Practica #1-Grupo 3

Universidad de San Carlos
Facultad de Ingeniería
Escuela Mecánica Eléctrica
Laboratorio de Instrumentación Eléctrica
Sección : L2
Profesor: Otto Andrino
Fecha: 06/12/2022
Practica 1: Amplificador Operacional en Lazo Abierto(Comparador)
Integrantes
Marcos Alexander saquil Gómez , 201701088
Yancarlo Emanuel Álvarez Sequic , 201709458
José Andrés López Figueroa ,201906131
Wilmer David Xicay Chile , 201907056
Emma Alejandra Pérez Díaz , 202000443
INTRODUCCIÓN
La práctica 1 está basada en lo que es circuitos utilizando el amplificador

operacional, también llamado o conocido como OP AMP, este es un circuito
integrado que permite realizar una gran diferencia de circuitos electrónicos . Desde
lo que se conoce como un comparador de voltaje, un amplificador de señal, hacer
cálculos y filtrar señales. Los amplificadores operacionales están compuestos por
una gran cantidad de transistores internamente, que permiten dominar corrientes y
tensiones, para darle sus características eléctricas.
Se conoció que cuando se enlazan las entradas y salidas de un amplificador

operacional con elementos resistivos y capacitivos el circuito consigue lo que es un
comportamiento característico. Las configuraciones siguientes que son el
comparador, inversor, no inversor son las más comunes y más utilizadas . Los
amplificadores operacionales se utilizan para una variedad de funciones,
especialmente las que emplean señales ya que permite amplificarlas, invertirlas,
compararlas.
En esta práctica se describen y explican algunas de las configuraciones, así como

se analiza el comportamiento de diversos circuitos al analizarlos con el simulador
multisim para observar su funcionamiento de forma experimental.
OBJETIVOS
Objetivo general:
Estudiar el comportamiento de un amplificador operacional configurado como un

comparador.
Objetivos específicos:
1. Comprobar el funcionamiento del amplificador operacional como comparador.
2. Verificar los efectos de la alta ganancia del amplificador operacional.
3. Conocer el funcionamiento de circuitos comparadores empleando Amplificadores

Operacionales.
4. Conocer el funcionamiento de elementos auxiliares como el NTC y LDR.
5. Diseñar el circuito comparador mediante el cálculo de todos los componentes

necesarios.
MARCO TEÓRICO
¿Que es un amplificador operacional?
Los amplificadores operacionales (A.O.) Son dispositivos que tienen la

característica de acondicionar señales de corriente o voltaje, señales continuas,
discretas, analógicas o digitales. Los amplificadores Operacionales permiten
cambiar la ganancia de voltaje o corriente de una señal, comparar señales de
diferentes magnitudes y sirven como inversores de señal, sumadores produciendo
una nueva señal compuesta, integradores, derivadores, filtros de señales, también
se utilizan como convertidores de corriente a voltaje, se utilizan para
acondicionamiento de sensores.
Fuente:https://hetpro-store.com/TUTORIALES/amplificador-operacional/
Comparador con amplificador operacional: Ganancia en lazo abierto
La configuración del amplificador operacional en lazo abierto, es una de las más

usadas. En esta configuración partimos de que la ganancia esta ajustada a un valor
muy alto (aproximadamente 200,000 veces). Esta ganancia el lazo abierto se le
conoce como AOL y está en función a la diferencia de las entradas del Op-Amp.
Las entradas, se les conoce como inversora y no inversora, o más y menos. En este
caso vamos a nombrar la no inversora como E1 (+) y la inversora como E2 (-). A
continuación, tenemos una configuración de un Amplificador Operacional en
configuración de lazo abierto.
El comparador no inversor.
En este comparador la tensión de referencia se aplica a la entrada inversora, y la

señal a detectar será aplicada a la entrada no inversora. La tensión de referencia
puede ser positiva o negativa.
● Si la señal a detectar tenga una tensión superior a la tensión de referencia,

la salida será una tensión igual a +Vsat (tensión de saturación positiva).
● Si la señal de entrada tiene una tensión inferior a la señal de referencia, la
salida será igual a -Vsat (tensión de saturación negativa)
El comparador inversor
En este circuito, la entrada V(+) está conectada a masa y la señal se aplica a la

entrada V(-) a través de R1, con realimentación desde la salida a través de R2. La
entrada V(-) es un punto de tierra virtual, ya que está a un potencial cero.
El circuito comúnmente más utilizado es el circuito de ganancia constante. El

amplificador inversor amplifica e invierte una señal 180º, es decir, el valor de la
tensión de salida está en oposición de fase con la de entrada y su valor se obtiene
al multiplicar la tensión de la entrada por una ganancia fija constante, establecida
por la relación entre R2 y R1, resultando invertida esta señal (desfase).
Fuente:https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-amplificador-operacional
MÉTODOS Y MATERIALES
Componentes a utilizar en la práctica :
1) Osciloscopio
2) Fuente A.C.
3) Multímetro
4) Fuente D.C.
5) Circuito integrado TL084 y LM741CN
6) Resistencias varias.
7) LED: L53SGD (difuso verde).
8) NTC: ND03 NTC Thermistor.
9) Transistor NPN: BC547C.
10) Diodo: 1N4148.
11) LDR NSL-19M51
Circuito 1.1
1. Se armó el circuito mostrado en la figura 1.
2. Se conectó el osciloscopio a la salida del amplificador y a la entrada no inversora.
3. Se comparó el voltaje de salida teórico con el voltaje experimental del amplificador

y se realizo una grafica del de esta.
Fuente:Pdf de la práctica de Laboratorio,2022

Circuito 1.2
2. Se varió el nivel de potenciómetro en la entrada no inversora en porcentajes de

10%
3. Se midió el voltaje en la entrada no inversora y se observó en qué momento el

led enciende y luego se realizó una gráfica de esta.
Fuente : Pdf de la práctica de Laboratorio,2022
Circuito 1.3
2. Se varió la resistencia del potenciómetro en intervalos de 10% y se tomaron datos

de mediciones y los estados de los leds.Para luego hacer una grafica.

Circuito 2.1
2. Se varió la temperatura del termistor de 0ºC a los 100ºC en intervalos de 5ºC y

se realizaron las mediciones correspondientes.
Circuito 2.2
2. Se varió la intensidad de luz del elemento LDR y se realizaron las mediciones

correspondientes.

RESULTADOS
Circuito 1.1
Fuente: Elaboración Propia , 2022 (Multisim)
Tabla 1. Tabla para comparar los datos obtenidos en la práctica con los datos
obtenidos teóricamente.
Voltaje Experimental Voltaje Teórico
11.13 12
Fuente: Elaboración Propia, 2022
Gráfica 1. Gráfica de comparación de voltaje de entrada con voltaje de salida en un

amplificador operacional en lazo abierto.
Fuente: Elaboración Propia , 2022 (Multisim)

Circuito 1.2
Fuente: Elaboración Propia, 2022 (Multisim)
Tabla 1.2. Tabla de datos calculados para el valor de voltaje de entrada inversora,
no inversora y salida del amplificador operacional.
% de Voltaje Voltaje, Pin Voltaje, Pin No Voltaje de LED

Inversor [V] Inversor [V] Salida [V]
0 6 0 -11.15 APAGADO
10 6 1.3 -11.15 APAGADO
20 6 2.5 -11.15 APAGADO
30 6 3.5 -11.15 APAGADO
40 6 4.9 -11.15 APAGADO
50 6 6.1 11.10 ENCENDIDO
60 6 7.2 11.10 ENCENDIDO
70 6 8.4 11.10 ENCENDIDO
80 6 9.8 11.10 ENCENDIDO
90 6 11.1 11.10 ENCENDIDO
100 6 12 11.10 ENCENDIDO

Gráfica 1.2. Comportamiento de voltaje en la entrada inversora, no inversora y
salida del amplificador operacional.
Fuente: Elaboración Propia, 2022 (Excel)
Circuito 1.3
Amplificador operacional como Comparador.
Fuente: Elaboración propia, 2022 (Multisim)
Se realizaron las mediciones de voltaje de salida de cada amplificador operacional

para distintos valores de resistencia en el potenciómetro R6, se obtuvo.
Tabla 1.3: Voltajes de salida según valor de potenciómetro.
No Pot (%) Out 1 (V) Out 2 (V) Out 3 (V) Out 4 (V)
1 0 10.475 10.475 10.475 10.475
2 10 10.475 10.475 10.475 10.475
3 20 -10.475 10.475 10.475 10.475
4 30 -10.475 10.475 10.475 10.475
5 40 -10.475 -10.475 10.475 10.475
6 50 -10.475 -10.475 10.475 10.475
7 60 -10.475 -10.475 -10.475 10.475
8 70 -10.475 -10.475 -10.475 10.475
9 80 -10.475 -10.475 -10.475 -10.475
10 90 -10.475 -10.475 -10.475 -10.475
11 100 -10.475 -10.475 -10.475 -10.475

Fuente: Elaboración propia, 2022
No Pot (%) Led 1 Led 2 Led 3 Led 4

1 0 On On On On
2 10 On On On On
3 20 Off On On On
4 30 Off On On On
5 40 Off Off On On
6 50 Off Off On On
7 60 Off Off Off On
8 70 Off Off Off On
9 80 Off Off Off Off

Fuente: Elaboración propia, 2022.
Figura 1.3. Amplificador Operacional como comparador.

Fuente: Elaboración propia, 2022. (Multisim)
SEGUNDA PARTE
Circuito 2.1.Circuito comparador simple no inversor.
haciendo uso de la información detallada en la hoja de datos para el termistor cuyo
código se muestra en la gráfica
y en consideración de la relación resistencia vs temperatura brindada por el

fabricante en la siguiente tabla:
T R
se realiza el siguiente circuito.
a)El circuito realiza una comparación entre los voltajes de entrada en los terminales
+ y - del AO si la resistencia que el NTC proporciona es pequeña entonces se
conducirá mayor voltaje en el terminal negativo y viceversa de tal manera que la
salida posee entonces un valor de tensión base para el transistor permitiendo de
este modo el encendido del led. El led se enciende cuando el valor de la resistencia
proporcionado por el NTC es menor a 1 k ohm de R2.
b)
Se ubicaron los amperímetros y voltímetros según lo indicado en el inciso b de la

práctica y los valores resultantes son los siguientes.
Tabla 1.4. Tabla de datos medidos para cada amplificador operacional del circuito
junto al estado del led que compone su salida a medida que se varía el
potenciómetro en las entradas no inversoras.
T °C R kΩ IN+ IN- Ib I r5 Ic Vce Vd Id V I led

led
0 3.39 -5.60 -2.74 -110p 10.97n 11.27n 10.99 -11.07 -11.2n 1.04 11.3n
5 2.61 -5.60 -3.32 -110p 10.97n 11.21n 10.99 -11.07 -112n 1.0 11.3n
10 2.03 -5.60 -3.96 -110p 10.97n 11.21n 10.99 -11.07 -11.21n 1.0 11.3n
15 1.59 -5.60 -4.63 -110p 10.97n 11.21n 10.99 -11.07 -11.21n -1.0 11.3n
20 1.26 -5.55 -5.25 -110p 10.96n 11.21n 10.99 -11.06 -11.18n -1.0 11.3n
25 1 -5.61 -5.61 -110p 10.73n 11.21n 10.99 -10.83 -10.99n -1.0 11.3n
30 0.80 -5.58 -5.65 953u -700u 9.88m 44.98m 611m 1.65m -2.07 9.88m
35 0.64 -5.70 -6.21 1.26m -702u 9.88m 37.19m 616m 1.95m -2.09 9.88m
40 0.52 -5.78 -6.78 1.51m -703u 9.89m 32.07m 619m 2.22m -2.07 9.89m
45 0.43 -5.85 -7.3 1.74m -705u 9.89m 28.3m 622m 2.45m -2.07 9.89m
50 0.35 -5.93 -7.84 1.99m -706u 9.9m 24.89m 625m 2.7m -2.07 9.9m
55 0.29 -5.99 -8.31 2.21m -707u 9.9m 22.22m 628m 2.92m -2.07 9.9m
60 0.24 -6.0 -8.77 2.49m -709u 9.9m 19.36m 630m 3.20m -2.07 9.9m
65 0.20 -6.0 -9.18 2.75m -710u 9.9m 17.05m 633m 3.46m -2.07 9.9m
70 0.17 -6.0 -9.5 2.96m -711u 9.9m 15.35m 635m 3.67m -2.07 9.9m
75 0.14 -6.0 -9.86 3.18 -713u 9.9m 13.68m 636m 3.9m -2.07 9.9m
80 0.12 -6.0 -10.11 3.39m -713u 9.9m 12.59m 638m 4.03m -2.07 9.9m
85 0.10 -6.0 -10.38 3.51m -714u 9.9m 11.50m 639m 4.23m -2.07 9.9m
90 0.086 -6.0 -10.58 3.64m -715u 9.9m 10.75m 640m 4.36m -2.07 9.9m
95 0.073 -6.0 -10.77 3.76m -716u 9.9m 10.06m 641m 4.48m -2.07 9.9m
100 0.063 -6.0 -10.92 3.86m -716u 9.9m 9.53m 642m 4.57m -2.07 9.9
Fuente: Elaboración Propia,2022
Tabla 1.5 .Se escogió otro amplificador, otro transistor y otro NTC y se hizo el nuevo
diseño del circuito.y se realizaron las nuevas mediciones.
T °C R kΩ IN+ IN- Ib I r5 Ic Vce Vd Id V I led

led
0 3.39 -5.60 -2.74 -112p 10.97n 11.2n 10.99 -11.07 -11.35n 1.04 11.3n
5 2.61 -5.60 -3.32 -112p 10.97n 11.3n 10.99 -11.07 -11.35n 1.0 11.3n
10 2.03 -5.60 -3.96 -112p 10.97n 11.3n 10.99 -11.07 -11.35n 1.0 11.3n
15 1.59 -5.60 -4.63 -112p 10.97n 11.3n 10.99 -11.07 -11.35n -1.0 11.3n
20 1.26 -5.55 -5.25 -112p 10.96n 11.3n 10.99 -11.06 -11.20n -1.0 11.3n
25 1 -5.61 -5.61 -112p 10.73n 11.3n 10.99 -10.83 -10.95n -1.0 11.3n
30 0.80 -5.58 -5.65 960u -700u 9.8m 44.98m 611m 1.70m -2.07 9.88m
35 0.64 -5.70 -6.21 1.30m -702u 9.8m 37.19m 616m 2.0m -2.09 9.88m
40 0.52 -5.78 -6.78 1.55m -703u 9.9m 32.07m 619m 2.22m -2.07 9.89m
45 0.43 -5.85 -7.3 1.80m -705u 9.9m 28.3m 622m 2.50m -2.07 9.89m
50 0.35 -5.93 -7.84 2.0m -706u 9.9m 24.89m 625m 2.75m -2.07 9.9m
55 0.29 -5.99 -8.31 2.25m -707u 9.9m 22.22m 628m 2.95m -2.07 9.9m
60 0.24 -6.0 -8.77 2.55m -709u 9.9m 19.36m 630m 3.25m -2.07 9.9m
65 0.20 -6.0 -9.18 2.80m -710u 9.9m 17.05m 633m 3.50m -2.07 9.9m
70 0.17 -6.0 -9.5 2.99m -711u 9.9m 15.35m 635m 3.70m -2.07 9.9m
75 0.14 -6.0 -9.86 3.25m -713u 9.9m 13.68m 636m 3.95m -2.07 9.9m
80 0.12 -6.0 -10.11 3.44m -713u 9.9m 12.59m 638m 4.5m -2.07 9.9m
85 0.10 -6.0 -10.38 3.55m -714u 9.9m 11.50m 639m 4.6m -2.07 9.9m
90 0.086 -6.0 -10.58 3.68m -715u 9.9m 10.75m 640m 4.6m -2.07 9.9m
95 0.073 -6.0 -10.77 3.79m -716u 9.9m 10.06m 641m 4.65m -2.07 9.9m
100 0.063 -6.0 -10.92 3.88m -716u 9.9m 9.53m 642m 4.75m -2.07 9.9
Fuente:Elaboración Propia,2022
Fuente : elaboración propia. 2022 (multisim)
Comentario: Todas las preguntas de este circuito fueron contestadas en la parte

de discusión de resultados.
Circuito 2.2 Circuito comparador mediante realimentación positiva
a)Deje constancia de cómo ha realizado los cálculos para calcular las resistencias
R1, R2, R3, R4, R5 y R6. Indique los datos que ha seleccionado de los datasheets
de los componentes.
Comentario: Todas las preguntas de este circuito se contestaron en la parte de
discusión de resultados.
Se midió la intensidad de realimentación del amplificador operacional.

