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Problema 3
El recocido, un paso importante en el procesamiento de materiales semiconductores, se
puede lograr calentando rápidamente la oblea de silicio a una temperatura alta durante un
corto período de tiempo. El esquema muestra un método que implica el uso de una placa
calefactora que funciona en un nivel elevado temperatura Th. La oblea, inicialmente a una
temperatura de Tw,i ,se coloca repentinamente a una distancia de separación L de la placa
calefactora. El propósito del análisis es comparar los flujos de calor por conducción a través
del gas dentro del espacio y por intercambio de radiación entre la placa caliente y la oblea
fría. La tasa de tiempo inicial del cambio en la temperatura de la oblea, (dTw / dt)i , también
es de interés. Aproximando las superficies de la placa caliente y la oblea como cuerpos
negros y asumiendo que su diámetro D es mucho mayor que el espaciado L, el flujo de
calor radiativo puede expresarse como:
′′
𝑞𝑟𝑎𝑑 = 𝜎(𝑇ℎ4 − 𝑇𝑤4 )
La oblea de silicio tiene un espesor de d = 0,78 mm, una densidad de 2700 kg / m 3 y un
calor específico de 875 J / kg K. La conductividad térmica del gas en el espacio es de 0,0436
W/m K
a) Para Th = 600°C y Tw,i = 20°C, calcule el flujo de calor radiativo y el flujo de calor por
conducción a través de una distancia de separación de L = 0,2 mm. También determine el
valor de (dTw /dt)i , resultante de cada uno de los modos de calentamiento.
b) Para distancias de separación de 0.2, 0.5 y 1.0 mm, determine los flujos de calor y el
cambio temperatura-tiempo como una función de la temperatura de la placa calefactora
para 300 < Th <1300°C. Muestre sus resultados gráficamente.
Comente sobre la importancia relativa de los dos modos de transferencia de calor
y el efecto de la distancia de separación en el proceso de calentamiento. ¿En qué
condiciones podría calentar la oblea a 900°C en menos de 10 s?
Indicar las hipótesis o supuestos teóricos de trabajo, las ecuaciones e indicando todo el
proceso de cálculo detallado para la solución del problema.
Los gráficos o esquemas del problema deberá dibujarlos el alumno,
Ing. Elí Guayán Huaccha