PROBLEMAS: TEMA 1.

PROBLEMA 1

Dado la malla siguiente averiguar su equivalente Thevenin.

-j5

5
50|0º
j5

1) Hallamos la impedancia thevenin Z´, que es la impedancia de entrada entre los

terminales AB con todas las fuentes internas iguales a cero:

(5 + j 5)(− j 5)
Z´ = = 5-5j
5+5j −5j

2) Hallamos la tensión equivalente thevenin V´, que es la tensión entre los terminales
AB con todas las fuentes internas iguales a cero:

50∠0°
Necesitamos la intensidad en la malla: I = = 10∠0°
(5 + j 5 − j 5)

V´ = VAB = I (5+j5) = 10∠0° 7,07∠45° = 70,7∠45°

PROBLEMA 2

Sustituir la malla dada por su equivalente Norton.

-j5

5
50|0º
j5
1) La fuente de corriente I´ es la corriente de cortocircuito aplicado a los terminales del
circuito activo AB:

50∠0°
I´ = = 10∠90°
(− j 5)

2) L impedancia Z´ es como antes:

Z´ = 5-j5

PROBLEMA 3

Resolver el siguiente circuito.

R1=1k R2=9k

R3=2k

6V 1 2 -14V

Aplicando las leyes de Kirchhoff:

1) Elijo (n-1) nodos, siendo n el número total de nodos de nuestro circuito y aplico a
1ª Ley de Kirchhoff obteniendo (n-1) ecuaciones linealmente dependientes. Como
criterio consideramos las corrientes que entran en el nodo señalado positivas:

I1 + I2 + I3 =0 ; I3 = -( I1 + I2 )

2) Necesitamos r – (n-1) ecuaciones más que obtenemos de la 2ª Ley de Kirchoff,

siendo r el número de ramas del circuito. Como criterio consideramos el signo positivo
como el de las flechas semicirculares del circuito y para las fuentes si la corriente entra
por su cátodo:

1ª malla: I1 - 2I3 – 6 = 0

2ª malla: 9I2 -2I3 + 14 = 0

Junto con la anterior se forma un sistema de 3 ecuaciones de cuya resolución se obtiene

que las intensidades son:

I1 = 0.758 mA; I2 = 1.83 mA; I3 = - 2.588 mA

Si resolvemos ahora el mismo circuito con el método de mallas con el signo positivo
para las intensidades el indicado en el dibujo y para las fuentes si entran por el cátodo:

1
R1=1k 2
R2=9k 3

R3=2k
+
I1 I2 -
6V -14V
- +
4

-6 + I1 R1 + ( I1 - I2 ) R3 = 0 -6 + 3I1 - 2I2 = 0 6 I1 - 4I2 = 12

-14 + ( I2 - I1 ) R3 + I2 R2 = 0 -14 + 11I2 +2I1 = 0 -6 I1 + 33I2 = 42

Resolviendo este sistema por reducción obtenemos los mismos resultados que antes.
Para hallar I3 restamos ambas intensidades, siendo su dirección la de la intensidad
mayor.

PROBLEMA 4

Resuélvase el siguiente circuito, utilizando el principio de superposición.

I1 I2
1 2 3
6V -14V
R 1 =1kΩ R 2 =9kΩ

I3 R 3 =2kΩ

Tomamos primero la fuente de 6V. La resistencia equivalente a R2 y R3 en paralelo es:

R2∙ R3 9⋅2
= = 1.636kΩ
R2 + R3 9 + 2
Las intensidades que circulan por cada rama son:

6
I '1 = = 2.276mA
1 + 1.636

− I '1∙ R3 − 2.276 ⋅ 2
I '2 = = = −0.414mA
R2 + R3 9+2

− I '1∙ R2 − 2.276 ⋅ 9
I '3 = = = −1.862mA
R2 + R3 9+2

Por otro lado, tomamos la fuente de -14V. La resistencia equivalente a R1 y R3 en

paralelo es:

R1 ∙ R3 1⋅ 2 2
= = kΩ
R1 + R3 1 + 2 3

Las intensidades que circulan por cada rama son:

1.448 ⋅ 2
I ' '1 = = 0.9655mA
1+ 2
− 14
I ' '2 = = −1.448mA
9 + 0.667
1.448 ⋅1
I ' '3 = = −0.4826mA
1+ 2

Así, finalmente:
I1 = I’1 + I’’1 = 2.276 + 0.9655 = 3.2415 mA
I2 = I’2 + I’’2 = -0.414 - 1.448 = -1.862 mA
I3 = I’3 + I’’3 = -1.862 + 0.4826 = -1.3794 mA
PROBLEMAS: TEMA 3.

PROBLEMA 5

Obtener la corriente de colector en la figura siguiente.

+5V

8kΩ

5kΩ
+1V βF=10

-10V Transistor en estado desconocido.

Suponemos el caso en que el transistor está funcionando en activo directo dado

que hay tensión positiva en serie con la base y negativa en serie con el emisor, con lo
que probablemente el transistor esté conduciendo. En este caso la figura es la siguiente

+5V

8kΩ

C
5kΩ
B 10IB
+1V
IB
0.7 E

-10V Circuito equivalente suponiendo el estado activo

directo.

Aplicando Kirchhoff al circuito de base obtenemos IB:

1 – ( 5 K ) ( I B ) – 0.7 = -10 → IB = 2.06 mA

Dado que la corriente de base es positiva, lo único que queda por comprobar es VCE

VC = 5 – ( 8 K ) ( 10 ) ( 2,06 mA) = -159.8 V como VC = -10 V

VCE = -159.8 – ( -10 ) = -149.8 V ( solución en el 2º cuadrante )

Vemos que la suposición hecha no es válida pues VCE < 0.2 V.

La posibilidad de soluciones incorrectas como son debidas a que usamos modelos
lineales simples para representar dispositivos no lineales.
Probemos la saturación. La siguiente figura es el circuito a que obliga la
saturación
+5V

8kΩ

C
5kΩ
B
+1V 0.2

IB
0.7 E

-10V Circuito equivalente suponiendo saturación.

La corriente de base es todavía 2.06 mA. La corriente de colector es

5 − (−10 + 0.2)
IC = = 1.85 mA
8K

La inecuación

βF IB = 20.6 mA > 1.85 mA = IC ( funcionamiento en el 1º cuadrante )

confirma que el transistor está saturado.

PROBLEMA 6

Probar que el transistor del problema anterior permanece saturado cuando la

resistencia de base cambia a 50 kΩ Ω. Obtener entonces la resistencia de base RB que
lleva el transistor al borde del funcionamiento activo.

Respuesta: βF IB = 2.06 mA > 1.85 mA = IC ; RB = 55.7 kΩ.

PROBLEMA 7

Hallar el estado del transistor de la siguiente figura

+15V

8kΩ

551kΩ
βF=10

10kΩ
VBB=11V 0.2

Circuito original.

Debido a la elevada tensión positiva en el circuito de base, suponemos que el

transistor está saturado. Sin embargo, cuando sustituimos el transistor por su modelo de
saturación y aplicamos el teorema de Thèvenin, obtenemos la siguiente figura

+15V

8kΩ IC

C
9.82kΩ B 0.2

IB
0.7 E
0.196

Circuito suponiendo el transistor

saturado.
En este circuito es obvio que IB es negativa, contradiciendo la hipótesis de saturación y
sugiriendo el corte.
La siguiente figura muestra el circuito con el modelo de corte sustituyendo al
transistor. Se observa que VBE = 0.196 V, un valor considerablemente menor que la
tensión de codo. Por lo tanto, el transistor está en corte.

PROBLEMA 8

Si se incrementa lentamente VBB en la figura del anterior problema a valores

mayores que 11 V, el transistor comienza a dejar el corte. Obtener el valor de VBB
donde esto ocurre.

Solución. VBB = 28.1 V.

PROBLEMA 9

Uno de los transistores de la siguiente figura está cortado y el otro activo directo.
Verificar el corte del primero y obtener el punto de trabajo para el último.

300Ω 300Ω

-1.0V Q1 Q2 -1.3V

β=80
1.2kΩ

-5.2V Circuito original.

Excepto por las fuentes de tensión aplicadas a las bases, el circuito es simétrico
respecto a un eje que pase por el centro del diagrama. Como la tensión de base de Q1 es
más positiva que la de Q2 , suponemos que Q1 está activo y Q2 cortado y dibujamos la
siguiente figura
 +
300Ω 300Ω
-
C1
C2
B1 80IB1
-1.0V -1.3V
0.7 E2 B2
E1
IB1

IE1 1.2kΩ

-5.2V Circuito equivalente suponiendo Q1

activo y Q2 cortado.

