II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

II – FÍSICA DE SEMICONDUCTORES

Introducción
Los materiales semiconductores constituyen la piedra angular sobre la que se asienta prácticamente toda
la electrónica moderna. Por esta razón es fundamental entender los principios físicos que los rigen, especialmente
los referentes a su comportamiento eléctrico. Esta rama de la física, llamada también física del estado sólido,
forma parte de la ciencia de los materiales, y utiliza herramientas de mecánica cuántica, cristalografía,
electromagnetismo y metalurgia. Por esa razón, para comprender el funcionamiento de los semiconductores se
deben entender conceptos que en principio pueden parecer ajenos y demasiado complejos, como por ejemplo los
referidos a la estructura atómica y cómo están enlazados entre sí los átomos, fundamentalmente en una estructura
cristalina.
Modelos y Paradigmas
Un modelo mental es un mecanismo que utiliza el pensamiento humano para intentar explicar el mundo
real a partir de elementos simples y conocidos por él. No son estáticos y van evolucionando o volviéndose más
complejos a medida que se van afianzando los conceptos, e incorporando más variables al modelo. También una
persona puede disponer de varios modelos mentales para un mismo fenómeno, pero elegir uno u otro según el nivel
de complejidad de la situación en la que se lo va a aplicar. Por ejemplo, para entender y explicar el concepto de
voltaje o diferencia de potencial, una misma persona puede utilizar el modelo que relaciona la diferencia de potencial
con el desnivel que impulsa por gravedad el desplazamiento de agua en un río o en una instalación domiciliaria, y
luego profundizar los conceptos empleando modelos más complejos que abarquen portadores de carga y campo
eléctrico.
El término paradigma significa «ejemplo» o «modelo». En todo el ámbito científico, religioso u otro
contexto epistemológico, el término paradigma puede indicar el concepto de esquema formal de organización, y ser
utilizado como sinónimo de marco teórico o conjunto de teorías. Un paradigma es el resultado de los usos, y
costumbres, de creencias establecidas de verdades a medias; un paradigma es ley, hasta que es desbancado por
otro nuevo. En la ciencia, un Paradigma es un conjunto de realizaciones científicas "universalmente" reconocidas,
que durante un tiempo proporcionan modelos de problemas y soluciones a una comunidad científica.
En 1968 se realizó una reunión de los fabricantes suizos de relojes. En ese momento el 68% de la
producción global se fabricaba en Suiza y tenían el 90% de las ganancias de la industria. La reunión trató acerca
del futuro de la industria relojera y en ella los mismos suizos presentaron el reloj del futuro, el cual sería 1,000 veces
más exacto que lo relojes de entonces y sería el primer reloj electrónico de cuarzo del mundo. Cuando en 1967 los
fabricantes suizos presentaron esta idea revolucionaria la idea fue rechazada... después de todo no tenían resortes,
no necesitan ejes, prácticamente no requerían engranajes, funcionaba con pilas, era electrónico. De esta manera
pusieron en peligro todo lo que habían alcanzado y perdieron la oportunidad clave al no percibir un cambio
fundamental en su industria. En 10 años la participación global de los relojes suizos había caído a 10% y sus
utilidades a menos de 20%. Seiko le dio un vistazo y el resto es historia. Los japoneses pasaron de una participación
de menos del 1% a una de más del 30%. Los suizos se vieron obligados a hacer despidos masivos.
Ellos habían chocado con un cambio paradigmático que casi destruyó la industria suiza de relojes.
Nuestro modelo hoy para el origen más probable del Universo es el conocido como Teoría del Big Bang,
que indica que ocurrió a partir de una gran explosión de un punto infinitesimal en el que estaba contenida toda la
energía, y desde ese momento surgieron las dimensiones (espacio y tiempo), y luego la materia, como una
condensación de parte de la energía original, y a partir de ahí todo lo que conocemos (galaxias, estrellas, planetas
y todo lo contenido en ellos y en el espacio exterior). Incluso la famosa fórmula E = mc 2 de Einstein indica la
equivalencia entre ambos aspectos (materia y energía) del Universo. Este modelo permite considerar de una manera
relativamente simple de donde viene la materia. Pero para responder a la pregunta ¿de qué está hecha la materia
del Universo?, fundamental para comprender el funcionamiento de los semiconductores, será importante estudiar

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primero la historia y evolución de los avances científicos sobre este tema, representada a través de los diferentes
modelos mentales que fueron surgiendo para responder a esta pregunta.

Figura 2.1 – La Teoría del Big Bang y el origen del Universo.

La constitución de la materia según las civilizaciones antiguas

La mayoría de los pueblos de la Antigüedad tenían conceptos similares respecto a cómo está constituida la
materia del Universo: la suma o mezcla de unos pocos elementos básicos, y según la proporción de cada uno de
ellos se definían las diferentes características de cada sustancia. Incluso gran parte de la medicina de la Antigüedad
se basó en estos preceptos para buscar remedios que buscaban equilibrar estos elementos o principios dentro del
cuerpo humano, entendiendo a la enfermedad como un desbalance de los mismos.
En esa época, la palabra elemento se refería más al estado o fase de la materia (sólido, líquido, gas y
plasma) que a los elementos químicos tal como se conocen en la ciencia moderna.
Los primeros griegos buscaban el elemento fundamental o principio, del que se derivaban todos los demás.
Para Tales de Mileto era el agua, para Anaxímenes el aire, para Heráclito el fuego y para Jenófanes la tierra. Pero
luego (a partir de Empédocles y Aristóteles) sus doctrinas filosóficas confluyeron en considerar que los principios
debían ser cuatro: tierra, agua, aire y fuego. A su vez, cada elemento tenía características bien definidas: el fuego
es caliente y seco, el aire húmedo y caliente, la tierra seca y fría y el agua fría y húmeda. Por su parte, los indios y
japoneses consideraban los mismos elementos, más un quinto, conocido como éter, que era invisible y llenaba todo
el espacio. Para los chinos era cinco: tierra, agua, fuego, metal y madera.

Figura 2.2 – Los cuatro elementos constituyentes del Universo para los griegos.

La Teoría Atómica
Toda Teoría Atómica busca explicar la naturaleza de la materia en el Universo mediante el concepto de
diminutas partículas elementales denominadas átomos. Podemos considerar que la Teoría Atómica comenzó a
enunciarse hace más de 2.500 años en las escuelas filosóficas griegas, a partir de los sabios Leucipo y Demócrito,

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que conceptualizaron por primera vez esta idea. Pero por falta de recursos técnicos apropiados fue recién a partir
del siglo XIX y XX cuando se lograron importantes avances y aceptación masiva de la comunidad científica gracias
a descubrimientos en el campo de la estequiometria. Y también podemos considerar que el modelo conceptual del
átomo actual no es el definitivo. Seguramente en algún momento surgirán modificaciones que permitan entender y
explicar con mayor precisión la naturaleza atómica de la materia, a partir de lo cual surgirán nuevas aplicaciones y
tecnologías.
A continuación se realiza un resumen de la evolución en el concepto de la Teoría Atómica a través de la
historia.
Modelo atómico de Demócrito.
El filósofo y matemático griego Demócrito (460-370 a.C.) fue el primero en concebir la idea de los átomos
como bloque esencial de la material, y no como una mezcla de sustancias. Por eso se puede decir que la suya fue
la primera teoría atómica. Lamentablemente, al igual que todas las teorías filosóficas griegas de aquella época, no
era validada por experimentos, sino que eran simples razonamientos lógicos. Este modelo o teoría podría definirse
a partir de los siguientes postulados:
 Los átomos son eternos, indestructibles, indivisibles, invisibles, incompresibles y homogéneos.
 Los diferentes átomos se diferencian sólo en tamaño y forma, pero sus cualidades internas son
todas iguales.
 Las propiedades de la materia varían para cada sustancia según el agrupamiento de los átomos.
Demócrito sostenía que toda la materia del Universo es una mezcla de elementos originarios inmutables y
eternos, además de infinitamente pequeños, por lo cual son imperceptibles en forma individual para los sentidos
humanos. Los llamó átomos, que en griego quiere decir “que no puede cortarse”.