DISCUSIÓN DE RESULTADOS
Para el circuito 1.1, se tomó en cuenta que tiene un amplificador operacional en

configuración de lazo abierto, por lo tanto se considera como un comparador de
voltajes, comparando así los voltajes en sus entradas inversoras y no inversoras.
Se observa que la entrada inversora está conectada a tierra teniendo un valor de
0V considerándose como el voltaje de referencia. En la entrada no inversora, se
conectó un voltaje alterno de 2V como un valor de prueba. En la Gráfica 1.1 se
observa la señal de color azul del osciloscopio representa el comportamiento del
voltaje AC en la entrada no inversora del amplificador, y la señal en rojo, es el
comportamiento del voltaje de salida del amplificador el comportamiento de las dos
señales está relacionado cuando el amplificador, recibe el semiciclo positivo, a su
salida, tiene +11.13V y cuando recibe el semiciclo negativo, a su salida se tiene -
11.13 V esto sucede porque el valor de referencia es 0, en los cambios de ciclos
positivos a negativos, se obtiene el cambio de voltaje de positivo a negativos en la
salida del amplificador, formando una señal aproximada a un tren de pulsos.
Comparando las estructuras de las señales observadas en el osciloscopio, notamos
que en el semiciclo positivo, la señal crece hasta llegar al valor pico y vuelve a
decrecer llegando a 0. Cuando sucede esta transición, el voltaje de salida se
determinó que siempre permanece constante, con magnitud positiva.
Para el circuito 1.2. Se observa que es de configuración es en lazo abierto y este

permite establecer una comparación de voltajes en sus entradas. Se observó que
en la Tabla 1.2, se tiene que el voltaje en el inversor es constante, así que se tomó
como el voltaje de referencia, y el no inversor, tiene un voltaje que va en aumento,
conforme el potenciómetro alcanza su máximo, tomándolo como valor de prueba.
En la gráfica 1 se observó como el voltaje en la salida del amplificador es negativo
antes de que el valor de prueba llegue a ser igual al voltaje de referencia, y es
positivo cuando el voltaje de prueba es igual o mayor al voltaje de referencia. Se
puede observar un cambio como un pico en la gráfica del voltaje de salida del amp,
cuando el potenciómetro llega al 50% de su nivel, el voltaje de referencia y el voltaje
de prueba tienen el valor de 6V, siendo iguales, el valor del voltaje de salida es de
11.10V cercano al valor de la fuente que alimenta al amplificador
Se armó el circuito 1.3 para lo cual se realizaron las siguientes observaciones: en el

circuito 1.3, los amplificadores se encuentran en lazo abierto configurados como
comparador lo cual permite realizar la comparación de los voltajes en su entrada
inversora y no inversora, se observa un arreglo de resistencias que realizan un
divisor de voltaje que es administrada en las entradas inversoras, y un divisor de
voltaje conformado por un potenciómetro, de manera que si el voltaje en la entrada
no inversora es mayor que el voltaje en la entrada inversora, en la salida del
amplificador operacional se tendrá la salida de VEE que para el circuito propuesto
fue de 10.475V, para tales casos se observó que el led de cada amplificador
operacional permaneció encendido.
Al variar el voltaje en las entradas no inversora de manera que fuera menor que el
voltaje en las entradas inversoras se muestra que en la salida se tiene -10.745V,
por lo cual los led permanecen apagados.
Para el circuito 2.1 se determinó que lo que ocurre a la salida del comparador
cuando la NTC detecta distintas temperaturas es que el valor del voltaje incrementa
proporcionalmente esto debido a el cambio de la resistencia mientras menor es el
valor de resistencia mayor será el voltaje de referencia que es el factor principal en
conjunto con la ganancia a la salida.
Se determinó que cuando la salida es un valor positivo de voltaje el led enciende Y

cuándo es negativo el led permanece en estado apagado.Con la medición de la
intensidad de salida del amplificador se identificó que hay variaciones estas
variaciones se deben a la relación de la ganancia dada por los dos valores de voltaje
de entrada el v+ es variable en relación a la resistencia propuesta por el NTC la cual
como ya se estableció varía de mayor a menor provocando que la ganancia como
relación vs/ve excite de forma cambiante también el funcionamiento del AO esto es
debido a que vs = v1-v2.
Se determinó que el transistor NPN está trabajando en modo saturación justo

cuando el led se prende puesto que alcanza la corriente máxima en la base y esta
permanece sin cambios mientras la temperatura incrementa, en el caso del
comportamiento del voltaje en el led esté incrementa progresivamente mientras lo
hace la temperatura y permanece constante una vez el led entra en estado activo
empieza a conducir a los 2.075v que básicamente constituye el umbral para activar
el led color verde. Se determinó que el valor de caída de voltaje de colector-emisor
disminuye mientras que el voltaje base-emisor incrementa considerablemente.
También se utilizó el amplificador operacional LM710CH y un transistor 1N12002C
los resultados al cambiar los componentes señalados son muy similares sin
embargo los valores en la salida del amplificador tienden a cambiar por
características propias que se indican en el datasheet.
Para el circuito 2.2 se se determinó que el circuito permite que el led permanezca
encendido mientras están ocurriendo variaciones en los valores del voltaje de
entrada esto debido a la prolongación de detección del cambio por la configuración
del amplificador como comparador se debe considerar el voltaje bajo y alto de
entrada una vez que estos valores están cercanos a los voltajes de saturación no
ocurrirá un cambio brusco a la salida, para ello se debe cumplir estar por sobre esos
valores en el caso del circuito es evidente puesto que el led permanece encendido
aunque se manipule aleatoriamente el valor de la resistencia variable.
Se realizaron las mediciones de voltaje en la entrada positiva (INPUT+) y negativa

(INPUT-) del comparador (amplificador operacional). Con respecto a la INPUT-,
prueba a diferentes intensidades de luz (valores de resistencia) y se determinó que
cuando la temperatura es baja la resistencia es alta por tanto el led no enciende una
vez la temperatura incrementa progresivamente el led enciende y bajo los efectos
cambiantes bruscamente de temperatura el led permanece encendido a menos que
el valor resistivo en la entrada sea muy grande.
También se realizaron las mediciones de voltaje a la salida del operacional durante
los mismos casos del apartado anterior. se determino que el led se enciende una
vez se supere el valor del voltaje alto parametrizado alcanzando el voltaje de
referencia, el led permanece encendido siempre y cuando no se supere el valor del
voltaje bajo es decir que si el voltaje desciende y no supera el valor parametrizado
el led permanece activo una vez se supera la barrera cercana al voltaje de referencia
negativo entonces ocurre la saturación negativa y el led se apaga,con los cambios
bruscos de resistencia variable la corriente de retroalimentación permanece
constante con respecto al tiempo.
Se midió la intensidad que pasa por el LED cuando éste se enciende. Esta
intensidad es la intensidad del colector del transistor NPN.Iled= 15.37mA
Vled=2.19v el transistor está en estado de saturación.
CONCLUSIONES
● Se determinó que el circuito comparador tiene un voltaje de referencia de

tierra de 0V en la entrada no inversora no teniendo cambios en la señal y
solamente amplificando la , mientras que si tiene un voltaje en la entrada
inversora y un voltaje a tierra en la entrada no inversora la señal del voltaje
de salida se verá desfasada a los 180° .
● Se determinó que el nivel del voltaje de referencia en la entrada se puede

variar usando un divisor de voltaje teniendo una resistencia constante y una
resistencia variable,pero si se utiliza una resistencia variable y varios
amplificadores conectados con distintos valores de resistencia se puede
tener un circuito en donde las luces led se enciendan hasta que el valor de
la resistencia sea conveniente.
● Se observó para la configuración de Comparador de Ventana que, los led

dispuestos en las salidas de los amplificadores operacionales se fueron
apagando a medida que se varió el valor de resistencia en el potenciómetro
en orden de arriba hacia abajo, esto debido a que el voltaje que se presenta
en la entrada inversora es mayor, debido a que el voltaje suministrado desde
el potenciómetro iba disminuyendo a medida que aumentaba el voltaje.
● el amplificador operacional como comparador no inversor funciona aplicando

un valor de tensión a la entrada inversora mientras que la señal a detectar
se aplica a la entrada no inversora, por otro lado para un comparador inversor
la tensión de referencia se aplica a la entrada no inversora y la señal a
detectar se aplica a la entrada inversora en ambos casos es propio destacar
que se la señal de referencia puede ser positivo o negativo.
● El funcionamiento de los elementos auxiliares NTC Y LDR se basa en un
agente externo capaz de variar la resistencia del dispositivo en este caso
temperatura e intensidad lumínica respectivamente, en ambos casos
mientras el factor mencionado incrementa el valor resistivo disminuye.el
diseño de cada circuito se realizó mediante los cálculos necesarios a partir
de la información de la hoja de datos de cada dispositivo implicado,
específicamente los valores calculados en su mayoría fueron los de cada
resistencia haciendo uso de la ley de voltajes y corrientes de kirchhoff.
CUESTIONARIO
¿Cuáles son las aplicaciones de un OP AMP?
1. Amplificar el voltaje de entrada

2. Como convertidor de señal ya sea una senoidal a una cuadrada
3. Circuitos integrados para audio, radio y video.
4. Instrumentación y control automotrices.
5. Circuito integrado para comunicaciones
¿Que es la ganancia en lazo abierto?
R//Es la salida máxima que se puede obtener del amplificador operacional.
¿Qué es un termistor?
R//Son resistores térmicamente sensibles, existen dos tipos de termistores según

la variación de la resistencia/coeficiente de temperatura, pueden ser negativos
(NTC) o positivos (PTC).
¿Cómo funciona un NTC?
R//Al aumentar la temperatura, disminuye la resistencia entre los terminales del

termistor.
¿Cómo funciona un amplificador operacional como comparador?
R//Se configura de tal forma en que una de estas señales sea ligeramente mayor
para que cause que la salida del amplificador operacional sea máxima.
¿En qué estado el transistor se comporta como un interruptor cerrado?
R//Estado de saturación
¿En qué estado el transistor se comporta como un interruptor abierto?
R//Estado de corte.
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
1. Electrónica Unicrom. (11 de Agosto 2022). Electrónica Unicrom. Obtenido de

https://unicrom.com/ldr-fotorresistencia-fotorresistor/
2. Garcia , V. (9 de Noviembre 2010). Electronica EPA. Obtenido de

https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-amplificador-operacional
3. Ingeniería Mecafenix. (11 de Agosto 2022). Ingeniería Mecafenix. Obtenido de

https://www.ingmecafenix.com/electronica/el-transistor/
4. Torres, H. (5 de Mayo 2018) Obtenido de https://hetpro-

store.com/TUTORIALES/amplificador-operacional/
LM741
www.ti.com SNOSC25C – MAY 1998 – REVISED MARCH 2013
LM741 Operational Amplifier

Check for Samples: LM741
FEATURES DESCRIPTION
• Overload Protection on the Input and Output The LM741 series are general purpose operational
amplifiers which feature improved performance over
• No Latch-Up When the Common Mode Range industry standards like the LM709. They are direct,
is Exceeded plug-in replacements for the 709C, LM201, MC1439
and 748 in most applications.
The amplifiers offer many features which make their
application nearly foolproof: overload protection on
the input and output, no latch-up when the common
mode range is exceeded, as well as freedom from
oscillations.
The LM741C is identical to the LM741/LM741A
except that the LM741C has their performance
ensured over a 0°C to +70°C temperature range,
instead of −55°C to +125°C.
Connection Diagrams
LM741H is available per JM38510/10101
Figure 1. TO-99 Package Figure 2. CDIP or PDIP Package

See Package Number LMC0008C See Package Number NAB0008A, P0008E
Figure 3. CLGA Package

See Package Number NAD0010A
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
All trademarks are the property of their respective owners.
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Copyright © 1998–2013, Texas Instruments Incorporated
Products conform to specifications per the terms of the Texas
Instruments standard warranty. Production processing does not
necessarily include testing of all parameters.
LM741
SNOSC25C – MAY 1998 – REVISED MARCH 2013 www.ti.com
Typical Application
Figure 4. Offset Nulling Circuit
These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam
during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.
Absolute Maximum Ratings(1)(2)(3)

LM741A LM741 LM741C
Supply Voltage ±22V ±22V ±18V
(4)
Power Dissipation 500 mW 500 mW 500 mW
Differential Input Voltage ±30V ±30V ±30V
(5)
Input Voltage ±15V ±15V ±15V
Output Short Circuit Duration Continuous Continuous Continuous
Operating Temperature Range −55°C to +125°C −55°C to +125°C 0°C to +70°C
Storage Temperature Range −65°C to +150°C −65°C to +150°C −65°C to +150°C
Junction Temperature 150°C 150°C 100°C
Soldering Information
P0008E-Package (10 seconds) 260°C 260°C 260°C
NAB0008A- or LMC0008C-Package (10 seconds) 300°C 300°C 300°C
M-Package
Vapor Phase (60 seconds) 215°C 215°C 215°C
Infrared (15 seconds) 215°C 215°C 215°C
(6)
ESD Tolerance 400V 400V 400V
(1) “Absolute Maximum Ratings” indicate limits beyond which damage to the device may occur. Operating Ratings indicate conditions for
which the device is functional, but do not ensure specific performance limits.
(2) For military specifications see RETS741X for LM741 and RETS741AX for LM741A.
(3) If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the TI Sales Office/Distributors for availability and specifications.
(4) For operation at elevated temperatures, these devices must be derated based on thermal resistance, and Tj max. (listed under “Absolute
Maximum Ratings”). Tj = TA + (θjA PD).
(5) For supply voltages less than ±15V, the absolute maximum input voltage is equal to the supply voltage.
(6) Human body model, 1.5 kΩ in series with 100 pF.
Electrical Characteristics(1)
LM741A LM741 LM741C
Parameter Test Conditions Units
Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max
Input Offset Voltage TA = 25°C
RS ≤ 10 kΩ 1.0 5.0 2.0 6.0 mV
RS ≤ 50Ω 0.8 3.0
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX
RS ≤ 50Ω 4.0 mV
RS ≤ 10 kΩ 6.0 7.5
Average Input Offset Voltage
15 μV/°C
Drift
(1) Unless otherwise specified, these specifications apply for VS = ±15V, −55°C ≤ TA ≤ +125°C (LM741/LM741A). For the LM741C/LM741E,
these specifications are limited to 0°C ≤ TA ≤ +70°C.
2 Submit Documentation Feedback Copyright © 1998–2013, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: LM741

LM741
Electrical Characteristics(1) (continued)

LM741A LM741 LM741C
Input Offset Voltage TA = 25°C, VS = ±20V
±10 ±15 ±15 mV
Adjustment Range
Input Offset Current TA = 25°C 3.0 30 20 200 20 200
nA
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX 70 85 500 300
Average Input Offset
0.5 nA/°C
Current Drift
Input Bias Current TA = 25°C 30 80 80 500 80 500 nA
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX 0.210 1.5 0.8 μA
Input Resistance TA = 25°C, VS = ±20V 1.0 6.0 0.3 2.0 0.3 2.0
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX, MΩ
0.5
VS = ±20V
Input Voltage Range TA = 25°C ±12 ±13
V
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX ±12 ±13
Large Signal Voltage Gain TA = 25°C, RL ≥ 2 kΩ
VS = ±20V, VO = ±15V 50 V/mV
VS = ±15V, VO = ±10V 50 200 20 200
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX,
RL ≥ 2 kΩ,
VS = ±20V, VO = ±15V 32 V/mV
VS = ±15V, VO = ±10V 25 15
VS = ±5V, VO = ±2V 10
Output Voltage Swing VS = ±20V
RL ≥ 10 kΩ ±16 V
RL ≥ 2 kΩ ±15
VS = ±15V
RL ≥ 10 kΩ ±12 ±14 ±12 ±14 V
RL ≥ 2 kΩ ±10 ±13 ±10 ±13
Output Short Circuit TA = 25°C 10 25 35 25 25
mA
Current TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX 10 40
Common-Mode TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX
Rejection Ratio RS ≤ 10 kΩ, VCM = ±12V 70 90 70 90 dB
RS ≤ 50Ω, VCM = ±12V 80 95
Supply Voltage Rejection TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX,
Ratio VS = ±20V to VS = ±5V
dB
RS ≤ 50Ω 86 96
RS ≤ 10 kΩ 77 96 77 96
Transient Response TA = 25°C, Unity Gain
Rise Time 0.25 0.8 0.3 0.3 μs
Overshoot 6.0 20 5 5 %
(2)
Bandwidth TA = 25°C 0.437 1.5 MHz
Slew Rate TA = 25°C, Unity Gain 0.3 0.7 0.5 0.5 V/μs
Supply Current TA = 25°C 1.7 2.8 1.7 2.8 mA
Power Consumption TA = 25°C
VS = ±20V 80 150 mW
VS = ±15V 50 85 50 85
(2) Calculated value from: BW (MHz) = 0.35/Rise Time (μs).