El diagrama muestra que IE1 = ( 80 +1 ) IB1 , por lo tanto IB1 = 36 µA. Como la corriente
de base es positiva, establecemos que Q1 conduce; sin embargo podrá estar saturado.
Como

IC1 = 80 IB1 = 2.88 mA

VC1 = 0 – ( 300 ) ( 2,88⋅10-3 ) = -0.864 V

por lo tanto

VCE1 = -0.864 – (- 1.7 ) = 0.836

Como VCE > 0.2 V, Q1 está activo, no saturado.

PROBLEMA 10

Realizar los siguientes apartados:

a) Dibuje la salida y determine el nivel de cd de la salida para la red de la figura.
b) Repita el inciso a) si el diodo se sustituye por un diodo de silicio.
c) Repita los incisos a) y b) si se incrementa a 200 V y compare las soluciones
usando las ecuaciones:
Vcd = 0.318∙Vm Vcd = 0.318∙(Vm - VT)
 vi
20V

vi R 2kΩ

0 T T t
2

a) En esta situación, el diodo conducirá durante la parte negativa de la entrada, como se

ilustra en la figura de abajo, y v0 aparecerá como se muestra en la misma figura. Para el
periodo completo, el nivel de cd es:
Vcd = -0.318∙Vm = -0.318 ∙ 20 V = -6.36 V

El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad definida

en la figura anterior.

vi
+
20
vi I 2kΩ v o

0 T T t +
2
20
v0

0 T T t
2
20V

b) Al emplear un diodo de silicio, la salida tiene la apariencia de la figura siguiente, y:

Vcd = -0.318∙(Vm - 0.7 V) = -0.318 ∙ 19.3 V = -6.14 V
La caída resultante en el nivel de cd es de 0.22 V o de aproximadamente 3.5%.

v0

0 T T t
2

20V-0.7V=19.3V
c) Las ecuaciones en nuestro caso son:
Vcd = -0.318∙Vm = -0.318 ∙ 200 V = -63.6 V
Vcd = -0.318∙(Vm - VT) = -0.318∙(200 V - 0.7 V) = -0.318 ∙ 199.3 V = -63.38 V
Esta diferencia puede, sin duda, despreciarse para la mayoría de las aplicaciones. Para la
parte c), el desplazamiento y la caída en la amplitud debida a VT no serían perceptibles
en un osciloscopio común y corriente si se visualizara el patrón completo.

PROBLEMA 11

Determínese la forma de onda de salida para la red de la figura, y calcule el nivel

de salida de cd y el VPI requerido para cada diodo.

Vi

10
2kΩ
vi
v0
0 T T
2 t
2kΩ 2kΩ

La red aparecerá como se presenta en la figura siguiente para la región positiva del
voltaje de entrada. Al redibujar la red, se obtendrá la configuración de la figura, donde
v0 = ½ vi ó Vomax = ½ Vimax = ½ ∙10 V = 5 V. En la parte negativa de la entrada se
intercambiarán los papeles de los diodos, y v0 aparecerá como se indica.

Vi

10V
2kΩ
vi
v0
0 T
2 t
2kΩ 2kΩ
 + +
2KΩ v0 v0

vi
- 2KΩ 5V 5V

2KΩ
0 T t 0 T T t
- 2 2

El efecto de eliminar los dos diodos de la configuración puente consistió, por tanto, en
la reducción del nivel de cd disponible al valor siguiente:
Vcd = 0.636 ∙ 5 V = 3.18 V
o al nivel disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin
embargo, el VPI determinado es igual al voltaje máximo en R, que es de 5 V o la mitad
del que se requiere para el rectificador de media onda con la misma entrada.

PROBLEMA 12

Determinar la tensión de salida v0 en el circuito de la figura con las tensiones de

entrada siguientes:
a) v1 = v2 = 5 V
b) v1 = 5 V; v2 = 0
c) v1 = v2 = 0
Se usa un diodo de silicio que tiene Rt = 30 Ω, Vγγ = 0.6 V, It = 0 y Rt → ∞.

+5V

D1

4.7kΩ D2
270Ω
270Ω D1
4.7Ω V0
v1 V0 270Ω

+ + +
V1 V2 5V

270Ω D2
v2
Observemos que en la figura no están señaladas las referencias (tierra). Todas las
tensiones indicadas están medidas respecto a la referencia con caídas de tensión
consideradas positivas. El circuito de la figura está reproducido a la derecha con el
punto de referencia incluido.
a) Con v1 = v2 = 5 V, supondremos que D1 y D2 están en corte. Podemos sustituir los
diodos de manera que quede el circuito de la figura siguiente. La observación de este
circuito pone en evidencia que no circula corriente alguna. En consecuencia, la caída de
tensión a través de cualquier resistencia es nula, y por la ley de Kirchhoff, VD1 = VD2 =
0, confirmando así la primera suposición.. Por tanto, v0 = 5 V.

V D1
+

V D2 +

270kΩ 270kΩ 4.7kΩ

VO
+ + +
5V 5V 5V

b) Supongamos que D1 está en corte y D2 en conducción, con v1 = 5 V y v2 = 0.

Obtenemos el circuito:
V D1
+

+
+
30Ω 0.6V
I D2
270kΩ 270kΩ 4.7kΩ
VO

+ +
5V 5V

Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo interior, tendremos que:

4700∙ID2 + 30∙ID2 + 270∙ID2 = 5 - 0.6
de donde, despejando ID2:

5 − 0.6
I D2 = = 0.88mA
4700 + 30 + 270

Como ID2 es positiva (en sentido directo), la suposición de que D2 está en conducción es
correcta. En el lazo exterior no hay corriente, por lo que:
v0 = 5 - 4700∙ID2 = 5 - 4700 ∙ 0.00088 = 0.864 V
También puede calcularse de:
v0 = 0.6 + 270∙ID2 + 30∙ID2 = 0.6 + 300 ∙ 0.00088 = 0.864 V
Al no existir corriente en el exterior:
VD1 = v0 - 5 = 0.864 - 5 = -4.136 V
El valor negativo de VD1 confirma nuestra suposición de que D1 está en corte. Así, el
último circuito representa las condiciones del circuito y el valor calculado de v0 = 0.864
V es la tensión de salida. Si en lugar de suponer que D2 está en conducción hubiéramos
supuesto que está en corte, ID2 hubiera sido cero. Sin corriente en ningún diodo, v0 = 5
V, haciendo que VD2 = 5 V. Como este valor es mayor que Vγ = 0.6 V, nuestra
suposición hubiera sido errónea. De igual forma, si se considera D1 en conducción y D2
en corte, la ley de Kirchhoff aplicada al lazo exterior nos daría un valor negativo de ID1,
y el supuesto sería falso.

c) El circuito equivalente que sigue es aplicable cuando v1 = v2 = 0, suponiendo ambos

diodos D1, D2, en conducción. Por razones de simetría, en ambos diodos existe la
misma corriente I. La ley de Kirchhoff exige suministrar una corriente 2I a estas ramas.

30Ω 0.6V
+
+
I
30Ω 0.6V +
I
270kΩ 270kΩ 2I
4.7kΩ VO
+ +
5V 5V

Para el lazo interior, la expresión es:

4700 ∙ 2I + (30 + 270)∙I = 5 - 0.6
de donde, despejando la I:

5 − 0.6
I= = 0.454mA
9400 + 300

El valor positivo indica que la suposición es correcta, y por tanto:

v0 = 0.6 + (30 + 270)∙I = 0.6 + 300 ∙ 0.000454 = 0.736 V
Hemos observado, en este ejercicio, que existen valores dispares de V0 que dependen
del estado de los diodos. Cuando ambas entradas son “altas” (por ejemplo, de 5 V), la
salida también es alta. La salida es “baja” cuando una o las dos entradas son también
bajas. Los circuitos con este tipo de comportamiento se denominan “puertas AND”.
PROBLEMA 13

Necesitamos un medidor analógico para medir tensiones senoidales con valores de

pico entre 0 y 400 V. El circuito es el de la figura, con R = Rx + rm, donde rm es la
Ω de un mecanismo de medida disponible y Rx es una resistencia
resistencia de 10 kΩ
en serie desconocida. El diodo es ideal. Hallar el valor de R, si la senoide de 400 V
genera una medida de corriente continua de 2 mA.

+ +
v i (t) R v o (t)
-
-
v i (t)=V M senω o t

Cuando aplicamos una senoide de VM = 400 V, aplicando la ecuación:

T /2 T
1 VM
Vdc =
T ∫V
0
M sen ϖ 0tdt + ∫ 0dt =
T /2
π

la tensión continua en R es 400 / π = 127.3 V. La corriente medida de 2 mA viene de:

127.3
0.002 =
Rx + 10000

De donde despejamos Rx = 53.7 kΩ

PROBLEMA 14

Diseñar un cargador de baterías para entregar IDC = 4 A a una batería de 12 V.

Diseñar implica hallar las especificaciones de los diodos, TIP y corriente de pico,
además de R y VM. Suponer que nuestras ecuaciones basadas en un diodo ideal son
suficientemente precisas.

