Diapos 2 - Primer Parcial

Introducción a los sistemas de RF
Tema 2
Ingenierı́a Electrónica en Telecomunicaciones
Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE
Sistemas de RF
Dr. Patricio Vizcaı́no Espinosa

ESPE
July 26, 2021
Dr. Patricio Vizcaı́no Espinosa ESPE Introducción a los sistemas de RF Tema 2 July 26, 2021 1 / 129
0.
Esquema de la Presentación
1 Dispositivos Activos de RF y Microonda
2 Introducción a Lı́neas de Transmisión
3 Carta de Smith
4 Redes de acoplamiento de impedancias
5 Redes de 2 puertos
6 Método de Impedancia Imagen
7 Teorema de Barlett
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1. Dispositivos Activos de RF y Microonda
Dispositivos Activos de RF y Microonda
Dispositivos Activos: diodos, transistores, tubos electrónicos.

Aplicaciones: detectores de señales, mezcladores, amplificadores,
multiplicadores de frecuencias, conmutadores, fuentes de señales de RF
y microondas.
Históricamente:
Primer detector: detector de cristal ”cat-whisker” utilizado en 1930,
luegos tubos de vacı́o para RF y microonda.
1960s, dispositivos semiconductores de microonda como diodos y
transistores BJT, FET arseniuro de galio.
Circuitos integrados de baja frecuencia en circuitos monolı́ticos (MMICs)
combinados con lı́neas de TX, dispositivos activos sobre sustratos
semiconductores como amplificadores con FETs, módulos TX/Rx de
radares.
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Diodos Schottky Detectores

Los diodos comunes se utilizan para bajas frecuencias y tiene
capacitancia relativamente grande que lo vuelve inutilizable para altas
frecuencias.
El diodo Shottky es construı́do en base a junturas metal-semiconductor
con capacitancias de juntura más bajas que permite su uso en altas
1
crecuencias, Xc = −j wC .
Los diodos Shottky comerciales usan materiales tipo n de arseniuro de
galio (GaAs) mientras que a baja frecuencia se utilizan materiales de
silicio.
Aplicaciones: principalmente en conversores de frecuencia:
rectificadores (conversión a DC), detectores (demoduladores de señales
en AM), mezcladores (cambiadores de frecuencia).
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Se puede modelar como un resistor no lineal. Para pequeñas señales:
I (V ) = Is(e αV − 1), donde:
q
α = nkT , y q → carga del electrón.
k → constante de Boltzman.
T → temperatura en grados Kelvin.
n → número entero que depende de la construcción del diodo ≈ 1.05 para
diodos Shottky y ≈ 2 para diodos de silicio.
Is → corriente de saturación inversa. Valores tı́picos 10−6 a 10−15 Amperios
Aproximación de pequeña señal: V = Vo + ν, Vo → tensión en DC,
ν → voltaje en CA.
Expandiendo I (V ) en serie de Taylor alrededor de Vo:
dI d 2I
I (V ) = Io + ν dV |Vo + 12 ν 2 dV 2 |Vo + ...,
donde Io = I (Vo) corriente en DC. La primera derivada puede ser evaluada
como:
dI αVo = α(Io + Is) = Gd = 1
dV |Vo = αIse Rj
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1
Rj → resistencia de juntura del diodo, Gd = Rj → conductancia dinámica
del diodo.
d 2I αVo = α2 (Io + Is) = αGd = Gd 0
| = dGd
dV 2 Vo
2
dV |Vo = α Ise
2 0
I (V ) = Io + i = Io + νGd + ν2 Gd + ... → aproximación de pequeña señal.
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Diodos PIN y Circuitos de Control

Aplicaciones: cambiadores de fase, atenuadores variables, limitadores
de potencia, moduladores que se pueden implementar en circuitos
integrados planares y alta velocidad de operación (entre 1 a 10 µsg ).
Caracterı́sticas: diodo especial np que polarizado inversamente cambia
la capacitancia de juntura aumentando su impedancia, mientras que
polarizado directamente permite bajar la impedancia.
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Diodos PIN
Li → inductancia parásita (< 1nH)

Rr → resistencia reversa
Corriente tı́pica de alimentación está entre 10 − 30mA; Voltaje de
polarización inversa 10 − 60V .
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Diodos PIN
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Conmutadores de diodos PIN de un sólo polo

Instalado en serie o en derivación permiten configurar conmutadores o
interruptores de RF.
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2. Introducción a Lı́neas de Transmisión
Repaso de Lı́neas de Transmisión

Se utilizan para conectar varios elementos de circuitos y sistemas de
radiofrecuencia.
PARA BAJAS FRECUENCIAS: cables coaxiales, cables de lı́neas
paralelas. Poco sensibles a las variaciones de frecuencia.
PARA ALTAS FRECUENCIAS: cables coaxiales, lı́neas de cinta (strip
line), lı́neas de microcinta (microstripline), guı́as de onda. Altamente
sensibles a las altas a las altas frecuencias.
Circuitos distribuidos de lı́neas de transmisión
Cualquier lı́nea de transmisión puede representarse por una red de
parámetros distribuı́dos.
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Donde:
L → inductancia por unidad de longitud (H/m)
R → resistencia por unidad de longitud (Ω/m)
C → capacitancia por unidad de longitud (F/m)
G → conductancia por unidad de longitud (S/m)
Estos parámetros son distintos por cada lı́nea de transmisión y depende
de la geometrı́a, construcción de sus elementos.
Para una lı́nea sin pérdidas, o sea: Conductores Perfectos y Dieléctricos
Ideales (R = 0Ω, G = 0Siemens).
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Ejemplo: cable coaxial cilı́ndrico de radios a y b. Los parámetros
distribuidos se pueden hallar de la siguiente manera:
C = 55.63ε
ln( b )
r
(pF/m)
a
L = 200ln(b/a) (nH/m)
εr → constante dieléctrica relativa del dieléctrico
Si consideramos la conductividad eléctrica del metal
y la tangente deqpérdidas del dieléctrico, tendremos:
fGHz
R ≈ 10( 1a + b1 ) σ Ω/m
0.3495εr fGHz tanδ
G≈ ln(b/a) (S/m)
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Impedancia caracterı́stica de una lı́nea de transmisión
Impedancia caracterı́stica = Zo = VI 11 = VI 22 = ... = Vn

In
Si ` → ∞, propagación total de EM hacia la carga sin Reflexión.
ZL → absorbe toda la señal incidente; la fuente mira una longitud eléctrica
infinita.
Si ZL = Zo, no habrı́a eco y Zo es única por cada lı́nea de transmisión, en
general:
Z = R + jwL → impedancia por unidad de longitud
Y = G + jwC → admitancia por unidad de longitud
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1
(Zo+Z .4X )( Y .4X ) Zo+Z .4X
Zin = Zo = 1
Zo+Z 4X + Y 4X
= Y 4X (Zo+Z .4X )+1
ZoY 4 X (Zo + Z 4 X ) + Zo = Zo + Z 4 X → ZoY (Zo + Z 4 X ) = Z
r s
Z R + jwL
Si 4X → 0 → Zo 2 = YZ → Zo = =
Y G + jwC
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Se tienen algunas consideraciones p :
Para señales en DC, Zodc = R/G p
Para w → ∞, wL >> R y wC >> G , Zo ≈ L/C
p
Para una lı́nea sin pérdidas R = G = 0 y Zo = L/C
Ejemplo 1: Un cable coaxial semirı́gido sin pérdidas con
2a = 0.036pulg , 2b = 0.119pulg , εr = 2.1 (teflón) tanδ = 0.00015.
Hallar los parámetros distribuidos R, L, C, Y y Zo para 1GHz.
Solución:
C = 55.63ε
ln( b )
r 55.63x2.1
= ln(0.11912/0.03612) = 97.7104pF = C
a
L = 200ln(b/a) = 200ln(0.11912/0.03612) = 239.12nH/m = L

a = 0.18pulg =q0.04572cm, b = 0.0595pulg = 0.15113cm
q
fGHz
R = 10( 1a + b1 ) σ
1
= 10( 0.04572x10−2 +
1
0.15113x10−2
) 1
5.8x107
=
R = 3.7408Ω/m
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Ejemplo 1:
G = 0.3495ε r fGHz tanδ
ln(b/a) = 0.3495x2.1x1x0.00015
ln(0.119/0.036) = 9.208x10−5 S/m = G
w = 2πx1x109 rad/sg
Z = R + jwL = 3.7408 + j1502.4387Ω/m = 1502.4433∠89.8573◦ Ω/m
Y = G + jB , B = wC = 0.613933 S/m = B
−5 ◦
Y = 9.208x10
q q + j0.613933S/m = 0.613933∠89.9914 = Y
◦ ◦
Zo = YZ = 1502.4433∠89.8573
0.613933∠89.9914◦ = 49.4696∠ − 0.06705 =
Zo = 49.4695 − j0.05789 Ω/m
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Ecuaciones de Lı́neas de Transmisión
Consideremos el circuito equivalente distribuido de una lı́nea de
transmisión terminada en una impedancia ZL.
Aplicando las leyes de Kirchoff para 4z, tendremos:

v (z, t) = (L 4 z) ∂i(z,t)
∂t + (R 4 z)i(z, t) + v (z + 4z, t) o,
v (z+4z,t)−v (z,t)
4z = −Ri(z, t) − L ∂i(z,t)
∂t
En el lı́mite 4z → 0, tendremos
∂v (z,t)
∂z = −[R.i(z, t) + L ∂i(z,t)
∂t ] (1)
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Similarmente en el nodo A:
i(z, t) = i(z + 4z, t) + (G 4 z)v (z + 4z, t) + C 4 z ∂v (z+4z,t) ∂t ,o
i(z+4z,t)−i(z,t) ∂v (z+4z,t)
4z = −[G .v (z + 4z, t) + C ∂t ]
En el lı́mite 4z → 0, tendremos
∂i(z,t)
∂z = −G .v (z, t) − C ∂v∂t
(z,t)
(2)
Con las ecuaciones (1) y (2), tendremos:
∂ 2 v (z,t) 2
∂z 2
= RGv (z, t) + (RC + LG ) ∂v∂t(z,t)
+ LC ∂ v∂t(z,t)
2 (3)
∂ 2 i(z,t) 2 i(z,t)
∂z 2
= RGi(z, t) + (RC + LG ) ∂i(z,t)
∂t + LC ∂ ∂t 2
(4)
Estas son las ecuaciones de Helmholtz
Casos especiales:
1.- Para lı́neas sin pérdidas R = G = 0,
∂ 2 v (z,t) 2
∂z 2
≈ LC ∂ v∂t(z,t)
2 (5); y
∂ 2 i(z,t) 2 i(z,t)
∂z 2
≈ LC ∂ ∂t 2
(6)
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Casos especiales:
2.- Si la fuente de entrada es senoidal, podemos pasar las ecuaciones a
notación fasorial:
d 2 V (z)
dz 2
= ZY .V (z) = LC .V (z) = γ 2 V (z) (7)
d 2 I (z)
= ZY .I (z) = LC .I (z) = γ 2 I (z) (8)
dz 2
√
γ = Z .Y = α + jβ
Soluciones a las ecuaciones de Helmholtz
d 2 f (x)
Forma general: − γ 2 f (x) = 0 , Solución:
dx 2
f (x) = C 1.e −γx + C 2.e γx ,
C1, C2 → dependen de las condiciones de borde.
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Soluciones:
V (x) = Vin.e −γx + Vref .e γx y I (x) = Iin.e −γx + Iref .e γx
Vin, Vref , Iin, Iref → Constantes de integración complejas
Vin −γx Vref γx
I (x) = e − e
Zo Zo
Ejemplo 2: Dados los parámetros R, L, C, G y f= 1GHz, hallar la
constante de propagación γ. R = 2 Ω/m, L = 8 nH/m,
C = 0.23 pF /m, G = 0.5 mS/m.
Solución:
q
Zo = GR+jwL ◦
+jwC = 181.38∠8.403 → Zo = 179.43 + j26.506 Ω
√
γ = Z .Y = 0.27736∠79.318◦ → γ = 0.051411 + j0.27255
α = 0.051411 Np/m β = 0.2726 rad/sg
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Coeficiente de Reflexión
Consideremos la siguiente lı́nea de transmisión.
V (x) = Vin.e −γx + Vref .e γx , I (x) = Iin.e −γx + Iref .e γx

