UNIVERSIDAD DE JAÉN

Grado en Ingeniería Electrónica Industrial

ELECTRÓNICA ANALÓGICA

Transistores
Tabla de Contenidos
1. Estructura y funcionamiento del BJT
2. BJT en DC
3. Estructura y funcionamiento del MOSFET
4. MOSFET en DC
5. Otros FET

Bibliografía
• [Sedra-Smith 4, 5]

Transistores 2
Estructura y funcionamiento del BJT Bipolar Junction Transistor

Figure 6.1 A simplified structure of the npn transistor.

Figure 6.12 Circuit symbols for BJTs.

PonÍ
motor

→ Figure 6.2 A simplified structure of the pnp transistor.

↳ =
le
Tienen que ser siempre
positivas (TODAS)

Transistores 3
Estructura y funcionamiento del BJT Bipolar Junction Transistor

La mayoría de nuestros
circuitos funcionan en activa

C.
Transistores 4
Estructura y funcionamiento del BJT
•
BJT-npn en activa
Figure 6.3 Current flow in an npn transistor biased to operate in the active mode. (Reverse current components due to drift of thermally generated minority
carriers are not shown.)

Director
{
B - E :

Activa
B C -
: Inversa

O ①
µ

E-
y Is
⑤
Depende de un valor y la
tensión del lado contrario

E.

p ② I
directa
inversa

③ § ¿
%
La corriente de la base depende de un valor y de la tensión entre la base y el va

.
→
emisor, no puede depender de la otra porque está en inversa y la tensión es cero

Con las ecuaciones 1, 2 y 3 podemos hallar todas las intensidades (beta es una constante)
Transistores 5
Estructura y funcionamiento del BJT BJT-npn en activa

25mV I amb
'

VT =
Voltaje Termico .

La usan mucho
los fabricantes

.
②
te
①⑤

La corriente depende del

área, si disminuimos el
área, disminuye la corriente
7
Si quiero el doble de corriente,
aumento al doble el area
←
Transistores 6
Estructura y funcionamiento del BJT Tecnología planar

Figure 6.7 Cross-section of an npn BJT.

Transistores 7
Estructura y funcionamiento del BJT
Modelos de gran señal • BJT-npn en activa

También vale en corte

En este primer circuito observamos como la
corriente De la Fuente de intensidad es
controlada por VAE Según la relación
exponencial. La figura a) se puede convertir a una
n

Este modelo es esencia una fuente de fuente de corriente controlada por

corriente no lineal controlada por tension corriente si expresamos la corriente del
colector como
Este modelo también es no lineal debido
a la relación exponencial entre la corriente
del emisor y la tensión VDE
✗ : Ganancia de corriente en base común
Si el transistor tiene B como terminal
común, entonces la ganancia de
Ganancia de corriente en emisor común
p :
corriente observada es igual a alfa

BE esta en inversa, es decir, la intensidad de la base

En corte: es 0, por lo que la intensidad del colector es 0 tbn

Los circuitos de las figuras c y d se pueden usar para representar

los modelos a gran señal del BJT. Tienen el mismo funcionamiento
que los circuitos de las figuras a y b respectivamente, sin
embargo, ahora el diodo conduce la corriente de la base por lo
tanto ahora su factor de escala es Is
/p
Y el terminal común es el emisor, entonces la ganancia de
corriente observada es igual a beta.

Figure 6.5 Large-signal equivalent-circuit models of the npn BJT operating in the forward active mode.

Transistores 8
Estructura y funcionamiento del BJT
Figure 6.10 Current flow in a pnp transistor biased to operate in the active mode. co
BJT-pnp en activa

Figure 6.11 Two large-signal models for the

pnp transistor operating in the active mode.

A diferencia del npn, la corriente del

dispositivo pnp es conducida principalmente
por huecos inyectados del emisor a la base

Transistores 9
Estructura y funcionamiento del BJT BJT en activa

Las relaciones entre corriente y

voltaje del pnp y npn son idénticas

Transistores 10
Estructura y funcionamiento del BJT BJT en saturación
Figure 6.13 Voltage polarities and current flow in transistors biased in the active mode.

