Formulario de Semiconductores

Mecánica Cuántica

Quanta de Energía E=hv

C
E=h
λ

Momento de un Fotón

h
p=
λ

Ecuación de Schrödinger
2
−ℏ2 ∂ ψ ( x ) ∂ψ (x,t )
∙ 2
+V ( x ) ψ ( x , t )= jℏ
2m ∂ x ∂t

∂2 ψ ( x ) 2m
+ 2 ( E−V ( x )) ψ ( x ) =0
∂ x2 ℏ

Teoría Cuántica de Sólidos

Densidad de Estados
3
2
4 π ( 2 m)
g ( E )= √E
h3

Densidad de Estados en la Banda de Conducción

3
¿ 2
4 π (2 m n )
gc ( E )= 3 √ E−E c
h

Densidad de Estados en Banda de Valencia

3
¿ 2
4 π (2 m p )
gv ( E )= 3 √ Ev −E
h

Probabilidad de Fermi-Dirac
N (E) 1
=f F ( E )=
g (E) E−EF
1+exp( kT )
 Semiconductor en Equilibrio
Distribución de Electrones en la Capa de Conducción

n ( E )=g c ( E ) f F (E)

Distribución de Portadores en la Capa de Valencia

p ( E )=gc ( E ) [1−f F ( E ) ]

Concentración de Electrones en Equilibrio Térmico

n0=∫ g c ( E ) f F ( E ) dE

n0=N c exp ⁡ [ −( E c −EF )

kT ]
Concentración de Huecos en Equilibrio Térmico

p0=∫ gc ( E ) [1−f F ( E ) ]dE

p0=N V exp ⁡ [ −( E F −EV )

kT ]
Relación de Funciones Efectiva de Densidad de Estados en Banda de Valencia y de
Conducción.

3/ 2
T BUSCADA
N CF ∨N VF =N C ∨N VF ( 300 K )
Concentración de Portadores Intrínsecos en Equilibrio Térmico

ni2= pi2=N V N C exp [ kT ]

−( EC −E V )
( )
= N C N V exp
−E g
kT
Posición del Nivel Fermi de Energía Intrínseco
¿ ¿
Nv 1 mp mp
1
2
1
E Fi= ( EC + EV ) + kT ln
2 ( ) 3
( ) 3
( )
= ( EC + E V ) + kT ln ¿ =Emidgap + kT ln ¿
Nc 2 4 mn 4 mn

Energía de Ionización.

−m¿ e 4
E=T +V =
2 ( nh )2 (4 πϵ)2

Relación de un Semiconductor Intrínseco con uno Extrínseco

n0=N c exp ⁡[ −( E c −EF )

kT ]
p0=N v exp ⁡ [ −( E F −EV )
kT ]
2
¿ =no p o

Probabilidad de un electrón donante

Nd
nd =
E −E F
1
1+ exp d
2 kT ( )
 +¿ ¿
nd =N d −N d

Probabilidad de un átomo aceptante

Na
pa =
E −Ea
1
1+ exp F
g kT( )
−¿
pa=N a−N a¿

Probabilidad de un electrón donante en contraste con el total.

nd 1
=
n0 +nd N −( E c −Ed )
1+ c exp
2Nd (
kT )
*Donde el factor ( Ec −E d ) es la energía de ionización.

Probabilidad de un átomo aceptante en contraste con el total.

pa 1
=
p0 + p a N
1+ v exp
g Na (
−(E a−E v )
kT )
*Donde el factor ( Ea −Ev ) es la energía de ionización. Y g es 4 normalmente para silicio y arseniuro de galio.

Concentración de electrones en equilibrio térmico en semiconductor compensado

tipo n

n0=
( N d −N a)
2
+
√( N d −N a 2 2
2 )
+ni

*Se usa cuando Nd > Na

Concentración de huecos en equilibrio térmico en semiconductor compensado tipo

p
 ( N −N d )
p0= a
2
+
√( N a−N d 2 2
2 ) +ni

*Se usa cuando Na > Nd .

Nivel Fermi para un semiconductor extrínseco n:

Nc
Ec −E F =kT ln ( )
n0

Nc
Ec −E F =kT ln ( )
Nd

n0
E F−E Fi=kT ln ( )
ni

Nivel Fermi para un semiconductor extrínseco p:

Nv
E F−E v =kT ln ( )
p0

Nv
E F−E v =kT ln ( )
Na

p0
E Fi−EF =kT ln ( )
ni

Densidad de Corriente de Deriva

A
J n∨drf =ρ v dn=
cm2

A
J p∨drf =(eρ) v dp=
cm2

Velocidad de Deriva Promedio con Movilidad de Huecos

v dp =μ p E

Velocidad de Deriva Promedio con Movilidad de Electrones

 v dn=−μn E

Densidad de Corriente de Deriva

J n∨drf =eμ n nE

J p∨drf =eμ p pE

Densidad de Corriente de Deriva Total

μ
e (¿ ¿ p p+ μ n n ) E
J drf =¿

Conductividad

J drf =e ( μn n+μ p p ) E=σE

Resistividad

1 1
ρ= =
σ e ( μ n n+ μ p p ) E
 El Fenómeno de Transporte de Portadores

Potencial de Barrera Integrada Vbi

V bi =|ϕ Fn|+|ϕ Fp|

Na Nd NaNd
V bi =
kT
e ( )
ln
ni2
=V t ln
n2i ( )
e
V bi =|ϕ ( x=x n )|= (N x2 + N a x 2p )
2ϵ s d n

