Melissa Carpio 2018-3054

ELECTRONICA GENERAL

Guías de estudios #5

1. El VGS de un JFET de canal p se incrementa desde 1 V hasta 3 V.

(a) ¿Se estrecha o ensancha la región de empobrecimiento?
Un gran VGS estrecha la región de agotamiento

(b) ¿Se incrementa o reduce la resistencia del canal?

La resistencia del canal aumenta con el aumento VGS

2. ¿Por qué el voltaje de la compuerta a la fuente de un JFET de canal n siempre debe ser
cero 0 o negativo?
La compuerta de un JFET de canal n debe ser cero o negativo para mantener la condición
de polarización inversa requerida

3. Trace los diagramas esquemáticos de un JFET de canal p y uno de canal n. Identifique

las terminales.

4. Muestre cómo se conectan los voltajes de polarización entre la compuerta y la fuente de

los JFET de la siguiente figura.
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5. Un JFET tiene un voltaje de estrangulamiento especificado de 5 V. Cuando VGS = 0,

¿cuál es VDS en el punto donde la corriente en el drenaje se vuelve constante?
En el punto donde ID se convierte en constante

6. Cada E-MOSFET que aparece en la figura siguiente tiene un VGS (umbral) de +5 V o -5

V, dependiendo de si es un dispositivo de canal n ó uno de canal p. Determine si cada uno
de los MOSFET está encendido o apagado.

(a) 𝑉𝐺𝑆 = ( 10𝑀ῼ 14.7𝑀ῼ ) 10𝑉 = 6.8𝑉 𝐸𝑠𝑡𝑒 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑒𝑠𝑡𝑎 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜
(b) 𝑉𝐺𝑆 = ( 1.0𝑀ῼ 11𝑀ῼ ) (−25𝑉) = −2.27𝑉 𝐸𝑠𝑡𝑒 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑒𝑠𝑡𝑎 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑o

7. Determine el VDS para cada uno de los circuitos de la figura siguiente. IDSS = 8 mA.

Ya que 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉 para cada circuito, 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8𝑚𝐴

(a) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 12𝑉 − (8𝑚𝐴)(1.0𝐾ῼ) = 4𝑉

(b) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 15𝑉 − (8𝑚𝐴)(1.2𝐾ῼ) = 5.4𝑉

(c) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = −9𝑉 − (8𝑚𝐴)(560ῼ) = −4.52𝑉

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