Laboratorio 2: Electrónica II

Arbeláez Arias María J., García Rico Kevin L., Pulgarin Mora
Sharon S.
Programa de Ingeniería Electrónica
Universidad del Quindío

Resumen— El propósito de esta práctica de laboratorio es menores distorsiones y tiene como desventaja que es muy poco
entender de una manera integral las diferentes eficiente para ser usado como amplificador de potencia. [1]
configuraciones que pueden tener los amplificadores clase
A, B Y AB, posteriormente se deben llevar a cabo análisis
DC, AC y respuesta en frecuencia para los todos los tipos de
amplificadores. En esta ocasión se cuenta con criterios de
diseño previamente dados por la docente, para ello todo el
procedimiento se debe centrar especialmente en asegurar
todas estas condiciones iniciales. Nuevamente se realizará la
búsqueda adecuada de las especificaciones del fabricante
para lograr obtener datos acertados en la práctica y
teóricamente.

I. INTRODUCCIÓN

Fig. 1 Circuito amplificador clase A. tomado de: [2]

El laboratorio número 2 está constituido inicialmente por un
amplificador clase A para el cual se llevó a cabo el uso de un
transistor JFET por su condición de tener una alta impedancia • DISEÑO PARA UN AMPLIFICADOR FET
de entrada; posteriormente se tendrá la implementación de un (JFET FUENTE COMÚN):
amplificador clase A con L de choque con un transistor BJT,
para el cual se deben asegurar las ganancias tanto de voltaje
como corriente. Finalmente, se diseñará un amplificador clase
B y AB, en donde se debe garantizar la potencia disipada en la
carga. Para cada uno de los puntos se llevará a cabo un análisis
en DC para verificar sus puntos de operación, un análisis en AC
y la respuesta en frecuencia; se implementarán también todos
los circuitos diseñados en la herramienta Multisim, en donde
los datos obtenidos por el simulador pasarán a ser los datos
prácticos del laboratorio.

La estructura de la práctica tendrá inicialmente la metodología,

en donde se mostrarán las técnicas usadas y levemente el
procedimiento, luego se tendrá los resultados y discusiones, en
donde se mostrará todo el procedimiento referente a cada
amplificador, los cálculos realizados, esquemáticos, gráficas,
resultados de las simulaciones y los diferentes porcentajes de
Fig. 2 Circuito fuente común con JFET. Tomado de: fuente propia
error; se procederá entonces discutir sobre los resultados
obtenidos y argumentaciones sobre los mismos. Como parte Inicialmente se debe asegurar que el punto de operación (Q) se
final se tendrán las conclusiones que expondrán lo aprendido al encuentre en la zona lineal del transistor, entonces par esto se
finalizar la práctica. tienen las siguientes ecuaciones:

𝐼𝐷𝑆𝑆
II. MÉTODOS E INSTRUMENTOS 𝐼𝐷𝑄 =
2
Amplificador clase A: Es un tipo de configuración del
amplificador el cual ofrece ganancia de voltaje altas y es 𝑉𝐺𝑆𝑄 = 0.3𝑉𝑃
también comúnmente llamado como amplificador de pequeña
señal, como ventaja se tiene que es casi lineal lo cual genera
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1.421𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚 =
|𝑣𝑝|

𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐷𝑆𝑄 =
2
Entonces se debe determinar la malla de entrada para el circuito
en el análisis DC, se tiene que:

𝑉𝐺𝐺 = 𝐼𝐺𝑅𝐺 + 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷𝑅𝑆

Se considera que IG=0 el punto de operación estaría dado por:

Fig. 3 Circuito amplificador clase A con inductor (L) de choque
𝑉𝐺𝑆𝑄 = 𝑉𝐺𝐺 − 𝐼𝐷𝑄𝑅𝑆 tomado de: [3]