Potencial ϕ Fn

e ϕ Fn=E Fi −E F

n0=N d=ni exp ( −(ekTϕ ) )

Fn

N
ϕ Fn=
−kT
e ( )
ln d
ni

Potencial ϕ Fn

e ϕ Fp=E Fi −E F

p0=N a =ni exp ( −(ekTϕ ) )

Fp

Na
ϕ Fp =
+kT
e
ln( )
ni

Campo eléctrico en Región PN

−e N d
E= ( x n−x ) 0 ≤ x ≤ x n
ϵs
 −e N a
E= ( x+ x p ) −x p ≤ x ≤ 0
ϵs

Potencial a través de las regiones

eNd x2 e N a 2
ϕ ( x )=
ϵs (
x n ∙ x− +
2 )
ϵs p
x (0 ≤ x ≤ x n )

−e N a 2
ϕ (x)= ( x+ x p ) −x p ≤ x ≤ 0
2ϵ s

e
V bi =|ϕ ( x=x n )|= ( N x 2 + N a x 2p )
2ϵ s d n

Región Espacial de Carga

1/ 2

x n=
{ [ ][
2 ϵ s V bi N a
e Nd
1
N a+ N d ]}
1/ 2

x p=
{ [ ][
2 ϵ s V bi N d
e Na
1
N a+ N d ]}
Región de Agotamiento
W =x n + x p

1 /2

W=
{ [
2 ϵ s V bi N a + N d
e Na Nd ]}
Polarización Inversa

V total =|ϕ Fn|+|ϕ Fp|+V R =V bi +V R

Región de Agotamiento
 V
¿
bi+ ¿ V R
¿¿
2 ϵ s ¿1 /2
¿
¿
W =¿

Campo Eléctrico en Unión Metalúrgica

−e N a x p −e N d x n
Emax = =
ϵs ϵs

V
2e
ϵs [
(¿ ¿ bi+V R ) N a N d
N a+ N d ]
¿
¿
¿
Emax =−¿

−2(V bi +V R )
Emax =
W

Región Espacial de Carga

2 ϵs
e [ ][
(¿ ¿ bi+V R ) N a
Nd
1
Na+ Nd ]
¿
¿
¿
x n=¿

Capacitancia

' dQ '
C=
d VR

d Q' =e N d d x n=e N a d x p
 V
2(¿ ¿ bi+V R )( N a+ N d )
e ϵs Na N d
¿
¿
¿
C' =¿

ϵs
C' =
W

Unión de una Cara

1 /2

W≈
{
2 ϵ s (V bi +V R )
eNd }
1/ 2

C'≈
{e ϵs Nd
2(V bi+V R ) }
 DIODO

Concentración de portadores minoritarios

−e V bi
n p 0=nn 0 exp ( kT )
Polarización Directa

( −e(VkT−V ) )=¿ n exp( −ekTV ) exp( −ekTV )

bi a
n0
bi a

n p =nn 0 exp ¿

n p =n p 0 exp ( ekTV ) a

eV
exp (
kT )
a
pn= pn 0

Exceso de Portadores Minoritarios

δ pn ( x )= pn ( x ) −p n 0= pn 0 exp
[ ( ) ] ( )
eV a
kT
x −x
−1 exp n
Lp
(x ≥ x n )

δ n p ( x )=n p ( x )−n p 0=n p 0 exp

[ ( ekTV )−1] exp( x L+ x )(x ≤−x )
a p

n
p

Corriente en unión PN

J Total =J p ( x n )+ J n (−x p )
 J p ( x n) =
e D p pn0
Ln [ ( ) ]
exp
eVa
kT
−1

J p (−x p ) =
e D p np0
Lp [ ( ) ]
exp
eVa
kT
−1

J Total =
[ e Dp np0 e D p pn0
Lp
+
Ln
exp
eVa
kT ][ ( ) ]
−1

[ ( ) ]
J =J s exp
eVa
kT
−1

Longitudes de Difusión

L p= √ D p τ p 0

Ln = √ D n τ n 0

Transistor Bipolar
Corriente de Colector

−e D n A BE V BE
ic =
xB ( )
∙ nB 0 exp
Vt

V BE
i c =I s exp ( )
Vt

Corriente del Emisor

V BE
i E =i E 1 +i E 2 =iC +i E=I SE exp ( )
Vt

Ganancia de Base Común

iC
α≡
iE

Ganancia de Emisor Común

iC
β≡
iB
Voltaje en un transistor de
manera activa

V CC =I C RC +V CB +V BE=V R +V CE
Concentración de portadores minoritarios en la base

