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Tema 4.

Difusión

4.1. Introducción

4.2. Mecanismos de difusión


Tema 4. Difusión

4.3. Difusión en régimen estacionario (Primera Ley de Fick)

4.4. Difusión en régimen no estacionario (Segunda Ley de Fick)

4.5. Factores de los que depende la difusividad

4.6. Aplicaciones del proceso de difusión

Solidificación rápida: vidrios metálicos

Ciencia e Ingeniería de Materiales


4.1. Introducción
Difusión
Fenómeno de transporte, el movimiento de los átomos en un material con
objeto de eliminar las diferencias de concentración y llegar a una composición
homogénea y uniforme
Tema 4. Difusión

En el estado sólido es mucho más


lenta que en el estado líquido o
gaseoso
 Tratamientos térmicos se favorecen los procesos difusionales (tamaño de
grano, precipitación de fases, oxidación y corrosión)
 Tratamientos termoquímicos (carburación, nitruración)
 Dopaje o introducción de impurezas controladas en materiales
semiconductores.

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4.2. Mecanismos de difusión

Para que un átomo se desplace:


 sitio contiguo vacío
 tener energía vibracional suficiente
Tema 4. Difusión

Difusión de átomos de cobre en el níquel. Al


final los átomos de cobre quedarán
distribuidos aleatoriamente en todo el níquel

Ciencia e Ingeniería de los Materiales


4.2. Mecanismos de difusión

Difusión por vacantes


Un átomo abandona su posición en la red para ocupar una vacante
próxima, creando así una nueva vacante.
Tema 4. Difusión

Difusión de átomos por vacantes

Difusión intersticial

Los átomos intersticiales se difunden de un sitio intersticial a otro.

Difusión intersticial

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4.2. Mecanismos de difusión

Energía de activación para la difusión

 Un átomo debe abrirse paso


entre los átomos circundantes
para su difusión a otro sitio.
Este proceso requiere superar
Tema 4. Difusión

cierta barrera energética


(Energía de activación, Q)
 Sólo los átomos con una energía
térmica mayor o igual a Q
podrán difundirse de un punto
a otro del material
 Qv>Qi

Se requiere una energía alta para hacer pasar los


átomos entre otros para la difusión. Esta energía es
la energía de activación Q.

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4.2. Mecanismos de difusión

Difusión por vacantes


Tema 4. Difusión

Difusión por vacantes

La Q se suministra térmicamente

Mayor vibración de los átomos en


Mayor energía térmica  mayor
sus posiciones reticulares
número de vacantes, por lo tanto
pudiendo ocupar una posición
adyacente vacía. mayor difusión.

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4.2. Mecanismos de difusión

Difusión por vacantes

Energía para
Tema 4. Difusión

Energía de Energía para


crear una
activación moverla
vacante

Para que se produzca el movimiento


atómico de A a B es necesario que el
sitio B esté vacío antes; la Qv es la
suma de la energía para crear y
mover la vacante

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4.2. Mecanismos de difusión
Difusión por vacantes
Energía de activación de difusión por vacantes para algunos metales puros
Tema 4. Difusión

A  la T fusión
Q

La energía de activación para la difusión por


vacantes en metales puros es mayor conforme
aumenta el punto de fusión del metal

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4.2. Mecanismos de difusión
Difusión intersticial

Difusión intersticial, es necesario


que el tamaño de los átomos sea
pequeño (H, O, B, N y C)
Tema 4. Difusión

Energía de activación
Rotura de los enlaces y
Distorsión de la red
formación de otros enlaces

Energía para
Energía de
mover el átomo
activación
intersticial

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4.2. Mecanismos de difusión
Difusión intersticial
Tamaños relativos de algunos átomos e iones. Valores de radios en nanómetros.
Tema 4. Difusión

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4.3. Difusión en estado estacionario. Primera ley de Fick
Tema 4. Difusión

𝑀
J=
𝐴𝑡

J: flujo de difusión: átomos/m2s


M: masa que difunde, expresada en
átomos
El flujo durante la difusión , J, queda A: área de difusión
definido como el número de átomos que pasa t: tiempo de difusión
a través de un plano de área unitaria por
unidad de tiempo.

