FACULTAD DE CIENCIAS QUÍMICAS

PROGRAMA
INGENIERÍA QUÍMICA

ASIGNATURA
CIENCIA E INGENIERÍA DE
LOS MATERIALES

DOCENTE
MTRA. LETICIA MARIANA PÉREZ PÉREZ
La estructura cristalina de un material se puede
analizar mediante difracción de rayos X.

La Difracción de Rayos X está basada en las interferencias ópticas

que se producen cuando una radiación monocromática atraviesa
una rendija de espesor comparable a la longitud de onda de la
radiación. Los Rayos X tienen longitudes de onda de Angstroms,
del mismo orden que las distancias interatómicas de los Interacciones destructivas
componentes de las redes cristalinas. Al ser irradiados sobre la
muestra a analizar, los Rayos X se difractan con ángulos que
dependen de las distancias interatómicas. https://www.youtube.com/watch?v=NOQJ-NLixj4

Los rayos X son difractados, o el haz es reforzado cuando las

condiciones satisfacen la ley de Bragg.


sen   = Mitad del ángulo entre el haz difractado
2d hkl
y la dirección del haz original
 = Longitud de onda de los rayos x
d hkl = Espaciado interplanar entre los planos que ocasionan
el reforzamiento constructivo del haz
https://www.youtube.com/watch?v=GR6_PrUHG6E
https://www.youtube.com/watch?v=QVZMmm-uHJo
https://www.youtube.com/watch?v=NOQJ-NLixj4 Satisface la ley de Bragg
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MARIANA PÉREZ PÉREZ
Maytorena-Sánchez, et al., (2020). Análisis de la dureza y propiedades tribológicas del titanio
grado 2 mediante el proceso de oxidación térmica a diferentes temperaturas. Material letters,
128679. doi: 10.1016 / j.matlet.2020.128679

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MARIANA PÉREZ PÉREZ
Maytorena-Sánchez, et al., (2020). Análisis de la dureza y propiedades tribológicas del titanio
grado 2 mediante el proceso de oxidación térmica a diferentes temperaturas. Material letters,
128679. doi: 10.1016 / j.matlet.2020.128679

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VENTANA PRINCIPAL
Cargar el archivo a analizar
Base línea
Identificación de elementos

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 Imperfecciones de los arreglos atómicos

El arreglo de los átomos o iones en los

materiales contienen imperfecciones o
defectos. Con frecuencia tienen un efecto
profundo sobre las propiedades de los
materiales.

Dopantes: Elementos o compuestos que se adicionan de manera deliberada,

• Defectos puntuales. en concentraciones conocidas, en lugares específicos de la microestructura,
• Dislocaciones. con un efecto beneficioso deseado sobre las propiedades o el procesamiento.

a) Vacancia
b) Átomo instersticial
c) Átomo sustitucional pequeño
d) Átomo sustitucional grande
e) Efecto de Frenkel
f) Efecto de Schottky

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Figura Observaciones

a) Vacancia:
Se produce cuando falta un átomo en la red, es decir, existe un sitio
vacío.

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 Ejemplo:

Solución:

El parámetro del red del cobre CCCa es de 0.36151 mm por lo tanto, existen 4 átomos en celda unitaria, por lo tanto el número de
átomos de cobre por cm3 es:

4 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠/𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎
𝑛= −8 3
= 8.47𝑥1022 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠/𝑐𝑚3
(3.6151𝑥10 𝑐𝑚)

Temperatura ambiente:
T=25 + 273 = 298 K
−𝑄𝑣
𝑛𝑣 = 𝑛 exp
𝑅𝑇

−83680 𝐽/𝑚𝑜𝑙
𝐽
8.314 (298 𝑘)
𝑛𝑣 = 8.47𝑥1022 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠/𝑐𝑚3 𝑚𝑜𝑙 𝐾

𝑛𝑣 = 1.818𝑥108 𝑣𝑎𝑐𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎𝑠/𝑐𝑚3

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MARIANA PÉREZ PÉREZ
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 c) Átomo sustitucional pequeño

Se produce cuando un átomo más pequeño de la red

sustituye a uno de la misma, provocando una
contracción.

d) Átomo sustitucional grande

Se produce cuando se reemplaza un átomo por otro

átomo de la red pero mas grande y los átomos de la
red se comprimen.

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Otros defectos puntuales

e) Defecto Frenkel

Defecto intersticio-vacancia formado cuando un ión

salta de un punto normal de la red a un intersticio,
dejando una vacancia.

Puede ocurrir en metales y en materiales enlazados

de manera covalente.
f) Defecto Schottky

Es un par de vacancias en un material de enlace

iónico, deben faltar tanto un anión como un catión
de la red así conservando la neutralidad eléctrica.

Es único para los materiales iónicos y se encuentran

de manera común en muchos materiales cerámicos.

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Ejemplos Calcule el radio atómico de un metal CCCu con 𝛼0 = 0.3294 𝑛𝑚

Solución

De la ecuación siguiente despejar r

Se sustituye el valor del parámetro de red
4r
0  0 3
3 r
4
0 3 0.3294 3
r r
4 4
r  0.142nm

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La densidad del potasio, cuya estructura cristalina es CCCu es de 0.855 g/cm3 y su peso atómico es de 39.09 g/mol. Calcule:

a) El parámetro de red
b) El radio atómico del potasio


 número de átomos/celda  masa atómica 
 volumen de la celda unitaria  constante de Avogadro  Se sustituye el valor del parámetro de red

 número de átomos/celda  masa atómica 
0 3
 constante de Avogadro  r
4
 número de átomos/celda  masa atómica 
 0
  5.335 x108 cm 3
3

    constante de Avogadro  r
3

4
0  3
 2 átomos/celda  39.09 g/mol  r  2.310 x108 cm
 0.855g / cm  6.022x10 
3 23

 0  5.335 x108 cm

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 Calcular el número de átomos por celda
Densidad teórica
  volumen de la celda unitaria  constante de Avogadro 

 número de átomos/celda  masa atómica   número de átomos/celda  
 volumen de la celda unitaria  constante de Avogadro   masa atómica 
 7874 kg/m  2.866x10 m   6.022x1023átomos / mol 
10 3
 2 átomos/celda  0.055847kg/mol 
3

 número de átomos/celda 
 2.866x10 10
m   6.022x1023 
3
 0.055847kg/mol 
número de átomos/celda  1.99878átomos / celda
  7879kg / m3

Número de vacancias por m3

Vacancias/celda unitaria
Número de vacancias por celda unitaria Vacancias/m3 
 0 
3
Número de átomos - número de átomos calculados
2 -1.99878  0.00122 vacancias por celda unitaria Vacancias/m3 
0.00122
 2.866 x1010 m 
3

Vacancias/m3  5.18 x1025

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Bibliografía
• Callister. W. D. “Introducción a la ciencia e ingeniería de materiales”.
Editorial Reverté.

• Askeland. D. R. “Ciencia e ingeniería de materiales”. Sexta edición.

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