Para un JFET se deben considerar que 𝑉𝐺𝐺 > 𝐼𝐷𝑄𝑅𝑆 y esto

Amplificador clase B y AB: El amplificador clase B es un
se cumple si 𝐼𝐷𝑄𝑅𝑆 ≥ 2𝑉𝐺𝑆𝑄 entonces:
amplificador de potencia el cual puede generar altas ganancias
de corriente y también disipa mejor el calor ya que se divide el
2 |𝑉𝐺𝑆𝑄 | trabajo usando 2 transistores (PNP y NPN), uno de los
𝑅𝑆 =
𝐼𝐷𝑄 transistores se encarga del semiciclo positivo mientras que el
otro se encarga del semiciclo negativo, como una de sus
ventajas es el nulo consumo cuando se está en reposo, pero una
Teniendo la ganancia se halla el valor de la resistencia RD o de sus desventajas es la generación de distorsión por cruce de
resistencia del dreno. este amplificador. [4]

𝑅𝐷||𝑅𝐿
𝐴𝑉 = −
𝑅𝑆 + 1/𝑔𝑚

Si 𝐶𝑡𝑒 = 𝐴𝑉(𝑅𝑆 + 1/𝑔𝑚) entonces RD tendría la expresión:

𝐶𝑡𝑒𝑅𝐿
𝑅𝐷 =
𝑅𝐿 − 𝐶𝑡𝑒
El valor de RG se puede determinar a partir de la impedancia
de entrada. Para el valor de R1 y R2 se tienen las siguientes
expresiones:

𝑅𝐺𝑉𝐷𝐷
𝑅2 =
𝑉𝐺𝐺
Fig. 4 Circuito amplificador clase B. tomado de: [4]
𝑅𝐺 𝑉𝐷𝐷
𝑅1 =
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐺𝐺 Para corregir la desventaja anteriormente mencionada, nacen
los amplificadores clase AB los cuales evitan dicha distorsión
gracias a la polarización que se le agrega usando resistencias o
Amplificador clase A con inductancia de choque: Este tipo diodos. [5]
de configuración es comúnmente usado para poder usar un
amplificador clase A como amplificador de potencia ya que el
amplificador clase A por sí solo no puede ofrecer altas
potencias, la inductancia es agregada reemplazando la
resistencia de colector por un inductor o transformador. [3]
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𝐼𝐷𝑆𝑆
𝐼𝐷𝑄 =
2

𝐼𝐷𝑄 = 2.5𝑚𝐴

𝑉𝐺𝑆𝑄 = 0.3𝑉𝑃

𝑉𝐺𝑆𝑄 = −1,2𝑉

Para hallar el valor de gm se tiene que:

1.421𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚 =
|𝑣𝑝|
Fig. 5 Circuito de amplificador clase AB tomado de: [5]
𝑔𝑚 = 1.8𝑘℧

III. RESULTADOS Y DISCUSIÓN El valor de VDSQ estaría dado por:

Punto 1: Diseñar un amplificador clase A que garantice una 𝑉𝐷𝐷
impedancia de entrada de 200𝑘Ω, si la resistencia de carga del 𝑉𝐷𝑆𝑄 =
2
amplificador es de 1𝑘Ω. Polarice el amplificador con 10𝑉.
Finalmente, determine el valor de los capacitores de tal manera
que la frecuencia de corte baja sea de 100Hz. 𝑉𝐷𝑆𝑄 = 5𝑣

Se parte del requerimiento inicial que consta de tener una

impedancia de entrada de 200kΩ, entonces se llega la Para el valor de VGG se debe analizar la malla de entrada, se
conclusión que la mejor herramienta es llevar a cabo la
implementación de amplificador clase A con un JFET. Se considera el siguiente esquemático:
considera el siguiente esquemático: VDD
VDD
1.66MΩ
10V
1kΩ
10V
1mF
RD
R2

C2
960Ω
1.66MΩ RD1
RL
227kΩ
Q2 1kΩ
C1
2N3972 12V
780nF

V1 RG Q1
1Vpk
1kHz R1
RS 2N3972
0°

RS1
VGG
Fig. 6 Esquema de Amplificador clase A. tomada de: fuente propia

Los datos que se tienen previamente son 𝑅𝐿 = 1𝐾Ω y un

voltaje de polarización 𝑉𝐷𝐷 = 10𝑣 . Por medio del Datasheet Fig. 7 Esquemático para la malla de entrada en DC. Tomado de:
para el modelo usado, es decir 2N3972 se tiene un valor vp= 4v fuente propia
y un valor IDSS= 5mA.

