnología de sustrato transparente y “reshaped chip” (TSRC). La tabla adjunta recoge algunas de
sus características.
Descripción Valor
Símbolo Unidad
(TJ = 25ºC, IF = 350 mA) típico
Flujo luminoso Φv 60 lm
Eficacia luminosa ηv 150 lm/W
Anchura espectral (FWHM) Δλ 20 nm
Tensión de funcionamiento VF 2.8 V
Flujo radiante Φe
Responsividad 
Eficiencia cuántica externa ηext
Eficiencia de conversión de
ηP
potencia
TJ = temperatura de la unión
a) Di de qué material será: (i) la zona activa, (ii) el sustrato sobre el que se ha realizado el
crecimiento epitaxial y (iii) el pseudo-sustrato unido por fusión de obleas. Si piensas que este
LED es de DH di de qué material serán las barreras y si no di por qué.
b) Indica si es previsible que la eficiencia de emisión ηe y la eficiencia cuántica interna ηi de un
LEDs con tecnología TSRC como éste sean mayores, iguales o menores que las de un LED rojo
convencional (sin sustrato transparente ni forma tronco-piramidal), razonando tus respuestas.
c) Completa la tabla, calculando para las condiciones indicadas el flujo radiante (Φe), su
responsividad (), su eficiencia cuántica externa (ηext) y su eficiencia de conversión de potencia.
d) Sabiendo que Φv =28 lm para TJ = 100ºC e IF = 350 mA, da una expresión numérica para (TJ)
(i) si el coeficiente de temperatura de la responsividad (TC=(/TJ) /) fuera constante y (ii)
si (TJ) fuera aproximadamente lineal
Supón ahora que se hace funcionar a este (para TA = 25ºC, IF = 350 mA) Símbolo Valor Unidad
LED a una temperatura ambiente de 25ºC Temperatura de la unión TJ ºC
con una corriente de 350 mA, siendo la Flujo luminoso Φv lm
resistencia térmica entre unión y Anchura espectral (FWHM) Δλ nm
ambiente Rth,JA = 40 ºC/W.
e) Calcula la temperatura de la unión y completa su valor en la tabla. Usa la aproximación lineal de
(TJ) del apartado d.ii.
f) Calcula Φv y completa su valor en la tabla. Supón que TC es constante (apartado d.i).
g) Calcula Δλ y completa su valor en la tabla.
Nota: Por sencillez, supón en todo el ejercicio que p y ηv varían poco con la temperatura
37
14) [Feb.08-(4)] Un LED con emisión en 505 nm (“cyan”) tiene un coeficiente de temperatura de la
potencia óptica TCe = (e/T)/e = -0.1 %/ºC y su longitud de onda varía d/dT=0.15 nm/ºC. Se
sabe además que para 505 nm v= 280 lm/W y dv/d = 12 (lm/W)/nm.
a) Calcula la variación relativa de la eficiencia cuántica interna de este LED con la temperatura,
TCi = (i /T)/i (en %/ºC), sin despreciar d/dT. Indica paso a paso cómo lo obtienes.
b) Calcula el coeficiente de temperatura del flujo luminoso, TCv = (v/T)/v (en %/ºC), para
este LED. Indica paso a paso cómo lo obtienes.
Sistematizando:
c) (i) Deduce una expresión analítica para TCe en función de TCi y de (d/dT)/.
(ii) Deduce una expresión analítica para TCv en función de TCe, (dv/d)/v y de d/dT.
Sea ahora un LED con emisión en 625 nm (rojo anaranjado) con TCi = -0.5 %/ºC y d/dT=0.2 nm/ºC.
d) Calcula su TCv, sabiendo que v(625 nm)= 200 lm/W y dv/d(625 nm) = -6 (lm/W)/nm
e) (i) Explica por qué en uno de los casos anteriores TCv<TCe y en el otro TCv>TCe.
(ii) Razona qué pasaría (TCv<TCe , TCv>TCe o TCvTCe) para un LED de
GaP:N convencional.
15) [Feb.03-(1)] El LWY87S es un LED que emite luz blanca a partir de luz azul de 470 nm.
a) Indica con un dibujo cómo se consigue que emita luz blanca a partir de luz azul.
b) Indica también en el dibujo de qué familia de semiconductores estará hecho este LED
c) Dibuja cualitativamente su espectro de emisión.
d) Estima grosso modo la tensión de disparo V de este LED indicando las aproximaciones que hagas
e) Di si es previsible que este LED tenga una resistencia parásita en serie grande o pequeña y por qué.
f) Este LED no lleva encapsulado con lente, siendo su diagrama de emisión aproximadamente
lambertiano. Dibuja sobre la figura su diagrama de emisión tanto en polares como en cartesianas
g) Si se le pusiera un encapsulado de modo que su diagrama de emisión fuera mucho más estrecho,
¿la intensidad luminosa (medida en candelas) para  = 0º aumentaría o disminuiría?. Razona
brevemente tu respuesta.
h) Los diferentes lotes comerciales del LWY87S tienen emisiones ligeramente diferentes tal y como
se indica en la figura, situadas en el diagrama cromático aproximadamente sobre la recta Cx=Cy.
Indica cuál será la diferencia física entre un LED correspondiente al lote 3 y un LED
correspondiente al lote 5.
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16) [Feb.06-(6-7)] Existe una técnica para fabricar LEDs blancos a partir de LEDs azules en la que, en
vez de usar una capa fosforescente, se utiliza un semiconductor con Eg adecuada (llamado
semiconductor complementario). En la figura adjunta aparece el LED azul con  =485 nm crecido
sobre un sustrato de zafiro (transparente) y una capa epitaxial del semiconductor complementario
unida a la otra cara del zafiro mediante la técnica de fusión de obleas. Dicho semiconductor
absorberá parte de la luz azul y la reemitirá por emisión banda a banda.
a) Indica: (i) con qué familia de semiconductores estará fabricado el LED azul, (ii) de qué semicon-
ductor será la zona activa y (iii) por qué el dispositivo aparece en el dibujo con forma de mesa.
b) Calcula cuál debe ser la anchura de banda prohibida Eg del semiconductor complementario para
poder obtener luz blanca. Indica cómo lo calculas
c) Di: (i) de qué familia será el semiconductor complementario y (ii) sobre qué sustrato se habrá
realizado originariamente su crecimiento epitaxial. Razona brevemente tus respuestas.
d) Di si, para que el dispositivo funcione adecuadamente es necesario que el semiconductor
complementario esté dopado o tenga contactos eléctricos. Si la respuesta es afirmativa indica
cómo y si es negativa indica por qué.
e) Supón que la Eg y el espesor del semiconductor complementario están correctamente calculados
para que la luz resultante sea blanca pero que, inesperadamente, debido a un proceso incorrecto
durante la fusión de obleas, se han producido centros profundos en el semiconductor. ¿De qué
color apreciaríamos entonces la luz “blanca” emitida? Razona brevemente tu respuesta y señala
de forma cualitativa sobre la gráfica las coordenadas cromáticas que resultarían.
f) ¿Se podría usar un LED verde con emisión en 520 nm (para obtener un LED blanco) buscando un
semiconductor complementario adecuado? En caso afirmativo, indica cuál y con qué Eg. En caso
negativo, indica por qué.
LED azul zafiro semiconductor

(485nm) complementario
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17) [Sept.08-(5)] Una linterna de bajo coste (2€ incluyendo las pilas) está formada por 9 LEDs blancos
fabricados con la tecnología habitual de estos dispositivos.
a) Di cuál será el semiconductor de la zona activa y qué tipo de estructura tendrá (homounión, SH o
DH). En caso de que sea de homounión arguméntalo y en caso de que sea de SH o DH di cuál
será el semiconductor de la barrera.
b) Cuando los LEDs están apagados presentan un cierto tono amarillento (que no es debido al
encapsulado de plástico). ¿A qué crees que será debido? Argumenta tu respuesta.
c) Haz una estimación de la tensión de disparo Vγ de estos LEDs indicando cómo la hallas.
d) ¿Cuántas pilas de 1.5 V crees que llevará?. Argumenta tu respuesta. Nota: Ten en cuenta (i) que está
hecha sin costes innecesarios pero (ii) que funciona de forma fiable aun cuando la tensión de las pilas puede
disminuir algo al gastarse y aun cuando, para esta tecnología, la V γ puede variar algo de un LED a otro.
e) Dibuja el circuito más probable de polarización de los 9 LEDs indicando los valores de las
resistencias que pongas, suponiendo que la corriente nominal de operación de cada LED es 10
mA y que su resistencia parásita en serie es del orden de 10 Ω. Indica las operaciones que hagas
Nota: No es necesario que escatimes innecesariamente las resistencias, que son mucho más baratas que
las pilas, y ten en cuenta que Vγ puede variar de un LED a otro).
Comparamos un LED blanco con un LED azul, idéntico al LED

18) [Jul.11-(1.f-h); cfr. Ene.11-(2.a-b)]
primario de aquél pero sin capa fosforescente, ambos polarizados con la misma corriente IF.
Nota: Suponemos, por fijar ideas, que la eficiencia cuántica de la capa fosforescente (definida como el cociente entre el
número de fotones reemitidos y el número de fotones primarios absorbidos) es del 100%.
a) ¿Cuál tendrá mayor tensión de disparo Vγ?
b) ¿Cuál emitirá, en principio, mayor potencia óptica, Popt?.
c) ¿Cuál crees que emitirá mayor flujo luminoso Φv?
40
19) En una pantalla en color de grandes dimensiones se utilizan tres LEDs en cada pixel, con
emisiones centradas en 470, 520 y 620 nm, respectivamente, y anchuras espectrales de 20 nm.
a) [Feb.10-(4.b)] Indica sobre la carta cromática la
región de coordenadas obtenibles mediante la
mecla de la luz proveniente de estos tres tipos de
LED.
Indica sobre la carta cromática adjunta
[Ene.11-(2.g-h)]
las coordenadas cromáticas (x, y) que se obtendrían en
los siguientes casos y razona tus respuestas:
b) Se pretende emitir blanco pero, debido a un fallo,
no lucen los LEDs rojos.
c) Se pretende emitir rojo pero, debido a un fallo, no
lucen los LEDs rojos.
20) A la vista de la carta cromática, responde a las siguientes cuestiones:
a) [Sept.05-(3.a)] Sea un LED con longitud de onda
aparente d = 600 nm y queremos que, combinado
con otro LED con d adecuada e intensidad
adecuada, dé lugar a luz blanca. ¿Cuál debe ser la
d de este segundo LED?. Indica sobre la carta
cromática cómo lo calculas.
b) [Feb.09-(2.d)] Sea una capa fosforescente con
coordenadas cromática (0.7, 0.3). Indica cuál
deberá de ser la λd de un LED primario para que la
combinación de ambos pueda dar lugar a blanco
puro (indica cómo lo hayas) y di de qué
semiconductor será su zona activa.
c) [Feb.10-(4.a)] Di cuál es la mayor  de emisión posible para un LED primario para que al
combinarlo con una capa fosforescente se obtenga blanco puro e indica sobre la carta cromática
de la izquierda cómo lo hallas. (Supón que la componente azul de la capa fosforescente es
despreciable).
d) [Sept.05-(3.b)] Explica brevemente por qué para ninguna longitud de onda es posible tener
coordenadas cromáticas x = 0 e y = 0.
e) [Feb.07-(4.a)] Un LED blanco comercial tiene una emisión primaria azul en 440 nm y una capa
fosforescente. (i) Indica qué λ dominante tendrá la emisión de dicha capa y (ii) Razona cuál de
las dos emisiones que forman el haz de salida (la emisión primaria no absorbida y la emisión de
la capa fosforescente) tiene que tener mayor potencia óptica (o si tienen que ser las dos iguales)
para que la emisión total resultante sea blanca.
f) [Feb.07-(4.b)] Sean dos LEDs verdes , ambos con máximo de emisión en 520 nm pero con
diferente anchura espectral (FWHM): uno de ellos con (1) Δλ=20 nm y el otro (2) con ) Δλ=40
nm. Dibuja cualitativamente sobre la figura las coordenadas cromáticas aproximadas de dichos
LEDs (etiquetándolas “1” y “2”) y argumenta tu respuesta.
41
21) [Dic.06-(B)] El NSHU550B es un LED con emisión en el ultra-violeta recientemente desarrollado

por Nichia. La tabla adjunta recoge algunas de sus características más destacadas. Se puede suponer
que la emisión es banda a banda.
Descripción Valor
Símbolo Unidad
(TA = 25ºC, IF = 20 mA, dc) típico
Flujo radiante Φe 2 mW
Tensión en directa VF 3.6 V
Resistencia parásita en serie RS 15 Ω
Anchura espectral (FWHM) Δλ 10 nm
a) Para las condiciones de la tabla, calcula su eficiencia cuántica externa (ηext) y y haz una
estimación de su flujo luminoso (Φv).
b) (i) ¿De qué material será el sustrato sobre el que se ha realizado el crecimiento epitaxial?.
(ii) ¿Piensas que será de homounión o de doble heterounión? Argumenta de forma breve y
completa en qué te basas.
(iii) Di de qué material será la zona activa (y si piensas que es de DH di también de qué material
serán las barreras).
(iv) ¿Qué técnica de crecimiento epitaxial (nombre y siglas) crees que se habrá utilizado más
probablemente para fabricar este LED:
c) (i) Dibuja esquemáticamente la estructura de este LED, indicando claramente los contactos
óhmicos de la zona n y de la zona p.
(ii) Argumenta si, en principio, sería de esperar que fuera más fácil hacer buenos contactos
óhmicos a este LED o a un LED verde-amarillento convencional
d) Di qué coordenadas cromáticas (x,y) tendría que tener una capa fosforescente para que,
combinada con este LED, diera lugar a un LED con emisión en el blanco puro. Razónalo.
e) (i) Argumenta numéricamente si la anchura espectral será fundamentalmente debida a la
distribución térmica de los portadores o a inhomogeneidades.
(ii) Menciona con qué tipo de inhomogeneidades (de composición, de energías de ionización, de
la tensión biaxial, del dopado, de la temperatura o de qué…) es posible atribuir en este caso
el ensanchamiento espectral debido a inhomogeneidades.
22) [Nov.09-(4.1), Nov.04-(1i-ii)] Cuestiones sobre tensiones de disparo, V . (Ver tabla de Eg, pág.1)
a) Un viejo tipo de LEDs de GaP:ZnO emite en 700 nm (el par ZnO se comporta como impureza
isoelectrónica). Haz una estimación de su tensión de disparo V. Indica las operaciones.
b) Calcula V para un LED de comunicación por fibra óptica en 2ª ventana. Indica las operaciones.
Di cuál tendrá mayor tensión de disparo V ((A), (B) o
[Feb.05-(4.i-iii), Nov.09-(4.2); Jul.11-(1.i)]
parecida), y argumenta de forma breve y precisa por qué:
c) (A) un LED de GaAs difundido o (B) un LED de GaAs epitaxial.
d) (A) un LED de AlGaAs de heterounión simple con emisión en 880 nm o (B) un LED de AlGaAs
de doble heterounión con emisión en 880 nm.
e) (A) un LED de AlGaInP de heterounión simple con emisión en 590 nm o (B) un LED de
AlGaInP de heterounión simple con emisión en 610 nm.
f) (A) un LED blanco o un LED verde o (B) un LED verde amarillento convencional.
42
23) [Feb.05-(4.iv-v), Sept.05-(4.i-iv), Sept.06-(3.1-3.2), Nov.09-(4.3)] Di cuál tendrá previsiblemente mayor