Figura 2.3 - Demócrito y su teoría atómica.

Avances hasta el siglo XIX

Luego del ocaso de la Grecia clásica, en occidente casi todas las áreas del conocimiento científico sufrieron
un retroceso, subordinación a dogmas religiosas e incluso el olvido. Si bien hubo algunos avances o al menos
conservación de conocimientos a través de alquimistas y científicos árabes, recién con el Renacimiento se
redescubrieron los escritos de los grandes filósofos de la Antigüedad, y resurgió el interés por explicar el Universo
fuera de los cánones cristianos. Por ejemplo, Galileo Galilei fundó el método científico moderno, a través de la
observación de fenómenos y la realización de experimentos, buscando la explicación lógica y demostrable de las

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causas de dichos fenómenos. Newton, a través de su Mecánica, explicó las características y comportamiento de los
sólidos, más allá de su tamaño. Por el lado químico, Lavoisier experimentó con diferentes elementos químicos y sus
reacciones, a partir de lo cual enunció la Ley de Conservación de las masas (1789). En esta ley se basó
posteriormente Dalton para enunciar su teoría atómica. Luego Joseph Proust descubrió que en un compuesto, los
elementos que lo constituyen se combinan en proporciones de masa definidas y características del compuesto, con
lo cual definió la Ley de la Proporciones definidas (1799).

Figura 2.4 – Alquimista medieval.

Figura 2.5 – Galileo Galilei e Isaac Newton.

Figura 2.6 – Antoine de Lavoisier y Joseph Proust

Modelo atómico de Dalton

El científico inglés John Dalton (1766-1844), descubridor del daltonismo, postuló en 1808 el primer modelo
atómico moderno, basado en premisas científicas. Este modelo o teoría atómica está basado en los siguientes
postulados:

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 Toda la materia está formada por partículas de tamaño muy pequeño denominadas átomos, que
son indivisibles y no pueden ser creadas ni modificadas ni destruidas.
 Los átomos de un mismo material son iguales entre sí, tienen su propio peso y otras cualidades
propias y distintivas. Los átomos de materiales diferentes tienen pesos diferentes.
 Los compuestos químicos se forman al unirse átomos de dos o más elementos o sustancias
distintas.
 Los átomos de sustancias diferentes se pueden combinar en proporciones distintas y formar más
de un compuesto. Por ejemplo, un átomo de carbono con uno de oxígeno forman monóxido de
carbono (CO), mientras que dos átomos de oxígeno con uno de carbono, forman dióxido de carbono
(CO2).
 Los átomos, al combinarse con átomos de otras sustancias para formar compuestos, guardan
relaciones simples de proporcionalidad.
 Los átomos se mantienen indivisibles, inclusive al combinarse en reacciones químicas.
Dalton fue el primero en publicar una tabla de pesos atómicos relativos para diferentes elementos,
atribuyendo convencionalmente al átomo de hidrógeno el peso de la unidad, por ser el elemento más liviano.
Obviamente, la convicción de que los átomos no se pueden crear, destruir ni subdividirse no son compatibles
con los conocimientos posteriores aportados por la física nuclear, y tampoco es cierto que todos los átomos de un
mismo elemento son exactamente idénticos, ya que existen los isótopos con diferentes pesos. Pero fue una
innovación importantísima y fundacional en el conocimiento de la estructura de la materia.

Figura 2.7 - John Dalton (1766- 1844)

Mendeleiev y la Tabla Periódica de los Elementos

A medida que se fueron descubriendo elementos químicos y que se perfeccionaron los métodos para
caracterizarlos, surgió a necesidad de ordenarlos de alguna manera. Se realizaron varios intentos durante gran parte
del siglo XIX, pero ninguno de los métodos parecía lo suficientemente riguroso y eficiente. Hasta que el químico
ruso Dimitri Mendeleiev (1834-1907) publicó en 1869 su libro Principios de la Química, en el que desarrollaba los
resultados de sus investigaciones sobre los elementos químicos conocidos hasta ese momento. Su principal aporte
fue el que dio origen a la enunciación de la Ley Periódica de los Elementos, base del sistema periódico bautizado
con su nombre y que se manifiesta en la Tabla Periódica de los Elementos. Mendeleiev organizó los elementos en
una tabla según su masa atómica, ubicando en la misma columna los que tuvieran algo en común. Al ordenarlos,
empleó dos grandes intuiciones: alteró el orden de masas cuando era necesario para ordenarlos según sus
propiedades y se atrevió a dejar espacios en blanco o huecos, postulando la existencia de elementos desconocidos
hasta ese momento.
La Tabla Periódica de los elementos clasifica, organiza y distribuye los diferentes elementos químicos
conforme a sus propiedades y características, estableciendo un orden específico mediante el agrupamiento de

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elementos. Permitió establecer el grado de validez de los modelos atómicos al prever las características de cada
elemento.

Figura 2.8 – Dimitri Mendeleiev y la Tabla Periódica de los Elementos

Modelo atómico de Thomson

El modelo atómico de Dalton estuvo vigente durante casi un siglo, hasta que Joseph Thomson (1856-1940)
descubrió el electrón en 1897 (lo que le valió el Premio Nobel de Física en 1906). Thomson realizó una serie de
experimentos en tubos sellados de vidrio con gases a muy baja presión y sometidos a altas tensiones, lo cual
generaba un tipo de radiación que se denominó rayos catódicos. Al determinar la relación entre la carga y la masa
de estos rayos, midiendo su desviación a través de un campo magnético, encontró que la relación carga/masa era
más de mil veces inferior a la del ión de Hidrógeno, por lo que postuló que los rayos estaban compuestos de
partículas muy livianas y cargadas, y las llamó “corpúsculos”.

Figura 2.9 – Joseph Thomson y el modelo atómico del budín de pasas.

Como asumió que estas partículas o corpúsculos provenían de los átomos de los gases dentro del tubo, y
para compatibilizar los resultados de sus experimentos (en el modelo de Dalton el átomo era indivisible) formuló una
nueva teoría atómica en 1904. En este modelo, el átomo está compuesto por electrones de carga negativa
incrustados como pasas de uva en una esfera sólida o pan dulce, que sería el núcleo o cuerpo del átomo. Por esta
razón a este modelo también se le llama modelo del pan dulce o del budín de pasas. Thomson pensaba que los
electrones se distribuían uniformemente alrededor del átomo. Una variante de este modelo era considerar al núcleo
del átomo como una nube de carga positiva, en lugar de un cuerpo sólido. De todas maneras, este modelo atómico
no duró mucho tiempo.