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LM741

LM741A LM741 LM741C
LM741A VS = ±20V
TA = TAMIN 165 mW
TA = TAMAX 135
LM741 VS = ±15V
TA = TAMIN 60 100 mW
TA = TAMAX 45 75
Thermal Resistance CDIP (NAB0008A) PDIP (P0008E) TO-99 (LMC0008C) SO-8 (M)
θjA (Junction to Ambient) 100°C/W 100°C/W 170°C/W 195°C/W
θjC (Junction to Case) N/A N/A 25°C/W N/A
SCHEMATIC DIAGRAM

LM741
REVISION HISTORY
Changes from Revision B (March 2013) to Revision C Page
• Changed layout of National Data Sheet to TI format ............................................................................................................. 4

PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com 11-Apr-2013
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device Status Package Type Package Pins Package Eco Plan Lead/Ball Finish MSL Peak Temp Op Temp (°C) Top-Side Markings Samples
(1) Drawing Qty (2) (3) (4)
LM741CH ACTIVE TO-99 LMC 8 500 TBD Call TI Call TI 0 to 70 LM741CH
LM741CH/NOPB ACTIVE TO-99 LMC 8 500 Green (RoHS POST-PLATE Level-1-NA-UNLIM 0 to 70 LM741CH
& no Sb/Br)
LM741CN ACTIVE PDIP P 8 40 TBD Call TI Call TI 0 to 70 LM
741CN
LM741CN/NOPB ACTIVE PDIP P 8 40 Green (RoHS SN Level-1-NA-UNLIM 0 to 70 LM
& no Sb/Br) 741CN
LM741H ACTIVE TO-99 LMC 8 500 TBD Call TI Call TI -55 to 125 LM741H
LM741H/NOPB ACTIVE TO-99 LMC 8 500 Green (RoHS POST-PLATE Level-1-NA-UNLIM -55 to 125 LM741H
& no Sb/Br)
LM741J ACTIVE CDIP NAB 8 40 TBD Call TI Call TI -55 to 125 LM741J
U5B7741312 ACTIVE TO-99 LMC 8 500 TBD Call TI Call TI -55 to 125 LM741H
U5B7741393 ACTIVE TO-99 LMC 8 500 TBD Call TI Call TI 0 to 70 LM741CH
U9T7741393 ACTIVE PDIP P 8 40 TBD Call TI Call TI 0 to 70 LM

741CN
(1)
The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2)
Eco Plan - The planned eco-friendly classification: Pb-Free (RoHS), Pb-Free (RoHS Exempt), or Green (RoHS & no Sb/Br) - please check http://www.ti.com/productcontent for the latest availability
information and additional product content details.
TBD: The Pb-Free/Green conversion plan has not been defined.
Pb-Free (RoHS): TI's terms "Lead-Free" or "Pb-Free" mean semiconductor products that are compatible with the current RoHS requirements for all 6 substances, including the requirement that
lead not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, TI Pb-Free products are suitable for use in specified lead-free processes.
Pb-Free (RoHS Exempt): This component has a RoHS exemption for either 1) lead-based flip-chip solder bumps used between the die and package, or 2) lead-based die adhesive used between
the die and leadframe. The component is otherwise considered Pb-Free (RoHS compatible) as defined above.
Green (RoHS & no Sb/Br): TI defines "Green" to mean Pb-Free (RoHS compatible), and free of Bromine (Br) and Antimony (Sb) based flame retardants (Br or Sb do not exceed 0.1% by weight
in homogeneous material)
Addendum-Page 1
(3)
MSL, Peak Temp. -- The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4)
Multiple Top-Side Markings will be inside parentheses. Only one Top-Side Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a
continuation of the previous line and the two combined represent the entire Top-Side Marking for that device.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
MECHANICAL DATA
NAB0008A
J08A (Rev M)
www.ti.com
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changes to its semiconductor products and services per JESD46, latest issue, and to discontinue any product or service per JESD48, latest
issue. Buyers should obtain the latest relevant information before placing orders and should verify that such information is current and
complete. All semiconductor products (also referred to herein as “components”) are sold subject to TI’s terms and conditions of sale
supplied at the time of order acknowledgment.
TI warrants performance of its components to the specifications applicable at the time of sale, in accordance with the warranty in TI’s terms
and conditions of sale of semiconductor products. Testing and other quality control techniques are used to the extent TI deems necessary
to support this warranty. Except where mandated by applicable law, testing of all parameters of each component is not necessarily
performed.
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applications using TI components. To minimize the risks associated with Buyers’ products and applications, Buyers should provide
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Buyer acknowledges and agrees that it is solely responsible for compliance with all legal, regulatory and safety-related requirements
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that may be provided by TI. Buyer represents and agrees that it has all the necessary expertise to create and implement safeguards which
anticipate dangerous consequences of failures, monitor failures and their consequences, lessen the likelihood of failures that might cause
harm and take appropriate remedial actions. Buyer will fully indemnify TI and its representatives against any damages arising out of the use
of any TI components in safety-critical applications.
In some cases, TI components may be promoted specifically to facilitate safety-related applications. With such components, TI’s goal is to
help enable customers to design and create their own end-product solutions that meet applicable functional safety standards and
requirements. Nonetheless, such components are subject to these terms.
No TI components are authorized for use in FDA Class III (or similar life-critical medical equipment) unless authorized officers of the parties
have executed a special agreement specifically governing such use.
Only those TI components which TI has specifically designated as military grade or “enhanced plastic” are designed and intended for use in
military/aerospace applications or environments. Buyer acknowledges and agrees that any military or aerospace use of TI components
which have not been so designated is solely at the Buyer's risk, and that Buyer is solely responsible for compliance with all legal and
regulatory requirements in connection with such use.
TI has specifically designated certain components as meeting ISO/TS16949 requirements, mainly for automotive use. In any case of use of
non-designated products, TI will not be responsible for any failure to meet ISO/TS16949.
Products Applications
Audio www.ti.com/audio Automotive and Transportation www.ti.com/automotive
Amplifiers amplifier.ti.com Communications and Telecom www.ti.com/communications
Data Converters dataconverter.ti.com Computers and Peripherals www.ti.com/computers
DLP® Products www.dlp.com Consumer Electronics www.ti.com/consumer-apps
DSP dsp.ti.com Energy and Lighting www.ti.com/energy
Clocks and Timers www.ti.com/clocks Industrial www.ti.com/industrial
Interface interface.ti.com Medical www.ti.com/medical
Logic logic.ti.com Security www.ti.com/security
Power Mgmt power.ti.com Space, Avionics and Defense www.ti.com/space-avionics-defense
Microcontrollers microcontroller.ti.com Video and Imaging www.ti.com/video
RFID www.ti-rfid.com
OMAP Applications Processors www.ti.com/omap TI E2E Community e2e.ti.com
Wireless Connectivity www.ti.com/wirelessconnectivity
Mailing Address: Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated
DISCRETE SEMICONDUCTORS
M3D176
1N4148; 1N4448
High-speed diodes
Product specification 1999 May 25
Supersedes data of 1996 Sep 03
Philips Semiconductors Product specification
High-speed diodes 1N4148; 1N4448
FEATURES DESCRIPTION
• Hermetically sealed leaded glass The 1N4148 and 1N4448 are high-speed switching diodes fabricated in planar
SOD27 (DO-35) package technology, and encapsulated in hermetically sealed leaded glass SOD27
• High switching speed: max. 4 ns (DO-35) packages.
• General application
• Continuous reverse voltage:
max. 75 V
• Repetitive peak reverse voltage: k a
max. 75 V
• Repetitive peak forward current: MAM246
max. 450 mA.

The diodes are type branded.
APPLICATIONS
Fig.1 Simplified outline (SOD27; DO-35) and symbol.
• High-speed switching.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VRRM repetitive peak reverse voltage − 75 V
VR continuous reverse voltage − 75 V
IF continuous forward current see Fig.2; note 1 − 200 mA
IFRM repetitive peak forward current − 450 mA
IFSM non-repetitive peak forward current square wave; Tj = 25 C prior to
surge; see Fig.4
t = 1 s − 4 A
t = 1 ms − 1 A
t=1s − 0.5 A
Ptot total power dissipation Tamb = 25 C; note 1 − 500 mW
Tstg storage temperature −65 +200 C
Tj junction temperature − 200 C
Note
1. Device mounted on an FR4 printed circuit-board; lead length 10 mm.
1999 May 25 2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj = 25 C unless otherwise specified.
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT

VF forward voltage see Fig.3
1N4148 IF = 10 mA − 1 V
1N4448 IF = 5 mA 0.62 0.72 V
IF = 100 mA − 1 V
IR reverse current VR = 20 V; see Fig.5 25 nA
VR = 20 V; Tj = 150 C; see Fig.5 − 50 A
IR reverse current; 1N4448 VR = 20 V; Tj = 100 C; see Fig.5 − 3 A
Cd diode capacitance f = 1 MHz; VR = 0; see Fig.6 4 pF
trr reverse recovery time when switched from IF = 10 mA to 4 ns
IR = 60 mA; RL = 100 ;
measured at IR = 1 mA; see Fig.7
Vfr forward recovery voltage when switched from IF = 50 mA; − 2.5 V
tr = 20 ns; see Fig.8
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

Rth j-tp thermal resistance from junction to tie-point lead length 10 mm 240 K/W
Rth j-a thermal resistance from junction to ambient lead length 10 mm; note 1 350 K/W
Note
1. Device mounted on a printed circuit-board without metallization pad.
1999 May 25 3
GRAPHICAL DATA
MBG451 MBG464
300 600
IF IF
(mA) (mA)
200 400
(1) (2) (3)
100 200
0 0
0 100 Tamb (oC) 200 0 1 VF (V) 2
(1) Tj = 175 C; typical values.

Device mounted on an FR4 printed-circuit board; lead length 10 mm.
(2) Tj = 25 C; typical values.
(3) Tj = 25 C; maximum values.
Fig.2 Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient Fig.3 Forward current as a function of forward
temperature. voltage.
MBG704
102
IFSM
(A)
10
10−1
1 10 102 103 104
tp (s)
Based on square wave currents.

Tj = 25 C prior to surge.
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
1999 May 25 4
MGD290 MGD004
103
1.2
IR
Cd
(A)
(pF)
102
1.0
(1) (2)
10
0.8
1
0.6
10−1
10−2 0.4
0 100 200 0 10 20
Tj (oC) VR (V)
(1) VR = 75 V; typical values.

(2) VR = 20 V; typical values.
f = 1 MHz; Tj = 25 C.
Fig.5 Reverse current as a function of junction Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse
temperature. voltage; typical values.
1999 May 25 5
tr tp
t
D.U.T. 10%
RS = 50  IF IF t rr
SAMPLING t
OSCILLOSCOPE
V = VR IF x R S R i = 50 
90% (1)
VR
MGA881
input signal output signal
(1) IR = 1 mA.
Fig.7 Reverse recovery voltage test circuit and waveforms.
I 1 k 450 
I V
90%
RS = 50 
OSCILLOSCOPE Vfr
D.U.T.
R i = 50 
10%
MGA882 t t
tr tp
input output
signal signal
Fig.8 Forward recovery voltage test circuit and waveforms.
1999 May 25 6
PACKAGE OUTLINE
Hermetically sealed glass package; axial leaded; 2 leads SOD27
(1)
D L G1 L
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

G1 0 1 2 mm
b D L
UNIT
max. max. max. min. scale
mm 0.56 1.85 4.25 25.4
Note
1. The marking band indicates the cathode.
OUTLINE REFERENCES EUROPEAN

ISSUE DATE
VERSION IEC JEDEC EIAJ PROJECTION
SOD27 A24 DO-35 SC-40 97-06-09
DEFINITIONS
Data Sheet Status

Objective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development.
Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
Product specification This data sheet contains final product specifications.
Limiting values
Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or
more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation
of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the specification
is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.
Application information
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.
LIFE SUPPORT APPLICATIONS