Si x = z = 0
Zin = VI (x=0)
(x=0)
= Vin+Vref Vin+Vref Vin+Vref
Iin+Iref = Vin/Zo−Vref /Zo = Zo( Vin−Vref )
1+Vref /Vin 1 + Γo
Zin = Zo( 1−Vref /Vin ) → Zin = Zo( 1 − Γo
)
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Coeficiente de Reflexión
Coeficiente de Reflexión de Tensión Γo = Vref /Vin = |Γo |∠θ
Impedancia de entrada y de carga normalizadas
Zin 1 + Γo
= Z̄ in =
Zo 1 − Γo
Por otro lado cuando z = x = `
−γ` +Vref .e γ` −γ` +Vref .e γ`
ZL = VI (x=`)
(x=`)
= Vin.e
Iin.e −γ` −Iref .e γ`
= Zo( Vin.e
Vin.e −γ` −Vref .e γ`
)
ZL e −γ` + Γo e γ` Z̄ L − 1
Z̄ L = = −γ` γ`
; Γo = e −2γ` ( )
Zo e − Γo e Z̄ L + 1
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Impedancia de entrada
Antes tenı́amos que Zin = Zo( 1+Γ
1−Γo )
o
Z̄ L + tanh(γ`) Z̄ L + tanh(γ`)
Zin = Zo( ) ; Z̄ in =
1 + tanh(γ`).Z̄ L 1 + tanh(γ`).Z̄ L
Para lı́neas de transmisión sin pérdidas: γ = α + jβ ≈ jβ; R = G = 0,
α = 0Np/m, y tanh(γ`) ≈ tanh(jβ`) ≈ jtan(β`)
ZL + jZo.tan(β`)
Zin = Zo( )
Zo + jZL.tan(β`)
Zin se repite periódicamente cada λ/2. Zin tendrá los mismos valores
en los puntos d ± nλ/2, donde n es entero
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Impedancia de entrada
Entonces β` = 2π nλ 2πd
λ (d ± 2 ) = λ ± nπ
tan(β`) = tan( 2πd 2πd
λ ± nπ) = tan( λ )
Casos especiales:
ZL = 0 es decir si la lı́nea está en corto circuito. Si la lı́nea es sin
pérdidas → Zin = jZo.tan(β`)
ZL → ∞ para una lı́nea en circuito abierto y sin pérdidas
Zo
→ Zin = −jZo.cot(β`) = −j
tan(β`)
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Impedancia de entrada de lı́neas de λ/4

Si ` = λ/4 ,
Zo 2
β` = 2π λ
λ 4 = π
2 → Zin = Zo( ZL/tan(β`)+jZo jZo
Zo/tan(β`)+jZL ) = Zo jZL → Zin = ZL
Estas lı́neas de transmisión se utilizan como transformadores de
impedancias de λ/4
Si ` = λ/2 entonces β` = 2π λ
λ 2 = π → tan(β`) = 0 y Zin = ZL
esto quiere decir que cada λ/2 la impedancia se repite y bien podrı́a
ser la impedancia ZL.
De acuerdo a los 2 primeros casos una lı́nea sin pérdidas puede
utilizarse para sintetizar inductancias o capacitancias arbitrarias.
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Ejercicio 3: Una lı́nea de transmisión de longitud d y Zo actúa como

transformador de impedancias para acoplar una ZL = 150 Ω a una lı́nea de
Zo = 300 Ω, la longitud de onda e 1m.
d = λ/4 = 1/4 = 0.25m

2 √ √
Zin = Zo
ZL → Zo = Zin.ZL = 300x150 → Zo = 212.132 Ω
Z̄ L−1 ZL−Zo 150−212.132
ΓL = Z̄ L+1
= ZL+Zo = 150+212.132 = ΓL = −0.1716
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Determinación experimental de Zo y γ
Tenı́amos que Zin = Zo( ZL+Zo.tanh(γ`)

Zo+ZL.tanh(γ`) ) →
Zo
Zoc = tanh(γ`) (1) y Zsc = Zo.tanh(γ`) (2)
Multiplicando (1) y (2), tendremos
√
Zo 2 = Zoc.Zsc → Zo = Zoc.Zsc
r
1 Zsc
Dividiendo (1) y (2), tanh2 (γ`) = Zsc
Zoc → γ = tanh−1
d Zoc
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Además se puede utilizar la siguiente expresión
1 1+X
tanh−1 (X ) = ln( )
2 1−X
Ejercicio 4: La impedancia medida con un puente de impedancias en un
extremo de una lı́nea de transmisión es de Zin = 30 + j30 Ω mientras que el
otro extremo termina en ZL. Por otro lado se realizan otras mediciones en
corto circuito y luego en circuito abierto con las siguientes medidas, j53.1 Ω
y −j48.3 Ω respectivamente. Hallar Zo y ZL.
Solución:
√ p
Zo = Zsc.Zoc = (j53.1)(−j48.3) = 50.643 Ω
ZL + Zsc Zsc − Zin
Tarea: demostrar que Zin = Zoc( ) y ZL = Zoc( )
ZL + Zoc Zin − Zoc
ZL = 11.634 + j6.3 Ω
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Ejercicio 5: Se realizaron mediciones en una lı́nea de 1.5m de longitud con
un puente de impedancias, Zsc = j103 Ω y Zoc = −j54.6 Ω. Encontrar la
constante de propagación y las caracterı́sticas de impedancia de esa lı́nea.
Solución: q q
j103
γ = d1 tanh−1 Zoc Zsc 1
= 1.5 tanh−1 −j54.6 1
= 1.5 tanh−1 (j1.3735)
Si X = j1.3735
1+j1.3735 1.7∠53.943◦
tanh−1 (X ) = 12 ln( 1−X
1+X
) = 12 ln( 1−j1.3735 ) = 21 ln( 1.7∠−53.943 ◦) =
1
ln(1∠107.89 ◦ ) = 1 ln(1∠1.8830 rad) = 1 ln(e j1.8830 ) = 1 xj1.8830 =
2 2 2 2
j0.94149
1
→ γ = 1.5 (j0.94149) → γ = j0.62766
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Fundamentos de la Carta de Smith
La impedancia normalizada Z̄ = R̄ + j X̄ está relacionada con el
coeficiente de reflexión Γ = Γr + jΓi de la siguiente manera.
1+Γr +jΓi
Z̄ = R̄ + j X̄ = 1+Γ 1−Γ = 1−Γr −jΓi
R̄ → parte real de Z
X̄ → parte imaginaria de Z
Γr → parte real del coeficiente de reflexión
Γi → parte imaginaria del coeficiente de reflexión
R̄ + j X̄ = (1+Γ r )+jΓi (1+Γr )+jΓi
(1+Γr )−jΓi (1+Γr )+jΓi
.....................
R̄ 2 1 2
(Γr − ) + (Γi )2 = ( )
1 + R̄ 1 + R̄
1 1
(Γr − 1)2 + (Γi − )2 = ( )2
X̄ X̄
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Estas 2 ecuaciones representan una familia de cı́rculos en el plano
complejo Γ.
R̄ 2 1 2
de (Γr − ) + (Γi )2 = ( )
1 + R̄ 1 + R̄
CENTRO [ 1+R̄R̄ , 0], y RADIO [ 1+1R̄ ]
Si R̄ → 0 ⇒ Centro (0, 0), Radio = 1
Si R̄ crece positivamente ⇒ Centro (→, 0), Radio decrece
Si R̄ → ∞ ⇒ Centro (1, 0), Radio 0
1 1
de (Γr − 1)2 + (Γi − )2 = ( )2
X̄ X̄
1 1
CENTRO [1, X̄ ], y RADIO X̄
Si X̄ = 0 ⇒ Centro (1, ∞), Radio → ∞
Si X̄ crece ⇒ Centro (1, decrece), Radio decrece
Si X̄ → ∞ Centro (1, 0), Radio = 0
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Por lo tanto, un punto de impedancia normalizado en la carta de Smith
representa el coeficiente de reflexión Γ en coordenadas polares en el
plano complejo.
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
NAME TITLE DWG. NO.
Carta de Smith DATE

SMITH CHART FORM ZY-01-N Microwave Circuit Design - EE523 - Fall 2000
Electromagnetismo. Universidad de Valladolid
NORMALIZED IMPEDANCE AND ADMITTANCE COORDINATES
0.12 0.13
0.11 0.14
0.38 0.37 0.15 0.12 0.13
0.1 0.39 0.36 0.14
90 0.11
0.4 100 80 0.35 0.1 0.38 0.37 0.15
9 6 0.1 0.39 0.36
0.0 90
45
50
1 40 70 0.3 0.4 100 80 0.35 0.1
110
1.0
0.4 4 9
0.9
0.0 6
1.2
55 0.17
45
0.8
50
0.08 1 110 40 70 0.3
1.0
1.0
35 0.4 4
0.9
0.9
1.4
0.33
1.2
1.2
0.17
55
0.7
0.42 0 60
0.8
0.8
12 0.08
0.6 60
35
Yo)
1.4
1.4
0.33
1.6
jB/ 0.18
0.7
0.7
0.42 0 60
0.07 E (+ 12
0.6 60
30 Yo)
NC 0.32
1.6
1.6
jB/ 0.18
0.43 TA
1.8
EP 0.2 0.07 E (+
0.6
30
50 NC 0.32
65
0 SC TA
0.43
1.8
1.8
13 SU 0.2 0.2
EP
2.0
VE 50
65
0 SC
0.5
06
0.
TI 13 SU
19
CI 25
2.0
2.0
0.
VE
0.5
0.5
44
0.
06
0.
PA TI
31
19
CI 25
0.
0.
CA
44
0.
PA
70
31
0.
R
,O 0.4 CA
70
o)
0
R 0.4
40
14
4
0.05
O 0.4
0.2
0.
/Z
0
0.
40
,
14
4
o)
0.05
0.45
0.2
0.3
20
jX
0.
/Z
(+
0.45
0.3
20
jX
3.0
T
(+
75
EN
3.0
3.0
T
0.6
75
EN
0.6
N
0.6
PO
N
4
0.2
0.0
PO
4
0.2
0.3
M
0
6
0.2
1
30
0.0
15
0.4
0.3
M
CO
0
6
0.2
1
30
9
15
0.4
CO
0.8
>
9
15 0.8
CE
0.8
R—
—>
15
80
CE
4.0 4.0
80
N
4.0
N
TOR
TO
TA
TA
1.0
0.22
1.0
AC
ERA
1.0
0.22
AC
ERA
0.47
0.28
0.47
0.28
RE
5.0 5.0
RE
1.0
5.0
GEN
1.0
1.0
GEN
0.2
160
0.2
IVE
20
160
85
0.2
IVE
20
85
10 0. 10
UCT
ARD
UCT
ARD
0. 8 8
0.
0.23
0.23
IND
IND
S TOW
S TOW
0.48
0.27
0.48
0.27
ANG
ANG
0.6
90
90
0.6 0.6
ANG
ANG
LE OF
NGTH
LE OF
NGTH
10 10
LE OF
10
LE OF
170
0.1
170
0.1 0.1 0.4