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Modelo atómico de Rutherford

El físico británico-neozelandés Ernest Rutherford (1871-1937) realizó en 1911 un experimento denominado
“de la lámina de oro”. En él, Rutherford buscaba evaluar la dispersión de partículas  por parte de los átomos de
una lámina de oro muy delgada. Los ángulos resultantes de tal dispersión aportarían información sobre la
distribución de carga en los átomos. Según el modelo de Thomson, esta distribución era uniforme, por lo que la
mayoría de las partículas deberían atravesar la lámina sufriendo sólo ligeras deflexiones en su trayectoria recta.
Aunque esto ocurrió para la mayoría de las partículas , una cantidad importante de éstas tenían deflexiones de
hasta 180° (o sea, salían rebotadas en dirección opuesta a la lámina).
Según Rutherford, este resultado sólo podía explicarse si se suponía la existencia de grandes
concentraciones de carga positiva en el centro del átomo. Estimó que el tamaño del núcleo atómico debí ser de unas
cien mil veces más pequeño que el diámetro atómico. También, que en ese núcleo se concentra el 99,9% de la
masa total del átomo. O sea, que la mayor parte del mismo estaba vacío. Rutherford también supuso que los
electrones orbitan en ese espacio vacío alrededor del minúsculo núcleo. Estas órbitas no estarían bien definidas y
formarían una estructura compleja alrededor del núcleo, dándole al átomo un tamaño y forma algo indefinidas.
Básicamente en esto consistía el modelo atómico de Rutherford, en un sistema planetario en miniatura, en el que
los electrones orbitan el espacio alrededor de un núcleo. El problema principal radicaba en que desde el punto de
vista de la física clásica, consistía en un sistema inestable, en el que el átomo inevitablemente debía colapsar. Ahí
es donde la física cuántica comenzó a ayudar en el entendimiento del funcionamiento del átomo.

Figura 2.10 – (a) diferencia entre lo proyectado por el modelo atómico de Thomson y el modelo experimental planteado por
Rutherford. (b). Modelo atómico de Rutherford.

Modelo atómico de Bohr

Basado en el trabajo de su colega y amigo Rutherford, y para solucionar algunos problemas que aquél
modelo presentaba, el físico Danés Niels Bohr (1885-1962) publicó su propio modelo atómico en 1913, introduciendo
la teoría de las órbitas cuantificadas. En este modelo los electrones giran en órbitas circulares específicas, alrededor
del núcleo, caracterizadas por un nivel energético y ocupando la órbita de menor energía posible, o la más cercana
al núcleo, llenándose progresivamente desde el interior hacia el exterior del átomo. Además, estos electrones podían

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caer o pasar de una órbita exterior a otra interior emitiendo un cuanto o fotón de energía discreta. Esta cuantización
de la energía permitió explicar la estabilidad de las órbitas de los electrones alrededor del núcleo y la naturaleza de
los espectros de emisión característicos de cada material. Bohr basó su modelo en el comportamiento del átomo de
hidrógeno, describiéndolo con un protón en el núcleo y un electrón girando a su alrededor. Dada su simplicidad, este
modelo todavía es utilizado frecuentemente como una simplificación de la estructura de la materia. Todo esto le
valió a Bohr el premio Nobel de Física en 1922.

Figura 2.11 - Niels Bohr. Modelo atómico de Bohr para el átomo de hidrógeno.

Este modelo se puede resumir en los tres postulados enunciados por Bohr:
 Los electrones describen órbitas circulares alrededor del núcleo del átomo sin radiar energía.
 No todos los niveles u órbitas están permitidos para el electrón, sólo puede existir en órbitas que
cumplan que el momento angular del electrón sea un múltiplo entero de h (constante de Planck) /
2.
 El electrón sólo emite o absorbe energía en los saltos de una órbita permitida a otra. En ese cambio
emite o absorbe un fotón cuya energía es la diferencia de energía entre ambos niveles (según la ley
de Planck es E = h. = Eni – Enf).

Modelo atómico de Sommerfeld

El modelo atómico de Bohr funcionaba perfectamente para el átomo de hidrógeno, pero en los análisis
espectrales de átomos de otros elementos se observaba que electrones que pertenecían a un mismo nivel
energético poseían distintas energías, por lo que no se ajustaba a lo descrito por Bohr. Por esa razón, el físico
alemán Arnold Sommerfeld (1868-1951) concluyó que dentro de un mismo nivel energético existen subniveles
(energías ligeramente diferentes). En 1916 publicó su propio modelo, perfeccionando el de Bohr mediante dos
modificaciones conceptuales: los electrones recorren órbitas que pueden ser circulares o elípticas (excéntricas) y lo
hacen a velocidades próximas a la de la luz (relativistas).
La excentricidad de la órbita dio lugar al segundo número cuántico (el primero es el de la órbita), que describe
los subniveles de cada órbita y la forma de los orbitales. Además, Sommerfeld postuló que el núcleo del átomo no
permanece inmóvil, sino que tanto el núcleo como el electrón se mueven alrededor del centro de masas del átomo
(que está muy próximo al núcleo).

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Figura 2.12 - Modelo atómico de Sommerfeld

Modelo atómico de Schrödinger

El modelo de Sommerfeld aún tenía deficiencias. En 1924, Louis de Broglie propone una afirmación muy
revolucionaria: que todos los objetos materiales, especialmente las partículas sub atómicas, pueden tener
propiedades de ondas. Además, Eisenberg había formulado el principio de incertidumbre, por el que afirmaba que
es imposible medir simultáneamente de forma precisa la posición y el momento lineal de una partícula. Con esta
idea, Erwin Schrödinger investigó si el movimiento de un electrón en un átomo se podría explicar mejor como onda
que como partícula, y desarrolló la ecuación que lleva su nombre. El modelo propuesto por Schrödinger en 1926
emplea modelos mentales tan complejos y alejados de la experiencia cotidiana como el concebir a los electrones
como ondas de materia. Por lo cual los electrones dejan de verse como partículas en movimiento y pasan a
considerarse como nubes de probabilidades de existencia o no de tales electrones.

Figura 2.13 – Erwin Schrödinger y su modelo atómico.

A partir de este punto, las modelizaciones de la estructura y comportamiento de los átomos dejan de
pertenecer al campo del sentido común y a las visualizaciones mentales que puede realizar cualquier persona y
pasan a responder a modelos de comportamiento que se demuestran matemáticamente y mediante los resultados
que se obtienen en experimentos como los realizados mediante aceleradores de partículas. No obstante, los

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modelos repasados hasta ahora son más que suficientes para explicar en esta cátedra el comportamiento de átomos
y electrones en el estudio de los semiconductores y la física del estado sólido.

Figura 2.14 – Evolución de los modelos atómicos.

Pero antes de adentrarnos en la estructura de los semiconductores, resta comentar algo más sobre la
pregunta acerca de la composición última de la materia, aunque sea una breve disgresión respecto al programa de
la cátedra…

¿De qué está hecha la materia?

Quizás aún no haya una respuesta concreta a este interrogante. Antes de tratar de responder a la pregunta
en cuestión, veamos una anécdota sobre un debate acerca de cómo está formada la realidad: George Berkeley, un
filósofo y obispo irlandés (1685-1753), desarrolló la filosofía del idealismo subjetivo, que postula que “ser es ser
percibido”, negando la realidad de la materia. Declaró que no puede saberse si un objeto es o existe (y por ende
toda la materia), sino que sólo puede percibirse a través de la mente, por lo que quizás ese objeto no está realmente
donde nos parece, sino que es sólo una percepción. Entonces la realidad podría ser sólo una ilusión, es el conjunto
de percepciones que Dios nos hace tener. Ante esto, Samuel Johnson, un científico de la época, ante una
convención reunida para tratar estos temas, llevo una gran piedra hasta el escenario, y la pateo muy fuerte hasta
romperse el zapato, mientras dolorido decía: “¿Así que esto no existe? Lo refuto así al dr. Berkeley”. Por supuesto,
ganó el punto de vista del dr. Johnson.

Figura 2.15 – Obispo Berkeley.

