Universidad de Central de Venezuela

Facultad de Ciencias
Escuela de Física

SÓLIDOS
Conductores y Semiconductores

Prof. Humberto Rojas

Sólidos

Átomos
Aislados

Moléculas
simples

Sólidos
Física del estado sólido

Sólidos

Área de la física cuántica que estudia las propiedades mecánicas,

térmicas, eléctricas, magnéticas y ópticas de la materia condensada (en
estado sólido).

Estudiaremos
• Origen de las fuerzas que mantiene unidos los átomos en un
sólido.
• Niveles de energía permitidos para los electrones dentro del sólido.
• Teoría de Bandas.
• Aplicación de la teoría de bandas a sistemas prácticos.
Tipos de sólidos

Gas
b>>a

Materia condensada
b≅a
Distancia entre
moléculas o átomos es
comparable

Las fuerzas que mantienen moléculas “unidas” en el sólido son

comparables a fuerzas internas de las mismas.

Un sólido puede entenderse como una gran molécula.

Tipos de sólidos
Red Cristalina
• Arreglo regular.
~1Å • Sistema estable de núcleos
y electrones.
• Cristales exhiben un orden
de largo alcance.
• Sólidos No-cristalinos
(concreto, plásticos)
exhiben un orden de corto
alcance.

Sólo estudiaremos sólidos cristalinos.

De acuerdo al tipo de enlace los sólidos se clasifican en moleculares,

iónicos ,covalentes o metales.
Sólidos moleculares
Están formados por moléculas estables con electrones apareados
que no forman enlaces covalentes.
Las fuerzas de enlace son débiles tipo Van der Waals.

Fuerzas Van Der Waals entre dipolos

• Fuerzas dipolares fluctuantes. Se generan fuerzas
atractivas instantáneas entre los dipolos.
• Energías de ligadura son aproximadamente 10-2 eV.
𝑘𝑇~10−2 eV
1
Fuerza 𝐹= 7
𝑟
Compuestos orgánicos, gases nobles,
oxigeno, nitrógeno e hidrógeno forman sólidos
moleculares.
Son fácilmente deformables, malos conductores de electricidad y calor
(por no tener electrones libres). Bajos puntos de fusión (por ejemplo para
el hidrogeno es 14 ⁰K). Apariencia de pasta.
Sólidos iónicos
Arreglo tridimensional de iones positivos
(+) y negativos (-) alternados.
La energía del sistema es menor que
tener los iones separados.
La geometría del cristal depende de que
arreglo minimiza la energía y esto
depende principalmente de los tamaños
relativos de los iones.
Al no haber electrones libres son malos conductores de electricidad y
calor. Fuerzas electrostáticas fuertes hace que sean duros y tengas altos
puntos de fusión.
Es posible excitar vibraciones de la red mediante la absorción de
radiación en el infrarrojo lejano. La excitación electrónica ocurre en el
rango ultravioleta.
Son transparentes en el rango visible (no absorben).
Sólidos covalentes
Arreglo tridimensional con enlaces
covalentes entre átomos (o moléculas)
Enlaces son direccionales y determinan
el arreglo geométrico de los átomos en
el cristal.
Son sólidos duros y difíciles de deformar.
Poseen un alto punto de fusión.
Son malos conductores de calor y electricidad. Sin embargo, algunos
como el Si y el Ge son semiconductores.