0.4 0.4
TRANSM
0 —> WAVELE
0.24
TRANSM
0.49
0.26
0.0 —> WAVELE
0.24
REFLECTION COEFF CIENT IN DEG

0.49
0.26
REFLECTION COEFFICIENT IN DEG
20 20
20 0.2 0.2
0.2
ISS ON COEFFICIENT IN
50 50
ISSION COEFFICIENT IN
50
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
50
20
10
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
0.25
0.25
± 180
10
20
50
0
0.25
0.25
± 180
0.0
0.3
50
20
10
5.0
4.0
3.0
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.2
0.1
50 50
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
D <—
50
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
D <—
0.2 0.2
0.2 20 20
RD LOA
0.24
0.49
0.26
20
RD LOA
0.24
0.49
0.26
0.4
-170
0.1 0.4
DEGR
TOWA
-170
10
0.1 0.4
DEGR
REES
TOWA
10
0.6
EES
REES
0.6
-90
0.23
THS
o)
0.48
0.27
EES
0.6
Y
-90
0.23
THS
ENG
)
0.48
0.27
0.
/Yo
(- jB
8 8
0. -10
ENG
CE
VEL
B
-160
-85
-20
8 0.2
j
0. 0.2
-
-10
AN
(
1.0
1.0
5.0
CE
WA
VEL
-160
0.22
5.0
-85
-20
PT
0.47
0.28
0.2 1.0
AN
1.0
1.0
<—
CE
WA
0.22
5.0
PT
0.47
0.28
S
1.0
SU
4.0
-150 -80
<—
CE
0.8 4.0
0.8
E
-15
S
IV
U
0.2
-150 -80
0.3
-30
CT
0.0
0.3
ES
4.0
1
6
0.2
0.8 -15
0.4
DU
IV
9
4
0.2
IN
-30
CT
0.6
0.0
0.3 0.6
6
0.2
1
-75
3.0
R
3.0
0.4
DU
,O
9
IN
o)
0.05
0.2
0.6
Z
-20
-75
3.0
/
0.
0.45
0.3
4
O
40
0. (-jX
-4
),
-1
0
0.4
0.05
T
0.2
0.4
Z
-20 EN
-70
X/
0.45
0.3
4 (-j
N
40
-4
0. PO
06
0.
-1
19
T
0.
0.4 OM
EN
44
0.
-25
-70
EC
0.5
0.5
31
0.
N
2.0
2.0
PO NC -5
06
0.
TA 30 0
-65
19
0.
M AC
-1 0.18
CO 0.2
44
0.
1.8
1.8
-25 RE 0.2
0.07
0.5
31
0.
CE
2.0
0.6
0.6
VE 0.32
AN 30 -5
0 0.43 IT I -30
1.6
1.6
-65
C
CT -1 0.18 CAP
A
-60
EA -60
1.8
0.2 0.17
ER 0.07 -120
0.7
0.7
0.08
1.4
1.4
V
0.6
I 0.32
AC
IT
0.43 -30 -35 0.33
0.8
0.8
0.42
1.6
CAP
1.2
1.2
-55
0.9
0.9
-60
0.1
1.0
1.0
-60 0.17 9 -70
-120 0.08 -110 0 6
0.7
0.0
0
-4
1.4
-5
5
0.3
-4
1
-35 0.33 0.15 4
0.8
0.4
0.42 0.1 -100 -80
1.2
-55
0.9
0.1 -90
1.0
9 -70 0.14
-110 0.0 0 6 0.4 0.11 0.35
0
-4 0.12 0.13
-5
0.3
-4
1 0.15 4 0.39 0.36

0.1 0.4 -100 -80 0.38 0.37
-90
0.11 0.14 0.35
0.4 0.12 0.13
0.39 0.36
O (C B O ]
EFF
0.38 0.37
. C K SS [d SS C [dB
RADIALLY SCALED PARAMETERS
.
N P . L . L TEN
)
.P
TOWARD LOAD —> <— TOWARD GENERATOR
SW d [d EFF , E or
RT R FL.
EFF O ]
, P ST
∞ 100 40
W T
SM EA O O
20 10 5 4 3 2.5 2 1.8 1.6 1.4 1.2 1.1 1 15 10 7 5 4 3 2 1
N FL CO
TR S. RFL S. A
R BS B] , P
N
.L .
O (C B O ]
F
. C K SS [d SS C [dB
RADIALLY SCALED PARAMETERS

EF
O CO EFF
∞ 40 30 ∞
R
20 15 10 8 6 5 4 3 2 1 1 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.6 1.8 2 3 4 5 10 20

SS
.
N . P . L . L TEN
P)
TOWARD LOAD —> <— TOWARD GENERATOR 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 20 30 ∞ 0 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.5 2 3 4 5 6 10 15 ∞
I
SW d S [d EFF , E o
RT R FL.
EF O ]
P T.
or
∞ 100 40
T
SM EA O O
A W.
20 10 5 4 3 2.5 2 1.8 1.6 1.4 1.2 1.1 1 15 10 7 5 4 3 2 1
F, NS
N FL CO
TR S.W RF S.W A
R BS B] , P r I
,E
10 ∞
.L .
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.05 0.01 0 0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.5 3 4 5
EFF
O CO EFF
∞ 40 30 ∞
R
20 15 10 8 6 5 4 3 2 1 1 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.6 1.8 2 3 4 5 10 20

S
O
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 1 0.99 0.95 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
.C
I
L
30 ∞ 0 10 15 ∞
SM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 20 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.5 2 3 4 5 6
I
or
CENTER
N
E
A
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.05 0.01 0 0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.5 3 4 5 10 ∞
TR
F,
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2
EF
A
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 1 0.99 0.95 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
.C
ORIGIN
SM
CENTER
N
A
TR
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2
ORIGIN
35 / 129
3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 6:
Una lı́nea de transmisión sin pérdidas de λ/4 y Zo = 50Ω está
terminada por una carga de 50 + j100 Ω. a) Hallar la impedancia a la
entrada de la lı́nea de TX, b) Hallar el coeficiente de reflexión y el
VSWR (Relación de ondas estacionarias de voltaje).
Solución analı́tica:
β` = 2π λ π ◦ ◦
λ 4 = 2 rad = 90 , y tan(90 ) → ∞
ZL+jZo.tan(β`)
Zin = Zo( Zo+jZL.tan(β`) ) =
50(50+j100+j50.tan(90◦ )
50+j(50+j100)tan(90◦ ) = 22.361∠ − 63.435◦ → Zin = 10 − j20 Ω
36 / 129
3. Carta de Smith
Carta de Smith

22.361∠ − 63.435◦ → Zin = 10 − j20 Ω
Γ= ZL−Zo
ZL+Zo = 50+j100−50
50+j100+50 → Γ = 0.7071∠45◦
1 + |Γ|
VSWR = =
1 − |Γ|
1+0.7071
1−0.7071 → VSWR = 5.8283
Solución gráfica:
Se utilizará la carta de Smith para lo cual es necesario normalizar las
impedancias involucradas en alguna parte de la lı́nea de transmisión.
PASOS A SEGUIR:
1.- Normalizamos la ZL, es decir Z̄ L = 50+j100
50 = 1 + j2 (P1), observe que
Z̄ L es adimensional.
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
38 / 129
3. Carta de Smith
Carta de Smith
Recorrido en la Carta de Smith

