UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA Página:1/8

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FISICAS Y FORMALES

PROGRAMA PROFESIONAL INGENIERÍA MECÁNICA, MECÁNICA-
Jefe de Prácticas:
ELÉCTRICA Y MECATRÓNICA Ing. Christiam G. Collado Oporto
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
Código: 2014600081
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO Semestre: V
Grupo: 03 FECHA: 22/04/2021
Apellidos y Nombres: Núñez LLerena Jhonatan Alberto Lab. Nº: 01

OBJETIVOS
 Obtener las características de un diodo de silicio y germanio.
 Analizar las características técnicas de un diodo.

MARCO TEÓRICO

DIODO IDEAL
El diodo ideal es un dispositivo de dos termínales que tiene el símbolo y las características siguientes:

Proporciona una base comparativa respecto de las características de un dispositivo real. En forma ideal un diodo conducirá
corriente en la dirección definida por la fecha en el símbolo, se comporta como circuito cerrado para la región de conducción, y
actuará como un circuito abierto al intentar establecer corriente en dirección opuesta. Para el diodo ideal:

Rdirecto = 0  (corto circuito)

Rinverso =   (circuito abierto)

DIODO SEMICONDUCTOR

Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo material base Ge o Si.
Los e- y los huecos en la región de conducción se combinarán, dando como resultado una
carencia de portadores en la región cercana a la unión. Esta región de iones positivos y
negativos recibe el nombre de región de agotamiento por ausencia de portadores en la
misma.

La aplicación de un voltaje implica tres posibilidades:

No hay polarización (VD = 0v)
Polarización directa (VD > 0v)
Polarización inversa (VD < 0v)
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SIN POLARIZACIÓN
Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra dentro de la región de agotamiento pasarán
directamente al material tipo p. Supondremos que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se encuentran en la
región de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasarán directamente al material tipo p. Los portadores mayoritarios
(electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas de atracción de la capa de iones positivos en el material tipo n, así
como la capa de iones en el material tipo p, para emigrar hacia el área más allá de la región de agotamiento del material tipo
p. Sin embargo el número de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n que invariablemente habrá un
pequeño número de portadores mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de la región de agotamiento
y llegar al material tipo p. En ausencia de un voltaje de polarización aplicado el flujo neto de carga en cualquier dirección para
un diodo semiconductor es cero.

CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA

Al aplicar un potencial externo y con la terminal positiva conectado al material tipo n y la terminal negativa conectado al material
tipo p, eI número de iones positivos en la región de agotamiento del material tipo n, aumentará debido al mayor número de
iones libres arrastrados hacia el potencial positivo. El número de iones negativos se incrementará en el material tipo p. El
efecto es un ensanchamiento de la región de agotamiento que establece una barrera demasiado grande para que los portadores
mayoritarios puedan superarla reduciendo el flujo de los mismos.

CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN DIRECTA

O condición de encendido se establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al material
tipo n. El VD presionará a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para recombinar con los
iones cerca de la frontera y reducir el ancho de la región de agotamiento. El flujo resultante de portadores minoritarios de
los electrones del material tipo p hacia el material tipo n no cambia de magnitud ( el nivel de conducción se controla por
el número limitado de impurezas en el material); la reducción en el ancho de la región de agotamiento resulta en un denso
flujo de portadores mayoritarios a través de la unión: Al aumentar el valor de la polarización, la región de agotamiento
disminuirá su ancho hasta producir un desbordamiento de electrones, resultando en un incremento exponencial en la
corriente. El voltaje a través de un diodo polarizado directamente será menor a 1 V.
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Las características de un diodo de germanio o de silicio tienen la forma general mostrada en la figura # 1. Note el cambio en la
escala para ambos en la columna vertical y horizontal. En la región de polarización inversa la comerte de saturación inversa
es justamente constarte de 0 V al potencial Zener. En la región de polarización directa la corriente crece realmente rápidamente
cuando se incrementa un poco el voltaje en el diodo. Note que la curva está subiendo casi verticalmente a un voltaje de
polarización directa de menos de 1 V.
La comente del diodo en polarización directa se limitará solamente por la red en que el diodo es conectado o por la máxima
comento o por el valor de potencia del diodo.

CARACTERÍSTICAS DE DIODOS DE GERMANIO Y SILICIO

La resistencia de DC o Estática de un diodo en un punto de la curva característica está determinada por la proporción del
voltaje del diodo en ese punto, dividido por la comente del diodo. Esta es:

𝑉𝐷
𝑅𝑑=
𝐼𝐷

La resistencia de AC o Dinámica a un particular voltaje y comente del diodo puede ser determinada usando una línea tangente
dibujada como esta en la figura #1. El resultado del voltaje (∆𝑉 ) y corriente (∆𝐼) de desviación puede ser determinado
siguiendo la ecuación aplicada:

∆𝑉
𝑅 𝑟𝑑 =
∆𝐼
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EQUIPO Y MATERIALES:
Fuente: DC , DMM
Resistores 1/4W : 1K, 1M,
Diodos : Silicio 1N4007 y 1N4148, Germanio 1N60

PROCEDIMIENTO
PARTE 1: Prueba del diodo
 Escala de prueba de diodos del DMM
Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada diodo.