δ n B ( x ) =A exp ( +xL )+ Bexp (−xL )

B B

A=
−nB 0−n B 0 exp
[ ( ekTV )−1] exp (−xL )
BE

B
B

xB
2 sinh
( )
LB

B=
[ ( ) ] ( )
nB 0 exp
e V BE
kT
x
−1 exp B + nB 0
LB
xB
2 sinh
( )
LB

δ n B (x )=
{[
nB 0 exp ( ) e V BE
kT ] ( ) ( )}
x −x
−1 sinh B
LB
−sinh
x
LB
xB
2 sinh
( )
LB

Concentración de portadores minoritarios en el emisor

+x' −x '
δ p E ( x ' ) =C exp ( )LE
+ D exp
LE ( )

δ p E ( x ' )=
{[ ( ) ] ( )}
p E 0 exp
e V BE
kT
x −x '
−1 sinh E
LE
xE
sinh
( ) LE

Concentración de portadores minoritarios en el colector

( +Lx ' ' )+ H exp( −xL ' ' )

pC ( x ' ' ) =Gexp
C C

−x ' '
δ p ( x ' ' )=−p exp (
C C0
L ) C
Densidad de Corrientes

Densidad Definición
de
Corriente
J nE Debido a la difusión de electrones minoritarios en la base en x=0

J nC Debido a la difusión de electrones minoritarios en el colector en x= xB

J RB La diferencia entre JnE y JnC debido a la recombinación del exceso de electrones

minoritarios con los huecos mayoritarios en la base. Esta es el flujo de huecos
hacia la base perdidos por la recombinación.
J pE Debido a la difusión de huecos minoritarios en el emisor en x’

JR Debido a la recombinación de portadores en la unión polarizada directamente

BE
J pc0 Debido a la difusión de huecos minoritarios en el colector en x’’=0

JG Debido a la generación de portadores en la unión inversamente polarizada BC

Ganancia de Base Común

IC
α 0=
IE
J C J nC + J G + J pc 0
α 0= =
J E J nE + J R +J pE

J nE J nC J nE +J pE
α 0=( J nE + J pE )( )(
J nE J nE+ J pE+ J R )
=γ α T δ

γ es el factor de eficiencia de inyección.

αT es el factor de transporte de la base
δ es el factor de recombinación
1
γ≈ para ( x B ≪ L B ) , ( x E ≪ L E )
N B D E xB
1+
N E D B xE

1
αT ≈ 2
para (x B ≪ L B)
1 xB
1+
( )
2 LB
 1
δ=
Jr 0 −e V BE
1+
Js 0 (
exp
2 kT )
Expresiones adicionales

e x BE ni e V BE e V BE
J R=
2 τ0
exp ( )
2 kT ( )
=J r 0 exp
2 kT

eV
exp (
2 kT )
BE
J nE=J s 0

e D BnB0
s 0=¿
xB
LB tanh
( )
LB
J¿
 MOSFETS
Capacitancia por Área de Capacitor MOS

ϵ
C' =
d

' ' E
Q =C V y V =
d

Potencial para capa de inversión

ϕ fp =E Fi −E F

Na
ϕ fp =V t ln ( )
ni

Ancho de región de agotamiento

1/ 2
2 ϵ s ϕs
x d=
(
e Na )
Ancho Máximo de Región de Agotamiento
1 /2
4 ϵ s ϕ fp
x dT =
( e Na )
Máxima Densidad de Carga por Unidad de área

Q' mT +Q ' SS=|Q SD (max)|

'

|Q' SD (max)|=e N a x dT
Voltaje de Umbral

V TN =V oxT + 2 ϕ fp + ϕ ms

|Q' SD (max)|− Q' SS + ϕ t ox

V TN =
C ox Cox ms + 2 ϕ fp =(|Q' SD (max)|−Q' SS )
( )
ϵ ox
+ ϕ ms+ 2 ϕ fp
 V TN =
|Q' SD (max)|
+V +2 ϕ fp
FB
C ox

Potencial en el óxido

Q ' mT
V oxT =
Cox

Corriente de Dren

I D =g d V DS

W
gd = μ |Q' |
L n n

Voltaje de Saturación

V DS ( sat ) =V T −V GS

Corriente cuando no está en Saturación

W μn C ox
I D=
2L
[ 2 ( V GS −V T ) V DS−V DS2 ]

Corriente en Saturación
W μn C ox 2
I D=
2L [ ( V GS−V T ) ]

Transconductancia

∂ I D W μ n C OX
gm= = V DS
∂ V GS L

V
(¿ ¿GS−V T )
∂ I D W μ n C OX
gm= = ¿
∂ V GS L