+ +
v i (t) i(t) V BB
- -

Si conociésemos θ1 y θ2, podríamos usar la ecuación VM sen θi = VBB para hallar VM, ya
que VBB = 12 V. Así, con los valores conocidos para VM e IDC, podríamos resolver la
ecuación:
θ
1 2 VM sen θ − VBB
2π θ∫1
I DC = dθ
R
y hallar R. La siguiente figura muestra que θ1 y θ2 son simétricos respecto a 90º:

i(t)

I pico I DC

ωt=θ
θ1 θ2 π 2π

Así que podemos seleccionar arbitrariamente θ1 = 20º y θ2 = 160º, por ejemplo. Con
VBB = 12V nos queda:
VM sen 20º = 12
de donde obtenemos VM = 35.1 V. Para una corriente de carga 4A, tenemos que:

2.79
1 1
R= ∫ (35.1sen θ − 12)dθ =8π (−35.1cosθ − 12θ ) = 1.46Ω
2.79
0.349
4∙ 2π 0.349

con los ángulos expresados en radianes.

Este valor es menor que el que encontramos normalmente en circuitos
electrónicos, pero razonable para una aplicación de potencia. A continuación, hallamos
las especificaciones para el diodo rectificador.

Vemos que el pico de la corriente por el diodo ocurre cuando vi es máxima, a 35.1 V.
Con el diodo ideal en cortocircuito:

35.1 − 12
I pico = = 15.8 A
1.46

La siguiente figura muestra que en este circuito, el diodo debe resistir una tensión
inversa de VM + VBB = 35.1 + 12 = 47.1 V. Un diseñador prudente añade un 20% o más
a los valores de TIP e Ipico como factor de seguridad. Esto completa el diseño inicial:

R
A C

- +
E V BB
+
-

Examinemos ahora la decisión arbitraria que hicimos acerca de los ángulos de

conducción. Como la corriente debe ser de 4A, elegir un intervalo de conducción menor
incrementa la corriente de pico ya que el área encerrada por la curva de la corriente debe
ser la misma. Pero con VBB = 12 V esto implica un valor mayor de VM, incrementando
el TIP que debe soportar el diodo. En general, un intervalo de conducción menor
necesita diodos más caros. El ángulo de conducción original parece ser un compromiso
satisfactorio.
PROBLEMA 15

Diseñar el regulador básico de la figura, para una salida de 10 V y 20 A.

21+1V 10V
- Z C 20mA

a) Funcionamiento del circuito.

El circuito es el regulador básico con diodo zener. Omitiendo el rizado, por la
resistencia R circula una corriente constante I. Dicha corriente se divide en dos, la que
circula por la carga, IL, y la que circula por el zener, IZ, de forma que en todo momento
se cumple:
IL + IZ = I
Así pues, el zener proporciona tensión constante a la salida del regulador y ello obliga a
que absorba la corriente que no quiere la carga.
Omitiendo el condensador C, el rizado a la salida del regulador, VRS, vale:

VRe
VRS = ∙ rz
R + rz

siendo VRe el rizado a la entrada y rz la resistencia dinámica del diodo zener.. El papel
del condensador C aparece, pues, claro; forman junto con R y rz un filtro de paso bajo
para rechazar el rizado. El valor de C puede calcularse teóricamente para una atenuación
del rizado deseada. Sin embargo, en un diseño práctico suele tomarse C = 2.500 µF o
mayor.

b) Método de diseño.
Se trata de elegir la resistencia R y diodo zener conforme a las especificaciones
deseadas. La tensión de ruptura del zener debe ser la tensión de salida deseada. La
corriente que como mínimo deberá poder soportar será la máxima corriente que circule
por R, y la potencia que debe de ser capaz de disipar será la máxima corriente por R
multiplicada por la tensión de ruptura.
R debe diseñarse de forma que con las condiciones más desfavorables de
funcionamiento (tensión mínima de entrada y máxima corriente a la carga), provea la
corriente de carga y la necesaria para polarizar al zaner (del orden de 1 mA).
c) Diseño.
De lo que precede, R se calcula por la fórmula:
Vemin − Vz 20 − 10
R= = = 470Ω
I Lmax + I zmin 21
El zener será uno de tensión de ruptura Vz = 10 V que deberá poder soportar una
corriente Iz max dada por:
Vemax − Vz 22 − 10
I zmax = = = 25.5mA
R 470
y una potencia Pz:
Pz = Iz max ∙ Vz = 255 mW
Finalmente, se elige C = 2.500 µF.

d) Tabla de valores estándar.

Vz = 10 V R = 470 Ω C = 2.500 µF

PROBLEMA 16

Determine V0 para la red de la figura.

D1

E=10V D2
R=1kΩ

Note en primer término que sólo hay un potencial aplicado (10 V en la terminal 1). La
terminal 2 con una entrada de 0 V se encuentra en esencia en un potencial de conexión a
tierra, como se muestra en la red dibujada. Esta figura “sugiere” que es probable que D1
esté en el estado “encendido” debido a los 10 V aplicados, en tanto que es posible que
D2, con su lado “positivo” en 0 V, esté en estado “apagado”. La suposición de estos
estados dará como resultado la configuración siguiente:
 VD=0,7V

V0=E; VD=VR=IR

E=10V I
R=1kΩ

El siguiente paso consiste sólo en verificar que no hay contradicciones en nuestras

suposiciones. Esto es, note que la polaridad en D1 es tal que debe “encender” y que la
polaridad en D2 es mantenerlo apagado. En D1 el estado “encendido” establece V0 a:
V0 = E - VD = 10 V - 0.7 V = 9.3 V
Con 9.3 V en el lado cátodo (-) de D2 y 0V en el lado del ánodo (+), D2 se encuentra
definitivamente en el estado “apagado”. La dirección de la corriente y la trayectoria
continua que resulta para la conducción confirman aún más nuestra suposición de que
D1 está conduciendo. Nuestras suposiciones parecen confirmarse por los voltajes y la
corriente resultantes, y puede considerarse correcto nuestro análisis inicial. El nivel de
voltaje de salida no es de 10 V como se definió para una entrada de 1, pero el valor de
9.3 es lo suficientemente grande como para considerarse un nivel 1. La salida, por tanto,
se encuentra en un nivel 1, con sólo una entrada, lo que sugiere que la compuerta es una
compuerta OR.
Un análisis de la misma red con dos entradas de 10 V dará como resultado que ambos
diodos estén en el estado de conducción y que la salida sea de 9.3 V. La entrada de 0 V
en ambas entradas no brindará los 0.7 V que se requieren para que conduzcan los diodos
y la salida será igual a 0 al nivel de salida de 0 V. En la red de la figura 2, el nivel de
corriente se determina mediante:
E − VD 10V − 0.7V
I= = = 9.3mA
R 1kΩ
PROBLEMA 17

Determine el nivel de salida para la compuerta AND de lógica positiva de la figura.

D1

D2
R=1kΩ

E=10V

Observe en este caso que una fuente independiente aparece en la conexión a tierra de la
red. Por razones que pronto serán obvias, se elige al mismo nivel que el nivel lógico de
entrada. La red se encuentra redibujada abajo, con nuestras suposiciones iniciales en
cuanto al estado de los diodos. Con 10 V en el lado del cátodo de D1 se supone que éste
se encuentra en el estado “encendido”, aun cuando haya una fuente de 10 V conectada
al ánodo de D1 a través del resistor. Sin embargo, recuerde que señalamos que el empleo
de un modelo aproximado sería una ayuda para el análisis. Para D1, ¿de dónde
provendrán los 0.7 V si la entrada y los voltajes de la fuente se encuentran al mismo
nivel y crean “presiones” opuestas? Se supone que D2 se encuentra en el estado
“encendido” debido al bajo voltaje en el cátodo y a la disponibilidad de la fuente de 10
V a través del resistor de 1 kΩ.

VD=0,7V
- + V0=VD=0,7V

E=10V R=1kΩ
I

E=10V

En esta red, el voltaje en V0 es 0.7 V a causa del diodo D2 polarizado directamente. Con
0.7 V en el ánodo de D1 y 10 V en el cátodo, D1 se encuentra definitivamente en el
estado “apagado”. La corriente I tendrá la dirección indicada, y una magnitud igual a:
E − VD 10V − 0.7V
I= = = 9.3mA
R 1kΩ
De este modo se confirma el estado de los diodos y nuestro análisis anterior fue
correcto. Aunque no se definió el valor de 0 V para el nivel 0 como antes, el voltaje de
salida es suficientemente pequeño como para considerarse un nivel 0. Para la compuerta
AND, en consecuencia, una sola entrada producirá una salida de nivel 0.

PROBLEMA 18

El diodo de la figura es ideal. Obtener VA.

