Cuadernillo Aea II

CUADERNILLO DE
APLICACIONES DE
ELECTRÓNICA ANALÓGICA
II
E.E.S.T N°3 PREFERCTURA NAVAL ARGENTINA

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ PROF. SANDRA TEJERINA
E.E.S.T. N°3 PREFECTURA NAVAL ARGENTINA
APLICACIONES DE LA ELECTRONICA ANALOGICA II
ESTE CUADERNILLO CONTIENE LOS SABERES PRIORITARIOS VISTOS EN EL CICLO

LECTIVO 2020
UNIDAD 1
Concepto de amplificación. Ganancias de tensión y corriente, transconductancia y transresistencia.

Resistencia de entrada y de salida. Circuitos equivalentes. Diagrama en bloques. Características."
"UNIDAD 2 – EL TRANSISTOR
El transistor de unión. El transistor en circuito abierto. Componentes de corriente. El transistor como

amplificador. Corrientes en un transistor, los parámetros beta. Configuraciones: base, emisor y colector
común. Región de corte y saturación en EC. Polarización. Valores nominales de los transistores. Tiempos de
conmutación del transistor. Transistor en conmutación. Corte y saturación, aplicaciones."
"UNIDAD 3- POLARIZACIÓN
El punto de trabajo. Rectas de carga estática y dinámica. Circuito de polarización fija. Polarización por divisor
de tensión. Teorema de Thévenin. Estabilidad de la polarización. Estabilización frente a variaciones de Vbe,
Ico, y beta. Característica de transferencia. Factores de estabilidad. Análisis de circuitos con transistores en
corriente continua. "
PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 1

PROF. SANDRA TEJERINA
TRANSISTORES BJT:
EI transistor, inventado en 1948 en los laboratorios de la Bell Telephone en Estados Unidos es, sin
duda, uno de los adelantos más significativos de nuestra era y uno de los componentes más versátiles e
importantes de la electrónica moderna. De hecho, todos los circuitos integrados, que han revolucionado la
ciencia moderna, se fabrican con transistores.
El transistor reemplazó, con grandes ventajas, a los tubos de vacío o válvulas en todos los circuitos
electrónicos. Sus principales características son tamaño reducido, bajo consumo de potencia, alta
confiabilidad y costo mínimo.
El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas de su denominación inglesa Bipo-
lar Junction Transistor), es un dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y colector.
Dependiendo de la polaridad de los materiales empleados para su construcción pueden ser NPN o PNP.
La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima su comportamiento a una fuente
dependiente de corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es controlada
por la corriente en el terminal de base. Dicho de otra manera, a partir de una pequeña corriente de control
que se aplica a la base, se obtiene una corriente amplificada en su salida. Esta corriente permite que el
transistor amplifique una señal, actúe como interruptor o llave electrónica (switch), o pueda oscilar en
conjunto con una bobina y un condensador para producir señales de radio o de audiofrecuencia. La mayoría
de funciones electrónicas se realizan con circuitos que emplean transistores, sean bipolares o de efecto de
campo, los cuales son los dispositivos básicos de la electrónica moderna.

Clasificación de los transistores
De acuerdo con la potencia que maneja un transistor puede ser de baja potencia, mediana potencia
y alta potencia.
De acuerdo con la frecuencia y el tipo de señales, pueden ser de baja frecuencia para aplicaciones en
circuitos de sonido o audio, y de alta frecuencia para circuitos de radiofrecuencia (RF) y video o televisión.
Tipos de encapsulados
Los transistores se fabrican en serie, formando simultáneamente varios ciemos o millares de

unidades sobre una oblea semiconductora de 38 a 50 mm de diámetro y luego cortándolos uno por uno. Las
técnicas de fabricación más utilizadas son los procesos de aleación, difusión y crecimiento epitaxial.
Una vez construidos, los transistores se encierran en cápsulas plásticas o metálicas. La cápsula protege al
dispositivo de la humedad y otros contaminantes, sirve como disipador de calor, aloja los pines del
transistor, facilita su manipulación, etc.
El tipo de encapsulado se identifica generalmente por las letras TO seguidas de un número. Por
ejemplo: TO-3, TO-5, el TO-220, etc.
Cada uno tiene su propia configuración de pines, dada por el fabricante.
En algunos casos, la cápsula está unida eléctricamente al colector, los encapsulados más comunes son:
Códigos de identificación de transistores
Existen básicamente tres códigos para la identificación de los transistores: el americano, el europeo
y el japonés. Estos códigos rigen también para los FET.
En el sistema americano, los transistores se designan por el prefijo 2N seguido de un número (por
ejemplo, 2N3904).
En el sistema europeo, los transistores se designan mediante una sigla formada por 2 letras y un
número (por ejemplo, BC108, BZ120).
En el sistema japonés, los transistores se designan con el prefijo 2SA, 2SB, 2SC o 2SD, seguido de un
número (por ejemplo, 2SC458, 2SA65, 2SD926, etc.).