eficiencia cuántica externa ext ((A), (B) o parecida), y argumenta de forma breve y precisa por qué:
a) (A) un LED con diagrama de emisión lambertiano o (B) un LED con el chip y con material del
encapsulado iguales que los del anterior pero con ángulo mitad H=75º.
b) (A) un IRED de GaAs de homounión con emisión en 880 nm o (B) un IRED de GaAs de
homounión con emisión en 950 nm.
c) (A) un LED de GaAsP con sustrato de GaAs o (A) un LED de GaAsP con sustrato de GaP
d) (A) un IRED de DH de AlGaAs o (B) un LED rojo de DH de AlGaAs (con = 650 nm).
e) (A) un LED de AlGaInP rojo o (B) un LED de AlGaInP amarillo-ámbar.
f) (A) un LED de AlGaInP rojo o (B) un LED verde-amarillento convencional.
24) Responde a las preguntas razonando tu respuesta de forma breve y precisa:
a) [Feb.06-(5.a), Nov.09-(4.4)] Sean dos LEDs ambos con idéntico chip y con emisión lambertiana pero
uno de ellos (A) encapsulado y el otro (B) sin encapsular. ¿Cuál tendrá mayor ext?
b) [Nov.04-(1.iii)] ¿Cuál tendrá previsiblemente mayor i (A) un IRED de GaAs difundido o (B) un
LED verde-amarillento ordinario?
c) [Feb.06-(5.b), Nov.09-(4.5)] ¿Cuál tendrá una mayor frecuencia de corte (A) un IRED con emisión
en 950 nm y V =1.1V o (B) un IRED con emisión en 880 nm y V =1.4 V?
d) [Feb.05-(4.vi)] ¿Será importante la autoabsorción en un LED verde-amarillento ordinario?
e) [Sept.06-(3.4), cfr. Nov.04-(1.iv), cfr. Nov.09-(4.6)] ¿Cuál tendrá previsiblemente mayor flujo luminoso
v para corrientes de inyección similares (A) un LED de AlGaAs de DH con emisión en 780 nm
o (B) un LED verde-amarillento convencional?
f) [Feb.06-(5.c), cfr. Nov.09-(4.7)] ¿Cuál emitirá un mayor flujo luminoso (para la misma corriente IF)
(A) un LED azul o (B) un LED verde, si la responsividad fuera igual para los dos?
g) [Sept.05-(3.c)] Para un LED azul, la longitud de onda aparente (o “longitud de onda dominante”) d
¿será mayor o menor que la longitud de onda del máximo de emisión en max?
h) [Feb.05-(4.vii), cfr. Sept.05-(4.v), cfr. Nov.09-(4.8)] ¿Cuál tendrá mejor calidad estructural (a) un LED
rojo de AlGaInP o (b) un LED azul?
25) [Ene.11-(2.c-f); + cfr. Jul.11-(1.k)] Contesta, argumentado de forma breve y precisa.
Nota: Para las comparaciones nos referiremos siempre a LEDs convencionales y en condiciones comparable.
a) Cuál tendrá mayor frecuencia de corte, fc: (1) un IRED de 950 nm o (2) un LED rojo de AlGaInP.
b) Cuál tendrá mayor eficiencia cuántica interna, ηi: (1) un LED verde-amarillento convencional o
(2) un LED rojo de AlGaInP.
c) Cuál tendrá mejor calidad estructural: (1) un LED verde amarillento o (2) un LED azul.
d) Cuál emitirá más flujo luminoso: (1) un LED rojo de AlGaInP o (2) un LED rojo de AlGaAs
e) Cuál tendrá mejor eficacia luminosa ηv: (1) un LED blanco o (2) un LED verde-amarillento
43
26) [Nov.03-(1)] Indica el material de la zona activa, de la barrera y del sustrato de los siguientes LEDs:
Nota 1: Si el LED es de homounión, en la columna de la barrera indica “homounión”
Nota 2: En aquellos dispositivos en los que se realiza el crecimiento epitaxial sobre un sustrato pero en los
que, mediante ataque sacrificial y fusión de obleas se sustituye por otro, en la columna “sustrato” indica el
sustrato originario, sobre el que se realizó el crecimiento epitaxial
Tipo de LED Zona activa (Barrera) . Sustrato .

Emisor de un optoacoplador con fc = 15 MHz
Emisor de bajo coste utilizado en los sensores de presencia
LED superluminiscente con emisión en 1.3 m
LED rojo para comunicación por FOP para ~100Mb/s
LED verde amarillento de bajo coste
LED verde primario de alta intensidad utilizado en semáforos
LED ámbar de alta intensidad utilizado en semáforos
LED rojo de muy alta intensidad utilizado en semáforos
44
Tema 5. Diodos láser (LDs): Fundamentos. (h)

=0
1) [Sept.04-(3)] En la gráfica está representada la
ganancia óptica de un semiconductor poco
dopado al que se le ha sometido a un bombeo de
Eg (Fn – Fp)(0)
portadores R que ha dado lugar a inversión de
población, al tiempo que se ha mantenido la h
condición de oscuridad (  0, recombinación
estimulada despreciable). Como se puede
apreciar en la curva, la temperatura es muy baja
(T  0). Para todos los efectos se puede
considerar que el semiconductor es homogéneo.
a) Supón que, para el mismo bombeo R y T  0, se rompe la condición de oscuridad de modo que se
llega a una situación estacionaria en la que el flujo de fotones ( = 1) hace que la recombi-
nación estimulada sea apreciable. Dibuja sobre la gráfica la nueva curva de ganancia (h).
b) Supón, en concreto, que la frecuencia de recombinación estimulada para  = 1 fuera el doble
que la frecuencia de recombinación en oscuridad y supón que el exceso de portadores en
oscuridad es conocido (n(0)). Calcula el exceso de portadores n(1).
c) Usando el resultado del apartado b) calcula el valor del cociente (Fn-Fp-Eg)(1)/(Fn-Fp-Eg)(0).
Supón que mn* = mp*.
2) [Feb.10-(2); cfr. Feb.05-(5)] En la gráfica se representa la ganancia neta en oscuridad neta,0() de un
semiconductor homogéneo sometido a inyección de portadores JF.
neta sin iluminación
1  2 3 g 
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a) Dibuja sobre la gráfica el espectro de ganancia que resultaría si, manteniendo JF constante,
iluminamos el semiconductor con un flujo de luz de longitud de onda 3 (ver gráfica), con Φ3
finito, y etiqueta la curva con (a).
 ¿n aumentará, disminuirá o permanecerá constante? Razona brevemente tu respuesta
 ¿neta(1) aumentará, disminuirá o permanecerá constante? ¿y neta(2)?
b) Repite el dibujo para un flujo de luz muy intenso Φ3→∞, y etiqueta la curva con (b).
 En estas condiciones, ¿para qué  (además de para g) tendremos neta()0?
c) Representa en la gráfica de neta frente a Φ3 la evolución de las ganancias netas en 1 y 2 y 3,
en función del flujo de luz de 3, para JF constante.
d) Repite los apartados a) y b) si se ilumina el semiconductor con longitud de onda 1 (ver gráfica).
Etiqueta con (c) la gráfica para flujo Φ1 finito y con (d) la gráfica para Φ1→∞.
e) Representa en la gráfica de neta frente a Φ1 la evolución de las ganancias netas en 1 y 2 y 3,
en función del flujo de luz de 1, para JF constante.
f) Supón ahora que tenemos dicho material, con la misma JF, en una cavidad multimodo con F
pequeña. Representa el espectro de ganancia que tendríamos en condiciones estacionarias.
g) Idem para una cavidad DFB con la m que se indica.
3) [Feb.06-(1)] Sea un LD de doble heterounión (no SC-LD) con cavidad de Fabry-Perot, con longitud
de la cavidad L, anchura lateral W, espesor d, índice de confinamiento =1, reflectividad Rm,o en la
faceta de salida, reflectividad Rm,r en la faceta posterior y coeficiente de pérdidas por scattering s .
a) Deduce brevemente la expresión para el coeficiente de pérdidas total de la cavidad r.
b) Indica cualitativamente cómo variará cada uno de los siguiente parámetros (,,=)
 si se aumenta el espesor d:  si se aumenta la reflectividad Rm,r de la faceta posterior:
corriente umbral Ith coef. de pérdidas total de la cavidad r
Inversión de población umbral nth ganancia neta en oscuridad neta,o
ganancia neta en oscuridad(0) neta,o ganancia neta (1)
neta
ganancia neta (1) neta inversión de población(1) n
potencia óptica emitida (1,2) Popt flujo de luz dentro de la cavidad (1)

astigmatismo As potencia óptica emitida (1,2)
Popt
(0): para una IF dada tiempo de recombinación estimulada (1)
st
(1): en oscilación estacionaria para una IF dada ( >Ith)
(2): por la faceta de salida
c) Deduce una expresión para la dependencia de Ith con la reflectividad de la faceta posterior
Ith(Rm,r). Da la expresión en función de la corriente umbral, Ith1, que tendría el LD para Rm,r =1.
(Puedes seguir un procedimiento análogo al que seguimos en clase para la deducción de Ith(L)).
4) [Feb.05-(6)] Sea el diodo láser que se representa en la figura, con longitud de cavidad L, reflectividad
Rm en ambos espejos, índice de confinamiento  y pérdidas por scattering s, y que tiene una
región de longitud La sin inyección de corriente. L
Supón que la región sin inyección presenta un coeficiente La
de absorción neto a mientras que en la zona con inyección
tendrá ganancia neta neta, que a y neta son constantes a lo
largo de las respectivas regiones y que  y s son constantes
a lo largo de toda la cavidad. Rm a neta Rm
Deduce la expresión para el coeficiente de pérdidas totales r en este diodo láser.
46
5) [Feb.09-(1)] Sea un LD con corriente de transparencia IT, corriente umbral Ith y coeficiente de
pérdidas αr. Se sabe además que: (i) es multimodo y la distancia espectral entre modos
longitudinales consecutivos es muy pequeña, (ii) su zona activa es homogénea (y no es de QW) y
(iii) la longitud de onda equivalente de la anchura de banda prohibida de la zona activa es λg.
a) Representa en la figura 1.a los valores del máximo de ganancia neta (γneta,máx) en condiciones
estacionarias para las corrientes IF1, IF2 e IF3 indicadas, de modo que se vea cómo los hallas.
b) Representa en la figura 1.b los espectros de ganancia neta en función de λ-λg para IF1, IF2 e IF3,
indicando cuál es cada uno.
neta,máx neta
r - r
IF1 IT IF2 Ith IF3 I

F λ- λg
6) [Jul.11-(3)] Variación de las características P-I de un LD al variar la temperatura.

Sea un LD que para IF = 32 mA y T = 25 ºC emite una potencia óptica de 5 mW. Se sabe además
que para este LD To=120 K, d(25ºC)=0.80 mW/mA y TC ≡ (dd/dT)/d = −1.2 %/ºC, y se puede
suponer que Popt(IF) es lineal para IF > Ith.
Fijamos la corriente en IF = 32 mA y cambiamos la temperatura.
a) Calcula la potencia que emitirá para T = 40 ºC (con IF = 32 mA).
Indica brevemente cómo lo calculas y señala los valores de los parámetros intermedios que obtengas.
b) Calcula en qué rango de temperatura estará en condición sub-umbral (para IF = 32 mA).
Queremos ahora evaluar analíticamente la variación relativa de Popt con la temperatura para IF =
constante. Para ello definimos: TCP ≡ (∂Popt /∂T)/Popt para IF = constante
c) Deduce una expresión analítica para TCP en función de TC, To y IF/Ith (y nada más).
d) Calcula el valor de TCP: (i) para IF = 32 mA y T = 25 ºC, (ii) para IF = 32 mA y T = 40 ºC y (iii)
para IF = 32 mA y T = 25 ºC.
e) A la vista de la expresión del apartado c), indica (i) qué parámetros hay que maximizar o
minimizar para que TCP sea pequeño y (ii) cuánto debe valer IF para que en TCP la contribución
dominante sea la de TC.
47
7) [Dic.04-(3); cfr. [Sept.07-(3)] Sea un LD multimodo con emisión en  0.78 m y con un espaciado F
entre modos consecutivos de 0.2 nm. Se sabe que, para su zona activa, dg/dT  0.25 nm/ºC.
a) Calcula aproximadamente cuántos modos longitudinales (m) cambiará el máximo de emisión de
este LD al variar la temperatura 10ºC. Supón, de momento, que la variación de la longitud de
onda de los modos de la cavidad con la temperatura es despreciable (dm/dT  0).
b) Supón ahora que la variación relativa del camino óptico de la cavidad al variar la temperatura
(d(nL)/dT)/(nL) es 5·10-5 ºC-1. Calcula dm/dT, indicando cómo lo haces.
c) Repite el apartado (a) utilizando el valor de dm/dT obtenido en el apartado (b).
8) [Dic.03-(5)] Sea un LD con emisión en 780 nm con las características que se adjuntan:
a) Dibuja de forma cuantitativa la eficiencia cuántica diferencial en función de la corriente dq(IF)

para 25ºC. Señala los valores relevantes en ambos ejes.
b) Calcula la To de este láser. (No se te olvide indicar las unidades)
c) A la vista de las gráficas di si crees que este LD es monomodo o multimodo o si no se puede
afirmar nada. Arguméntalo de forma convincente
9) [Dic.03-(4); cfr. Jul.10-(3)] Sea un diodo láser del que se

adjunta su dependencia espectral.
a) Haz una estimación de la longitud de la cavidad,
deduciendo la expresión que utilices.
b) Discute si el confinamiento lateral de este LD
será previsiblemente por índice o por ganancia
10) [Dic.03-(6.b), cfr. Feb.08-(2)] Di qué pasará con los siguientes parámetros (aumenta, disminuye o no
varía), si se fabrica un LD en todo semejante a uno dado pero con mayor longitud de la cavidad (L):
(a) Ith ; (b) Jth ; (c)  ; (d) r ; (e) 1/2. Razona brevemente las respuestas.
48
11) [Feb.08-(4)] Sean los pozos cuánticos que se representan en las figuras. Dibuja su ganancia neta
neta(h) para todo el rango espectral indicado de las gráficas.
b) Fn-Fp = Egef ; fgain(href) 0.75 c)Fn-Fp > Ec2- Ev2 ; fgain(Egef) 0.75
a) Fn-Fp > Egef ; fgain(Egef) 0.75
E fgain(Ec2- Ev2)fgain(href) 0.25
E Ec(z)
Ec(z) E Ec(z)
Fn Fn = Ec1 Fn Ec2
Ec1 Ec1
ef
Eg Fn-Fp = Eg Eg Eg
ef
Fn-Fp Eg Eg
ef Fn-Fp
Fp = Ev1 Ev1
Ev1 Fp Fp Ev2
Fp Ev(z) Ev(z)
Ev(z)
z z
z
neta neta neta
Eg Eg
ef
Fn-Fp h Eg ef
Eg = href h Eg Egef Ec2-Ev2 Fn-Fp href h
Fn-Fp
12) Cuestiones breves sobre diodos láser (LDs):