Veamos lo que sabemos actualmente a través de la física. Lo que a nosotros macroscópicamente nos
parece materia sólida e impenetrable, a medida que descendemos en la escala de tamaños va tomando otro
aspecto. Si tuviésemos un microscopio infinito, al que pudiésemos darle permanentemente mayores aumentos,
veríamos que las células humanas, aunque de tamaños variables, están en el orden de 1.10 -6 m (micrómetros) y
más. Descendiendo más, las moléculas más pequeñas tienen un tamaño de la milésima parte de esas células, o

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sea que están en el orden 1.10-9 m (nanómetros). Hasta este punto, todo conserva un aspecto relativamente sólido.
Las moléculas, a su vez, están formadas por átomos, cuyo tamaño ronda un diámetro de 1.10 -10 m (Angstroms). En
este punto cabe hacer una observación: los átomos en realidad tienen una corteza exterior formada por los
electrones en movimiento. Esta corteza existe sólo porque los electrones giran a velocidades extremadamente
elevadas alrededor del núcleo. Pero si por alguna razón este movimiento se detuviese, la corteza dejaría de existir.
En cierta forma, actúa como las aspas de un ventilador en movimiento. Cuando las aspas giran a alta velocidad, si
arrojamos un bollo de papel sobre las mismas, lo más probable es que rebote como si se tratase de una pared
sólida. Si las aspas se detienen, lo más probable será que el bollo pase hacia el otro lado. ¿Y que hay adentro del
átomo? Como ya vimos en los modelos, está el núcleo, formado por protones y neutrones. Pero este tiene un
diámetro del orden de 1.10-15 m (femtómetros), o sea que es la cienmilésima parte del diámetro total del átomo. A
pesar de ser cien mil veces menor que el átomo, como los electrones prácticamente no tienen masa, el núcleo
concentra el 99,99% de la masa total del átomo.
Puesto en términos más gráficos, si el átomo tuviese el tamaño de un estadio de fútbol (cuyas paredes están
constituídas por una nube invisible pero tangible de electrones), el núcleo sería una bolita de vidrio de medio
centímetro colocada en el centro de la cancha. Todo lo demás es espacio vacío…

Figura 2. 16 – Tamaños comparativos del átomo y el núcleo.

Y por si esto fuera poco, actualmente se sabe, gracias a los aceleradores de partículas (como la famosa
“máquina de Dios” del CERN), que tanto los protones como los neutrones no son partículas sólidas. Están formadas,
a su vez, por otras partículas, llamadas quarks, leptones, bosones, fermiones, etc., que también están en
permanente agitación. Y cuando por alguna cuestión toda la materia se ve comprimida por fuerzas elevadas, que
rompen estas cortezas atómicas y los electrones caen hacia el núcleo, toda la masa de una estrella como el Sol,
que tiene un diámetro de 1.400.000 km (equivalente a cien planetas como la tierra) se comprime en un cuerpo de
sólo unos diez km de diámetro, apenas el diámetro de un asteroide grande (estrellas de neutrones). Y si la fuerza
es aún mayor, como en un agujero negro, las cortezas de los núcleos atómicos también se rompen y se reducen
aún más, pasando a ocupar un diámetro de sólo algunos centímetros. Hasta donde sabe la física actual, la materia
es principalmente espacio vacío, formada por una suerte de cajas chinas, unas dentro de otras. En cierta forma,
prácticamente casi no existe. No hay que perder de vista que a escala atómica, la mecánica cuántica predice que
ocurren cosas muy extrañas, fuera de la experiencia de nuestros sentidos, incluído el común. Entonces, quizás el
dr. Berkeley no estaba tan equivocado…

Figura 2.17 – constitución del átomo.

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Cristales
Como ya se mencionó, los materiales sólidos están constituidos por átomos estructurados firmemente e
interactuando entre sí. Los efectos de estas interacciones definen las propiedades mecánicas, térmicas, eléctricas,
magnéticas y ópticas del material. La mayoría de los sólidos presentan una estructura fija en la que sus átomos
están distribuidos en posiciones regulares que se repiten de forma geométrica, y se denomina estructura cristalina.
Por esta razón, el estudio de la naturaleza y características de los cristales es un tema fundamental para la física
del estado sólido. Los restantes materiales sólidos, en los que no se observa la regularidad mencionada, se
denominan amorfos.
Un cristal (del griego crystallos = cuarzo) suele ser un material sólido (aunque también los hay líquidos) que
presenta una estructura interna ordenada y regular de sus partículas, ya sean átomos, moléculas o iones. Los
cristales, a diferencia de los sólidos amorfos, presentan una geometría regular, elementos de simetría y variedad de
sus propiedades según la dirección o eje que se considere (anisotropía). Están formados por la unión de partículas
dispuestas de manera regular siguiendo un esquema determinado que se reproduce, en forma y orientación, en
todo el cristal y que crea una red tridimensional. En todo cristal, los átomos o iones están organizados de manera
simétrica en redes elementales, que se repiten indefinidamente, formando una estructura cristalina. Los átomos
pueden estar unidos entre sí por enlaces covalentes y los iones por electrovalencia (como en el caso del cloruro de
sodio).

Figura 2.18 – Estructura cristalina, cristales de cuarzo y monocristal de silicio.

Los cristales se pueden encontrar en forma de monocristales y policristales. Un monocristal dispone de

una red cristalina continua, no interrumpida por bordes de grano hasta los límites mismos de la pieza de material.
Esto implica que cualquier porción del cristal es completamente idéntica a cualquier otra extraída de otro lugar del
mismo. Si bien muchos se fabrican de manera controlada en laboratorios con fines industriales, se conocen especies
minerales como el berilo que forman de manera natural monocristales con tamaños del orden de un metro. En
cambio los policristales o materiales policristalinos son agregados de pequeños cristales de cualquier sustancia
(cristalitas o granos cristalinos). Se forman de manera natural o inducida por el hombre con fines industriales.

Figura 2.19 – Tipos de cristales.

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Figura 2.20 – Monocristal de Silicio

Materiales semiconductores
Reseña histórica
Después del descubrimiento del diodo semiconductor (1939) y del transistor (1949), el material
semiconductor por excelencia fue el germanio, porque era relativamente fácil de encontrar en la naturaleza en
grandes cantidades y también fácil de refinar para obtener niveles de pureza muy altos, una característica
fundamental para su utilización a escala industrial. Sin embargo, tras algunos años de utilización se descubrió que
el germanio resultaba ser poco confiable como material base para la elaboración de dispositivos semiconductores,
debido a su alta sensibilidad ante los cambios de temperatura. Se determinó que el silicio tiene mejores
características en cuanto a la sensibilidad térmica, pero el proceso de refinación para obtener silicio con muy altos
niveles de pureza aún se encontraba en su etapa de desarrollo. Hasta que en 1954 se presentó el primer transistor
de silicio, por lo que de inmediato se convirtió en el material preferencial para fabricar componentes, debido no sólo
a su buena performance térmica, sino también a la inmensa abundancia de este elemento en la corteza terrestre
(28% del total, segundo elemento más abundante después del oxígeno). A pesar de su abundancia, no se encuentra
en estado puro en la naturaleza, sino como óxido (arenas, cuarzo, amatista, ágata, pedernal, ópalo, jaspe) y como
silicatos (granito, feldespato, arcilla, mica). Por esta razón requiere de un proceso metalúrgico para su obtención en
estado puro (funde a 1414°C y el Germanio a 918°C)
Sin embargo, a medida que transcurría el tiempo, las aplicaciones de los semiconductores abordaron
campos en los que la velocidad se transformó en un factor crítico, fundamentalmente en el campo de la computación
y las telecomunicaciones. Y el silicio ya no podía responder adecuadamente a estos requerimientos. Esto redundó
en el desarrollo del primer transistor de GaAs a principios de la década de 1970. Este nuevo material operaba a
velocidades de hasta cinco veces la del silicio. Pero el GaAs era más difícil de fabricar con altos niveles de pureza,
era más caro y ya existían redes de transistores basadas en el silicio que resultaban competitivas. No obstante, las
décadas de investigación dieron como resultado que actualmente el GaAs se usa como material de base para
nuevos diseños de circuitos integrados de alta velocidad tipo VLSI (escala de integración muy grande).
Actualmente se siguen fabricando dispositivos de germanio, aunque para un número limitado de
aplicaciones. A pesar de ser un semiconductor sensible a la temperatura, tiene características con aplicación en
algunas áreas. Cerca de la mitad del consumo se emplea en aplicaciones de fibra óptica, además de equipos de
visión nocturna. También se utiliza en radares, amplificadores de guitarra eléctrica para melómanos y aleaciones de
SiGe para circuitos integrados de alta velocidad (streched silicon).
En cuanto al silicio, tiene la ventaja de muchos años de desarrollos y es el material semiconductor líder para
componentes electrónicos y circuitos integrados. El GaAs es más caro, pero a medida que los procesos de
fabricación mejoran y las demandas de mayores velocidades se incrementan, probablemente desafíe e incluso
desplace al silicio como el semiconductor dominante de la industria.
Conductores, aislantes y semiconductores
Los conductores son materiales que soportan un flujo generoso de carga cuando se aplica una diferencia
de potencial limitada entre sus extremos. Los aislantes, por contrapartida, presentan un nivel muy bajo de
conductividad ante la aplicación de la mencionada diferencia de potencial. Los semiconductores son un tipo especial
de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante. La constitución