+12V

R=10kΩ

VA

-8V

La figura introduce un tipo de circuito ampliamente utilizado en electrónica. Las flechas

indican el sentido de las tensiones respecto a una referencia de masa de cero voltios.
Esta referencia es explícita, pero a menudo se omite en el diagrama. La figura que viene
a continuación es la notación más convencional del mismo circuito. La notación
compacta muestra cómo se conectan los componentes a los terminales de alimentación y
masa.

R=10kΩ +12V

VA
R=10kΩ
+12V

A VA
8V ID
C

-8V

Se espera que la corriente fluya del terminal de +12 V a través del diodo, en sentido
positivo, hacia la fuente de -8 V; por lo tanto suponemos que el diodo está en
conducción. A la derecha se muestra el modelo del circuito resultante. De este circuito
equivalente se obtiene:
 12 − (−8)
iD = = 2mA
10000
Vemos que nuestra suposición inicial era correcta. Podemos concluir que:
VA = -8 V

PROBLEMA 19

El diodo de la figura es ideal. Hallar VC.

+10V

R=5kΩ
R=2,5kΩ
VC
VC A C
ID R=5kΩ
R=5kΩ
R=5kΩ 5V
6V
6V

Supongamos el diodo en conducción. Se obtiene la figura de la derecha. Está claro que

iD es negativa, así que la suposición inicial es incorrecta.
Suponer que el diodo está cortado genera la figura de abajo. Como circula corriente nula
por el circuito, vA = 5 V y vC = 6 V; por lo tanto vD = vA - vC = -1 V. Del diagrama, VC
= 6 V.

R=2,5kΩ
A C
VC
+ VD -

R=5kΩ
5V

6V
PROBLEMA 20

Hallar Ii en la figura de la izquierda cuando:

a) Vi = +12 V
b) Vi = -6 V
Suponer ideales los diodos.
ID
D1
A C
D1

Ii 5kΩ Ii 5kΩ
+ +
A
Vi 2kΩ D2 12V 2kΩ D2
C
- -

a) Cuando Vi > 0, esperamos una corriente positiva Ii que se divide en dos partes, una
por el diodo y otra por la resistencia de 5 kΩ, así que suponemos el diodo D1 en
conducción. Esta corriente continuaría a través de la resistencia de 2 kΩ, con D2
cortado, puesto que la conducción inversa es imposible.
La figura de la derecha muestra nuestro modelo de circuito. Como D1 cortocircuita la
resistencia de 5 kΩ, Ii = 12 / 2000 = 6 mA. Para D1, iD1 = +6 mA porque la tensión en la
resistencia de 5 kΩ es cero. D2 está cortado porque vD2 = -12 V. Por lo tanto, las
suposiciones iniciales se verifican.
b) Cuando Vi = -6 V, esperamos una corriente negativa en nuestro circuito. Esto sugiere
que D1 está cortado y D2 conduce, dando la figura siguiente. De este circuito, Ii = -6/5
mA. Como iD2 es positiva y vD1 negativa, no hay contradicción.

A C
D1

Ii 5kΩ
+
A
6V 2kΩ D2
C
-
PROBLEMAS DIODOS ZENER.

Procedimiento sugerido:
Similar al de diodos semiconductores normales.
1) Se determina el estado del diodo.
2) Se sustituye por un modelo apropiado y una determinación de las
otras cantidades desconocidas de la red.

Análisis para el caso de Vi y R fijas:

1) Determinar el estado del diodo Zener extrayéndolo del circuito y calculando

el voltaje a lo largo del circuito abierto resultante.
2) Sustituir el circuito equivalente apropiado y resolver para las incógnitas
deseadas.

PROBLEMA 21

(a) Para la red de diodo Zener de la siguiente figura, determinar VL, VR, IZ y PZ.
Ω.
(b) Repita la parte (a) con RL = 3 kΩ
+ VR -
R

1 ΚΩ
-

V =10 V
Z RL 1.2 KΩ V
V 16 V L
i
+

PZM =30 mW

(a) Calculamos el voltaje a través del circuito abierto:

RLVi 1.2kΩ(16V )
V= = = 8.73 V
R + RL 1kΩ + 1.2kΩ
Dado que V = 8.73 V es menor que VZ = 10V, el diodo está en estado de no conducción,
como se ve en la representación de iz frente a VZ que se muestra a continuación; con lo
que lo sustituimos por un circuito abierto:
I R i (mA)
Z
R
I
L

I
1 KΩ Z
+ V Z -
V
L

+
16 V V =10 V
Z
V R L 1 KΩ
V
Z
8.73 V
-
Donde hallamos que:

VL = V = 8.73 V dado que estamos en paralelo

VR = Vi - VL = 16 V – 8.73 V = 7.27 V

IZ = 0 A

y PZ = VZ IZ = VZ ( 0 A ) = 0 W

(b) Hallamos la tensión en vacío del diodo Zener:

RLVi 3kΩ(16V )
V= = = 12 V
R + RL 1kΩ + 3kΩ

Dado que V = 12 V es mayor que VZ = 10 V, el diodo está en el estado de conducción y

se tendrá la red de la siguiente figura:

+ VR -

IZ
1 KΩ

V 10 V R 3 kΩ
i 16 V V
Z L V
L

Dado que los voltajes a través de los elementos en paralelo deben ser los mismos,
encontramos que:

VL = VZ = 10 V

y VR = Vi – VL = 16 V – 10 V = 6 V

VL 10V
con IL = = = 3.33 mA
RL 3kΩ

VR 6V
y IR = = = 6 mA
R 1kΩ
de modo que mediante la ley de corrientes de Kirchhoff
IZ = IR - IL = 6 mA – 3.33 mA = 2.67 mA
La potencia disipada es
PZ = VZ IZ = (10 V ) ( 2.67 mA ) = 26.7 mW
La cual es menor que el valor especificado de PZM = 30 mW
Análisis para el caso de Vi fijo, RL variable:

Por causa del voltaje VZ, hay un intervalo de valores del resistor y, por tanto, de
la corriente de carga, que asegurarán que el Zener esté en estado de
conducción. Una resistencia de carga demasiado pequeña RL originará un
voltaje VL en el resistor de carga menor que VZ y el dispositivo Zener se
encontrará en el estado de corte.

PROBLEMA 22

(a) Para la red de la figura siguiente, determinar el rango de RL e IL que dará

como resultado a VRL mantenido a 10 V.

(b) Determinar el voltaje nominal del diodo.

IR
1 KΩ I
L
+ R I
Z

V = 50 V
V = 10V R
i L
Z

I =32 mA
- ZM

(a) Para determinar el valor de RL que llevará el diodo Zener al estado de conducción,
basta con calcular RL tal que produzca un voltaje de carga VL = VZ. Esto es,

RLVi RVZ (1kΩ)(10V ) 10kΩ

VL = VZ = ; RLmín = = = = 250 Ω
R + RL Vi − VZ 50V − 10V 40

El voltaje en el resistor R, que permanece fijo ahora que estamos en el estado de

conducción, se determina mediante

VR = Vi – VZ = 50 V – 10 V = 40 V

e IR permanece fijo en

VR 40V
IR = = = 40 mA
R 1kΩ

Dado que la corriente Zener IZ = IR - IL , vemos que IZ mínimo cuando IL es máximo, y

viceversa, dado que IR es constante. Con lo que el nivel mínimo de IL viene dado por

ILmín = IR - IZM = 40 mA- 32 mA = 8 mA

y la resistencia de carga máxima

VZ 10V
RLmáx = = = 1.25 kΩ
ILmín 18mA

En las siguientes figuras se muestra una gráfica de VL versus RL y VL versus IL.

VL V
L

10 V

0 250 Ω 1.25 kΩ R 0 8 mA 40 mA
L IL

(b) Pmáx = VZ IZM = (10 V ) ( 32 mA ) = 320 mW

Análisis para el caso de RL fijo, Vi variable:

PROBLEMA 23

Determinar el intervalo de valores de Vi que mantendrán en el estado de

conducción al diodo Zener de la siguiente figura.

R IR
I
L
+ 220 KΩ I
Z

+
V R 1.2 KΩ V
V = 20V L L
i
Z -

I =60 mA
- ZM

El mínimo voltaje para activar Vi = Vimín se determina mediante

RLVi ( RL + R)VZ (1200Ω + 220Ω)(20V )

VL = VZ = ; Vimín = = = 23.67 V
R + RL RL 1200Ω

VL VZ 20V
IL = = = = 16.67 mA
RL RL 1.2kΩ
El valor máximo de Vi está limitado por la corriente Zener máxima IZM. Puesto que
IZM = IR – IL

IRmáx = IZM + IL = 60 mA + 16.67 mA = 76.67 mA

Como IL se fija a VZ/RL e IZM es el valor máximo de IZ, el Vi máximo se define

mediante

Vimáx = VRmáx + VZ = IRmáx R + VZ = ( 76.67 mA ) ( 0.22 kΩ ) + 20 V =

= 16.87 V + 20 V = 36.87 V

En la siguiente figura se presenta una gráfica de VL versus Vi

V
L

20 V

0 10 20 40 V
i

23.67 V 36.87 V

PROBLEMA 24

En el circuito de la figura: Determinar la tensión en la resistencia RL, La caída de

tensión en el diodo VD y la resistencia en continua equivalente del diodo. Suponer
el modelo lineal con Vr = 0.7 V, Rd = 30 Ω.

