RECUPERACIÓN INVERSA DE LOS DIODOS

La corriente, en un diodo de unión con polarización directa, se debe al efecto neto

de los portadores de mayoría y de minoría. Una vez que un diodo está en modo de
conducción directa, y a continuación su corriente en sentido directo se reduce a
cero (por el comportamiento natural del circuito del diodo, o por la aplicación de un
voltaje en sentido inverso), el diodo continúa conduciendo, por los portadores de
minoría que quedan almacenados en la unión PN y en la masa del material
semiconductor. Los portadores de minoría requieren determinado tiempo para
recombinarse con cargas opuestas y quedar neutralizados. A este tiempo se le
llama tiempo de recuperación en sentido inverso, o tiempo de recuperación
inversa del diodo.

La relación de estos dos factores temporales (a saber, t p y td) se conoce como el

factor de suavidad. En el caso de un diodo normal, el tiempo que tarda la corriente
en decaer (td) será menor en comparación con el tiempo que tarda la corriente en
alcanzar su pico negativo (t p). Por otro lado, para un diodo de recuperación suave,
la situación será la inversa. Es decir, aquí, será mayor en comparación con t p.
Podemos ver que el factor de suavidad da una medida de semiconductor pérdidas
incurridas durante la conmutación. Mayor es esta proporción; mayor será la
pérdida de conmutación. De esto se puede concluir que cuando usamos diodos de
recuperación suave, las pérdidas experimentadas por la conmutación de
semiconductores son mayores que las encontradas cuando usamos diodos
normales.[ CITATION Ele20 \l 1033 ]

El tiempo de recuperación inversa se representa por trr y se mide a partir del cruce

inicial de la corriente en el diodo con cero, hasta que la corriente en sentido
inverso llega el 25% de su valor máximo (o pico), IRR . El trr está formado por dos
componentes, ta y tb . El ta variable se debe al almacenamiento de cargas en la
región de agotamiento de la unión, y representa el tiempo desde el cruce con cero
hasta el pico en sentido de corriente en sentido inverso IRR. El trr se debe al
almacenamiento de carga en la masa del material semiconductor. La
razón tb / ta se llama factor de suavidad (SF, de sus siglas en inglés softness
factor). Para fines prácticos uno debe ocuparse del tiempo total de
recuperación trr y del valor pico de la corriente en sentido inverso IRR .

trr = ta + tb

La corriente pico en sentido inverso se puede expresar en función de di / dt en

sentido inverso como sigue :

  IRR  = ta ( di / dt )

El tiempo de recuperación inversa trr , se puede definir como el intervalo de tiempo

entre el instante
en que la corriente pasa por cero durante el cambio de conducción directa a la
condición de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente en sentido inverso
ha bajado hasta el 25% de su valor pico IRR  . La variable trr , depende de la
temperatura de la unión, de la velocidad de caída de la
corriente en sentido directo, así como la corriente en sentido directo antes de la
conmutación, IF.

La carga de recuperación inversa QRR es la cantidad de portadores de carga que

atraviesan al diodo en el sentido dirección inverso, debido a un cambio de
conducción directa a una condición de bloqueo inverso. Su valor se determina con
el área encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperación inversa.

La carga de almacenamiento, que es el área encerrada por la trayectoria de la

corriente de la curva de recuperación es, en forma aproximada,

QRR = ½( IRRta) + ½(IRRtb) = ½(IRRtrr)

es decir,

IRR = 2QRR/trr

Se iguala IRR en la ecuación anterior con IRR en la siguiente se obtiene

trrta = 2QRR/(di/dt)

Si tb es despreciable en comparación con ta , lo cual suele ser el caso,

entonces trr = ta y la ecuación entonces se convierte en

y
Ecuación del tiempo de recuperación Ecuación de la corriente en sentido
inversa inverso
Se puede notar en las anteriores ecuaciones que el tiempo de recuperación
inversa trr y la corriente pico de recuperación inversa IRR dependen de la carga
de almacenamiento QRR y de la di/dt inversa (o reaplicada). La carga de
almacenamiento depende de la corriente de diodo en sentido directo IF. La
corriente pico de recuperación inversa IRR, la carga en sentido inverso QRR y el
FS (factor de suavidad) tienen interés para el diseñador del circuito, y esos
parámetros se incluyen con frecuencia en las hojas de especificaciones de los
diodos.[ CITATION Arc \l 1033 ]

Este fenómeno de recuperación inversa es básicamente un efecto parasitario

experimentado en el caso de los diodos y se considera que depende del nivel de
dopaje del silicio y su geometría. Además, incluso la temperatura de la unión, la
velocidad a la que cae la corriente de avance y el valor de la corriente de avance
justo antes de que se aplique el sesgo inverso también se considera que afectan a
su valor. El tiempo de recuperación de la inversión es mayor; el diodo será más
lento y viceversa. Así pues, el diodos con menor tiempo de recuperación inversa
son preferibles, especialmente cuando el requisito es de alta velocidad de
conmutación. Además, durante este intervalo de tiempo, habrá una cantidad
significativa de flujo de corriente de vuelta hacia el suministro que proporciona
energía al diodo. Por lo tanto, el invertir el tiempo de recuperación del diodo es un
importante factor de diseño que debemos considerar al diseñar las fuentes de
alimentación.
Bibliografía
Boylestad Robert L., N. L. (2009). Electrónica Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos (Decima
ed.). México: Prentice Hall.

Fácil, E. (18 de Febrero de 2020). Electrónica Fácil Top. Obtenido de

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Sedra, S. A. (2008). Microelectrónica. New York: Mc. Graw Hill.

Tecnology, A. (s.f.). TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA. Obtenido de

https://tecnologiaelectron.blogspot.com/2021/01/caracteristicas-recuperacion-inversa-
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