A temperatura ambiente algunos como el

diamante (C) son transparentes pero la
mayoría absorben en el rango visible y
son opacos.
Sólidos metálicos
Caso límite de enlace covalente. Los
electrones son compartidos por todos
los iones del cristal.
Empaquetamiento compacto de iones
y los electrones circulan entre iones.
Gas de electrones
No existen suficientes electrones para
formar enlaces covalentes fuertes.
Son excelentes conductores de calor y electricidad. Los electrones
pueden absorber energía de las vibraciones de la red, radiación o
moverse producto de la aplicación de un campo eléctrico o un gradiente
térmico.
Absorben radiación en el rango visibles por lo tanto son opacos.
Todos los alcalinos forman sólidos metálicos.
Sólidos mixtos - Combinan distintos tipos de enlaces.
Defectos o imperfecciones
Defectos o imperfecciones
Los defectos o imperfecciones en la red (dislocaciones, vacancias,
contaminantes) determinan algunas de las propiedades de los sólidos.
Estas propiedades le confieren comportamientos interesantes.
Teoría de Bandas
Molécula simple
A B Dos átomos de funciones de onda Ψ𝐴
y Ψ𝐵.
Al disminuir la separación interatómica r se
rompe la degeneración de los niveles,
generándose dos niveles por cada nivel
degenerado.

A B C
3 átomos generan
3 niveles.
Ψ(𝐴)𝐸𝑠𝑝𝑎𝑐𝑖𝑎𝑙
6 átomos generan 6 niveles.
N átomos generan N niveles.
∆𝐸𝐵𝑎𝑛𝑑𝑎 Ψ𝑇𝑂𝑇𝐴𝐿 es antisimétrica para todo los
niveles de la banda.
Ψ𝑇𝑂𝑇𝐴𝐿 = Ψ𝑒𝑠𝑝𝑎𝑐𝑖𝑎𝑙 . Ψ𝑒𝑠𝑝í𝑛
Ψ(𝑆)𝐸𝑠𝑝𝑎𝑐𝑖𝑎𝑙
Teoría de Bandas
∆𝐸𝐵𝑎𝑛𝑑𝑎 es función de r [∆𝐸𝐵𝑎𝑛𝑑𝑎 (𝑟)] pero para un mismo valor de r no
depende de manera significativa del número de átomos N.

Para las distancias típicas entre núcleos en un sólido de unos pocos

Angstroms, ∆𝐸𝐵𝑎𝑛𝑑𝑎 es de unos pocos eV.

Si consideramos que un sólido contiene del orden de 1023 átomos por

mol, podemos ver que los niveles prácticamente formen una banda
continua de energía.
∆𝐸1
Niveles internos de átomos individuales
∆𝐸2
• 1s genera N niveles que
aceptan 2 electrones
cada uno.
• 2p genera 3N niveles
que aceptan 2
electrones cada uno.
Para 2p ml: -1, 0, +1
Teoría de Bandas
Para 2p se forman tres banda de N niveles que pueden o no
superponerse.
11Na: 1s22s22p63s1

Banda prohibida

Banda permitida

Ocupación de los niveles de energía

• Las bandas correspondientes a
subniveles cerrados (completos)
tiene todos los niveles llenos.
• Las bandas de niveles de valencia
pueden o no estar llenos.
Teoría de Bandas (conducción)
Que un electrón adquiera energía cinética
e- significa que subió de nivel energético
dentro la banda.

𝐸
Si no existen niveles a los cuales pueda acceder entonces no es posible
que el electrón conduzca y el material es un aislante.
Que tan llenos o vacíos estén los niveles de energía depende de la
cantidad de electrones (su valencia) y de la geometría del arreglo
cristalino que forma es sólido.

Si existen dos electrones

apareados () por cada
celda unitaria entonces el
sólido es aislante
Teoría de Bandas (conducción)
El diamante y el NaCl poseen un número de par de electrones por cada
celda unitaria, por lo cual todos sus electrones están apareados y la
banda está llena y son aislantes.

El diamante posee dos átomos por cada celda

unitaria X 4 electrones de valencia = 8 electrones
por celda unitaria.

Los alcalinos ns1 forman bandas que no están llenas por lo tanto se
comportan como conductores.

Semiconductor Si (brecha  1 eV).

Aislante diamante (brecha  7 eV )

Bandas de energía de un sólido

Electrones pueden
ser promovidos
fácilmente a niveles
superiores.

Las propiedades eléctricas de los sólidos son debidas a su estructura de

bandas.
Conducción eléctrica en metales
Descripción clásica
Sin campo eléctrico 𝐸. Dirección de movimiento
de los electrones es al azar. Los electrones
“chocan” con la red cristalina.