Es Importante señalar que, a pesar de esta normalización, algunos fabricantes insisten en utilizar sus
propias referencias (por ejemplo, ECG123AP, CA3082, TIP31, etc.).
Transistores bipolares – estructura interna
Un transistor bipolar es un dispositivo formado por tres capas de material semiconductor,

organizadas en forma de "sándwich". Puede ser un material tipo N entre dos materiales tipo P o viceversa.
De acuerdo a la forma como se alternen estas tres capas, se pueden obtener dos tipos de
transistores: el tipo NPN y el tipo PNP.
En la figura se muestra la estructura y el símbolo de un transistor NPN.
Está formado por una región tipo P muy delgada colocada entre dos regiones tipo N ligeramente
dopadas. La capa P del centro es la base (B) y las 2 capas N de los extremos son el emisor (E) y el colector (C),
respectivamente.
En la figura se muestra la estructura y el símbolo de un transistor PNP.
Está formado por una región tipo N muy delgada, colocada entre dos regiones tipo P ligeramente
dopadas. La capa N del centro es la base (B) y las 2 capas P de los extremos son el emisor (E) y el colector (C),
respectivamente.
Como regla nemotécnica, observe que la única diferencia entre los símbolos de los transistores NPN
y PNP es la dirección en que apunta la flecha de emisor. En un PNP la flecha entra (“penetra") y en un NPN
sale (''no penetra").
RECUERDE: PNP PENETRA

NPN NO PENETRA
Además, debido a la forma como se alternan las capas P y N, en un transistor bipolar se originan dos
uniones o junturas PN: una entre emisor y base, y otra entre colector y base. A estas zonas las
denominaremos, respectivamente, unión B-E o E-B y unión B-C o C-B.
Características constructivas especiales de los transistores

En un transistor bipolar se han alterado ciertas características eléctricas y físicas de las regiones que
conforman la base, el emisor y el colector, con el fin de conseguir las propiedades excepcionales que
caracterizan al dispositivo. Veamos las más importantes.
La base es una región sumamente estrecha en primer lugar, y poco dopada en relación a las otras
dos. En consecuencia, tiene una concentración muy baja de portadores de corriente.
La estreches de la región de base facilita, además, el paso rápido de los portadores mayoritarios de
corriente desde el emisor hasta el colector.
En segundo lugar, la región de emisor está fuertemente dopada y la concentración de portadores
mayoritarios disponibles supera ampliamente la de la base.
En el caso de un transistor NPN, por ejemplo, lo anterior significa que la base no posee la suficiente
cantidad de huecos para combinarse con todos los electrones que puede suministrar el emisor. En
consecuencia, la corriente de polarización directa o de conducción que circula a través de la unión B-E es
relativamente pequeña.
En tercer lugar, la región de colector es sumamente amplia y tiene una alta concentración de
portadores minoritarios en relación a la base y muy pocos portadores mayoritarios en comparación-con el
emisor. Como consecuencia, la corriente de polarización inversa o de fuga que circula a través de la unión B-
C es muy pequeña.
Funcionamiento del transistor NPN
La función básica y más importante de un transistor es la amplificación de corriente. Para que el

dispositivo desarrolle correctamente esta misión, sus dos uniones o junturas PN deben polarizarse en forma
adecuada.
Específicamente, la unión E-B debe polarizarse en directo y la unión C-B en inverso, como si se
tratara de dos diodos.
Lo anterior significa que, en un transistor NPN, la base (P) debe ser positiva con respecto al emisor (N), y
negativa con respecto al colector (N).
Asimismo, en un transistor PNP, la base {N) debe ser negativa con respecto al emisor (P) y positiva
con respecto al colector (P).
Estas condiciones se implementan en la práctica mediante dos voltajes externos de CC, aplicados
simultáneamente.
En la figura A se muestra la forma de polarizar directamente la unión B-E de un transistor NPN, y en
la figura B la forma de polarizar inversamente la unión B-C del mismo.
En la siguiente figura se muestra el circuito básico de polarización de un transistor NPN. El voltaje o

tensión de polarización directa de la unión B-E la provee la batería VEE y el de polarización inversa de la
unión B·C, la batería VCC.