PASOS (Continuación):
Tenga presente los siguientes Factores de Conversión:
360◦ 180◦ 180◦
= ; o también
0.5λ 0.25λ 0.25λ
2.- Realice un cı́rculo que pase por P1, luego rotar en sentido horario (en el
sentido de ZL al generador) un arco de circunferencia equivalente a λ/4,
esto equivalentetambién a 180◦ y encontramos el punto (P2): 0.2 − j0.4.
3.- El punto final P2 corresponde a la impedancia normalizada final vista a
la entrada de la lı́nea de transmisión, es decir Z̄ in = 0.2 − j0.4 = Zin
50 ⇒
Zin = 50(0.2 − j0.4) → Zin = 10 − j20 Ω .
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 7:
Una lı́nea de transmisión sin pérdidas de 75 Ω está terminada en una
impedancia de 150 + j150 Ω. Utilizando la Carta de Smith, hallar: a) El
coeficiente de reflexión en la carga ΓL , b) El VSWR en la carga, c) La
impedancia Zin a la distancia 0.375 λ desde la carga, d) La distancia más
corta de la lı́nea para la cual la impedancia es puramente resisitiva, e) El
valor de la resistencia en ese punto.
Solución:
PASOS:
1.- Normalizamos la carga ZL y obtenemos el punto P1.
Z̄ L = 150+j150
75 = 2 + j2 (P1)
2.- Trazar un cı́rculo de VSWR constante que pasa por P1. El vector que
parte del centro de la Carta de Smith y termina en P1 corresponde al
coeficiente de reflexión en forma polar en la impedancia de carga ZL.
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 7: continuación
ΓL = 0.62∠30◦ , la magnitud
de ΓL es el radio del cı́rculo VSWR.
El ángulo formado por las lı́nea
radiales de P1 y la horizontal es
el ángulo de ΓL . El VSWR = 4.25
y es el punto de corte del cı́rculo
con la horizontal. Analı́ticamente:
VSWR = 1+|Γ| 1+0.62
1−|Γ| = 1−0.62 = 4.26.
3.- A partir de P1 recorrer
d = 0.375λ lo que
180◦
equivale a 0.25λ ∗ 0.375λ = 270◦
y hallamos P2 : (0.3 + j0.54) = Z̄L ,
Z̄ in = Zin
Zo → Zin =
75(0.3 + j0.54) = 22.5 + j40.5Ω
41 / 129
3. Carta de Smith
Carta de Smith
d) Moviéndose desde P1 por el cı́rculo de VSWR constante hacia la carga o
sea en sentido horario, este cı́rculo corta con el eje Γr por primera vez a
0.25λ. Aquı́ la parte imaginaria es cero, la distancia entre P1 y este punto
de corte será d1 = 0.25λ − 0.208λ = 0.042λ. Este punto de corte es
P3 : (4.2 + j0) = Z̄ in1 = Zin1
75 → Zin1 = 315Ω.
Continuando con el giro horario por el cı́rculo de VSWR constante
encontramos otro punto a la izquiera del centro,
P4 : (0.24 + j0) = Z̄ in2 = Zin2
75 → Zin2 = 75(0.24 + j0) = 18Ω
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 8:
En una lı́nea sin pérdidas de Zo = 100 Ω y ZL = 100 + j100 Ω, hallar la
distancia del punto a partir de la carga en longitudes de onda en el que se
encuentre el 1er Vmax, el 1er Vmin y el VSWR si λ = 5cm.
Solución:
Z̄L = 100+j100
100 = 1 + j,
- El primer Vmax estará a
0.25λ − 0.162λ = 0.088λ = 0.44cm
- El primer Vmin estará a
0.5λ − 0.162λ = 0.338λ = 1.69cm
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 9:
En una lı́nea de transmisión de Zo = 75 Ω y ZL = 150 Ω, encontrar la
impedancia a 2.15λ y 3.75λ de su terminación.
Solución:
Z̄ in = 150
75 = 2 + j0 (P0)
d1 = 2.15λ d1 equivale a recorrer 4 vueltas al cı́rculo de VSWR constante,
o sea 2λ (= 0.5λx4) y luego para llegar a punto de 2.15λ desde P0 (que
está a 0.25λ), sumamos 0.15λ que nos da 0.25λ + 0.15λ = 0.4λ (P1).
Entonces leemos P1 : (0.68 − j0.48). Por tanto,
Z̄ in1 = Zin1
75 ⇒ Zin1 = 75(0.68 − j0.48) = Zin1 = 51 − j36 Ω .
d2 = 3.75λ d1 equivale a recorrer 6 vueltas al cı́rculo de VSWR constante,
o sea 3λ (= 0.5λx6) y luego para llegar a punto de 3.75λ desde P0, será
una vuelta más para que equivalga a 3.5λ y luego 0.25λ para 3.75λ.
Tenemos el punto P2 : (0.5 + j0) → Zin2 = 75(0.5) = 37.5 Ω .
46 / 129
3. Carta de Smith
Carta de Smith
47 / 129
3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 10:
Una lı́nea de transmisión de Zo = 100 Ω tiene una carga
YL = 0.0025 − j0.0025 Siemens. Hallar la impedancia en el punto 3.15λ de
la carga y el VSWR al inicio de la carga y a la distancia 3.15λ.
Solución:
Z Zo
Z̄ = → Ȳ = = Zo.Y
Zo Z
ȲL = 100(0.0025 − j0.0025) = 0.25 − j0.25 = ȲL ,
y también Z̄L = Ȳ1 = 2 + j2
L
6 vueltas → 3λ →, 0.208λ + 0.15λ = 0.358λ
Z
P1 : (0.55 − j1.08) = Z̄L a 3.15λ → Zo ,
entonces Z = 100(0.55 − j1.08) = 55 − j108 Ω
VSWR = 4.3
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 11:
Se efectúa un experimento utilizando el circuito de la figura, primero se
conecta una ZL y su VSWR = 2. Luego de esto se coloca una sonda de
prueba en uno de los mı́nimos de la lı́nea de transmisión. Se encuentra que
este mı́nimo se desplaza hacia la carga por un valor de 15cm cuando la
carga se reemplaza por un cortocircuito.
Por lo tanto, se encuentran 2 mı́nimos

separados 50cm. Determine la impedancia
de carga. Solución: 0.5λ = 50cm
separación entre dos mı́nimos → λ = 100cm
λ x
100cm = 15cm → x = 0.15λ
Z̄L = 1.1 − j0.7 =
ZL
Zo → ZL = 100(1.1 − j0.7) = 110 − j70 Ω
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 12:
Una carga ZL = 100 + j200 Ω se halla conectada a una lı́nea de transmisión
de Zo = 75 Ω de 1m de longitud.
Si λ = 8m, hallar la impedancia de entrada
y la frecuencia de la señal.
Asumir que la velocidad de fase
es 70% de la velocidad de la luz en el espacio libre.
Solución:
3x108 x0.7
λ = c.vp
f = f = 8 → f = 26.250 MHz
ZL
Z̄L = Zo = 100+j200
75 = 1.333 + j2.666
λ d
8m = 1m → d = 0.125 λ
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 12, continuación:
Recorrer desde 0.202λ una distancia d,
0.202λ + 0.125λ = 0.327λ
Esta será la posición final P : (0.6 − j1.72) = Z̄ L,
ZL
Z̄L = Zo
Zin = Zo.Z̄L = 75(0.6 − j1.72) → Zin = 45 − j129 Ω
Ejercicio 13:
Una lı́nea de transmisión de 30km termina en ZL = 100 + j200 Ω. Se
conecta un generador con ν(t) = 15.cos(8000πt) (V). La impedancia
Zg = 75 Ω, la Zo = 75 Ω y νp = 2.5x108 m/sg. Encontrar el voltaje a la
entrada de la lı́nea de transmisión y en la carga ZL .
51 / 129
3. Carta de Smith
Carta de Smith

w = 2πf = 8000π → f = 4000 Hz
ν .c 8
λ = pf = 2.5x10
4000 = 62.5km = λ
λ d
62.5km = 30km ⇒ d = 0.48 λ.
Entonces moviéndose
de ZL al generador una distancia
0.202λ + 0.480λ = 0.682λ → 0.182λ
o 131.04◦ ; P2 : (0.8 + j1.9) →
Zin = 75(0.8 + j1.9) = 60 + j142 Ω
52 / 129
3. Carta de Smith
Carta de Smith

Vs = 15∠0◦ (V)
ZAB ◦
VAB = Vs ZAB +Zs = 11.802∠20.646
γ = α + β,
si α = 0Np/m → VL ≈ 11.802 (V)
w
νp = 2.5x108 m/sg , νp = → β = νwp
β
8000π
β = 2.5x10 −6 rad
8 = 100.53x10
jβ`
V (x = `) = VL = Vin.e ,
β` = 100.53x10−6 x30000 = 3.0159 rad
VL = 11.802e j3.0159 → ν(t) = 11.82 cos(8000πt − 172.87◦ ) (V)
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 14:
Una lı́nea de transmisión de 2.5m se halla cortocircuitada en uno de sus
extremos y la impedancia en el otro extremo es j5 Ω. Cuando el corto
circuito es reemplazado por un circuito abierto la impedancia es −j500 Ω.
Se utiliza una fuente senoidal de 1.9
MHz para este experimento. Sabiendo
que la lı́nea de transmisión tiene
una longitud menor a λ/4, hallar la
impedancia Zo y νp .
√ p
Zo = Zsc.Zoc = (−j500)(j5) = 50 → Zo = 50 Ω
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3. Carta de Smith
Carta de Smith

w
νp = ,
β
r
1 −1 Zsc 1 −1
q
j5 1 −1
γ = tanh = 2.5 tanh −j500 = 2.5 tanh (−j0.1), pero
d Zoc
1∠5.71◦
tanh−1 (j0.1) = 12 ln( 1+j0.1 1 1
1−j0.1 ) = 2 ln( 1∠−5.71◦ ) = 2 ln(e
j0.2 ) = j0.1 →
1
γ = 2.5 (j0.1)) = j0.04 → β = 0.04
Si f = 1.9x106 Hz
6
νp = 2πx1.9x10
0.04 → νp = 298452000 = 2.9845200x108 m/sg
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 15:
Una lı́nea de transmisión sin pérdidas de Zo = 75 Ω tiene una
ZL = 37.5 − j15 Ω y un generador con una Zs = 75 Ω.
Calcular a) El coeficiente de reflexión a
0.15λ desde la carga, b) el VSWR de la
lı́nea, y c) La Zin a 1.3λ de la carga ZL.
Solución:
ZL = 37.5−j15
75 = 0.5 − j0.2
0.459λ + 0.15λ = 0.609λ → 0.109λ
VSWR = 1+|Γ| 1−|Γ| →
VSWR−1 2.1−1
|Γ| = VSWR+1 = 2.1+1 → |Γ| = 0.3548
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3. Carta de Smith
Carta de Smith

ZL − Zo
Γ= = 37.5−j15−75
37.5−j15+75 = 0.35585∠201.89
◦
ZL + Zo
c) Zin a 1.3λ de ZL
→ 0.459λ + 0.3λ = 0.759λ = 0.259λ
P : (2.1 − j0.2) = Zin
Zo → Zin = 157.5 − j15 Ω
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 16:
Una lı́nea de 22.5m de longitud y Zo = 50 Ω está cortocircuitada en uno de
sus extremos y en el otro extremo se encuentra una fuente senoidal
νs = 20.cos(4πx106 t − 30◦ ) (V).
Si Zs = 50 Ω y la velocidad de fase es
1.8x108 m/sg. Hallar la corriente total
a la entrada de la lı́nea cortocircuitada.
Solución:
w = 4πx106 = 2πf → f = 2x106 Hz
8
λ = cf = 1.8x10
2x106
= 90m
λ d
90m 22.5m → d = 0.250λ ⇒
ZL pasa de 0 a ∞ IAB ≈ 0 A
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3. Carta de Smith
Carta de Smith
Ejercicio 17:
Una lı́nea de transmisión si pérdidas de 1.5m y Zo = 75 Ω está abierta en
uno de sus extremos y al otro lado una fuente
νs = 10.cos(2πx109 t − 45◦ )(V).
La impedancia de la fuente es 75 Ω
y νp = 2x108 m/sg. Calcule el voltaje
y corriente a la entrada de la lı́nea.
Solución:
Z̄L = ∞/Zo = ∞,
ν 8
λ = fp = 2x10
1x109
= 0.2 m = λ
λ d
0.2 = 0.015 → d = 0.075λ
0.25λ + 0.075λ = 0.325λ
P(0 − j1.95) =
Zin
Zo → Zin = −j146.25 Ω
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3. Carta de Smith
Carta de Smith

Vs = 10∠ − 45◦ (V), Z = 75 − j146.25 = 164.36∠ − 62.85◦ Ω,
10∠−45◦ ◦
I = VZ = 164.36∠−62.85◦ = 0.060842∠17.85
i = 0.060842.cos(2πx109 t + 17.85◦ )
VAB = 0.060842∠17.85◦ x146.25∠ − 90◦ = 8.8981∠ − 72.15◦ (V)
νAB = 8.8991.cos(2πx109 t − 72.15◦ )(V )
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4. Redes de acoplamiento de impedancias
Redes de acoplamiento de impedancias