Los electrones “sienten” imperfecciones de la red

debido a movimiento de los núcleos alrededor de su
punto de equilibrio.

Con un campo eléctrico 𝐸

𝐹 = 𝑒𝐸 𝑒𝐸
𝑎 =
𝑚
𝐹 = 𝑚𝑎

𝐸
Conducción eléctrica en metales
Camino libre medio ()

Distancia promedio entre colisiones.


d : velocidad de desplazamiento (deriva).
𝜈 : velocidad promedio instantánea.
d << 𝜈
Para el Cu : d  10-2 cm/s ; 𝜈  108 cm/s
𝜆
Tiempo entre colisiones 𝑡=
𝜈

𝜆 𝑒𝐸 𝜆 Velocidad de
𝑒𝐸 𝜆
𝜈𝑑 = 𝑎 = 𝜈𝑑 = desplazamiento en función
𝜈 𝑚𝜈 𝑚𝜈 del campo.
Conducción eléctrica en metales

Si n es el número de electrones de
conducción por unidad de volumen y J es
la densidad de corriente
Δ𝑄
𝑞=𝑒 I=
Δ𝐴

𝐽 = 𝜈𝑑 𝑛𝑒
𝐽 𝑒𝐸𝜆 𝐼
𝜈𝑑 = = 𝐽=
𝑛𝑒 𝑚𝜈 𝐴
𝐸
Resistividad 𝜌=
𝐽

Las variables que determinan la 𝑚𝜈

resistividad 𝜈 y  no dependen del campo 𝜌= 2
𝑛𝑒 𝜆
eléctrico aplicado.
Conducción eléctrica en metales

1 𝐽 𝑛𝑒 2 𝜆
Conductividad 𝜎= = 𝜎=
𝜌 𝐸 𝑚𝜈

𝜈𝑑 𝑒𝜆
Movilidad 𝜇= 𝜇=
𝐸 𝑚𝜈

Razón entre la velocidad de desplazamiento y el campo eléctrico

aplicado.
𝑛𝑒 2 𝜆 𝜆𝑒
Sustituyendo 𝜎= = 𝑛𝑒 = 𝑛𝑒𝜇
𝑚𝜈 𝑚𝜈

𝜎
𝜇=
𝑛𝑒
Conducción eléctrica en metales
Si la conducción es debido a portadores de corriente negativos y
positivos.
𝜎 = 𝑛𝑞𝑛 𝜇𝑛 + 𝑝𝑞𝑝 𝜇𝑝

Donde: 𝜇𝑛 : movilidad de portadores negativos

𝜇𝑝 : movilidad de portadores positivos
n : número de portadores – por unidad de volumen
p : número de portadores + por unidad de volumen
Como  depende del signo de la carga, siempre es positivo. El signo
de los portadores de carga en un metal se determina por el Efecto Hall.

1
El coeficiente Hall =
𝑛𝑞
El signo del coeficiente Hall depende de los portadores de carga que
tengan más movilidad.
Conducción eléctrica en metales
Para el Zinc y el Berilio el Efecto Hall indica que el portadores de carga
neta son positivos. Configuración s2. electrones
La movilidad de los huecos de la banda
s es mucho mayor que la de los huecos
en la banda p.
Huecos

Coeficiente Hall observado y número de electrones libres por átomo calculados.

Para metales alcalinos y otros metales monovalentes las medidas

indican que cada átomo contribuye con un electrón de conducción.
Modelo cuántico de electrón libre
El potencial donde se mueven los electrones dentro del sólido puede
ser aproximado por un pozo de potencial cuadrado (o rectangular).
Gas de electrones

𝐸 3 1 ℎ3 𝒩
𝐸= = 𝑘𝑇 1 − 5 2
𝒩 2 2 2𝜋𝑚𝑘𝑇 3 2 𝑉

𝒩 = Número total de Fermiones

𝐸 𝒩
𝐸= ; 𝑛= ; 𝐸𝐺𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝐹𝑒𝑟𝑚𝑖 > 𝐸𝐶𝑙á𝑠𝑖𝑐𝑜
𝒩 𝑉
Físicamente significa mayor presión (momento promedio mayor).