Por medio de los criterios de diseño expuestos anteriormente se 𝑉𝐺𝐺 = 𝑉𝐺𝑆𝑄 + 𝐼𝐷𝑅𝑆
pueden obtener los puntos de operación de una manera rápida,
se tiene que:
𝑉𝐺𝐺 = 1.2𝑣
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Para el valor de RS se tiene que: De donde se puede observar que la impedancia de entrada
corresponde solo a RG y esta tiene el valor de las resistencias
2 |𝑉𝐺𝑆𝑄 | R1 en paralelo con la resistencia R2, teniendo como resultado
𝑅𝑆 =
𝐼𝐷𝑄 la impedancia de entrada requerida.

Para la respuesta en frecuencia y garantizar la frecuencia de

𝑅𝑆 = 960Ω corte baja entonces se parte de la siguiente expresión:

Para el valor de RD se tiene que: 1

𝑓=
2𝜋 ∗ 𝐶 ∗ (𝑅𝐷 + 𝑅𝐿)
1
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆𝑄 − 𝐼𝐷𝑄𝑅𝑆 100𝐻𝑧 =
𝑅𝐷 = 2𝜋 ∗ 𝐶 ∗ (𝑅𝐷 + 𝑅𝐿)
𝐼𝐷𝑄

Se realiza el despeje del capacitor para poder hallar el valor

𝑅𝐷 = 1𝑘Ω
requerido que asegure dicha frecuencia entonces:
1
Entonces para los valores de R1 y R2, se tienen las siguientes 𝐶=
2𝜋 ∗ 100𝐻𝑧 ∗ (𝑅𝐷 + 𝑅𝐿)
expresiones:
𝑅𝐺𝑉𝐷𝐷
𝑅2 = 𝐶 = 780𝑛𝐹
𝑉𝐺𝐺

Para el capacitor a la entrada se puede considerar un valor de

𝑅2 = 1.66𝑀Ω 1mF que lo que haría sería tener una frecuencia más pequeña al
estar dividiendo por un número grande, entonces de esta forma
la frecuencia de 100Hz sería la resultante.
𝑅𝐺 𝑉𝐷𝐷
𝑅1 =
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐺𝐺 Para hallar los valores de la potencia disipada en la carga y la
eficiencia máxima en el circuito se tiene que: el valor de VDS
corte:
𝑅1 = 227𝑘Ω 𝑉𝐷𝑆𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 = 𝐼𝐷𝑄 ∗ 𝑅𝐴𝐶 + 𝑉𝐷𝑆𝑄

𝑉𝐷𝑆𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 = 8.67𝑣
Para verificar Zin se analiza la impedancia de entrada en el
circuito en pequeña señal, y se tiene entonces:
Entonces el valor de RAC se puede intuir por el siguiente
modelo en AC.

Fig. 8 Esquemático en pequeña señal para JFET. tomado de: fuente

propia

Para hallar el valor de la ganancia de voltaje se tiene la

siguiente expresión:
𝑅𝐷||𝑅𝐿
𝐴𝑉 = −
𝑅𝑆 + 1/𝑔𝑚
Fig. 9 Modelo AC. tomado de: fuente propia

𝑅𝐿´ = 𝑅𝐷||𝑅𝐿 = 500Ω

𝐴𝑉 = −0.3347
𝑅𝐴𝐶 = 𝑅𝐿´ + 𝑅𝑆 = 1.46𝐾Ω

Para el voltaje máximo de salida y entrada se tiene que:

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𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐷𝑆𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 − 𝑉𝐷𝑆𝑄

𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 3.67𝑣
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑖𝑚𝑎𝑥 =
|𝐴𝑣|

𝑉𝑖𝑚𝑎𝑥 = 10.98𝑣

Entonces el valor de la potencia disipada en la carga se puede

calcular como: Fig. 11 Simulación de los puntos de operación. tomado de: fuente
propia
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 2
𝑃𝑙 = Para los cuales se tiene el siguiente porcentaje de error:
2𝑅𝐿
Tabla 1 Porcentaje de error para valores en DC.
𝑃𝑙 = 6.8𝑚𝑊
%DE
Y la potencia promedio disipada por la fuente: INFORMACIÓN ANALISIS SIMULACIÓN
ERROR
IDQ 2.5mA 2.49mA 0.40%
𝑃𝑑𝑑 = 𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝐼𝐷𝑄 VGSQ -1.2V -1.19v 0.8%%

