ENLACE ATOMICO

La estructura de los materiales se clasifica en cinco niveles:

• - Macroestructura (> 1000 nm)

• - Microestructura (10 – 1000 nm)
• - Nanoestructura (1 – 100 nm)
• - Arreglos atómicos de corto y largo
alcance
• - Estructura atómica

Estructura atómica y enlaces

Propiedades.

• Disposición geométrica de los átomos : Cristalinos y amorfos

• Interacciones entre átomo y molécula.

SiO2 amorfo o vidrio SiO2 cristalino o cuarzo 

Estructura atómica: Propiedades físicas: Conductividad eléctrica, propiedades magnéticas,

características térmicas y elásticas.

Interacciones entre átomos y moléculas: Enlace químico

• Un átomo es estable cuando su última capa está completa.

• Va intentar buscar una configuración en la que disponga de ocho electrones en su última capa al
igual que un gas noble n s 2 p 6 ( REGLA DEL OCTETO)
• Para lograrlo se van a unir con otros formando moléculas.
• El sistema es estable cuando la energía es mínima.
• La naturaleza del enlace está determinado siempre por las fuerzas electrostáticas.
 ENLACE ATOMICO

TIPOS DE ENLACE

Para lograr estabilidad:

Interacciones entre átomos y moléculas:

Fuerza entre los átomos que los mantiene
unidos en las moléculas.

Cuando dos o más átomos se acercan lo

suficiente, puede producirse una fuerza
de atracción entre los electrones de los
átomos individuales y el núcleo de otro u
otros átomos. de la atracción simultánea
de uno o más electrones por más de un
núcleo.

Enlaces atómicos

Existen cuatro mecanismos importantes mediante los cuales los átomos se enlazan o unen en is
materiales:

Enlaces Primarios:

• Enlace metálico.
• Enlace covalente.
• Enlace iónico.
Enlace Secundario:
• Enlace de Van der Waals.

Las propiedades de
las sustancias dependen en gran medida de la naturaleza de los enlaces que unen sus átomos
A.- Enlace Metálico: Liberar Electrones

• Los electrones se mueven libremente sin estar ligados a un núcleo; propio de uniones entre
metales.
• Para formar el enlace metálico, los átomos pierden los electrones de su última capa, que forman
la nube electrónica, donde se empaquetan los iones positivos resultantes.
• Cada átomo de metal contribuye con sus electrones de valencia para formar una “nube
electrónica” negativa. Estos electrones no están asociados con un ión particular, sino que se mueven
libremente entre los iones metálicos positivos.

Enlace metálico: los átomos ceden sus electrones Cuando se aplica voltaje a un metal, los
de valencia, los cuales forman un mar de electrones se mueven con facilidad y conducen
electrones la corriente.

La mayoría de los metales

pueden ser deformados
considerablemente sin fracturas
debido a que los átomos de
metal se pueden deslizar unos
sobre los otros sin distorsionar
completamente la estructura de
enlace metálico

Características de los materiales con enlace metálico

• A excepción del mercurio, los metales puros son sólidos a temperatura ambiente. No obstante,
sus puntos de fusión y de ebullición son muy variables, aunque generalmente altos.
• Buenos conductores (electricidad y calor). La conductividad eléctrica disminuye con la
temperatura.
• Brillo característico.
• Dúctiles y maleables (enlace metálico es no direccional)
• Presentan "efecto fotoeléctrico“ (cuando son sometidos a una radiación de determinada energía,
emiten electrones).
• Se disolver unos en otros formando disoluciones que reciben el nombre de aleaciones. Tienen
densidades altas.

B.- Enlace Covalente u homopolar: Compartir electrones.

Uniones entre no metales y propio de las moléculas gaseosas; electronegatividades

próximas.

Los materiales ligados de esta forma comparten entre dos o más de sus átomos. Por ejemplo, un átomo
de silicio, que tiene valencia 4, acepta ocho electrones en su capa externa cuando comparte sus
electrones con otros cuatro átomos vecinos, ver figura. El fuerte enlace se debe a la atracción que
efectúan los núcleos positivos sobre los electrones compartidos. El enlace covalente es típico de la
mayoría de moléculas de gas.

El silicio, con valencia 4,

se formaran cuatro
uniones o enlaces
covalentes.

Características de los compuestos unidos por enlaces covalentes:

• Poco solubles (en cualquier tipo de disolvente). Sustancias polares disuelven a sustancias a
sustancias polares y sustancias no polares disuelven a sustancias no polares.
• Duros.
• Malos conductores de la electricidad y del calor
• Los materiales formados por enlaces covalentes son frágiles y se comportan como aislantes
eléctricos.
• Muchos materiales cerámicos y polímeros están completamente o parcialmente unidos por
enlaces covalentes.

C.- Enlace Iónico: Transferir electrones.

Propio de uniones entre metales y no metales; uniones de átomos con electronegatividad y energía de
ionización muy diferente.
Ejemplo: un elemento el sodio, con un electrón en exceso, lo perderá fácilmente de un modo que tenga
llena la capa externa. Entonces tendrá más protones que electrones y se convertirá en un ión positivo
(catión) con una carga +. Por otra parte, un átomo de cloro que tiene siete electrones en su capa exterior,
aceptara un electrón. Cuando lo haga, tendrá un electrón más que protones y se convertirá en un ión
negativo ( anión). Los iones cargados opuestos se atraen entres si produciendo la unión iónica.

Enlace iónico entre dos átomos con diferentes electronegatividades.

Características de los compuestos unidos por enlaces ionicos:

• A temperatura ambiente son sólidos en forma de cristales

• Tienen puntos de fusión y de ebullición altos (solido cristalino) Y bajos puntos cuando no son
sólidos.
• Son duros (solidos) y frágiles. Frágiles. Esto es debido a que un golpe puede originar un
desplazamiento de los planos de los iones y, al dejar enfrentados iones de igual signo, daría lugar a
una fractura en el cristal por fuerzas repulsivas electrostáticas.
• Son solubles en agua (disolventes polares ) , insolubles cuando es sólido como el diamante,
grafito, sílice. Se disuelven en disolventes polares, porque los dipolos de estos disolventes rodean a
los iones de la red cristalina y los van "arrancando" de la red. 
• En estado sólido no conducen la corriente eléctrica, pero si son conductores en estado liquido.
Si lo hacen en disolución o fundidos
• Los materiales unidos iónicamente se comportan como frágiles, su conductividad eléctrica es baja
ya que la carga eléctrica puede ser transferida por el movimiento de iones enteros, los que no se
desplazan tan fácilmente como los electrones.
• Enlace fuerte (puntos de fusión altos). 
• Los cristales iónicos son duros, y se resisten bastante a ser rayados.
D.- Enlace Van der Waals: Compartir electrones.

Fuerzas de Van der Waals: Son de dos tipos:

Dipolo –Dipolo: Se presentan entre

moléculas polares producto de la atracción
entre cargas de signo opuesto.

Inducción: Pueden a aparecer de forma

coyuntural entre moléculas no polares al
formarse dipolos instantáneos producto del
movimiento continuo de los electrones .

Las uniones o enlaces de Van del Waals logan moléculas o grupos de átomos mediante atracciones
electrostáticas débiles. Muchos plásticos, cerámicos, el agua y otras moléculas están instantáneamente o
permanentemente polarizadas; esto es, algunas porciones de la molécula tienden a estar con carga
positiva, mientras otras porciones están cargadas negativamente. La atracción electrostática entre las
regiones positivas de una molécula y las regiones negativas de una segunda molécula unen débilmente s
las dos.

Enlace de Van der Waals se forma debido a la polarización de moléculas o grupos de átomos.
 En el PVC (cloruro de polivinilo) las cadenas están unidas por enlaces de van der Waals, los
átomos de cloro unidos a la cadena polimerice tienen carga negativa, y los átomos de hidrogeno
están cargados positivamente. Dentro de cada cadena la unión es covalente.

El enlace atómico, es en esencia, un proceso electrónico. Se pueden formar enlaces fuertes (primarios)
cuando los orbitales externos se trasfieren (enlace iónico) o comparten electrones entre átomos (enlace
covalente). Los enlaces secundarios, más débiles son el resultado de una atracción menos fuerte entre las
cargas positivas y negativas, sin transferencia o distribución compartida de electrones.
 COVALENTE
METÁLICO IÓNICO MOLECULAR
TIPO DE SÓLIDO MACROMOLECULAR
Na NaCl H2O
SiO2

PARTÍCULAS EN RESTOS ATÓMICOS ANIONES Y CATIONES MOLÉCULAS O ÁTOMOS

NODOS DE LA RED (NÚCLEOS+CORTEZA ÁTOMOS
ELECTRÓNICA INTERNA) INDIVIDUALES
RODEADOS (GASES
DE UNA NUBE NOBLES)
ELECTRÓNICA

FUERZAS DE UNIÓN ENLACE METÁLICO ELECTROSTÁTICAS FUERZAS DE ENLACE COVALENTE

ENTRE PARTÍCULAS (ORBITALES VAN DER
MOLECULARES WAALS Y/O
DESLOCALIZADOS) PUENTES DE
HIDRÓGENO

PROPIEDADES SÓLIDOS DE BLANDOS A SÓLIDOS DUROS SÓLIDOS SÓLIDOS MUY

DUROS  QUEBRADIZOS BLANDOS DUROS
   MALOS CONDUCTORES  MALOS  
CONDUCTORES DE LA EN SÓLIDO, CONDUCTORES MALOS
ELECTRICIDAD Y EL CALOR CONDUCTORES DE LA  PUNTOS DE CONDUCTORES, EN
  ELECTRICIDAD FUNDIDOS FUSIÓN BAJOS GENERAL
PUNTO DE FUSIÓN O EN DISOLUCIÓN EN GENERAL:  
VARIABLE, AUNQUE ALTO  PUNTOS DE FUSIÓN  UNA GRAN PUNTOS DE FUSIÓN
EN GENERAL ALTOS PARTE SON ALTOS
LÍQUIDOS O
GASES EN
CONDICIONES
NORMALES
 Propiedades físicas y estructurales de los materiales asociados con el tipo de enlace atómico.