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de cualquier dispositivo electrónico de estado sólido, con una estructura de cristal duro, se hace con un material
semiconductor de muy alta calidad.
De manera inversa, y relacionada con la conductividad de un material, se encuentra su resistencia al flujo
de la carga o la corriente. Cuanto más alto es el nivel de conductividad, menor es el nivel de resistencia. La
resistividad (), que es una propiedad de cada material, se usa habitualmente para comparar los niveles de
resistencia de los materiales. La resistividad se mide en .cm u .m, y su expresión surge de considerar la
resistencia medida a través de un material de área A y longitud l (figura 2.21).

Figura 2.21 – Resistividad de un material.

Para un conductor como el cobre la  está en el orden de 10-6.cm, mientras que un aislante como la mica
tiene una  de 1012.cm. Para los semiconductores, el Germanio presenta una  de 50 .cm y el silicio 50.103.cm.
La mayoría de los semiconductores, como el silicio, presentan una disposición cristalina tetraédrica.

Figura 2.22– Celda cristalina tetraédrica básica de semiconductor.

Los materiales semiconductores suelen clasificarse en simples, cuando están constituidos por un solo tipo
de estructura repetitiva o cristalina (como el Germanio y el Silicio), y compuestos si se componen de dos o más
materiales de diferentes estructuras atómicas, los cuales individualmente no presentan comportamiento
semiconductor, pero éste se pone de manifiesto al combinarse entre ellos, según características a verse más
adelante. Ejemplos de este tipo de compuestos son el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el
nitruro de galio (GaN) y el fosfuro arseniuro de galio (GaAsP), y cada uno presenta características especiales que
los hace adecuado para diferentes aplicaciones, como la optoelectrónica y la electrónica de potencia. De todos estos
semiconductores, los más utilizados industrialmente en la construcción de dispositivos electrónicos son el germanio,
el silicio y el arseniuro de galio.

Enlaces covalentes en los semiconductores

En primer lugar, recordaremos la regla del octeto de estabilidad molecular de Lewis. Esta dice que la
tendencia de los iones de los elementos del sistema periódico es completar sus últimas capas o niveles de energía
con una cantidad de ocho electrones, de tal forma que el sistema adquiere una configuración electroquímicamente
muy estable, tal como ocurre con los gases nobles. Como esta regla rige para la creación de enlaces entre átomos,
la naturaleza y la cantidad de estos enlaces determinarán el comportamiento y las propiedades de las moléculas.
Los tipos de enlaces posibles son el iónico, el metálico, el covalente y los intermoleculares.

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Para comprender el funcionamiento de los semiconductores utilizaremos el modelo atómico de Bohr. Según
éste, todo átomo se compone de tres partículas básicas: electrón, protón y neutrón. En la estructura entrelazada,
los neutrones y los protones forman el núcleo, mientras que los electrones aparecen en órbitas fijas alrededor de
éste. Según este modelo, observemos la configuración de los tres materiales semiconductores más utilizados en la
industria electrónica (Ge, Si y GaAs):

Figura 2.23– Estructuras atómicas de (a) Silicio; (b) germanio; (c) galio y arsénico.

Como se aprecia en la figura, el silicio tiene 14 electrones, el germanio 32, el galio 31 y el arsénico 33. En
el germanio y el silicio hay cuatro electrones en la capa más externa, los cuales se conocen como electrones de
valencia (material tetravalente). El galio tiene tres electrones de valencia (trivalente) y el arsénico cinco
(pentavalente). El término valencia se utiliza para indicar que el potencial (de ionización) requerido para remover
cualquiera de los electrones de esta capa de la estructura atómica es significativamente más bajo que el requerido
para cualquier otro electrón en la estructura.
En un cristal de silicio o germanio puros, los cuatro electrones de valencia de un átomo forman un arreglo
de enlace con cuatro átomos adyacentes, como se muestra en la figura. Este enlace de átomos, reforzado por
compartir electrones, se llama enlace covalente. Un enlace covalente entre átomos se produce cuando éstos, para
alcanzar el octeto de estabilidad, comparten sus electrones de la última capa. La diferencia de electronegatividades
entre los átomos no es suficientemente grande como para que se efectúe la transferencia plena de electrones (como
en los enlaces iónicos). De esta forma, ambos átomos comparten uno o más pares electrónicos en un nuevo tipo de
orbital, denominado orbital molecular.

Figura 2.24 - Enlace covalente.

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Figura 2.25 – Enlace covalente del átomo de silicio.

En el caso del GaAs, como es un semiconductor compuesto, hay vinculación entre los dos átomos
diferentes, como se muestra en la figura. Cada átomo está rodeado por átomos del tipo complementario. Sigue
existiendo compartición de electrones similares en estructura a la de Ge y Si, pero ahora el átomo de As aporta
cinco electrones, y el de Ga tres. Pero el efecto eléctrico resultante de este compuesto es el de un material
semiconductor.

Figura 2.26– Enlace covalente del cristal de GaAs.

Portadores libres y recombinación

Aunque el enlace covalente produce un enlace más fuerte entre los electrones de valencia y su átomo de
origen, aún es posible que los electrones de valencia absorban suficiente energía proveniente de factores externos
para romper el enlace covalente (transformándose así en energía cinética) y asumir el estado libre. El término
portador libre se aplica a cualquier electrón que se haya separado de la estructura entrelazada fija de la red
cristalina y es susceptible de ser capturado y desplazado por cualquier campo eléctrico aplicado al material en que
se encuentra, tal como el generado por fuentes de voltaje o por cualquier diferencia de potencial establecido a través
del mismo. Con temperaturas de cero grado absoluto, los electrones están en los menores estados de energía
posibles dentro del átomo, por lo que no son libres de moverse por el cristal. En estas condiciones, el semiconductor
es un aislante perfecto. Pero a temperatura ambiente, algunos electrones alcanzan la suficiente energía térmica
como para liberarse de sus enlaces. A temperatura ambiente hay alrededor de 1,5 x 10 10 (o sea, quince mil millones)
portadores libres por cada cm 3 de silicio puro o intrínseco. El espacio vacante que queda en el átomo al liberarse un
electrón se denomina hueco, y se lo puede imaginar también como un portador de carga eléctrica. Los factores
externos antes mencionados, que aporten la energía necesaria para que el portador se libere, incluyen efectos como

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

energía luminosa en forma de fotones, energía térmica (calor) del medio circundante, o presión ejercida sobre el
cuerpo del material.

