Circuito de excitación de un

transistor Mosfet
Nombre: Alejandro Isaias Maldonado Loja

Curso: Tercer Nivel de Tecnología Superior en Electricidad

Circuitos de excitación de MOSFET

 Es un dispositivo controlado por tensión.

 Estado de conducción se consigue cuando la tensión puerta-fuente sobrepasa la tensión
umbral de forma suficiente.
 Corrientes de carga son esencialmente 0.
 Es necesario cargar las capacidades de entrada parásitas.
 Velocidad de conmutación viene determinada por la rapidez con que la carga de esos
condensadores pueda transferirse.
 Circuito de excitación debe ser capaz de absorber y generar corrientes rápidamente para
conseguir una conmutación de alta velocidad.
Esquemas

Vcc
Vcc
Carga
Carga

Vi Carga
R
Circuito de Control

Totem-Pole

Totem-Pole con Buffer

 Ejemplo
 Calcular la excitación de un Mosfet de potencia que tiene las
siguientes características:
 VTH=2 a 4V.
 VGSmáx=20V
 VDSmáx=100V
 Capacidades parásitas= las de la figura.
 Se precisa que el Mosfet conmute al cabo de 50ns o menos. Si
la tensión de excitación es de 12V y la de alimentación es de
100V calcular la corriente necesaria y la RB que la limite.
 Resolución
Vemos que las capacidades de entrada y salida a más de 60V es de
300pF y 50pF respectivamente. Como ambas se tienen que cargar,
necesitaremos:

dVDG 100V  12V

I DG  CDG .  50 pF .  88mA
dt 50ns
dVGS 12V  2V
I G  CGS .  300 pF .  60mA
dt 50ns
Total  148mA
RB 
 12V  4V 
 54 50  normalizado 
148mA
+100V
+12V

Carga

RB
Simulación
Link:

 https://drive.google.com/drive/folders/1tAxPdsk2T
zkn3hnLphtMSeVjdbRc_W4Z?usp=sharing
 GRACIAS
POR
SU ATENCIÓN