Propiedades Enlace iónico Enlace covalente Enlace metálico Enlace de

Van der
Waals
Estructurales No direccional, Especialmente No direccional, Análogo al
determina dirigido y determina metálico
estructuras de alta numéricamente estructuras de
coordinación limitado, determina alta coordinación
estructuras de baja y alta densidad
coordinación y baja
densidad
Mecánicas Resistente, cristales Resistentes y de Resistencia Baja
de gran dureza gran dureza, poca variable, resistencia,
ductilidad presentan por lo cristales
general blandos
plasticidad
Térmicas Medianamente alto Alto punto de fusión, Punto de fusión Bajo punto de
punto de fusión, baja expansión variable, gran fusión, alto
bajo coeficiente de térmica, moléculas intervalo de coeficiente de
expansión, iones al al estado líquido temperaturas al expansión
estado líquido estado líquido
Eléctricas Aisladores Aisladores en el Conductores por Aisladores
moderados, estado sólido y transporte
conducción por líquido electrónico
transporte iónico en
el estado líquido.
Ópticas y Absorción y otras Alto índice de Buenos Propiedades
magnéticas propiedades son refracción, reflectores de la características
características de absorción radiación visible de las
los iones totalmente diferente moléculas
individuales en soluciones y/o individuales
gases

LOS METALES Y SU ESTRUCTURA CRISTALINA

 Arreglo Atómico.-
El arreglo átomo y de los
iones desempeñan un
papel importante en la
determinación de la
microestructura y de las
propiedades de un
material.

En los distintos estados de la

materia se pueden encontrar tres
clases de arreglos atómicos:
 Sin orden
 Orden de corto
alcance
 Orden de largo
alcance

El arreglo atómico difiere de un material a otro en forma y dimensión, dependiendo del tamaño de los
átomos y del tipo de enlace entre ellos.

En el caso de los metales, cuando estos están en estado sólido, sus átomos se alinean de manera regular
en forma de mallas tridimensionales. Estas mallas pueden ser identificadas fácilmente por sus
propiedades químicas, físicas o por medio de los rayos X.

Microestructura

Sólidos

Orden de largo alcance (cristal): al solidificar el material, los átomos se sitúan según un patrón
tridimensional repetitivo, en el cual cada átomo está enlazado con su vecino más próximo ( > 100 nm).

Sin orden (amorfo): carecen de un ordenamiento atómico sistemático y regular a distancias atómicas
relativamente grandes.
A.- Características de los metales cristalinos.

Estructura Cristalina:

En un material cristalino los átomos se sitúan en una disposición repetitiva o periódica a lo largo de
muchas distancias atómicas; es decir, existe un orden de largo alcance talque, al solidificar el material, los
átomos se sitúan según un patrón tridimensional repetitivo. Los átomos oscilan alrededor de puntos fijos
y están en equilibrio dinámico más que fijo estáticamente. La red alrededor de líneas imaginarias que
conecta los átomos se llama Red espacial, en tanto que la unidad más pequeña que tiene la simetría total
de cristal se llama celda unitaria, como muestra la figura.

Estructura cristalina cúbica de cara centrada:

(a) representación de la celda unidad mediante esferas rígida
(b) celda unidad representada mediante esferas reducidas

Representación de la red y de la celda unitaria del sistema cúbico centrado en el cuerpo

• Todos los metales, muchos materiales cerámicos y ciertos polímeros, poseen estructura cristalina.
• La estructura de un material se refiere al tamaño, forma y ordenamiento atómico dentro de la red
espacial.
• El vidrio común de ventana es amorfo (solido no cristalino), debido a que carece por completo de
un orden atómico.
• El análisis de una red espacial se realiza estudiando su celda unitaria, y no toda la red.

B.-Parámetros Reticulares.-

Lo parámetros reticulares describen el tamaño y la forma de la celda unitaria, y son las orillas o bordes de
la celda unitaria a, b, c y los ángulos α (entre b y c), β (entre a y c), γ ( entre a y b), ver figura.

Celda unitaria mostrando los parámetros reticulares.

C.-Sistemas Cristalinos.

En función de los parámetros de

la celda unitaria: longitudes de
sus lados y ángulos que forman,
se distinguen 7 sistemas
cristalinos que definen la forma
geométrica de la red:

Hay catorce tipos posibles de redes espaciales (celdas unitarias), y pueden clasificarse en siete sistemas
ver tabla.

En un sistema cristalino cubico solo la longitud de un lado del cubo es necesaria para describir
completamente la celda ( los ángulos son de 90º). Esta longitud medida a temperatura ambiente es el
parámetro de red ao.
Las unidades de la longitud se expresan en
nanómetros (nm) o en angstrom (A) donde:

1 nanómetro (nm) = 10-9 m = 10-7 cm = 10 A

1 angstrom (A) =0.1 nm = 10-10m = 10-8 cm
 Catorce tipos de redes espaciales

Estructura cristalina

Elemento

Hexagonal compacta Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn

Cúbica compacta Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt
Cúbica centrada en el cuerpo Ba, Cr, Fe, W, alcalinos

Cúbica-primitiva Po

Estructuras cristalinas de elementos metálicos a 25ºC y 1atm

La mayoría de los metales importantes cristalizan en los sistemas cúbicos o en los hexagonales, y solo tres
tipos de redes se encuentran comúnmente: CCCu o BCC ( cúbica centrada en el cuerpo), CCCa o FCC
( Cubica centrada en las caras) como aprecia en la figura y CS Cubico simple.
 a) Cúbico simple ( CS) b) Cúbico centrado en el c) Cúbico centrado el
cuerpo ( CCCu) o BCC las caras (CCCa) o FCC

D.-Polimorfismo y Alotropía.-

Algunos materiales pueden tener más de una estructura cristalina en el estado sólido, este es un
fenómeno conocido como polimorfismo. Si este fenómeno es reversible se denomina alotropía. El
principal ejemplo de un metal alotrópico es el hierro, quien a temperatura del ambiente es CCCu ( Fe –α),
y cuando el fierro se calienta a 910° C su estructura cristalina cambia a CCCa y se denomina Fe-γ , a 1410°
C vuelve a ser CCCu ( Fe-δ). El titanio es otro metal alotrópico y, puede existir en dos tipos d estructura
cristalina (en el estado sólido), a baja temperatura es α(Ti-α) y presenta una red HC ( hexagonal con
empaquetamiento compacto) ( ao=2,9 A y Co = 4,67 A a 20° C) y a alta temperatura es β, (Ti-β), de red
cúbica centrada en el cuerpo / ao = 3,31 A a 900° C). la temperatura de transición α↔β es igual a 882°
C,ver figura.
Cambio alotrópico que presenta el titanio.

Un material polimórfico es el carbono, que puede cristalizar en forma de diamante (cúbico de diamante)
y de grafito (hexagonal).

E.- Numero de átomos por celda unitaria.-

Es el número de átomos que se encuentran localizados en el interior de la celda unitaria. En la celda Cs, se
tiene 8 átomos (uno en cada esquina) de los cuales 1/8 están localizados en el interior de la celda unitaria
(cada uno de los átomos es compartido por ocho celdas unitarias adyacentes):

(Número de átomos / celda) = (1/8) X 8 = 1

En la CCCu, hay 1/8 de átomo en las esquinas del cubo y uno en el centro de la celda fig.

(Número de átomos / celda) = ((1/8) X 8 ) + 1 = 2

En la CCCa, hay 1/8 en las esquinas y ½ en cada una de las caras (en total 6 caras):

(Número de átomos / celda) = ((1/8) X 8 ) + ( (1/2)X 6) = 4

Celda Unitaria FCC- Red Espacial CCCa (FCC) Celda Unitaria BCC – Red Espacial CCCu (BCC)
F.- Radio atómico (ra) en función del parámetro de red (ao).-

Para determinar el ra se debe localizar en la celda unitaria a lo largo de la cual los átomos hacen contacto
continuo (ver figura). Estas son las direcciones más compactas. Determinando geométricamente la
longitud de la dirección relativa a los parámetros de la red (ao), y sumando los números de los radios
atómicos a lo largo de esta dirección, podemos encontrar la relación deseada.

En la figura a, se aprecia que existe la siguiente relación en la red CCCa: √2 ao =ra

Y en la red CCCu la relación es : √3 ao = 4ra

Cúbico Simple ( CS) Cúbico Centrado en elCuerpo Cubico Centrado en las caras

CCCu - BCC CCCa - FCC

Radio atómico en función de la Red.

G.- Numero de coordinación (NC)

Es el número de átomos que se encuentran en contacto con un átomo en particular, o el número de

átomos vecinos más cercanos y es una medida de la eficiencia del empaquetamiento. En la red

CCCu, si se toma átomo central se visualiza que está en contacto con 4 átomos en la parte superior y
otros 4 en la parte inferior, por lo tanto, es tocado por 8 átomos en total, por ello su NC es de 8.
Cualquier átomo en la celda CCCu será tocado por 8 átomos. El NC en la red CS es 6 y en CCCa es de
12.

Tabla: Características de las celda CS, CCCu, CCCa

Àtomos/ Factor de
celda Número de empaqueta-
Estructura ao=f(ra) Ejemplos
coordinación
miento

Cúbica simple (CS) 1 ao = 2ra 6 0,52 Po

2 Fe, Ti, W, Mo,

Cúbica centrada en el
ao = 4ra/√3 8 0,68 Nb, Ta, K, Na,
cuerpo (CCCu - BCC)
V, Cr, Zr

Cúbica centrada en las 4 Fe, Cu, Al, Au,

ao = 4ra/√2 12 0,74
caras (CCCa -FCC) Ag, Pb, Ni, Pt

Hexagonal compacta 2 ao = 2ra Ti, Mg, Zn, Be,

12 0,74
(HC) c/a = 1,633 a Co, Zr, Cd

H.-Factor de empaquetamiento (FE).

El factor de empaquetamiento o de acomodamiento es la fracción de espacio dentro de la celda unitaria

ocupada por los átomos, suponiendo que sean sólidas. El FE se calcula mediante la siguiente formula:

La FE en la red CCCu se determina de la siguiente manera :

(Número de átomos / celda)=2; volumen del átomo= (4/3) ∏ (ra)^3

Volumen de celda = (ao) ^3= ((4ra/√3) ^3

Reemplazado se calcular su factor de empaquetamiento: FE = ( (√3∏)/8 )=0.68

Los metales, el FE de 0.74 para la estructura CCCa corresponde al acomodamiento más eficiente posible
(mayor densidad). Las celdas CCCu tienen FE de 0.68 y las celdas CS, un FE de 0.52.
I.-Densidad Teórica ( δτ ).

Se puede calcular la densidad teórica de un metal aplicando las propiedades de la estructura cristalina, de
acuerdo a la siguiente fórmula:

Conceptos importantes:

Anión: Ion con carga negativa producido cuando un átomo, por lo general no metálico, acepta
uno o más electrones.