Figura 2.27 - Recombinación

Por supuesto, estos portadores libres producen la ionización de su átomo de origen (queda con un
desbalance de cargas eléctricas que lo tornan positivo), con lo que se establece un campo eléctrico que hace que
el electrón liberado se vea atraído de regreso hacia el lugar del que salió, devolviendo la energía excedente. A
menos que un campo eléctrico externo lo arrastre y lo haga formar parte de una corriente eléctrica. Pero si esto no
ocurre, en cuestión de nanosegundos el electrón se recombina con el hueco, formando nuevamente un enlace
covalente, y el átomo recupera su equilibrio. No obstante, continuamente se están liberando electrones y
recombinándose, por lo que estadísticamente siempre hay una cantidad igual de portadores libres en el cuerpo del
material.

Niveles de energía. Teoría de Bandas.

Dentro de la estructura atómica de cada átomo aislado hay niveles específicos de energía asociados con
cada capa y electrón en órbita, como se muestra en la figura. Los niveles de energía asociados con cada capa son
diferentes, según el elemento de que se trate. En general, cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor
es su estado de energía, y cualquier electrón que haya abandonado a su átomo de origen tiene un estado de energía
mayor que todo electrón que permanezca en la estructura atómica. Este electrón libre se puede desplazar de átomo
a átomo en lo que se llama la banda de conducción. Si bien la energía a nivel macroscópico habitualmente se
expresa en Julios, para niveles atómicos esta unidad es demasiado grande, por lo que se utiliza una sub unidad
denominada electrón volt (eV). La equivalencia respecto al Julio es 1 eV= 1,602176462 × 10-19 J. Esta unidad surge
de la expresión para energía W= Q.V (derivada de la ecuación de definición de voltaje: V=W/Q).

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Figura 2.28– Niveles de energía: (a) niveles discretos en estructuras atómicas aisladas. (b) Bandas de conducción y
valencia de un aislante, un semiconductor y un conductor.

En la figura 2.28 sólo puede haber niveles de energía específicos para los electrones que permanecen en
la estructura atómica de un átomo aislado. El resultado es una serie de brechas entre niveles de energía permitidos
donde no se admite la existencia de portadores. Por esta razón se las denomina bandas prohibidas, ya que se
considera imposible la existencia, incluso transitoria, de un electrón en ellas. Sin embargo, a medida que los átomos
de un material se acercan entre sí para formar la estructura entrelazada cristalina, interactúan entre ellos, lo cual
hace que los electrones de una capa particular de un átomo tengan niveles de energía ligeramente diferentes de los
electrones presentes en la misma órbita de un átomo adyacente. El resultado es la expansión de los niveles de
energía fijos discretos de los electrones de valencia de la figura a a bandas, como se muestra en la figura b. Por lo
tanto, los electrones de valencia de un material pueden tener diferentes niveles de energía, en tanto se encuentren
dentro de la banda de la figura b. Esta figura revela claramente que hay un nivel de energía mínimo asociado con
los electrones que se encuentran en la banda de conducción, y un nivel de energía máximo de electrones enlazados
en la capa de valencia del átomo. Entre ambos niveles hay un salto de energía que el electrón en la banda de
valencia debe superar para convertirse en un portador libre. Ese salto de energía es diferente para cada material, y
es lo que determina si se está en presencia de un aislante, un conductor o un semiconductor. Incluso entre materiales
de un mismo tipo, como los semiconductores, el salto (gap en inglés) es diferente, y determina la mayor o menor
facilidad con la que los portadores pueden liberarse y pasar a la banda de conducción.
Todo esto implica que un electrón en la banda de valencia del silicio necesita absorber más energía que
otro en la banda de valencia del germanio para lograr convertirse en un portador libre. Asimismo, un electrón en la
banda de valencia del arseniuro de galio debe absorber más energía que otro en la del silicio o el germanio para
llegar a la banda de conducción.
Estas diferencias en los saltos necesarios para llegar a la banda de conducción revela la sensibilidad de
cada tipo de semiconductor a los cambios de temperatura. Por ejemplo, al incrementarse la temperatura de una
pieza de Ge, el número de electrones que pueden absorber la energía térmica y entrar a la banda de conducción se
incrementa con rapidez porque el salto de energía es mínimo. Si la pieza fuese de Si o GaAs, la cantidad de
electrones que lograría realizar el salto sería mucho menor. Esta sensibilidad a los cambios de nivel de energía
puede resultar beneficiosa o perjudicial, según la aplicación en la que se utilice al componente. El diseño de
fotodetectores sensibles a la luz y los sistemas de seguridad sensibles al calor son excelentes campos de aplicación

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

para dispositivos de germanio. En cambio, en el caso de redes de transistores, en las que la estabilidad es prioritaria,
esta sensibilidad a la temperatura o a la luz resulta totalmente indeseable.
El salto de energía también indica qué materiales son útiles en la construcción de dispositivos emisores de
luz. Cuanto más grande es el salto, mayor es la posibilidad de que la energía se libere en forma de ondas luminosas
visibles o invisibles (infrarrojas). En el caso de los conductores, el solapamiento de las bandas de conducción y de
valencia provoca esencialmente que toda la energía adicional absorbida por los electrones se disipe en forma de
calor. Para el germanio y el silicio, como el salto de energía es reducido, la mayoría de los electrones que absorben
suficiente energía para abandonar la banda de valencia terminan en la banda de conducción y la energía se disipa
en forma de calor (o bien de vibraciones de la estructura cristalina de muy baja frecuencia, llamadas fonones). Sin
embargo, en el caso del arseniuro de galio, el salto energético es lo suficientemente grande como para producir
radiación luminosa significativa, a través de la emisión de fotones.

Semiconductor Intrínseco
Todo material semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas
(átomos diferentes al del elemento principal) a un nivel muy bajo (lo más puro posible utilizando la tecnología actual)
se denomina semiconductor intrínseco.
Los electrones libres presentes en un material debido sólo a causas externas se conocen como portadores
intrínsecos. La tabla 1 compara el número de portadores intrínsecos por cm 3 de los semiconductores más utilizados.
El Ge tiene el mayor número (el doble que el GaAs). La cantidad de portadores intrínsecos es importante, aunque
hay otras características del material que pueden llegar a ser más significativas en su comportamiento. Por ejemplo
la movilidad relativa (n) de los portadores libres en el material, que indica la capacidad de los electrones libres de
moverse por todo el material. En la tabla 2 se observa que la n de los portadores en el GaAs es más de cinco veces
la del Si. También se aprecia que la movilidad relativa de portadores en el Ge es el doble que en el Si, razón por la
cual este material aún se utiliza en aplicaciones de frecuencia de radio de alta velocidad.

Semiconductor Portadores intrínsecos (por cm3)

Ge 2,5x1013
Si 1,5x1010
GaAs 1,7x106
Tabla I – Portadores intrínsecos por material

Semiconductor n (cm2/V.s)
Ge 3900
Si 1500
GaAs 8500
Tabla II – Factor de movilidad relativa n

Actualmente los niveles de refinamiento del Si permiten alcanzar niveles estándar de impurezas de 1 parte
en 10 mil millones (10-10), e incluso más para circuitos integrados a gran escala (aunque el proceso también se
encarece). Estos niveles pueden parecer demasiado altos, pero se debe tener en cuenta que la adición de algunas
impurezas tri o pentavalentes en el orden de una ppm en una oblea de Si puede cambiarla de ser un conductor
relativamente deficiente a ser un buen conductor de la electricidad.
La capacidad de cambiar las características de un material mediante este proceso se denomina
impurificación o dopado, algo que el Ge, el Si y el GaAs aceptan con facilidad y rapidez.
Una diferencia importante entre materiales conductores y semiconductores es su coeficiente térmico. En el
caso de los conductores, la resistencia se incrementa ante la aplicación del calor, debido a que su número de
portadores libres no aumenta de manera significativa con la temperatura, pero sí lo hace su patrón de vibración
atómica respecto a su lugar fijo en la red cristalina, por lo que se dificulta cada vez más el flujo contínuo de portadores
a través del material, incrementándose a su vez la temperatura por la energía cinética desprendida en los choques

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

de los portadores contra los átomos (efecto Joule). A este comportamiento se le denomina coeficiente de
temperatura positivo. Por otro lado, los materiales semiconductores aumentan su nivel de conductividad con la
aplicación del calor, debido a que a medida que se incrementa la temperatura, una mayor cantidad de electrones de
valencia absorben suficiente energía térmica para romper el enlace covalente y así incrementar el número de
portadores libres. El efecto positivo antes descrito sigue estando presente, pero se ve ampliamente superado por
esta otra característica, por lo que el resultado final es un incremento de la conductibilidad del material. Por esta
razón se dice que los materiales semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo.