+
E=20V -
i RL=2kΩ
Sustituyendo el diodo por un modelo equivalente

Vγ Rd
+ -

+
E i RL
-

E − Vr 20 − 0.7
i= = = 9.5 mA
Rd + RL 2030

VL = RLi = 19 V

La tensión en los bornes del diodo es:

VD = Vr + Rd id = 0.7 + 9.5⋅10-3 30 = 0.98 V

VD 0.98
Rcc = = = 103 Ω
ID 0.0095

PROBLEMA 25

Determinar la tensión de salida VL utilizando el modelo equivalente del diodo

anterior y ( ¿? ) un diodo ideal. Vi = 5 sen wt.

D
Ω002=L R

Vi VL
En directo tendremos el siguiente circuito:

Vγ Rd

Vi i RL

La conducción comienza a partir de Vi = Vr

0.7
5 sen X1 = 0.7 X1 = arcsen = 8.04°
5

Vi − Vr
i= cuando Vi >Vr
Rd + RL

5senwt − 0.7
i= ; VL = i RL = 4.34 sen wt –0.6
230

Las gráficas i, VL ( ¿? ) se muestra a continuación:

Vi VL=i∙RL

π 0,7 2π
x=ωt

x1=8,04º x1

En el ciclo negativo, más exactamente en X = π - X1 el diodo se polariza inversamente

siendo un circuito abierto Rr = ∞ y VL = 0
PROBLEMA 26

Obtener la tensión Vd en los extremos del diodo, con el montaje de la figura.

Ω, Vpp = 0.026 sen wt, E = 2V.
Vr = 0.7 V, Rd = 4Ω

R=100Ω

Vpp=26mV
i Vd
E=2V

Sustituimos el diodo por su modelo para polarización directa

Vpp Vγ
Vd
i
E Rd

Para que comience la conducción deberá ser:

E + Vpp ≥ Vr

Vd = VAC = VA – VC = Σ Ri - Σ ε = Rd i + Vr

E + Vpp − Vr 2 + 0.026 senwt − 0.7

i = = = ( 0.0125 + 2.5⋅10-4 sen wt ) A
R + Rd 104

Vd = Vr + Rd I = 0.7 + (0.0125 + 2.5⋅10-4 sen wt ) 4 = 0.75 +1⋅10-3 sen wt =

= 0.75 V + 1 sen wt (mV)

 Vd

0,75V 1mV

PROBLEMA 27

En el circuito de la figura. Calcular:

a) Corriente en el diodo.
b) Tensión en el diodo y a la salida.
Vi = Vm sen wt, Vr = 0 V. Rf finita, Rr = ∞

Vm

Vi RL VS π 2π
x=ωt

VmsenX Im senX Vm
a) 0 < X < π ; i= = =
RL + Rf ¿? RL + Rf

π < X < 2π; i =0

El valor medio de la corriente será

π
1 Im Im
[− cos X ]0 =
π
Imedia =
2π ∫I
0
m senXdX =
2π π

b) VL = VS = RL i = Im RL sen X 0 < X< π

VL = VS = 0 π < X < 2π
Media

Im RL
VLmedia = Imedia RL =
π

La tensión en bornes del diodo será

conducción 0<X<π Vd = i Rf = Im Rf sen X

bloqueo π < X < 2π Vd = Vi = Vm sen X ya que VL = 0

i
Im

π 2π x
0

VL
ImRL

π 2π x
0

Vd

ImRf
π 2π x
0

-Vm

El valor medio de la tensión en el diodo Vd será

1  
π 2π
Vd medio = ∫ Im Rf senXdX + ∫ VmsenXdX  =
2π  0 π 

1
= [Im Rf − Im( Rf + RL )] = - Im RL
π π

( ¿? ) Vm = Im ( RL + Rf )

Obsérvese que el valor medio es negativo tal como aparece en la figura.

PROBLEMA 28

Se tiene un diodo de unión cuya característica corresponde a la figura adjunta.

Determinar para el circuito de la figura V2 en función de V1, utilizando la gráfica
V I del diodo, en el intervalo –5 < V1 < +5. Supongase RS = 100 Ω y trazar la
gráfica V2.

El cálculo debe hacerse ( ¿? ) vista de la característica.

I(mA)

100

80

60
RS
40

20 D1 D2
V1 V2
V(Voltios)
0 0,1 0,2 0,3 0,4

V1 = 0 V. Ningún diodo conduce, no cae tensión en RS al ser i = 0 y V2 = V1 = 0 V.

V1 = 0.1 V ⇒ No hay conducción ⇒ V2 = 0.1 V.

V1 = 0.2 V ⇒ No hay conducción ⇒ V2 = 0.2 V.

V2 = 0.3 V ( ¿? ) como D1 conduce. D2 bloqueado, es decir, para

que comience la conducción se precisa una tensión en bornes de ( ¿? )
según la gráfica. Es decir V2 = 0.3V.

En la gráfica determinamos la corriente aproximadamente Id = 6 mA; de aquí a la vista

del circuito podemos obtener la tensión V1.

V1 = RS Id + VD1 = RS Id + V2 = 6⋅10-3 100 + 0.3 = 0.9 V

V2 = 0.35 V ⇒ Id ≅ 15 mA V1 = 15⋅10-3 100 + 0.35 = 1.4 V

V2 = 0.4 V ⇒ Id ≅ 40 mA V1 = 40⋅10-3 100 + 0.4 = 4.4 V

Para valores negativos sucede algo smilar y el diodo que conduce es D2

V1 = 0 V → V2 = 0 V V1 = -0.9 V → V2 = -0.3 V

V1 = -0.1 V → V2 = - 0.1 V V1 = -1.4 V → V2 = -0.35 V

V1 = -0.2 V → V2 = -0.2 V V1 = -4.4 V → V2 = -0.4 V

 V2 V2
V1
0,5
0,4 V1

0,3 1

0,2
0,5
0,1

-5 -4 -3 -2 -1 1 2 3 4 5 V2 0 t
-0,1 0
-0,2 -0,5

-0,3
-1
-0,4
-0,5

PROBLEMA 29

Las corrientes de saturación de los diodos D1 y D2 son 1 y 2 µA. La tensión de

ruptura es la misma en ambos e igual a 100 V.
Calcular la corriente y la tensión en cada diodo si V = 90 V y V = 110 V.
Ω.
Repetir lo anterior si a cada diodo se le coloca en paralelo una R = 10 kΩ

D1

D2

Debemos suponer que la característica ( ¿? ). Se mantiene en la

corriente de saturación I0 ≅ cte hasta que se alcanza la tensión de ruptura.
Id

Vi=100V I0
Vd

IL
En esta situación los dos diodos están inversamente polarizados y circulará la corriente
inversa menos ( ¿? ) ambos.

I = I01 = 1 µA

Como por el diodo D2 circula la corriente inversa I01, se tendrá

I2 = I02 ( eV2/ηVT – 1 ) = -I01

 I 01 
Despejando V2 queda V2 = η VT ln 1 − 
 I 02 
η=2
Considerando los diodos de Si ⇒
VT = 0.026 V

V2 = 2 ⋅ 0.026 ln( 1 – 0.5 ) = -36 mV

V1 = V – V2 = 90 - 36⋅10-3 = -89.964 V

Obsérvese como el diodo que posee menos corriente inversa es el que soporta
prácticamente toda la tensión. En la gráfica siguiente puede apreciarse lo anterior. Se ha
supuesto para verlo más claro una cierta dependencia de la corriente inversa con la
tensión:
I

VR=VZ=100V V1 V2
0
V

I01
D1

D1

Vemos que la tensión V2 < V1 para un I01 en ambos diodos.

Supongamos ahora V = 110V.
Según el apartado anterior vemos que D1 ha alcanzado la tensióin de ruptura zener.
Luego VD1 = VZ = -100 V V2 = -10 V ( V = V1 + V2 )
Pasará la corriente inversa de saturación de D2, I02 = 2 µΑ , ya que D2 no ha llegado a la
zona de ruptura. ( V2´ = -10 V )
PROBLEMAS: TEMA 4.

PROBLEMA 30

a) Calcular el punto de reposo.

b) Factores de estabilidad.