a) [Feb.05-(9.b)] Indica qué diferencias en las características de funcionamiento presentará un LD
monomodo y respecto a un LD multimodo en el que prevalece un modo (es decir: cómo podrías
distinguir por sus características si es de un tipo o del otro).
b) Qué ventajas e inconvenientes tienen las estructuras de confinamiento lateral por índice respecto
a las estructuras de confinamiento lateral por ganancia.
c) Indica por qué síntomas se puede deducir que un LD ha sufrido un deterioro en sus características
d) Explica por qué los LDs se comportan como sistemas de orden 2 o superior
49
1) [Ene.11-(1)] Los láseres que se representan en las figuras a)-f) son en todo semejantes al de la figura
a), salvo los cambios que se indican (fundamentalmente valores de reflectividades (Rma,1 o 0) y
longitud (La o La/2)). Además, en el caso e) existe una reflectividad de valor Rma en el centro de la
cavidad, mientras que en el caso f) la mitad derecha de la cavidad no tiene ganancia sino absorción.
Indica >, = o < , según corresponda:
Ith(a) …. Ith(b) Ith(d) …. Ith(f) αr(a) …. αr(d) λF(b) …. λF(c) Popt(a) … Popt(b)
Ith(b) …. Ith(c) Jth(a) …. Jth(d) αr(a) …. αr(e) λF(d) …. λF(e) Popt(b) … Popt(c)
Ith(a) …. Ith(e) Δnth(a) … Δnth(c) λF(a) …. λF(d) λF(d) …. λF(f) Popt(d) … Popt(f)
Popt = potencia ópticade salida para JF = cte > Jth
2) [Feb.07-(2), cfr. Feb.09-(2), Sept.09-(1.a)] Dependencia de la densidad de corriente umbral con la longitud
de la cavidad.
a) Deduce la expresión para el coeficiente de pérdidas totales αr de un LD con cavidad de Fabry-
Perot con longitud L, índice de confinamiento Г, reflectividades en los espejos R m1 y Rm2 y
coeficiente de pérdidas por scattering αs.
b) Deduce una expresión para la dependencia de la densidad de corriente umbral con la longitud de
la cavidad Jth(L), tomando como referencia su valor para L→∞ (al que llamaremos J th(∞)). En
particular, escribe Jth(L) de la forma Jth(L) = Jth(∞)·(1+Lr/L) y da una expresión para Lr en
función de Г, Rm1, Rm2 , αs y αef (siendo αef el parámetro característico para la ganancia visto en
teoría (γneta,o = αef ·(JF/JT -1)).
Jth Rm1=Rm2 =Rm
c) Particulariza la expresión de Lr para el caso en el que Rm1 =
Rm2 = Rm, que es el que se representa en la figura.
Jth(∞)
d) Supón ahora que en una de las facetas se deposita una capa
de alta reflectividad mientras que la otra sigue con la misma
1/L
reflectividad del apartado anterior (Rm1 = 1 y Rm2 = Rm ).
 Di si el valor de Jth(∞) para la nueva cavidad es igual o diferente del caso del apartado anterior.
Si es igual, razona por qué y si es diferente deduce la relación entre ambos.
 Deduce la relación entre el valor de Lr para este caso y el calculado en el apartado anterior.
 Dibuja en la figura de la hoja anterior la recta Jth(1/L) correspondiente a este caso.
50
3) [Ene.11-(4.b)] Partiendo de la expresión de αr en función de los parámetros de la cavidad y de la

dependencia de γneta0 con la corriente IF (γneta,o = αef ·(IF/IT -1)), deduce una expresión para la
dependencia de la corriente umbral Ith con Rm (donde Rm=( Rm1·Rm2)½ es la media geométrica de
Rm1 y Rm2). En particular, demuestra que Ith(Rm) se puede escribir de la forma Ith(Rm) = Ith(1)·[
1+β·ln(1/Rm)] (donde Ith(1) sería el valor de Ith para Rm=1) y da una expresión para el coeficiente β
en función de Г, L, αs y αef
4) [Sept.09-(1b)] Deduce cómo dependerá la corriente umbral de un LD del coeficiente de pérdidas por
scattering αs y da una expresión para Ith(αs)/ Ith(αs =0).
5) [Jul.10-(1b)] Deduce la dependencia de la corriente umbral Ith con el índice de confinamiento. Da la
expresión en función de la corriente umbral, Ith1, que tendría el LD para  =1
6) [Sept.09-(1c)] Sea un LD en el que se modifica el espesor de la zona activa manteniéndose αr. Razona
de forma concisa y precisa: (i) Cómo cambiará la ganancia neta en condiciones estacionarias.
(ii) Cómo cambiará Ith, dando una expresión para Ith(d1)/ Ith(d2).
7) [Sept.05-(6a-b)] Sean dos materiales, “1” y “2”, de modo que Eg,1<Eg,2 y n1>n2 , siendo “1” directo y
“2” indirecto, y cuyo alineamiento de bandas es de tipo II. Indica si dicha heterounión puede ser
usada adecuadamente en un LD para: (a) la unión cladding /guía de ondas y (b) la unión guía de
ondas / zona activa. Argumenta breve y convincentemente por qué.
8) [Dic.04-(2), Feb.09-(3), Feb.10-(3)] Deduce una expresión para el aumento de la anchura prohibida
efectiva Eg (= Egef − Eg) debido al confinamiento de los electrones y huecos (con masas efectivas
me* y mh*) en un pozo cuántico (QW) de espesor d. Para ello: E E (z) c
a) Deduce una expresión para la distancia en energía (Ec1) entre el mínimo

de la primera sub-banda de la banda de conducción y la Ec(z) en el pozo Ec1 Ec1
para un QW de espesor d con masa efectiva de los electrones me*. ef
bulk Eg
Eg
Nota: Puedes partir del carácter ondulatorio del electrón y las ecuaciones de la energía
cinética y potencial, y supón que el electrón apenas penetra en las barreras. Ev1 Ev1
b) Escribe, por analogía, la expresión correspondiente para Ev1, llamando Ev(z)
mh* a la masa efectiva de los huecos, y completa la deducción, z
escribiendo una expresión para Eg (=Egef − Egbulk) en función de *,
siendo 1/* = 1/me* + 1/mh*.
c) [Feb.10-(3.c)+ xls] Aplicación numérica: Calcula cuánto debe valer el espesor d (en nm) para que la
gef de un QW de GaInAs acoplado al InP sea 1.55 µm, sabiendo que la gbulk de dicha aleación
es de 1.68 µm y que sus masas efectivas son me* = 0.04 mo y mh* = 0.35 mo, siendo mo=9.1·10-31
Kg. Repite el cálculo para obtener gef = 1.31 µm.
9) [Dic.04-(1)] Sea un LD diseñado para operar con una potencia óptica de salida de 0.5 W.
a) Para T = 25 ºC la corriente de operación (IF para Popt=0.5 W) es Iop(25ºC) = 1 A.
b) Se sabe que, para este LD, To=130 K, d(25ºC)=0.70 W/A y dd/dT = −3·10-3 (W/A)/ºC , y se
puede suponer que Popt(IF) es lineal para IF > Ith.
Calcula la corriente de operación para 60ºC (IF para tener Popt=0.5 W con T=60ºC). Indica
brevemente cómo lo calculas y señala los valores de los parámetros intermedios que obtengas.
51
10) [Dic.03-(6.a)] Dibuja cómo cambiará la potencia de emisión al aumentar y al disminuir la

temperatura (para IF constante) en un LD en el que hay histéresis en el salto de modo. Justifica tu
respuesta.
11) [Dic.04-(5)] Di qué pasará con cada uno de los siguientes parámetros (aumenta, disminuye o no
varía) si se fabrica un LD en todo semejante a uno dado pero con mayor anchura lateral de la
cavidad (W): (i) Jth ; (ii) Ith ; (iii) ║1/2 ; (iv) Astigmatismo. Razona brevemente tus respuestas.
Puedes suponer, por fijar ideas, que ambos son de confinamiento lateral por índice con W= 5 m y 10 m,
respectivamente. (║1/2 =ángulo mitad en la dirección paralela a la cavidad)
12) [Feb.04-(7)] En las figuras se representa la ganancia neta en oscuridad o() para tres láseres
monomodo diferentes (los dos primeros homogéneos y el otro inhomogéneo). Se indica también en
cada gráfica la longitud de onda m del modo permitido de la cavidad y el coeficiente de pérdidas
para dicho modo. Representa en cada caso la ganancia neta en condiciones estacionarias ().
o() o() o()
r r r
m  m m 

13) Di qué pasará con los siguientes parámetros (aumenta, disminuye o no varía), razonando
brevemente las respuestas, si se fabrica un LD en todo semejante a uno dado pero:
a) [Dic.04-(5)] con mayor anchura lateral de la cavidad: (i) Jth ; (ii) Ith ; (iii) ║1/2 ; (iv) astigmatismo
b) [Feb.08-(2)] con mayor absorción por portadores libres en la cavidad: (i)  ; (ii) neta,o (con IF=cte) ;
(iii) nth; (iv) Ith .
c) [Feb.08-(2)] a mayor temperatura: (i) neta,o (con IF=cte) ; (ii) αr; (iii) Ith .
14) Cuestiones teóricas sobre diodos láser (LDs):
a) [Sept.03-(3.c); Jul.11-(2.a)] Razona por qué, para un bombeo dado, la ganancia en un semiconductor
es mayor en oscuridad que en presencia de luz (i.e.: por qué 0 >).
b) [Feb.02-(3.a); Sept.03-(3.a)] Indica de forma concisa cuál es la diferencia entre la corriente de
transparencia y la corriente umbral en un LD.
Explica de forma clara, concisa y
c) [Sept.02-(1.c); Feb.03-(3.a); Dic.04-(4), Sept.08-(1.a); Jul.11-(2.b)]
convincente por qué para IF >Ith y condiciones estacionarias, la inversión de población n de un
LD en condiciones estacionarias no depende de IF. (Ith = corriente umbral. IF = corriente de bombeo).
d) [Feb.03-(3.b.i); Sept.03-(3.b); Feb.04-(4.b)] Deduce la expresión para el coef. de pérdidas r en un LD.
e) [Feb.02-(3.a); Feb.03-(2.c)] Enumera los efectos que hacen que la eficiencia externa ext de un LED
sea menor que su eficiencia interna i y compáralo con lo que ocurre en los LDs.
f) [Dic.03-(3.c)] Indica tres inconvenientes de los LDs comparados con los LEDs.
g) [Feb.09-(3.d)] Deduce la expresión que relaciona la eficiencia diferencial d con la eficiencia
cuántica diferencial dq.
h) [Feb.09-(3.h), Sept.09-(2.d), Jul.11-(2.c); cfr. Feb.07-(1)] Explica brevemente por qué para el rango sub-
umbral un buen LD se comporta como un LED muy malo.
52
i) [Dic.03-(2)] Explica de forma clara y precisa y ayudándote de un dibujo por qué, en principio, los
diodos láser de pozo cuántico (QW-LDs) tienen una To (temperatura característica para la
corriente umbral) mayor que los LD con zona activa más ancha
j) [Feb.03-(3.c.i)] Explica por qué en un LD multimodo homogéneo ideal prevalecería un solo modo
longitudinal.
k) [Feb.03-(3.d)] Dibuja cómo cambian con la temperatura la longitud de onda de emisión  y la
corriente umbral Ith de un láser DFB. Indica lo necesario para que las figuras sean
autoexplicativas.
l) [Feb.05-(9.a)] Representa las formas más significativas que conozcas de conseguir confinamiento
lateral por ganancia en LDs. (En los dibujos indica aquello que sea necesario para que sean
autoexplicativos).
m) [Dic.03-(3.b)] Menciona dos cosas que puedan hacer preferible los LD de índice guiado sobre los de
ganancia guiada
n) [Dic.01-(4.a)] Astigmatismo en LDs. Indica: (i) qué es (puedes ayudarte de algún dibujo), (ii) a qué
es debido y (iii) cómo se puede solucionar.
o) [Sept.08-(1.a); Jul.11-(2.d)] Razona de forma precisa, concisa y ordenada por qué la frecuencia de
corte (f-3dB) de los LDs aumenta al aumentar IF.
15) [Feb.07-(4.1-20 y 4.25); cfr. Jul.10-(2)] Di, respondiendo “a”, “b” o “=”, cuál tendrá:
1 mayor flujo de luz en la cavidad en situación estacionaria: un LD con (a) mayor αr o (b) menor αr
2 menor Δnth: (a) un LD con Г=0.3 o (b) un LD con Г=0.9
3 menor Δnth: un DH LD con (a) d mayor o (b) d menor (siendo en ambos casos Г=1).
4 mayor γneta,o : un LD con (a) mayor αs o (b) menor αs .
(γneta,o = ganancia neta en oscuridad; αs = coef. de pérdidas por scattering)
5 menor Ith: (a) un SC-LD o (b) un DH-LD
6 menor Ith: (a) un SC-LD o (b) un QW-LD
7 menor Ith: un DH LD con (a) d mayor o (b) d menor (siendo en ambos casos Г=1).
8 menor Jth: un LD con (a) mayor W o (b) menor W (siendo W=anchura lateral)
9 menor Ith: un LD con confinamiento lateral (a) por ganancia o (b) por índice
10 mayor fiabilidad para alta potencia: un LD con confinamiento lateral (a) por ganancia o (b) por índice
11 mayor facilidad para que prevalezca un solo modo longitudinal: un LD multimodo (a) con
confinamiento lateral por ganancia o (b) con confinamiento lateral por índice
12 mayor To: (a) un SC-LD o (b) un QW-LD
13 mayor Egef: (a) un QW estrecho o (b) un QW ancho
14 mayor λgef: un QW (a) sin campo eléctrico o (b) sometido a un campo eléctrico
15 menor anchura espectral de cada modo longitudinal: un LD de Fabry-Perot (a) con Rmo=Rmr=30% o
(b) con Rmo= 30% y Rmr=100%
16 menor dispersión lateral de JF: un LD de confinamiento lateral por ganancia (a) con geometría en tira o
(b) fabricado con bombardeo de H+
17 menor dλ/dT: (a) un láser DFB o (b) un LD de Fabry-Perot
18 menor dλ/dT: (a) un láser DFB o (b) un láser DBR
19 mayor frecuencia de corte: un LD (a) para IF pequeña o (b) para IF grande
20 mayor facilidad para acoplarlo a fibra óptica: (a) un LD de Fabry-Perot o (b) un LD DBR
25 menor dispersión en una fibra óptica monomodo: la luz emitida por (a) un láser DFB o (b) un LD de
Fabry-Perot
53
16) [Dic.03-(6c)] Hay láseres DBR de pozo cuántico en los que el espesor del pozo cuántico se hace
intencionadamente menor en la zona de los reflectores que en la zona con ganancia (por ejemplo: 8
nm frente a 10 nm) ¿Por qué crees que se hace esto? ¿Qué pasaría si tuviera el mismo espesor que en
la zona con inyección de corriente?. Razona claramente tu respuesta.
54
Tema 6. Diodos láser (LDs) específicos.
1) En las figuras siguientes se quiere representar los diagramas de capas de los LDs que se indican.
Completa los diagramas indicando qué misión cumple cada capa, de qué semiconductor es y cuál es
su dopado (p, n, p+, n+ , i ), y completa también las gráficas de la anchura de banda prohibida Eg(z)
a) GRIN-SC-LD con emisión en 785 nm
MISIÓN DE LA CAPA COMPOSICIÓN DOPADO
buffer
sustrato n+
Eg
b) [Sept.04-(2), cfr. Sept.06-(4), cfr. Feb.06-(2.a), cfr. Feb.09-(4,a-b)] QW-LD con emisión en 650 nm (rojo)
buffer
sustrato n+
Eg
55
c) [Cfr. Dic.03-(1), Cfr. Feb.04-(11a-b);cfr. Jul.11-(4a)] LD de doble pozo cuántico con emisión en 1310 nm
sustrato n+
Eg
2) [Dic.01-(2)] El RLD-78MIT es un LD de baja potencia al que corresponden las figuras siguientes
a) Haz una estimación de la VF de este LD, razonando las aproximaciones que utilices
b) Calcula dq (por faceta) para 25 ºC. Indica las operaciones.
c) Calcula P (por faceta) para 25 ºC y 3 mW. Indica las operaciones.
d) Calcula To indicando cómo lo calculas.
e) Haz una estimación de la L de la cavidad. Deduce brevemente las expresiones que utilices
f) Menciona a qué se debe que la long. de onda de pico aumente al aumentar la potencia.
g) La frecuencia de relajación de este LD (para 1.5mW) es de 3GHz. Enumera de forma concisa por
qué motivos este LD no vale para comunicación óptica a larga distancia a 2.5 Gb/s.
3) Cuestiones sobre aplicaciones de los LDs Fabry-Perot de baja potencia
a) Menciona las aplicaciones más relevantes de los diodos láser de GaAs/AlGaAs de emisión en el
IR cercano y de potencias pequeñas o moderadas relacionadas con la transmisión de datos o con
la informática.
b) Explica por qué es ventajoso utilizar láseres de visible (en vez de láseres de infrarrojo) en los
lectores de DVD.
56
4) [Feb.09-(4,c-g,i)] El HL6354MG de Opnext es un MQW-LD con emisión en 635 nm (rojo cercano al