¡a- Van

my
Un transistor npn operará en modo activo cuando mientras el
colector se encuentre a un potencial más alto que la base. La
operación en modo activo se mantendrá incluso si el voltaje
de colector cae ligeramente por debajo del de la base, ya que
la unión pn es no conductora en esencia cuando el voltaje
entre sus terminales es menor de 0,

Transistores 11
Estructura y funcionamiento del BJT BJT en saturación

Transistores 12
Estructura y funcionamiento del BJT BJT en saturación
Figure 6.9 Modeling the operation of an npn transistor in saturation by
augmenting the model of Fig. 6.5(c) with a forward conducting diode
DC. Note that the current through DC increases iB and reduces iC.

Figure 6.20 A simplified equivalent-circuit model of the saturated transistor.

Transistores 13
Tabla de Contenidos
1. Estructura y funcionamiento del BJT
2. BJT en DC
3. Estructura y funcionamiento del MOSFET
4. MOSFET en DC
5. Otros FET

Bibliografía
• [Sedra-Smith 4, 5]

Transistores 14
BJT en DC Curvas de entrada

/4
¿
BE

Ia =
I,

¥ ¿ Elk
'

¡ E-
.

¿ EIVT
•

in =

¢
A partir de cuando conduce

Transistores 15
BJT en DC Curvas de salida
-

CONF. EMISOR COMÚN ¡ c- " E

§
Se mantiene constante en cada curva

°
①
O
②

O Voltaje Early: es el punto en el que coinciden las pendientes de

las curvas. Sus valores típicos Oscilan entre 50 y 100 V
,

Figure 6.18 Large-signal equivalent-circuit models of an npn BJT operating in the active mode
in the common-emitter configuration with the output resistance ro included.
10,10

Transistores 16
BJT en DC Modelos en gran señal
Table 6.3 Conditions and Models for the
Operation of the BJT in Various Modes

hpn
pnp
Modelos para un BJT saturado

Transistores 17
BJT en DC β
Figure 6.19 Common-emitter characteristics. (a) Basic CE
circuit; note that in (b) the horizontal scale is expanded around
the origin to show the saturation region in some detail. A much
hr.c.IR) :
Ganancia de corriente de cortorcircuito greater
Curvas para un expansion of the saturation region is shown in (c).
transistor
npn con emisor comun
→

i :I

i
i

i !
Podemos observar como para determinados
valores de corriente, la ganancia de corriente de
cortocircuito se mantiene prácticamente constante En estas curvas, a diferencia de las curvas donde la base
es común (que la tensión VBE se mantiene constante para
cada curva), aquí se mantiene constante ir . Podemos ver
como en la parte activa, el transistor se comporta como
una fuente de corriente con una resistencia elevada pero
finita mientras que en la parte de saturación se comporta
como un interruptor cerrado con una pequeña resistencia

Transistores 18
BJT en DC

Transistores 19
Tabla de Contenidos
1. Estructura y funcionamiento del BJT
2. BJT en DC
3. Estructura y funcionamiento del MOSFET
4. MOSFET en DC
5. Otros FET

Bibliografía
• [Sedra-Smith 4, 5]

Transistores 20
Estructura y funcionamiento del MOSFET
Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor n-MOSFET de acumulación

°
⇐ o
]
O

MOSFET 21
Estructura y funcionamiento del MOSFET n-MOSFET de acumulación
Figure 5.2 The enhancement-type NMOS transistor with a positive voltage applied
Canal to the gate. An n channel is induced at the top of the substrate beneath the gate.

Si G está a 0 no
conduce el MOSFET

Está controlado por tensión,

la corriente que controla es 0

Sobre tension, no es muy

importante pero la usan
mucho en el libro

Transistores 22
Estructura y funcionamiento del MOSFET n-MOSFET de acumulación
Triodo

① Parámetros constante ③
del transistor La corriente va a ser directamente
proporcional a la tensión

÷ Si no vario la tensión
de la puerta

Transistores 23
Estructura y funcionamiento del MOSFET n-MOSFET de acumulación
Triodo

a)

Vos=/ O

F-
1.