En circuitos y sistemas de RF es muy importante que se cumpla el
teorema de máxima transferencia de potencia (MTP).
Si no existe acoplamiento de impedancias en un circuito de RF
entonces se producen reflexiones EM de la carga ZL al generador de RF
lo que puede estropear al generador de RF.
Pero la impedancia ZL se puede transformar en una nueva logrando
entonces la MTP.
Hay otras formas de acoplar impedancias, por ejemplo a través de
stubs y redes de acoplamiento de impedancias resistivas y reactivas.
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Ejercicio 18:
Una lı́nea uniforme sin pérdidas de 100 Ω se halla conectada a una carga
ZL = 50 − j75 Ω. Un Stub de Zo = 100 Ω se halla conectado en paralelo a
una distancia ds desde la carga. Hallar ds y `s para obtener MTP.
PASOS PARA LA SOLUCIÓN:
1.- Z̄L = 50−j75
100 = 0.5 − j0.75(P1),
dibujamos el cı́rculo VSWR constante.
2.- A partir de P1(Z̄L ) trazamos
diametralmente una recta hasta
encontrar P2(ȲL ) = (0.6 + j0.93)
3.- A partir de P2 recorrer en sentido
horario (de la carga hacia el generador)
hasta cortar al Cı́rculo Unitario no
Rotado. Hay 2 puntos A : (1 + j1.3) y el punto B : (1 − j1.3)
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Ejercicio 18: continiación

4.- La distancia ds desde A hacia la admitancia de carga es
0.175λ − 0.135λ = 0.04λ = ds y el punto B está a:
0.329λ − 0.135λ = 0.194λ = ds
5.- Si una susceptancia de −j1.3 se añade al punto A o una de j1.3 se
añade al punto B, la carga se acopla.
6.- Localice el punto −j1.3 a lo largo de la circunferencia más baja y
muévase hacia la carga en sentido antihorario hasta encontrar la admitancia
en corto circuito (Ycc, parte infinita de la carga). La longitud del stub es
0.356λ − 0.25λ = 0.104λ. Entonces la longitud de la lı́nea es 0.104λ.
Si A es solución, está a ds1 = 0.04λ y la longitud es `s1 = 0.104λ
Si B es solución, está a ds2 = 0.329λ − 0.134λ = 0.195λ y la longitud
es `s2 = 0.146λ + 0.25λ = 0.396λ
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Ejercicio 18: continiación
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Ejercicio 19:
Una lı́nea de transmisión sin pérdidas de Zo = 100 Ω termina en una carga
100
ZL = 2+j3.732 Ω. Se acopla mediante un stub en corto circuito con
Zostub = 200 Ω.
Hallar la distancia
ds más cercana a la carga y la longitud
del stub `s mediante la Carta de Smith.
Solución por Admitancias:
ZL
Z̄L = Zo → Ȳ = Zo.YL =
2+j3.732
100x 100 = 2 + j3.732 = ȲL
1.- Localize ȲL ,
dibuje un cı́rculo de VSWR constante.
2.- Recorra desde ȲL hasta que corte al
cı́rculo unitario no rotado. Los puntos de corte son P1 : (1 − j2.7) y
P2 : (1 + j2.7)
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Redes de acoplamiento de impedancias con 2 Stubs
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3.- Desde ȲL en punto más cercano es P1 y se encuentra a
ds1 = 0.3λ − 0.217λ → ds1 = 0.083λ , y P2 se encuentra a
ds2 = 0.5λ − (0.217λ − 0.2λ) → ds2 = 0.483λ La susceptancia
normalizada necesaria para hacer este acoplamiento es j2.7 pero, OBSERVE
QUE, es un dato que viene normalizado a Zo = 100 Ω. Antes de encontrar
la longitud final del stub, se debe ” desnormalizar ”, es decir obtener el
valor de dicha susceptancia en Siemens. Entonces:
2.7
ȲL = Zo.YL → ȲL |100Ω = 100.Ys → Ys = j 100 , entonces para
normalizarlo a 200 Ω, entonces ȲL |200Ω = 200 j2.7
100 = j5.4. Entonces
ubicamos ȲL |200 Ω = j5.4, desde este unto (que es el inicio del stub) recorro
hasta la carga Ycc (parte derecha de la Carta de Smith). La distancia
`s = 0.25λ + 0.2λ = 0.45λ
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A veces no es posible acoplar la carga a la lı́nea de transmisión con un

sólo Stub, entonces se puede realizarlo con dos Stubs.
La distancia entre los Stubs puede ser cualquier valor aunque se deben
seguir criterios prácticos para su implementación.
Cuando la distancia entre los Stubs es λ/8 entonces debe cumplirse la
condición 0 ≤ G ≤ 2
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Ejemplo 20: En el esquema de la figura donde ZL = 100 + j50 Ω, ` = λ/8
y ds = λ/8,
encontrar
las longitudes de los dos Stubs
para que permitan el acoplamiento
de la carga ZL al generador de RF.
Solución:
1.- Z̄L = 100+j50
50 =2+j A ,
1
ȲL = Z̄ = 0.4 − j0.2 B
L
2.- A partir de B recorrer una distancia
` = λ/8 = 90◦ , entonces hallamos
C = 0.5 + j0.5 → es la admitancia
que mira el primer Stub.
3.- Rotar el Circulo Unitario (negro) un ángulo de ds = λ/8 = 90◦ →
Cı́rculo rojo.
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Ejemplo 20: continuación

4.- Utilizar este cı́rculo unitario rotado (rojo) para sintonizar la impedancia
de carga ZL .
5.- Moverse desde C a través del cı́rculo de Conductancia Unitaria hasta
que intercepte al cı́rculo rojo. Hay 2 puntos D = 0.5 + j0.13, y
F = 0.5 + j1.83
6.- Si D fuera solución, j0.5 + j B̄1 = j0.13 → j B̄1 = −j0.37 .
0 0
7.- Si F fuera solución, j0.5 + j B̄1 = j1.83 → j B̄1 = j1.33 .
8.- Localize j B̄1 = −j0.37, → `1 = 0.44λ − 0.25λ → `1 = 0.190λ
0 0 0
9.- Localize j B̄1 = j1.33, → `1 = 0.146λ + 0.25λ → `1 = 0.396λ
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Segundo Stub:
10.- Si D : solución → Dibuje un cı́rculo de VSWR constante a partir del
punto D y moverse ds = λ/8 hacia el generador. La parte real de la
admitancia en este punto E es la unidad y la susceptancia es j0.72. El
segundo Stub aportará entonces con −j0.72 si el primer Stub aporta con
−j0.37
`2 = 0.4λ − 0.25λ → `2 = 0.150λ
11.- Si F : solución → Dibuje un cı́rculo de VSWR constante a partir del
punto F y moverse ds = λ/8 hacia el generador. La parte real de la
admitancia en este punto G es la unidad y la susceptancia es −j2.7. El
segundo Stub aportará entonces con j2.7 si el primer Stub aporta con j1.33
0 0
`2 = 0.194λ + 0.25λ → `2 = 0.444λ
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Ejemplo 21:
En el esquema de la figura donde ZL = 25 + j50 Ω, Zo = 50 Ω, ` = λ/2 y
d = λ/8,
encontrar
las longitudes de los dos Stubs
para que permitan el acoplamiento
de la carga ZL al generador
de RF. Hallar el VSWR en la carga.
Solución:
1.- Z̄L = 25+j50
50 = 0.5 + j,
ȲL = Z̄1 = 0.4 − j0.8
L
2.- A partir de ȲL recorrer la distancia
` = λ/2 = 360◦ , entonces hallamos el
mismo punto.
3.- Rotar el Circulo Unitario (negro) un ángulo de ds = λ/8 = 90◦ →
Cı́rculo rojo.
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4.- Moverse a través del cı́rculo de G constante hasta que corte al cı́rculo
Unitario Rotado, B : (0.4 + j0.19)
5.- Stub1:
−j0.8 + j B̄1 = j0.19 → j B̄1 = j0.99
6.-
`1 = 0.25λ + 0.15λ → `1 = 0.375λ
7.- Dibujar un cı́rculo
de VSWR constante que pase por B
8.- Desde
B recorrer ds λ/8 = 0.125λ hacia
el generador, hallamos D : (1 + j0.98)
9.- El Stub2 aportará con −j0.98 →,
`2 = 0.377λ − 0.25λ → `2 = 0.127λ
−Zo
10.- En ZL el VSWR = ZZLL +Zo = 4.26
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Ejemplo 22:
Determinar la longitud de los dos Stubs para lograr MTP del generador a la
carga ZL = 100 + j100 Ω, Zo = 50 Ω.
1.- ȲL = Zo.YL =
1
100 100+j100 → ȲL = 0.5 − j0.5
2.- Recorrer ` = 0λ, recorrer
λ/8 = 90◦ y hallamos A : (0.5 + j0.12)
3.- −j0.5 + j B̄1 =
j0.12 → j B̄1 = j0.62 →
`1 = 0.25λ + 0.088λ → `1 = 0.338λ
4.- ds = (0.5 − 0.411)λ + 0.035λ →
ds = 0.124λ
5.- B : (0.5 + j1.88), C : (0.5 + j0.7),
j B̄2 = −j0.7, − > `2 = 0.162λ
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5. Redes de 2 puertos
Redes de 2 puertos
Frecuentemente utilizan los circuitos electrónicos para procesar señales

eléctricas y extraer sus caracterı́sticas.
Muchos circuitos se pueden modelar como cajas negras que contienen
redes lineales con elementos R, L, C y fuentes de tensión y corriente.
Generalmente los circuitos eléctricos se pueden modelar como redes de
2 puertos.
Los parámetros de la red de 2 puertos pueden describir el
comportamiento en términos de voltajes y corriente en cada puerto.
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Redes de 2 puertos
Las redes de 2 puertos se pueden modelar mediante los siguientes

parámetros:
Parámetros de Impedancia Z .
Parámetros de Admitancia Y .
Parámetros Hı́bridos h.
Parámetros de Transmisión ABCD.
PARÁMETROS DE IMPEDANCIA:
Considerando una red lineal donde se puede aplicar el principio de
superposición.
(
V 1 = Z 11.I1 + Z 12.I2
V 2 = Z 21.I1 + Z 22.I2
V
Z 11 = I1 |I2=0 ; Z 12 = VI21 |I1=0
Z 21 = VI12 |I2=0 ; Z 22 = VI22 |I1=0
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Redes de 2 puertos
Ejemplo 23:
Para el circuito de la figura, hallar los parámetros de la matriz de
impedancias.
Z 11 = VI11 |I2=0 = 6I1
I1 → Z 11 = 6Ω
V2 6I1
Z 21 = I1 |I2=0 = I1 → Z 21 = 6Ω
Z 12 = VI21 |I1=0 = 6I2
I2 → Z 12 = 6Ω
V2 6I2
Z 22 = I2 |I1=0 = I2 → Z 12 = 6Ω

