1.3.1 Arranque y paro de un motor de c.c. con un IGBT.

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada de componentes MOS, más la
capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares: Trabaja con tensión, tiempo
de conmutación bajos (alta frecuencia de Funcionamiento), margen de potencia en
conducción mucho mayor (como los bipolares).
Es importante que siempre que trabajamos con dispositivos semiconductores de potencia
el transistor sea la más a un elemento ideal, es decir; que presente pequeñas fugas, alta
potencia, bajos tiempos de respuesta (t on, toff) para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento, que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado, que no se
produzca “puntos calientes” (grandes di/dt)

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente en los

transistores bipolares, es que el paso del estado de bloque al de conducción y viceversa no
se hace instantáneamente, sino que hay siempre un retardo (t on, toff). Las causas
fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector-
base y base-emisor y los tiempos de difusión y recombinación de portadores.

La diferencia más notable entre transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el

modo de actuación sobre la terminal de control. El transistor bipolar hay que inyectar una
corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control
se hace mediante la aplicación de una tensión entre compuerta y fuente. Esta diferencia
viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son sustancial
mente distintas. Es una característica común, sin embrago, el hecho de que la potencia
manejada en las otras dos terminales.

Se destacan tres cosas fundamentales:

1) En un transistor bipolar, IB controla la magnitud de Ic
2) En un FET, la tensión Vgs controla la corriente ID
3) En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse mayor.