Entonces la eficiencia en el amplificador estaría dada por:

Para simular la impedancia de entrada se debe agregar una
𝑝𝑙 resistencia variable que tenga el doble del valor de la
𝑛=( ) 𝑥100 impedancia de entrada calculada.
𝑝𝑑𝑑

𝑛 = 27.004%

Teniendo entonces el siguiente esquema de forma práctica en

el simulador:

Fig. 12 Impedancia de entrada. tomado de: fuente propia

Lo que se puede visualizar es un divisor de voltaje en donde

posterior a la resistencia variable se observa extramente la
mitad del voltaje de entrada. En este caso la impedancia de
entrada tiene un porcentaje de error de 0%.

Para verificar la frecuencia se conecta un Body Plotter para

Fig. 10 Simulación potencia y eficiencia. tomado de: fuente propia
Para comparar los valores teóricos con los prácticos se tienen
los siguientes resultados de simulación. Inicialmente se
compararon los puntos de operación.
poder visualizar el diagrama de bode y entonces se establece el
cursor en la zona donde se aprecia que la señal se establece, en
este caso sería en un valor de -6.581 dB y si se realiza la resta
de −3𝑑𝐵 − 6.581 𝑑𝐵 = −9.581𝑑𝐵 , entonces se tiene que:
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Fig. 13 13 Diagrama de Bode para el amplificador JFET. tomado Fig. 16 Esquemático en pequeña señal para BJT. tomado de: fuente
de: fuente propia propia

Al analizar nos queda que:

Se puede apreciar que al ubicar el cursor en -3dB se tiene una
frecuencia de 102.3 Hz que es aproximadamente la requerida, 𝑉𝑜 −𝛽𝑖𝑏𝑅𝑙 𝛽𝑖𝑏𝑅𝑙
se tiene el siguiente porcentaje de error: |𝐴𝑣| = =| |=
𝑉𝑖 𝑖𝑏(𝛽𝑅𝐸) + ℎ𝑖𝑒 𝑖𝑏𝛽(𝑅𝐸 + 𝑟𝑒)
Tabla 2 Porcentaje de error para valores en frecuencia. Teniendo en cuenta que re es muy pequeña, casi despreciable,
se elimina de la ecuación, por tanto:
%DE
INFORMACIÓN ANALISIS SIMULACIÓN 𝑅𝑙
ERROR |𝐴𝑣| =
Frecuencia de
𝑅𝐸
100Hz 102.3Hz 2.2%
corte
𝐼𝑜 𝛽𝑖𝑏 𝛽𝑅𝐵
|𝐴𝑖| = = |− |=
𝐼𝑖𝑛 𝑖𝑏(𝑅𝐵 + ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑅𝐸) 𝑅𝐵 + ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑅𝐸
Punto 2: Diseñar un amplificador clase A con inductancia de
𝑅𝐵
choque que garantice una ganancia de corriente de |𝐴𝐼 | = 10 y
una ganancia de voltaje |𝐴𝑉 | = 10 en una carga de 1𝑘Ω. Polarice De la ecuación de ganancia de voltaje Av despejo y hallo RE:
el amplificador con 12𝑉.
𝑅𝑙 1𝑘Ω
𝑅𝐸 = = = 100Ω
𝐴𝑣 10

Con la ganancia Ai hallo RB, sin embargo, es necesario conocer

primero el valor de hie y por tanto de ICQ. Teniendo en cuenta
que ICQ por MES (Máxima Excursión simétrica) es:

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑄 =
𝑅𝐷𝐶 + 𝑅𝐴𝐶

Determino RDC y RAC:

Fig. 14 Esquema de Amplificador clase A con -l de choque. tomado

de: fuente propia

Para análisis se consulta un transistor, en este caso se escoge

el transistor 2N3904 y un β=200

Fig. 17 Análisis resistencias DC y AC. tomado de: fuente propia

Fig. 15 Beta seleccionado de datasheet. tomado de: [6] 𝑅𝐷𝐶 = 𝑅𝐸 𝑅𝐴𝐶 = 𝑅𝐿 + 𝑅𝐸

En los requerimientos nos brindan el valor de la ganancia de

corriente Ai, la ganancia de voltaje Av y la resistencia de Despejo y hallo ICQ y VCEQ:
carga RL. Con esta información se procede a analizar el
circuito hibrido para definir sus ganancias: 12𝑉
𝐼𝐶𝑄 = = 10𝑚𝐴
100Ω + (1𝑘Ω + 100Ω)
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𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄𝑅𝐸 = 12𝑉 − 10𝑚𝐴(100Ω) = 11𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐶𝑄𝑅𝐿 + 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 10𝑚𝐴(1𝑘Ω) + 11𝑉 = 21𝑉
Por tanto:
𝛽𝑉𝑇 200(26𝑚𝑉) 𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 21 − 11𝑉 = 10𝑉
ℎ𝑖𝑒 = = = 520Ω
𝐼𝐶𝑄 10𝑚𝐴
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 10𝑉
𝑉𝑖𝑚𝑎𝑥 = = = 1𝑉
Despejo RB de la ganancia de corriente Ai: 𝐴𝑣 10

𝐴𝑖(ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑅𝐸) 10(520Ω + 200(100Ω)) Potencia suministrada por la fuente (pcc), potencia de la carga
𝑅𝐵 = = = 1080Ω (pl) y eficiencia (ƞ):
𝛽 − 𝐴𝑖 200 − 10

Con RB se hallan los valores de R1 y R2 teniendo en cuenta que 𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 2 10 2

𝑝𝑙 = = = 50𝑚𝑊
RB=R1||R2, para esto es necesario conocer el valor de VBB, el 2𝑅𝑙 2𝐾Ω
cual se analiza a partir del siguiente circuito:
𝑝𝑐𝑐 = 𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝐼𝐶𝑄 = 12𝑉 ∗ 10𝑚𝐴 = 120𝑚𝑊

𝑃𝑙 50𝑚𝑊
ƞ= = = 0.4167 ≈ 41.67%
𝑃𝑐𝑐 120𝑚𝑊

Se simula el circuito en multisim:

Fig. 18 Esquemático para la malla de entrada, circuito en DC.

tomado de: fuente propia

𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐶𝑄 ( + 𝑅𝐸) =
𝛽

1080Ω Fig. 19 Resultado de la simulación. tomado de: fuente propia

0.7𝑉 + 10𝑚𝐴 ( + 100Ω) = 1.754𝑉
200
Determino la ganancia de voltaje por medio del diagrama de
Se sabe también que por divisor de voltaje: bode de frecuencias:

𝑉𝐶𝐶 (𝑅2)
𝑉𝐵𝐵 =
𝑅1 + 𝑅2

Si multiplico la ecuación por R1/R1 obtengo:

𝑉𝐶𝐶 (𝑅2) 𝑅1 𝑉𝐶𝐶(𝑅𝐵)

𝑉𝐵𝐵 = 𝑥 =
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 𝑅1

Despejo R1 y obtengo:

