Dispositivos de tres terminales:

Aplicaciones no lineales del

TBJ y análisis AC
ELIANA ACURIO
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CONTENIDO
 APLICACIONES NO LINEALES DEL TBJ
 MODELOS DEL TRANSISTOR TBJ PARA PEQUEÑA SEÑAL
 PARÁMETROS HÍBRIDOS
 PRÁMETROS r
 ANÁLISIS DE AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN
 RESUMEN

E. Acurio
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OBJETIVO

Conocer las aplicaciones no lineales del

TBJ y analizar los diferentes modelos para
el análisis AC.

E. Acurio
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APLICACIONES NO LINEALES DEL TBJ
 Son aplicaciones en las cuales el TBJ no Se utilizan dos fuentes de polarización: VBB = 5V y
opera en la región activa normal (RAN), VCC = 5V. Diseñar el circuito para que se sature
sino en las regiones de corte y con una IC = 10mA cuando el interruptor esté
saturación. cerrado, asuma que 𝛽 = 25 para saturación. El
LED requiere 1,6V
cuando está polarizado directamente.
𝐼𝐶<𝑠𝑎𝑡>
𝐼𝐵<𝑠𝑎𝑡> = = 400 𝜇𝐴
𝛽
𝑉𝐵𝐸<𝑠𝑎𝑡> = 0.8𝑉

5𝑉 − 0.8𝑉
𝑅𝐵 = = 10.5 𝐾Ω → 10 𝐾Ω
400 𝜇𝐴

5𝑉 − 1.6𝑉 − 0.2𝑉
𝑅𝐶 = = 320Ω → 330 Ω
10𝑚𝐴
E. Acurio
 MODELOS DEL TRANSISTOR TBJ PARA 5
PEQUEÑA SEÑAL
Los modelos son la combinación de elementos de circuito seleccionados adecuadamente que
mejor se aproximan al comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones
específicas de operación [1].
Malla de entrada
1. MODELO UTILIZANDO PARÁMETROS HÍBRIDOS [H]
𝑉𝑖𝑛 = ℎ𝑖 . 𝐼𝑖𝑛 + ℎ𝑟 . 𝑉𝑜

Malla de salida
𝐼𝑜 = ℎ𝑓 . 𝐼𝑖𝑛 + ℎ𝑜 . 𝑉𝑜

E. Acurio
 MODELOS DEL TRANSISTOR TBJ PARA 6
PEQUEÑA SEÑAL
1. MODELO UTILIZANDO PARÁMETROS HÍBRIDOS [H]
 Se aplica a cualquier dispositivo o sistema Si en las ecuaciones anteriores Vo = 0
electrónico lineal de 3-terminales sin fuentes (salida en corto circuito), entonces:
independientes internas.
 Los valores de los parámetros-h dependen de la 𝑉𝑖𝑛 𝐼𝑜
ℎ𝑖 = ℎ𝑓 =
configuración. 𝐼𝑖𝑛 𝐼𝑖𝑛

Si en las ecuaciones anteriores Iin = 0

(entrada en circuito abierto), entonces:

𝑉𝑖𝑛 𝐼𝑜
ℎ𝑟 = ℎ𝑜 =
𝑉𝑜 𝑉𝑜

E. Acurio
 MODELOS DEL TRANSISTOR TBJ PARA 7
PEQUEÑA SEÑAL
1. MODELO UTILIZANDO PARÁMETROS HÍBRIDOS [H]

Modelos de parámetros h de las tres posibles configuraciones del transistor NPN

E. Acurio
 MODELOS DEL TRANSISTOR TBJ PARA 8
PEQUEÑA SEÑAL
1. MODELO UTILIZANDO PARÁMETROS HÍBRIDOS [H]

BASE COMÚN EMISOR COMÚN COLECTOR COMÚN

E. Acurio
 MODELOS DEL TRANSISTOR TBJ PARA 9
PEQUEÑA SEÑAL
1. MODELO UTILIZANDO PARÁMETROS HÍBRIDOS [H]
E-común B-común C-común
ℎ𝑖 ℎ𝑖𝑒 ℎ𝑖𝑏 ℎ𝑖𝑐
ℎ𝑟 ℎ𝑟𝑒 ℎ𝑟𝑏 ℎ𝑟𝑐
ℎ𝑓 ℎ𝑓𝑒 ℎ𝑓𝑏 ℎ𝑓𝑐
ℎ𝑜 ℎ𝑜𝑒 ℎ𝑜𝑏 ℎ𝑜𝑐

E. Acurio
 MODELOS DEL TRANSISTOR TBJ PARA 10
PEQUEÑA SEÑAL
2. MODELO UTILIZANDO PARÁMETROS r
 Los parámetros-h son importantes
porque se los encuentra en los
manuales de los fabricantes, de modo
que es necesario saber lo que
significan. Sin embargo, existe otro
conjunto de parámetros usado
ampliamente, quizá porque son más
fáciles de manejar que los parámetros-
h, se trata de los parámetros-r
(parámetros-T) [1].