Catión: Ion con carga positiva producido cuando un átomo, normalmente un metal, cede sus
electrones de valencia.

Electrones de valencia: Los electrones en las capas no llenas se conocen como electrones de
valencia y causan, en gran medida el comportamiento químico de los elementos.

Valencia: Numero de los electrones en un átomo que participan en un enlace o en las reacciones
químicas. Normalmente, la valencia es el número de electrones en el nivel de energía externo.

La estructura electrónica de los átomos es relativamente estable cuando las capas externas
contienen ocho electrones o dos en el caso de la primera capa.

Electronegatividad: tendencia relativa de un átomo de aceptar un electrón y convertirse en un

anión.

Molécula polarizada: Molécula cuya estructura origina que porciones de ella tengan una carga
negativa, mientras que otras presentan carga positiva, lo que origina la atracción electrostática
intermolecular.

Amstrong : 1,0000· 10-10 m.Se llama Angstrom, y es una unidad de medida equivalente a la diez
mil millonésima parte del metro, 0.000,000,000,1 metros, cuyo símbolo es Å

 Número de Avogadro: Un átomo-gramo de cualquier elemento o una molécula-gramo de

cualquier sustancia contiene igual número de átomos o moléculas, respectivamente, siendo
precisamente ese número el factor N. El valor de N, determinado experimentalmente, es de N =
6,023 x 10 23 átomos / g * mol y es lo que se conoce como número de Avogadro:

Nota: Los materiales metálicos se caracterizan por tener enlaces metálicos, los cerámicos tienen
enlaces iónicos o covalentes o ambos, los polímeros presentan como enlace primario enlaces
covalentes y como enlace secundario los enlaces de Van der Waals.
 POSICION, DIRECCIONES Y PLANOS CRISTALOGRAFICOS

A.- POSICION CRISTALOGRAFICA

La posición de un átomo se describe

haciendo referencia a los ejes de la
celda unitaria y a las dimensiones de la
celda. En la Fig. se muestran las
coordenadas de algunos átomos en la
celda enunciando las tres distancias,
separadas por comas.

Posiciones cristalográficas

B.- DIRECCION CRISTALOGRAFICA

Ciertas direcciones en la celda

unitaria, son de particular
importancia y son aquellas que
pasan por el centro de los átomos
(direcciones cristalográficas). Los
metales se deforman, por ejemplo,
en las direcciones a lo largo de las
cuales los átomos están en contacto
más estrecho. Para denotar una
dirección cristalográfica se emplean
los índices de Miller.

Direcciones cristalográficas
 El procedimiento para obtener los índices de Miller para las direcciones es como sigue:

a) Se determinan las coordenadas de dos posiciones que están en esa dirección.

b) Se restan las coordenadas del punto “delantero” de las del punto “trasero” para obtener el
número de parámetros de red medidos en la dirección de cada eje del sistema de coordenadas.
c) Se eliminan las fracciones y/o se reducen los resultados obtenidos de las restas, a los enteros
mínimos.
d) Se enuncian los números entre corchetes | |. Si se obtiene un número negativo, se representa
con una barra sobre el número. La dirección encontrada representara direcciones paralelas, como
se precia en la fig.
Otra forma de especificar una dirección cristalográfica dentro de una celda unitaria, es
trasladando una dirección paralela y cuya base empiece en el origen.

Ciertos grupos de direcciones son equivalentes, sus índices dependen de la forma en que se
establecieron los ejes de coordenadas. Por ejemplo, una dirección |100| es una dirección | 010 |
si redefinimos el sistema coordenado. L Para determinar los índices de Miller del plano A
mostrado en le fig.
a) Seleccionamos el plano B, que es paralelo al plano A.
b) Las intersecciones con los ejes son: X=1 ; y= ∞ ; z= ∞
c) Los inversos: X=1 ; y= 1/ ∞ ; z= 1/∞ = 0
d) El plano A (y B) es el: (100)
os grupos de direcciones equivalentes se denominan familia de direcciones, empleándose
paréntesis angulares ˂ ˃ para indicar este conjunto de direcciones. Por ejemplo todas las
direcciones que pertenecen a la familia ˂110˃ son todas las diagonales de las caras del cubo, y
son las direcciones:

__ _ _
| 110 | | 110 | | 110 | |1 1 1 |
_ _ _ _
|101 | | 10 1 | | 10 1 | |1 0 1 |
__ _ _
| 011| |01 1 | |01 1 | |01 1 |
Esta familia de direcciones, también se pudo haber notado como: ˂101˃, ˂011˃,
__ _ _ __
<1 1 0˃ , <1 0 1˃ , <0 1 1 ˃ etc.,

C.- PLANOS CRISTALOGRAFICOS

De la misma forma existen planos de relativa importancia en la celda unitaria y que se pasan por
el centro de los átomos (planos cristalográficos). Para encontrar los índices de Miller de un plano
cristalográfico se debe seguir los siguientes pasos.
a) Se selecciona un plano paralelo en la celda unitaria que no pase por el origen y que corte a los
ejes.
b) Se anotan las intersecciones con los ejes coordenados.
c) Se toman los recíprocos.
d) Se encierran las cifras resultantes entre paréntesis ( ). De nuevo las cifras negativas se
representan con una raya sobre el número.
 Para determinar los índices de Miller del
plano A mostrado en le fig.
e) Seleccionamos el plano B, que es
paralelo al plano A.
f) Las intersecciones con los ejes
son: X=1 ; y= ∞ ; z= ∞
g) Los inversos: X=1 ; y= 1/ ∞
; z= 1/∞ = 0
h) El plano A (y B) es el: (100)

Además, se llaman índices de Miller, que se suelen denotar ordinariamente por (h,k,l). Este símbolo
también indica la familia de planos, mientras que [h,k,l] precisa una dirección en el cristal.

Un signo - sobre un índice indica que la intersección se ha verificado en el sentido negativo del eje.

Se usan también los símbolos:

{h,k,l} = {i,j,k} para indicar los planos de simetría equivalentes y

<h,k,l> = <i,j,k˃ para indicar las direcciones equivalentes.

La superficie (110)

cortes: a,a,∞ ; cortes fraccionarios:

1,1,∞ ; índices de Miller: (1,1,0)
 La superficie (111)

cortes: a,a,a ; cortes fraccionarios: 1,1,1

; índices de Miller: (1,1,1)

Las superficies consideradas hasta

ahora (100), (110) y (111) son las
llamadas superfícies de índice bajo de
un cristal cúbico (el termino bajo hace
referencia a que los índices son 0 o 1).
Estas superficies tienen especial
importancia, pero hay un número
infinito de otros planos que pueden
definirse usando los índices de Miller.

Las superficies (210)

cortes: a/2, a,∞; cortes fraccionarios:

1/2, 1,∞ ; índices de Miller: (210)

En cada celda unitaria, los planos de una familia representan grupos de planos equivalentes. Estos
grupos de planos similares se presentan mediante llaves, o sea { }. Los planos de la familia {100}
que corresponden a las caras del cubo, son:

(100) (010) (001)

_ _ _
(1 0 0) (0 1 0) (0 0 1 )

La familia de planos {100} se puede escribir también como: {010}, {001},

_ _ _
{1 0 0} , {0 1 0 } o {0 0 1 }.
-Los índices de Miller del plano del plano (102) indicaran que corta el eje “X” en 1, que e s
paralelo al eje “y” : y que corta al eje “z” en ½.
 -En los sistemas cúbicos, un plano y una dirección que tengan los mismos índices de Miller son
perpendiculares. ( i j k ) perpendicular |i j k|
Indices de Miller: La geometría de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de
átomos sin dejar huecos, característica que hace que sólo existan 14 tipos de redes posibles
(redes de Bravais).
Para poder identificar unívocamente un sistema de planos cristalográficos ( diferentes planos y
direcciones de un cristal) se les asigna un juego de tres números que reciben el nombre de índices
de Miller. Los índices de un sistema de planos se indican genéricamente con las letras (h k l), para
planos y direcciones.
Los índices de Miller son números enteros, que pueden ser negativos o positivos, y son primos
entre sí. El signo negativo de un índice de Miller debe ser colocado sobre dicho número
La orientación de una superficie de un cristal plano se puede definir considerando como el plano
corta a los ejes cristalográficos principales del sólido. La aplicación de un conjunto de reglas
conduce a la asignación de los índices de Miller (hkl); un conjunto de números que cuantifican los
cortes y que sólo puede usarse para identificar un plano o una superficie.

D.- DENSIDAD LINEAL (DL)

Es el número de átomos que cruzan una dirección particular por unidad de longitud. Para calcular el
número de átomos la dirección debe pasar por el centro del átomo de lo contrario no se toma en cuenta
para los cálculos. Calcular en las direcciones |010| y |101| figura.

La densidad en la dirección |010| se determina la siguiente forma.

Direcciones de celda CCCa. Cara de una celda unitaria en una
estructura CCCa

De manera similar se calcula la densidad en la dirección |110|:

DL |110| = ((( ½) x 2+1) átomos )/ √2 ao )= (2 átomos/ √2 ao ) = 1.41 átomos / ao

La densidad en la dirección |110| es mayor por lo tanto es una dirección más compacta. En realidad esta
dirección es la más compacta del sistema CCCa. ¿Cuál es la dirección más compacta del sistema CCCu?

E.- DENSIDAD PLANAR (DP)

Es un número de átomos que se encuentran contenidos en un plano por unidad de área. Para el cálculo
se toman en cuenta átomos que son cortados por sus centros.

Calcular la densidad de los planos (001) y (111) para el sistema CCCa. ¿Cuál de ellos es el más compacto?.

Para el cálculo de la densidad planar en el plano (001), primero se determina el número de átomos que
están al interior de dicho plano, ver figura., luego se divide entre el área del plano considerad:

DP (001) = ( ( ¼ X 4 +1 ) átomos ) / ao ^2 ) = 2 átomos / ao ^2

El plano (111) se aprecia en la figura. Su densidad se calcula:

 Uno de los planos más compacto en la red
CCCa ( FCC)

DP (111) = ( ( ½ x 3 )+ (1/6 x3)) átomos / (( √3/4) ( √2 ao)^2) = 2 átomos / (√3/2 ao^2

= 2.31 átomos / ao^2

Delos resultados el plano (111) presenta mayor densidad que el (001) y, es el plano de mayor densidad o
el más compacto de la celda CCCa. En realidad las redes CCCa presentan 4 planos compactos que
pertenecen a la familia de planos {111}.