Por regla general, VCC debe ser mucho mayor que VEE.
Como resultado de la aplicación de estas tensiones de polarización, se producen internamente en el

transistor tres corrientes: la de base (IB), la de emisor (IE) y la de colector (IC).
Debido a que la unión B-E está polarizada directamente, los portadores mayoritarios de ambas
regiones son obligados por el voltaje VEE a cruzar la Juntura y combinarse mutuamente. Esto significa que
los electrones del emisor (N) se combinan con los pocos huecos disponibles en lo base (P).
En realidad, sólo del 1 al 5% de los electrones suministrados por el emisor se combinan con huecos en la
base, formándose así una corriente de base (IB) muy débil.
Por cada combinación electrón-hueco, penetra un electrón por el emisor y sale otro por la base. De
este modo, VEE garantiza un flujo continuo de corriente a través del circuito emisor-base.
Los electrones restantes (del 95 al 99%) que invaden la base, son atraídos hacia el colector por la fuerte
tensión inversa de polarización VCC de la unión B-C.
Estos electrones cruzan la unión B-C, pasan a través de la extensa región N de colector y se dirigen
hacia el polo positivo de la hatería VCC, creando una corriente de colector (IC) muy intensa.
Por cada electrón que sale del colector, ingresa otro por la base, procedente del emisor. De este
modo, VCC y VEE garantizan un flujo continuo de corriente a través del circuito colector-emisor. Las
corrientes de colector (lC) y de base (lB) están relacionadas con la corriente de emisor (lE) mediante la
siguiente fórmula:
IE= lB+ lC
Es decir, la corriente de emisor es igual a la suma de las corrientes de base y de colector o, en otras
palabras, la corriente de colector es igual a la corriente suministrada por el emisor menos la corriente que se
pierde en la base.
En la práctica, se considera que las corrientes de colector y de emisor son casi iguales (IC ≈ IE).
IE ≈ lC
Los fabricantes siempre especifican la máxima corriente de colector o de emisor que pueden
manejar sus transistores. Si se exceden estos valores, se pueden causar daños irreversibles en estos
dispositivos. Así mismo, especifican también las máximas tensiones de polarización.
La capacidad de un transistor para amplificar corriente se mide mediante dos parámetros muy
importantes llamados alfa (α) y beta (β) que posteriormente estudiaremos.

Funcionamiento del transistor PNP
En la figura se muestra el circuito básico de polarización de un transistor PNP. Su funcionamiento es

exactamente igual al del transistor NPN descripto anteriormente con dos excepciones:
a) En un transistor PNP, los portadores mayoritarios de corriente son huecos y no electrones como en
el transistor NPN. Por lo tanto, las corrientes IB, IC e IE tienen direcciones contrarias a las que llevan
en el caso NPN.
b) Las polaridades de las tensiones de polarización directa (VEE) e Inversa (VCC) son las opuestas al
caso NPN.
Nota: estrictamente hablando, una corriente es un flujo de electrones y no de huecos (los huecos no
son partículas físicas). Por lo tanto, imagine siempre una corriente de huecos como una corriente de
electrones que se desplaza en sentido contrario.
En el caso de que puedan instalar Livewire pueden simular este circuito:

CURVA DE SALIDA DE UN TRANSISTOR
A lo largo de la recta de carga se pueden distinguir tres partes fundamentales: punto de corte, punto
de saturación, punto de trabajo.

MODO INTERRUPTOR
“No nos dejes caer en

saturación,
Y líbranos del corte”
No es bueno caer en la
saturación ni en el corte, porque
estos son su función secundaria.
Sería conveniente usarlos

cuando se quiera abrir o cerrar
el circuito (usarlos como una
llave) y no sería conveniente
caer en estos cuando se quiera
usar la zona activa.


MODO AMPLIFICADOR- ZONA ACTIVA

GANANCIA DE CORRIENTE O PARAMETRO

BETA DE UN TRANSISTOR
La circunstancia de que una pequeña corriente de base controle las corrientes de emisor y colector
mucho más elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para conseguir una gran ganancia de
corriente. Así la ganancia de corriente de un transistor es la relación que existe entre la variación o incremento
de la corriente de colector y la variación de la corriente de base.
Beta= IC/IB
POLARIZACIÓN
Polarizar un transistor consiste en suministrar las tensiones adecuadas de alimentación y conectar

resistencias en el circuito con los valores oportunos, de forma que la señal introducida a la entrada del
circuito no resulte deformada.
Tipos de polarización
•
•
•
•