𝑛ℎ3
3 2
Término de degeneración cuántica.
2𝜋𝑚𝑒 𝑘𝑇
En los metales me es muy pequeña y la densidad n es muy grande.
 Modelo cuántico de electrón libre
8𝜋𝑉 2𝑚3 1 2
𝑁 𝐸 𝑑𝐸 = 𝐸 1 2 𝑑𝐸
ℎ3
𝑁 𝐸 𝑑𝐸 : Número de estados en el intervalo de energías entre E y E + 𝑑𝐸.
Se toma en cuenta los dos posibles estados de espín (de aquí el 8)

Multiplicando por 𝑛 𝐸 (el número probable de electrones por estado

cuántico):
8𝜋𝑉 2𝑚3 1 2 𝐸 1 2 𝑑𝐸
𝑛(𝐸)𝑁 𝐸 𝑑𝐸 = ; 𝐸𝐹 = −𝛼𝑘𝑇
ℎ3 𝑒 (𝐸−𝐸𝐹 ) 𝑘𝑇 +1
Si 𝑇 = 0 No. de estados hasta EF =
No. de electrones libres (llenado
total)
Debido al principio de exclusión
de Pauli solo existe un electrón
por estado.
Modelo cuántico de electrón libre
Evaluación del ancho de la banda de energía
Usando el modelo de electrón libre par un metal unidimensional

Efecto individual de iones es suavizado.

Soluciones : Ondas sinusoidales estacionarias.
2𝜋𝑥
Ψ ∝ cos = cos 𝑘𝑥 2𝜋
𝜆 𝑘=
2𝜋𝑥 𝜆
Ψ ∝ sin = sin 𝑘𝑥
𝜆

𝑛𝜆 Condiciones de contorno (nodos) en paredes del metal

=𝐿
2 n = 1,2,3,4,5,6,……
𝑝2 ℎ2 ℎ2 𝑛2 Para electrones libres dentro del metal
𝐸= = 2
=
2𝑚 2𝑚𝜆 8𝑚𝐿2
n = n min  mínimo de energía (esencialmente cero).
n = n max  𝒩  máximo de energía

El ancho de la banda  Energía máxima

Evaluación del ancho de la banda de energía
Si existen 𝒩 iones separados una distancia a y la longitud total del
sólido es L.
𝒩

a a a a a a

𝐿
𝒩= 𝐿
𝑎
De aquí que:
ℎ2 𝒩 2 ℎ2 𝐿2 ℏ2 𝜋 2
𝐸𝑚𝑎𝑥 = 2
= 2 2
=
8𝑚𝐿 8𝑚𝐿 𝑎 2𝑚𝑎2

Este resultado depende de a pero es independiente de 𝒩, de aquí que

el ancho de la banda no depende del número total de iones.
Forma de la banda
El modelo de electrón libre da muy buenos resultados para muchos
metales. En el caso de los metales alcalinos donde se superponen las
bandas (por ejemplo el sodio Na), el modelo de electrón libre da
resultado muy acorde con lo observado.

Sin embargo, la dependencia de N(E)

como E1/2 no es correcta para bandas
aisladas.

La forma de la curva de densidad de

estados depende de la posición de la
banda y la estructura del arreglo
cristalino. No obstante se puede decir
que es aproximadamente simétrica y
que decrece a cero al final de la
banda.
Forma de la banda
Cristal unidimensional

Si ignoramos los extremos del cristal, las autofunciones para un

electrón libre se pueden plantear en términos ondas viajeras.