6Ω 6Ω
Z=
6Ω 6Ω
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Redes de 2 puertos
Ejemplo 24:
impedancias.
Z 11 =
V1 12I1
I1 |I2=0 = I1 → Z 11 = 12Ω
Z 21 = VI12 |I2=0 = I1
0
→ Z 21 = 0Ω
V1 0
Z 12 = I2 |I1=0 = I2 → Z 12 = 0Ω
Z 22 = VI22 |I1=0 = 3I2 → Z 12 = 3Ω
I2
12Ω 0Ω
Z=
0Ω 3Ω
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Redes de 2 puertos
Ejemplo 25:
impedancias.
Z 11 =
V1 18I1
I1 |I2=0 = I1 → Z 11 = 18Ω
Z 21 = VI12 |I2=0 = 6I1
I1 → Z 21 = 6Ω
V1 6I2
Z 12 = I2 |I1=0 = I2 → Z 12 = 6Ω
Z 22 = VI22 |I1=0 = 9I2 → Z 12 = 9Ω
I2
18Ω 6Ω
Z=
6Ω 9Ω
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Redes de 2 puertos
PARÁMETROS DE ADMITANCIA:
superposición.
(
I1 = Y 11.V 1 + Y 12.V 2
I2 = Y 21.V 1 + Y 22.V 2
Y 11 = VI11 |V 2=0 ; Y 12 = VI12 |V 1=0
Y 21 = VI21 |V 2=0 ; Y 22 = VI22 |V 1=0
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Redes de 2 puertos
Ejemplo 26:
admitancias.
Z = 1/0.05 = 20Ω
Y 11 = VI11 |V 2=0 = 20I1
I1 1
= 20 S
I2 −V 1/20 1
Y 21 = V 1 |V 2=0 = V 1 = − 20 S
I1 −V 2/20 1
Y 12 = V 2 |V 1=0 = V 2 = − 20 S
Y 22 = VI22 |V 1=0 = V V2/20 = 201
S
1 1
2
20 S − 20 S
Y = 1 1
− 20 S 20 S
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Redes de 2 puertos
Ejemplo 27:
admitancias.
I1
Y 11 = |V 2=0
V1
Geq1 = 0.2 + 0.025 = 0.225S,
1
Req1 = Geq1 = 4.444Ω,
1
R1 = 0.1 = 10Ω
Rt1 = 14.444Ω → V 1 = I1(Rt1) →
I1 1 1
V 1 = Rt = 14.444 → Y 11 = 0.0692S
I2
Y 21 = |V 2=0 ,
V1
4.444
Vab = V 1 4.4444+10 = 0.30769xV 1,
I 2 = −Vabx0.2 = −0.2(0.30769V 1) → I2/V 1 → Y 21 = −0.06153S
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Redes de 2 puertos

I1
Y 12 = |V 1=0 , Geq2 = 0.1 + 0.025 = 0.125S,
V2
1 1
V 2 = I 2( 0.2 + 0.1025 ) = 13I2
8
Rab = 8Ω → Vab = V 2 8+5 = 8V 2 8V 2
13 → I1 = −Vab/10 = − 130 = I1
I2
Y 12 = − 8V 2 1
130 x V 2 → Y 12 = −0.06153S Y 22 = |V 1=0 , Req3 = 8Ω,
V2
V 2 = I2(8 + 5) = 13I2 VI22 = 13
1
→ Y 22 = 0.0769S

0.0692S −0.06153S
Y =
−0.06153S 0.0769S
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Redes de 2 puertos
PARÁMETROS HIBRIDOS:
superposición.
(
V 1 = h11.I1 + h12.V 2
I2 = h21.I1 + h22.V 2
h11 = VI11 |V 2=0 ; h12 = V 1
V 2 |I1=0
I2 I2
h21 = I1 |V 2=0 ; h22 = V 2 |I1=00
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 28:
En el circuito de la figura hallar los (
parámetros de la matriz h.
V 1 = h11.I1 + h12.V 2
I2 = h21.I1 + h22.V 2
V1
h11 = |V 2=0 →,
I1
6x3
Ze = 12 + 6+3 = 14Ω, V 1 = 14xI1,
V1
h11 = → h11 = 14Ω
I1
I2
h21 = |V 2=0 ,
I1
I2 6 2
− I1 = − 6+3 = − 23 → h21 = −
3
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Redes de 2 puertos

V1
h12 = |I1=0 ,
V2
Vxy = V 1 = V 2. 69 = V 2. 32 →
V1 2 I2
h12 = = h22 = |I1=0 ,
V2 3 V2
1
V 2 = 9I2 → VI22 = 91 → h22 = S
9
14Ω 2/3
Y =
−2/3 1/9 S
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Redes de 2 puertos
PARÁMETROS DE TRANSMISIÓN:
superposición.
(
V 1 = A.V 2 − B.I2
I1 = C .V 2 − D.I2
V1 I1
A= V 2 |I2=0 ; C = V 2 |I2=0
V1 I1
B = −I2 |V 2=0 ; D = −I2 |V 2=0 ;
A, B, C , D → elementos de la matriz Cadena; Aplicaciónes → análisis
de circuitos conectados en cascada.
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 29:
Determinar los elementos de la matriz cadena.
(
V 1 = A.V 2 − B.I2
I1 = C .V 2 − D.I2
A= V 1 V1
V 2 |I2=0 = V 2 → A = 1 ;
C = VI12 |I2=0 = V01 → C = 0
V1
B = −I2 |V 2=0 = −1xI2
−I2 → B = 1Ω ;
I1 −I2

D= −I2 |V 2=0 = −I2 → D=1;
1 1Ω
ABCD =
0 1
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 30:
(
V 1 = A.V 2 − B.I2
I1 = C .V 2 − D.I2
A= V 1
V 2 |I2=0 → A = 1 ;
C = VI12 |I2=0 = I1
I1 → C = jwC S
jwC
V1 0
B= −I2 |V 2=0 = −I2 → B = 0Ω ;
I1

D= −I2 |V 2=0 → D=1;
1 0Ω
ABCD =
jwC 1
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 31:
(
V 1 = A.V 2 − B.I2
I1 = C .V 2 − D.I2
A= V 1
V 2 |I2=0 ; → Si I2 = 0,
1
V 2 = V 1( 1+jwC1 ) = V 1( jwC1+1 ),
jwC
V1
V2 → A = 1 + jwC
I1 I1
C= V 2 |I2=0 = I1 → C = jwC S
jwC
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Redes de 2 puertos

1 1
→ Si V 2 = 0, Geq1 = jwC + 1Ω = 1 + jwC , Req1 = 1+jwC , VAB =
1
Req1 1+jwC 1 −VAB
V 1 Req1+1 = V1 1
1+ 1+jwC
→ VAB = V 1 2+jwC → I2 = 1 = −VAB ;
1 V1
I2 = −V 1( 2+jwC )→B= −I2 → B = 2 + jwC
1 1+jwC +1 2+jwC V1 1+jwC
Zeq = 1 + 1+jwC = 1+jwC = 1+jwC , I1 = Zeq = V 1( 2+jwC );
I2 = 1
−V 1( 2+jwC ), I1
D = −I2 = V 1( 1+jwC 2+jwC
2+jwC )( V 1 ) → D = 1 + jwC

1 + jwC 2 + jwC
ABCD =
jwC 1 + jwC
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Redes de 2 puertos
PARÁMETROS SCATTERING (DISPERSIÓN, ” S ”)

Tenı́amos que el análisis de circuitos eléctricos se podı́a realizar mediante.
Parámetros Z → análisis de circuitos Serie.
Parámetros Y → análisis de circuitos Paralelo.
Parámetros ABCD → análisis de circuitos en Cascada o Cadena.
La caracterización de los procedimientos anteriores requieren colocar
los puertos en circuito Abierto o Cortocircuito.
Esto produce Reflexiones Extremas causando muchas dificultades.
Se requiere una representación basada en ondas viajeras.
A esto se conoce MATRIZ DE DISPERSIÓN O SCATTERING, S.
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Redes de 2 puertos
ai → ondas incidentes causadas por una fuente en el punto i.

bi → ondas reflejadas en el puerto i que producen desacoplo de
impedancias.
Señal Incidente - Señal Reflejada = Señal Transmitida hacia la Red
La señal transmitida puede cambiar en magnitud y en fase antes de
salir al punto 2.
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Redes de 2 puertos

Dependiendo de la terminación del puerto 2, parte de la señal de salida
se reflejará:
b1 → depende de a1 y a2.
b2 → depende de a1 y a2.
Matemáticamente dichas ondas se relacionan como :
(
b1 = S11.a1 + S12.a2
b2 = S21.a1 + S22.a2
! !
b1 S11 S12
=
b2 S21 S22
Si P2 está acoplado, a1 → incidente, a2 = 0,
S21 = b2 b1
a1 |a2=0 ; S11 = a1 |a2=0
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Redes de 2 puertos

Similarmente con una fuente conectada a P2 mientras que P1 termina
en una ZL acoplada,
S12 = b1 b2
a2 |a1=0 ; S22 = a2 |a1=0
Entonces Sii es el coeficiente de reflexión Γi cuando el otro puerto está
acoplado a una carga.
DEFINICIÓN DE ai Y bi EN TÉRMINOS DE VOLTAJES, CORRIENTES Y
POTENCIA
En estado estacionario de voltajes y corrientes totales en el puerto
i-ésimo,
( se puede escribir:
Vi = Vi in + Viref (1)
1
Ii = Zoi (Vi in − Viref ) (2)
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Redes de 2 puertos
in → voltaje incidente
ref → voltaje reflejado
Zoi → impedancia caracterı́stica del puerto i-ésimo
Resolviendo (1) y (2) para encontrar Vi in y Vi ref
Vi in = 12 (Vi + Ii.Zoi) (3)
Vi ref = 21 (Vi − Ii.Zoi) (4)
Asumiendo que los 2 puertos no tienen pérdidas y que Zoi es una
cantidad real:
PROMEDIO DE LA POTENCIA INCIDENTE, PUERTO i-ésimo
1
Pi in = |Vi in |2 (5)
2.Zoi
1
Pi ref = |Vi ref |2 (6)
2.Zoi
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Redes de 2 puertos
Por lo tanto, ai y bi están definidas de tal manera como el cuadrado
de las magnitudes de la potencia en las direcciones respectivas:
√ in |
(ai)2 = Pi in → ai = Pi in = √|Vi 2.Zoi
1
= 2√2.Zoi (Vi + Ii.Zoi)
1 Vi √
ai = √ ( √ + Zoi.Ii) (7)
2 2 Zoi
√ ref |
(bi)2 = Pi ref → bi = Pi ref = √|Vi 2.Zoit
1
= 2√2.Zoi (Vi − Ii.Zoi)
1 Vi √
bi = √ ( √ − Zoi.Ii) (8)
2 2 Zoi
Potencia válida desde la fuente en P1: Pavs = |a1|2
Potencia reflejada desde P1, Pref: Pref = |b1|2
Potencia entregada al puerto, Pd: Pd = Pavs − Pref = |a1|2 − |b1|2 (9)
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Redes de 2 puertos
RED DE 2 PUERTOS CON UNA FUENTE EN P1 Y UNA CARGA