• El circuito de polarización fija para un transistor bjt es como se muestra en la siguiente figura.
•
• La polarización fija es la más sencilla y rápida para realizar, pero también la más inestable ante las
variaciones de beta, por tanto también la menos usada. La polarización fija solo se usa en la
configuración emisor común, ya que en la configuración base común cortocircuita la entrada, y en la
configuración colector común cortocircuita la salida. Las ecuaciones básicas son las siguientes:
• Ecuaciones para cuando se da el valor de las resistencias y se pide hallar el valor del punto Q (IBQ, ICQ,
VCEQ). La ecuación para IBQ es la siguiente:
• La ecuación para ICQ es la siguiente:
• Y la ecuación de VCEQ:
Ejemplo. En el siguiente circuito hallar IBQ, ICQ y VCEQ. Hfe tiene un valor de 90.
Solución. Se halla primero el valor de la corriente de base:

Ya con la corriente de base, ahora se halla la corriente de colector:
Finalmente hallamos el valor del voltaje colector emisor:
Ecuaciones para cuando se da el valor del punto Q (IBQ, ICQ, VCEQ), y se pide hallar el valor de las
resistencias. La ecuación para RB es la siguiente:
Y la ecuación para RC es esta:
Ejemplo. En el siguiente circuito hallar RB y RC. IBQ tiene un valor de 40uA. Hfe tiene un valor de 80.
VCEQ tiene un valor de 6 voltios.
Solución. Primero hallamos el valor de Resistencia de base RB:
Y Finalmente hallamos el valor de la resistencia de colector RC:

En el caso de que puedan instalar Livewire pueden simular este circuito:
Análisis de la malla de entrada

Tenemos:
VBB=1,5V, RB=1KΩ, VBE=0,7V, VCC=9V, RC=470Ω, VLED=2,27V aprox.
Planteamos:
ME (malla de entrada)
VBB=VRB+VBE
VBB=IB.RB+VBE
Sabemos que la relación entre IC/IB se denomina β o hFE y es la ganancia de corriente típica de un transistor.
Conociendo que transistor utilizaremos, buscamos en la hoja de datos del mismo el valor de Hfe típ.
Y reemplazamos en la expresión:
VBB= (IC/HFE).RB+VBE
Por lo tanto:
IC= VBB-VBE/ (RB/HFE)

Análisis de la malla de salida

Planteamos:
MS (malla de salida)
VCC=VRC+VLED+VCE
VCC=IC.RC+VLED+VCE
Por lo tanto:
VCE= VCC-(VLED+IC.RC)



El transistor como circuito conmutador
He aquí como se puede saber rapidamente si un transistor esta en saturacion fuerte. A menudo, el
valor de la fuente de polarizacion de la base y de colector son iguales: VBB= VCC. Cuando es asi, el diseñador
aplica la regla 10:1. De este modo, siempre que se vea un circuito con la relacion 10:1 (RB A RC) puede
esperarse que este saturado(Siempre que Vcc y VBB sean iguales)
Útil para reconocer saturación o para diseñar circuitos de

conmutación, garantizándome que posibles variaciones
de hfe no lo saquen de saturación
Comprobación por el absurdo a través del cálculo:
Si calculo IB de acuerdo a lo estudiado, obtengo un valor de 0,93 mA. Con este valor y la ganancia de
corriente (hFE= 50) calculo Ic. Observo que Ic me da un valor mayor a Ic sat (Vcc / Rc), la cual es la máxima
posible. Si con la Ic obtenida calculo VEE, me da -36,5V (lo cual también es absurdo por 2 razones: VCE no
puede ser mayor a 10V (valor de la fuente o Vcc) y no puede ser negativa dado que el colector está a positivo
a través de RC y el emisor a negativo.
IB = IB= 0.93 mA.
VCE= Vcc - IC.RC VCE=-36.5 V
IC= ßcd. IB IC= 46.5 mA.