Ψ ∝ 𝑒 𝑖𝑘𝑥 y Ψ ∝ 𝑒 −𝑖𝑘𝑥

Si k puede ser k > 0 o k < 0

Ψ ∝ 𝑒 𝑖𝑘𝑥
𝑝 2𝜋
k = número de onda = =
ℏ 𝜆
𝑝2 ℏ2 𝑘 2
La energía como función de k queda: 𝐸= =
2𝑚 2𝑚
ℏ2 𝜋 2 𝜋
𝐸𝑚𝑎𝑥 = 2
por lo tanto 𝑘 =
2𝑚𝑎2 𝑎
Forma de la banda
𝜋 𝜋
De aquí que: - ≤𝑘≤+
𝑎 𝑎

Si ignoramos los extremos del cristal, las autofunciones para un

electrón libre se pueden plantear en términos ondas viajeras.

Ψ ∝ 𝑒 𝑖𝑘𝑥 y Ψ ∝ 𝑒 −𝑖𝑘𝑥

Si k puede ser k > 0 o k < 0

Ψ ∝ 𝑒 𝑖𝑘𝑥
𝑝 2𝜋
k = número de onda = =
ℏ 𝜆
𝑝2 ℏ2 𝑘 2
La energía como función de k queda: 𝐸= =
2𝑚 2𝑚
ℏ2 𝜋 2 𝜋
𝐸𝑚𝑎𝑥 = 2
por lo tanto 𝑘 =
2𝑚𝑎2 𝑎
Forma de la banda
𝜋 𝜋
De aquí que: - ≤𝑘≤+
𝑎 𝑎
1
𝑘 ∝ ∝n n = 1,2,3,4,5,6,……, n
𝜆
Los valores de k permitidos están distribuidos
de manera uniforme a lo largo del eje k.

Caso 2D
Un círculo de radio k para todos los
estados con la misma energía.
𝑘 2 = 𝑘𝑥2 + 𝑘𝑦2
ℏ2 𝑘𝑥2 + 𝑘𝑦2 ℏ2 𝑘 2
𝐸= =
2𝑚 2𝑚
No. de estados dN para valores de k
entre k y k + dk es igual al número de
Arreglo 2D de valores permitidos de k puntos en el área delimitada.
Movimiento de electrones en un arreglo periódico
Estudiaremos la interacción de los electrones con la red cristalina y
como esta red afecta la amplitud de las ondas viajeras sinusoidales.

Debido a la periodicidad de la red se observa también una periodicidad

en la amplitud.
Las ondas pueden experimentar efectos de dispersión (scattering) de
manera similar que la dispersión de Bragg en un cristal. Estos efectos
cambian la resistencia del cristal a la conducción eléctrica.

El cristal se puede ver como una secuencia de pozos de potencial.

Un potencial periódico de periodicidad a.
Ecuaciones de Bloch
Si la periodicidad es a. De acuerdo a Bloch las autofunciones deben
exhibir la misma periodicidad que la red en sus amplitudes.

Ψ 𝑥 = 𝐴𝑒 𝑖𝑘𝑥 Ψ 𝑥 = 𝑢𝑘 (𝑥)𝑒 𝑖𝑘𝑥

Donde: 𝑢𝑘 𝑥 = 𝑢𝑘 𝑥 + 𝑎 = 𝑢𝑘 (𝑥 + 𝑛𝑎)
El efecto de la periodicidad es modular periódicamente la amplitud.
Para una onda viajera:
Si k > 0 movimiento hacia +x.
Ψ 𝑥 = 𝑢𝑘 (𝑥)𝑒 𝑖(𝑘𝑥−𝑤𝑡)
Si k < 0 movimiento hacia –x.

Potencial real

Potencial modelo
de Kronig-Penney.

Si b se hace cero el potencial de Kronig-Penney se convierte en un único

pozo “infinito”(modelo de electrón libre).
Ecuaciones de Bloch

Se presentan las energías

permitidas tanto para un solo pozo
(modelo del electrón libre) como
para un arreglo de barreras y
pozos según el modelo de Kronig-
Penney.

Es importante notar que aun para

energías superiores a la altura del
pozo (V0) se siguen observando
bandas prohibidas o gaps.