¿Cuáles son los planos más compactos en el sistema CCCu?

Red cristalina CCCu (BCC) CCCa (FCC)

Direcciones <111˃ 2 por cada plano <110˃ 3 por cada plano

compactas compacto compacto

Planos {110} 6 en total ( no {111} 4 en total ( no

compactos paralelos) paralelos)
 DEFECTOS CRISTALINOS

INTRODUCCION

Los metales en realidad contienen varios defectos cristalinos, pues sus átomos no presentan un arreglo
atómico perfecto, estos defectos explican muchas de las interesantes propiedades de los metales. La
dislocación es probablemente el más importante de estos defectos cuyo concepto se introdujo en 1914,
muchos ingenieros metalurgistas se rehusaban a admitir la dislocación como algo más que un improbable
concepto teórico aun a principio aun a principio de los años 50. Sin embargo, con el desarrollo de la
técnica del microscopio electrónico de transmisión a fines de dicha década, la evidencia experimental
demostró concluyentemente que la resistencia mecánica y la ductilidad están controladas por los
defectos llamados dislocaciones.

En general, un metal puro contendrá numerosos defectos en su estructura cristalina; estos defectos son:

1.-Vacancias.
2.-Un átomo extraño colocado en forma intersticial.
3.-Un átomo extraño colocado en forma sustitucional.
4.- Átomos de metal base colocados en forma intersticial
5.- Dislocaciones.
6.-Maclas.
7.- Limites de grano
Se pueden clasificar estos defectos como defectos puntuales, lineales y planares. Los primeros cuatro son
defectos puntuales, la dislocación es el único defecto lineal y los defectos 6 y 7 son defectos planares.

Se considera brevemente el defecto 4. Un átomo de Cu intersticial en Cu puro sería un ejemplo de este

tipo de defecto. Obviamente no se esperan muchos defectos de este tipo, ya que un átomo CU intersticial
en su propia red sería un defecto relativamente grande produciendo una deformación severa en la red
circundante. Así, a 1000 ⁰C se tendría un solo átomo intersticial por cada 10 ¹⁰ gramos de Cu.

Con respecto a las dislocaciones, se ha determinado que es muy difícil producir un metal con menos de
10⁴ dislocaciones por cm2, pues estos están aparecen durante el proceso de solidificación y, van
aumentando según el proceso de transformación.

A.- DEFECTOS PUNTUALES

Estos defectos o imperfecciones pueden ser generados en el material mediante el movimiento de los
átomos al ganar energía por calentamiento; durante el procesamiento del material; mediante la
introducción de impurezas; o intencionalmente a través de las aleaciones.

a) Vacancias

Es un átomo faltante en la red cristalina, siendo su número función de la temperatura. Tomando como
ejemplo el Cu el número de átomos por unidad de volumen aproximadamente es de

5 X 10²² sitios reticulares / cm³. El número de vacancias por cm³ a 1000° C es de 5 X 10¹⁸ vacancias / cm³
y a 22° C de 2 X 10 ³ vacancias / cm³.
b) Átomos extraños intersticiales

Se forman generalmente cuando átomos de pequeños radios atómicos (H,B,C,N y O) menores a un

Amstrong, se localizan en los espacios o intersticios de la estructura cristalina de un metal.

c) Átomos extraños sustitucionales

Un átomo pequeño colocado de forma sustitucional causara contracción en la red cristalina y un átomo
grande dilatara la red cristalina.

Defectos puntuales:
• Defecto de vacancia (a)
• Defecto intersticial (b)
• Defecto sustitucional (c, d)
B.- DEFECTOS LINEALES

La dislocación es el único defecto lineal. La dislocación es probablemente el mas importante de todos los
defectos, pues la resistencia y la ductilidad de los metales están controladas por estos defectos.

a) Dislocación de borde

Una dislocación de borde se crea en un cristal por la intersección de un semiplano extra de

átomos.

Puede visualizarse como un semiplano extra de átomos. A la dislocación se le llama defecto lineal
debido a que la localización de los puntos defectuosos producidos en la retícula (red cristalina)
por la dislocación se ubicada a lo largo de una línea. Esta línea corre a lo largo de la parte baja
del medio plano extra ver figura.

Línea de dislocación.-

Line saque va a lo largo de aquel borde del plano extra de átomos que termina dentro del cristal.

Vector de deslizamiento

Al vector de deslizamiento se le llama generalmente vector de Burgers “b”. El vector de Burgers

es perpendicular a la línea de dislocación, como muestra la figura. Vector de BURGERS b.-
Expresa la magnitud y dirección de la distorsión reticular asociada a una dislocación. Es el vector
necesario para cerrar una trayectoria alrededor de la línea de dislocación y volver al punto inicial.
Dislocación de Borde se visualiza la línea de dislocación y el plano de deslizamiento

Dislocación de borde con planos normales.

Cambios en las posiciones atómicas que acompañan al movimiento de una dislocación de borde
(cuña) a medida que ésta se mueve en respuesta a una tensión de cizalle aplicada.
Plano de deslizamiento

El plano definido por la línea de dislocación y el vector de deslizamiento.

Símbolo

Cuando el plano extra de átomos esta sobre el plano deslizamiento: “ “

El movimiento de la dislocación Figura hace que los átomos de un lado del plano de deslizamiento
se desplacen un vector de Burgers “b” con relación a los átomos del lado opuesto del plano de
deslizamiento. En la Figura se puede apreciar que conforme que conforme la dislocación se
mueve, lo hace por el rompimiento de enlace y no de todos los enlaces a la vez. Hay un
desplazamiento, hacia nuevos sitios reticulares de equilibrio, de los átomos que se encuentran
encima del plano de deslizamiento con respecto a los de abajo..

Supongamos que se tiene un cristal que no contiene dislocaciones, como se muestra en la figura,
y se somete a un esfuerzo de deformación, este esfuerzo originaria una dislocación la que se ira
movimiento, hasta que emerja a la superficie, originando un desplazamiento “b”, que seria la
deformación plástica.
 Representación de la analogía entre el movimiento de una oruga y el de una dislocación.

Si se aplican esfuerzos de corte, los átomos rompen sus enlaces en el defecto y la dislocación se
mueve (deslizamiento), en la dirección de deslizamiento, en el plano de deslizamiento.

b) Dislocación de tornillo

Una dislocación de tornillo se puede formar en un cristal perfecto aplicando tensiones de

cizalladura en las regiones del cristal perfecto que han sido separadas por un plano cortante.

Estas tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una región de distorsión en

forma de una rampa en espiral de átomos distorsionados.

La dislocación de tornillo se muestra en la figura, es más difícil de visualizar geometricamente

que al dislocación de borde. Este tipo de dislocación:

– Vector de Burgers es paralelo a la línea de dislocación.

-El movimiento por deslizamiento hace que la línea de dislocación se mueva en ángulos rectos con
a la dirección de deslizamiento.

-No hay forma de visualizar esta dislocación como un plano extra de átomos.

-El paso de línea de dislocación causa un movimiento de átomos a través del plano de
deslizamiento por un vector “b” de uno con relación a otro.

En la figura se ilustra la deformación

Deslizamiento de una dislocación de tornillo (afecta a la mitad de la parte inferior y mitad

de la parte superior, permaneciendo el resto igual

Formación de una dislocación de tornillo

 Dislocación mixta

La línea de dislocación puede presentar partes

de carácter de borde y otras de carácter de
tornillo. El desorden atómico varia a lo largo
de la curva AB

Dislocación de Tornillo Dislocación Mixta.

Importancia de las dislocaciones

 Es un mecanismo que explica la deformación plástica de los metales, ya que el esfuerzo aplicado
causa el movimiento de las dislocaciones.
 La presencia de dislocaciones explica porque la resistencia de los metales es mucho mas baja que
el valor calculado a partir de la unión metálica (rompimiento de enlaces) [10 3 – 104 más baja que
la resistencia teórica]

 El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales, de lo contrario éstos serian frágiles y no

podrían ser conformados (materiales cerámicos, polímeros, materiales iónicos)

 Se controlan las propiedades mecánicas de un metal o aleación interfiriendo el movimiento de

las dislocaciones (un obstáculo introducido en el cristal evita que una dislocación se deslice, a
menos que se apliquen esfuerzos mayores, por lo tanto aumenta la resistencia).

 Importancia de los defectos puntuales

 Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los átomos circundantes, distorsionando la
red a lo largo de cientos de espaciamientos atómicos, a partir del defecto.

 Una dislocación que se mueva a través de las cercanías de un defecto puntual encuentra una red
en la cual los átomos no están en sus posiciones de equilibrio.

 Esta alteración requiere que se aplique un esfuerzo mayor para que la dislocación venza al
defecto, incrementando así la resistencia y dureza del material

Si la dislocación en el punto A se mueve hacia la izquierda, será bloqueada por el defecto puntual.
Si se mueve hacia la derecha, interactúa con la red perturbada cerca de la dislocación, en el punto
B. Si se mueve aún más hacia la derecha, quedará bloqueada por el borde de grano.

Defectos de superficie

Son límites o planos que separan un material en regiones, cada región tiene la misma estructura
cristalina, pero distinta orientación
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en donde termina el cristal. Cada
átomo en la superficie ya no tiene el número adecuado de coordinación y se interrumpe el
enlazamiento atómico

El límite de grano, que es la superficie que separa los granos individuales, es una zona angosta
donde los átomos no tienen la distancia correcta entre sí; existen zonas de compresión y otras de
tracción.

a) Esquema que muestra el ordenamiento de los átomos en la formación del borde de grano. (b)
Granos y límites de grano en una muestra de acero inoxidable.

Metal policristalino
• Un método para controlar las propiedades de un material es controlar el tamaño del grano, ya sea
durante la solidificación o durante el tratamiento térmico.

• En los metales, los límites de grano se originan durante la solidificación cuando los cristales
formados a partir de diferentes núcleos crecen simultáneamente juntándose unos con otros

• Al reducir el tamaño de grano, se aumenta la resistencia del material, ya que no permiten el

deslizamiento de las dislocaciones

Un material con un tamaño de grano grande tiene menor resistencia y menor dureza.

Importancia de los defectos

En los materiales metálicos, los defectos como las dislocaciones, defectos puntuales y límites de
grano sirven como obstáculo a las dislocaciones.