La obtención de los valores absurdos de Ic y VcE, utilizando las ecuaciones conocidas (y con Beta CD
o hfe normales o medios) es un indicativo de que el transistor está trabajando en la zona de saturación.
Esto se debe a que hFE tiene un valor diferente a 50 en esta región de trabajo, o en otras palabras,
para estos valores de Ic y VCE (se puede observar en las curvas correspondientes en la hoja de datos)
Para fijar conceptos realice la ACTIVIDAD 1
transistor bipolar como amplificador
Una vez familiarizados con la acción básica que tiene lugar en el interior de un transistor, vamos a
ver cómo puede emplearse un transistor para amplificar señales electrónicas.
En la figura se muestra nuevamente el circuito de polarización de un transistor NPN, pero utilizando una
tensión de polarización VEE variable.
El efecto de VEE es variar la cantidad de electrones que suministra el emisor a la base, Al aumentar
VEE aumenta la corriente de emisor (IB) y, por lo tanto, pasan más electrones al colector.
Como consecuencia, aumenta la corriente de colector (IC). Los electrones que no pasan al colector se
combinan con los huecos de la base, aumentando la corriente de base (lB).
Al disminuir VEE, sucede el efecto contrario tres corrientes se reducen en la misma proporción.
Todo lo anterior es una consecuencia directa de la relación IE = IB + IE.
Para utilizar el circuito de la figura anterior como amplificador de corriente o de voltaje, el transistor
debe ser capaz de aceptar a la entrada una señal pequeña y suministrar a la salida una señal de mayor
intensidad o amplitud. La señal de salida debe, por lo tanto, ser una réplica ampliada de la señal de entrada.
Un circuito básico que permite utilizar el transistor (NPN, en este caso) como amplificador de voltaje
se muestra en la próxima figura. Observe que se ha intercalado una resistencia (RL) en el circuito colector-
emisor y que se ha interrumpido el circuito emisor- base para inyectar la señal de entrada.

La resistencia RL se denomina resistencia de carga y su propósito es permitir que entre sus

terminales se desarrolle una tensión de salida (VSAL) cuando la atraviesa la corriente de colector.
El efecto de la señal de entrada (VENT) es superponerse a la tensión de polarización original (VBB) y
variar el voltaje total de polarización entre base y emisor (VBE).
En la figura siguiente se representan gráficamente estos 3 voltajes para mayor claridad. Se supone
que VENT es un voltaje alterno y que VBE se mantiene siempre por encima de la caída directa de voltaje de
la unión B·E (-0.7V). VCQ es el voltaje de reposo entre colector y emisor, sin señal de entrada.
Si la señal de entrada tiene la misma polaridad de VBB, la tensión de polarización VBE aumenta y
por lo tanto aumentan IB e IC. Al aumentar le, aumenta la tensión de salida.
Si la polaridad de la señal de entrada es contraria a la de VBB, la tensión de polarización VBE
disminuye y, en consecuencia, disminuyen IB e IC. Como resultado, disminuye la tensión de salida.
Por lo tanto, cualquier cambio en la tensión de entrada produce un cambio correspondiente en la

tensión de salida. Sin embargo, el cambio en esta última es mucho mayor.
La razón de esto es muy sencilla: la señal de entrada se aplica a una resistencia muy baja (la ofrecida
por la unión B-E) mientras que la de salida se desarrolla sobre una resistencia muy alta (la de carga RL).
El circuito descripto anteriormente es básicamente un amplificador de voltaje. En la siguiente
sección veremos cómo puede conectarse un transistor para proveer, además, amplificación de corriente y
amplificación de potencia.
En la figura siguiente se muestra la versión con transistor PNP del amplificador básico de voltaje anterior.

Observe que las tensiones de polarización VBB y VCC tienen polaridades contrarias al caso NPN y
que las corrientes IE, IB e IC circulan en las direcciones opuestas. El funcionamiento del circuito es, sin
embargo, exactamente el mismo.
Configuraciones básicas de circuitos

amplificadores con transistores
Los transistores bipolares (NPN o PNP) se pueden conectar de tres formas diferentes para proveer la
importante función de amplificación.
Estas configuraciones se denominan base común, emisor común y colector común.
En el cuadro anterior se comparan cualitativamente estos tres montajes, desde los siguientes puntos
de vista: impedancia de entrada, impedancia de salida, ganancia de corriente, ganancia de voltaje, ganancia
de potencia y aplicaciones típicas.

En el circuito base común, la señal de entrada se aplica entre emisor y base, La señal de salida
aparece entre colector y base. Las corrientes de emisor (IE) y de colector (IC) actúan corno corrientes de
entrada y de salida respectivamente, VCC es la tensión de polarización inversa de la unión C-B y VEE la de
polarización directa de la unión B-E.
El circuito provee ganancia de voltaje y de potencia pero no de corriente. La ganancia de corriente se