Para un ancho de pozo l fijo, si a aumenta el ancho de las bandas se

acercan al ancho de los niveles discretos en el interior del pozo (átomos
individuales). Por el contrario si a disminuye las bandas se aproximan a
un continuo.
Bandas prohibidas
Al igual que en el caso de un pozo cuadrado (rectangular), se deben
satisfacer condiciones de continuidad para Ψ y 𝑑Ψ 𝑑𝑥 en los bordes.
Esto restringe la validez de las soluciones de Bloch.
Ψ 𝑥 = 𝑢𝑘 (𝑥)𝑒 𝑖𝑘𝑥 con 𝑢𝑘 𝑥 = 𝑢𝑘 𝑥 + 𝑎 = 𝑢𝑘 (𝑥 + 𝑛𝑎)
y hace que solo sean válidas para ciertas energías, dando origen a las
bandas prohibidas.
Para las bandas prohibidas las autofunciones son amortiguadas
rápidamente por un factor exponencial real 𝑒 −𝑥 .

La expresión para E(k) es mas complicada que aquella para un electrón

libre pero las discontinuidades o gaps ocurren a valores de k dados por:
𝜋 2𝜋 3𝜋 4𝜋
𝑘 = ± ,± ,± ,± ,………
𝑎 𝑎 𝑎 𝑎
donde a es la periodicidad de la red.
Bandas prohibidas
Cada banda corresponde a
soluciones de la ecuación
de Schroedinger.

Los gaps son debido a

reflexiones tipo Bragg de la
onda viajera.

Reflexión de Bragg
Incidente
a

Transmitida Bandas de
energía
Número de la zona de Brillouin
Reflejada
Condición de Bragg
Ondas reflejadas estarán en fase si la longitud de onda  (de la onda
incidente y reflejada) está relacionada con la separación entre centros
dispersores a de acuerdo a la condición de Bragg 2a =n .
Transmitida 2𝑎 = 𝜆, 2𝜆, 3𝜆, 4𝜆, 5𝜆, … … … …

2𝜋 2𝜋 2𝜋 2𝜋
2𝑎 = ,2 ,3 ,4 ,…
𝑘 𝑘 𝑘 𝑘
Reflejada 2a es la distancia extra que debe recorrer
la onda entre dos obstáculos (barreras)
2a sucesivas.

𝜋 2𝜋 3𝜋 4𝜋
𝑘 = ± ,± ,± ,± ,………
𝑎 𝑎 𝑎 𝑎
Que se corresponden con los valores de k para los gaps en la función
E(k).
Condición de Bragg
Existen dos maneras para que la onda reflejada tenga la misma amplitud
que la onda incidente.
Supongamos una onda con amplitud 1 moviéndose hacia la derecha con
𝑘 = 𝜋 𝑎. 𝜋𝑥
𝑖
𝑒 𝑖𝑘𝑥 = 𝑒 𝑎
La onda reflejada tendrá también amplitud 1 para este valor de k.c
𝜋𝑥
𝑒 −𝑖𝑘𝑥 = 𝑒 −𝑖 𝑎
La autofunción total se obtiene sumando o restando estas dos funciones.
𝜋𝑥 𝜋𝑥
𝜋
Suma Ψ= 𝑒𝑖 𝑎 + 𝑒 −𝑖 𝑎 ∝ cos 𝑥
𝑎
𝜋𝑥 𝜋𝑥
𝜋
Resta Ψ= 𝑒𝑖 𝑎 - 𝑒 −𝑖 𝑎 ∝ sen 𝑥
𝑎
En ambos casos la onda incidente posee la misma amplitud que la onda
reflejada dando origen a una onda estacionaria.
Condición de Bragg
Ambas soluciones difieren en la ubicación de los nodos de la onda
estacionaria y por consiguiente en la posición de los máximos y mínimos
de la densidad de probabilidad Ψ ∗ Ψ .
𝜋 , Ψ∗ Ψ posee máximos en x = 0, así como también para
Para Ψ ∝ cos 𝑥
𝑎 𝑥 = ±𝑎, ±2𝑎, ±3𝑎, … … .

