Resumen-PEC4.

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Dispositivos Electrónicos y Fotónicos

1º Grado en Ingeniería de las Tecnologías de Telecomunicación

Escuela Politécnica de Ingeniería de Gijón

Universidad de Oviedo

Reservados todos los derechos.

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
 PNP

BIPOLARES
✓
Tipos ✓ CBJT)
\ NPN

de -
÷: aiií!: "
transist ±:*
¡
.

ores CFET)
Metal -
óxido semicend CMOSFET )
-
¡÷ .

Canal p

Transistores
bipolares " " ""

mi
÷ iii. iii.

Ite
iii. pü ÷: ii.
•

Característica (B -
E ) Característica ( C- E)

de entrada de salida

.it
NPN PNP ic ic

¥ .

.
1¥ ,
"

⇒ ii: ÷
.

:
{ E ÷ IB3

IKE.tl

Transistor Transistor Transistor

bipolar ideal bipolar con bipolar con
tensión de resistencia de
saturación
!! saturación
ACTIVA NPN
2. NPN
' ¡
Bs

%?
"
- - - - - -
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%
-

- - - - -

¥
rsa.ie
- AI
-

corre * .

.
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Vsat
Vsat

CORTE Ciro) ⇒ ic ⇒ info

{ {É CORTE
↳
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,

{ II. ¥ §! saturación
¡ ¢! !
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saturación
.
e. ↳ f; ti,
sat
saturación
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"

zaawaf EI? ftp.irs ZIACTNAF !!!:S ¡ ftp.irsz.aawn-fY.IS?tFtq!is.irs

E

Características de Recta de
diseño de los bipolares NPN :
NDE » NAB carga
circuito
si izo lkvth

§
El emisor debe estar mucho más la base
dopado que
-

si no i. VI

fvqf-rthfqm.tt
Rth
dela PNP NAEJJNDB
Inaugura ¡

①
Recta

WB « ↳ " ""a
La base debe ser zona CORTA
{ NPP } ¡ , WB «
Lp
÷ µ
PTOFUNCIONAMENTO

Reservados todos los derechos. No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
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 Modelo de Ebers-Moll de un
transistor bipolar DNB.mn

if = ISE le TF - r ) LF =
¥4

µ§Ü]§
• NPN
VBC
{ " _
ir [gq
g-

DPEmng-DNBB-yfg.at
=

xp NDELPENAB .ws

⇒ •

DNB.mn
°
ir µ ¿← ( e 1)
NABWB

%)
zgc -
dr = -

Vrse
¿ ¥
↳
ar.ir Den

NDCLPC
+
DEB
NAB WB
Igc = Ism
-

{ E XR

DE
C
• PNP ( pa fuera) o VEB NDB -
WB
if ISE le TT 1) LF

ir¥Y
- = -

C
↳
[ [ftp.ir
En
Ise
* t

Jo
=

B B
} -
o
Xp
NAE LNE -
NDB WB .

µ
}
-
⇒ m

VCB Í

{ ir ¥ ISCCCTT 1) dr
#-)
-
= =
E

{ ti ③ ar.ir
↳

↳
.
Pie
NAC Lnc
+
DE

flecha Igg = Ism

-
NDBVUB

{ E XR

Si el transistor
es ideal [

←
NPN {§
-
tie
PNP
E
e §
xie

← 1 el
D= de
A- =L 1
}
I E
tie
tie
E
E

Zonas de ( NPN )
trabajo + I
§
• C
x.ie
DIODO BE :
polinu § pg

-1
CORTE
{ DIODO BC polinv
B- T ⇒

¥
:

tie
quiero → d- Iero
E
E
DNB -
NDE -
LPE
NPN : D= Br .
=
mm

[ (
µ µ i-X.iq
=

B. IB
DPE -
NAB -
WB
" " " "
BI
DIÓDOBE : Pol directa { § j § ie-ipiic-cp.in IB xp =

ZONA qq.UA
{ DÍODOBC Pol inv ¥
B B- T dlpti ) ig
=

p.iq
PNP
BF "

§
DPB-tNAEf.ie pa pr
: .
: =
.

¡ iz ptf ⇒ D=
En DNE -
NDB . WB
E E "

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ii.

f !!! :c : !!!!! ÷! xie.in#irs-ir....i

.
saturación
x.
ie-B.iq

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" " "
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inversof ?:L ? : ÷ ÷: ?
transistor
÷ *

Reservados todos los derechos. No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
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 •
PBO

PBW

Si Ppsos PB ⇒ BE POLARIZACIÓN DIRECTA

si PBWSPB ⇒ B.C POLARIZACIÓN INVERSA

VO CBE) =
VOBE = VT - M
( Fj )
✓ cont =
Vo -
Vext

He

VBE =
VOBE -

VEXEBE =
VT .
Un ( PÉ ) =

Vcont BC = VOBC -
Vext BC = VT .
Ln ( Iu)

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