naranja) y potencia óptica de operación de Po =5 mW. Se dan como datos las gráficas adjuntas y la
tensión de operación (para Po =5 mW y temperatura de encapsulado Tc = 25ºC), que es VF = 2.2V.
a) A partir de los datos de que dispones, estima grosso modo la tensión de disparo V y la resistencia
parásita en serie rs de este LD, indicando las operaciones y las suposiciones que haces.
b) Calcula, indicando las operaciones y las unidades: (i) dq para 25ºC en el rango ideal, (ii) la
eficiencia de conversión de potenciaP para Po = 5 mW a 25ºC y (iii-iv) el coeficiente de
temperatura de la corriente umbral, To, para este láser. Haz una valoración de los números
obtenidos para P, dq y para To , argumentando muy brevemente tu respuesta.
c) Imaginemos un LD idéntico en todo al HL5354MG excepto en la composición de los pozos
cuánticos, de modo que emita en 660 nm. Indica cómo serán previsiblemente los valores de los
parámetros que se indican para el nuevo LD (mayores , menores  o iguales =) comparados con
los del HL5354MG (suponiendo para ambos LDs una potencia óptica de operación Po = 5 mW).
To  v  Ith  rs  VF  IF  P 
d) Di si en este láser la variación de  con la temperatura estará relacionada con dEg/dT o con
d(nL)/dT (y si de la zona activa o de la guía de ondas), argumentándolo en una frase, y haz una
estimación de dEg/dT o d(nL)/dT)/(nL), según proceda.
5) [Feb.08-(1), cfr. xls] El SM85-5U001 es un chip VCSEL fabricado por Optowell Co. Ltd. para ser
incorporado en ratones láser y en sensores. Sus características están recogidas en las figuras y en las
tablas adjuntas. Se sabe además que: (i) para todo el rango de temperaturas de operación la curva P-I
es ideal hasta al menos 1 mW y (ii) su zona activa es un pozo cuántico no tensado.
Parámetros máximos Parámetros físicos
Temperatura de operación -10 a 70 ºC Área del chip 200  200 m
o
Corriente máxima (dc) 8 mA Diámetro activo 8 m Ta = 25 C
Características electro-ópticas para Ta=25ºC, Po = 1mW, CW Po = 1 mW
Parámetro Símbolo Valor (típ.) Unidad
Longitud de onda de pico  850 nm
Variación de  con temperatura d/dT 0.06 nm/ºC
Corriente de operación Iop 5 mA
Tensión de operación VF 1.9 V
Eficiencia diferencial d ver Figura W/A
Coeficiente de temperatura de d TC -0.6 % / ºC
Divergencia del haz (FWHM)  10 º
57
2.5
Threshold current (mA)

o
Ta = 25 C
2.4
2.3
2.2
2.1
2
1.9
-20 0 20 40 60 80
Temperature (oC)
a) Representa en la gráfica adjunta la eficiencia cuántica diferencial dq (en %) en función de la
corriente (IF, en mA) para Ta=25ºC señalando los valores numéricos de: (i) el rango de IF abarca
el rango ideal y (ii) dq en el rango ideal. Indica brevemente cómo calculas dq.
b) Di para qué valor aproximado de IF será máxima la eficiencia de conversión de potencia P para
Ta=25ºC. Justifica brevemente tu respuesta y calcula el valor P,max (en %).
c) Calcula la corriente de operación (para Po = 1mW) para Ta = -10ºC y para Ta = 70ºC.
d) Dibuja la estructura de capas de este VCSEL indicando en cada e) Completa la gráfica de
capa su función (sustrato, buffer, activa, etc.), su composición Eg(z), tomando como
(de qué semiconductor es) y su dopado. Indica también si la referencia la Eg efectiva de
emisión será por la capa superior o por el sustrato y dibuja los la zona activa.
contactos metálicos.
buffer
sustrato n+
efect
Eg,activa
Eg
f) (i) Calcula la resistencia parásita en serie rs de este láser, indicando cómo la hallas.
(ii) Explica, a la vista de la estructura, la razón (o razones) por la(s) que en este láser va a ser más
difícil conseguir una rs pequeña que en LDs convencionales con emisión en 850 nm.
g) Explica por qué Ith(T) tiene un mínimo y qué estará ocurriendo a Ta=30ºC para que Ith sea mínima
a dicha temperatura.
h) (i) Explica cómo se modificaría la divergencia  (aumentará, disminuirá o no variará) si se
fabricara un VCSEL idéntico a este pero menor diámetro activo (por ejemplo, 6 m).
(ii) A diferencia de lo que ocurre en los LD convencionales, el haz emitido por este láser no es
astigmático. Explica brevemente a qué se debe esto.
58
6) [Feb.04-(11)] Sea un láser DFB de multipozo cuántico (MQW) modulado directamente para DWDM
a 2.5 Gb/s. La temperatura TL de la submontura del láser estará controlada en lazo cerrado, con el
fin de conseguir un ajuste preciso de longitud de onda.
Características (para temperatura de la submontura del láser TL = 25ºC, salvo que se indique lo contrario)
Condiciones
Parámetro Símbolo Mín. Típico Máx. Unidad
de test
Eficiencia diferencial  POL= 2 mW 0.09 mW/mA
Corriente umbral ITH - 14 mA
Tensión del láser en directa VLF POL= 2 mW 1.3 V
Temp. de la submontura del láser TL - 20 30 ºC

Coeficiente de ajuste de la longitud
d/dT - 0.095 nm/ºC
de onda con la temperatura
VR,MON= 5 V,
Corriente del monitor IMON 0.6 mA
POL= 2 mW
(*): POL es la potencia óptica acoplada a la fibra
a) Di de qué semiconductor serán las capas cladding y la guía de ondas de este láser y la técnica de
crecimiento epitaxial (nombre y siglas) más probable para su fabricación.
Di un posible dopante (no anfótero) para el sustrato suponiendo que éste es de tipo n, e indica
qué posición ocupará en la red para comportarse como tal.
De qué material (semiconductor y dopado) será la capa sobre la que se efectúa el contacto
superior.
b) Dibuja el perfil de Eg(z) y n(z) para este láser, siendo z la dirección de crecimiento.
c) Haz una estimación de la tensón de disparo V a partir de los materiales. Indica cómo lo haces.
d) A partir del apartado anterior y de los datos de que dispones, intenta hacer una estimación
numérica de la resistencia parásita en serie rs . Indica las operaciones.
e) Calcula la eficiencia cuántica diferencial acoplada a fibra.
f) El espaciado ITU que utiliza esta serie de láseres es de 100 GHz. Calcula la distancia
aproximada en  entre canales consecutivos.
g) Supón que la  de central (para TL=25ºC) de un láser dado coincide con la de un canal de la
ITU (con el espaciado antes citado). Di cuántos canales vas a tener accesibles variando la
temperatura desde TL,mín hasta TL,máx, justificando numéricamente tu respuesta.
h) Supón que el láser está funcionando correctamente en un sistema que controla en lazo cerrado la
potencia óptica y la temperatura. ¿Qué pasaría si por error intercambiamos las conexiones de
los pines 6 y 7?. ¿Y si la conexión al pin 6 no hiciera contacto?.
59
Los apartados señalados con * corresponden al Tema de Fotodiodos (Tema 7)
1) [Sept.06-(1)] Los datos adjuntos corresponden al DL7140-201, un diodo láser de confinamiento lateral
por índice con potencia óptica de salida de 70 mW y longitud de onda típica de 785 nm.
Valores máximos Tc= 25ºC
Característica Símbolo Valor Unidad