Es posible controlar la resistencia de un material metálico controlando la cantidad y el tipo de

imperfección

 Endurecimiento por deformación

 Endurecimiento por solución sólida

 Endurecimiento por tamaño de grano

C.- DEFORMACION PLASTICA EN LOS METALES

a).- Introducción

Se tiene una barra metálica de sección circular y es sometida a dos cargas opuestas en dirección
longitudinal, el metal según sea el valor de la carga

sufrirá deformación (alargamiento) elástica o plástica. La deformación elástica es aquella que no

es permanente una vez retirada la carga o esfuerzo que la produjo, es decir mientras actúa la
carga ( tracción) el metal se larga, aumentando su longitud, una vez cesado el esfuerzo que la
produjo tal deformación del metal recobrara sus dimensiones originales (se comportara como
elástico). Esto se puede apreciaren la fig. en donde para valores de esfuerzo iguales o menores
que el esfuerzo elástico, el metal sufrirá deformación elástica.

Cuando un metal es deformado elásticamente sus átomos se desplazan de sus posiciones de

equilibrio y una vez retirado el esfuerzo, la fuerza de enlace entre sus átomos hará que regresen a
sus posiciones de equilibrio. Si el metal es sometido a un esfuerzo plásticamente, es decir, un
esfuerzo mayor al esfuerzo de limite elástico, quedara “alargado”. En este caso sus átomos se
moverán desde su posición original de equilibrio hacia nuevas posiciones de equilibrio finales
permanentes.

Este desplazamiento de átomos del metal que sucede durante la deformación plástica ocurre
principalmente por un mecanismo que se denomina “ deslizamiento”.

b).- Sistemas de Deslizamiento.-

El mecanismo de deslizamiento es el movimiento paralelo de dos regiones cristalinas adyacentes,

una con respecto a la otra, a través de algún plano denominado de deslizamiento ( o planos). Se
ha determinado experimentalmente los planos y direcciones a través del cual ocurre el
deslizamiento (deformación plástica), y por lo general son los planos y direcciones más
compactas.

El deslizamiento en los sistemas CCCa se produce sobre los planos {111}, que son los más
compactos y en las direcciones <110˃ que a su vez son las más compactas, haciendo un total de
doce (12) sistemas de deslizamiento. La familia {111} presenta 4 planos que no son paralelos y,
cada plano contiene tres direcciones compactas, lo que hace que existan 12 sistemas. En la figura
se muestran tres sistemas de deslizamiento: (111) |101|; (111)|011| y (111)|110|.
En los sistemas CCCu los planos y las direcciones más compactas pertenecen a la familia {110}
<111˃, en total 6 planos compactos que no son paralelos y cada plano contiene 2 direcciones
compactas o direcciones a través del cual se producirá el deslizamiento, haciendo un total de 12
sistemas de deslizamiento.

En la figura se muestran dos sistemas e deslizamiento: (1 1 0) |111| y (1 1 0)|111|.

El aluminio y sus aleaciones son típicamente dúctiles debido al alto número de sistemas de
deslizamiento (12). El magnesio y sus aleaciones son típicamente frágiles ( se fracturan con poca
deformación plástica) debido a que presentan menor número de sistemas de deslizamiento (3).
Principales sistemas de deslizamiento.

Nota:
 Sistema de deslizamiento

Es la combinación de un plano compacto y una dirección compacta, que se encuentra sobre el

plano, a través del cual se produce el deslizamiento. El deslizamiento es causado por un esfuerzo
de corte que es producido en el sistema de deslizamiento debido a una fuerza externa
(normalmente de tracción o compresión).

- Las direcciones de deslizamiento siempre son en la dirección de empaquetamiento más

compacto.

- Generalmente el deslizamiento ocurre sobre la mayoría de los planos compactos.

c) Esfuerzo Cortante Resuelto ( ζr)

El cristal CCCa es sometido a un esfuerzo de tensión , el deslizamiento ocurrirá en los planos

{111}. El esfuerzo que origina el deslizamiento ( la deformación plástica) es un esfuerzo cortante
a lo largo de una de las direcciones de deslizamiento y no un esfuerzo de tracción o compresión
en una dirección compacta.

Por lo tanto se debe calcular el esfuerzo cortante (ζr) que origina el esfuerzo de tensión externo
σ ( F/Ao) en un sistema de deslizamiento de la familia {111} con sus tres direcciones más
compactas. La dirección |101| hace un ángulo λ con la dirección del esfuerzo (σ) y el plano
compacto tiene un área A cuya normal hace un ángulo ф con la dirección del esfuerzo.
a) Monocristal puesto en tensión

b) Geometría para determinar el esfuerzo cortante resuelto.

La fuerza F descompuesta en la dirección |Î 01| es F |Î 01| = F cos λ y la relación que existe entre
el área Ao del monocristal y el área A del plano de deslizamiento es : Ao = A cos (ф)

Por tanto el esfuerzo cortante resuelto ζr que produce F en el sistema de deslizamiento formado
por el plano (111) y la dirección | Î 01| es:

Donde al producto cos (ф) cos (λ) se le conoce como factor de Schmid (FS).

El esfuerzo cortante resuelto es el esfuerzo (ζr) es el esfuerzo de tracción aplicado (σ=F/A) o de

compresión multiplicado por su Factor de Schmid (FS).

Anteriormente se mencionó, que en un metal, para valores menores o iguales al límite elástico
(σE) el metal sufrirá solo deformación elástica y para valores mayores el metal se deformara
plásticamente. Por lo tanto, existe un valor de esfuerzo cortante resuelto ( ζr) a partir del cual
ocurrirá deslizamiento en un determinado sistema de deslizamiento, a ese esfuerzo necesario
para originar al deslizamiento se le denomina esfuerzo cortante critico resuelto ( ECCR) . Es decir,
que cuando un esfuerzo externo σ produzca un ζr cuya magnitud sea igual o mayor al ECCR el
metal sufrirá deformación plástica por deslizamiento.
 Valores de ECCCR, determinado experimentalmente, para varios metales.

-El deslizamiento se produce primero sobre el sistema de deslizamiento que presenta el mayor
esfuerzo de corte a lo largo de su dirección de deslizamiento ( mayor ζr), es decir sobre aquel
sistema que tenga el más alto factor Schmid ( FS).

- El máximo FS es ½ y ocurre para ángulos ф y λ de 45°; es decir para: cos (45°) x cos (45°).

- Si la dirección del esfuerzo σo es perpendicular o paralelo a la dirección de deslizamiento, el

esfuerzo aplicado no producirá deslizamiento en esa dirección.

-De manera similar, si la dirección del esfuerzo σo es perpendicular o paralelo al plano de

deslizamiento, el esfuerzo σo aplicado no producirá deslizamiento en ese plano de deslizamiento,

pues en ambos casos no originara esfuerzos de corte.

d) Esfuerzo Cortante Teórico de los metales ( ζm)

Cuando un metal real ( con defectos ) es deformado plásticamente, el deslizamiento se produce
con “relativa facilidad” por el movimiento de dislocaciones, como muestra le Fig. hay que tener
en cuenta que conforme progrese la deformación se irán produciendo nuevas dislocaciones.

El esfuerzo cortante es aquel necesario para producir deslizamiento en un metal sin defectos
(ideal) considerando que al aplicar un esfuerzo externo no provocara dislocaciones. Por lo tanto
para generar deslizamiento se tendrá que romper simultáneamente los enlaces entre sus átomos
y no uno a uno como sucede cuando un metal presenta dislocaciones ( caso real).

Deslizamiento producido por el movimiento de una dislocación de borde.

En la fig. se muestra como se produce la deformación plástica por la parición y movimiento de las
dislocaciones. En este caso en la figura (i) no se aprecia dislocaciones, esta se genera como
consecuencia de aplicarle un esfuerzo de corte, figura (ii), y es lo que ocurrirá en el caso real. La
dislocación comienza a moverse, como se aprecia en las figuras del (iii) al (vi). El movimiento de la
dislocación se realiza conforme se va rompiendo enlace por enlace, y no todos simultáneamente
como ocurrirá si el metal fuese ideal; es decir, sin defectos y que el esfuerzo σ aplicado no
producirá dislocaciones.
Es posible determinar aproximadamente el esfuerzo cortante teórico de un metal conociendo su
módulo de corte (G) empleando un modelo muy simplificado. Cuando un átomo se encuentra en
su sitio de equilibrio, está en una posición de energía mínima. Si el átomo se desplaza fuera de su
sitio de equilibrio, se incrementa su energía; por tanto, la variación de energía potencial de un
átomo en una red se puede representar como se muestra en la figura a. La fuerza necesaria para
mover los átomos es la derivada de la curva de la energía, F = dE / dx, obteniéndose la curva de la
fuerza. Si se aplica un esfuerzo cortante a los cuatro átomos de la figura b, la variación del
esfuerzo cortante requerido para desplazar los átomos superiores con respecto a los inferiores
debe seguir una curva similar a la curva de fuerza.

Fuerza para el desplazamiento relativo de átomos en un cristal.

Suponiendo que la variación es tal como se muestra en la figura b inferior, cuando el esfuerzo
cortante alcanza un valor igual o mayor que ζm los átomos que se encuentran encima del plano
de deslizamiento podrán moverse a sus nuevos sitios de equilibrio. Frenkel en 1926 supuso que el
esfuerzo cortante es una función senoidal de la siguiente forma:

Si ζ = ζm sen ( (2∏ X) / b) ………….(1)

Para valores de desplazamientos suficientemente pequeños, sen ((2 ∏ X) / b) = (2∏ X) / b

De acuerdo a la figura b., la deformación cortante es λ = x/a. A valores suficientemente pequeños

de desplazamiento es válida la ley de Hooke:
 Si ζ = G λ = G ( X / a) ……………….(2)

de (1) y (2), se tiene:

si ζm = (G/ (2∏))( b/a)…………….(3)

Entonces para producir deslizamiento en un determinado sistema de deslizamiento, en un metal

BCC o FCC (a=b) que no contiene defectos (ideal), considerando que al aplicar un esfuerzo
externo no provocara dislocaciones:

Si ζr ˃= ζm

σo cos фcos λ˃= ( G / 2∏)

La tabla muestra algunos valores calculados a partir de la ecuación (3) asumiendo que a=b ( red
cubica), y el módulo de corte (G) determinado en la dirección más compacta. El ECCR es un valor
que se puede determinar por métodos prácticos, y es evidente que estos valores medidos son
más bajos que los valores teóricos. La pregunta de por qué los metales (reales) presentan
resistencias mucho más bajas que sus resistencias teóricas ha sido resuelta con la predicción y
observación de las dislocaciones. Sin embargo, el problema de cómo se podría diseñar un metal
para alcanzar su resistencia teórica por el control de las dislocaciones sigue siendo un reto y un
desafío para los metalúrgicos.