CONEXIÓN DIRECTA

TEST SI: 1N4007 SI: 1N4148 GE:

DIRECTO 0,588 0,587
INVERSO 1. 1.
Tabla 1. Condición de los diodos

 Escala de resistencia del DMM

Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada diodo.

TEST SI: 1N4007 SI: 1N418 GE:

DIRECTO 1.515 MΩ 158.4 kΩ
INVERSO 1. 1.
Tabla 2. Condición de los diodos
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PARTE 2: Características del diodo en polarización directa

 Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Rmedido = 1 kΩ

 Incremente el voltaje de la fuente hasta que VR=0,1V

Mida el VD y calcule ID. Anote en la tabla 3, 4 y 5 según el tipo de diodo.
Obtener datos suficientes para dibujar las curvas características del diodo de silicio y germanio.

DIODO 1N4007 (Si)

VR (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
VD (V) 0,529 0,553 0,569 0,580 0,59 0,595 0,601 0,606 0,610
ID = VR/ RMed (mA) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9

VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V) 0,614 0,640 0,656 0,667 0,675 0,682 0,688 0,693 0,697
ID = VR/ RMed (mA) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Tabla 3.

DIODO 1N40148 (Si)

VR (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
VD (V) 0,557 0,584 0,602 0,614 0,624 0,632 0,639 0,644 0,649
ID = VR/ RMed (mA) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9

VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V) 0,654 0,683 0,701 0,713 0,723 0,731 0,737 0,743 0,748
ID = VR/ RMed (mA) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Tabla 4.

PARTE 3: Polarización Inversa

 Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Rmedido = 1 MΩ
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𝑉𝑅
 Mida el voltaje VR calcule la corriente de saturación inversa con la ecuación 𝐼𝐷 =
𝑅𝑚𝑒𝑑 || Rm

Rm es la resistencia interna del DMM (10M)

(Si 1N4007) (Si 1N4148)

Rm 10 MΩ 10 MΩ
VR 19.6 v 19.6 v MEDIDO
ID 1.96 μA 1.96 μA CALCULADO

 Determine los niveles de resistencia DC para los diodos usando la ecuación.

RDC(Si ______) = 𝑉 − 𝑉𝑅
𝑅𝐷𝐶 =
RDC(Ge ______) = 𝐼𝐷
PARTE 4: Resistencia DC
Usando las curvas características de los diodos, determine el voltaje de diodo en los niveles de corriente indicados en la tabla
6, 7 y 8

Diodo 1N4007 (Si) Tabla 6.

Diodo 1N4148 (Si) Tabla 7.

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CUESTIONARIO FINAL

1. ¿Cómo podría identificar los terminales de un diodo que no está marcado?

Se podria identificar las terminales utilizando un ohmímetro para asi poder obtener el sentido de la corriente
directa. En el ajuste de resistencia (Omega Ω), el medidor establece un voltaje pequeño en sus puntas de
prueba (por esta razón un ohmímetro necesita una batería). Se utiliza este pequeño voltaje para ver en qué
sentido se dirige la corriente.

2. ¿Qué es la resistencia directa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los diodos analizados en laboratorio?
También llamada barrera de potencial o Zona de Depleción, es el voltaje en el diodo que tiene que superar para
que este funcione como un conductor.
• DIODO 1N60 (GE): 0.3 V • DIODO 1N4007 (SI): 0.7 v • DIODO 1N4149 (SI): 0.7 V
3. ¿Qué es la resistencia inversa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los diodos analizados en laboratorio?
En una polarización inversa el cátodo del diodo se conecta a un voltaje superior que el ánodo. De esta manera
el diodo no conduce y se comporta como un interruptor abierto, esto debido a que en polarización inversa es
muy grande o casi infinita.
• DIODO 1N60 (GE): 50 V • DIODO 1N4007 (SI): 1000 V • DIODO 1N4149 (SI): 75 V
4. De la ficha técnica de los diodos, anote los valores más importantes y/o usuales a consultar para los diodos

revisados en el laboratorio y para los diodos en general. Anote los valores de acuerdo a la elección hecha.
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CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

Emita al menos cinco conclusiones en torno al trabajo realizado.
- La diferencia entre el trabajo en fisico y en simulacion es notable ya que en este ultimo los componentes trabajan como
ideales y no podemos darnos cuenta en la fallas reales.
- Pude notar que los valores de barrera de voltaje de los diodos reales varian a los ideales ya que los ideales para Silicio es
de 0,7 v.
- Que si nos podemos dar cuenta del anodo y del catodo en cualquier Diodo tenga o no marcacion siempre y cuando este
se encuentre en un estado optimo de operacion.
- Debemos tener en cuenta la escala correcta en el multimetro para poder tener una medicion con el menor error posible.
- Depende del tipo de instrumento de medicion para poder tener la menor cantidad de error en la medicion ya sea de la
resistencia como del diodo.