These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these
products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for
use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such
improper use or sale.
1999 May 25 7
Philips Semiconductors – a worldwide company
Argentina: see South America Netherlands: Postbus 90050, 5600 PB EINDHOVEN, Bldg. VB,
Australia: 34 Waterloo Road, NORTH RYDE, NSW 2113, Tel. +31 40 27 82785, Fax. +31 40 27 88399
Tel. +61 2 9805 4455, Fax. +61 2 9805 4466 New Zealand: 2 Wagener Place, C.P.O. Box 1041, AUCKLAND,
Austria: Computerstr. 6, A-1101 WIEN, P.O. Box 213, Tel. +64 9 849 4160, Fax. +64 9 849 7811
Tel. +43 1 60 101 1248, Fax. +43 1 60 101 1210 Norway: Box 1, Manglerud 0612, OSLO,
Belarus: Hotel Minsk Business Center, Bld. 3, r. 1211, Volodarski Str. 6, Tel. +47 22 74 8000, Fax. +47 22 74 8341
220050 MINSK, Tel. +375 172 20 0733, Fax. +375 172 20 0773 Pakistan: see Singapore
Belgium: see The Netherlands Philippines: Philips Semiconductors Philippines Inc.,
Brazil: see South America 106 Valero St. Salcedo Village, P.O. Box 2108 MCC, MAKATI,
Metro MANILA, Tel. +63 2 816 6380, Fax. +63 2 817 3474
Bulgaria: Philips Bulgaria Ltd., Energoproject, 15th floor,
51 James Bourchier Blvd., 1407 SOFIA, Poland: Ul. Lukiska 10, PL 04-123 WARSZAWA,
Tel. +359 2 68 9211, Fax. +359 2 68 9102 Tel. +48 22 612 2831, Fax. +48 22 612 2327
Canada: PHILIPS SEMICONDUCTORS/COMPONENTS, Portugal: see Spain
Tel. +1 800 234 7381, Fax. +1 800 943 0087 Romania: see Italy
China/Hong Kong: 501 Hong Kong Industrial Technology Centre, Russia: Philips Russia, Ul. Usatcheva 35A, 119048 MOSCOW,
72 Tat Chee Avenue, Kowloon Tong, HONG KONG, Tel. +7 095 755 6918, Fax. +7 095 755 6919
Tel. +852 2319 7888, Fax. +852 2319 7700 Singapore: Lorong 1, Toa Payoh, SINGAPORE 319762,
Colombia: see South America Tel. +65 350 2538, Fax. +65 251 6500
Czech Republic: see Austria Slovakia: see Austria
Denmark: Sydhavnsgade 23, 1780 COPENHAGEN V, Slovenia: see Italy
Tel. +45 33 29 3333, Fax. +45 33 29 3905 South Africa: S.A. PHILIPS Pty Ltd., 195-215 Main Road Martindale,
Finland: Sinikalliontie 3, FIN-02630 ESPOO, 2092 JOHANNESBURG, P.O. Box 58088 Newville 2114,
Tel. +358 9 615 800, Fax. +358 9 6158 0920 Tel. +27 11 471 5401, Fax. +27 11 471 5398
France: 51 Rue Carnot, BP317, 92156 SURESNES Cedex, South America: Al. Vicente Pinzon, 173, 6th floor,
Tel. +33 1 4099 6161, Fax. +33 1 4099 6427 04547-130 SÃO PAULO, SP, Brazil,
Germany: Hammerbrookstraße 69, D-20097 HAMBURG, Tel. +55 11 821 2333, Fax. +55 11 821 2382
Tel. +49 40 2353 60, Fax. +49 40 2353 6300 Spain: Balmes 22, 08007 BARCELONA,
Hungary: see Austria Tel. +34 93 301 6312, Fax. +34 93 301 4107
India: Philips INDIA Ltd, Band Box Building, 2nd floor, Sweden: Kottbygatan 7, Akalla, S-16485 STOCKHOLM,
254-D, Dr. Annie Besant Road, Worli, MUMBAI 400 025, Tel. +46 8 5985 2000, Fax. +46 8 5985 2745
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Indonesia: PT Philips Development Corporation, Semiconductors Division, Tel. +41 1 488 2741 Fax. +41 1 488 3263
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Middle East: see Italy Tel. +381 11 62 5344, Fax.+381 11 63 5777
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Printed in The Netherlands 115002/03/pp8 Date of release: 1999 May 25 Document order number: 9397 750 05892
To-18 Ceramic Package Photocells
NSL-19M51
WWW.LUNAINC.COM Precision – Control – Results
3.4 +/- 0.2 36 +/- 2
4.1 +/- 0.2 2.5
1.8 Max
Lead dia.: 0.4 +/- 0.05
Dimensions in mm.
DESCRIPTION FEATURES
The NSL-19M51 is a light dependent resistor with sensitivity in the visible • Passive resistance output
light region. The CdS photoconductive cell is on a TO-18 ceramic and the • Ceramic package
photocell surface is plastic encapsulated for moisture resistance.
RELIABILITY APPLICATIONS
Contact Luna for recommendations on specific test conditions and • Industrial
procedures.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

SYMBOL MIN MAX UNITS (TA)= 23°C UNLESS OTHERWISE NOTED
Voltage (peak AC or DC) - - 100 V -

Power Dissipation @ 25°C1 - - 50 mW -
Operation Temperature -60 to +75 °C -
Storage Temperature -60 to +75 °C -
Soldering Temperature2 - - +260 °C -
NOTES:
1. Derate linearly to 0 at 75C
2. >0.05” from case for <10 sec.
Information in this technical datasheet is believed to

be correct and reliable. However, no responsibility is REV 01-04-16
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assumed for possible inaccuracies or omission. © 2016 Luna Optoelectronics. All rights reserved.
Specifications are subject to change without notice.
Luna Optoelectronics, 1240 Avenida Acaso, Camarillo CA 93012 • Phone (805) 987-0146 • Fax (805) 484-9935
To-18 Ceramic Package Photocells
NSL-19M51
WWW.LUNAINC.COM Precision – Control – Results

Ta = 23°C unless noted otherwise
OPTO-ELECTRICAL PARAMETERS
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
10 lux., 2854°K3 20 - 100
Light Resistance KΩ
100 lux., 2854°K3 - 5 -
Dark Resistance 10 sec after removal of test light. 20 - - MΩ
Spectral Peak - - 550 - nm
Gamma 1-10 Lux - 0.7 - -
Gamma 10-100 Lux - 0.7 - -
NOTE:
3. Cells light adapted at 30 to 50 Ftc for 16 hrs minimum prior to electrical tests.
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Mouser Electronics
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Kingbright:
L1503SRC/F L53SRC/DU L53SRD/D L53SURC/E L7113SRD/G L7113MGC L53SYT L53SGD L53SED
L53SYD L53SYC L53SGC L53SEC L53SET L53MGC
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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC546/D
 
NPN Silicon  
   
   
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
1
MAXIMUM RATINGS 2
3
BC BC BC
Rating Symbol 546 547 548 Unit CASE 29–04, STYLE 17
Collector– Emitter Voltage VCEO 65 45 30 Vdc TO–92 (TO–226AA)
Collector– Base Voltage VCBO 80 50 30 Vdc

Emitter– Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 100 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mW
Derate above 25C 5.0 mW/C
Total Device Dissipation @ TC = 25C PD 1.5 Watt
Derate above 25C 12 mW/C
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 55 to +150 C
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient RJA 200 C/W
Thermal Resistance, Junction to Case RJC 83.3 C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector– Emitter Breakdown Voltage BC546 V(BR)CEO 65 — — V
(IC = 1.0 mA, IB = 0) BC547 45 — —
BC548 30 — —
Collector– Base Breakdown Voltage BC546 V(BR)CBO 80 — — V
(IC = 100 Adc) BC547 50 — —
BC548 30 — —
Emitter– Base Breakdown Voltage BC546 V(BR)EBO 6.0 — — V
(IE = 10 A, IC = 0) BC547 6.0 — —
BC548 6.0 — —
Collector Cutoff Current ICES
(VCE = 70 V, VBE = 0) BC546 — 0.2 15 nA
(VCE = 50 V, VBE = 0) BC547 — 0.2 15
(VCE = 35 V, VBE = 0) BC548 — 0.2 15
(VCE = 30 V, TA = 125C) BC546/547/548 — — 4.0 A
REV 1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data 1

 Motorola, Inc. 1996
         

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE —
(IC = 10 A, VCE = 5.0 V) BC547A/548A — 90 —
BC546B/547B/548B — 150 —
BC548C — 270 —
(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V) BC546 110 — 450

BC547 110 — 800
BC548 110 — 800
BC547A/548A 110 180 220
BC546B/547B/548B 200 290 450
BC547C/BC548C 420 520 800
(IC = 100 mA, VCE = 5.0 V) BC547A/548A — 120 —

BC546B/547B/548B — 180 —
BC548C — 300 —
Collector– Emitter Saturation Voltage VCE(sat) V

(IC = 10 mA, IB = 0.5 mA) — 0.09 0.25
(IC = 100 mA, IB = 5.0 mA) — 0.2 0.6
(IC = 10 mA, IB = See Note 1) — 0.3 0.6
Base– Emitter Saturation Voltage VBE(sat) — 0.7 — V
(IC = 10 mA, IB = 0.5 mA)
Base–Emitter On Voltage VBE(on) V
(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V) 0.55 — 0.7
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V) — — 0.77
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current– Gain — Bandwidth Product fT MHz
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V, f = 100 MHz) BC546 150 300 —
BC547 150 300 —
BC548 150 300 —
Output Capacitance Cobo — 1.7 4.5 pF
(VCB = 10 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Input Capacitance Cibo — 10 — pF
(VEB = 0.5 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Small–Signal Current Gain hfe —
(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V, f = 1.0 kHz) BC546 125 — 500
BC547/548 125 — 900
BC547A/548A 125 220 260
BC546B/547B/548B 240 330 500
BC547C/548C 450 600 900
Noise Figure NF dB
(IC = 0.2 mA, VCE = 5.0 V, RS = 2 k , BC546 — 2.0 10
f = 1.0 kHz, f = 200 Hz) BC547 — 2.0 10
BC548 — 2.0 10
Note 1: IB is value for which IC = 11 mA at VCE = 1.0 V.
2 Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

         

2.0 1.0
VCE = 10 V 0.9
hFE, NORMALIZED DC CURRENT GAIN 1.5 TA = 25C
TA = 25C
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0 0.7
0.8 0.6 VBE(on) @ VCE = 10 V
0.6 0.5
0.4
0.4 0.3
0.3 0.2
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0.1
0.2 0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc) IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 1. Normalized DC Current Gain Figure 2. “Saturation” and “On” Voltages
2.0 1.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (V)
VB, TEMPERATURE COEFFICIENT (mV/ C)

TA = 25C –55C to +125C
1.2
1.6
IC = 200 mA 1.6
1.2
IC = IC = IC = 50 mA IC = 100 mA
10 mA 20 mA 2.0
0.8
2.4
0.4
2.8
0
0.02 0.1 1.0 10 20 0.2 1.0 10 100
IB, BASE CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. Collector Saturation Region Figure 4. Base–Emitter Temperature Coefficient
BC547/BC548
fT, CURRENT–GAIN – BANDWIDTH PRODUCT (MHz)
10 400
300
7.0 TA = 25C
200
C, CAPACITANCE (pF)
5.0 Cib
VCE = 10 V
100
3.0 TA = 25C
80
Cob
60
2.0
40
30
1.0 20
0.4 0.6 0.8 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10 20 40 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 5. Capacitances Figure 6. Current–Gain – Bandwidth Product

         

BC547/BC548
1.0
hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
TA = 25C
VCE = 5 V
TA = 25C 0.8
VBE(sat) @ IC/IB = 10
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0
0.6
VBE @ VCE = 5.0 V
1.0
0.4
0.5
0.2
0.2
0
0.1 0.2 1.0 10 100 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 7. DC Current Gain Figure 8. “On” Voltage
–1.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.0
VB, TEMPERATURE COEFFICIENT (mV/ C)

TA = 25C
1.6 –1.4
20 mA 50 mA 100 mA 200 mA
1.2 –1.8
VB for VBE
IC = –55C to 125C
0.8 –2.2
10 mA
0.4 –2.6
0 –3.0
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IB, BASE CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region Figure 10. Base–Emitter Temperature Coefficient
BC546
40
fT, CURRENT–GAIN – BANDWIDTH PRODUCT
TA = 25C VCE = 5 V
500 TA = 25C
20
C, CAPACITANCE (pF)
Cib
200
10
100
6.0 50
4.0 Cob
20
2.0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 1.0 5.0 10 50 100
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Capacitance Figure 12. Current–Gain – Bandwidth Product

         

PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
A B
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R
IS UNCONTROLLED.
R 4. DIMENSION F APPLIES BETWEEN P AND L.
DIMENSION D AND J APPLY BETWEEN L AND K
P MINIMUM. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED
IN P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
L
SEATING F
PLANE K INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.175 0.205 4.45 5.20
D B 0.170 0.210 4.32 5.33
C 0.125 0.165 3.18 4.19
J D 0.016 0.022 0.41 0.55
X X F 0.016 0.019 0.41 0.48
G G 0.045 0.055 1.15 1.39
H H 0.095 0.105 2.42 2.66
SECTION X–X J 0.015 0.020 0.39 0.50
V C K 0.500 ––– 12.70 –––
L 0.250 ––– 6.35 –––
N 0.080 0.105 2.04 2.66
1 N P ––– 0.100 ––– 2.54
R 0.115 ––– 2.93 –––
N V 0.135 ––– 3.43 –––
STYLE 17:
CASE 029–04 PIN 1. COLLECTOR
2. BASE
(TO–226AA) 3. EMITTER
ISSUE AD

         

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
Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding
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Motorola and are registered trademarks of Motorola, Inc. Motorola, Inc. is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.

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 BC546/D

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LM741
Single Operational Amplifier
Features Description
• Short circuit protection The LM741 series are general purpose operational amplifi-
• Excellent temperature stability ers. It is intended for a wide range of analog applications.
• Internal frequency compensation The high gain and wide range of operating voltage provide
• High Input voltage range superior performance in intergrator, summing amplifier, and
• Null of offset general feedback applications.
8-DIP
8-SOP
Internal Block Diagram
Rev. 1.0.1
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
LM741
Schematic Diagram
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C)

Parameter Symbol Value Unit
Supply Voltage VCC ±18 V
Differential Input Voltage VI(DIFF) 30 V
Input Voltage VI ±15 V
Output Short Circuit Duration - Indefinite -
Power Dissipation PD 500 mW
Operating Temperature Range
LM741C TOPR 0 ~ + 70 °C
LM741I -40 ~ +85
Storage Temperature Range TSTG -65 ~ + 150 °C
2
LM741
Electrical Characteristics
(VCC = 15V, VEE = - 15V. TA = 25 °C, unless otherwise specified)
LM741C/LM741I
Parameter Symbol Conditions Unit
Min. Typ. Max.
RS≤10KΩ - 2.0 6.0
Input Offset Voltage VIO mV
RS≤50Ω - - -
Input Offset Voltage
VIO(R) VCC = ±20V - ±15 - mV
Adjustment Range
Input Offset Current IIO - - 20 200 nA
Input Bias Current IBIAS - - 80 500 nA
Input Resistance (Note1) RI VCC =±20V 0.3 2.0 - MΩ
Input Voltage Range VI(R) - ±12 ±13 - V
VCC =±20V,
RL≥2KΩ - - -
VO(P-P) =±15V
Large Signal Voltage Gain GV V/mV
VCC =±15V,
20 200 -
VO(P-P) =±10V
Output Short Circuit Current ISC - - 25 - mA
VCC = ±20V RL≥10KΩ - - -
RL≥2KΩ - - -
Output Voltage Swing VO(P-P) V
VCC = ±15V RL≥10KΩ ±12 ±14 -
RL≥2KΩ ±10 ±13 -
RS≤10KΩ, VCM = ±12V 70 90 -
Common Mode Rejection Ratio CMRR dB
RS≤50Ω, VCM = ±12V - - -
VCC = ±15V to VCC = ±15V
- - -
RS≤50Ω
Power Supply Rejection Ratio PSRR dB
VCC = ±15V to VCC = ±15V
77 96 -
RS≤10KΩ
Transient Rise Time TR - 0.3 - µs
Unity Gain
Response Overshoot OS - 10 - %
Bandwidth BW - - - - MHz
Slew Rate SR Unity Gain - 0.5 - V/µs
Supply Current ICC RL= ∞Ω - 1.5 2.8 mA
VCC = ±20V - - -
Power Consumption PC mW
VCC = ±15V - 50 85
Note:
1. Guaranteed by design.
3
LM741
Electrical Characteristics
( 0°C ≤TA≤70 °C VCC = ±15V, unless otherwise specified)
The following specification apply over the range of 0°C ≤ TA ≤ +70 °C for the LM741C; and the -40°C ≤ TA ≤ +85 °C
for the LM741I
LM741C/LM741I
Parameter Symbol Conditions Unit
Min. Typ. Max.
RS≤50Ω - - -
Input Offset Voltage VIO mV
RS≤10KΩ - - 7.5
Input Offset Voltage Drift ∆VIO/∆T - - - µV/ °C
Input Offset Current IIO - - - 300 nA
Input Offset Current Drift ∆IIO/∆T - - - nA/ °C
Input Bias Current IBIAS - - - 0.8 µA
Input Resistance (Note1) RI VCC = ±20V - - - MΩ
Input Voltage Range VI(R) - ±12 ±13 - V
RS≥10KΩ - - -
VCC =±20V
RS≥2KΩ - - -
Output Voltage Swing VO(P-P) V
RS≥10KΩ ±12 ±14 -
VCC =±15V
RS≥2KΩ ±10 ±13 -
Output Short Circuit Current ISC - 10 - 40 mA
RS≤10KΩ, VCM = ±12V 70 90 -
Common Mode Rejection Ratio CMRR dB
RS≤50Ω, VCM = ±12V - - -
VCC = ±20V RS≤50Ω - - -
Power Supply Rejection Ratio PSRR dB
to ±5V RS≤10KΩ 77 96 -
VCC = ±20V,
- - -
VO(P-P) = ±15V
VCC = ±15V,
Large Signal Voltage Gain GV RS≥2KΩ 15 - - V/mV
VO(P.P) = ±10V
VCC = ±15V,
- - -
VO(P-P) = ±2V
Note :
1. Guaranteed by design.
4
LM741
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Output Resistance vs Frequency Figure 2. Input Resistance and Input