-10 /
Rango de temperatura de operación Topr ºC
+60
Potencia óptica de salida máxima PoM 80 mW
Tensión inversa máxima VRM 2 V
Características eléctricas y características de operación (Tc = 25ºC)
Valor Condición
Característica Símbolo Unidad
Típico de test
Corriente umbral Ith 30 mA -
Corriente de operación Iopr 100 mA Po =70 mW
Tensión de operación Vop 2 V Po =70 mW
Longitud de onda del láser p 785 nm Po =70 mW
Astigmatismo As 10 micras Po =70 mW
Divergencia del haz ½ 7.0
º Po =70 mW
(ángulos mitad) ½ 17
a) Supón que, para Tc=25ºC, este LD está en el rango ideal al menos hasta 70 mW.
 Dibuja cualitativamente Po(IF) indicando los valores relevantes.
 Calcula dq (en %), indicando las operaciones.
 A la vista del valor obtenido en el apartado anterior, discute si es posible que la emisión por la
faceta posterior sea igual a la emisión por la faceta de salida.
b) Características eléctricas
 Haz una estimación de la tensión de disparo V y de la resistencia parásita en serie rs,
indicando cómo lo calculas y las suposiciones o aproximaciones que hagas.
 Calcula la eficiencia de conversión de potencia P para Po=70 mW.
c) Corriente umbral
 Suponiendo que el coeficiente de temperatura para la corriente umbral sea To=150 K, dibuja la
gráfica Ith(Tc) para el rango de temperatura de operación, utilizando para ello los ejes (lineal o
logarítmicos) que sean más adecuados e indicando los valores relevantes.
Nota 1: El punto (25ºC, 30 mA) lo puedes indicar si quieres pero no puntúa.
Nota 2: Tc = temperatura del encapsulado del LD.
 Indica cómo cambiará (aumentará, disminuirá o no se modificará apenas) la corriente umbral
Ith si se aumenta la reflectividad de la faceta posterior (la que no es de salida). Argumenta
d) Características del haz
 Al imprimir la tabla ha habido un error y no han aparecido correctamente los subíndices de los
ángulos de divergencia mitad en las direcciones paralela y perpendicular a la cavidad.
Subsánalo tú diciendo quién es quién y en qué te basas.
 Indica qué pasaría con ½┴ , ½║ y As si la anchura lateral de la guía fuera menor
60
e) La hoja de especificaciones dice que este LD tiene confinamiento lateral por índice. Enuncia dos
ventajas que aporta este tipo de confinamiento frente al confinamiento lateral por ganancia.
f) Indica para qué aplicaciones crees que será especialmente adecuado este LD.
g) * Fotodiodo monitor
 Indica, argumentándolo muy brevemente, de qué semiconductor crees que será el fotodiodo
monitor (PD) que lleva este LD.
 Indica cómo cambiará (aumentará, disminuirá o no se modificará apenas) la corriente
fotogenerada en el PD monitor IPD si se aumenta la reflectividad de la faceta posterior (la que
no es de salida), manteniéndose constante la potencia de salida del láser. Argumenta
 Dibuja el circuito de polarización del PD monitor usando una resistencia de carga RL y una
tensión inversa VR=5V.
 Calcula el valor de la RL del circuito anterior para que la corriente de saturación sea 1 mA.
2) [Feb.06-(2.b-g)+ Ene.11-(3)]] El HL6501 de Hitachi es un diodo láser de pozo cuántico múltiple con
emisión en el rojo y potencia óptica de salida Po de hasta 35 mW. A continuación se adjuntan
algunas de sus características:
a) Indica qué técnica de crecimiento epitaxial es más probable que se haya utilizado en la
fabricación de este LD (nombre y siglas):
61
 Menciona otras dos técnicas de crecimiento epitaxial diferentes que conozcas (nombre y
siglas) indicando muy brevemente en cada una por qué es en principio desaconsejable para la
fabricación de este LD:
b) Calcula, indicando las operaciones:
 La eficiencia diferencial en la faceta de salida, d (en mW/mA), para TC=25ºC
 Cuál sería el máximo valor de d que se podría conseguir si las dos facetas fueran iguales
 La temperatura característica para la corriente umbral, To.
 Una estimación de la tensión de disparo V
 Una estimación de la resistencia parásita en serie, sabiendo que para Tc=25ºC y Po=30 mW la
tensión de funcionamiento típica es VF = 2.6 V.
c) En el espectro de emisión se observa un solo modo longitudinal. A la vista de las otras gráficas,
da argumentos dos argumentos convincentes que avalen el se trata de un LD multimodo en el
que prevalece un modo y no de un LD monomodo.
d) Haz una estimación de d gef /dT para la zona activa y una estimación del aumento de
temperatura de la unión, TJ, al pasar de Po = 5 mW a Po = 30 mW.
e) Calcula las dimensiones del haz sobre una pantalla colocada a 10 cm del láser (sin óptica de
acondicionamiento), tomando como contorno de dicho haz el criterio Ie=Ie,max/2. Dibújalo e
indica las operaciones.
f) Argumenta por qué no es posible fabricar diodos láser de
esta familia con emisión en el amarillo-ámbar y
características aceptables y, sin embargo, sí es posible
fabricar buenos LEDs amarillo-ámbar de dicha familia.
g) Explica a qué se debe la forma irregular (escalones
desiguales) de p(T) que se observa en la gráfica.
h) * Indica, argumentándolo brevemente, de qué semiconductor
crees que será el fotodiodo monitor (PD) que lleva este LD.
3) [Cfr. Sept.02-(2.c), Cfr. Sept.09-(1.d)] Los LD de AlGaInP comerciales con  más corta emiten en 635
nm, aprox. Sin embargo, como sabes, existen LEDs comerciales de AlGaInP con emisión en el
amarillo-ámbar (590nm) y tienen alta eficiencia. Explica, entonces, por qué razón es prácticamente
imposible fabricar LDs de AlGaInP con   590 nm. (Puedes ayudarte de una gráfica). Siguiendo la
misma línea de argumentación, explica de a qué es debido el que los LD de AlGaInP con emisión
en 635nm suelan presentar características de funcionamiento bastante malas (corriente umbral
grande, To pequeña, potencia óptica pequeña, etc...).
62
4) [Feb.10-(1)+ xls] El RLD2WMUV2 es un emisor para lectores de DVD/CD que incorpora en el mismo
encapsulado dos diodos láser con diferentes longitudes de onda de emisión. Algunas de sus
características más destacables y de sus parámetros de funcionamiento se adjuntan a continuación.
Características eléctricas y ópticas (para T case = 25ºC, si no se dice otra cosa)
 Emisión en 785 nm y 655 nm
785 nm
 Láseres de MQWs tensados sím- valor
Parámetro condición unidad
 Temperatura de operación de bolo típico
-10ºC a +70ºC Potencia de operación Pop - 5 mW
Tensión de operación Vop P = Pop 1.9 V
Corriente de operación Tcase = 25ºC 30
Iop mA
para P = Pop Tcase = 70ºC 47
Tcase = 25ºC 18
Corriente umbral Ith mA
Tcase = 70ºC 32
θ½║ paralela 10
a) Dibuja la estructura de capas del Divergencia del haz θ½┴ perpendicular 32
º
LD de 785 indicando en cada Corriente de monitor Im P = Pop 0.25 mA
una el semiconductor de que
655 nm
está hecha (no olvides que es de sím- valor
Parámetro condición unidad
MQW tensado), así como su bolo típico
dopado y la función que Potencia de operación Pop - 5 mW
desempeña. Tensión de operación Vop P = Pop 2.3 V
Corriente de operación Tcase = 25ºC 28
b) Representa la anchura de banda para P = Pop
Iop mA
Tcase = 70ºC 50
prohibida y el índice de Tcase = 25ºC 20
refracción de cada capa del Tcase = 70ºC 38
θ½║ paralela
dicho LD, Eg(z) y n(z), siendo z Divergencia del haz º
θ½┴ perpendicular
la dirección de crecimiento Corriente de monitor Im P = Pop 0.14 mA
c) Si comparáramos este LD con uno de SC también con emisión en 785 nm con el mismo espesor
total de la guía (capas de guía + capas de zona activa) pero con zona activa gruesa y sin tensar,
cuál de los dos tendría (responde MQW, SC o = ):
 Menor corriente umbral, Ith:
 Mayor densidad de portadores en oscuridad para una misma IF:
 Mayor índice de confinamiento (de la luz en la zona activa) :
 Menor astigmatismo:
 Mayor To:
d) Dibuja la estructura de capas del LD de 655 nm indicando en cada una el semiconductor de que
está hecha, así como su dopado y la función que desempeña, e indica aquellas uniones entre capas
que deban ser necesariamente de tipo I.
e) Basándote en las propiedades de la familia de semiconductores utilizados, explica de forma
precisa y concisa, por qué para los LDs con emisión en ~650 nm es relativamente difícil
conseguir buena corriente umbral y buena To, mientras que no es nada difícil conseguir buenos
LEDs con estas λs.
f) Haz una estimación de su tensión de disparo Vγ y de su resistencia parásita en serie rs para ambos
láseres, indicando brevemente cómo las calculas y las suposiciones que haces.
g) Calcula la eficiencia cuántica diferencial ηdq en % para 25ºC y para 70ºC para ambos láseres,
deduciendo brevemente la expresión que utilices.
63
h) Calcula la To para ambos LDs, indicando cómo, y di cuál de los dos valores es mejor.
i) Usando los apartados anteriores y suponiendo que ηdq cambia linealmente con la temperatura,
calcula la potencia que emitirían para 20 mA y Tcase=-10ºC
j) Haz una estimación de θ½║ y θ½┴ para el LD de 655nm suponiendo que las dimensiones de la
guía son iguales que en el LD de 785 nm.
k) Explica de forma concisa y precisa por qué es ventajoso usar 655 nm en vez de 785 nm para la
lectura de datos
5) [Sept.04-(4), cfr. Feb.07-(1)] El LS5000 es un diodo láser (LD) con emisión azul-violeta al que
corresponden los siguientes datos:
Aspectos destacables Características eléctricas y ópticas (Tc = 25ºC)
 Longitud de emisión onda muy corta Parámetro Símbolo Condiciones Valor típico Unidad
 Baja corriente umbral Corriente umbral Ith CW 50 mA
 Potencia de salida en continua: 5 mW Corriente de operación Iop Po = 5 mW, CW 58 mA
Voltaje de operación Vop Po = 5 mW, CW 5.5 V
Aplicaciones
Longitud de onda de pico p P o = 5 mW, CW 405 nm
 Lectores ópticos (blue-ray disc) Po = 5 mW, CW
Divergencia paralela 2  8 º
 Módulos láser de aplicación específica del haz (1) perpendic. 2 Po = 5 mW, CW 25 º
Conexión de pines Corriente del PD monitor Im Po = 5 mW, CW 0.06 mA
Astigmatismo As Po = 5 mW, CW 3 m
1) Angulo total a mitad del máximo
Tc = temperatura del encapsulado Po = potencia óptica de salida
a) (i) Calcula la eficiencia diferencial d de este LD (en mW/mA) indicando muy brevemente qué
suposición haces y cómo lo calculas.
(ii) Deduce la expresión que relaciona d con la eficiencia cuántica diferencial dq y calcula dq
b) Haz una estimación numérica de la tensión de disparo V y de la resistencia parásita en serie de
este dispositivo. Indica los pasos que das y las suposiciones que haces.
c) (i) Di de qué familia de semiconductores será este láser:
(ii) Indica brevemente cómo se relacionan las propiedades de dicha familia de semiconductores
con los resultados del apartado anterior
d) Supón que dicho este LD tiene una T0 = 100 K y que (dd/dT)/d = -1.5·10-2 ºC-1 . Calcula la
corriente umbral y la corriente de operación (Po = 5 mW) para Tc = 60 ºC. Indica las
operaciones.
e) (i) Haz una figura en la que se ilustre claramente qué significa que el valor del astigmatismo es
3 m. (En la figura indica con etiquetas qué es cada cosa que dibujes).
(ii) Di qué ventaja puede presentar la utilización de un láser azul-violeta en lectores ópticos.
Argumenta de forma breve y precisa tu respuesta.
(iii) La divergencia del haz de este láser es apreciablemente menor (del orden de un factor 2)
que la de los LD de AlGaAs con dimensiones físicas comparables. Pensando en el efecto
físico que origina la divergencia del haz explica a qué puede ser debida esta diferencia.
f) *Se sabe que el fotodiodo monitor es de silicio. Supón que las dos facetas del láser (la de salida
y la posterior, que ilumina al fotodiodo (PD) monitor) emiten lo mismo y que toda la luz
emitida por la cara posterior incide en el PD.
(i) Calcula la eficiencia cuántica q del PD.
(ii) Explica a qué puede ser debido el que q sea en este caso tan pequeño.
64
6) [Sept.09-(2), cfr. Feb.07-(1)] La tabla y las gráficas que se adjuntan corresponden al DL-5146-152 de
Sanyo, que es un diodo láser (LD) con emisión en el violeta y potencia óptica de hasta 35 mW.
a) (i) Calcula la anchura de banda prohibida (Eg) de la zona activa de este LD (puedes suponer que
la emisión es banda a banda). (ii) Haz una estimación de la Eg de la cladding a partir de los datos
de los que dispongas. Indica las operaciones.
b) Dibuja la estructura de capas de éste LD, indicando en cada capa su función, de qué material será
y su dopado. (Haz el dibujo de forma que se vea en qué capas (y en que caras) se hacen los contactos).
c) (i) Calcula el valor de la eficiencia cuántica diferencial dq (en %) para 25ºC en el rango ideal,
indicando cómo lo calculas. (ii) Haz una estimación de dq para 25ºC en el rango subumbral,
indicando cómo lo hallas. (iii) Representa dq para 25ºC en función de la corriente IF en todo el
rango que se pueda, indicando los valores significativos típicos de dq y de IF.
d) Representa P frente a IF para 25ºC, dando los valores numéricos que sean relevantes.
e) Calcula la temperatura característica de la corriente umbral To (no se te olvide dar las unidades) y
comenta si el valor que obtienes es bueno o malo.
f) (i) Explica brevemente por qué la divergencia del haz es siempre mayor en la dirección
perpendicular (vertical) que en la dirección paralela (horizontal). (ii) Di si la divergencia de este
LD será mayor o menor que la de un LD rojo con dimensiones similares y por qué.
g) Haz una estimación de la longitud de la cavidad, sabiendo que la distancia entre picos
consecutivos del espectro de emisión es 0.06 nm (aprox.) y suponiendo que el índice de
refracción de la guía es de 2.6 (es decir, más pequeño de lo usual en semiconductores).
h) En la web de Sanyo se dice que este LD se podrá aplicar para la “nueva generación de DVDs”.
Explica de forma breve pero precisa qué ventaja puede tener el utilizar LDs como éste en vez de
usar los LD de AlGaInP de los DVD convencionales.
i) Discute cuantitativamente si este LD sería mejor o peor que un LD de 3 mW con emisión en 635
nm para ser utilizado en punteros láser. ( v (406 nm)= 0.7 lm/W;  v (635nm)= 140 lm/W).
65
7) [Sept.08-(4)] Sea un diodo láser DFB de QW tensado de la serie ML925B11 de Mitsubishi, diseñado
para servir de emisor para fibra óptica en 3ª ventana a 1.25 Gb/s. Algunas de sus características más
destacables y de sus parámetros de funcionamiento se adjuntan a continuación.
Parámetros de funcionamiento (para Tcase = 25ºC, si no se dice otra cosa)
 Diodo láser DFB
sím- valor
 Un solo QW, tensado Parámetro
bolo
condición
típico
unidad
 Recubrimiento AR (anti-reflejante) y Potencia de operación Pop - 5 mW
HR (alta reflectividad) de las facetas
Tensión de operación Vop P = Pop 1.1 V
 Baja corriente umbral (8 mA) Corriente de operación Tcase = 25ºC 25
Iop mA
 Amplio rango de temperatura de para P = Pop Tcase = 85ºC 60
operación Tcase = 25ºC 8
Tcase = 85ºC 30
a) Dibuja la estructura de capas indicando en cada una (i) el semiconductor de que está hecha, (ii) su
dopado y (iii) la función que desempeña, e indicando además (iv) cuáles estarán tensadas.
b) Representa la anchura de banda prohibida y el índice de refracción de cada capa, dibujando Eg(z)
y n(z), siendo z la dirección de crecimiento.
c) Indica qué técnica de crecimiento epitaxial es más probable que se haya utilizado (nombre y
siglas) e indica por qué descartas cada una de las otras técnicas de crecimiento epitaxial que
conozcas (indicando también su nombre y sus siglas)
d) Como se dice arriba, este LD tiene una de las facetas recubiertas con una capa AR (R m≈0) y la
otra recubierta con una capa HR (típicamente con Rm > 90%). Explica por qué si se hiciera esto
en un LD con cavidad de Fabry-Perot el dispositivo no funcionaría.
e) Dibuja esquemáticamente la estructura DFB, incluyendo los recubrimientos AR y HR, y explica
de forma precisa y concisa por qué, al contrario del caso de los LD-FP, el dispositivo no presenta
problema para funcionar con dichas capas.
f) Calcula la eficiencia cuántica diferencial ηdq en % para 25ºC y para 85ºC, indicando las
operaciones.
g) Haz una estimación de su tensión de disparo Vγ y de su resistencia parásita en serie rs, indicando
brevemente cómo las calculas y las suposiciones que haces.
h) Di si se puede calcular To. Si se puede hazlo, indicando cómo la calculas. Si no se puede,
argumenta por qué.
66
8) [Jul.10-(4)] Sea un láser DFB de multipozo cuántico (MQW) modulado directamente para
comunicación en 10 Gb/s con emisión en 1310 nm acoplado a fibra monomodo. La temperatura TL
de la submontura del láser está controlada en lazo cerrado.
Características (para temperatura de la submontura del láser TL = 25ºC, salvo que se indique lo contrario)
Condiciones
Parámetro Símbolo Típico Unidad
de test
Potencia óptica (acoplada a fibra IF = 45 mA
PO 5
monomodo) cw
Corriente umbral ITH - 15 mA
Coeficiente de ajuste de la longitud
d/dT - 0.085 nm/ºC
de onda con la temperatura
Frecuencia de corte f-3dB IF = 45 mA 18 GHz
(*): POL es la potencia óptica acoplada a la fibra
a) Di de qué semiconductor serán:

 los pozo cuánticos: las capas cladding:
 la guía de ondas: la capa buffer:
 la capa sobre la que se efectúa el contacto superior:
b) Calcula la eficiencia cuántica diferencial acoplada a fibra. Deduce la expresión que uses
c) Haz una estimación de la tensión de disparo del diodo láser V a partir de los materiales. Indica
cómo lo haces.
d) Di cuál es la amplitud en tensión de una onda cuadrada que habrá que aplicar al conector RF
para pasar desde condición subumbral hasta 5 mW. (Supón que por el terminal 3 no circula
corriente alterna y que la resistencia parásita en serie del diodo láser es despreciable).
e) Indica con qué propiedad(es) del material dependiente de la temperatura estará relacionado en
este láser dλ/dT y haz el cálculo numérico que corresponda.
f) Indica de forma breve y precisa qué ventajas prácticas para comunicación por fibra óptica a alta
velocidad presenta:
(i) láser DFB frente a un láser de Fabry-Perot
(ii) un láser con emisión en 1310 nm frente a un láser de AlGaAs
(iii) un láser DFB acoplado a una fibra monomodo frente a un láser DFB acoplado a una fibra
multimodo
g) Dibuja cualitativamente la dependencia de la corriente umbral para este láser e indica a qué es
debida la diferencia de comportamiento a baja temperatura respecto a un láser con cavidad de
Fabry-Perot
h) Dibuja en escala log-log la dependencia de la potencia con la frecuencia: (i) para IF=45 mA y
(ii) IF= 30 mA indicando los valores numéricos que puedas.
67
9) [Jul.11-(4.b-d)]] El 1915 LMM de AVANEX es un emisor diseñado para comunicación óptica en 3ª