Comparación de ζm y ECCR

Módulo de Corte ECCR ( ζm )

Metal ( GPa) (MPa) (MPa)

Ag 24 408 0,37 3 884

Al 25 028 0,79 3 983

Cu 40 749 0,49 6 485

Fe - α 69 000 27,6 10 981

Mg 16 479 0,39 2 622

e) Resistencia y deslizamiento

Los metales en casi todas las aplicaciones se utilizan en forma policristalina ( están conformados
por gran cantidad de granos), a nivel industrial los metales monocristalinos ( metal compuesto por
un solo grano) son muy raramente empleados, pues no son tan fáciles de fabricar, siendo su costo
 relativamente alto. El tamaño de grano es los metales policristalinos varia de 0,025 a 0, 150 mm.
Un metal policristalino estará, conformado por muchos granos (cristales) los cuales presentaran
diferentes orientaciones cristalinas, como se aprecia en la figura. Cada grano presentara el arreglo
atómico correspondiente al metal CCCu ( hierro , molibdeno, etc.), CCCa ( aluminio, cobre, etc.) y,
contendrá números de los defectos mencionados anteriormente como: vacancias, átomos
extraños en su red, dislocaciones de borde o de tornillo, etc.

Cuando tal metal policristalino sufre

deformacion plástica ( permanente) el
camino a lo largo del cual se produce el
deslizamiento a través del metal es
extremadamente complejo en comparación
con la deformación de un monocristal. En
ausencia de deslizamiento en los límites de
grano, el cual generalmente solo se produce
a altas temperaturas, los granos
permanecen unidos a través de sus límites
de grano. Esto significa que un grano
individual se debe deformar para absorber la
deformación de cada uno de los vecinos.
Existen 12 sistemas de deslizamiento en
cristales CCCa de la forma {111}<110˃ y 12
en las de CCCu {110} <111˃ y tres sistemas
de deslizamiento de la forma {0001}<1120˃
en cristales HC.

Metal policristalino

Los experimentos han demostrado que, aun a deformaciones muy bajas, cada grano se deforma
claramente en varios sistemas de deslizamiento. El deslizamiento probablemente se inicia sobre
aquel sistema de deslizamiento de un grano dado que tiene el mas alto factor de Schmid (FS),
pero luego es requerido en otros sistemas de deslizamiento dentro de ese grano con objeto de
acomodar la deformación en granos vecinos.

Existen filamentos muy finos denominados “Whiskers”, que son monocristales casi perfectos,
estos presentan valores de resistencia parecidas a las teóricas. Se cree que las dislocaciones, en
esos monocristales, están orientadas, con relación al esfuerzo aplicado, de tal forma que no
producen deslizamiento.

f) Endurecimiento por deformación.-

Conforme se aplica un esfuerzo por encima del límite elástico, se dará el deslizamiento, lo que
producirá mayor número de dislocaciones y su movimiento. Al presentarse más y más
deslizamientos, las dislocaciones interactúan, se amontonan y se forma un nudo de dislocaciones.
Esto hace que cada vez sea más difícil el deslizamiento, en donde para producir mayor
deformación, se necesita mayor esfuerzo.

Hay que recordar que el deslizamiento requiere de movimiento de planos átomos y de

movimiento de dislocaciones. Como se producen cada vez mayor número de dislocaciones, estas
se estorbaran mutuamente formando nudos de dislocaciones. El efecto neto es que se hace más
difícil cualquier deslizamiento adicional.

Si se analiza la curva σ- ɛ, se aprecia que para producir mayor deformación es necesario

incrementar el esfuerzo hasta alcanzar el máximo, donde el esfuerzo caeal continuar la
deformación. La caída de carga, se debe a que en ese punto se inicia la estricción o formación del
cuello, significando que el área transversal va disminuyendo y es por eso que se origina un
descenso en los valores de carga. Realmente Lo que ocurre es que para producir mayor
deformación siempre se necesita un mayor esfuerzo y esto se conoce como : endurecimiento por
deformación.

Existe una dependencia entre la densidad de las dislocaciones y la resistencia mecánica, como se
visualiza en la figura. Anteriormente se mencionó que es muy difícil producir un metal con menos
de 10¹⁴ dislocaciones por cm2. Cuando un metal real es deformado plásticamente, la deformación
producirá nuevas dislocaciones, aumentando la densidad de dislocaciones, y con ello su
resistencia mecánica y su dureza. Esto se explica debido a que aparecen dislocaciones en
diferentes direcciones, estas estorbaran entre si al trasladarse, trabándose, siendo necesario
aumentar el esfuerzo para destrabarlas, por ello la resistencia del metal aumenta. En un metal
toda deformación plástica ( deformación en frio) producirá un endurecimiento por deformación,
es decir que aumentara su dureza y su resistencia mecánica, como se muestra.
Variación de la resistencia mecánica con el número de
dislocaciones.

Efecto de la deformación en frio sobre las propiedades mecánicas en los metales.

 DIFUSION Y SOLIDIFICACION EN LOS METALES

Es una forma de transporte de masa. Migración de átomos a través de la red cristalina. Mecanismo por el
cual la materia se transporta a través de la materia. El movimiento de los átomos es necesario para
muchos de los tratamientos llevados a cabo sobre los materiales. La difusión se da en gases, líquidos y
sólidos.

• Tratamiento térmico de metales

• Manufactura de cerámicos
• Solidificación de los metales
• Fabricación de celdas solares, etc.

A temperatura suficiente, los átomos y

moléculas pueden tener bastante movilidad
tanto en líquidos como en sólidos. Si s observa
caer una gota de tinta en un vaso de agua e ir
extendiéndose hasta que toda el agua se haya
coloreado por igual, es una demostración
sencilla de la difusión.

Este movimiento a escala atómica es bastante rápido en líquidos y relativamente fácil de visualizar. Es
más difícil visualizar la difusión en los sólidos rígidos. No obstante, también se produce la difusión es el
estado sólido. Una diferencia básica entre la difusión en estado líquido y la difusión en estado sólido es la
baja velocidad de difusión en los sólidos.
 La difusión es el movimiento de átomos de la figura,
generalmente extraños, a través de un material,
siendo una forma de transporte de masa. Losa
tomos se mueven de manera ordenada, tendiendo a
eliminar las diferencias de concentración y producir
una composición homogénea en el material. En los
materiales en estado sólido el elemento que se
difunde generalmente lo hace desde la superficie
hacia el interior.

Difusión de átomos de cobre y níquel.-Si se une una

lámina de níquel con una de cobre, los átomos de
níquel se difundirán gradualmente dentro del cobre
y los de cobre emigraran al níquel. Nuevamente, si
se espera lo suficiente, los átomos de níquel y de
cobre se distribuirán uniformente en todo el metal y

En el caso de difusión a través de un metal en estado sólido, para que el proceso se realice una velocidad
relativamente alta la temperatura debe ser adecuada, pues a temperatura ambiente la velocidad de
difusión es muy baja.

1.- Mecanismos de difusión.-

a) Difusión por vacancias.- Implica la
sustitución de átomos, un átomo deja su lugar
en la red cristalina para ocupar una vacancia
creando un nuevo sitio vacío en su posición
normal en la red). Conforme continúa la
difusión, se presenta un reflujo de átomos y
vacancias. En las figuras (A) y (B).

b) Difusión intersticial.- En la difusión

intersticial, un átomo se mueve de un
intersticio a otro, como se muestra en la figura
(B). los átomos extraños que se difunden de
manera intersticial tiene radios atómicos
menores que 1 Amstrong ( carbono, nitrógeno,
boro, hidrogeno y oxigeno). Este no requiere
de vacantes para llevarse a cabo. En ocasiones
un átomo sustitucional deja su lugar en la red
normal y s e traslada a un intersticio muy
reducido. Este mecanismo de difusión
intersticial desajustada figura (C) es poco
común, debido a que el átomo no se ajusta o
acomoda fácilmente en el intersticio que es
más pequeño.

Mecanismos de difusión en los materiales

c) Difusión cíclica.- Los átomos se mueven también mediante un mecanismo de intercambio simple
o por un mecanismo cíclico (desplazamiento circular) figura (D). No obstante, las vacantes y los
mecanismos intersticiales originan la difusión en la mayoría de los casos.

d) Autodifusión.- En los materiales puros, los

átomos se mueven o saltan de una posición a otra
en la red (se detecta mediante trazadores
radioactivos). La autodifusión ocurre de manera
continua en todos los materiales. No se aprecia su
efecto sobre el comportamiento del material
Difusión intersticial.-
La energía de activación y el mecanismo de difusión:

La energía de activación es usualmente menor en átomos que difunden a través de estructuras cristalinas
abiertas, en comparación con átomos que difunden en estructuras cristalinas compactas.
La energía de activación es menor para la difusión de átomos en los materiales que tienen bajas
temperaturas de fusión
La energía de activación es menor para átomos sustitucionales pequeños comparados con átomos de
mayor tamaño.
2.- Primera Ley de Fick.- La primera ley de Fick indica que el flujo de átomos (la difusión de los átomos) a
través de un sólido, es proporcional al gradiente de concentración volumétrico.

La velocidad a la cual los átomos se difunden en un

material se mide por la densidad de flujo (J), la cual
se define como el número de átomos que pasa a
través de un plano de área unitaria por unidad de
tiempo.

Donde J es el flujo de átomos o la velocidad a la cual cruzan los átomos una área unitaria, es decir, átomos
por segundo/cm2, o segundo /m2.

Donde

J = Flujo de átomos de carbono, nitrógeno, boro, etc. (átomos / (cm2 s)

D = Es el coeficiente de difusión o difusividad ( cm2 /s).
C = Es la concentración ( % en peso de C o átomos de C, etc).
dC = gradiente de concentración volumetrico ( %C / cm3 , átomos /cm3 , etc. )
x = es la distancia desde la superficie hacia el interior. Distancia que recorren los atomos que se difunden
desde la superficie del metal solido ( m, cm ó mm)
De la primera ley de Finck se concluye que mientras exista un gradiente de concentración (dC) en un
metal se producirá un flujo de átomos (difusión). La velocidad del proceso de difusión aumentara cuando
lo haga el coeficiente de difusión (D) o el gradiente de concentración. El flujo será alto cuando el
gradiente de concentración es alto, y decrecerá gradualmente conforme se reduce el gradiente.