Semiconductores extrínsecos
Como ya se indicó, las características de un material semiconductor se pueden modificar de manera
significativa con la adición de átomos de impurezas específicas al material semiconductor relativamente puro
(proceso de dopado del semiconductor). Estas impurezas, aunque sólo se agregan en 1 parte en diez millones,
pueden alterar la estructura de las bandas lo suficiente como para cambiar completamente las propiedades
eléctricas del material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material
semiconductor extrínseco.
Existen dos tipos de material extrínsecos, según sea el tipo de impurezas que se le agrega durante el
dopado: tipo N y tipo P. Estos materiales constituyen los bloques básicos de construcción de los dispositivos
semiconductores, principalmente cuando se los hace trabajar unidos.

Semiconductor extrínseco tipo N

Tanto los materiales tipo N como los tipo P se forman agregando una cantidad determinada de átomos de
impurezas apropiadas a una base semiconductora, por ejemplo silicio. Un material tipo N se crea introduciendo
como impurezas elementos que contienen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, el
arsénico y el fósforo (ver tabla periódica). El efecto de tales impurezas se observa en la figura (con antimonio como
impureza en una base de silicio). Se aprecia que los cuatro enlaces covalentes permanecen. Pero existe también
un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza, el cual no está asociado con ningún enlace covalente
particular. Este electrón restante, enlazado de manera poco firme a su átomo padre (antimonio), está en cierto modo
libre para moverse dentro del material N recién formado, ya que el átomo de impureza insertado donó un electrón
relativamente libre o poco vinculado a la estructura.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como átomos donadores o
donores.

Figura 2.29 - Impureza de antimonio en un material tipo N

Es importante no perder de vista de que a pesar de que gran cantidad de portadores libres se establecieron
en el material tipo N, el material sigue siendo eléctricamente neutro, ya que de una manera ideal el número de
protones (carga positiva) de los núcleos sigue siendo igual al de los electrones de carga negativa libres y en órbitas
en los átomos de la estructura.

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Existen varios mecanismos para crear una concentración mayor de lo normal de huecos o electrones en
una región concreta del cristal. A causa de su velocidad térmica aleatoria, la concentración de portadores de carga
tiende a dispersarse con el tiempo. Esto provoca un flujo de corriente conocido como corriente de difusión. A
menos que se continúe produciendo un exceso de portadores en una región concreta del cristal, la concentración
de portadores tiende a convertirse en uniforme, y cesa la corriente de difusión.
El efecto de este proceso de dopado en la conductividad relativa se puede describir mejor utilizando el
diagrama de bandas de energía de la figura 2.30. En él, un nivel de energía discreto (llamado nivel donador) aparece
en la banda prohibida con una Eg significativamente menor que la del material intrínseco. Los electrones libres
creados por la impureza agregada se establecen en este nivel de energía y absorben con menos dificultad una
cantidad suficiente de energía térmica para moverse en la banda de conducción a temperatura ambiente. El
resultado es que temperatura ambiente hay un gran número de portadores (electrones) en el nivel de conducción
y la conductividad del material se incrementa de manera significativa. A temperatura ambiente en un material de
silicio intrínseco hay alrededor de un electrón libre por cada 10 12 átomos. Si el nivel de dopado es de 1 en diez
millones (107), la relación 1012/107 = 105 indica que la concentración de portadores disponibles se incrementó en una
razón de 100 000 : 1.

Figura 2.30 – Efecto de las impurezas de un donador en la estructura de la banda de energía

Semiconductor extrínseco tipo P

El material tipo P se forma dopando un cristal semiconductor puro con átomos de impurezas que tienen tres
electrones de valencia (trivalentes). Los elementos más utilizados para este propósito son el boro, el galio y el indio
(ver tabla periódica). El efecto de uno de estos elementos (por ejemplo el boro) en una base de semiconductor
intrínseco (como el silicio) se indica en la figura 2.31.

Figura 2.31 - Impureza de boro en un material tipo P

Ahora el número de electrones es insuficiente para completar las bandas covalentes de la estructura recién
formada. El vacío resultante se llama hueco y se denota con un pequeño círculo o un signo +, para indicar la ausencia
de una carga negativa o que el vacío resultante aceptará fácilmente un electrón libre.

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman átomos aceptores. El material
extrínseco tipo P es eléctricamente neutro por las mismas razones descritas para el material tipo N.

Conducción electrónica y por huecos

El efecto del hueco en la conducción se muestra en la figura 2.32. Si un electrón de valencia adquiere
suficiente energía cinética para romper su enlace covalente y llenar el vacío creado por un hueco, entonces se
creará un vacío o hueco en la banda covalente que cedió el electrón. Existe por lo tanto una transferencia de huecos
hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha, como se muestra en la figura. Esto implica que se puede
considerar que existen dos corrientes eléctricas simultáneas de igual magnitud y opuestas en carga y en sentido.
La dirección que usualmente se utiliza en los circuitos y análisis de corrientes es la del flujo convencional, la cual
está indicada por la dirección del flujo de huecos.

Figura 2.32 - Flujo de electrones y flujo de huecos

Portadores mayoritarios y minoritarios

En el estado intrínseco, el número de electrones libres en el semiconductor se debe sólo a los electrones
en la banda de valencia que adquirieron suficiente energía de fuentes térmicas o luminosas para romper la banda
covalente o a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los vacíos que quedan en la estructura de enlace
covalente representan una fuente muy limitada de huecos. En un material tipo N, el número de huecos no cambia
significativamente con respecto a este nivel intrínseco. El resultado neto, por consiguiente, es que el número de
electrones sobrepasa por mucho al de huecos. En cambio, en un material tipo P el número de huecos excede por
mucho al de electrones, tal como se muestra en la figura.

Figura 2.33 - (a) material tipo N; (b) material tipo P.

Entonces, en un material tipo N el electrón constituye el portador mayoritario y el hueco el portador

minoritario, mientras que en un material tipo P el hueco es el portador mayoritario y el electrón el minoritario. Cuando
el quinto electrón de un átomo donador abandona a su átomo de origen, éste átomo adquiere una carga positiva
neta. Por eso este ión donador se representa con un signo +. Por las mismas razones, los iones aceptores se
representan con un signo -.

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Aplicaciones de los semiconductores extrínsecos (sin juntura)

Si bien la mayor parte de las aplicaciones de los semiconductores se verán a partir del concepto de junturas,
a desarrollarse en la próxima unidad, existen algunos componentes que se basan sólo en un tipo de semiconductor
extrínseco.