𝑉𝐶𝐶(𝑅𝐵) 12𝑉(1080Ω)
𝑅1 = = = 7.388𝑘Ω
𝑉𝐵𝐵 1.754𝑉 Fig. 20 Diagrama de Bode para el amplificador BJT. tomado de:
fuente propia
De forma similar obtengo:
Se determinan los valores de las ganancias:
𝑉𝐶𝐶(𝑅𝐵)
𝑅2 = = 1.264𝑘Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐵 𝐼0 6.69µ𝐴
𝐴𝑖 = = = 9.383
𝐼𝑖𝑛 713𝑛𝐴
Hallo Vomax:
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19.62 Revisado la hoja de datos del fabricante para un transistor TIP
𝐴𝑣 = 10 20 = 9.572
41A y TIP42A se obtiene que:
Porcentaje de error:
𝑉𝑐𝑒𝑠𝑎𝑡 = 1.5 𝑣
Tabla 3 porcentajes de error amplificador clase A con L de choque
𝑉𝐵𝐸 = 0.4 𝑣
Variable Teórico S imulación %error
ICQ 1,00E-02 9,40E-03 6,000% Entonces:
VCEQ 11 11,1 0,909% 𝑉𝑐𝑐 = 2√2 𝑣 + 1.5 𝑣 = 4.3284 𝑣
VBB 1,754 1,670 4,789%
Hallando R2:
Ai 10 9,383 6,170%
Primero:
Av 10 9,572 4,280%
𝑅𝐿 ∗ 𝑖𝑐𝑚𝑎𝑥 2
pcc 0,12 0,13 -8,333% 𝑃𝐿 =
2
pl 0,05 4,33E-02 13,400%
n 0,4167 0,3331 20,062%
2 ∗ 𝑃𝐿 2∗1𝑤
𝑖𝑐𝑚𝑎𝑥 = √ =√ = 0.7071 𝐴
𝑅𝐿 4
Punto3: Diseñar un amplificador Clase B y un AB, que
garantice una potencia 𝑃𝐿𝐴𝐶 = 1𝑊 en una carga de 𝑅𝐿 = 4Ω Teniendo ic, se escoge el valor de beta adecuado:
𝛽 = 90
Se pretende realizar el diseño para el esquema de la siguiente
figura: Y se calcula:

𝑖𝑐𝑚𝑎𝑥 0.7071 𝐴
𝑖𝑏𝑚𝑎𝑥 = = = 0.0079 𝐴
𝛽 90
Entonces:
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥
𝑅2 =
𝑖𝑏𝑚𝑎𝑥

4.3284 𝑣 − 0.4 𝑣 − 2√2 𝑣

= = 140.0071 Ω
0.0079 𝐴

Ahora se halla la corriente del diodo para luego hallar 𝑅𝑓:

Fig. 21 esquema para el diseño del amplificador clase AB. tomado 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 4.3284 − 0.4 𝑣
de: fuente propia 𝐼𝑑 = = = 0.0281 𝐴 = 28.1 𝑚𝐴
𝑅2 140.0071 Ω
Donde:
𝑉𝑇 25.85 𝑚𝑉
𝑉𝐷𝐷 = −𝑉𝐶𝐶 𝑅𝑓 = = = 0.9213 Ω
𝐼𝐷 0.0281 𝐴
Y el diseño debe cumplir lo siguiente:
Ahora se calcula la ganancia para hallar 𝑣𝑖𝑚𝑎𝑥:
𝑃𝐿 = 1 𝑤
𝑅𝐿 = 4Ω 2𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 2 2(2√2 𝑣)2
𝑃𝑐𝑐 = = = 1.273239 𝑤
Y se escogen los transistores TIP41A y TIP42A y para los 𝜋 ∗ 𝑅𝐿 𝜋 ∗ 4Ω
diodos el 1N4004. Con esto último se Halla primero 𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 :
𝑃𝑐𝑐 1.273239
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 2 𝐼𝑐𝑑𝑐 = = = 0.4502 𝐴 = 450.2 𝑚𝐴
𝑃𝐿 = 𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 2√2
2𝑅𝐿

𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = √2 ∗ 𝑃𝐿 ∗ 𝑅𝐿 = √2 ∗ 1 𝑤 ∗ 4Ω 𝑉𝑇 25.85 𝑚𝑉
𝑟𝑒 ′ = = = 0.0574 Ω
𝐼𝑐𝑑𝑐 0.4502 𝐴
= 2√2 𝑣 ≈ 2.8284 𝑣
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𝑅2 ∗ 𝛽(𝑟𝑒 ′ + 𝑅𝐿) 𝑉𝑐𝑒 ′ = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐𝑞 ∗ 𝑅𝐿

𝑅𝐵 = 𝑅2||𝛽(𝑟𝑒 ′ + 𝑅𝐿) =
𝑅2 + 𝛽(𝑟𝑒 ′ + 𝑅𝐿)
Se tiene en cuenta también que 𝐼𝑐𝑞 tiende a 0 o es muy
pequeña:
140.0071 Ω ∗ 90(0.0574 Ω + 4Ω) 𝑉𝑐𝑒 ′ = 4.3284 𝑣 − 0 ∗ 4 Ω
𝑅𝐵 = = 101.2048 Ω
140.0071 Ω + 90(0.0574 Ω + 4Ω)
𝑉𝑐𝑒 ′ = 4.3284 𝑣

