DISPOSITIVOS

ELECTRONICOS
SESION 03: DIODOS SEMICONDUCTORES

Prof. Carlos Quilla Paredes

 CONTENIDO DE LA SESION

Contenido

• Recordemos la sesión anterior

• Introducción
• Semiconductores
• El Diodo
 RECORDEMOS LA SESION ANTERIOR
CONDENSADOR O CAPACITOR
El flujo de electrones disminuye a cero cuando el capacitor
alcanza un potencial igual al de la fuente.
INTRODUCCION
CONDUCTIVIDAD Y RESISTIVIDAD
 INTRODUCCIÓN

Los semiconductores son dispositivos de estado sólido,

cuya resistividad es intermedia entre la de los conductores
eléctricos y la de los aislantes.
El diodo es el dispositivo mas sencillo de entre los
dispositivos semiconductores.

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 INTRODUCCIÓN

 Conductor: material que soporta un gran flujo de

carga/corriente.
 Aislante: material con nivel bajo de conductividad de
corriente.
 Semiconductor: material que posee un nivel de
conductividad entre los extremos de un aislante y un
conductor.

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 Conductividad y Resistividad
Mientras mas alto el nivel de conductividad menor es
el nivel de resistencia.
El termino resistividad se utiliza para comparar los
niveles de resistencia de los materiales.

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 Conductividad y Resistividad
Conductividad y Resistividad

 Generalmente la resistividad de los metales aumenta con la

temperatura, mientras que la resistividad de los
semiconductores disminuye ante el aumento de la
temperatura.
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 Conductividad y Resistividad
 Ejercicio: Un cable de cobre de 1 milímetro de
diámetro, que tiene una resistividad de 0.0175
 mm2/m tiene una resistencia de 10 .
Calcular su longitud.

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SEMICONDUCTORES
MATERIALES INTRINSECOS Y EXTRINSECOS
 Semiconductores
 Los mejores conductores tienen
un electrón de valencia,
mientras que los mejores
aislantes poseen ocho
electrones de valencia.
 Los mejores semiconductores,
Silicio y Germanio, tienen
valencia 4

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 Semiconductores

 Cuando los átomos de silicio se

combinan forman una estructura
cristalina.
 El Silicio y el Germanio se han
utilizado por varias razones,
entre ellas, el hecho de que
pueden ser fabricados con un
alto nivel de pureza (una parte
por cada 10 mil millones).

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 Semiconductores
 En una estructura cristalina de
Si, cada átomo central posee 8
electrones en su orbital de
valencia.
 Cuando no existen 8 electrones
en un elemento este tiende a
combinarse y a compartir
electrones con otros átomos
para obtener 8 electrones en su
orbital exterior. Enlaces covalentes

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 Semiconductores intrínsecos
• Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. A
temperatura ambiente, un cristal de silicio se comporta
casi como un aislante, ya que tiene solamente unos
cuantos electrones libres y sus correspondientes huecos.

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 Semiconductores Extrínsecos

 La adición de una parte de

impureza, del tipo adecuado, por
cada millón, en una oblea de Silicio,
puede cambiar dicho material de un
conductor pobre a un buen
conductor de electricidad.

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 Semiconductores extrínsecos Tipo N

Dopado de antimonio, arsénico

y fósforo:
 Tipo N. (adición + 5
electrones de valencia)

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Materiales semiconductores extrínsecos
Tipo P:

Boro, galio e indio:

 Tipo P. (adición + 3
electrones de valencia)

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 Transporte de carga

18
 La unión P-N

19
EL DIODO
POLARIZACION DEL DIODO
 EL DIODO

Falta de portadores.
Solo quedan los iones fijos.
ZONA
ID=0
TRANSICIÓN
P N
- +
ÁNODO CÁTODO
- +

- +

- +

(+) ÁNODO (-) CÁTODO

SÍMBOLO

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 POLARIZACIÓN DEL DIODO

• Sin Polarización. El flujo de carga en cualquier

dirección es cero.
• Polarización directa. La región de agotamiento se
reduce y se genera un flujo de portadores
mayoritarios a través de la unión.
• Polarización Inversa. Se amplia la región de
agotamiento, ampliando la barrera de potencial,
por lo tanto se reduce el flujo de portadores
mayoritarios.

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 POLARIZACIÓN DEL DIODO

Polarización Directa Polarización Inversa

- - - - - -

+
+

+
+

+
+

+
- - - - - -

+
- -

+
- -
- -

+ +

+ +
+

+
+

+
- - - - - -

+
- -
+

+
- - - - - -
+

+
+

+
+

+
P N N + - P

Concentración
de huecos
Corriente de saturación inversa
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 POLARIZACIÓN DIRECTA

I Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se

ven empujados a "invadir" la zona de transición.
P
La zona de transición se ve reducida drásticamente.

La corriente se debe a mayoritarios y la corriente directa

N puede llegar a ser importante.

La aproximación de una resistencia pequeña (idealmente

un cable es razonable)

P
+
N

-
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 POLARIZACIÓN INVERSA:

Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se

I ven empujados a "escapar" de la zona de transición.

P La zona de transición aumenta drásticamente.

La corriente se debe a minoritarios y la corriente directa

será muy pequeña (idealmente nula).
N
La mejor aproximación es un cable roto (falla la intuición)

P
-
N
-

-
-

-
+

+
+

+ +
- - + +

- - + +

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 CARACTERÍSTICA DEL DIODO
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y
bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable
roto)

I I
¡¡ PRESENTA UN
+ COMPORTAMIENTO
P NO LINEAL !!

V
N V
-

SEMEJANZA
Un símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el
agua (corriente) en un único sentido.

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 DIODO REAL

i [mA]
ánodo cátodo 1

p n Ge Si

A K
V [Volt.]
Símbolo -0.25
0
0.25 0.5

IS = Corriente Saturación Inversa

 VD  q
 K = Cte. Boltzman

I D  I S   e  1
K T VD = Tensión diodo
q = carga del electrón

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  T = temperatura (ºK)
ID = Corriente diodo
 BIBLIOGRAFIA

• "Electrónica Teoría de Circuitos". Boylestad,

Nashelki.
• "Diseño Electrónico Circuitos y Sistemas". Savant, C.
• "Principios de Electrónica". Malvino, A.

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