V Vos -
Vas

Transistores 24
Estructura y funcionamiento del MOSFET n-MOSFET de acumulación
Saturación

Transistores 25
Estructura y funcionamiento del MOSFET n-MOSFET de acumulación

Válido para toda la gráfica

no
Para tensiones pequeñas tenemos
prácticamente una recta

Transistores 26
Estructura y funcionamiento del MOSFET p-MOSFET de acumulación

Transistores 27
Estructura y funcionamiento del MOSFET Símbolos
n-MOSFET Figure 5.11 (a) Circuit symbol for the n-channel enhancement-type MOSFET. (b) Modified circuit symbol with an arrowhead on the source
terminal to distinguish it from the drain and to indicate device polarity (i.e., n channel). (c) Simplified circuit symbol to be used when the
Forma tradicional source is connected to the body or when the effect of the body on device operation is unimportant.
de representarlos

L
Últimamente se tiende a representarlo
mucho de esta manera ya que es muy
parecida a la representación de los BJT

p-MOSFET

Figure 5.19 (a) Circuit symbol for the p-channel enhancement-type MOSFET. (b) Modified symbol with an
arrowhead on the source lead. (c) Simplified circuit symbol for the case where the source is connected to the body.

Temperatura

Transistores 28
 og
Estructura y funcionamiento del MOSFET Familias CMOS

Últimamente es el padre de
la electrónica, se usa en
prácticamente todos lados
Bloque de transistores n Bloque de transistores p

0 O

Figure 5.10 Cross-section of a CMOS integrated circuit. Note that the PMOS transistor is formed in a separate n-type region, known as an n
well. Another arrangement is also possible in which an n-type body is used and the n device is formed in a p well. Not shown are the
connections made to the p-type body and to the n well; the latter functions as the body terminal for the p-channel device.

Transistores 29
Tabla de Contenidos
1. Estructura y funcionamiento del BJT
2. BJT en DC
3. Estructura y funcionamiento del MOSFET
4. MOSFET en DC
5. Otros FET

Bibliografía
• [Sedra-Smith 4, 5]

Transistores 30
MOSFET en DC n-MOSFET
Table 5.1 Regions of Operation of the Enhancement NMOS Transistor

→
Si dejo fija Vgs y vario Vas obtenemos la
curva de salida, si lo hacemos al revés
obtenemos la curva de entrada

i. ±

Como está elevada al cuadrado

las curvas crecen más

.
Transistores 31
MOSFET en DC n-MOSFET
Figure 5.12 The relative levels of the terminal voltages of the
enhancement NMOS transistor for operation in the triode Curvas de salida
region and in the saturation region.

Transistores 32
MOSFET en DC n-MOSFET
Curva de entrada en saturación

Modelo de gran señal en saturación

Figure 5.15 Large-signal equivalent-circuit model of an n-channel MOSFET operating in the saturation

Transistores 33
MOSFET en DC n-MOSFET

Efecto Early

Tensión de Early
•

Transistores 34
MOSFET en DC p-MOSFET
Table 5.2 Regions of Operation of the Enhancement PMOS Transistor

Figure 5.20 The relative levels of the terminal voltages of

the enhancement-type PMOS transistor for operation in
the triode region and in the saturation region.

Transistores 35
Tabla de Contenidos
1. Estructura y funcionamiento del BJT
2. BJT en DC
3. Estructura y funcionamiento del MOSFET
4. MOSFET en DC
5. Otros FET

Bibliografía
• [Sedra-Smith 4, 5]

Transistores 36
Otros FET Canal n
n-JFET n-MOSFET n-MOSFET de
de deplexión acumulación

Transistores 37
Otros FET

Transistores 38
Otros FET

Transistores 39
Otros FET MOSFET

Transistores 40