𝑅𝐿 ∗ 𝑅𝐵 En la siguiente figura se puede apreciar, el punto de operación:

𝐴𝑣 =
(𝑟𝑒 ′ + 𝑅𝐿)(𝑅𝐵 + 𝑅𝑓)

4 Ω ∗ 101.2048 Ω
=
(0.0574 Ω + 4 Ω)(101.2048 Ω + 0.9213 Ω)

4 Ω ∗ 59.2591 Ω
𝐴𝑣 = = 0.9770
(0.0574 Ω + 4 Ω)(59.2591 Ω + 0.6188 Ω)

𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 2√2 𝑣
𝑉𝑖𝑚𝑎𝑥 = = = 2.8951 𝑣
𝐴𝑣 0.9770 Fig. 22 punto de operación para el amplificador clase AB. tomado
de: fuente propia
Se calcula la eficiencia:
Tras realizar todos los cálculos se procede a verificar el diseño
𝑃𝐿 1𝑤
𝜂= = = 0.7853 en el simulador Multisim, se ingresa cada valor calculado
𝑃𝑐𝑐 1.273239 𝑤 anteriormente, quedando de la siguiente manera:

Punto de operación: Con la EC de la recta de carga para este

amplificador:

𝑉𝑐𝑒′ = 𝑉𝑐𝑐 − (𝐼𝑐 − 𝐼𝑐𝑞 )𝑅𝐿

Se hacen las 2 consideraciones:

Si 𝑉𝑐𝑒′ = 0:
0 = 𝑉𝑐𝑐 − (𝐼𝑐 − 𝐼𝑐𝑞)𝑅𝐿

−𝑉𝑐𝑒𝑞
= −(𝐼𝑐 − 𝐼𝑐𝑞)
𝑅𝐿
−𝑉𝑐𝑒𝑞 Fig. 23 esquema de la simulación del amplificador clase AB. tomado
= −𝐼𝑐 + 𝐼𝑐𝑞
𝑅𝐿 de: fuente propia

𝑉𝑐𝑐
−𝐼𝑐𝑞 − = −𝐼𝑐 ∗ (−1) Donde en la figura anterior se puede apreciar el esquema de la
𝑅𝐿
simulación en Multisim con todos los valores calculados en el
Pero en clase ab en ac 𝐼𝑐𝑞 tiende a 0 o es muy pequeña: diseño, con esto se mide la potencia en la carga, en este caso R1
usando simulación interactiva, obteniendo:
𝑉𝑐𝑐 4.3284 𝑣
𝐼𝑐 = 𝐼𝑐𝑞 + =0+ = 1.0821 𝐴
𝑅𝐿 4Ω

Ahora, Si 𝐼𝑐 = 0:

𝑉𝑐𝑒′ = 𝑉𝑐𝑐 − (0 − 𝐼𝑐𝑞)𝑅𝐿

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𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 2√2 𝑣 ≈ 2.8284 𝑣

𝑉𝑐𝑐 = 4.3284 𝑣

𝑖𝑐𝑚𝑎𝑥 = 0.7071 𝐴

𝑖𝑏𝑚𝑎𝑥 = 0.0079 𝐴

𝑃𝑐𝑐 = 1.273239 𝑤

Fig. 24 potencia obtenida en la carga en la simulación del clase AB. 𝐼𝑐𝑑𝑐 = 0.4502 𝐴 = 450.2 𝑚𝐴
tomado de: fuente propia
𝑟𝑒 ′ = 0.0574 Ω
Se puede apreciar que para la carga RL se cumple una potencia
de 998 𝑚𝑊 , muy cercano a 1 𝑤 y calculando el porcentaje de 𝐴𝑣 = 0.9858 → 𝑇𝑒𝑜𝑟𝑖𝑐𝑜
error, se obtiene un error de 0.2%, muy bajo, lo cual indica un
buen diseño. Ahora se debe tener en cuenta la región donde el transistor no
Ahora se revisa la señal de salida y la de entrada, para verificar se activa y se “pierde” parte de la señal original para calcular
que no halla distorsiones: el 𝑉𝑖𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑖𝑚𝑎𝑥 = ( ) + 2𝑉𝐵𝐸
𝐴𝑣