ventana a 10 Gb/s y consiste en un láser DFB con un modulador de electroabsorción integrado
monolíticamente.
a) Dibuja cualitativamente para este láser la dependencia de la corriente umbral y de la energía de

emisión frente a la temperatura (Ith(T) y hνLD(T)) de modo que sea autoexplicativo. (Puedes
introducir por ejemplo como referencia la Eg(T) y/o Egef(T) de la zona activa del láser).
b) Explica el principio de funcionamiento del modulador de electroabsorción. Para ello:
 Dibuja el diagrama de energías del pozo cuántico (QW) tanto para campo eléctrico nulo como
para campo eléctrico grande indicando la Eg y la Egef, del QW del modulador así como hνLD.
 Dibuja dos espectros de absorción α(hν) en los que aparezcan claramente Eg, Egef, hνLD (de
modo que se vea bien qué cambia y qué no cambia), uno de ellos para campo eléctrico
pequeño y otro para campo eléctrico grande (indicando cuál es cada uno).
c) (i) Enumera las ventajas de la modulación mediante modulador de electroabsorción frente a la
modulación directa del láser. (ii) Indica también: cuál o cuáles de los terminales de la figura
llevará la modulación de 10 Gb/s, cuál será el signo de la polarización del terminal K, cuál será la
misión del TEC y cuál será la misión del termistor.
10) [Dic.01-(3)] El E2500 es un diodo láser DFB modulado por electroabsorción, con aislador óptico,
para transmisión a 2.5 Gb/s en sistemas DWDM a muy larga distancia (hasta 600 Km). En la figura
se indica el esquema de conexiones y la asignación de pines.
a) Dibuja el perfil de la guía de ondas de un láser DFB e indica brevemente (i) qué se consigue con
ello y (ii) qué ventajas tiene para comunicación óptica.
b) Explica muy brevemente: (i) Qué ventaja tiene utilizar un modulador de electroabsorción frente
a la modulación directa. (ii) Cuál es el principio de funcionamiento del modulador de
electroabsorción. (iii) Explica la configuración con la que se representa en el diagrama a la
pareja LD-modulador.
c) *Di qué misión tiene el fotodiodo y qué tipo de fotodiodo crees que será. Razonalo.
d) Aun en los láseres monomodo la  de emisión varía algo con las condiciones ambientales.
Indica qué estrategia siguen en el E2500 para estabilizar la  de emisión.
e) Explica muy brevemente qué misión tiene el aislador.
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f) La potencia que emite este LD no es suficientemente alta como para ser detectada por un
receptor que esté a 600 Km. Qué dispositivo habrá que introducir en el sistema de comunicación
para solucionar este problema.
11) [Sept.05-(8-10)] Sea un diodo láser DFB de la serie 269-1480 de Agere, diseñado para el bombeo en
continua (CW) de EDFAs en aplicaciones DWDM. Sus características más destacables y sus
parámetros de funcionamiento se adjuntan a continuación
Parámetros de funcionamiento (T chip=25ºC)
Características:
 Diodo láser DFB de MQW de capas tensadas Parámetro simb. valor unidad
 Acoplado a fibra óptica monomodo Longitud de onda de emisión nominal nom 1480.0 nm
 Refrigerador termoeléctrico (TEC) Máxima desviación respecto a nom  0.05 nm
 Con aislador óptico
Potencia de operación, acoplada a fibra Pop 200 mW
 Gran precisión en longitud de onda gracias al
ajuste de temperatura del chip Corriente de operación (BOL), para P=P op Iop 650 mA
 Fotodiodo monitor PIN en faceta posterior Tensión de operación (BOL) , para P=P op Vop 2.3 V
 Operación para tª ambiente entre 0 y 75ºC Corriente umbral (BOL) Ith 150 mA
El criterio de fiabilidad que se utiliza para este LD es: Iop(EOL) = 1.15Iop(BOL).

Se sabe además que la variación relativa del camino óptico de la guía de ondas al variar la
temperatura es de [d(nL)/dT]/nL= 1.1·10-5 ºC-1 y que la variación de la anchura de banda prohibida
de la zona activa es dEg/dT= -1.5·10-4 eV/ºC
a) Dibuja la estructura de capas, indicando el material, el dopado y la función que desempeña cada
una de las capas (p. ej.: “guía de ondas”) y señalando cuáles son las capas que estarán tensadas
b) Dibuja la anchura de banda prohibida de índice de refracción de dichas capas Eg(z) y n(z) (donde
z es la dirección de crecimiento).
c) Indica qué técnica de crecimiento epitaxial se habrá utilizado, razonando de forma clara y
convincente por qué descartas cada una de las otras técnicas de crecimiento epitaxial que
conozcas.
Haz una estimación numérica de los siguientes parámetros de este LD, indicando cómo los calculas:
d) su tensión de disparo, V, y su resistencia parásita en serie, rs
e) su eficiencia cuántica diferencial (acoplada a la fibra óptica) dq(BOL), en %
f) cuánto tendría que variar la temperatura del chip para que la longitud de onda de emisión 
cambiara 0.05 nm.
g) Ith(EOL), suponiendo que la eficiencia diferencial d varía poco durante el envejecimiento.
*Cuestiones sobre el fotodiodo (PD) monitor:
h) Di de cuál de los siguientes tipos de fotodiodos podría ser el PD monitor: Si, GaInAs, Ge.
Argumenta brevemente tu respuesta.
i) Dibuja un posible circuito de polarización del PD monitor, usando una polarización inversa de 5
V y una resistencia pero sin usar amplificador operacional.
j) y k) Supón que la luz que llega al PD monitor es 10 veces menor que la que se acopla en la fibra
y que la eficiencia cuántica del PD es de un 85%. Calcula el valor de la resistencia del circuito
anterior para que el PD se saturara cuando la potencia emitida por el LD fuera el doble de la
potencia de operación. Indica cómo lo calculas.
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12) [Sept.03-(Prob.)] Los láseres DFB de la serie CQF474/708 (de JDS Uniphase) están diseñados para
ser usados como fuentes en sistemas DWDM en combinación con moduladores externos. Sus
principales características son:
 Longitud de onda de emisión () de cada láser ajustable mediante variación de temperatura en
un rango de 4 canales (según el espaciado estándar entre canales de la ITU , 50 GHz).
 Dos fotodiodos monitores: uno sin filtro (PPD), que sirve de monitor de potencia convencional,
y otro con filtro (WLPD), que proporciona una salida dependiente de la longitud de onda.
 Encapsulado de mariposa de 14 pines y acoplado a fibra óptica que mantiene la polarización,
para facilitar el acoplamiento al modulador.
 Modelos disponibles con longitudes de onda en el rango de 1527 a 1567 nm y cumplen en
estándar de la ITU, con una definición adecuada para un especiado entre canales de 50 GHz.
Las características del modelo concreto del que nos vamos a ocupar (CQF474/708-19505) aparecen en
la tabla y en las figuras:
Parámetro símbolo condiciones valor unidades
Longitud de onda de emisión útil más corta (en el vacío) c 1537.00 nm
Corriente umbral Ith =c 25 mA
Potencia óptica típica acoplada a la fibra Po,típ 40 mW
Corriente de operación Iop Po= Po,típ; =c 260 mA
Temperatura del chip para =c T 8.5 ºC
Anchura espectral (FWHM) sin modular  1 MHz
Corriente del PPD IPPD Po= Po,típ; VR= 10 V 220 A
(Po= Potencia óptica acoplada a la fibra)
Se te dan también como datos que la variación relativa de la longitud óptica de la cavidad con la
temperatura es de 6·10-5 ºC-1 y que la variación de la anchura prohibida del material de la zona activa
con la temperatura es de -3.5·10-4 eV/ºC.
XR ratio: relación entre la potencia óptica que

llega a los dos fotodiodos en función de 
 - c

70
a)  Di de qué materiales son el substrato, la guía de ondas, la cladding y la zona activa del láser si
supusiéramos que estos láseres son de pozo cuántico.
 Indica cómo se podría modificar la zona activa sin cambiar su composición para fabricar un láser
con c = 1550 nm.
 ¿Sería necesario cambiar el DFB o valdría con cambiar su T? Arguméntalo cuantitativamente.
b) Calcula la eficiencia diferencial d acoplada a fibra (supón que d es constante en el rango en que
hay acción láser) y la eficiencia cuántica diferencial acoplada a fibra.
c)  Expresa en nm la distancia entre canales consecutivos. Indica cómo lo calculas.
 Expresa en nm la anchura espectral sin modular  (ver tabla).
 Idem. después de modularlo a 2.5 GHz con un modulador externo. (Justifica tu respuesta)
d) ¿Cuanto se desplazará aproximadamente (en nm) el máximo de ganancia de la zona activa (máx,)
cuando cambiamos  del primer canal al cuarto?
e)  Di para qué temperatura aproximada esperarías tener  ≈ máx,
 Pon los signos de desigualdad (>, <, =, ?) que correspondan:
Ith(=c) ...... Ith(=c+1) ...... Ith(=c+3) (c+1 y c+3 son las longitudes de onda del 2º y 4º canal)
f) Supón que estabilizamos  mediante un circuito realimentado:
 Sobre qué pines actuará este circuito (Nota: no consideres los pines GND)
 De qué pines obtendrá la información necesaria para la realimentación.
 ¿Qué pines usarías para visualizar (de la forma más fácil) la temperatura del chip del láser?
g) Di muy brevemente qué pasará si, estando funcionando correctamente el circuito:
 se intercambian los pines 6 y 7.  se intercambiaran los pines 4 y 10.
 se soltara el termistor de uno de sus pines.  se intercambiaran los pines 1 y 2.
h) Dibuja un esquema del dispositivo, de patillas para dentro (incluyendo el circuito que separe ac y dc).
* Cuestiones relacionadas con los fotodiodos (PPD y WLPD).
i) Di de qué materiales son la zona intrínseca y la capa recubridora de los fotodiodos. (Supón que son
PIN de DH).
j) Si suponemos que el PPD tiene en sí una eficiencia cuántica = 95%, ¿cuantos fotones le están
llegando al PPD por cada fotón que se acopla a la fibra?
k) Seguimos suponiendo que el PPD tiene = 95% y suponemos además que  es independiente de 
en el rango de interés. Di cuánto valdrá la variación relativa de IPPD al cambiar  del 1er canal al 4º
(manteniendo Po constante)?
l) Queremos polarizar los PDs en inversa con VR=10V y resistencias de carga RL,PPD y RL,WLPD.
 Dibuja el circuito correspondiente suponiendo que sólo dispones de tomas de 0 y +10 V.
 Expresa la relación que se debiera cumplir entre RL,PPD y RL,WLPD para que si =c la tensión en
los pines 4 y 10 sean iguales.
m) Queremos que la saturación de la linealidad de PPD (para VR=10V) ocurra para Po=100 mW.
Calcula el valor de la corriente de saturación de la linealidad y el valor de RL,PPD.
71
13) [Sept.07-(1)] El SLD344YT-24 de Sony es un diodo láser de pozo cuántico de AlGaAs de alta
potencia, con emisión en 808 nm y potencia óptica de operación Po= 6W. Sus propiedades se
recogen en las figuras y en la tabla:
Propiedades Valor
Unidad
(para Po= 6W y Tth = 25ºC) típico
Tensión de operación (VF) 2.0 V
Anchura espectral (λ) 2.0 nm
Tiempo de vida útil (MTTF) 104 horas
Temperatura de la unión (TJ) Tth + 35 ºC
Tth = temperatura del termistor
a) Calcula su eficiencia cuántica diferencial ηdq (en %) para Po= 6W y Tth = 25ºC. Indica cómo lo
calculas y deduce la expresión que utilices para ηdq.
b) Haz una estimación de la potencia eléctrica disipada en la resistencia parásita en serie rs , indicando
cómo lo calculas.
c) (i) Supón que colocamos una pantalla a 30 cm del LD, perpendicularmente a la dirección de
emisión. Dibuja la forma y las dimensiones de la zona que quedaría iluminada con Ie > Ie(0º)/2 .
(ii) Dibuja cualitativamente el diagrama de emisión en campo cercano para este LD. Indica en
ambos casos cuál es la dirección ║ y cuál la .
d) Suponiendo que la longitud del LD es de 2 mm y que la emisión es apreciable en un rango 2λ = 4
nm , calcula el número de modos longitudinales con emisión apreciable, indicando las suposiciones
que haces.
e) El confinamiento lateral de este LD se ha realizado mediante implantación iónica de H+. Dibuja
esquemáticamente dicho confinamiento, di si es un confinamiento por ganancia o por índice y
enumera qué ventajas tendrá respecto a una estructura en tira.
f) Este LD se usa para excitación de láseres de estado sólido. Menciona un tipo de láser de estado
sólido (no de semiconductor ni de fibra óptica) que conozcas y dibuja su esquema de niveles,
indicando el bombeo, la emisión estimulada y los niveles entre los que se produce la inversión de
población.
Supón que hacemos que TJ fuera 30ºC en vez de 60ºC (Tth=-5ºC en vez de 25ºC).
g) Indica cómo podríamos conseguir esto sin cambiar la temperatura ambiente (y sin cambiar de LD).
Suponiendo que la energía de activación para el fallo es Ea = 0.7 eV, calcula el MTTF (para Po=
6W)
h) Calcula la corriente de operación (para Po= 6W) en estas condiciones suponiendo que la
temperatura característica de la corriente umbral es 170 K y que la eficiencia diferencial ηd no
varía con la temperatura. Indica cómo lo calculas.
72
14) [Sept.06-(3)] NTT ha desarrollado un láser ajustable en longitud de onda (WSL), capaz de transmitir
en 16 canales diferentes de un sistema WDM, con un espaciado entre canales de 100 GHz.
 El dispositivo consiste en un array de 16 láseres DFB de diferentes longitudes de onda, fabricados
en un único chip durante el mismo proceso de crecimiento epitaxial. (La composición de las
capas de los diferentes láseres es nominalmente idéntica).
 La distancia espectral entre DFBs consecutivos es nominalmente igual a la distancia entre canales.
 El ajuste grueso de longitud de onda se efectúa seleccionando un DFB u otro dentro del array.
(Los DFBs están aislados eléctricamente entre sí).
 Las salidas de los DFBs del array son acopladas dentro del chip en una única guía de ondas.
 Todavía dentro del chip, la luz es amplificada en una región de la guía de ondas con ganancia
denominada SOA (amplificador óptico de semiconductor).
 El ajuste de la potencia de salida se consigue con un fotodiodo monitor de potencia (PPD) que
recibe parte de la luz de la faceta de salida y que controla la corriente inyectada al SOA.
 El ajuste fino de  se consigue con un fotodiodo que, combinado con un filtro óptico, tiene
respuesta variable en longitud de onda (WPD) y que controla la corriente de un TEC. (El ajuste
fino se utilizará para mantener la  en el centro de un canal).
 La modulación se realiza de forma externa.
a) ¿De qué semiconductor serán?: (i) la zona activa de los DFB, (ii) el sustrato, (iii) la guía de ondas
b) Todos los DFB del array tienen la misma Eg efectiva en la zona activa y sin embargo emiten en
diferentes longitudes de onda. ¿En qué se diferenciará uno de otro?
c) Indica qué variación física de los DFB se utiliza para conseguir el ajuste fino de :
[1] Eg/T [2] Eg/VDFB [3] Eg/IDFB [4] (n)/IDFB [5] (n)/T
[6] (Fn-Fp)/T [7] (Fn-Fp)/IDFB [8] (Fn-Fp)/ [9] (n)/ [10] ninguna de las anteriores
d) Haz una estimación del rango espectral (en nm) que cubre el WSL. Indica las operaciones
e) Haz una estimación del valor mínimo de la anchura espectral con ganancia de la zona activa de
los DFBs en condiciones de funcionamiento para que el dispositivo pudiera funcionar
correctamente en cualquiera de los 16 canales. (Puedes dar el resultado en nm, THz o meV)
f) ¿En qué se diferenciará el SOA de los DFBs? El SOA …
… tiene que tener necesariamente diferente composición de la zona activa que los DFBs V F
… tendrá una periodicidad en la guía  diferente de la de los DBFs V F
… no tendrá periodicidad en la guía V F
… será en todo similar a otro DFB al que se le introdujera luz por un extremo V F
… estará polarizado en inversa V F
… estará polarizado en directa pero sin llegar a inversión de población V F
… estará en inversión de población pero no tiene realimentación óptica V F
… tendrá una guía de ondas necesariamente de mayor espesor que la de los DFBs V F
73
g) * Fotodiodos monitores de potencia (PPD) y de longitud de onda (WPD).