Capacitance vs Frequency
Figure 3. Input Bias Current vs Ambient Temperature Figure 4. Power Consumption vs Ambient Temperature
Figure 5. Input Offset Current vs Ambient Temperature Figure 6. Input Resistance vs Ambient Temperature
5
LM741
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 7. Normalized DC Parameters vs Figure 8. Frequency Characteristics vs

Ambient Temperature Ambient Temperature
Figure 9. Frequency Characteristics vs Supply Voltage Figure 10. Output Short Circuit Current vs
Ambient Temperature
Figure 11. Transient Response Figure 12. Common-Mode Rejection Ratio

vs Frequency
6
LM741
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 13. Voltage Follower Large Signal Pulse Response Figure 14. Output Swing and Input Range
vs Supply Voltage
7
LM741
Mechanical Dimensions
Package
8-DIP
)
6.40 ±0.20
0.031
0.79
0.252 ±0.008
1.524 ±0.10
0.060 ±0.004
0.018 ±0.004
0.46 ±0.10
(
#1 #8
0.362 ±0.008
MAX
9.20 ±0.20
0.378
9.60
#4 #5
0.100
2.54
5.08 3.30 ±0.30
MAX 0.130 ±0.012
0.200
7.62
0.300 3.40 ±0.20 0.33
0.134 ±0.008 0.013 MIN
+0.10
0.25 –0.05
+0.004
0.010 –0.002
0~15°
8
LM741
Mechanical Dimensions (Continued)

Package
8-SOP
0.1~0.25
MIN
0.004~0.001
1.55 ±0.20
0.061 ±0.008
)
0.022
0.56
(
#1 #8
0.194 ±0.008
MAX
4.92 ±0.20
0.202
5.13
0.016 ±0.004
0.41 ±0.10
#4 #5
0.050
1.27
6.00 ±0.30 1.80
0.236 ±0.012 MAX
0.071
0.006 -0.002
0.15 -0.05
MAX0.004
MAX0.10
3.95 ±0.20
+0.004
+0.10
0.156 ±0.008
8°
5.72
0~
0.225
0.50 ±0.20
0.020 ±0.008
9
LM741
Ordering Information
Product Number Package Operating Temperature
LM741CN 8-DIP
0 ~ + 70°C
LM741CM 8-SOP
LM741IN 8-DIP -40 ~ + 85°C
DISCLAIMER
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY
PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY
LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER
DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.
LIFE SUPPORT POLICY

FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES
OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
CORPORATION. As used herein:
1. Life support devices or systems are devices or systems 2. A critical component in any component of a life support
which, (a) are intended for surgical implant into the body, device or system whose failure to perform can be
or (b) support or sustain life, and (c) whose failure to reasonably expected to cause the failure of the life support
perform when properly used in accordance with device or system, or to affect its safety or effectiveness.
instructions for use provided in the labeling, can be
reasonably expected to result in a significant injury of the
user.
www.fairchildsemi.com
6/1/01 0.0m 001

Stock#DSxxxxxxxx
 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
NTCLE101E3C90172, NTCLE101E3C90173
www.vishay.com
Vishay BCcomponents
NTC Thermistors, Radial Leaded with Low B25/85 Values
FEATURES
• Alternate B25/85 to the NTCLE100.. series
• Linearization possible over a wider range of
temperature because lower sensitivity than
standard NTCLE101…SB0 (lower B25/85 values)
LINKS TO ADDITIONAL RESOURCES • Delivered in bulk (delivery on tape and reel
possible)
• Material categorization: for definitions of
Related
Documents compliance please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
QUICK REFERENCE DATA • Temperature measurement, sensing, control, and
VALUE compensation
PARAMETER UNIT
(per case)
DESCRIPTION
Resistance value at 25 °C 5K, 10K 
These thermistors have a NTC chip soldered between two
Tolerance on R25-value ±1 %
solid copper wires. They are gray lacquered and marked
B25/85-value 3324, 3435 K with a color dot.
Tolerance on B25/85-value ±1 %
Operating temperature range at zero
MOUNTING
-55 to +125 °C Important mounting and handling instructions: see
dissipation (1)
Response time (63.2 %)
www.vishay.com/doc?29222
1.2 s
25 °C to 85 °C in oil By soldering in any position. Not intended for potted
Dissipation factor  in still air 7 mW/K applications.
Maximum power dissipation at max. PACKAGING
250 mW
55 °C
The thermistors are packed in cardboard boxes, each box
Weight  0.22 g
contains 500 units.
Note
(1) Zero dissipation is considered as measurement power less than DESIGN-IN SUPPORT
1 % of max power For complete curve computation, please visit:
www.vishay.com/thermistors/ntc-curve-list/.
ELECTRICAL DATA AND ORDERING INFORMATION

R25 R25-TOL. B25/85 B25/85-TOL. SAP MATERIAL AND
DESCRIPTION COLOR CODE
() () (K) (± %) ORDERING NUMBER
NTC copper 0.6 color
5000 1 3324 1 NTCLE101E3C90172 Red
coded 5K 1 % bulk e3
NTC copper 0.6 color
10 000 1 3435 1 NTCLE101E3C90173 White
coded 10K 1 % bulk e3
B T
DIMENSIONS in millimeters
PARAMETER VALUE
B max. 3.5
L1 L2
T max. 2.8
L1 max. 8
F
L2 2±1
L min. 17
F 2.54
L d 0.6 ± 0.06
Revision: 18-Sep-2020 1 Document Number: 29152

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© 2022 VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC. ALL RIGHTS RESERVED
Revision: 01-Jan-2022 1 Document Number: 91000

P2N2222A
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
• These are Pb−Free Devices* http://onsemi.com
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Value Unit 2
Collector −Emitter Voltage VCEO 40 Vdc BASE
Collector −Base Voltage VCBO 75 Vdc

3
Emitter−Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
EMITTER
Collector Current − Continuous IC 600 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C PD 625 mW
Derate above 25°C 5.0 mW/°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C PD 1.5 W TO−92

Derate above 25°C 12 mW/°C CASE 29
STYLE 17
Operating and Storage Junction TJ, Tstg −55 to °C
Temperature Range +150
12 1
2
THERMAL CHARACTERISTICS 3 3
STRAIGHT LEAD BENT LEAD
Characteristic Symbol Max Unit
BULK PACK TAPE & REEL
Thermal Resistance, Junction to Ambient RqJA 200 °C/W AMMO PACK
Thermal Resistance, Junction to Case RqJC 83.3 °C/W

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum MARKING DIAGRAM
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
P2N2
222A
AYWW G
G
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
G = Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping†
P2N2222AG TO−92 5000 Units/Bulk
(Pb−Free)
P2N2222ARL1G TO−92 2000/Tape & Ammo

(Pb−Free)
†For information on tape and reel specifications,
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please including part orientation and tape sizes, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques refer to our Tape and Reel Packaging Specification
Reference Manual, SOLDERRM/D. Brochure, BRD8011/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013 1 Publication Order Number:

January, 2013 − Rev. 7 P2N2222A/D
P2N2222A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic Symbol Min Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector −Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO Vdc
(IC = 10 mAdc, IB = 0) 40 −
Collector −Base Breakdown Voltage V(BR)CBO 75 Vdc
(IC = 10 mAdc, IE = 0) −
Emitter−Base Breakdown Voltage V(BR)EBO Vdc
(IE = 10 mAdc, IC = 0) 6.0 −
Collector Cutoff Current ICEX nAdc
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc) − 10
Collector Cutoff Current ICBO mAdc
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) − 0.01
(VCB = 60 Vdc, IE = 0, TA = 150°C) − 10
Emitter Cutoff Current IEBO 10 nAdc
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0) −
Collector Cutoff Current ICEO nAdc
(VCE = 10 V) − 10
Base Cutoff Current IBEX nAdc
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc) − 20
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE −
(IC = 0.1 mAdc, VCE = 10 Vdc) 35 −
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc) 50 −
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc) 75 −
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, TA = −55°C) 35 −
(IC = 150 mAdc, VCE = 10 Vdc) (Note 1) 100 300
(IC = 150 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) (Note 1) 50 −
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc) (Note 1) 40 −
Collector −Emitter Saturation Voltage (Note 1) VCE(sat) Vdc
(IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc) − 0.3
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) − 1.0
Base −Emitter Saturation Voltage (Note 1) VBE(sat) Vdc
(IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc) 0.6 1.2
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) − 2.0
SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS
Current −Gain − Bandwidth Product (Note 2) fT MHz
(IC = 20 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz)C 300 −
Output Capacitance Cobo pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) − 8.0
Input Capacitance Cibo pF
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz) − 25
Input Impedance hie kW
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 2.0 8.0
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 0.25 1.25
Voltage Feedback Ratio hre X 10− 4
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) − 8.0
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) − 4.0
Small−Signal Current Gain hfe −
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 50 300
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 75 375
Output Admittance hoe mMhos
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 5.0 35
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 25 200
Collector Base Time Constant rb′Cc ps
(IE = 20 mAdc, VCB = 20 Vdc, f = 31.8 MHz) − 150
Noise Figure NF dB
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, RS = 1.0 kW, f = 1.0 kHz) − 4.0
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
2. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
http://onsemi.com
2
P2N2222A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)

Characteristic Symbol Min Max Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay Time (VCC = 30 Vdc, VBE(off) = −2.0 Vdc, td − 10 ns
Rise Time IC = 150 mAdc, IB1 = 15 mAdc) (Figure 1) tr − 25 ns
Storage Time (VCC = 30 Vdc, IC = 150 mAdc, ts − 225 ns
Fall Time IB1 = IB2 = 15 mAdc) (Figure 2) tf − 60 ns
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
+30 V +30 V
1.0 to 100 ms, 1.0 to 100 ms, 200
200 +16 V
+16 V DUTY CYCLE ≈ 2.0% DUTY CYCLE ≈ 2.0%
0 0
1 kW -14 V 1k CS* < 10 pF
-2 V CS* < 10 pF
< 2 ns < 20 ns
1N914
Scope rise time < 4 ns -4 V

*Total shunt capacitance of test jig,
connectors, and oscilloscope.
Figure 1. Turn−On Time Figure 2. Turn−Off Time
1000
700
500 TJ = 125°C
hFE, DC CURRENT GAIN
300
200
25°C
100
70
-55°C
50
30 VCE = 1.0 V
20 VCE = 10 V
10
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1.0 k
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. DC Current Gain
http://onsemi.com
3
P2N2222A
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

1.0
TJ = 25°C
0.8
0.6 IC = 1.0 mA 10 mA 150 mA 500 mA
0.4
0.2
0
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 4. Collector Saturation Region
200 500
IC/IB = 10 VCC = 30 V
300 IC/IB = 10
100 TJ = 25°C
200 t′s = ts - 1/8 tf IB1 = IB2
70 tr @ VCC = 30 V
50 TJ = 25°C
td @ VEB(off) = 2.0 V
100
td @ VEB(off) = 0
t, TIME (ns)
30
t, TIME (ns)
70
20 tf
50
30
10
7.0 20
5.0
10
3.0 7.0
2.0 5.0
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
Figure 5. Turn −On Time Figure 6. Turn −Off Time
10 10
RS = OPTIMUM f = 1.0 kHz
IC = 1.0 mA, RS = 150 W RS = SOURCE
8.0 RS = RESISTANCE 8.0
500 mA, RS = 200 W IC = 50 mA
NF, NOISE FIGURE (dB)
NF, NOISE FIGURE (dB)
100 mA, RS = 2.0 kW 100 mA

6.0 50 mA, RS = 4.0 kW 6.0 500 mA
1.0 mA
4.0 4.0
2.0 2.0
0 0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 50 100 200 500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k 50 k 100 k
f, FREQUENCY (kHz) RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
Figure 7. Frequency Effects Figure 8. Source Resistance Effects
http://onsemi.com
4
P2N2222A
f T, CURRENT-GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

30 500
VCE = 20 V
20 TJ = 25°C
300
Ceb
CAPACITANCE (pF)
10 200
7.0
5.0
100
Ccb
3.0 70
2.0 50
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Capacitances Figure 10. Current−Gain Bandwidth Product
1.0 +0.5
TJ = 25°C
0.8 0 RqVC for VCE(sat)

COEFFICIENT (mV/ °C)
V, VOLTAGE (VOLTS)
VBE(sat) @ IC/IB = 10
1.0 V -0.5
0.6
VBE(on) @ VCE = 10 V -1.0
0.4
-1.5
0.2
-2.0 RqVB for VBE
0 -2.5
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500
Figure 11. “On” Voltages Figure 12. Temperature Coefficients
http://onsemi.com
5
MECHANICAL CASE OUTLINE
PACKAGE DIMENSIONS
TO−92 (TO−226)
CASE 29−11
SCALE 1:1 ISSUE AM
DATE 09 MAR 2007
12 1
2
3 3
STRAIGHT LEAD BENT LEAD
BULK PACK TAPE & REEL
AMMO PACK
NOTES:
A B STRAIGHT LEAD 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
BULK PACK Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R
R IS UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND
P BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
L
SEATING INCHES MILLIMETERS
PLANE K DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.175 0.205 4.45 5.20
B 0.170 0.210 4.32 5.33
C 0.125 0.165 3.18 4.19
D 0.016 0.021 0.407 0.533
X X D G 0.045 0.055 1.15 1.39
H 0.095 0.105 2.42 2.66
G J 0.015 0.020 0.39 0.50
H J K 0.500 --- 12.70 ---
L 0.250 --- 6.35 ---
V C N 0.080 0.105 2.04 2.66
P --- 0.100 --- 2.54
SECTION X−X R 0.115 --- 2.93 ---
1 N V 0.135 --- 3.43 ---
NOTES:
A B BENT LEAD
R 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
TAPE & REEL ASME Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
AMMO PACK 3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND
DIMENSION R IS UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P
P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
T
MILLIMETERS
SEATING
PLANE K DIM MIN MAX
A 4.45 5.20
B 4.32 5.33
C 3.18 4.19
D 0.40 0.54
X X D G 2.40 2.80
J 0.39 0.50
G K 12.70 ---
J N 2.04 2.66
V P 1.50 4.00
C R 2.93 ---
V 3.43 ---
SECTION X−X
1 N
STYLES ON PAGE 2
DOCUMENT NUMBER: 98ASB42022B Electronic versions are uncontrolled except when

accessed directly from the Document Repository. Printed
STATUS: ON SEMICONDUCTOR STANDARD versions are uncontrolled except when stamped
“CONTROLLED COPY” in red.
NEW STANDARD:
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002 http://onsemi.com Case Outline Number:
October, DESCRIPTION:
2002 − Rev. 0 TO−92 (TO−226) 1 PAGE 1 OFXXX3
TO−92 (TO−226)
CASE 29−11
ISSUE AM
DATE 09 MAR 2007
STYLE 1: STYLE 2: STYLE 3: STYLE 4: STYLE 5:

PIN 1. EMITTER PIN 1. BASE PIN 1. ANODE PIN 1. CATHODE PIN 1. DRAIN
2. BASE 2. EMITTER 2. ANODE 2. CATHODE 2. SOURCE
3. COLLECTOR 3. COLLECTOR 3. CATHODE 3. ANODE 3. GATE

PIN 1. GATE PIN 1. SOURCE PIN 1. DRAIN PIN 1. BASE 1 PIN 1. CATHODE
2. SOURCE & SUBSTRATE 2. DRAIN 2. GATE 2. EMITTER 2. GATE
3. DRAIN 3. GATE 3. SOURCE & SUBSTRATE 3. BASE 2 3. ANODE
PIN 1. ANODE PIN 1. MAIN TERMINAL 1 PIN 1. ANODE 1 PIN 1. EMITTER PIN 1. ANODE 1
2. CATHODE & ANODE 2. GATE 2. GATE 2. COLLECTOR 2. CATHODE
3. CATHODE 3. MAIN TERMINAL 2 3. CATHODE 2 3. BASE 3. ANODE 2
PIN 1. ANODE PIN 1. COLLECTOR PIN 1. ANODE PIN 1. GATE PIN 1. NOT CONNECTED
2. GATE 2. BASE 2. CATHODE 2. ANODE 2. CATHODE
3. CATHODE 3. EMITTER 3. NOT CONNECTED 3. CATHODE 3. ANODE
PIN 1. COLLECTOR PIN 1. SOURCE PIN 1. GATE PIN 1. EMITTER PIN 1. MT 1
2. EMITTER 2. GATE 2. SOURCE 2. COLLECTOR/ANODE 2. GATE
3. BASE 3. DRAIN 3. DRAIN 3. CATHODE 3. MT 2
PIN 1. VCC PIN 1. MT PIN 1. CATHODE PIN 1. NOT CONNECTED PIN 1. DRAIN
2. GROUND 2 2. SUBSTRATE 2. ANODE 2. ANODE 2. GATE
3. OUTPUT 3. MT 3. GATE 3. CATHODE 3. SOURCE
PIN 1. GATE PIN 1. BASE PIN 1. RETURN PIN 1. INPUT PIN 1. GATE
2. DRAIN 2. COLLECTOR 2. INPUT 2. GROUND 2. COLLECTOR
3. SOURCE 3. EMITTER 3. OUTPUT 3. LOGIC 3. EMITTER
DOCUMENT NUMBER: 98ASB42022B Electronic versions are uncontrolled except when

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October, DESCRIPTION:
2002 − Rev. 0 TO−92 (TO−226) 2 PAGE 2 OFXXX3
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98ASB42022B
PAGE 3 OF 3
ISSUE REVISION DATE

AM ADDED BENT−LEAD TAPE & REEL VERSION. REQ. BY J. SUPINA. 09 MAR 2007
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© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007 Case Outline Number:

March, 2007 − Rev. 11AM 29
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◊
Universidad de San Carlos
Facultad de Ingeniería
Escuela Mecánica Eléctrica
Laboratorio de Instrumentación Eléctrica
Sección : L2
Profesor: Otto Andrino
Fecha: 06/12/2022
Practica 1A: Funcionamiento Básico de los Amplificadores Operacionales
Integrantes
Marcos Alexander saquil Gómez , 201701088
Yancarlo Emanuel Álvarez Sequic , 201709458
José Andrés López Figueroa , 201906131
Wilmer David Xicay Chile , 201907056
Emma Alejandra Pérez Díaz , 202000443
INTRODUCCIÓN
El amplificador operacional es uno de los dispositivos electrónicos más utilizados
en diferentes áreas de electrónica y las industrias ya que al tener una impedancia
alta en la entrada y una baja en la salida, permite hacer cambios a las señales de
entrada en magnitud por ejemplo en una alta ganancia. Los amplificadores tienen
diferentes modos de operación donde se resaltan en la práctica el modo inversor,
no inversor y diferencial, donde cada modo tiene diversos usos y características
En el amplificador operacional de modo inversor se tiene la tensión de entrada en

la cual esta se aplicará en la terminal inversora permitiendo así obtener una
ganancia constante y una señal de salida invertida respecto a la señal de entrada.
El amplificador operacional en modo no inversor a diferencia del inversor tiene la

tensión de entrada aplicada en la terminal inversora por lo que permite obtener una
tensión de salida proporcional a la entrada. Y por último el amplificador operacional
diferencial tiene la tensión de entrada aplicada tanto en la terminal inversora como
en la no inversora y la tensión de salida es proporcional a la diferencia entre las
entradas y estará en fase con las señales.
Al utilizar el amplificador operacional diferencial con dos, tres y cuatro resistencias

externas permite rechazar señales de modo común, además permite amplificar la
diferencia de las dos señales para lo cual en esta práctica se verá el efecto que
tiene el voltaje offset de entrada del amplificador operacional sobre el amplificador
operacional diferencial.
OBJETIVOS
Objetivos Generales
● Analizar el offset en un circuito de amplificador operacional con dos y tres

resistencias externas.
● Observar los parámetros de entrada/salida en un circuito de amplificador

operacional con dos y cuatro resistencias externas.
Objetivos Específicos
1. Realizar el cálculo teórico del offset de entrada y salida para un circuito de

amplificador operacional con dos y tres resistencias externas similares.
2. Realizar mediciones del offset de entrada y salida para un circuito de amplificador

operacional con dos y tres resistencias externas similares
3. Comparar los valores teóricos y experimentales de offset de un circuito

amplificador operacional con dos y tres resistencias externas similares.
4. Medir el offset de salida para un circuito amplificador operacional con dos y tres
resistencias externas luego de hacer variaciones ascendentes a una de las mismas.
5. Hallar la expresión que define el voltaje de salida en función de los voltajes de

entrada y las resistencias externas.
6. Analizar el offset de entrada, salida, la ganancia, y voltaje de salida debido a las

entradas inversora y no inversora, para un circuito de amplificador operacional con
dos y cuatro resistencias externas similares.
MARCO TEÓRICO
Amplificador operacional
Considerado como uno de los dispositivos electrónicos de mayor uso y versatilidad
en aplicaciones electrónicas lineales, el amplificador operacional, es destacado por
su bajo costo y sencillez en la utilidad, con alto campo de aplicación. Permite diseñar
y construir circuitos sin necesidad de conocer la complejidad interna del mismo. Con
sus características de acoplamiento y autoprotección disminuyen los errores más
comunes en circuitos electrónicos.
Fuente:http://www.electronicworld.com.mx/electronica/amplificadores-operacionales-configuraciones/
El amplificador operacional posee dos entradas y una salida, la salida es la

diferencia de tensión entre las dos entradas, multiplicado por un factor de ganancia
llamado A, sus usos más comunes son como comparador, sumador, restador,
derivador e integrador.
Características básicas de un amplificador operacional
● Entrada alimentación positiva (+Vs)

● Entrada alimentación negativa (-Vs)
● Entrada no inversora (+Vin)
● Entrada inversora (-Vin)
● Salida de la señal (Vout)
Amplificador Operacional Inversor
Circuito de amplificación de ganancia constante. La salida del amplificador es el

resultado de conmutar el voltaje de entrada con una ganancia fija. Esta ganancia se
determina por la configuración de componentes pasivos a los cuales está conectado
el amplificador operacional, la resistencia de entrada y la resistencia de
retroalimentación que viene desde la salida. La salida de este circuito es la señal de
entrada invertida y amplificada en proporción a la ganancia fija del mismo.
Fuente :http://www.electronicworld.com.mx/electronica/amplificadores-operacionales-configuraciones/
La corriente que viene desde la señal de entrada atraviesa la resistencia de entrada,

para luego llegar a la entrada inversora del amplificador. Puesto que hay una
impedancia muy alta en el amplificador, produce una corriente igual a 0, por lo que
la corriente continúa atravesando la resistencia de referencia para luego llegar hacia
el nodo de salida.
Se igualan ambas corrientes y se obtiene la relación de voltajes. Si analizamos

nodos para cada corriente que hemos establecido, se destacan dichas relaciones
de voltaje, de esta manera:
Amplificador Operacional No Inversor
Los amplificadores en su configuración como no inversor tiene como finalidad

amplificar la señal de entrada. La amplificación o ganancia de la señal de
salida se determinará por la ecuación del amplificador no inversor que
podrás observar en el siguiente diagrama del circuito amplificador no inversor
Puesto que la corriente que transita entre las terminales es muy pequeña, se puede
considerar que la terminal inversora tendrá el voltaje que se encuentra en la terminal
no inversora. Se puede observar que se comporta como un divisor de tensión que
alimenta a dicha terminal inversora; entonces el voltaje de salida produce una
aparente caída de tensión, la cual tendrá el valor de la fuente de voltaje que se
encuentra en la terminal no inversora.
Si se analiza el sentido de las corrientes, y se determinan los nodos del circuito,
para lo cual hallamos la relación de voltajes. La corriente que viene desde la terminal
de salida atraviesa la resistencia de referencia hasta llegar a la terminal inversora,
donde existirá un voltaje proporcionado por la fuente de tensión que entra al
amplificador.
Amplificador Operacional en modo diferencial
El amplificador diferencial tiene como finalidad obtener como salida la diferencia

(resta) de las dos señales de entrada y amplificar el resultado. Podrás observar la
fórmula del amplificador diferencial en el diagrama del circuito amplificador
diferencial.
Voltaje Offset
Al trabajar con circuitos de alta precisión, es importante conocer las limitaciones y

errores que tienen los componentes que utilizaremos. Explicaremos el concepto de
“Voltaje de Offset”, que se puede encontrar en un amplificador operacional. Cuando
trabajamos con un OP AMP, en la mayoría de los casos estamos buscando que
realice una operación matemática con voltajes de entrada. Idealmente, si el
amplificador no tiene un voltaje de entrada, el voltaje de salida debería ser cero
volts. Sin embargo, si realizamos un ejercicio físico, podremos notar que el voltaje
de salida no es 0, aun cuando no tenga nada conectado en sus pines de entrada. A
dicho error se le llama voltaje offset, podríamos definirlo como aquel voltaje diferente
de cero que se logra medir a la salida de un amplificador operacional aun cuando
sus voltajes de entrada sean 0 volts.
Ganancia
Se puede decir que la ganancia de un amplificador es la relación que existe entre el

valor de la señal obtenida a la salida y el de la entrada. Dependiendo de la magnitud
eléctrica que estemos tratando, se pueden observar tres tipos de ganancias.
MÉTODOS Y MATERIALES
Componentes a utilizar en la práctica:
● Amplificador Operacional LM741

● Software Simulador NI Multisim
● Resistencias
● Fuente DC
● Fuente AC
● Multímetros
● Osciloscopio
● Potenciómetros de 100kΩ
● Potenciómetros de 15kΩ
● Switch
Circuito 1.1
1.Se armó el circuito en el software Multisim, con el objetivo de analizar el offset en

un circuito de amplificador operacional, esto teniendo en cuenta dos resistencias
externas.
2.Se realizó el cálculo teórico para el offset de entrada y salida utilizando el circuito
dado en multisim con los valores de resistencias Ri= 50 KΩ y Rf= 50 KΩ.
3.Se midió el offset de entrada y salida en multisim con los valores de resistencia
anteriores y se compararon los valores medidos y los valores teóricos obtenidos. y
se determinó el porcentaje de error.
4.Se realizó una tabla en Excel con las variables Ri, Rf y offset. Donde Ri es
constante con un valor del 50%; y Rf tiene variaciones de 10 % cada una hasta
llegar al 100% que son 100 KΩ. Para cada variación se midió el offset de salida y
se guardaron los valores correspondientes en la Tabla 1.1.1
a. Se gráfico
5.Se realizó una tabla en Excel con las variables Ri, Rf y offset. Donde Rf es
constante con un valor del 50%; y Ri tiene variaciones de 10 % cada una hasta
b. Se gráfico
Circuito 1.2
1.Se armó el circuito en el software Multisim, con el objetivo de analizar el offset en

un circuito de amplificador operacional, esto teniendo en cuenta tres resistencias
externas.
2.Se realizó el cálculo teórico para el offset de entrada y salida utilizando el circuito
dado en multisim con los valores de resistencias Ri= 50 KΩ, Rf= 50 KΩ, Ri´= 50 KΩ.
3.Se midió el offset de entrada y salida en multisim con los valores de resistencia
anteriores.
4.Se compararon los valores medidos y los valores teóricos obtenidos. y se

determinó el porcentaje de error.
5.Se realizó una tabla en Excel con las variables Ri, Rf, Ri´ y offset. Donde Rf y Ri´
es constante con un valor del 50%; y Ri tiene variaciones de 10 % cada una hasta
a. Se gráfico
6.Se realizó una tabla en Excel con las variables Ri, Rf, Ri´ y offset. Donde Ri y Ri´
es constante con un valor del 50%; y Rf tiene variaciones de 10 % cada una hasta
se guardaron los valores correspondientes en la Tabla 2.2
b. Se gráfico
7.Se realizó una tabla en Excel con las variables Ri, Rf, Ri´ y offset. Donde Ri y Rf
es constante con un valor del 50%; y Ri´ tiene variaciones de 10 % cada una hasta
se guardaron los valores correspondientes en la Tabla 2.6
c. Se gráfico
Circuito 1.3
Se armó el circuito en el software Multisim, con el objetivo de analizar el offset en
un circuito de amplificador operacional, esto teniendo en cuenta dos resistencias
externas.
1.Se encontró la expresión que define el voltaje de salida en función de las variables
V1, V2, Ri y Rf.
2.Se calcularon: el voltaje offset de salida, la ganancia diferencial, voltaje de salida
de la entrada no inversora, la ganancia debido a la entrada no inversora, el voltaje
de salida debido a la entrada inversora ,la ganancia debido a la entrada inversora,
el voltaje de salida de la combinación de ambas entradas.Se compararon las
ganancias obtenidas para ambas entradas.
3.Se realizó una tabla de Excel con todas las variables calculadas en el inciso
anterior, se midió el valor de las mismas en multisim.
4.Se compararon los resultados teóricos y medidos en la tabla de Excel y se

encontró el porcentaje de error.
Circuito 1.4
1.Se armo el circuito de la figura 1.4
2.Halle la expresión que define el voltaje de salida en función de las variables V1,
V2, Ri, Rf, Rí, y R´f.
3.Se calculo lo que fueron el voltaje offset de salida,a la ganancia diferencia, el

voltaje de salida debido a la entrada no inversora,la ganancia debido a la entrada
no inversora, el voltaje de salida debido a la entrada inversora la ganancia debido a
la entrada inversora,el voltaje de salida de la combinación de ambas entradas, para
luego comparar las ganancias obtenidas para ambas entrada.
4.Se realizó una tabla de Excel con todas las variables calculadas en el inciso
anterior, mida el valor de las mismas en Multisim.
5.Se compararon los resultados teóricos y medidos en la tabla de Excel y encuentre

el porcentaje de error. Comente los resultados obtenidos.
RESULTADOS
Circuito 1.1
Se realizó el cálculo teórico del offset de entrada y salida con los valores de
resistencia Ri=50 KΩ y Rf=50 KΩ.
Utilizando así la sumatoria de corriente.
(1)
Se observa que Vb = 0 , pero esto no sucede ya que este amplificador no es ideal,
así que Vb se denominara como el voltaje de entrada offset ya que es constante.
(2)
Tomando sumatoria de corriente en Va y analizando el circuito se obtiene lo
siguiente:
(3)
El voltaje Offset de entrada Vi está dado por el fabricante, este dato se encuentra
en el Datasheet del OP LM741 NC al final del documento. Para este caso se usará
como ejemplo el fabricante de Texas Instruments. Como se puede observar el
Datasheet del OP AMP anterior, el voltaje de entrada offset es de 1mV. Ahora bien
sustituyendo los valores se obtiene:
Tabla 1.1: Valores teóricos de voltajes offset de entrada y salida
Con los mismos datos del ejercicio anterior, se midió el offset de entrada y salida
del circuito propuesto en Multisim.
Figura 1.1: Circuito offset con dos resistencias externas
Fuente: Elaboración propia en Multisim, 2022.
Tabla 1.2: Valores experimentales de voltajes offset de entrada y salida.
Vi[µv] Vo[mv]
999.98 7.093
Tabla 1.3: Comparación entre los valores experimentales y teóricos offset de
entrada y salida
Vi [mV] Vo [mV]
Dato experimental 0.999 7.093
Dato teórico 1.00 2.00
Porcentaje de error 0.10% 71.80%

Tabla 1.4: Valores de voltaje offset cuando se hace variar Rf
Fuente: Elaboración propia en Excel, 2022.
Gráfica 1.1: Gráfica offset vrs las variaciones de Rf.
Fuente: Elaboración propia en Matlab, 2022.