determina en la práctica variando IE, y observando el correspondiente cambio en IC para un determinado
valor de VCB.
La relación entre la corriente de colector y la corriente de emisor (IC/IE) se denomina ganancia de
corriente alfa (α) y es siempre menor de 1.
Los fabricantes de transistores especifican en las hojas de datos de sus productos el valor de alfa a
una determinada frecuencia, generalmente a 1KHz.
Esto se debe a que, cuando se trabaja con señales de CA, este parámetro depende de la frecuencia.
La frecuencia a la cual α se reduce al 70% de su valor nominal se denomina frecuencia de corte alfa (FAB).
En el circuito emisor común la señal de entrada se aplica entre base y emisor. La señal de salida
aparece: entre colector y emisor. Las corrientes de base (IB) y de colector, (IC) actúan como corrientes de
entrada y de salida respectivamente.
VCC es la tensión de polarización inversa de la unión C-B y VBB la de polarización directa de la unión
B-E.
El circuito provee, simultáneamente, ganancia de corriente, de voltaje y de potencia, Es la
configuración más utilizada en los circuitos comunes como radios, amplificadores de sonido y otros.
La ganancia de corriente del montaje emisor común se determina en la práctica variando IB y

observando el correspondiente cambio en lC para un determinado valor de VCE. La relación entre la
corriente de colector y la corriente de base (IC/ IB) se denomina ganancia de corriente beta (β) o hFE. En
general, el beta de un transistor puede tomar valores entre 10 y 400.
Los fabricantes de transistores especifican en las hojas de datos de sus productos, el valor de beta a
una determinada frecuencia, generalmente a 1 KHz.
Esto se debe a que, cuando se trabaja con señales de CA, este parámetro (al igual que alfa), depende
de la frecuencia. La frecuencia a la cual se reduce al 70% de su valor nominal se denomina frecuencia de
corte beta (FAE).
En el circuito colector común, la señal de entrada se aplica entre base y colector. La señal de salida,
aparece entre emisor y colector.
Las corrientes de base (IB) y de emisor (IE) actúan como corrientes de entrada y de salida
respectivamente. Vcc es la tensión de polarización inversa de la unión C·B y VBB la de polarización directa de
la unión B-E.
El circuito en colector común se denomina también seguidor de emisor y provee ganancia de

corriente y de potencia pero no de voltaje. El voltaje de salida es prácticamente igual al voltaje de entrada,
excepto por la caída de tensión directa en la unión base-emisor (0,7V).
La ganancia de corriente se determina en la práctica variando IB, y observando el correspondiente
cambio en IE para un determinado valor de VCC.
A los fines prácticos, se considera que las configuraciones emisor común y colector común tienen la
misma ganancia de corriente (β).
Los circuitos de colector común se emplean principalmente para acoplar fuentes de señal de alta
resistencia con cargas de baja resistencia. Al utilizarse un seguidor de emisor como etapa intermedia, se

evita que la carga exija demasiada corriente de la fuente y se garantiza que la carga reciba la misma tensión
de la fuente.
Concepto de punto de trabajo
La clase de un amplificador está íntimamente relacionada con la polarización o punto de trabajo de

la señal de salida, esto es, con el nivel de CC alrededor del cual se desplaza esta última. Para comprender
este concepto, consideremos el caso de un amplificador emisor común genérico, como el que se muestra en
la figura
Este circuito puede operar como amplificador de voltaje, de corriente o de potencia. La señal de
entrada se aplica entre base y tierra a través de C1. La señal de salida aparece entre colector y tierra y se
aplica a la carga mediante C2.
C1 y C2 son condensadores de acoplamiento. Su objetivo es eliminar el nivel de CC presente en
ambas señales y transferir sólo su componente de CA.
CE es el condensador de emisor y su propósito es mantener constante el voltaje sobre RE, enviando
a tierra cualquier variación.
R1, R2, RL y Re polarizan correctamente las dos uniones del transistor y fijan el punto de trabajo del
amplificador, Este último se refiere a los valores de corriente y de voltaje en el circuito cuando no existe
señal de entrada. A estas condiciones se les denomina estáticas o de reposo y se identifican mediante el
subíndice Q (IBQ, ICQ, VCEQ, etc.).
Las condiciones en presencia de señal se denominan dinámicas. Los valores de IB, IC, VCE, etc., en
condiciones dinámicas, varían por encima y por debajo de sus respectivos valores de reposo, dependiendo
de la amplitud de la señal de entrada y de la ubicación del punto de trabajo.
La forma como se comporta IC para diferentes valores de IB y VCE, tanto en condiciones dinámicas
como estáticas, se puede representar gráficamente mediante un juego de curvas características de colector
corno el qué se muestra en la figura.

Los puntos extremos de operación definidos por la recta de carga se denominan puntos de corte y
de saturación, respectivamente. En el punto de saturación o de conducción, IC es máxima y VCE es cero. En
el punto de corte o de no conducción, IC es cero y VCE es máximo e igual al voltaje de alimentación (Vcc).
Prueba de transistores bipolares
Existen varios instrumentos especializados para la prueba de transistores. Estos aparatos realizan,
entre otras, las siguientes funciones:
• Diagnostican si un transistor particular es NPN o PNP.