El PPD podría recibir la luz emitida en la faceta posterior manteniendo el mismo esquema
de control en potencia V F
Las ’s emitidas por la faceta posterior y por la de salida van a ser prácticamente idénticas V F
Si el WSL no tuviera SOA, la señal del PPD controlaría la corriente de los DFBs V F
Si el WSL no tuviera SOA, la señal del PPD controlaría la corriente del TEC V F
Si el WSL no tuviera SOA, el TEC seguiría estando controlado por el WPD V F
Vamos a comparar el WSL con un emisor consistente en un único DFB (no array) ajustable en
temperatura, fabricado con la misma familia de semiconductores que el WSL. Supón m/T=0.1
nm/ºC y g/T=0.6 nm/ºC.
h) ¿Cuánto habría que variar la temperatura de ese DFB (no array) para que cubriera un rango
espectral de 6 nm? Indica las operaciones.
i) Estima grosso modo un valor mínimo para la anchura espectral con ganancia de la zona activa de
ese DFBs en condiciones de funcionamiento para que pudiera cubrir un rango espectral de 6 nm.
Indica las operaciones (y es aconsejable que te ayudes de un dibujo).
15) [Feb.06-(4)] Sea la estructura que se representa en la figura. Consta de dos regiones diferentes, 1 y 2,
ambas sometidas a una inyección de corriente tal que su zona activa está en inversión de población.
La guía de ondas contiene una zona activa, no representada en el dibujo, con Eg menor que la de la
guía de ondas. Dicha zona activa tiene la misma Eg a lo largo de todo el chip. Indica qué función
desempeñarán cada una de las dos zonas y, en particular, si alguna de las dos regiones del chip
funcionara cómo LD. Razona tu respuestas.
16) Cuestiones sobre VCSELs

a) [Sept.08-(2.a)] Menciona qué ventajas presentan los VCSEL para comunicación por fibra óptica en
comparación con los LDs convencionales.
b) [Sept.08-(2.b)] Indica por qué es muy difícil fabricar VCSEL de GaInAsP/InP con prestaciones
aceptables.
c) [Enunciado de Sept.07-(2)] Dibuja la estructura de un VCSEL de pozo cuántico tensado con emisión
por el sustrato en 940 nm, indicando en cada capa su función, el semiconductor de que está hecha
y el dopado, y dibuja Eg(z)
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17) Cuestiones breves:

a) [Cfr. Feb.04-(1c)] Supón que sustituimos la aleación de AlGaAs de la zona activa de un diodo láser
de pozo cuántico (QW-LD) por una aleación de AlGaInAs con la misma anchura de banda
prohibida (Eg) que la anterior pero con un desajuste de parámetro de red respecto al GaAs (a/a)
de un 0.85%. Di qué ventaja de funcionamiento del LD puede conllevar este cambio, indicando
por qué, y explica por qué, para sea factible, el láser tiene que ser de QW y no vale un SC-LD
convencional..
b) [Feb.02-(3d)] Menciona las aplicaciones más relevantes de los LD con emisión en el rojo.
c) [Sept.02-(1d), cfr. Dic.03-(3d)] Enumera las diversas formas de ajustar la longitud de onda de
emisión  de los LD emisores utilizados en DWDM, explicando brevemente cada una de ellas.
d) [Sept.05-(6c)] Sean dos materiales, “1” y “2”, de modo que Eg,1<Eg,2 y n1>n2 , siendo “1” directo y
“2” indirecto, y cuyo alineamiento de bandas es de tipo II. Indica si dicha heterounión puede ser
usada adecuadamente para el reflector de Bragg en un VCSEL y di por qué.
18) [Feb.07-(4.21-24 y 4.26-28)] Di, respondiendo “a”, “b” o “=”, cuál tendrá:
21 mayor facilidad para acoplarlo a fibra óptica: (a) un LD de Fabry-Perot o (b) un VCSEL
22 menor astigmatismo: (a) un LD de Fabry-Perot o (b) un VCSEL
23 mejor calidad del haz: (a) un LD o (b) un láser de Nd:Yag
24 menor atenuación en la fibra óptica: la luz emitida por (a) un LD de AlGaAs o (b) un LD de
GaInAsP/InP
26 menor Ith: (a) un LD con λ=635 nm o (b) un LD con λ=670 nm
27 mayor To: (a) un LD con λ=635 nm o (b) un LD con λ=670 nm
28 mayor estabilidad de λ: (a) un LD modulado directamente o (b) un LD con modulador de
electroabsorción
19) [Feb.06-(3)] Indica qué tipo de diodos láser se utilizarán para las aplicaciones que se indican:
 (nm) Tipo de
Familia de Confinamiento lateral
Aplicación (o, al menos, cavidad
semiconductores (ganancia o índice)
rango espectral) (FP, DBR, etc)
Lectores de CDs _____
Punteros láser _____
Lectores ópticos con

_____
 muy corta
Emisores para FO a 1.
alta velocidad y larga
distancia 2.
1. _____ _____
Bombeo de EDFAs
2. _____ _____
75
Tema 7. Fotodiodos.
1) [Cfr. Dic.00-(1). Soluciones] Sea un fotodiodo (PD) de silicio con unión p+-n abrupta, cuya respuesta
espectral aparece en la figura.
a) Calcula la eficiencia cuántica para = 400, 600 y 850
nm. Indica brevemente las operaciones
b) Explica a qué se debe baja eficiencia para 400 nm
c) Explica a qué se debe la baja eficiencia para 1050 nm
d) La respuesta en frecuencia de este PD es notable-
mente peor para luz con = 1m que para luz con =
650nm. Explica brevemente a qué puede ser debido
e) Indica cómo dependerá la capacidad de la unión de
este PD con la polarización inversa y por qué.
2) [Cfr. Feb.01-(1-2). Soluciones] El C30617 pertenece a la serie de fotodiodos de GaInAs/InP tipo PIN de
alta velocidad de la firma Perkin Elmer Optoelectronics. En la tabla se mencionan algunos de sus
parámetros de funcionamiento típicos y la figura muestra su responsividad en función de la longitud
de onda
Especificaciones de funcionamiento
(valores típicos para VR=5V, T=22ºC)
Diámetro activo 50 m
Corriente en oscuridad <1 nA
Capacidad 0.35 pF
Anchura de banda (-3dB, RL=50) 3.5 GHz
(m) (A/W) (%)

0.8
1.05
1.3
1.55
a) Calcula su eficiencia cuántica para las longitudes de onda que se indican en la tabla.
b) Explíca a qué se debe el que la eficiencia cuántica para 0.8 m sea menor que para 1.05 m.
c) Explíca a qué se debe el que la responsividad para 1.55 m sea mayor que para 1.3 m.
d) ¿Es posible demostrar con los datos que se dan si el fotodiodo tiene o no capa antirreflejante?.
Plantea tu argumentación de manera cuantitativa.
e) La responsividad que se muestra en la gráfica corresponde al modelo C30617-D1, que lleva
ventana transparente. Existe también otro modelo comercial, el C30617-D2, que lleva ventana
de silicio (Eg(Si)=1.12 eV). Dibuja sobre la gráfica cómo será la curva de este otro modelo y
justifica brevemente tu respuesta.
Calcula, para VR=5V y RL=50:
f) el tiempo de subida (tr, del 10% al 90%) y la constante de tiempo .
g) el tiempo de retardo debido a la difusión desde las zonas neutras.
h) el tiempo de tránsito trans. (Puedes suponer que la resistencia parásita rS es despreciable).
76
i) Si en vez de utilizar RL=50 usáramos RL=1K.¿Cuál sería nueva la anchura de banda (f-3dB)?
j) ¿Por qué en este fotodiodo la anchura de banda f-3dB apenas dependerá de ?
3) [Feb.06-(5)] Sea el espectro de la sensibilidad  de un PD GaInAs/InP de referencia iluminado por
delante. Dibuja los nuevos espectros de  si, manteniendo todo lo demás igual al PD de referencia:
(i) Disminuye la temperatura (ii) Aumenta el espesor de la capa superior de InP
 
(A/W) (A/W)
0.8 ×  0.8 × 
 (m)  (m)
(iii) Se quita la capa antirreflejante (iv) Aumenta el espesor de la capa de GaInAs
 
(A/W) (A/W)
0.8 ×  0.8 × 
 (m)  (m)
4) Cuestiones teóricas
a) Indica cómo funciona una capa antirreflejante y qué ventajas tiene su uso en los fotodiodos
receptores en comunicación por fibra óptica.
b) Como sabes, la corriente de oscuridad (Id) y la resistencia shunt (Rsh) son dos parámetros
relacionados con el ruido de los fotodiodos. (i) ¿En qué casos va a ser relevante Id y en qué
casos Rsh. (ii) Indica cómo dependen Id y Rsh con la temperatura
c) ¿Por qué los fototransistores pueden tener sólo dos patillas? Explícalo con un dibujo
esquemático.
5) Haz una estimación de la potencia óptica
(Psat) a la que se saturará la linealidad en
los circuito de la figura sabiendo que los
PDs son de Si y tienen una responsividad
de 0.5 A/W.
77
6) [Sept.04-(8)] Sea un PD con responsividad = 0.5 A/W, tensión de disparo

V = 0.6 V, resistencia parásita en serie despreciable y corriente en
oscuridad despreciable. Lo conectamos a una fuente de corriente no ideal
con Is= 0.1 mA y Ro= 10 K (ver figura). Ayudándote del circuito
equivalente del PD (que conviene que dibujes), completa los valores de la
corriente y de la tensión (en los bornes) del PD para las condiciones de
iluminación de la tabla. (Para I y V, utiliza el criterio convencional de
signos de los diodos). Indica cómo los calculas.
7) [Feb.07-(3)] Sea el circuito con fotodiodos que se representa en la figura. Los dos PDs son idénticos,
ambos de silicio y con una sensibilidad de 0.5 A/W, pero están iluminados con potencias diferentes
Popt1 y Popt2. Calcula la corriente y las tensiones en los PDs para las condiciones de iluminación que
se indican. (Utiliza el convenio de signos habitual para las tensiones y corrientes en diodos). Indica
brevemente cómo lo calculas. I
Popt1 Popt2 I V1 V2
Popt1 + (mW) (mW) (mA) (V) (V)
V1
- RL =10 K 0.5 1
Popt2
+ 0.5 10
V2
- VR =5V
2 3
8) [Feb.03-(4a.i,iii)] Sea un PD de silicio con = 0.28 A/W para = 520 nm.

a) Calcula su eficiencia cuántica para = 520 nm y argumenta numéricamente si es posible
asegurar si lleva o no capa antirreflejante.
b) Dibuja un circuito de polarización con amplificador de transimpedancia sin polarización inversa
para este PD. Hazlo de modo que la tensión de salida Vout sea  0. Elige el valor de la resistencia
que utilices de modo que para potencia óptica de 100W (y =520 nm) la salida del circuito sea
de 2 V. (Supón que dispones de alimentación de +5 V y –5 V).
9) [Sept.06-(2)] Se quiere diseñar un fotodiodo PIN de GaInAs/InP en el que el tiempo de carga y el
tiempo de tránsito sean iguales. Deduce cuál tiene que ser la relación entre su espesor y su radio
(W/r). Se supone que la velocidad de los portadores es la velocidad de saturación vsat y es de valor
conocido. Se suponen conocidos también la constante dieléctrica , el coeficiente de absorción , la
reflectividad R, la resistencia de carga RL y se considera despreciable la resistencia parásita en serie.
10) (a) Dibuja esquemáticamente un fotodiodo Schottky en el que se haya utilizado la técnica flip-chip
y di las ventajas de dicha técnica.
b) Dibuja la estructura de un SAM-APD de GaInAs/InP indicando en cada capa su función, el
material del que está hecha y su dopado.
78
11) La figura corresponde a la responsividad de dos fotodiodos Schottky de GaInAs con substrato de
InP, uno de ellos con iluminación por delante y otro con iluminación por detrás.
a) Deduce a partir de la figura
(indicando cómo) la anchura de
banda prohibida Eg del InP y del
GaInAs. Justifica ayudándote de un
dibujo por qué la responsividad del
iluminado por detrás cae
bruscamente en 920 nm y la del otro
no muestra ningún cambio para esa
longitud de onda
b) La eficiencia cuántica de ambos
dispositivos para 1300 nm. (Indica
las operaciones). Justifica por qué la
del iluminado por detrás es más del
doble que la del otro
12) Haz una tabla con aplicaciones de transmisión de datos que utilicen fotodiodos como receptores.
Otras características
Semiconductor del Tipo de
Aplicación (m) que está hecho el estructura (p. ej: orden de magnitud de
fotodiodo f3dB, potencia de luz alta o
típicas (ej: PIN, APD...)
baja, etc..)
79
1) [Sept.02-(3)] En la figura se representa la respuesta espectral de un PD PIN de Si y otro de
GaInAs/InP.
a) Determina la eficiencia cuántica  para los valores de  que se indican
PD de Silicio
(nm) (A/W) (%)
400
750
PD de GaInAs/InP
(nm) (A/W) (%)
900
1050
1550
1700
b) Explica brevemente por qué en el PD de Si ...