𝜋 , Ψ∗ Ψ posee mínimos en x = 0, así como también para

Para Ψ ∝ sen 𝑥
𝑎 𝑥 = ±𝑎, ±2𝑎, ±3𝑎, … … .

𝜋
cos 𝑥
𝑎
Ψ∗Ψ

𝜋
sen 𝑥
𝑎
Ψ∗Ψ
Condición de Bragg
Si a, 2a, 3a, 4a, …son las posiciones de las barreras ubicadas cada
na el electrón descrito por Ψ sentirá una repulsión mayor, y por lo tanto
tendrá una mayor energía, en el caso de la función coseno que en el de
la función seno.
La existencia de dos posibles configuraciones resulta en dos valores
distintos de energía para un mismo valor de k. Esto es independiente de
donde se tome el origen del sistema de referencia para hacer la
descripción.
En la cercanía de los valores de k (para los extremos de la banda), E(k)
toma una forma de S, desviándose de la forma parabólica de la función
para un electrón libre entre estos valores críticos.

Al rango de -/a a +/a se le conoce como la primera zona de Brillouin.

de -2/a a -/a y /a a +2/a se le conoce como la segunda
zona de Brillouin.
Así para cada región permitida.
Masa efectiva (m*)
Para describir el comportamiento de un electrón bajo el efecto de un
campo eléctrico, en una red periódica, es conveniente usar el concepto
de mas efectiva (m*).

e
-

𝐸
Para una onda viajera tenemos que su velocidad de grupo g viene dada
por:
𝑑𝜈 𝑑𝜔 𝜔 = 2𝜋𝜈 1
𝑔= = 𝜅=
𝑑𝜅 𝑑𝑘 𝑘 = 2𝜋𝜅 𝜆
Para el caso de un electrón libre:
𝑝2 ℏ2 𝑘 2 ℏ2 𝑘 2
𝐸= = = ℏ𝜔 𝜔=
2𝑚 2𝑚 2𝑚
Masa efectiva (m*)

Evaluando 𝑑𝜔/𝑑𝑘 𝑑𝜔 2ℏ𝑘 ℏ𝑘 𝑝 𝑚𝜐

= = = =
𝑑𝑘 2𝑚 𝑚 𝑚 𝜐

De aquí que: 𝑔=𝜐

g es igual a la velocidad del electrón cuyo movimiento es representado
por el “grupo” de ondas viajeras.
Consideremos un electrón en un arreglo unidimensional.
Para este electrón la energía E  E(k).

Si a este sistema le aplicamos un campo externo 𝐸 .

El electrón se mueve dx en un tiempo dt.
q 𝑑𝑥
El trabajo hecho por el campo externo es la fuerza 𝑞𝐸 por dx.