EN P2
Zo1 → impedancia caracterı́stica de P1

Zo2 → impedancia caracterı́stica de P2
Z 1 → impedancia de entrada en P1, P2 con ZL y Vs1 desconectada
Z 2 → impedancia de salida en P2, ZL desconectada y Vs1 en cortocircuito,
Zs en P1
Z 1, Z 2 → responsables de los coeficientes de reflexión Γ1 y Γ2
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Redes de 2 puertos
EN P2 (
b1 = S11.a1 + S12.a2 (10)
Tenı́amos que:
b2 = S21.a1 + S22.a2 (11)
b1 b2
(1 = a1 |a2=0 (12); Γ2 = a2 |a1=0 (13)
Γ
a2
Γ1 = S11 + ( a1 )S12
1 a1
ΓL = S22 + ( a2 )S21
ΓL S21.S12
Γ1 = S11 + (14)
1 − ΓL S22
S21.S12.Γs
Γ2 = S22 + (15)
1 − Γs .S11
Si Zs = Zo1, el P1 está acoplado y Γs = 0 y Γ2 = S22
CONCLUSIÓN: S11, S22 se pueden encontrar mediante la evaluación de
los coeficientes de reflexión en los puertos respectivos mientras que los otros
puertos están terminados acopladamente. 100 / 129
Redes de 2 puertos

EN P2 √
1 √V 2 + Zo2I 2) = 0 V 2 = −Zo2.I 2
De (7), si i = 2 a2 = 2√ 2
( Zo2 √
De (8), si i = 2 b2 = 2√ 1
2
( √V 2 − Zo2.I 2) = √
Zo2
1
2 2
( −Zo2.I√2−Zo2.I
Zo2
2
)
q
b2 = −I 2. Zo2 1
2 , tenı́amos que ai = 2 2 (
√ Vi+Zoi.Ii
√
Zoi
) Si i = 1 y
1
Zs = Zo1 → a1 = √
2 2
( V 1+Zo1.I
√
Zo1
1
) = 2√2Vs1
√
Zo1
= a1, Tenı́amos que
q q √ √
b2 Zo2 2 2 Zo1
S21 = a1 |a2=0 , b2 = −I 2. Zo2 2 S21 = −I 2 2 Vs1 =
r
√ √ √ 2V 2 Zo1
−I 2√ Zo2 2 2 Zo1
2 Vs1 = .... → S21 = (16) Similarmente
Vs1 Zo2
r
2V 1 Zo2
S12 = (17)
Vs2 Zo1
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Redes de 2 puertos
Relación de |S11|2 y las Potencias
Antes tenı́amos que: Pavs = |a1|2 , Pref = |b1|2 ,
Pd = Pavs − Pref = |a1|2 − |b1|2
|b|2
Podemos escribir |S11|2 = | b1 2 Pref
a1 | = |a1|2 = Pavs =
Pavs−Pd
Pavs
Pavs − Pd
|S11|2 = (18)
Pavs
Pavs → potencia válida desde la fuente, P1
Pref → potencia reflejada desde P1
Pd → potencia entregada al puerto o la red
Pavs = Pd → si Zs = Z 1∗ , significarı́a que la fuente está acoplada en P1.
Similarmente tenı́amos que:
I2 2
Zo2( √ )
q
S21 = −I 2 Zo2 1
2 ( √Vs1
√
) → |S21|2 =
1
2
Vs1
( √ )2
2 2 Zo1 4.Zo1 2
Zo2( √I 22 )2 V 12
|S21|2 = 1 1 Vs1
(19), |S12|2 = Zo2
4( Vs22 ) (20)
√ 2
2 [ 2Zo1 ( 2 ) ] Zo1
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 32:
Se realizaron mediciones de corrientes y voltajes totales en una red de 2
puertos de la siguiente manera:
V 1 = 10∠0◦ (V), V 2 = 12∠30◦ (V)
I 1 = 0.1∠40◦ (A), I 2 = 0.15∠100◦ (A)
V 1in = 12 (V 1 + Zo.I 1) = 12 (10∠0◦ + 50x0.1∠40◦ ) =
6.9151 + j1.6070(V ) = V 1in
V 1ref = 12 (V 1 − Zo.I 1) = 21 (10∠0◦ − 50x0.1∠40◦ ) =
3.0849 − j1.6070(V ) = V 1ref
V 2in = 12 (V 2 + Zo.I 2) = 12 (12∠30◦ + 50x0.15∠100◦ ) =
4.5448 + j6.6931(V ) = V 2in
V 2ref = 12 (V 2 − Zo.I 2) = 21 (12∠30◦ − 50x0.15∠100◦ ) =
5.83 − j0.6930(V ) = V 2ref
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 33:
Determinar los parámetros S del circuito de la figura.
Z 1 − Zo1 Z 2 − Zo2
S11 = ; S22 =
Z 1 + Zo1 Z 2 + Zo2
r r
2V 2 Zo1 2V 1 Zo2
S21 = ; S12 =
Vs1 Zo2 Vs2 Zo1
Si ZL = Zo y quitamos la fuente
Vs1 → Z 1 = Z + Zo → S11 =
Z 1−Zo1 Z +Zo−Zo Z
Z 1+Zo1 = Z +Zo+Zo → S11 = Z + 2.Zo
S11 = S22
Conectando la fuente Vs1 con
su impedancia
q interna.
2V 2 Zo1
S21 = Vs1 Zo2
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Redes de 2 puertos
Zo 2 Vs1.Zo 2.Zo
V 2 = Vs1 2.Zo+Z → S21 = Vs1 2.Zo+Z → S21 = 2.Zo+Z
Zo 2 Vs2.Zo 2.Zo
V 1 = Vs2 2Zo+Z , S12 = Vs2 ( 2.Zo+Z ) → S12 = 2.Zo+Z
 Z 2.Zo 
 Z + 2.Zo 2.Zo + Z 
S =  Ya que S11 = S22 entonces se trata de una
2.Zo Z
2.Zo + Z Z + 2.Zo
red simétrica. Comprobar que |S11|2 + |S21|2 = 1 y también
S11.S12∗ + S21.S22∗ = 0
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 34:
Un transformador ideal está diseñado para operar a 500MHz. Tiene 1000
vueltas en el primario y 100 vueltas en el secundario.
Asumiendo que tiene un conector
de 30Ω en cada lado.
Determinar los parámetros de la matriz S.
V1 −I 2
= =n
V2 I1
V 1(−I 2) (V 1/I 1) Z1 2
V 2(I 1) = (V 2/−I 2) = Z 2 = n
2 n2 −1
S11 = ZZ 1−Zo n Zo−Zo
1+Zo = n2 Zo+Zo = n2 +1
,
n = N1 1000
N2 = 100 = 10
100−1 99
→ S11 = 100+1 → S11 =
101
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 34:
q continuación
n2 Zo n2 Vs1 V 1
S21 = Vs1 Zo1
2V 2
Zo2 , V 1 = Vs1( n2 Zo+Zo ) = ,
n2 +1 V 2
= n → V 2 = Vn1 →
2
S21 = (n22Vs1.n
+1)n.Vs1
→
2n 2x10
S21 = n2 +1 = 102 +1 → S21 = 20/101
S22 = ZZ 2−Zo N1 V1
2+Zo , N2 = V 2 = n
2)
→ V 2 = Vs2(Zo/n
Zo+Zo/n2
= nVs2
2 +1 = V 2,
V 1 = nV 2 2
−Zo
S22 = Zo/n
Zo/n2 +Zo
=
1/n2 −1 1−n2 1−102 −99
1/n2 +1
= 1+n 2 = 1+102 → S22 = 101
S12 = 2V 1
= 2nV 2
Vs2 = ( 2n )( Vs2
2 ) = n22n 2x10
= 100+1 20
→ S12 = 101
 Vs2   Vs2 n +1 +1
99 20
S11 6= S22 → Red no Simetrica

 101 101  , S12 = S21 → Red Reciproca
S =
20 −99  
|S11|2 + |S21|2 = 1; S11.S12∗ + S21.S22∗ = 0

101 101
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 35:
Encontrar los parámetros de la matriz S de la red de dos puertos del
circuito de la figura.
Z 1 = j50 + (−j25)50 =
√
50−j25
10 + j30 = Z 1
10+j30−50
S11 = ZZ 1−Zo
1+Zo = 10+j30+50 =
−0.333 + j0.666 → S11 = 0.74536∠116.56◦
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Redes de 2 puertos

(50+j50)(−j25) √
Z2 = 50+j50−j25 = 10 − j30 = Z2
Z 2−Zo 10−j30−50
S22 = Z 2+Zo = 10−j30+50 =
S22 = −0.333 − j0.666 →
S22 = 0.74536∠243.43◦
S21 = 2V 2 Ze1
Vs1 , V 2 = Vs1 50+j50+Ze1 ;
√
Ze1 = 50(−j25)
50−j25 = 10 − j20 = Ze1
10−j20
V 2 = Vs1 50+j50+10−j20 =
◦ √
Vs1(0.333∠ − 90 ) S21 = 2V 2
Vs1 =
2x0.333∠ − 90◦ → S21 = 0.666∠ − 90◦
10−j30
V 2 = Vs2( 50+10j30 )=
◦ √
Vs2(0.4714∠ − 45 ) = V 2
109 / 129
Redes de 2 puertos

50
V 1 = V 2( 50+j50 ) = V 2(0.70711∠ − 45◦ )
V 1 = (0.70711∠ − 45◦ )(0.4714∠ − 45◦ )
S12 = 2.V 1 ◦
Vs2 = 2(0.70711)(0.4714)∠ − 90 →
S12 = 0.666∠ − 90◦
! !
S11 S12 0.745∠116.56◦ 0.666∠ − 90.000◦
S= =
S21 S22 0.666∠ − 90.000◦ 0.745∠ 243.43◦
S11 6= S22 → la red no es simétrica
S21 = S12 → la red es recı́proca
Es una red sin pérdidas y se puede verificar:
|S11|2 + |S21|2 = (0.74536)2 + (0.6666)2 = 0.9999 ≈ 1
|S12|2 + |S22|2 = (0.6666)2 + (0.74536)2 = 0.9999 ≈ 1
S11.S12∗ + S21.S22∗ ≈ 0
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 36:
En el circuito de la figura, determiar los parámetros de las matrices Z, Y,
ABCD, h y S.
Respuestas: ! !
8.5 3.5 0.1416 − 00583
Z= Ω; Y = S
3.5 8.5 −0.0583 0.1416
!
7.0588Ω 0.4117
h=
−0.4117 0.1176
!
2.4286 17.143Ω
ABCD =
0.2857 2.4286
!
−0.7155 0.1026
S=
0.1026 − 0.7155
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 37:
En el circuito de la figura, donde R = 50Ω, L = 1 nH, C = 1nF, f= 800
MHz, determiar los parámetros de la matriz S.
Respuestas:
!
(−0.3333 − j0.0013) (0.6666 + j0.0000)
S=
(0.6666 + j0.0000) (−0.3333 − j0.0028)
112 / 129
Redes de 2 puertos
Ejercicio 38:
En el circuito de la figura, R = 100 Ω, L = 1 µH, C = 1 µF, f = 500 MHz,
determiar los parámetros de la matriz S.
Respuestas:
(3.24x10−10 − j1.27x10−5 )
!
(−1.00 + j0.00)
S=
(3.24x10−10 − j1.27x10−5 ) (−1.00 + j0.00)
113 / 129
Redes de 2 puertos
Ejercicio 39:
En el circuito de la figura, R = 50 Ω, L = 1 µH, C = 1 µF, f = 1 GHz,
determiar los parámetros de la matriz S.
Respuestas:
(−1.00 + j0.00) (3.03x10−17 − j3.18x10−9 )