• Determinan si una o ambas uniones están abiertas o en cortocircuito.
• Suministran el valor de sus parámetros α, β, etc.
• Miden las corrientes de fuga.
• Visualizan en un osciloscopio la forma como se comporta el dispositivo ante diferentes valores de voltaje y
de corriente.
No obstante, los problemas más comunes (circuitos abiertos y cortocircuitos) se pueden detectar
fácilmente utilizando un multímetro en la función de óhmetro.
En la figura se muestra gráficamente la forma de probar con un óhmetro un transistor NPN y un
transistor PNP. Se supone que el terminal negro es de polaridad positiva, y el rojo de polaridad negativa
como sucede en la mayoría de los casos.
Se recomienda utilizar las escalas de R x 100 o R x1K, por seguridad.

El método consiste, básicamente, en probar la conducción o no conducción de las uniones B-E y B-C
polarizándolas directa e inversamente.
Recuerde que una unión PN presenta una baja resistencia en polarización directa, y una alta
resistencia en polarización inversa.
Un transistor NPN debe dar una baja resistencia cuando el terminal (-) se conecta a la base y el (+) al
emisor o al colector y una alta resistencia en el caso contrario.
Un transistor PNP debe dar una baja resistencia cuando el terminal (+) se conecta a la base y el (-) al
emisor o al colector y una alta resistencia en el caso contrario.
Un transistor NPN o PNP debe dar una alta resistencia entre colector y emisor, cualquiera que sea la
conexión de las puntas de prueba.
Para transistores de baja y mediana potencia, la lectura de resistencia directa es de algunos cientos
de Ω´s y la resistencia inversa de varios cientos de KΩ´s.
Los transistores de alta potencia dan lecturas menores, Sin embargo, las medicaciones de resistencia
obtenidas no tienen significación real.
Para realizar lo prueba de los transistores con el multímetro, se recomienda desconectarlo del
circuito, con el fin de no medir otros componentes que están conectados a él.

ACTIVIDAD 1
1. Indique el valor que debería medir los amperímetros y el valor que mediría el voltímetro. Tenga en
cuenta el HFE típico del transistor que lo encontrara en la hoja de datos. Dibuje la curva de salida
considerando que el led no tiene resistencia interna. Recuerde o averigüe la caída de tensión para un
led verde. Luego realice los datos para un LED rojo.
2. Calcule el punto de trabajo Q y dibuje la curva de salida para el siguiente circuito:



Hoja de datos de los transistores propuestos:



ACTIVIDAD 2
EJERCICIOS DE AUTOPOLARIZACIÓN
a) Para el siguiente circuito se pide:
1. Encontrar los valores de ICQ y VCEQ- Escribir las deducciones de cada ecuación.
2. Graficar la recta de carga y el punto Q
Datos: R1= 47K ohm/ R2= 8K2 / R3= 3K3/ R4=390 Ohm / HFE=280/ VCC=9V

b) Explique el estado de saturación en un transistor. ¿Qué es? ¿cómo se produce? ¿en qué casos se
podría utilizar?
c) Para el siguiente circuito se pide:

2. Graficar la recta de carga y el punto Q.
3. Buscar el HFE del transistor en la hoja de datos e indicar como y donde lo encontró.
d) Para el siguiente circuito se pide:

2. Graficar la recta de carga y el punto Q
3. Buscar el HFE del transistor en la hoja de datos e indicar como y donde lo encontró.

ACTIVIDAD 3
1. Elija la que considere correcta, justifique su respuesta:
En un transistor saturado, Ic:

a) Depende de la malla de salida
b) Es constante e igual a (Ib.hfe)
c) Depende de la malla de entrada
d) Ninguna es correcta
2. Se prefiere polarizar con divisor resistivo porque:
3. Resuelva el siguiente problema:

Se dispone de una compuerta TTL cuya salida máxima es 1mA. Diseñe una interface para excitar un relé NC
con las siguientes características V=12V; I=500mA; relé se utiliza para accionar el motor de una bomba, la Rb
utilizada es de 47K Ohm. Dibuje el circuito, determine HFE min necesario en el transistor y explique el
funcionamiento del circuito.
4. Interruptor crepuscular:
Arme el siguiente circuito:
a) Calcula las diferentes tensiones del circuito para distintos niveles de

iluminación. ¿en qué condiciones trabaja el transistor?
b) ¿Qué tipo de polarización se ha empleado en el circuito?
c) ¿Qué dispositivo hace las veces de resistencia de carga del transistor
d) Explique el funcionamiento del circuito
ACTIVIDAD 4
M.E.S.
1. Para el siguiente ejercicio se pide:
a) Encontrar los valores de los resistores
b) Graficar recta de carga
c) Calcular la maxima excurción simetrica, justificar porque se elije variación 1 o 2.