𝑊 = 𝐹. 𝑑𝑥 W = cambio de energía del electrón

Masa efectiva (m*)
De aquí que : 𝑑𝑥
𝑑𝐸 = 𝑞𝐸𝑑𝑥 = 𝑞𝐸 𝑑𝑡 = 𝑞𝐸𝜐𝑑𝑡 = qE𝑔dt (1)
𝑑𝑡
Nota: En el trayecto dx el electrón se mueve como libre.
Ahora tenemos que 𝐸 = ℏ𝜔 . Por lo tanto:
𝑑𝜔
𝑑𝐸 = ℏ𝑑𝜔 = ℏ 𝑑𝑘 = ℏ𝑔dk (2)
𝑑𝑘
Igualando las ecuaciones (1) y (2) tenemos:
𝑑𝑘
qEdt = ℏdk ℏ = 𝑞E
𝑑𝑡
También sabemos que:
𝑑𝐸
𝑑𝐸 = ℏ𝑑𝜔 𝑑𝜔 =
ℏ
𝑑𝜔 1 𝑑𝐸
𝑔= =
𝑑𝑘 ℏ 𝑑𝑘
Masa efectiva (m*)
Derivando con respecto al tiempo:
𝑑𝑔 1 𝑑2 𝐸 1 𝑑2 𝐸 1 𝑑2 𝐸 𝑑𝑘
= = =
𝑑𝑡 ℏ 𝑑𝑡𝑑𝑘 ℏ 𝑑𝑘𝑑𝑡 ℏ 𝑑𝑘 2 𝑑𝑡
Como: 𝑑𝑘
ℏ = 𝑞E
𝑑𝑡
𝑑𝑔 1 𝑑2 𝐸 𝑑𝜐
= 𝑞E =
𝑑𝑡 ℏ2 𝑑𝑘 2 𝑑𝑡
𝑑𝜐
Según la segunda ley de Newton : 𝑚∗ = qE
𝑑𝑡
De aquí que: 𝑑𝜐 1
= ∗ qE
𝑑𝑡 𝑚
La cantidad 1/m* es el inverso de
1 1 𝑑2 𝐸 la masa efectiva del electrón en el
Y: ∗
= 2 2
𝑚 ℏ 𝑑𝑘 arreglo cristalino.
Masa efectiva (m*)
El electrón esta bajo la influencia de:
El campo interno  debido a los iones del cristal.
El campo externo  ejercido por E.

𝑑𝜐 1 Permite describir el efecto del arreglo cristalino como

= ∗ qE si fuese producto del campo externo E.
𝑑𝑡 𝑚
Los efectos de las fuerzas internas se incluyen en la masa efectiva m*
(en lugar de la masa del electrón me).
𝑚∗ ⟶ 𝑚∗ 𝐸(𝑘) y depende del arreglo.
Para la primera zona de Brillouin:
ℏ2 𝑘 2 𝑑𝐸 2ℏ𝑘
𝐸= ; =
2𝑚 𝑑𝑘 2𝑚
1 𝑑2 𝐸 1 2ℏ 1 1
∗
= 2
. 2≈ . 2≈
𝑚 𝑑𝑘 ℏ 2𝑚 ℏ 𝑚
Masa efectiva (m*)
En la primera zona de Brillouin la red tiene poco efecto sobre el electrón.
Si 1/𝑚∗ es cero, el campo aplicado no produce aceleración alguna sobre
los electrones.

Si 1/𝑚∗ < 0, el electrón se mueve en dirección opuesta a si 1/𝑚∗ > 0 .

Otro uso de la masa efectiva.

𝑚𝜈  = Resistividad
𝜌= 2
𝑛𝑒 𝜆
1 𝑛𝑒 2 𝜆 𝑛𝑒 2 𝜆 1
𝜎= = =
𝜌 𝑚𝜈 𝜈 𝑚∗

Se sustituye 1/m por 1/𝑚∗ para tomar en cuenta el efecto cuántico de

los electrones en la red cristalina.
Bandas de energía de un semiconductor
• Los semiconductores son aislantes con una brecha pequeña entre la
banda de valencia y la banda vacía.

•Eg = 1.1 eV en Si.

•Eg = 0.7 eV en Ge.

• Los electrones que son excitados a la banda vacía pueden formar una
corriente. Los huecos que son dejados por los electrones también
pueden conducir como cargas positivas.
Materiales semiconductores

El C, el Si y el Ge tienen 4 electrones en su ultima capa, pueden

completarla formando 4 enlaces covalentes.

Si un e- se mueve a la capa de conducción deja un hueco en la capa

de valencia y ambos se pueden ‘mover’.
Semiconductores dopados

El material semiconductor puede ser dopado con impurezas que aporten

e- extra o huecos extra. Se habla entonces de semiconductor tipo n o
tipo p.
Unión PN

Se difunden e- que rellenan huecos ⇒ se crea un campo eléctrico que

detiene esta difusión ⇒ se crea una zona o ‘región de agotamiento’ o
‘zona de carga espacial’ (z.c.e.) donde no hay electrones ni huecos en
exceso.
Unión PN