La difusión por la superficie de un metal se producirá a mayor velocidad que la que ocurre a través del
límite de grano, debido a que la superficie es menos compacta. A su vez la velocidad de difusión través de
los límites de grano es mayor que la que produce al interior del grano.

Por lo tanto:

D volumen< D límite de grano < D superficie

3.-Segunda Ley de Fick.- En un acero a mayor contenido en carbono mayor dureza. Por ejemplo un
elemento de máquina de acero de bajo contenido de carbono, presentara baja dureza (será blando),
como lo es un acero AISI 1020 (0,2 % C). Si se desea que tenga una superficie resistente al desgaste, para
aumentar su dureza se deberá incrementar el contenido de carbono en su superficie, hasta una
determinada profundidad (x) mediante un proceso de difusión. A este proceso s ele llama carbonización o
cementación y, se llamara nitruración cuando el elemento que se difunde es el nitrógeno con el que s e
obtienen resultados parecidos.

El proceso de cementación consiste en colocar la pieza en un horno que posee una atmosfera rica en
carbono, por un determinado periodo de tiempo, a una determinada temperatura para que el proceso se
realice con una determinada rapidez.

Representacion de la difusion del carbono en un solido semiinfinito.

En un proceso de difusión de este tipo, del carbono en el acero, es necesario saber la cantidad de carbono
C (x,t) que se ha difundido a una determinada profundidad “z”, a partir de la superficie de la pieza,
durante el tiempo “t” en que se encontraba el elemento de maquina en el horno. Para ello se emplea la
solución de la segunda ley de Fick.

En los procesos donde se cumple que:

Donde:
CS : concentración superficial del elemento del gas que difunde en la superficie, contenido de carbono
en % en peso de superficie del acero, valor constante el en proceso difusión cambia si cambia la
temperatura..
Co : concentración inicial uniforme del elemento en el sólido, contenido e carbono de acero.
Cx : concentración del elemento a la distancia x de la superficie en el tiempo t
x : distancia desde la superficie contenido carbono distancia x de la superficie en un tiempo t.
( incognita)
 D : coeficiente de difusión
t : tiempo
El contenido de carbono en la superficie del acero sea constante.
El coeficiente de difusión para una temperatura dada no varíe con la concentración.
El contenido de carbono de la placa antes del proceso sea homogénea .

La función Ferr es conocida como “función error” y s e tabula en la tabla 6.1, puede apreciarse que es
algo similar como calcular una función seno o coseno con ayuda de tablas.
Los gráficos muestran gradientes de C en barras de
acero 1022 carburizados a 918 ºC en un gas con 20%
de CO.
El coeficiente de difusión depende de la temperatura, para un mismo proceso, si cambia la temperatura
el coeficiente también cambiara de acuerdo con la siguiente formula ( se determinó empíricamente):

Dónde:
R : constante del gas ideal (1.987 cal/mol • K)
T : temperatura absoluta (K).
Do :constante para un sistema de difusión dado.
D : Coeficiente de difusión depende de: Tipo de mecanismo de difusión; intersticial (C en Fe) o
sustitucional (Cu el Al), temperatura, Estructura cristalina del disolvente; C en Fe BCC o FCC (factor de
empaquetamiento 0,68 o 0,74), tipo de defectos cristalinos (bordes de grano, vacancias), concentración
de las especies que difunden.

Q : energía de activación (cal/mol) energía de activación es la cantidad de energía necesaria para mover
un átomo a través de la red cristalina, valor que no cambia durante un proceso. Si cambia la temperatura
y hay un cambio en estructura cristalina, entonces el valor de Q también lo hará.

4.- Energía de activación para la difusión “Q”:

Un átomo que se difunde debe moverse entre los átomos circundantes para ocupar su nueva posición.
 El átomo debe atravesar una barrera de energía potencial que requiere una energía de activación Q. El
calor proporciona al átomo la energía para vencer esta barrera.

Normalmente se necesita menos energía para forzar un átomo intersticial a que pase entre los átomos
circundantes; en consecuencia, la energía de activación es menor en la difusión intersticial que en la
difusión por vacancias . una baja energía de activación revela una difusión fácil.

Los átomos son forzados o deformados al pasar

entre otros átomos durante la difusión. Se
requiere de una energía de activación para este
proceso.

Una pequeña energía de activación Q incrementa el coeficiente de difusión y la densidad de flujo, puesto
que se necesita menos energía térmica para superar la barrera de energía de activación, que es menor. La
difusión intersticial, con baja energía de activación, ocurre normalmente más rápidamente que la difusión
por vacantes o por átomos sustitucionales.

Por tanto se tiene:

Q volumen ˃ Q límite de grano ˃ Q superficie

Cuanto se incrementa la temperatura del material, el coeficiente de difusión y la densidad de flujo de

átomos también se incrementa. A temperaturas mayores, la energía térmica proporcionada a los átomos
que se difunden les permite superar la barrera de energía de activación y poder desplazarse más
fácilmente a otros sitios de la red. Por esta razón los tratamientos térmicos de los metales y el
procesamiento de los cerámicos se realizan a temperaturas elevadas, donde los tomos se mueven
rápidamente para concluir las reacciones o alcanzar las condiciones de equilibrio.
Difusión en defectos cristalinos

-A través de vacancias o intersticios

-Dislocaciones
-Bordes de grano
-Superficies libres.

El movimiento de átomos por los defectos cristalinos es mucho más rápida que por el volumen
•En algunos casos, la contribución del flujo de átomos a través de los defectos cristalinos es insignificante
(la sección transversal de las áreas es muy pequeña comparada con el interior del material)
Difusión en borde de grano

Ocurre a una velocidad mayor que la difusión a través del volumen

Como la difusividad a lo largo del borde de grano es mucho mayor que en volumen, el difundente penetra
mucho más profundamente por el borde que por cualquier otra región. Se genera entonces un gradiente
de concentración en la dirección perpendicular al borde por lo que el material comienza a filtrarse hacia el
interior de los cristales adyacentes.

Difusión y el procesamiento de los materiales:

Los procesos a base de difusión son muy importantes cuando se utilizan o procesan materiales a
temperaturas elevadas.
 -Crecimiento de grano
-Soldadura por difusión
-Sinterización.
Crecimiento de grano.- El crecimiento de grano ocurrirá cuando los átomos se difundan a través del
borde de grano de un grano a otro

Soldadura por difusión: método para unir materiales, pasos en la soldadura por difusión (a) unión del
material a soldar (b) aplicación de presión para deformar la superficie (c) difusión en bordes de grano (d)
la eliminación de huecos requiere difusión volumétrica.

Sinterización: es un tratamiento a alta temperatura, que hace que pequeñas partículas se unan y se
reduzca el volumen del espacio de los poros entre ellas (componentes cerámicos, metalurgia de polvos,
materiales compuestos)

Los átomos difunden hacia los puntos de

contacto, creando puentes y reduciendo el
tamaño de los poros.
SOLIDIFICACION

Describir la influencia del tamaño de granos sobre las propiedades de los materiales
• Analizar la influencia de los defectos
• Conocer los procesos y reacciones basados en la transferencia de masa
– Dentro del mismo sólido
– Desde un líquido, gas u otro sólido
Casi todos los metales y aleaciones, en cierto momento de su procesamiento, se encuentran en estado
líquido, el cual se enfría a una temperatura inferior a la de solidificación. El material puede ser usado tal
como se solidifica, o procesarse posteriormente mediante trabajo mecánico ( por laminación, extrusión,
trefilado, etc) o tratarse térmicamente ( mediante recocido, normalizado). Las estructuras producidas
durante la solidificación afectan las propiedades mecánicas y características finales. En los metales puros y
en als aleaciones, el tamaño de grano y la forma pueden controlarse por medio de la solidificación.

Por lo tanto , la transformación de fase liquida a solida es quizá la más importante de las
transformaciones de fase que se estudian, ya que casi todos los metales debe sufrir esta transformación
antes de convertirse en objetos útiles.

Las propiedades mecánicas también pueden ser controladas por la adición de átomos sustituciones e
intersticiales (adición de elementos de aleación), los cuales interfieren con el movimiento o deslizamiento
de als dislocaciones. Estos defectos puntuales originan el endurecimiento ( un aumento en resistencia
mecánica y dureza) del material por solución sólida. Sin embargo, los defectos puntuales cambian
también la composición química del material e influyen en el comportamiento de la solidificación.

Finalmente, al adición de elementos de aleación puede causar se formen dos o más fases en la
microestructura. El límite entre las fases es una superficie en la cual el ordenamiento atómico no es
perfecto, por lo que el límite interfiere con el movimiento de las dislocaciones.

1.- Solidificación de los metales.-

Esencialmente, todas las transformaciones de fase, y particularmente la solidificación ocurre en dos

etapas:

a).- Formación de núcleos o nucleación.- Formación de núcleos/semillas (partículas sólidas) estables

en el fundido.
b).- Crecimiento de núcleos.- Hasta la formación de cristales y la formación de una estructura granular

a).- Nucleación.-La nucleación ocurre cuando una pequeña partícula solida se forma dentro del líquido. El
crecimiento del solido ocurre cuando los átomos del líquido se unen al solido diminuto hasta que se acabe
el líquido. Se espera que un material solidifique cuando el líquido se enfrié por debajo de la temperatura
de solidificación del mismo (Ts). Muchos metales pueden enfriarse por debajo del punto de solidificación
una cantidad ΔT sin que ocurra solidificación. A esto se le llama sobre enfriamiento.
El por qué un metal puro no inicia su solidificación en Ts se debe a la existencia de una energía libre
asociada con la formación de la superficie del núcleo, esta energía superficial actuara como barrera para
la formación de núcleos pequeños.

Los metales puros a la temperatura de solidificación, la energía desprendida es insuficiente para que se
puedan formar núcleos estables debido a la barrera de energía superficial de los núcleos del sólido. Por lo
que el metal liquido se sobre enfriará invariablemente por debajo de la temperatura de solidificación
antes de que ocurra la nucleación (T N)la temperatura subirá rápidamente debido al calor latente
desprendido durante la solidificación. Sin embargo esta elevación en la temperatura se detiene cuando
alcanza la temperatura de solidificación ( Ts).

La figura muestra la variación del tamaño del radio de los núcleos cuando la temperatura es menor Ts, a
mayor sobreenfriamiento ( mayor a ΔT) mayor será el tamaño de los núcleos que se están formando en el
metal líquido, siendo estables cuando alcancen o superen el tamaño del radio crítico. La figura b, muestra
como es la variación del radio critico ( rc) con la temperatura, s e puede apreciar que a mayor
sobreenfriamiento el tamaño rc disminuye.

