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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SAN MARCOS
Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y
Telecomunicaciones
ALUMNO
VILLAGARAY VILLAGARAY, PIERO - 14190268

TEMA
REGULADOR DE VOLTAJE CON CARGA (JFET K30)

CURSO
CIRCUITOS ELECTRNICOS I

INFORME
Final

NMERO
6

PROFESOR
Ing. Alfredo Medina

GRUPO
G3

INFORME 6

CIRCUITOS ELECTRONICOS I

I.

INTRODUCCIN TERICA

JFET K30:

Se ver el uso del transistor JFET en circuitos de amplificacin, se hace el


estudio para un transistor JFET de canal n, en esta ocasin el circuito a

CIRCUITOS ELECTRONICOS I
utilizar se polariza por divisor de tensin ya que es el ms estable en
comparacin con los dems tipos de polarizacin del JFET, la ganancia en
tensin que se logra con un transistor JFET es pequea con respecto a lo
que se puede ganar en un circuito de amplificacin de un transistor BJT, lo
que si se logra con un circuito de amplificacin hecho con un JFET, es la
obtencin de corriente analgica a travs del drenador, a partir de una
pequea de seal de tensin analgica vgs, que en la figura correspondera
a fuente analgica vi.

Es necesario el uso de la grfica de transferencia para elegir un punto de


operacin Q en la polarizacin del JFET, la grfica se obtiene con la ayuda de
la hoja de datos del JFET que se est utilizando, en ella se podr elegir una
corriente de drenaje IDQ adecuada, al cual le corresponder una VGSQ,
luego se elegir una VDSQ de tal manera que el JFET quede polarizado en la
regin activa que es donde se le puede utilizar en circuitos de amplificacin.

En la grfica de entrada, la corriente de drenaje IDQ para el punto de


operacin se puede elegir entre 0 y IDSS, normalmente cercano al punto
medio para que en la amplificacin la distorsin en la salida no sea apreciable
y tampoco se afecte a la ganancia de tensin, una vez elegida la IDQ, en la
grfica se puede encontrar la VGSQ que le corresponder a ese punto de

CIRCUITOS ELECTRONICOS I
operacin. Para utilizar el JFET en amplificacin, la tensin drenaje fuente en
el punto de operacin VDSQ tiene que tiene que ser mayor a la tensin de
estrangulamiento Vp, de esta manera se asegura que el transistor est
polarizado en la regin activa que es donde se le puede utilizar en circuitos de
amplificacin.

II.

EXPERIMENTO:

REGULACIN DE VOLTAJE CON CARGA (JFET K30):


CIRCUITO REGULADOR DE VOLTAJE

CARGA (JFET K30)


1) CIRCUITO 1:

CIRCUITO EN PROTOBOARD

CIRCUITOS ELECTRONICOS I

VL=12.96 V
VGS

ID

VDD

VDS

1.34 mA

12 V

10.66 V

1.31 mA

10 V

8.70 V

1.30 mA

9.14 V

7.84 V

1.28 mA

8.09 V

6.76 V

1.24 mA

6.03 V

4.8 V

2) CIRCUITO 2:

VDS = 6.5 V
ID = 1.2 mA

VDS

Vdd
2
6.5 V 6.45 V