Termistores
Los termistores (THERMally sensitive resISTOR) son componentes de detección de temperatura
compuestos por un material semiconductor dopado, el que presenta un gran cambio en la resistencia en proporción
a un cambio pequeño en la temperatura. Muchos sensores de temperatura se basan en resistores puramente
metálicos (RTD, que se verán a continuación), en los que predomina un aumento de la resistencia debido al mayor
nivel de agitación térmica de los portadores y de los átomos del material, lo cual dificulta el flujo de cargas eléctricas.
Pero cuando se fabrican sensores basados en semiconductores, llamados termistores, estos suelen tener
coeficientes de temperatura negativos, lo que significa que la resistencia del termistor disminuye a medida que
aumenta la temperatura. Esto se debe a que a mayor temperatura mayor energía térmica disponible en el
semiconductor, por lo que los portadores pueden liberarse más fácilmente de sus átomos, variando su
concentración. A mayor densidad de portadores libres, mayor conductividad, y por ende menor resistencia del
material. La desventaja de este componente es que, aunque son mucho más sensibles y precisos que los basados
en metales, poseen su baja linealidad, por lo que para utilizarlo como sensor se deben realizar correcciones y
calibraciones. Si bien por el efecto descripto estos componentes habitualmente poseen un coeficiente negativo de
temperatura (tipo NTC), también existen algunos que incorporándoles aleaciones metálicas pasan a tener
coeficientes positivos (PTC o también llamado posistor). Para los termistores PTC, en el caso de un semiconductor
con un dopado muy intenso, éste adquirirá propiedades metálicas, tomando un coeficiente positivo en un margen
de temperatura limitado. Usualmente, los termistores se fabrican a partir de óxidos semiconductores, tales como el
óxido férrico, el óxido de níquel, o el óxido de cobalto.

Fig. 2.34- Termistores: aspecto, símbolo y curvas de operación.

Sus ventajas respecto a otros sensores son:

 Bajo costo.
 Su mayor cambio de resistencia por grado de temperatura proporciona una mayor resolución
 Alto nivel de repetibilidad y estabilidad

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

 Amplio rango de mediciones.

 Excelente capacidad de intercambio
 Tamaño pequeño que supone una respuesta rápida a los cambios de temperatura

Fig. 2.35- curvas de variación de la resistencia con la temperatura para diferentes tipos de sensores.

No confundir los termistores basados en semiconductores con otros dos componentes que se
utilizan para medir temperaturas:
RTD (Detector de temperatura por resistencia) son sensores puramente resistivos, formados por un
conductor metálico (en los más utilizados, denominados PT100 se utiliza un alambre bobinado de platino de 100
ohms a 0°C, de ahí el nombre). Su principal ventaja es la variación lineal positiva de la resistencia con la temperatura
por efecto Joule (mayor agitación térmica a mayor temperatura, aumentando la resistencia por la mayor tasa de
choques entre portadores, R=Ro (1+T)). Por lo general, la variación es bastante lineal en márgenes amplios de
temperatura. Estos sensores suelen estar montados en algún tipo de vaina o funda protectora para formar una sonda
de temperatura más robusta.

Fig. 2.36- Diferentes tipos de sensores de temperatura no semiconductores (RTD y Termocuplas)

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Termocupla o termopar: es un transductor que aprovecha la diferencia de potencial (de solo algunos mV)
entre dos metales unidos mecánicamente, la cual es proporcional a la diferencia de temperatura entre ambos (punto
caliente y punto frío, efecto Seebeck). Suelen estar formados por acero inoxidable como uno de los metales, y otro
metal, que define el tipo de termocupla. Sus ventajas con el bajo costo, el sistema estándar de conectores, y el
amplio rango de temperaturas que se pueden medir con ellos, aunque son poco exactos.
LDRs

Los LDR (Light Dependent Resistor, resistor dependiente de la luz) se caracterizan por variar su valor de
resistencia eléctrica dependiendo de la cantidad de luz que incide sobre él. Se le llama también, fotorresistor o
fotorresistencia. El valor de resistencia eléctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en él (en algunos
casos puede descender a unos 50 ohms) y muy alto cuando está a oscuras (puede ser de varios megaohms). Los
LDR se fabrican con un cristal semiconductor fotosensible de alta resistencia como el sulfuro de cadmio (CdS). Su
funcionamiento se basa en el efecto fotoeléctrico. Los fotones de la luz incidente son absorbidos por los electrones
del semiconductor, dándoles suficiente energía para saltar a la banda conducción. El electrón libre que resulta, y su
hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia del componente. La variación
de valor resistivo de un LDR tiene cierto retardo, por esta razón un LDR no se puede utilizar algunas aplicaciones,
en especial en aquellas en que la señal luminosa varía con rapidez. El tiempo de respuesta típico de un LDR está
en el orden de una décima de segundo.

Fig. 2.37- Resistencia variable con la luz (LDR)

Sensores de efecto Hall

El sensor de efecto Hall se basa en el efecto homónimo para medir campos magnéticos o corrientes. Este
efecto puede explicarse de la siguiente manera: cuando por un conductor circula una corriente eléctrica, y se ve
sometido a la acción de un campo magnético perpendicular, los portadores de carga circulante se reacomodan y
varían su concentración, produciendo una diferencia de potencial proporcional al producto vectorial entre el campo
magnético y la corriente eléctrica. Midiendo este voltaje y conociendo unas de las variables de entrada (corriente o
campo magnético) se puede determinar la variable restante:

Fig. 2.38- Efecto Hall

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Los sensores Hall se producen a partir de placas finas de semiconductores, ya que en ellas la densidad de
los portadores de carga es reducida y por ello la velocidad de los electrones es elevada, para conseguir un alto
voltaje de Hall.
Las aplicaciones de estos sensores son:
- Medición de campos magnéticos (por ejemplo, en brújulas)
- Medición de corrientes
- Instrumentos de medición de espesores.
- Sensores de posición, tacómetros.
- Sensores de cierre de puertas y cierre de cinturón de seguridad en autos.
- Teclados

Fig. 2.39- Aspecto sensores de efecto Hall.

Fig. 2.40- Funcionamiento de medidores de corriente basados en efecto Hall.

Celdas peltier
Las celdas Peltier crean una diferencia de temperatura entre sus caras a partir de un voltaje eléctrico. Ocurre
cuando circula una corriente entre dos metales o semiconductores distintos, conectados entre sí mediante una
soldadura (juntura de Peltier). Esta corriente propicia una transferencia de calor de una juntura a la otra: una se
enfría en tanto que otra se calienta. Una manera para entender cómo es que este efecto enfría una juntura es notar
que cuando los electrones fluyen de una región de alta densidad a una de baja densidad, se expanden (de la manera
en que lo hace un gas ideal) y se enfría la región. Es lo opuesto al efecto Seebeck, ya visto para las termocuplas.
En este caso, se absorbe calor en una unión y se desprende en la otra. La parte que se enfría suele estar cerca de
los 10º C aproximadamente (aunque a veces se puede descender por debajo de los 0°C, dependiendo de la

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 II – Física de Semiconductores ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

capacidad y consumo de la celda), mientras que la parte que desprende calor puede alcanzar rápidamente los 80º
C.
Los semiconductores están fabricados con Teluro y Bismuto para ser tipo P o N (buenos conductores de
electricidad y malos del calor) y así facilitar el trasvase de calor del lado frío al caliente por el efecto de una corriente
continua.
Las celdas Peltier también tienen algunos inconvenientes a tener en cuenta, como el elevado consumo
eléctrico, o que dependiendo de la temperatura y la humedad puede producirse condensación y en determinadas
condiciones incluso puede formarse hielo.

Fig. 2..41- Celdas Peltier

Con celdas de más de 70W, se puede conseguir temperaturas próximas a la congelación en cuestión de
pocos minutos, o también calentar agua hasta el punto de ebullición, según la polaridad y la cara de la célula que
se utilice. Actualmente las principales aplicaciones de esta tecnología son:
 Disipadores para CPUs de computadoras.
 Enfriadores instantáneos de líquidos.
 Heladeras portátiles.
 Vinotecas.
 Calentadores/enfriadores de comida.
 Recubrimiento interior de trajes espaciales

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