V = 10 V
CC

R = 7 KΩ
R1 90 KΩ C

RE= 1 KΩ

R2 10 KΩ

a)

RC= 7 KΩ
RB

VBB R E= 1 kΩ

R1R 2 900 ⋅ 10 6
RB = = = 9⋅103 = 9kΩ
R1 + R 2 100 ⋅ 10 3

R2 10 ⋅ 10 3
VBB = VCC = 10 = 1V
R1 + R 2 100 ⋅ 10 3

VBB = IBRB + VBE + IERE

VBB = ICRB /β + VBE + ICRE

 VBB − VBE 1 − 0.6 4 ⋅ 10 −1 4 ⋅ 10 −4
IC = = = = = 0.4 mA
RE + RB / β 1 ⋅ 10 3 + 9 ⋅ 10 3 / 100 1.09 ⋅ 10 3 1.09

VCC = ICRC + VCE + IERE

VCC = IC (RC + RE) + VCE

VCE = VCC - IC (RC + RE) = 10 – 4⋅10-4 (7⋅103 + 1⋅103) = 10 – 4⋅10-4 8⋅103 = 10 – 32⋅10-1

= 10 – 3.2 = 6.8 V

(VBB − VBE )( RB + RE ) (1 − 0.6)(9 ⋅ 10 3 + 1 ⋅ 10 3 ) 0.4 ⋅ 10 4 4 ⋅ 10 5

b) Sβ = = = = = 4 ⋅ 10 − 7
[RB + RE (1 + β )]2 [
9 ⋅ 10 3 + 1 ⋅ 10 3 (100)]2
[
1.09 ⋅ 10 5 ]
2
1 ⋅ 1010

= 4⋅10-7 = 4⋅10-4 mA

PROBLEMA 31

Calcular la red de polarización de este circuito para que el punto de reposo sea
Q(SC,VCE)≡(4mA,7V)

Datos: a) SIco = 17 β = 200

b) I1 = 10IB

V = 15 V
CC

R
R1 I1 C

I
C

IB IE
RE
I2
R2
a)

VCC = ICRC + VCE + IERE

VCC − VCE 15 − 7
VCC = IC (RC + RE) + VCE → RC + RE = = −3
= 2 ⋅ 10 3 = 2kΩ
IC 4 ⋅ 10

RC = 4RE → RE = 0.4 kΩ ; RC = 1.6 kΩ

RB RB
SI = 1 + =1+ = 1.7 → RB = 6.4 kΩ
RE 0.4

VB = VBE + VE = 0.7 + 4⋅10-3 0.4⋅105 = 2.3V

R2 15
VB = VCC → 2.3 = ⋅ R2 R1 = 41.58 kΩ
R1 + R 2 R1 + R 2

R1 ⋅ R 2
6.4 = R2 = 7.56 kΩ
R1 + R 2

b)

VCC = ICRC + VCE + IERE ⇒ RC + RE = 2 kΩ

RC = 4RE ⇒ RE = 0.4 kΩ RC = 1.6 kΩ

IC 4
IB = = = 0.02 mA
β 200

I1 = 10 IB = 0.2 mA; VB = 2.3V

15 − 2.3
VCC – VB = I1R1 → R1 = = 63.5 → R1 = 63.5 kΩ
0.2

VB = I2R2 = (I1-I2) R2 = (0.2-0.002) R2 → R2 = 12.7 kΩ

PROBLEMA 32

Hallar R1 y R2 del circuito de la figura, para que trabaje en el punto:

Q(IC,VCE)≡(3.75mA,4.5V)
 + 9V
RC = 1 KΩ
R1

β= 100

RE= 200 KΩ

R2

Datos: VBE = 0,7 V

VB = VBE + IERE

VB = VBE + ICRE

VB 0.7 + 3.75 0.2 = 1.45 V

RC= 1 KΩ
RB
+ 9 V

VBB R = 200 kΩ
E

VBB = VB = 1.45 V

R2 VBB 1.45
VBB = VCC = = = 0.161
R1 + R 2 VCC 9

Como RB << (β +1) RE ≈ β RE = 100 RE = 20k

RB << 20kΩ ⇒ RB = 2kΩ

R1 R 2
= 2 ⋅ 10 3 ; R1R2 = 2⋅103 (R1+R2) = 2⋅103 R1 + 2⋅103 R2
R1 + R 2

R2
= 0.161 ; R2 = 0.161R1 + 0.161R2 ⇒ R2 0.839 = 0.161 R1
R1 + R 2
R2 = 0.192 R1

R1 0.192 R1 = 2⋅103R1 + 2⋅103 0.192 R1

0.192 R12 = 2⋅103R1 + 0.384⋅103R1

2.384
0.192 R1 = 2.384⋅103; R1 = ⋅ 10 3 = 12.4 ⋅ 10 3 = 12.4 kΩ
0.192

R2 = 0.192 12.4⋅103 = 2.4⋅103 = 2.4 kΩ

PROBLEMA 33

Hallar el punto de reposo para:

a) RB = 1kΩ
b) RB = 10kΩ

Datos: VBE = 0.7

α = 0.99
ICBO = 0

RC= 1 KΩ
RB + 10 V

+ 1 V
R E= 100 kΩ

PROBLEMA 34

Hallar R1 y R2 conociendo ICQ = 10 mA según los siguientes criterios:

a) Para que sea estable frente a variaciones de β.
b) Imponiendo la estabilidad frente a ICBO.
c) Asegurando la estabilidad de VBE.

Datos: VBE = 0.6 V

β = 100
 + 10 V

RC = 150 KΩ
R1

RE= 50 KΩ

R2

PROBLEMA 35

Calcular el punto Q de reposo del transistor del siguiente circuito.

Caso de que el factor SI no esté entre11 y 21, diseñar de nuevo la red ( R1 y R2 ) para
que cumpla esta condición, sin variar el punto de polarización.

V = 10 V
CC

R = 1 KΩ
C
R1
9 KΩ

R2 RE= 1 KΩ
1 KΩ

PROBLEMA 36

Calcular la red de autopolarización de un transistor de ganancia 100 < β < 200 para
alimentarlo a 20 V y que dé trabajo en el punto Q≡(6mA,5.5V); sabiendo que RC ha de
ser de valor 1kΩ, por necesidades del diseño.
PROBLEMA 37

Calcular el valor de VBB necesaria para que el transistor trabaje en saturación.

Datos: β = 15
VBE = 0.7
VCesat = 0.1 V

+ 10 V

R = 1KΩ
C

RB= 10 KΩ

R =1 KΩ
E

PROBLEMA 38

Hallar el punto de reposo del amplificador de la figura, para:

a) RB = 1kΩ
b) RB = 10kΩ

Datos:
VBEQ = 0.7V
α = 0.99
ICBO = 0
 + 15 V

1KΩ
RB

1V
100 Ω

PROBLEMA 39

Hallar R1 y R2 para que VCEQ = 5V, teniendo en cuenta que ICQ no debe variar más de un
10% cuando β varíe entre 20 y 60.

Datos: VBE = 0.7V.

+ 25 V
1'5 KΩ
R2

1 KΩ
R1

PROBLEMA 40

Calcular R1 y R2 de un circuito de autopolarización para que ICQ = 10 mA, de forma que

éste sea muy estable frente a las variaciones de β.
PROBLEMA 41

En el circuito de autopolarización RE = 4.7 kΩ y RB = 7.75 kΩ, la tensión de

alimentación y RC se ajustan para que ICQ = 1.5 mA:
a) Calcular las variaciones de ICQ en el margen de temperaturas de –65ºC a +175ºC.
b) Si R1 = 1kΩ, calcular VCC, RC y VCE para que el punto de reposo permita la
máxima excursión simétrica en tensión.
T-2.CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES.

Transistor = dispositivo de 3 capas

I I
C C

COLECTOR N
N

BASE
P
P
I I
B B
EMISOR

N
N

I I
E E

C C

IC IC

+ +
IB IB

V
B CE
B

- -

IE IE
E E
 E C
+ +

VEB VCB
B

- -

E C
+ +

VEB VCB
B

- -

Componentes de la corriente del transistor.

P N P

I pE I
PC1

I E IpE -I
pC
IC
E I
nE I nCD I CD C
I
PCD

IB
 A) IE = IPE + INE

Como el emisor está más drogado ⇒ IPE >> INE esto es deseable porque los
electrones que atraviesan la unión desde la Base al Emisor no contribuye con portadores
que alcacen el colector.
No todos los huecos IPE alcanzan el colectro, IPC1.

B) IPE – IPC1 se recombinan con los electrones que entran en el circuito

del exterior.
C) Si abrimos el circuito emisor por colector ICO saturación

-ICO = INCO + IPCO

Así:

IC = ICO – IPC1 = ICO - αIE

Donde α representa los huecos del emisor que atravesando la base llegan al colector.

IPC = IPC1 + IPCO

⇒ En un NPN las corrientes tendrán sentido contrario.

→→→→ desde el corte IE = 0 hasta IC

IC = ICO IE

IC − ICO
Puede definirse α = Ganancia corriente
IE − 0
para grandes señales.
PROBLEMAS: TEMA 5.