E. Acurio
 MODELOS DEL TRANSISTOR TBJ PARA 11
PEQUEÑA SEÑAL
2. MODELO UTILIZANDO PARÁMETROS r
 La relación entre los parámetros h y B-común
r son las siguientes:
𝑖𝑐 𝑖𝑐
𝛼𝐴𝐶 = ℎ𝑓𝑏 = 𝛽𝐴𝐶 = ℎ𝑓𝑒 =
𝑖𝑒 𝑖𝑏
ℎ𝑖𝑒 ℎ𝑖𝑒
𝑟𝑒 = = Resistencia dinámica E-común
ℎ𝑓𝑒 + 1 𝛽 + 1
de emisor
ℎ𝑟𝑒 + 1
𝑟𝑐 = ≈ 40 𝐾Ω Resistencia dinámica
ℎ𝑜𝑒
de colector
ℎ𝑟𝑒
𝑟𝑏 = ℎ𝑖𝑒 − [1 + ℎ𝑓𝑒 ] Resistencia dinámica
ℎ𝑜𝑒
de base C-común

E. Acurio
 MODELOS DEL TRANSISTOR TBJ PARA 12
PEQUEÑA SEÑAL
2. MODELO UTILIZANDO PARÁMETROS r
(APROXIMADO)
B-común
 El efecto de la resistencia ac de la
base [rb] suele ser tan pequeño que
generalmente se desprecia de
modo que es posible reemplazarla
con un corto circuito.
E-común
 La resistencia de colector [rc],
generalmente es de varias
centenas de KΩ y puede sustituirse
por un circuito abierto.
26𝑚𝑉
𝑟𝑑 =  resistencia dinámica (AC) del diodo
𝐼𝐷
26𝑚𝑉 C-común
𝑟𝑒 =  válido solo en RAN
𝐼𝐸

E. Acurio
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AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN
 Determinación de parámetros Av, Ai, Zin, Zo en un amplificador en E-común.

CONECTADO SOLO EL CB:

𝐶𝐵 , 𝐶𝐶 son condensadores de paso,

porque permiten el paso de
componentes AC y bloquean las DC,
se los conoce también como
capacitores acopladores.
𝐶𝐵 ayuda a controlar la ganancia de
voltaje.

E. Acurio
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AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN
CONECTADO SOLO EL CB:
𝑅𝐵 = 𝑅1 ฮ𝑅2

𝑣𝑖𝑛 = 𝑖𝑒 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 = 𝑖𝑏 (𝛽 + 1) 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸
𝑣𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛−𝑇 = = (𝛽 + 1) 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 en AC
𝑖𝑏
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 ฮ𝑍𝑖𝑛−𝑇

𝑍𝑜 ≈ 𝑅𝐶

𝑣𝑜 = −𝑖𝑐 . 𝑅𝐶 = −𝛽. 𝑖𝑏 . 𝑅𝐶
𝑣𝑜 𝑅𝐶
𝐴𝑣 = =−
𝑣𝑖𝑛 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸

𝑖𝑜 −𝑣𝑜 /𝑅𝐶 𝑣𝑜 𝑍𝑖𝑛 𝑍𝑖𝑛

EJEMPLO 𝐴𝑖 = = =− . = −𝐴𝑣 .
𝑖𝑖𝑛 𝑣𝑖𝑛 /𝑍𝑖𝑛 𝑅𝐶 𝑣𝑖𝑛 𝑅𝐶
E. Acurio
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AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN
CONECTADO EL CB Y CE:

𝑅𝐶
𝑍𝑖𝑛−𝑇 = (𝛽 + 1). 𝑟𝑒 𝐴𝑣 = −
𝑟𝑒
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 ฮ𝑍𝑖𝑛−𝑇 𝑍𝑖𝑛
𝑍𝑜 ≈ 𝑅𝐶 𝐴𝑖 = −𝐴𝑣 .
𝑅𝐶

E. Acurio
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AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN
CONECTADO EL CB, CE Y CC:

𝑅𝐶 ฮ𝑅𝐿
𝑍𝑖𝑛−𝑇 = (𝛽 + 1). 𝑟𝑒 𝐴𝑣 = −
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 ฮ𝑍𝑖𝑛−𝑇 𝑟𝑒
𝑍𝑖𝑛
𝑍𝑜 ≈ 𝑅𝐶 𝐴𝑖 = −𝐴𝑣 .
𝑅𝐶 ฮ𝑅𝐿
E. Acurio
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AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN
AMPLIFICADOR CON ESTABILIZACIÓN EN EL EMISOR:

𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐶 ฮ𝑅𝐿 𝑍𝑖𝑛

𝑍𝑖𝑛−𝑇 = 𝛽 + 1 . (𝑟𝑒 +𝑅𝐸1 ) 𝐴𝑖 = −𝐴𝑣 .
𝑅𝑒𝑞 𝑅𝑒𝑞
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 ฮ𝑍𝑖𝑛−𝑇 𝐴𝑣 = −
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
𝑍𝑜 ≈ 𝑅𝐶 𝑣𝑖𝑛 = 𝑖𝑒 (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )
𝑣𝑜 = −𝑖𝑐 . 𝑅𝑒𝑞
E. Acurio
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RESUMEN

E. Acurio
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Bibliografía

1. C. Novillo, “Dispositivos Electrónicos”, 2002, EPN.

2. http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf
3. https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf

E. Acurio