2√2 𝑣
=( ) + 2(0.4) = 3.6691 𝑣
0.9858

Esto último garantiza la potencia en la carga de 1 𝑤

Nuevamente se procede a verificar el diseño en el simulador
Fig. 25 señal de salida y de entrada del amplificador clase AB. Multisim, se ingresa cada valor calculado anteriormente,
tomado de : fuente propia
quedando de la siguiente manera:
Efectivamente, se puede observar que no hay distorsiones y que
la ganancia es prácticamente unitaria.

Diseño del amplificador clase B: Se pretende realizar el

diseño para el esquema de la siguiente figura:

Fig. 27 esquema de la simulación del amplificador clase B. tomado

de: fuente propia

En la anterior figura se puede apreciar el esquema de la

Fig. 26 esquema para el diseño del amplificador clase AB. tomado simulación en Multisim con los valores calculados en el diseño,
de: fuente propia
con esto se mide la potencia en la carga, en este caso R1 usando
Para el diseño del clase B, se elige los mismos transistores del simulación interactiva, obteniendo:
diseño AB, por lo tanto, los siguientes datos ya calculados no
cambian:

𝑃𝐿 = 1 𝑤

𝑅𝐿 = 4Ω
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amplificar potencia, sin embargo, al agregar una

inductancia o un trasformador en el lugar de la
resistencia del colector se logra que este tipo de
amplificador sirva como amplificador de potencia y
sea lo suficientemente eficaz.

• El amplificador clase B es bueno usarlo si se pretende

ingresar una señal muy grande ya que el recorte
(distorsión por cruce) va a ser significativo.

• Es bueno usar un amplificador de potencia clase AB

cuando se tiene señales pequeñas ya que este tipo de
Fig. 28 potencia obtenida en la carga en la simulación del clase B. amplificador no va a generar distorsiones.
tomado de: fuente propia

Como se puede apreciar, la carga RL se cumple una potencia de

V. REFERENCIAS
968 𝑚𝑊 , muy cercano a 1 𝑤 y calculando el porcentaje de
error, se obtiene un error de 3.2%, muy bajo, lo cual indica un
buen diseño. [1] «EcuRed,» 04 11 2011. [En línea]. Available:
https://www.ecured.cu/Amplificador_clase_A. [Último
Finalmente se revisa la señal de salida y la de entrada, para acceso: 04 2021].
verificar que no halla distorsiones:
[2] «Tutoriales de electrónica básica,» [En línea]. Available:
http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/el-
amplificador-de-clase-es-un.html. [Último acceso: 04 2021].
[3] W. J. universidad del Quindío, «AMplificadores clase A,
Diapositivas clase 3,» Armenia, 2021.
[4] «Acoustics,» [En línea]. Available:
https://altavoz.online/amplificador-clase-b/. [Último acceso:
04 2021].
[5] «Acoustics,» [En línea]. Available:
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Fig. 29 señal de salida y de entrada del amplificador clase B. tomado 04 2021].
de: fuente propia [6] O. Semiconductor, «onsemi,» [En línea]. Available:
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/2n3903-d.pdf.
[Último acceso: 04 2021].
Se puede observar que se presenta distorsión por cruce, algo
normal para este tipo de amplificador y por dicha distorsión se
genera una ganancia menor 1.

IV. CONCLUSIONES

• El uso de los transistores FET tiene la capacidad de

facilitar los análisis dado que al tener el medio aislante
se genera como resultado final en el modelo hibrido
circuitos casi divididos; también cabe resaltar que su
característica más notoria, como lo es tener
impedancias de entradas tan elevadas, lo hace un
excelente componente para etapas de diseño tales
como la que se requirió en el punto 1. Los valores
dados por el fabricante son totalmente esenciales y si
no se escogen adecuadamente este tipo de transistor no
va a responder de manera deseada.

• El amplificador clase A al ser un amplificador que

disminuye la distorsión no es muy eficiente para