Ejemplo de circuito con polarización fija.

PROBLEMA 42

Determine las siguientes cantidades para la configuración de polarización fija de la

siguiente figura
a) IBQ e ICQ.
b) VCEQ.
c) VB y VC.
d) VBC.

V CC =+12V

R B =240kΩ IC R C =2.2kΩ
Salida
IB +
Entrada de ca
de ca C 2 =10µF
V CE
C 1 =10µF
- β=50

a) Consideramos primero la malla circuito base-emisor y aplicando Kirchhoff

VCC − V BE 12V − 0.7V

+VCC – IBRB – VBE = 0; IBQ = = = 47.08 µΑ
RB 240kΩ

En realidad, la expresión es sólo la ley de Ohm.

Consideramos ahora la sección de colector-emisor a partir de ahora. La magnitud de la

corriente de colector se relaciona directamente con IB

ICQ = β IBQ = (50)(47.08 µA) = 2.35 mA

b) Aplicando Kirchhoff a la malla colector-emisor en el sentido de las manecillas del

reloj

VCE + ICRC – VCC = 0; VCEQ = VCC – ICRC =

= 12V – (2.35 mA)(2.2kΩ)= 6.38 V

c) Recordamos brevemente que VCE = VC – VE donde VCE es el voltaje colector emisor
y VC y VE son los voltajes de colector y emisor a tierra, respectivamente. Nos damos
cuenta que en este caso

VE = 0V ⇒ VC = VCE = 6.83V
Además, puesto que VBE = VB – VE

VE = 0V ⇒ VB = VBE = 0.7V

d) VBC = VB – VC = 0.7V – 6.83 V = -6.13 V

PROBLEMA 43

Determine el nivel de saturación para la red del problema anterior.

Para un transistor que opera en la región de saturación, la corriente es un valor

máximo para el diseño particular. Si se varía el diseño, este nivel se elevará o caerá.
Para conocer la corriente máxima de colector aproximada (nivel de saturación) para un
diseño en particular, se inserta un corto circuito equivalente entre el colector y el emisor
del transistor y se calcula la corriente de colector resultante. Es decir hacemos VCE = 0V,
ocasionando que el voltaje a través de RC sea el voltaje aplicado VCC. Por tanto,

VCC 12V
ICsat = = = 5.45 mA
RC 2.2kΩ

Fijémonos que en el ejemplo anterior ICQ = 2.35 mA que está alrededor de la mitad del
valor máximo para el diseño.

Ejemplo de circuito de polarización estabilizada de emisor.

PROBLEMA 44

Para la red polarizada de emisor de la figura siguiente, determine:

a) IB
b) IC
c) VCE
d) VC
e) VE
f) VB
g) VBC

Este circuito tiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad sobre el
de la configuración de polarización fija.
 +20V

430kΩ 2kΩ

v0
vi β=50 10µF
10µF

1kΩ 40µF

a) Consideremos la malla de base a emisor. Aplicando Kirchhoff en dirección de las

manecillas del reloj

+VCC – IBRB –VBE –IERE = 0 y recordando IE = (β +1) IB

operando obtenemos

VCC − VBE 20V − 0.7V 19.3V

IB = = = = 40.1µA
RB + β ( RC + RE ) 430kΩ + (51)(1kΩ) 481kΩ

b) IC = βIB = (50)(40.1 µΑ) ≅ 2.01 mA

c) Consideremos a partir de ahora la malla de colector-emisor. Aplicando Kirchhoff

para dicha malla

+IERE + VCE + ICRC –VCC = 0 y sustituyendo IE ≅ IC y agrupando términos

VCE = VCC – IC(RC+RE) = 20V – ( 2.01 mA)(2kΩ + 1kΩ) = 20 V – 6.03 V =

= 13.97 V

d) Mientras que el voltaje del colector a tierra se puede determinar a partir de

VC = VCE + VE = VCC –ICRC = 20 V – (2.01 mA) (2kΩ) = 20V – 4.02V = 15.98 V

e) VE = VCE – VC = 15.98 V – 13.97 V = 2.01 V

o bien se puede hallar así

VE = IERE ≅ (2.01 mA)(1kΩ) = 2.01 V

f) VB = VBE + VE = 0.7 V + 2.01V = 2.71 V

g) VBC = VB – VC = 2.71 V – 15.98 V = -13.27 V (polarizado inversamente como se

se requiere)
PROBLEMA 45

Determine la corriente de saturación para la red del ejemplo anterior.

Mediante el mismo enfoque usado en la configuración de polarización fija, se

aplica un corto circuito entre las terminales colector-emisor y se calcula la corriente del
colector resultante

VCC 20V 20V

ICsat = = = = 6.67 mA
RC + RE 2kΩ + 1kΩ 3kΩ

La adición del resistor de emisor reduce el nivel de saturación del emisor debajo del
nivel que se obtiene con una configuración de polarización fija por medio del mismo
resistor del colector. Fijémonos que es más de dos veces el nivel de ICQ para el ejemplo
anterior.

PROBLEMA 46

La configuración con polarización de emisor de la figura siguiente tiene las

siguientes especificaciones ICQ = 12 ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V y β = 110.
Determine RC, RE y RB.

28 V

RB RC

V C =18V
β=110

RE

ICQ = 1
2 ICsat = 4mA

VRC VCC − VC 28V − 18V

RC = = = = 2.5 kΩ
ICQ ICQ 4mA

VCC
ICsat =
RC + RE

VCC 28V
y R C + RE = = = 3.5 kΩ
ICsat 8mA
 RE = 3.5 kΩ - RC = 3.5 kΩ - 2.5 kΩ = 1 kΩ

ICQ 4mA
IBQ = = = 36.36 µA
β 110

VCC − VBE
IBQ =
RB + ( β + 1) RE

VCC − VBE
y RB + (β + 1) RE =
I BQ

VCC − VBE 28V − 0.7V

con RB = - (β+1)RE = - (111)(1kΩ) =
I BQ 36.36 µA

27.3V
= - 111 kΩ = 639.8 kΩ
36.36 µA

Para valores estándar

RC = 2.4 kΩ

RE = 1 kΩ

RB = 620 kΩ

PROBLEMA 47

Determine los valores de los resistores para la red de la figura siguiente, para la
fuente de voltaje y el punto de operación indicados.

V CC =20V

RB I C =2mA
Q R C C 2 =10µF
Salida
Entrada de ca
de ca V CE =10V
Q
VB
C 1 =10µF
β=150 -

RE C E =50µF
 VE = 1
10 VCC = 1
10 (20 V) = 2 V

VE VE 2V
RE = ≅ = = 1 kΩ
IE IC 2mA

VRC VCC − VCE − VE 20V − 10V − 2V 8V

RC = = = = = 4 kΩ
IC IC 2mA 2mA

IC 2mA
IB = = = 13.33 µA
β 150

VRB VCC − VBE − VE 20V − 0.7V − 2V

RB = = = = 1.3 MΩ
IB IB 1.33µA

PROBLEMA 48

Estudiemos ahora el diseño de un circuito de ganancia en corriente estabilizada

(independiente de β)

Determine los niveles de RC, RE, R1 y R2 para la red de la siguiente figura, para el
punto de operación indicado.

V CC =20V

R1 I C =10mA
Q R C C 2 =10µF
Salida
Entrada de ca
de ca V CE =8V
VB
Q

C 1 =10µF
β(min)=80 -

RE C E =100µF

El valor de las cuatro resistencias se obtiene para un punto de operación

especificado. Como tal se suele elegir un valor para el voltaje emisor, VE, que conduce a
una solución directa para todos los valores de las resistencias. Todos los pasos de diseño
se muestran a continuación:

VE = 1
10 VCC = 1
10 (20 V) = 2 V
 VE VE 2V
RE = ≅ = = 200 Ω
IE IC 10mA

VRC VCC − VCE − VE 20V − 8V − 2V 10V

RC = = = = = 1 kΩ
IC IC 10mA 10mA

VB = VBE + VE = 0.7 + 2 V = 2.7 V

Para el cálculo de R1 y R2 obtendremos una ecuación usando el voltaje de base, VB, y el

voltaje de la fuente, VCC, y otra ecuación sabiendo que para que el circuito opere con
eficacia la corriente a través de estos dos resistores debe ser aproximadamente igual y
mucho mayor que la corriente de base (al menos en proporción 10:1). Este hecho y la
ecuación de divisor de voltaje son las dos relaciones necesarias para determinar los
resistores de base:

R2 ≤ 1
10 βRE

R2
VB = VCC
R1 + R 2

La sustitución conduce a R2 ≤ 1
10 (80)(0.2kΩ) = 1.6 kΩ

(1.6kΩ)(20V )
VB = 2.7 V =
R1 + 1.6kΩ

2.7R1 + 4.32 kΩ = 32 kΩ

2.7R1 = 27.68 kΩ

R1 = 10.25 kΩ (10 kΩ en números redondos).