!
S=
(3.03x10−17 − j3.18x10−9 ) (−1.00 + j0.00)
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Redes de 2 puertos
Ejercicio 40:
En el circuito de la figura, determiar la impedancia ZAB , VSWR y ΓAB .
Respuestas:
ZAB = 0.7429 − j43.0906 (Ω)

ΓAB = −0.1450 − j0.9723
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6. Método de Impedancia Imagen
Acoplamiento de Impedancias por el Método de

Impedancia Imagen
Acopladores de Impedancia
Sirven para conseguir MTP entre circuitos como amplificadores de RF,

osciladores, mezcladores, etc.
Aplicación importante: acoplamiento de impedancias de lı́neas de
transmisión y antenas.
En estas condiciones se dice que las impedancias están acopladas
mediante el método de IMPEDANCIAS IMAGEN.
Es deseable que el acoplador no disipe potencia, por eso se utilizan
solamente L y C. Existen algunas configuraciones.
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Acopladores de Impedancia en ”L” invertida

Se trata de encontrar los valores de X1 y X2 del acoplador de impedancias
en función de las resistencias conocidas R1 y R2.
R2(jX 2) jR2.X 2(R2−jX 2)

Zg = R1 + 0j, ZAB = jX 1 + R2+jX 2 = jX 1 + R22 +X 22
=
2
jR2 .X 2 R2.X 22 R2.X 22 √
jX 1 + R2 2 +X 22 + R22 +X 22 = R1 + 0j; R1 = R22 +X 22
= R1
→ R2.X 2 = R1.R22 + R1.X 22 ,
2
R1 √
q
X 22 (R2 − R1) = R1.R22 → X 2 = R2 R2−R1
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Igualando la parte imaginaria a cero:
jR22 .X 2
jX 1 + R22 +X 22 = 0
R22 .X 2 R2.X 22
−X 1 = R22 +X 22
, tenı́amos que R1 = R2 2 +X 22
R22 .X 22 R2.X 22 −R1.R2 √
−X 1.X 2 = R2 = ( )R2, −X 1.X 2 = R1.R2 → X 1 =
q 2 +X 2√2 R22 +X 22 X2
R1
X 2 = R2 R2−R1
Ejercicio 41:
Hallar los q
valores X1 y X2 si R1 = 50Ω, R2 = 100Ω a 850MHz.
50 √
X 2 = 100 100−50 = ±100 = X 2
√
Si X 2 = 100Ω → X 1 = −50x100
100 = −50 = X 1
Interpretación:
100 √
jX 2 = 100Ω = jwL → L = 2π850x10 6 = 0.0187 uH = 18.7 nH = L
−j 1 √
jX 1 = −50 = wC → C = 50x2πx850x10 6 = 3.745 pF = C
Comprobar que ZAC = 50Ω y ZBC = 100Ω.
118 / 129

Ejercicio 42:
Determinación de X1 y X2 por el lado derecho de la impedancia de carga
ZL.
ZBC = (R1+jX 1)(jX 2)

R1+jX 1+jX 2 = R2 + 0j
................................................
Demostrar algunas expresiones como:
X 2 = −R2.X
R2−R1
1
; X 12 = R1(R2 − R1)
√ p
X 2 = −R2 R1R2 − R1; X 1 = R1(R2 − R1)
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Acopladores de Impedancia en configuración ”T”.

Ejercicio 43:
Determinación de X1, X2 y X3 para el acoplador tipo T. Condición
X 1 = X 2 = X = −X 3
(jX 3)(R2+jX 2) (−jX )(R2+jX ) −jXR2+X 2

Zin = jX 1 + jX 3+R2+jX 2 = jX + −jX +R2+jX = jX + R2 =
jX .R2 X2 2 X2
√
jX − R2 + R2 = jX − √ jX + X → X = R1.R2 =
R2 = 0 + R2 = R1
√ √
50x100 = ±70.71 = X , jX 1 = jX 2 = j70.71Ω, jX 3 = −j70.71Ω
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Acopladores de Impedancia en configuración ”T”.

Ejercicio 44:
Determinación de X1, X2 y X3 para el acoplador tipo T. Condición
X 1 = X 3 = X = −X 2
2
jX .R2
(jX )(−jX + R2+jX ) ( −jX .R2+X +R2.jX
) jX (X 2 ) X2
Zin = jX .R2 = jX R2+jX
R2.jX = R2.jX = R2 = R1 → X 2 =
jX −jX + R2+jX R2+jX
R1.R2, X 2 = 50x100 → X = ±70.71Ω
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7. Teorema de Barlett
Teorema de Barlett
Publicado en 1930 por Barlett.
Permite obtener redes equivalentes y el cálculo de resistencia
caracterı́stica de redes simétricas.
Se plantean redes que tienen simetrı́a especular y pueden reducirse a
estructuras equivalentes más simples.
El teorema de bisección de Barlett trata sobre el comportamiento de

las redes simétricas, cuando se aplica voltajes simétricos o de MODO
COMÚN Vs1 = Vs2 = Vc, o de MODO DIFERENCIAL
Vs1 = −Vs2 = Vd.
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Teorema de Barlett
Enunciado del Teorema

Cuando a una red simétrica se aplica un voltaje en MODO COMÚN,
las corrientes y voltajes de toda la red se cortan y se dejan en circuito
abierto.
Cuando a una red simétrica se aplica un voltaje en MODO
DIFERENCIAL, las corrientes y voltajes de toda red no se modifican si
las conexiones entre las 2 partes de la red se cortocircuitan.
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Teorema de Barlett
Enunciado del Teorema Ejemplo de demostración:
En el esquema de la figura, hallar las corrientes I1, I2 mediante el teorema
de Barlett.
(
Vs1 = I1.(2SL) − I2.(SL)
Cálculo de corrientes y voltajes en
−Vs2 = I1.(−SL) + I2.(2SL)
MODO CMÚN (Vs1 = Vs2 = Vc)
(
Vc = I1.(2SL) − I2.(SL)
−Vc = −I1.(SL) + I2.(2SL)
Vc+I2.(SL) Vc+2SL.I2
I1 = 2SL = SL 124 / 129
Teorema de Barlett
Enunciado del Teorema Ejemplo de demostración:

Vc SL 1
2 + 2 .I2 = Vc + 2SL.I2, Vc( 2 − 1) =
1 −Vc 3
SL.I2.(2 − 2 ) → 2 = 2 .SL.I2,
−Vc Vc+SL( −Vc )
I2 = , I1 = 2SL
3SL
=
3SL
Vc−Vc/3
2Vc Vc
= 2SL → I1 = 3SL
3
2SL
VBD = SL(I1 − I2) =

Vc Vc 2
SL( 3SL + 3SL ) = Vc = VBD
3
√
I1 = 3SL → VBD = I1.(2SL) = 23 Vc
Vc
√
I2 = −Vc3SL
125 / 129
Teorema de Barlett
Enunciado del Teorema Ejemplo

( de demostración:
Vd = I1.(2SL) − I2.(SL)
Vd = I1.(−SL) + I2.(2SL)
I1 = Vd+I2.SL
2SL = Vd−2.SL.I2
−SL
Vd SL
2 + 2 I2 = −Vd + 2SL.I2
→ Vd(2 − 12 ), 23 Vd = 32 I2.SL
→ I2 = VdSL
Vd+SL(Vd/SL)
I1 = 2SL = 2Vd
2SL → I1 =
Vd
SL
CIRCUITOS EQUIVALENTES:-
I1 = Vd
SL , I2 = SL
Vd
126 / 129
Teorema de Barlett
Ejemplo de como construir la matriz Z en un circuito de varias mallas.
127 / 129
Teorema de Barlett
Ejercicio 45:
En el circuito de la figura, hallar las tensiones y corrientes mediante el
Teorema de Barlett.
(1) − 20 + 6I1 − 6I2 = 0

(2) − 6I1 + 15I2 − 8I3 − I5 = 0
(3) − 8I2 + 15I3 − 6I4 − I5 = 0
(4) − 6I3 + 6I4 + 10 = 0
(5) − I2 − I3 + 20I5 − 10I6 = 0
(6) − 10I5 + 14I6 = 0
128 / 129
Teorema de Barlett

I1 = 10.136 A, I2 = 6.803 A I3 = 5.038 A
I4 = 3.372 A I5 = 0.921 A I6 = 0.657 A
Luego calculamos las fuentes en Modo Común y en Modo Diferencial:
Vc = 20+10
2 = 15V , Vd = 20−10
2 = 5V
6x17
Req = 6+17 = 4.434 Ω,
15
I1c = 4.434 = 3.382 A,
0 15
I2c = 17 = 0.882 A
Re1 = 2x5
7 + 4 = 5.428Ω,
1xRe1
Re2 = 1+Re1 = 0.844Ω = RAE ,
6xRe2
Ret = 6+Re2 = 0.740Ω
5
I1d = 0.740 = 6.754 A, I1total =
I1c + I1d = 3.382 + 6.754 = 10.137 A
129 / 129

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Introducción a los sistemas de RF

Dr. Patricio Vizcaı́no Espinosa

July 26, 2021

1 Dispositivos Activos de RF y Microonda

2 Introducción a Lı́neas de Transmisión

4 Redes de acoplamiento de impedancias

6 Método de Impedancia Imagen

Dispositivos Activos de RF y Microonda

Dispositivos Activos: diodos, transistores, tubos electrónicos.

Dispositivos Activos de RF y Microonda

Diodos Schottky Detectores

Dispositivos Activos de RF y Microonda

Dispositivos Activos de RF y Microonda

Dispositivos Activos de RF y Microonda

Diodos Schottky Detectores

Dispositivos Activos de RF y Microonda

Diodos PIN y Circuitos de Control

Dispositivos Activos de RF y Microonda

Li → inductancia parásita (< 1nH)

Dispositivos Activos de RF y Microonda

Dispositivos Activos de RF y Microonda

Conmutadores de diodos PIN de un sólo polo

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Impedancia caracterı́stica = Zo = VI 11 = VI 22 = ... = Vn

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

L = 200ln(b/a) = 200ln(0.11912/0.03612) = 239.12nH/m = L

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Aplicando las leyes de Kirchoff para 4z, tendremos:

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Ecuaciones de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Ecuaciones de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

V (x) = Vin.e −γx + Vref .e γx , I (x) = Iin.e −γx + Iref .e γx

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Impedancia de entrada de lı́neas de λ/4

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Ejercicio 3: Una lı́nea de transmisión de longitud d y Zo actúa como

d = λ/4 = 1/4 = 0.25m

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Tenı́amos que Zin = Zo( ZL+Zo.tanh(γ`)

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Repaso de Lı́neas de Transmisión

Carta de Smith DATE

0.1 0.1 0.4

REFLECTION COEFF CIENT IN DEG

1 0.15 4 0.39 0.36

RADIALLY SCALED PARAMETERS

20 15 10 8 6 5 4 3 2 1 1 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.6 1.8 2 3 4 5 10 20

20 15 10 8 6 5 4 3 2 1 1 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.6 1.8 2 3 4 5 10 20

Fundamentos de la Carta de Smith

Recorrido en la Carta de Smith