Tabla 1.5: Tabla offset vrs las variaciones de Ri.
Gráfica 1.2: Gráfica offset vrs las variaciones de Ri.

Circuito 2.2
Se realizó el cálculo teórico del offset de entrada y salida con los valores de
resistencia Ri=50 KΩ, Rí=50 KΩ y Rf=50 KΩ. Analizando en el nodo Vb, usaremos
sumatoria de corriente.
Como podemos observar Vb = 0 , pero realmente esto no sucede ya que este

amplificador no es ideal por lo cual no se tiene impedancia infinita en la entrada no
inversora, por lo cual Vb se le denomina voltaje de entrada offset y siempre
permanece constante.
Tomando sumatoria de corriente en Va y analizando el circuito se obtiene lo

siguiente:
El voltaje Offset de entrada Vi está dado por el fabricante, este dato se encuentra
en el Datasheet del OP LM741 NC. Para este caso se usará como ejemplo el
fabricante de Texas Instruments. Como se puede observar el Datasheet del OP
AMP anterior, el voltaje de entrada offset es de 1mV. Sustituyendo los valores
obtenemos como resultado.
Tabla 2.1: Valores teóricos de voltajes offset de entrada y salida.
Con los mismos datos del ejercicio anterior, se midió el offset de entrada y salida
del circuito propuesto en Multisim.
Figura 2.1: Circuito offset con tres resistencias externas
Fuente: Elaboración Propia en Multisim, 2022
Tabla 2.2: Valores experimentales de voltajes offset de entrada y salida.
Vi[µv] Vo[mv]
999.98 7.093
Tabla 2.3. Comparación entre los valores experimentales y teóricos offset de
entrada y salida.
Vi [mV] Vo [mV]
Dato experimental 0.999 7.093
Dato teórico 1 2
Error porcentual 0.10% 71.80%

Tabla 2.4: Tabla offset vrs las variaciones de Ri

Gráfica 2.1: Gráfica offset vrs las variaciones de Ri.
Tabla 2.5: Tabla offset vrs las variaciones de Rf

Gráfica 2.2: Gráfica offset vrs las variaciones de Rf.
Tabla 2.6: Tabla offset vrs las variaciones de Ri´

Gráfica 2.3: Gráfica offset vrs las variaciones de Ri´.
Circuito 1.3 Análisis de un amplificador operacional diferencial con dos resistencias

externas.
.
Fuente: Elaboración propia en Multisim, 2022.
Cálculo de voltaje y ganancia del circuito.
Se tomó como referencia las siguientes ecuaciones de voltaje en la terminal
inversora y no inversora.
+𝑉 = −𝑉 = 𝑉1
Dado que la corriente en las entradas inversora y no inversora con igual a cero se
tiene que:
𝐼1 = 𝐼2 = 0
Aplicando ley de Ohm se tienen las expresiones de corriente
(𝑉1 − 𝑉2 )/𝑅𝑖 = (𝑉1 − 𝑉𝑜 )/𝑅𝑓
Donde: 𝑉𝑜 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎.

𝑅𝑓
𝑉𝑜 = 𝑉1 − (𝑉 − 𝑉2 )
𝑅1 1
Sustituyendo los valores en la ecuación, se obtiene la expresión para el voltaje de
salida.
15𝑘𝛺
𝑉𝑜 = 5𝑚𝑉 − (5𝑚𝑉 − 3𝑚𝑉) = 𝑉𝑜 = 3𝑚𝑉
15𝑘𝛺
Calculando la ganancia diferencial:
𝑉𝑜 3𝑚𝑉
𝐴𝑑 = = = 3/5
𝑉𝑖 5𝑚𝑉
El voltaje de salida debido a la entrada no inversora, tomando el voltaje en la

terminal inversora igual a cero.
𝑉2 = 0
𝑅𝑓 15𝑘𝛺
𝑉0 = 𝑉1 ( + 1) = 5𝑚𝑉 ( + 1) = 𝑉0 = 10𝑚𝑉
𝑅𝑖 15𝑘𝛺
Ganancia debido a la entrada no inversora.

𝑉𝑜 10𝑚𝑉
𝐴 = = 𝐴= 2
𝑉𝑖 5𝑚𝑉
Voltaje de salida debido a la entrada inversora, se toma el voltaje de la terminal no
inversora igual a cero.
𝑉1 = 0
−𝑅𝑓 −15𝑘𝛺
𝑉0 = 𝑉 = (3𝑚𝑉) = 𝑉0 = −3𝑚𝑉
𝑅𝑖 2 15𝑘𝛺
Ganancia debido a la entrada inversora:
𝑅𝑓 15𝑘𝛺
𝐴 = = 𝐴= 1
𝑅𝑖 15𝑘𝛺
Cálculo de voltaje de salida
15𝑘𝛺
𝑉𝑜 = 𝑉1 − (5𝑚𝑉 − 3𝑚𝑉) 𝑉0 = 3𝑚𝑉
15𝑘𝛺
Comparando las ganancias obtenidas para ambas entradas, se tiene que:

3
𝐴(𝑛𝑜 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟) = < 𝐴(𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟) = 1
5
Calculando el valor de CRMM al no tener señal en modo común:

𝑙𝑜𝑔(𝐴𝑑 )
𝐶𝑀𝑅𝑅 = 20 = 0
𝐴
Tabla: Comparación entre valores teóricos y valor experimental en las mediciones
realizadas.
COMPARACIÓN DE VOLTAJES
Medición EXPERIMENTAL TEÓRICO
Offset IN 181.284 mV 200 mV
Offset OUT -14.387 V -15V
OUT (no inve) 9.84 mV 10mV
OUT (inver) -3.01 mV -3mV
Voltaje 2 IN 3.094 mV 3mV

En donde:
● Offset IN = Voltaje offset en la entrada.
● Offset OUT = Voltaje offset en la salida.
● OUT (no inve) = Voltaje de salida debido a la terminal no inversora.
● OUT (inver) = Voltaje de salida debido a la terminal inversora.
● Voltaje 2 IN= Voltaje de salida respecto a las 2 entradas.
Calculo de error
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑅𝑒𝑎𝑙 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑇𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜
%𝐸 = ( ) ∗ 100%
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑇𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜
Para el voltaje Offset IN:
181.284 𝑚𝑉 − 200 𝑚𝑉
%𝐸 = ( ) ∗ 100%
181.284 𝑚𝑉
%𝐸 = 10.32%
Tabla: Comparación de resultados teóricos y experimentales, se presentan los
porcentajes de error en cada medición realizada.
MEDICIÓN %ERROR
Offset IN 10.32
Offset OUT 4.26
OUT (no inve) 1.62
OUT (inver) 0.33
Voltaje 2 IN 3.04
Circuito 1.4
Se hallo la expresión que define el voltaje de salida en función de las variables V1,
V2, Ri, Rf, Rí, y R´f.
Cálculo del voltaje offset de salida
Cálculo de la ganancia diferencial.
¿Cuál es la ganancia de salida debido a la entrada no inversora?
¿Cuál es el voltaje de salida debido a la entrada no inversora?
¿Cuál es la ganancia debido a la entrada no inversora?

¿Cuál es el voltaje de salida debido a la entrada inversora?
Se compararon las ganancias obtenidas para ambas entradas.

R//Se pudo observar que la salida de ambas entradas fue la misma ganancia, que
se obtuvo un valor unitario.
¿Están en fase las señales de entrada y salida?
Siguiente inciso:
R//Se puede observar que ambas gráficas tienen la misma frecuencia ya que
tienen la misma fase.
Siguiente inciso:Dado a que no es infinitesimalmente pequeño, ambos estan
presentes en la salida del amplificador operacional, esto por consiguiente, aumenta
la señal diferencial deseada.
Realizando la tabla en Excel:
Fuente: Elaboración propia , 2022(Excel)

DISCUSIÓN DE RESULTADOS
Para el Circuito 1.1 como se puede observar en la Tabla 1.3 el porcentaje de error
en el voltaje de entrada del dato experimental con relación al teórico no varía mucho
solo un 0.1% , sin embargo en el voltaje de salida obtuvimos un 71.80% por lo que
este si varía su dato experimental en multisim respecto a su dato teórico.
Demostrando que existe un voltaje offset en el Amplificador Operacional, esto puede
ser debido a la diferencia interna de distintos componentes electrónicos en el
amplificador.
En la Tabla 1.4 se dejó constante Ri con un valor de 50%, y a Rf se le hizo

variaciones de 10% hasta llegar al 100% hasta llegar a 100 kΩ. Se obtuvo un
incremento en el offset cada vez que el resistencia Rf iba aumentando su valor. Al
graficar los distintos valores de Rf y Offset en la salida se obtuvo la Gráfica 1.1
donde se observa que en la gráfica el voltaje offset de salida del amplificador
operacional es directamente proporcional, esto se da ya que el voltaje de salida es
dependiente al valor de la resistencia de retroalimentación (Rf).
En la Tabla 1.5 se dejó constante Rf con un valor de 50%, y a Ri se le hizo

variaciones de 10% hasta llegar al 100% hasta llegar a 100 kΩ. Se obtuvo un
decremento en el offset. Al graficar los distintos valores de Ri y offset se obtuvo la
Gráfica 1.2 donde se observa que con cada variación aplicada a Ri el voltaje offset
de salida del amplificador operacional disminuye así también como los valores de
la salida obteniéndose así una gráfica de forma exponencial, el comportamiento de
la gráfica es exponencial porque al aumentar el valor de Ri el valor del offset
disminuirá.
La utilidad de este circuito es bastante útil en la construcción de circuitos para la

medición de temperatura en base al uso de Termopares
Para el circuito 1.2 se compararon los valores medidos y los valores teóricos
obtenidos. Dichos resultados no variaron respecto a los del circuito 1 a pesar de
tener tres resistencias externas en este mismo. Su porcentaje de error en el offset
de salida se mantuvo de 71.80% y en el de entrada de 0.10%. Esto sucede ya que
el valor teórico no se asemeja al valor real lo cual ocasiona que exista una gran
diferencia entre valores. Se observa que este porcentaje de error depende mucho
del tipo de amplificador operacional que se utilice, ya que cada amplificador posee
su propio voltaje de offset.
Se realizó la Tabla 2.4 con las variables Ri, R’i, Rf y offset. Dejando constante Rf y
Rí con un valor de 50%, a Ri se le hizo variaciones de 10% hasta llegar al 100%
hasta llegar a 100 kΩ. Donde el offset fue disminuyendo exponencialmente. En los
resultados obtenidos con cada variación aplicada a Ri. En la Gráfica 2.1 se puede
observar que el voltaje offset de salida del amplificador operacional disminuye de
una manera exponencial, está variación se debe a que cuando se cambian los
valores de Ri, se tiene un divisor de voltaje con la resistencia Rf, y este divisor es
el que hace variar la salida del amplificador operacional, haciendo que las
variaciones disminuyen a valores de Ri, de otra forma se puede decir que al
aumentar el valor de Ri el valor del offset disminuirá, lo cual ocasiona un
comportamiento exponencial.
Se realizó la Tabla 2.4 con las variables Ri, R’i, Rf y offset. Dejando constante Ri y
R’i con un valor de 50%, a Rf se le hizo variaciones de 10% hasta llegar al 100%
hasta llegar a 100 kΩ. Así mismo se midió el offset de salida . En los resultados
obtenidos con cada variación aplicada a Rf como se puede observar en la Gráfica
2.2 el voltaje offset de salida del amplificador operacional es directamente
proporcional, ya que el voltaje de salida es dependiente al valor de la resistencia de
la resistencia de retroalimentación.
Se realizó la Tabla 2.5 con las variables Ri, R’i, Rf y offset. Se dejaron constantes
los valores Ri y Rf con un valor de 50%, a R’i se le hicieron variaciones de 10%
hasta llegar al 100% hasta llegar a 100 kΩ. Así mismo se midió el offset de salida.
Como se puede observar en la Gráfica 2.3 el voltaje offset de salida permanece
constante a 7.09 mV, esto sucede porque la resistencia R’i no influye al aumentar
o disminuir la resistencia. Esto quiere decir que la Rí no influye en el offset de salida
del circuito, al Rí no influir en el circuito 2 tendríamos una respuesta igual a la del
circuito 1.La utilidad de este circuito sería el mismo que el del circuito 1 al no influir
Rí
Para el circuito 1.3 el amplificador operacional esta en modo offset cuando la

entrada diferencial es nula, en esta configuración se observa que los datos
obtenidos en la experimentación son próximos entre sí teniendo un error máximo de
10.31% como se observa en la tabla para el voltaje offset de salida, al comparar la
ganancia obtenida en las entradas se observa que son similares, esta configuración
rechaza una señal común a ambas entradas por la propiedad diferencial nula, dado
que las señales de entrada del amplificador operacional en V1 y V2 son iguales.
Para el circuito 1.4 Se puede analizar que todos los valores teóricos para este circuito
se pueden calcular con solamente dos resistencias, aunque los efectos de la
compensación no se elimina por completo, se puede minimizar en gran medida
debido a la colocación de resistencias adicionales a las entradas del amplificador
operacional, lo que indica que se puede controlar mejores los efectos no deseados
de los valores de voltaje.
Algunos pequeños errores entre valores puede deberse a que el simulador no utiliza
la precisión adecuada para representar la dificultad o imprecisión del entorno
simulado en comparación con el entorno físico. Gracias a ello se puede obtener la
necesidad anterior con emparejar las ganancias.
CONCLUSIONES
1. El valor del voltaje offset del amplificador operacional tiene un valor diferente
con el valor que indica el fabricante esto puede ser ya que en condiciones
normales el amplificador operacional no es ideal y tiene varias pérdidas que
no son consideradas al momento de realizar el cálculo teórico.
2. Se determinó que el voltaje offset de entrada siempre será constante en los

amplificadores operacionales ya que el offset de salida se puede disminuir
por medio de un arreglo de resistencias externas. El voltaje de offset no
depende de la variación de Ri´, solo depende Ri y Rf.
3. Se determinó la ganancia, y el voltaje de salida debido a las entradas

inversora y no inversora para un circuito de amplificador operacional con dos
resistencias externas similares, se obtuvieron errores despreciables en las
mediciones teóricas y experimentales, siendo esta la mejor manera de hacer
los análisis.
4. Al realizar un análisis de circuito din para calcular los voltajes de los polos del
amplificador, se concluye que la resistencia Ri en sí es inversamente
proporcional, está directamente relacionado con la resistencia Rf.
5. Después de hacer los cálculos necesarios para encontrar un valor teórico,

encontramos que la configuración no inversora del amplificador operacional
tiene un voltaje de compensación de salida más alto que la configuración
inversora anterior.
6. En el momento en que se compara los datos obtenidos teóricamente con los

datos realmente obtenidos, se halló un error bastante grande debido a la
ausencia de dispositivos con un comportamiento ideal.
CUESTIONARIO
¿Qué es un amplificador operacional diferencial?
R//Es la configuración cuando se utilizan señales diferentes en las entradas del

amplificador operacional y se realiza una diferencia entre estas señales.
¿Qué es la ganancia de tensión?
R//Es la relación de voltaje entre la señal de entrada y la señal de salida. Se le

conoce como ganancia en lazo abierto
¿Qué es Offset?
R//Mejor conocido como voltaje de desviación en la entrada, esta característica se

modela como una fuente de tensión DC en serie con la entrada no inversora del
amplificador.
¿Cómo se puede mejorar el error de offset en un amplificador operacional?
R//Equilibrando el circuito colocando resistencias a su alrededor de tal forma que

el offset llegue a cero.
¿Aplicaciones de la retroalimentación negativa?
R//Las aplicaciones más generalizadas para esta configuración son amplificadores

de señal, amplificadores diferenciales, filtros activos, etc.
¿Qué es la ganancia de potencia?
R//Es el resultado que se obtiene al dividir la potencia obtenida en la salida entre

la potencia entregada a la entrada.
¿Que es ganancia de corriente?
R//Es el resultado que se obtiene midiendo el valor de la intensidad de salida y el

de la entrada, efectuando un cociente entre estos dos valores.
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
1. Boylestad, R. L., Nashelsky, L., Barraza, C. M., & Fernández, A. S. (2003).

Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos (Vol. 10).
PEARSON educación.
2. Coughlin, R. F., Driscoll, F. F., & Flores, G. A. (1999). Amplificadores
operacionales y circuitos integrados lineales (Vol. 5). Prentice Hall.
3. Electrónica para Todos (7 de diciembre del 2022) Obtenido de
http://www.electronicworld.com.mx/electronica/amplificadores-
operacionales-configuraciones/
4. Floyd, T. L., Salas, R. N., González, L. M. O., & López, G. P. (2007).
Principios de circuitos eléctricos. Pearson Educación.
5. Pereira-Arroyo, R., Molina-Robles, R., & Chacón-Rodríguez, A. (2014).
Diseño de un amplificador operacional de transconductancia aplicando
técnicas de optimización multiobjetivo.
LM741
LM741 Operational Amplifier

Check for Samples: LM741
1FEATURES DESCRIPTION
•
2 Overload Protection on the Input and Output The LM741 series are general purpose operational
amplifiers which feature improved performance over
• No Latch-Up When the Common Mode Range industry standards like the LM709. They are direct,
is Exceeded plug-in replacements for the 709C, LM201, MC1439
and 748 in most applications.
The amplifiers offer many features which make their
application nearly foolproof: overload protection on
the input and output, no latch-up when the common
mode range is exceeded, as well as freedom from
oscillations.
The LM741C is identical to the LM741/LM741A
except that the LM741C has their performance
ensured over a 0°C to +70°C temperature range,
instead of −55°C to +125°C.
Connection Diagrams
LM741H is available per JM38510/10101
Figure 1. TO-99 Package Figure 2. CDIP or PDIP Package

See Package Number LMC0008C See Package Number NAB0008A, P0008E
Figure 3. CLGA Package

See Package Number NAD0010A
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
2 All trademarks are the property of their respective owners.
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Copyright © 1998–2013, Texas Instruments Incorporated
Products conform to specifications per the terms of the Texas
Instruments standard warranty. Production processing does not
necessarily include testing of all parameters.
LM741
Typical Application
Figure 4. Offset Nulling Circuit
These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam
during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.
Absolute Maximum Ratings (1) (2) (3)

LM741A LM741 LM741C
Supply Voltage ±22V ±22V ±18V
(4)
Power Dissipation 500 mW 500 mW 500 mW
Differential Input Voltage ±30V ±30V ±30V
(5)
Input Voltage ±15V ±15V ±15V
Output Short Circuit Duration Continuous Continuous Continuous
Operating Temperature Range −55°C to +125°C −55°C to +125°C 0°C to +70°C
Storage Temperature Range −65°C to +150°C −65°C to +150°C −65°C to +150°C
Junction Temperature 150°C 150°C 100°C
Soldering Information
P0008E-Package (10 seconds) 260°C 260°C 260°C
NAB0008A- or LMC0008C-Package (10 seconds) 300°C 300°C 300°C
M-Package
Vapor Phase (60 seconds) 215°C 215°C 215°C
Infrared (15 seconds) 215°C 215°C 215°C
(6)
ESD Tolerance 400V 400V 400V
(1) “Absolute Maximum Ratings” indicate limits beyond which damage to the device may occur. Operating Ratings indicate conditions for
which the device is functional, but do not ensure specific performance limits.
(2) For military specifications see RETS741X for LM741 and RETS741AX for LM741A.
(3) If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the TI Sales Office/Distributors for availability and specifications.
(4) For operation at elevated temperatures, these devices must be derated based on thermal resistance, and Tj max. (listed under “Absolute
Maximum Ratings”). Tj = TA + (θjA PD).
(5) For supply voltages less than ±15V, the absolute maximum input voltage is equal to the supply voltage.
(6) Human body model, 1.5 kΩ in series with 100 pF.
Electrical Characteristics (1)

LM741A LM741 LM741C
Input Offset Voltage TA = 25°C
RS ≤ 10 kΩ 1.0 5.0 2.0 6.0 mV
RS ≤ 50Ω 0.8 3.0
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX
RS ≤ 50Ω 4.0 mV
RS ≤ 10 kΩ 6.0 7.5
Average Input Offset Voltage
15 μV/°C
Drift
(1) Unless otherwise specified, these specifications apply for VS = ±15V, −55°C ≤ TA ≤ +125°C (LM741/LM741A). For the LM741C/LM741E,
these specifications are limited to 0°C ≤ TA ≤ +70°C.

LM741

LM741A LM741 LM741C
Input Offset Voltage TA = 25°C, VS = ±20V
±10 ±15 ±15 mV
Adjustment Range
Input Offset Current TA = 25°C 3.0 30 20 200 20 200
nA
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX 70 85 500 300
Average Input Offset
0.5 nA/°C
Current Drift
Input Bias Current TA = 25°C 30 80 80 500 80 500 nA
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX 0.210 1.5 0.8 μA
Input Resistance TA = 25°C, VS = ±20V 1.0 6.0 0.3 2.0 0.3 2.0
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX, MΩ
0.5
VS = ±20V
Input Voltage Range TA = 25°C ±12 ±13
V
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX ±12 ±13
Large Signal Voltage Gain TA = 25°C, RL ≥ 2 kΩ
VS = ±20V, VO = ±15V 50 V/mV
VS = ±15V, VO = ±10V 50 200 20 200
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX,
RL ≥ 2 kΩ,
VS = ±20V, VO = ±15V 32 V/mV
VS = ±15V, VO = ±10V 25 15
VS = ±5V, VO = ±2V 10
Output Voltage Swing VS = ±20V
RL ≥ 10 kΩ ±16 V
RL ≥ 2 kΩ ±15
VS = ±15V
RL ≥ 10 kΩ ±12 ±14 ±12 ±14 V
RL ≥ 2 kΩ ±10 ±13 ±10 ±13
Output Short Circuit TA = 25°C 10 25 35 25 25
mA
Current TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX 10 40
Common-Mode TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX
Rejection Ratio RS ≤ 10 kΩ, VCM = ±12V 70 90 70 90 dB
RS ≤ 50Ω, VCM = ±12V 80 95
Supply Voltage Rejection TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX,
Ratio VS = ±20V to VS = ±5V
dB
RS ≤ 50Ω 86 96
RS ≤ 10 kΩ 77 96 77 96
Transient Response TA = 25°C, Unity Gain
Rise Time 0.25 0.8 0.3 0.3 μs
Overshoot 6.0 20 5 5 %
(2)
Bandwidth TA = 25°C 0.437 1.5 MHz
Slew Rate TA = 25°C, Unity Gain 0.3 0.7 0.5 0.5 V/μs
Supply Current TA = 25°C 1.7 2.8 1.7 2.8 mA
Power Consumption TA = 25°C
VS = ±20V 80 150 mW
VS = ±15V 50 85 50 85
(2) Calculated value from: BW (MHz) = 0.35/Rise Time (μs).

LM741

LM741A LM741 LM741C
LM741A VS = ±20V
TA = TAMIN 165 mW
TA = TAMAX 135
LM741 VS = ±15V
TA = TAMIN 60 100 mW
TA = TAMAX 45 75
Thermal Resistance CDIP (NAB0008A) PDIP (P0008E) TO-99 (LMC0008C) SO-8 (M)
θjA (Junction to Ambient) 100°C/W 100°C/W 170°C/W 195°C/W
θjC (Junction to Case) N/A N/A 25°C/W N/A
SCHEMATIC DIAGRAM

LM741
REVISION HISTORY
Changes from Revision B (March 2013) to Revision C Page
• Changed layout of National Data Sheet to TI format ............................................................................................................ 4

PACKAGING INFORMATION
Orderable Device Status Package Type Package Pins Package Eco Plan Lead/Ball Finish MSL Peak Temp Op Temp (°C) Top-Side Markings Samples
(1) Drawing Qty (2) (3) (4)
LM741CH ACTIVE TO-99 LMC 8 500 TBD Call TI Call TI 0 to 70 LM741CH
LM741CH/NOPB ACTIVE TO-99 LMC 8 500 Green (RoHS POST-PLATE Level-1-NA-UNLIM 0 to 70 LM741CH
& no Sb/Br)
LM741CN ACTIVE PDIP P 8 40 TBD Call TI Call TI 0 to 70 LM
741CN
LM741CN/NOPB ACTIVE PDIP P 8 40 Green (RoHS SN Level-1-NA-UNLIM 0 to 70 LM
& no Sb/Br) 741CN
LM741H ACTIVE TO-99 LMC 8 500 TBD Call TI Call TI -55 to 125 LM741H
LM741H/NOPB ACTIVE TO-99 LMC 8 500 Green (RoHS POST-PLATE Level-1-NA-UNLIM -55 to 125 LM741H
& no Sb/Br)
LM741J ACTIVE CDIP NAB 8 40 TBD Call TI Call TI -55 to 125 LM741J
U5B7741312 ACTIVE TO-99 LMC 8 500 TBD Call TI Call TI -55 to 125 LM741H
U5B7741393 ACTIVE TO-99 LMC 8 500 TBD Call TI Call TI 0 to 70 LM741CH
U9T7741393 ACTIVE PDIP P 8 40 TBD Call TI Call TI 0 to 70 LM

741CN
(1)
The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2)
Eco Plan - The planned eco-friendly classification: Pb-Free (RoHS), Pb-Free (RoHS Exempt), or Green (RoHS & no Sb/Br) - please check http://www.ti.com/productcontent for the latest availability
information and additional product content details.
TBD: The Pb-Free/Green conversion plan has not been defined.
Pb-Free (RoHS): TI's terms "Lead-Free" or "Pb-Free" mean semiconductor products that are compatible with the current RoHS requirements for all 6 substances, including the requirement that
lead not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, TI Pb-Free products are suitable for use in specified lead-free processes.
Pb-Free (RoHS Exempt): This component has a RoHS exemption for either 1) lead-based flip-chip solder bumps used between the die and package, or 2) lead-based die adhesive used between
the die and leadframe. The component is otherwise considered Pb-Free (RoHS compatible) as defined above.
Green (RoHS & no Sb/Br): TI defines "Green" to mean Pb-Free (RoHS compatible), and free of Bromine (Br) and Antimony (Sb) based flame retardants (Br or Sb do not exceed 0.1% by weight
in homogeneous material)
Addendum-Page 1
(3)
MSL, Peak Temp. -- The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4)
Multiple Top-Side Markings will be inside parentheses. Only one Top-Side Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a
continuation of the previous line and the two combined represent the entire Top-Side Marking for that device.
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Addendum-Page 2
MECHANICAL DATA
NAB0008A
J08A (Rev M)
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Practica #1-Grupo 3

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Practica #1-Grupo 3

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Universidad de San Carlos

Practica 1: Amplificador Operacional en Lazo Abierto(Comparador)

La práctica 1 está basada en lo que es circuitos utilizando el amplificador

Se conoció que cuando se enlazan las entradas y salidas de un amplificador

En esta práctica se describen y explican algunas de las configuraciones, así como

Estudiar el comportamiento de un amplificador operacional configurado como un

1. Comprobar el funcionamiento del amplificador operacional como comparador.

2. Verificar los efectos de la alta ganancia del amplificador operacional.

3. Conocer el funcionamiento de circuitos comparadores empleando Amplificadores

4. Conocer el funcionamiento de elementos auxiliares como el NTC y LDR.

5. Diseñar el circuito comparador mediante el cálculo de todos los componentes

¿Que es un amplificador operacional?

Los amplificadores operacionales (A.O.) Son dispositivos que tienen la

Comparador con amplificador operacional: Ganancia en lazo abierto

La configuración del amplificador operacional en lazo abierto, es una de las más

En este comparador la tensión de referencia se aplica a la entrada inversora, y la

● Si la señal a detectar tenga una tensión superior a la tensión de referencia,

En este circuito, la entrada V(+) está conectada a masa y la señal se aplica a la

El circuito comúnmente más utilizado es el circuito de ganancia constante. El

Componentes a utilizar en la práctica :

1. Se armó el circuito mostrado en la figura 1.

2. Se conectó el osciloscopio a la salida del amplificador y a la entrada no inversora.

3. Se comparó el voltaje de salida teórico con el voltaje experimental del amplificador

Fuente:Pdf de la práctica de Laboratorio,2022

1. Se armó el circuito mostrado en la figura 2.

2. Se varió el nivel de potenciómetro en la entrada no inversora en porcentajes de

3. Se midió el voltaje en la entrada no inversora y se observó en qué momento el

Fuente : Pdf de la práctica de Laboratorio,2022

1. Se armó el circuito mostrado en la figura 3.

2. Se varió la resistencia del potenciómetro en intervalos de 10% y se tomaron datos

Fuente : Pdf de la práctica de Laboratorio,2022

1. Se armó el circuito mostrado en la figura 4.

2. Se varió la temperatura del termistor de 0ºC a los 100ºC en intervalos de 5ºC y

Fuente : Pdf de la práctica de Laboratorio,2022

1. Se armó el circuito mostrado en la figura 5.

2. Se varió la intensidad de luz del elemento LDR y se realizaron las mediciones

Fuente : Pdf de la práctica de Laboratorio,2022

Fuente: Elaboración Propia , 2022 (Multisim)

Voltaje Experimental Voltaje Teórico

Gráfica 1. Gráfica de comparación de voltaje de entrada con voltaje de salida en un

Fuente: Elaboración Propia , 2022 (Multisim)

Fuente: Elaboración Propia, 2022 (Multisim)

% de Voltaje Voltaje, Pin Voltaje, Pin No Voltaje de LED

10 6 1.3 -11.15 APAGADO

20 6 2.5 -11.15 APAGADO

30 6 3.5 -11.15 APAGADO

40 6 4.9 -11.15 APAGADO

50 6 6.1 11.10 ENCENDIDO

60 6 7.2 11.10 ENCENDIDO

70 6 8.4 11.10 ENCENDIDO

80 6 9.8 11.10 ENCENDIDO

90 6 11.1 11.10 ENCENDIDO

100 6 12 11.10 ENCENDIDO

Fuente: Elaboración Propia, 2022

Fuente: Elaboración Propia, 2022 (Excel)

Fuente: Elaboración propia, 2022 (Multisim)

Se realizaron las mediciones de voltaje de salida de cada amplificador operacional

2 10 10.475 10.475 10.475 10.475

3 20 -10.475 10.475 10.475 10.475

4 30 -10.475 10.475 10.475 10.475

5 40 -10.475 -10.475 10.475 10.475

6 50 -10.475 -10.475 10.475 10.475

7 60 -10.475 -10.475 -10.475 10.475

8 70 -10.475 -10.475 -10.475 10.475