Fig. a.- Variación del radio de los núcleos, que se Fig. b.- Variación del radio critico ( rc) con la
están formando, con la temperatura temperatura.

La nucleación ocurre solo cuando un número suficiente de átomos se agrupa espontáneamente para
producir un sólido con un radio mayor o igual que al radio critico Rc, entonces cuando el radio de los
núcleos que se están formando es igual o mayor al radio critico serán estables, dando inicio a la
solidificación y esto ocurre en la figura c, a una temperatura Tn ( Temperatura de nucleación). A un
sobreenfriameinto mayor a ΔTn siempre ocurrirá que : r n ˃ rc.
 Figura c.- Los núcleos son
estables cuando el radio del
núcleo ( rn) alcanza el
tamaño del radio critico (rc).

a).- Nucleación homogénea.- En el caso de nucleación homogénea (metal puro ideal), se en la fase liquida
inicial no hay núcleos, esta tendrá que sobreenfriarse significativamente para que ocurra la nucleación.

b).- Nucleación heterogénea.- A excepción de los experimentos de laboratorio, la nucleación homogénea

rara vez ocurre en los metales líquidos. En lugar de ello, las impurezas que están en contacto con el
líquido, ya sea suspendida en el o en las paredes del recipiente, proporcionan una superficie en donde se
puede formar el sólido. Ahora se obtiene un radio de curvatura mayor que el radio crítico con muy poca
superficie total entre el sólido y el líquido. Solo unos cuantos átomos se necesitan reunir para producir
una partícula solida con el radio requerido, y en consecuencia se necesita menor subenfriamiento para
lograr el tamaño crítico. La nucleación en la superficie de las impurezas es conocida como nucleación
heterogénea. Todos los metales y aleaciones de uso en ingeniería se nuclean heterogéneamente durante
la solidificación.

Algunas veces se introducen intencionalmente impurezas en el líquido. Tales prácticas son llamadas
refinamiento del grano o inoculación. Por ejemplo se añade una combinación de 0.02% a 0.05% de titanio
y 0.01% a 0.03% de boro a muchas aleaciones liquidas de aluminio, formándose las partículas de boruro
de titanio y sirviendo como puntos eficaces y consecuentemente afinar el tamaño de grano ( obtener un
metal de grano fino) para así mejorar las propiedades mecánicas.

b).- Crecimiento.-

Una vez que se ha formado el núcleo sólido y es estable, el crecimiento ocurre cuando los átomos se
asocian a la superficie sólida. En los metales puros, el crecimiento depende de la forma en que se extrae
el calor del sistema solido-liquido. Se debe liberar dos tipos de calor: el calor específico del líquido y el
calor latente de fusión. El calor específico es el calor requerido para cambiar en un grado la temperatura
de una masa unitaria de material. El calor especifico debe eliminarse primero, usualmente por
conducción hacia el molde, hasta que el líquido se enfría a la temperatura de solidificación. El calor
latente de fusión, que representa la energía generada cuando la estructura liquida en desorden se
transforma en una estructura cristalina más estable, debe de eliminarse de la interfase solido-liquido
antes de que se complete la solidificación.

A medida que continúa el enfriamiento, se solidifican losa tomos, los que se agregan a los núcleos ya
formados o constituyen nuevos núcleos. Cada núcleo atrae nuevos átomos el líquido, los que se van
ordenando con arreglo a la red especial del metal y van creciendo en las tres direcciones preferentes, que
por lo general son ejes cristalográficos.

En resumen cuando los núcleos (que están en el líquido) alcancen el tamaño el radio critico ( r N= rc) son
estables dando comienzo a la nucleación (Fig. )a la temperatura de nucleación ( T N), luego le sigue el
crecimiento de los núcleos pudiéndose formar nuevos núcleos (Fig. b), el crecimiento de cada núcleo
continua en las tres direcciones con una estructura característica con la apariencia de árbol, llamada
dendrita ( Fig. c).

Por ultimo disminuye la cantidad de líquido y la separaciones entre las ramas de las dendritas se llenaran
y el crecimiento de la dendrita lo obstruirá mutuamente el de los vecinos. Esto da lugar a una forma
externa muy irregular. Los cristales encontrados en todos los metales comerciales comúnmente se llaman
granos, debido a esta variación de la forma externa- El área lo largo del cual están unidos los cristales se
conoce como límite de grano o frontera de grano (Fig. d).

2.- Curvas de enfriamiento.-

El estudio realizado hasta aquí puede resumirse analizando una curva de enfriamiento, que indica cómo
cambia la temperatura del metal con el tiempo ver figura. El metal líquido se vierte en un molde a la
temperatura de vaciado. La diferencia entre esta temperatura y la temperatura de solidificación es el
sobrecalentamiento. El metal líquido se enfría cuando el calor específico del líquido es liberado por el
molde: la pendiente de la curva de enfriamiento antes de que inicie la solidificación es la velocidad de
enfriamiento.

Si el metal liquido están presentes núcleos heterogéneos efectivos, la solidificación se inicia a la

temperatura de cambio al estado sólido (Ts), como muestra la figura a. se produce una estabilización
térmica, o meseta, debido a la generación de calor latente de fusión. El calor latente d efusión mantiene
al líquido remanente a la temperatura de solidificación hasta que toso el líquido se ha solidificado y no
puede generarse más calor.

Si se desarrolla sobreenfriameinto debido s la escasa nucleación (como ocurre en un metal puro), la curva
cae por debajo e la temperatura de solidificación, como se muestra en la figura b. Después de que
finalmente nuclea el sólido a TN, empieza el crecimiento. Sin embargo, el calor latente es adsorbido por el
líquido sobre enfriado, elevando de nuevo su temperatura hasta la solidificación. Este fenómeno es
conocido como auto calentamiento ( sobrecalentamiento). Después de que se eleva la temperatura del
líquido restante hasta la temperatura de solidificación, ocurre una estabilización térmica hasta que la
solidificación se concluye.
Curvas de enfriamiento: a) Metal con impurezas o núcleos artificiales y B).- Metal puro

3.- Macroestructura

Como resultado del proceso de solidificación. Se desarrolla una macroestructura que s e puede constar
hasta de tres zonas como se muestra en la figura.

a).- Zona de nucleación ( zona de enfriamiento rápido).- El metal líquido que está en contacto con la pared
del molde es el primero en enfriarse a una temperatura igual o menor que la solidificación. La pared del
molde proporciona también muchas superficies en las que puede ocurrir la nucleación heterogénea. Por
esto, innumerables granos orientados aleatoriamente empiezan a nuclearse y a crecer en toda la pared
del molde, formando la zona de nucleación constituido por granos quiaxiales pequeños como muestra la
figura.
b).- Zona columnar .- Contienen granos
alargados orientados en una dirección
cristalográfica particular. Conforme el molde
del material libera calor de la fundición (metal
liquido), los granos en la zona fría empiezan a
crecer en la dirección opuesta al flujo de calor,
o de las áreas más frías a las más calientes de la
fundición, perpendiculares a las paredes del
molde. Los granos crecen más rápidamente en
ciertas direcciones cristalográficas. En los
metales con una estructura cristalina cubica, los
granos en la zona fría que tienen una dirección
(100) perpendicular entre si, proporcionando a
la zona columnar propiedades anisotropícas (las
propiedades dependen de la dirección en la que
se midan).

c).- Zona equiaxial.- A menudo se forma una zona equiaxial en el centro de la fundición, como se aprecia
en las figuras. La zona contiene granos nuevos orientados aleatoriamente, originados a menudo por una
baja temperatura de vaciado, elementos de aleación, o agentes inoculantes o refinadores de grano. Tales
granos son relativamente redondos o equiaxiales, con una orientación aleatoria e impiden el crecimiento
de los granos columnares. La formación de la zona equiaxial ocasionada que tal porción de la fundición
presente un comportamiento isotrópico ( las propiedades son independientes de la dirección).

4.- Tamaño de grano.-

Cuando se forman muchos núcleos, el metal tendrá una estructura de grano fino (grano pequeño), por el
contrario, si el número de núcleos formados es pequeño, el metal tendrá una estructura de grano grueso
(grano grande). De todos los factor que influyen en la velocidad de nucleación, y por tanto, en el tamaño
de grano, la velocidad de enfriamiento es considerada la más importante.

Un enfriamiento rápido, provoca la formación de gran número de núcleos y estructuras de grano fino,
mientras que un enfriamiento lento produce pocos núcleos, los cuales posteriormente crecen
solidificando todo el líquido que pueda aumentar el número de núcleos, originando una estructura de
grano grueso.

Los factores que contribuyen a aumentar la velocidad de nucleación facilitando la obtención de

estructuras de grano fino son:

-La presencia de partículas sólidas insolubles, núcleos artificiales.

-La agitación del metal fundido (liquido) durante el proceso de solidificación, lo que hace que los cristales
(las dendritas) se dividan antes de alcanzar un tamaño excesivamente grande.

-Empleando moldes de metal.

En términos generales los materiales de grano fino presentan mayor tenacidad, mayor dureza y
resistencia a la tracción que los materiales de grano grueso.

5.- Tiempo de solidificación.-

La velocidad a la cual crece el sólido depende de la velocidad o rapidez de enfriamiento o de extracción

del calor. Una velocidad de enfriamiento alta produce una rápida solidificación o tiempos cortos de
solidificación. El tiempo requerido para que solidifique una fundición simple puede calcularse utilizando la
regla de Chvorinov.

Si

Donde :
ts = tiempo de solidificación total.
V= volumen de la fundición.
As=Área de la superficie de la pieza fundida que está en contacto con el molde.
B= es la constante del molde, la misma que depende de las propiedades y temperaturas iniciales tanto del
metal como del molde.
Casi siempre, un tiempo de solidificación más corto produce un tamaño de grano más fino y una fundición
más resistente.

6.- Distribución de impurezas (segregación).-

Existe una tendencia de las impurezas disueltas (átomos extraños) a permanecer en aquella porción de
metal que solidifica al final, lo cual tiene como consecuencia las variaciones en composición química que
siempre aparecen en las aleaciones metálicas (segregación), como muestra la figura.

Cuando existe una variación en composición química en los granos desde el centro hacia afuera se le
llama segregación transcristalina. Si las impurezas se segregan en los límites de grano se le denomina
intercristalina o interdendritica.