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4.3. Difusión en estado estacionario. Primera ley de Fick

Estado estacionario

El flujo de difusión, J=cte, no cambia con el tiempo


El gradiente de concentración, dc/dx no cambia con el tiempo
Tema 4. Difusión

1ª Ley Fick

𝑑𝑐
𝐽 = −𝐷 ∗
𝑑𝑥

El flujo neto de átomos que se difunden de una región a otra dentro del
material, J (átomos/m2.s) es igual a la difusividad, D (m2/s) por el gradiente
de concentración dc/dx (átomos/m3.m)

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4.3. Difusión en estado estacionario. Primera ley de Fick

2
Tema 4. Difusión

𝑑𝑐 La dirección de difusión c1 c2 x
𝐽 = −𝐷 ∗ es contraria al gradiente
𝑑𝑥 de concentración

El gradiente de concentración es el “motor” de la difusión: a mayor


gradiente (mayor diferencia de concentración ) mayor difusión
𝑑𝑐 𝑐 𝑐2−𝑐1
Si el perfil de concentración es lineal: = =
𝑑𝑥 𝑥 𝑥2−𝑥1
La difusividad o coeficiente de difusión, D, m2/s es constante para un par
de sustancias dadas a una temperatura determinada
4.4. Difusión en estado no estacionario. Segunda ley de Fick

La mayoría de las situaciones prácticas de difusión en la industria son en


estado no estacionario
El flujo de difusión, J, y el gradiente de concentración, dc/dx cambian con el
tiempo, generando acumulación o agotamiento de las sustancias que
difunden.
Tema 4. Difusión

𝐶 𝐶 𝐶
= ∗ (D ∗ )
𝑡 𝑥 𝑥
Si D es independiente de la composición

Segunda Ley de Fick

𝐶 2𝐶
=D∗ 2
𝑡 𝑥

Las soluciones de esta ecuación se consiguen especificando condiciones límites


físicamente significativas

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4.4. Difusión en estado no estacionario. Segunda ley de Fick

Difusión de un gas A en un solido


Solución particular de la ecuación de la
segunda Ley de Fick para un gas A
cuya concentración superficial, cs, se
mantiene constante difundiendo en
Tema 4. Difusión

un sólido semiinfinito cs c0
Antes de la difusión, todos los átomos
de soluto están uniformemente
distribuidos en el sólido a c=c0
El valor de x en la superficie es 0 y
aumenta con la distancia dentro del
sólido x x
El t se toma igual a 0 en el instante
inmediatamente antes de empezar la
difusión

𝐶𝑠−𝐶𝑥 𝑥
c𝑠−𝐶0 =𝑒𝑟𝑓(2√𝐷𝑡)
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4.4. Difusión en estado no estacionario. Segunda ley de Fick

Función error correspondiente a la segunda Ley


de Fick
Tema 4. Difusión

Función error correspondiente a la segunda Ley de Fick

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4.5. Factores de los que depende la difusividad, D

Tipo de mecanismo de difusión


Difusión por vacantes o sustitucional: (Fe en Fe ó Cu en Al;

Difusión intersticial: (C en Fe)


Tema 4. Difusión

Estructura cristalina de la red del disolvente

Los átomos se difunde más fácilmente en estructuras abiertas, es decir con


menor FEA. (DC en Fe-> DC en Fe-; DFe en Fe- > DFe en Fe-)

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4.5. Factores de los que depende la difusividad, D

Difusividades para sistemas seleccionados de difusión soluto-disolvente


Tema 4. Difusión

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4.5. Factores de los que depende la difusividad, D

Temperatura
Tema 4. Difusión

Representación típica de Arrhenius, D vs 1/T, de tres


importantes elementos intersticiales en Fe- BCC

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4.5. Factores de los que depende la difusividad, D
Temperatura
Tema 4. Difusión

Representación típica de Arrhenius, D vs 1/T es Coeficiente de difusión, D en función del inverso de la


una línea recta de cuya pendiente se obtiene Q. temperatura para varios metales y materiales cerámicos. Una
pendiente pronunciada significa una Q elevada.
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4.6. Aplicaciones del proceso de difusión

Endurecimiento del acero por cementación gaseosa

Objetivo: superficie dura, interior resistente


Material base: acero con un 0.1-0.25% de C
Tema 4. Difusión

Piezas típicas:

Atmósfera: CH4 o hidrocarburos gaseosos


Temperatura: 927 ºC
Acero cementado: mayor contenido en C (0.45% C) a 0.2 cm de la superficie

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4.6. Aplicaciones del proceso de difusión

Soldadura por difusión


Tema 4. Difusión

Pasos en la soldadura por difusión. (a) inicialmente el área de contacto es pequeña, (b) la aplicación de
presión deforma la superficie, incrementando el área de unión (c) la difusión por bordes de grano da como
resultado la contracción de los huecos y (d) la eliminación total de los huecos requiere de la difusión
volumétrica.

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4.6. Aplicaciones del proceso de difusión

Difusión y el procesado de materiales: Sinterización


Tema 4. Difusión

Procesos de difusión durante la sinterización. Los átomos se difunden hacia los puntos de contacto creando
puentes y reduciendo el tamaño de los poros

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5.6. Aplicaciones del proceso de difusión

Difusión de impurezas en obleas de silicio para circuitos integrados


Tema 5. Difusión

Difusión de impurezas en una oblea de silicio desde una


cara . (a) La oblea de silicio de espesor muy exagerado
posee una concentración de impurezas que disminuye
desde la cara izquierda hacia el interior. (b)
Representación gráfica de la misma distribución de
impurezas.

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