DATOS: ICQ = 1m A ; VCEQ = 6V ; RL= 10K; HFE=290; VCC= 12V; RB=20K; RE=1K
2. Para el siguiente ejercicio se pide:

d) Encontrar los valores de los resistores
e) Graficar recta de carga
f) Calcular la maxima excurción simetrica, justificar porque se elije variación 1 o 2
DATOS: ICQ = 1.1m A ; VCEQ = 5V ; RL= 10K; HFE=200; VCC= 10V; RB=18K; RE=1K
ACTIVIDAD 4
CUESTIONARIO
1. Cómo y para qué debe conectarse la juntura base-emisor de un transistor y la base colector, para que
funcione.
2. Explique el funcionamiento básico de un transistor NPN con una fuente entre emisor y base y otra entre
base y colector.

3. ¿Por qué debe polarizarse a los transistores?
4. ¿Por qué el punto “Q” se llama así?
5. ¿Qué es la RCE, por qué se llama así y cómo se la traza?
6. Dibuje el circuito utilizado para trazar las curvas características de entrada y salida de un Tr, y explique las
acciones a realizarse para tal tarea. Indique por qué esas curvas se llaman así, y explíquelas con gráficos.
7. A qué se llama “análisis dinámico” de un Tr, y por qué se lo llama así.
8. Dibuje transistores en sus 3 configuraciones básicas, e indique y fundamente la función de cada

componente.
9. Indique todo lo que debe suceder para que un capacitor sea considerado de acoplamiento o de
desacoplamiento.
10. ¿Qué significa que un Tr esté saturado y cómo se consigue? Ídem para Tr al corte. ¿Puede considerarse al
Tr en esta situación como si fuera una compuerta inversora? Explíquese …
11. Dibuje un circuito útil para activar un relé en el colector de un Tr, justifique la función del diodo.


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CUADERNILLO DE

E.E.S.T N°3 PREFERCTURA NAVAL ARGENTINA

ESTE CUADERNILLO CONTIENE LOS SABERES PRIORITARIOS VISTOS EN EL CICLO

Concepto de amplificación. Ganancias de tensión y corriente, transconductancia y transresistencia.

El transistor de unión. El transistor en circuito abierto. Componentes de corriente. El transistor como

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Características constructivas especiales de los transistores

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Funcionamiento del transistor NPN

La función básica y más importante de un transistor es la amplificación de corriente. Para que el

En la siguiente figura se muestra el circuito básico de polarización de un transistor NPN. El voltaje o

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Como resultado de la aplicación de estas tensiones de polarización, se producen internamente en el

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 6

Funcionamiento del transistor PNP

En la figura se muestra el circuito básico de polarización de un transistor PNP. Su funcionamiento es

En el caso de que puedan instalar Livewire pueden simular este circuito:

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 7

CURVA DE SALIDA DE UN TRANSISTOR

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 8

“No nos dejes caer en

Y líbranos del corte”

Sería conveniente usarlos

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 9

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 10

MODO AMPLIFICADOR- ZONA ACTIVA

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 11

GANANCIA DE CORRIENTE O PARAMETRO

Polarizar un transistor consiste en suministrar las tensiones adecuadas de alimentación y conectar

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 12

• La ecuación para ICQ es la siguiente:

Solución. Se halla primero el valor de la corriente de base:

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 13

Ya con la corriente de base, ahora se halla la corriente de colector:

Finalmente hallamos el valor del voltaje colector emisor:

Y la ecuación para RC es esta:

Solución. Primero hallamos el valor de Resistencia de base RB:

Y Finalmente hallamos el valor de la resistencia de colector RC:

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 14

En el caso de que puedan instalar Livewire pueden simular este circuito:

Análisis de la malla de entrada

IC= VBB-VBE/ (RB/HFE)

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 15

Análisis de la malla de salida

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 16

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 17

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 18

El transistor como circuito conmutador

Útil para reconocer saturación o para diseñar circuitos de

Comprobación por el absurdo a través del cálculo:

IB = IB= 0.93 mA.

VCE= Vcc - IC.RC VCE=-36.5 V

IC= ßcd. IB IC= 46.5 mA.

PROF. PABLO EZEQUIEL GÓMEZ 19

Para fijar conceptos realice la ACTIVIDAD 1

transistor bipolar como amplificador