UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA Evaluación

INGENIERÍA EN _____IMT_____
CAMPUS TIQUIPAYA

ELECTRÓNICA I
Informe de Práctica de Laboratorio N° 5

INVERSOR BJT

GRUPO “B”
Estudiante: Quispe Condori vladimir
Carrera: Ing. mecatronica
Docente: Ing. Elias Chavez

Cochabamba 01 de Noviembre del 2021

Gestión II-2021
 LABORATORIO 5
INVERSOR BJT
ASIGNATURA: Electrónica I
TEMA Transistor Bipolar de Unión.
SUBTITULO Circuito rectificador de onda completa

Elemento de Trasistores pnp y npn

estudio

Instrumentos de Osciloscopio virtual y graficas analógicas , proteus .

medición
virtuales.

1. Marco teórico
El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, es importante tener en cuenta que el
transistor BJT es un dispositivo bipolar, el transistor BJT es mucho más sensible a los cambios de la
señal aplicada. Dicho de otro modo, la variación de la corriente de entrada, en general, es mucho
mayor para los BJT.
También es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador oscilador,
conmutador o rectificador. Actualmente se los encuentra prácticamente en la mayoría de los aparatos
electrónicos. (Boylestad, 1999)
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que
permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se
debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero
tienen ciertos inconvenientes.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica, aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como
la tecnología o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores
de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

2. Resultados de Laboratorio
Visite el siguiente link: BreadBoard online:

Parte 5.1
Armar el circuito, ajustar Vi hasta conseguir en la lectura del voltímetro los valores de VCE mostrados en la tabla, anotar
estos valores en la misma.

Circuito armado en BreadBoard

Región lineal
Región de saturación. Región de corte
(Máxima excursión simétrica)
𝒗𝒊 𝒗𝑪𝑬 𝒗𝒊 𝒗𝑪𝑬 𝒗𝒊 𝒗𝑪𝑬
Medición: 2.6 0.219 1.6 6.24 0.4 12
 Circuito armado en Proteus
Región lineal
Región de saturación. Región de corte
(Máxima excursión simétrica)
𝒗𝒊 𝒗𝑪𝑬 𝒗𝒊 𝒗𝑪𝑬 𝒗𝒊 𝒗𝑪𝑬
Medición: 4.00 0.2 1.95 6.10 0.55 12
 Zona de saturación Zona lineal Zona de corte
𝒗𝒊 𝒗𝑪𝑬 𝒗𝒊 𝒗𝑪𝑬 𝒗𝒊 𝒗𝑪𝑬
Voltaje 3.78 V 2.67 V 0.7 V
𝟎. 𝟐𝑽 𝟔𝐕 𝟏𝟐𝑽
calculado
Voltaje 4.00V 0.2V 1.95 V 6V 0.55 V 12V
medido
(Proteus)

Parte 5.2
Armar el circuito mostrado, aplicar una señal de voltaje senoidal en la entrada de 500 Hz con amplitud de 0.1V de pico,
ajustar el dial de offset (PULL, tan solo estírelo) hasta conseguir una lectura en el voltímetro de 6V,
 Circuito armado en BreadBoard

Circuito armado en Proteus – Osciloscopio en modo AC

𝑽𝑷𝑷 𝑽𝒎𝒂𝒙 𝑽𝒎𝒊𝒏 𝑻 𝒇 𝑨𝒗
Señal de entrada 2 1 -1 200us 5khz 4.225
Señal de salida 8.45 4.3 -4.2 200us 5khz 4.225
 Grafica obtenida en MATLAB
𝑽𝑷𝑷 𝑽𝒎𝒂𝒙 𝑽𝒎𝒊𝒏 𝑻 𝒇 𝑨𝒗
Señal de entrada 8.4848 0.99602 -4.0998 0.2 ms 5 kHz 4.26
Señal de salida 1.9922 4.3851 -0.99615 0.2ms 5kHz 4.26
 Curva de transferencia de voltaje usando el Osciloscopio de Proteus

Curva de transferencia de voltaje usando MATLAB

𝑽𝒎𝒂𝒙 𝑽𝒎𝒊𝒏
Señal de entrada 12.0001 0.17171
Señal de salida 3.8342 0.42063
3. Cuestionario
1. ¿En la configuración del circuito que tipo de polarización se está utilizando?
R. Polarización fija

2. ¿La señal de salida de este circuito está en fase con la entrada?

R. No, ya que el Amplificador cumple con su objetivo, al recibir la señal en la entrada, esta es
amplificada por el transistor en la señal de salida.
4. Conclusiones y recomendaciones
Se termino el laboratorio de forma satisfactoria, pudimos ver mediante un osciloscopio virtual, como
la zona de corte y de saturación se aproximan a los datos calculados y se pudo observar que las señales
generadas varían en base a los parámetros del circuito, es decir, si el valor de la batería, que está
conectada en serie con el generador de señales, aumenta, entonces la amplitud de la señal disminuye,
para evitar que entre en saturación.
Recomendaciones
➢ Es recomendable tener los conceptos, referidos al laboratorio que se ha de implementar, bien
claros y posteriormente que el circuito se encuentre bien armado, revisar que los materiales a
consideración se presenten en buen estado para llevar acabo de forma óptima el laboratorio.

5. Bibliografía
• -Boylestad, Robert, Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, Pears education, México
(2003)
 UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE
EXAMEN PREVIO
Estudiante: Quispe vladimir Fecha: / /
Carrera:IMT Asignatura: Grupo:
Docente: Laboratorio:
Practica N0: Título de la Practica:
Firma Estudiante: Firma Docente:

Vcc
12V

Rc 1k

2N3643 C
NPN
RB B +
+ Vout
47k
Vi -
- E

fig.1 Diagrama
Esquematico del circuito

1. Basándose en el esquema del circuito calcular los valores de Vi, para que Vo tenga las siguientes valores de tensión
𝛽 = 180:
a) 𝑣𝑂𝑈𝑇 = 0.2𝑉, (𝑞𝑢𝑒 𝑒𝑠 𝑒𝑙 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑎𝑙 𝑙𝑖𝑚𝑖𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟)
b) 𝑣𝑂𝑈𝑇 = 12𝑉, (𝑞𝑢𝑒 𝑒𝑠 𝑒𝑙 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑎𝑙 𝑙𝑖𝑚𝑖𝑡𝑒 𝑑𝑒𝑙 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 )
2.
c) 𝐶𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑒 𝑒𝑙 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑉𝐵𝐵 𝑠𝑖 𝑣𝑂𝑈𝑇 = 6 𝑉
d) 𝐷𝑖𝑏𝑢𝑗𝑎𝑟 𝑙𝑎 𝑐𝑢𝑟𝑣𝑎 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒
e) Determine el factor de amplificación o ganancia de voltaje.