(i) (400nm) < (750nm) ; (ii) (750nm) > (1000nm)
c) Explica brevemente por qué en el PD de GaInAs/InP ...
(i) (900nm) < (1050nm) ; (ii) (1050nm) < (1550nm)
d) Di para cuál de las siguientes longitudes de onda el PD de Si va
a ser más rápido y por qué: 400nm, 750nm, 1000nm
e) El PD de GaInAs/InP de la figura tiene una f3dB muy parecida
(igual rapidez) para todas las  comprendidas entre 1000 y
1600 nm. Explica por qué.
2) [Feb.04-(9)] La figura representa la responsividad () de un

fotodiodo de GaInAs/InP. Representa cualitativamente debajo
cómo será la variación de  con la temperatura, (/ T)().
Explica (o de palabra, o matemáticamente o con otro dibujo) cómo
obtienes la gráfica de (/ T)().
3) [Feb.05-(7); cfr. Sept.07-(4)] Sea un fotodiodo P+-N de silicio. Responde a las siguientes preguntas
argumentando de forma breve, clara y convincente tus respuestas. (Si son aprox. iguales, dilo y
arguméntalo)
a) ¿Su eficiencia cuántica será mayor para 780 nm o para 950 nm?
b) ¿Será más rápido para 780 nm o para 950 nm?
c) ¿La capacidad de la unión será mayor para VR = 0 V o para VR = 10 V?. (VR  tensión inversa)
d) Para 950 nm, ¿su frecuencia de corte f-3dB será mayor para VR = 0 V o para VR = 10 V?
e) Para 950 nm, ¿su responsividad será mayor para VR = 0 V o para VR = 10 V?
f) Para 950 nm, ¿su potencia óptica de saturación será mayor para VR = 0 V o para VR = 10 V?
80
4) [Sept.05-(5a-b)] Fotodiodos PIN

a) Dibuja el campo eléctrico en función de la profundidad (z), la densidad de carga (z) y el
diagrama de bandas Ec(z), Ev(z) para un fotodiodo PIN de silicio sin polarizar (VR = 0).
b) Dibuja (z) y (z) para polarización inversa (VR > 0) en las mismas gráficas que los anteriores,
indicando cuál es cada uno. Dibuja también el diagrama de bandas para polarización inversa.
(z) (z)
P I N P I N
z z
E(z) (VR = 0) E(z) (VR > 0)

I N P I N
P
z z
5) [Sept.05-(5c)] Señala en la tabla si el valor de cada uno de los parámetros que se indican será
mayor para un fotodiodo PIN de Si o para un fotodiodo P+-N también de Si (o si no influye el
que sea de un tipo o de otro). Salvo que se indique otra cosa puedes suponer VR=0.
Mayor mayor
no
Parámetros Símbolo para el para el
influye
PIN P+-N
Anchura de la zona de carga espacial W
Capacidad de la unión Cj
Constante de tiempo debida a difusión, para =1 m dif(1 m)
Coeficiente de absorción para =1 m (1 m)
Responsividad para  = 1 m (1 m)
Responsividad para  = 0.4 m (0.4 m)
Corriente en oscuridad, para VR=5V Id
81
6) [Sept.08-(3), cfr. Feb.07-(4.29-35)] Di, respondiendo “a”, “b” o “=”, cuál tendrá:
a mayor eficiencia η: un PD de Si iluminado con (a) λ= 950 nm o (b) λ=850 nm
b mayor responsividad para λ= 950 nm: un PD P+N de Si (a) sin polarizar o (b) en inversa con VR=5V
c mayor coeficiente de absorción para λ= 950 nm y VR=0V: (a) un PD PN de Si o (b) un PD-PIN de Si
d mayor responsividad para λ= 950 nm y VR=0V: (a) un PD P+N de Si o (b) un PD-PIN de Si
e menor corriente en oscuridad, para VR=5V: (a) un PD P+N de Si o (b) un PD-PIN de Si
f menores pérdidas por recombinación en la superficie: un PD de Si iluminado con (a) luz violeta o (b) luz roja
g mayor corriente (para la misma iluminación): (a) un PD o (b) un fototransistor
h mayor linealidad (suponiendo en ambos casos que no hay saturación): (a) un PD o (b) un fototransistor
i mayor linealidad (suponiendo en ambos casos que no hay saturación): (a) un PD P+N o (b) un PD PIN
j mayor rapidez: (a) un PD o (b) un fototransistor
k mayor potencia óptica de saturación: un PD (a) sin polarizar o (b) polarizado en inversa con VR=5V
l mayor fotocorriente de saturación para un mismo PD de Si: al ser iluminado con (a) λ= 950 nm o (b) luz roja
m menor retardo debido a difusión: un PD PIN de GaInAs/InP iluminado con (a) λ=1.3 μm o (b) λ=1.55 μm
n mayor eficiencia η: un PD PIN de GaInAs/InP iluminado con (a) λ=800 nm o (b) λ=1.3 μm
ñ mayor responsividad: un PD PIN de GaInAs/InP para (a) λ=1.3 μm o (b) λ=1.55 μm, si en ambos casos η>90%
o menor capacidad de la unión CJ: un PD PN de Si iluminado con (a) λ=950 nm o (b) λ=650 nm
p mayor resistencia “shunt” Rsh: (a) un PD de silicio o (b) un PD de germanio
7) [Dic.01-(1)] La figura adjunta representa la carta de áreas, eficiencias  y anchuras de zona intrínseca
W para PDs PIN de GaInAs/InP para 1550 nm.
a) Indica cómo se relaciona la eficiencia  con W
b) Cuál es la máxima f3dB impuesta por el tiempo de tránsito
c) Cuál es el máximo área en función de f3dB, W y RL impuesto por el tiempo de carga
d) Explica por qué en la respuesta en frecuencia de éste PD no influye el tiempo de difusión
e) Indica un buen criterio de diseño para elegir W y A
f) [Feb.04-(4c)] Deduce el área máxima (total) Amáx que puede tener el PD para que alcance una
frecuencia de corte dada f-3dB.
g) [Feb.04-(4d)] Deduce una expresión para la máxima eficiencia máx que se podría conseguir con un
fotodiodo PIN de heteroestructura (por ejemplo de GaInAs/InP) que tuviera una frecuencia de
corte dada f-3dB.
8) [Feb.08-(4.a)] Sea un PD del que se da el espectro de sensibilidad (responsividad) adjunto.
 Di de qué semiconductor será su zona activa:
 Dibuja sobre la gráfica la máxima responsividad que
se podría conseguir en cada  sin capa antirreflejante.
Indica las operaciones:
 Explica muy brevemente por qué (800 nm) < (1
m)
82
9) [Feb.05-(10b)] Calcula la máxima eficiencia que se podría conseguir en un PD PIN de GaInAs/InP

para 1.55 m si quisiéramos que la frecuencia de corte fuera de 40 GHz, sabiendo que el coeficiente
de absorción del GaInAs para esta longitud de onda es (1.55m) = 6.8·103 cm-1 y suponiendo que
la velocidad de arrastre de saturación es varr,sat = 5.6·106 cm/s.
10) [Feb.06-(6)] Sea un fotodiodo polarizado en inversa con VR=

5V con una resistencia de carga de 200 . Dicho fotodiodo RL =200 
0.6 A/W
tiene una sensibilidad (para la  de trabajo) de =0.6 A/W, rs = 50 
VR =5 V
una tensión de disparo V=0.7 V y (debido a un proceso
incorrecto en los contactos) una resistencia parásita en serie
Popt V I
no despreciable rs = 50  .
(mW) ( V ) (mA)
Calcula la tensión y la corriente en los bornes del fotodiodo
10
(siguiendo el convenio de signos habitual) para las potencias
ópticas que se indican. Indica cómo lo calculas. (Puedes 50
ayudarte, si quieres, del circuito equivalente).
11) [Feb.04-(10), Feb.08-(4.b)] Calcula la potencia óptica a la que se satura la linealidad de Vout(Popt) en los
circuitos que se muestran siendo los PDs de silicio con las responsividades que se indican.
0.4 A/W 0.4 A/W

0.5 A/W
83
12) [Feb.05-(8)] Algunos dispositivos comerciales están formados por parejas

de fotodiodos (PDs) idénticos, conectados tal como se indica en la figura. Popt,1 Popt,2
Supón que la sensibilidad de cada PD es de 0.4 A/W.
a) Dibuja el circuito en el que se acondicione dicho dispositivo con un
amplificador operacional en configuración de transimpedancia y con PD1 PD2
una resistencia de 20 K. La alimentación del operacional es de 5 V.
b) Da los valores de la tensión (V) y de la corriente (I) en bornes del dispositivo cuando tengamos
Popt,1= 0.8 mW y Popt,2= 0.7 mW y cuál será el valor de la tensión de salida del operacional (Vout)
en esas condiciones. (Si quieres, puedes ayudarte de un circuito equivalente sencillo de los PDs).
c) Calcula, indicando las operaciones, qué condiciones tienen que cumplir Popt1 y Popt2 para que la
salida de dicho circuito sea lineal.
13) [Sept.04-(6)]
(i) Dibuja esquemáticamente un PD PIN para comunicación óptica a alta velocidad en 3ª ventana
en el que se haya utilizado la técnica flip-chip.
(ii) Indica en el dibujo las zonas P, I y N de qué material serán.
(iii) Enumera 4 ventajas que pueda tener un PD fabricado por flip-chip comparado con un PD tipo
mesa convencional.
14) Cuestiones teóricas
a) [Dic.01-(4c)] Explica por qué la f3dB de los fotodiodos de Si depende de 
b) [Feb.03-(5f)] Dibuja esquemáticamente la estructura de un PD de GaInAs/InP de tipo difundido con
iluminación por delante. Indica en cada capa el semiconductor, el tipo de dopado y un posible
dopante. (Por claridad no utilices dopantes anfóteros
c) [Feb.03-(4b.i)] Di en qué situaciones será ventajoso el uso de un APD. Representa en una gráfica
(log-log) la señal y las componentes del ruido en función de la ganancia y señala en ella la
ganancia para las cuál se obtiene una mejor relación señal-ruido.
d) [Feb.03-(4b.ii)] Dibuja Ec(z) y Ev(z) para una estructura SAM con multiplicación por electrones,
indicando en el dibujo la zona de absorción y la zona de multiplicación.
84

ProblemasCEA 11-12

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Componentes electrónicos Avanzados. Problemas.

Tema 1. Propiedades básicas de los semiconductores.

a) [Feb.08-(3.b)] Recombinación vía centro profundo en un semiconductor tipo n

15) [Jul.11-(3)] Alineamiento de bandas en heteroestructuras AlGaInP/AlGaInP acopladas al GaAs.

7) [Oct.04-(3)] Representa en el diagrama de energías frente a posición:

Nota: Lo de “inversión de población” corresponde al tema 2.

a) Ei > Fn > Fp b) EF - Ec > 3kT c) EF - Ec > 3kT

d) Fn - Ei = Ei - Fp e) 0 < Ev – Fp < 3kT f) 0 < Ev – Fn < 3kT

(e) ni « n « no . (f) no « n « ni. Si no fuera posible dibujarlos, razona Ev

22) [Nov.05-(1)] a) Determina el desajuste de parámetro de red entre el Al0.1Ga0.3In0.6P y el GaAs.

Tema 2. Propiedades ópticas de los semiconductores

13) [Sept.08-(3)] Variación de  con la temperatura

c) En un semiconductor indirecto, si Ec(energía de la BC en k=0) es bastante mayor que Ec

b) Deduce la forma funcional rsp(h) que tendría el espectro de emisión espontánea

8) [Feb.10-(2.c-d), Sept.08-(1.7-8)] Sea un semiconductor que, para situación de

Tema 3. Diodos Emisores de Luz (LEDs) : Fundamentos.

Temperatura máxima de operación TaMAX 100 ºC

Corriente máxima de operación (dc) IFM mA

a) A la vista de la gráfica, completa los parámetros máximos que faltan en la tabla.

5) [Soluciones, cfr. Nov.09-(1)] Pretendemos estudiar la saturación de la recombinación vía centros

h) Deduce una expresión de ηrad en función de R y representa ηrad(R) en escala log-log.

Sea un LED de homounión con emisión en 590 nm (amarillo-ámbar) cuyas

Tema 4. LEDs específicos: estructura, características y aplicaciones.

Parámetro (Ta= 25ºC) Símbolo Valor Unidad

Longitud de onda de emisión λ 820 nm

Figura 1. Espectro de emisión en continua para TA= 25ºC,

f) En las condiciones de la Figura 1, haz una estimación del

4) [Cfr. Feb.02-(1)] El HLMP-EL31 es un LED amarillo-ámbar, con el espectro de emisión de la figura,

Indica sobre la carta cromática las coordenadas

7) [Sept.06-(4.5-5)] El NSPW510BS de Nichia es un LED blanco de alta luminosidad, algunas de cuyas

Características ópticas para TA = 25ºC, IF,DC = 20 mA

Descripción (para TA = 25ºC) Símbolo

a) Completa en la figura 1 el material, el dopado y la misión de las capas semiconductoras.

6) Sea un LED para comunicación por fibra óptica en la 2ª ventana.

LED azul zafiro semiconductor

Comparamos un LED blanco con un LED azul, idéntico al LED

21) [Dic.06-(B)] El NSHU550B es un LED con emisión en el ultra-violeta recientemente desarrollado

23) [Feb.05-(4.iv-v), Sept.05-(4.i-iv), Sept.06-(3.1-3.2), Nov.09-(4.3)] Di cuál tendrá previsiblemente mayor

Tipo de LED Zona activa (Barrera) . Sustrato .

Tema 5. Diodos láser (LDs): Fundamentos. (h)

neta sin iluminación

IF1 IT IF2 Ith IF3 I

6) [Jul.11-(3)] Variación de las características P-I de un LD al variar la temperatura.

a) Dibuja de forma cuantitativa la eficiencia cuántica diferencial en función de la corriente dq(IF)

9) [Dic.03-(4); cfr. Jul.10-(3)] Sea un diodo láser del que se

12) Cuestiones breves sobre diodos láser (LDs):

Indica >, = o < , según corresponda:

3) [Ene.11-(4.b)] Partiendo de la expresión de αr en función de los parámetros de la cavidad y de la

a) Deduce una expresión para la distancia en energía (Ec1) entre el mínimo

10) [Dic.03-(6.a)] Dibuja cómo cambiará la potencia de emisión al aumentar y al disminuir la

o() o() o()

Tema 6. Diodos láser (LDs) específicos.

MISIÓN DE LA CAPA COMPOSICIÓN DOPADO

2) [Dic.01-(2)] El RLD-78MIT es un LD de baja potencia al que corresponden las figuras siguientes

4) [Feb.09-(4,c-g,i)] El HL6354MG de Opnext es un MQW-LD con emisión en 635 nm (rojo cercano al

Threshold current (mA)

Corriente umbral ITH - 14 mA

Tensión del láser en directa VLF POL= 2 mW 1.3 V

Temp. de la submontura del láser TL - 20 30 ºC

Característica Símbolo Valor Unidad

(*): POL es la potencia óptica acoplada a la fibra

a) Di de qué semiconductor serán:

9) [Jul.11-(4.b-d)]] El 1915 LMM de AVANEX es un emisor diseñado para comunicación óptica en 3ª