PROBLEMA 49

Determine el voltaje polarizado de cd VCE y la corriente IC para la configuración

con divisor de voltaje de la figura siguiente.

+ 22V

39 KΩ 10 KΩ

Vi V0
+
10 µF 10 µF
V CE
β=140
3'9 KΩ 1'5 KΩ -
50 µF

Vamos a buscar el equivalente Thevenin. La fuente de voltaje se reemplaza por un

cortocircuito equivalente y hallamos la resistencia Thevenin:

RTH = R1 < R2

39 ⋅ 3.9
RTH = = 3.55kΩ
39 + 3.9

Hallamos la tensión Thevenin:

R2 ⋅ VCC 3.9 ⋅ 22
ETH = = = 2V
R1 + R2 39 + 3.9

Hallamos ahora las intensidades:

ETH − VBE 2V − 0.7V 1.3V

IB = = = = 6.05µA
RTH + ( β + 1) RE 3.55kΩ + (141)(1.5kΩ) 3.55kΩ + 211.5kΩ

donde hemos puesto en el numerador la diferencia de los dos niveles de voltaje, y en el

denominador la resistencia de base más el resistor de emisor reflejado por (β + 1).

I C =βI B = (140)(6.05µA) = 0.85mA

El voltaje polarizado de cd es:

VCE = VCC - IC(RC + RE) = 22 V - (0.85 mA)(10 + 1.5)kΩ = 22 V - 9.78 V = 12.22 V

PROBLEMA 50

Repita el análisis del problema anterior utilizando la técnica aproximada y

compare las soluciones para ICQ y VCEQ.

+ 22V

39 KΩ 10 KΩ

Vi V0
+
10 µF 10 µF
V CE
β=140
3'9 KΩ 1'5 KΩ -
50 µF

La aproximación mencionada consiste en tomar βRE ≥ 10∙R2. Probémoslo en nuestro

caso:
140 ∙ (1.5 kΩ) ≥ 10 ∙ (3.9 kΩ) ⇒ 210 kΩ ≥ 39 kΩ (resultado satisfactorio)

En este caso, podemos calcular la tensión VB utilizando la ecuación:

R2 ⋅ VCC (3.9kΩ)(22V )
VB = = = 2V
R1 + R2 39kΩ + 3.9kΩ

Nótese que el nivel de VB es el mismo que el de ETH determinado en el problema 1. Por

consiguiente, la principal diferencia entre las técnicas exacta y aproximada es el efecto
de RTH en el análisis exacto que separa a ETH y VB.

VE = VB - VBE = 2 V - 0.7 V = 1.3 V

VE 1.3V
I CQ ≅ I E = = = 0.867 mA
RE 1.5kΩ

comparada con 0.85 mA correspondiente al análisis exacto. Por último:

VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 22V - (0.867mA)(10kΩ + 1.5kΩ) = 22V - 9.97V = 12.03 V

contra los 12.22 V obtenidos en el problema anterior.

Los resultados para ICQ y VCEQ realmente están muy cercanos y, tomando en
consideración la variación real en los valores de los parámetros, se puede considerar con
certeza que uno es tan preciso como el otro. Cuanto mayor sea el nivel de Ri en
comparación con R2, más cercana será la aproximación a la solución exacta.
PROBLEMA 51

Repita el análisis exacto del problema anterior si β se reduce a 70, y compare las
soluciones para ICQ y VCEQ.

+ 22V

39 KΩ 10 KΩ

Vi V0
+
10 µF 10 µF
V CE
β=140
3'9 KΩ 1'5 KΩ -
50 µF

Este ejemplo no es una comparación de los métodos exacto y aproximado, sino más
bien una prueba de qué tanto se trasladará el punto Q si el nivel de β se trunca a la
mitad. RTH y ETH son iguales:

RTH = 3.55 kΩ ETH = 2 V

ETH − VBE 2V − 0.7V 1.3V

IB = = = = 11.81µA
RTH + ( β + 1) RE 3.55kΩ + (71)(1.5kΩ) 3.55kΩ + 106.5kΩ

I CQ =βI B =70 ⋅ 11.81µA =0.83mA

VCEQ =VCC − I C ( RC + RE ) = 22V − (0.83mA)(10kΩ + 1.5kΩ) = 12.46V

Si tabulamos los resultados para los dos valores de β:

β ICQ (mA) VCEQ (V)

140 0.85 12.22
70 0.83 12.46

Los resultados muestran claramente la relativa insensibilidad del circuito al cambio en

β. Aun cuando β se trunca en forma drástica a la mitad de su valor, de 140 a 70, los
niveles de ICQ y VCEQ son esencialmente los mismos.
PROBLEMA 52

Determine los niveles de ICQ y VCEQ para la configuración de divisor de voltaje de

la figura siguiente, utilizando las técnicas exacta y aproximada, y compare las
soluciones. En este caso, las condiciones de la ecuación βRE ≥ 10∙R2 no se
satisfacen, pero los resultados revelarán la diferencia en la solución si se ignora el
criterio de esta ecuación.

18 V

82 KΩ 5'6 KΩ
I CQ
Vi V0
+
10 µF
10 µF
V CEQ
β=50
3'9 KΩ 1'2 KΩ - Errata: no son 3.9 kΩ,
sino 22 kΩ

- Análisis exacto:
βRE ≥ 10∙R2 ⇒ (50)(1.2 kΩ) ≥ 10(22 kΩ) ⇒ 60 kΩ ≥ 220 kΩ, lo cual no es cierto.

Buscamos el equivalente Thevenin:

RTH = R1 || R2 = 82 kΩ || 22 kΩ = 17.35 kΩ

R2VCC 22kΩ ⋅ 18V

ETH = = = 3.81V
R1 + R2 82kΩ + 22kΩ

Con lo que obtenemos los resultados pedidos:

ETH − VBE 3.81V − 0.7V 3.11V

IB = = = = 39.6 µA
RTH + ( β + 1) RE 17.35kΩ + (51)(1.2kΩ) 78.55kΩ

I CQ =βI B = (50)(39.6 µA) = 1.98mA

VCEQ = VCC − I C ( RC + RE ) = 18V − (1.98mA)(5.6kΩ + 1.2kΩ) = 4.54V

-Análisis aproximado:

VB = ETH = 3.81 V

VE = VB - VBE = 3.81 V - 0.7 V = 3.11 V

 VE 3.11V
I CQ ≅ I E == =2.59mA
RE 1.2kΩ
VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 18 V - (2.59 mA)(5.6 kΩ + 1.2 kΩ) = 0.388 V

PROBLEMA 53

Determine los niveles quiescentes de ICQ y VCEQ para la red de la figura siguiente.

10 V

4'7 KΩ
250 KΩ 10 µF
V2

Vi β=90
10 µF
1'2 KΩ

Usaremos la ecuación de una malla de base a emisor:

VCC − VBE 10V − 0.7V 9.3V 9.3V

IB = = = = =11.91µA
RB + β ( RC + RE ) 250kΩ + (90)(4.7 kΩ + 1.2kΩ) 250kΩ + 531kΩ 781kΩ

I CQ =βI B =(90)(11.91µA) = 1.07mA

VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 10 V - (1.07 mA)(4.7 kΩ + 1.2 kΩ) = 3.69 V

PROBLEMA 54

Repita el ejemplo anterior empleando una beta de 135 (50% más que en el anterior
caso).

10 V

4'7 KΩ
250 KΩ 10 µF
V2

Vi β=90
10 µF
1'2 KΩ

Es importante advertir que en la solución para IB en el ejemplo anterior, el segundo

término en el denominador de la ecuación es mayor que el primero. Recordemos que
cuanto mayor sea este segundo término comparado con el primero, menor será la
sensibilidad a los cambios con beta. En este ejemplo, el nivel de beta aumenta en un
50%, lo que incrementará la magnitud de este segundo término aún más en comparación
con el primero. Sin embargo, es más importante notar en estos ejemplos que una vez
que el segundo término es relativamente grande comparado con el primero, la
sensibilidad a los cambios en beta es significativamente menor.
Resolviendo para IB, obtenemos:

VCC − V BE 10V − 0.7V 9.3V

IB = = = = 8.89 µA
R B + β ( RC + R E ) 250kΩ + (135)( 4.7 kΩ + 1.2kΩ ) 250kΩ + 796.5kΩ

I C = βI B = (135)(8.89 µA) =1.2mA

VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 10 V - (1.2 mA)(4.7 kΩ + 1.2 kΩ) = 2.92 V

Aun cuando el nivel de β se ha incrementado en un 50%, el nivel de ICQ solamente

aumentó un 12.1%, mientras que el nivel de VCEQ disminuyó cerca de un 20.9%. Si la
red fuera un diseño de polarización fija, un aumento del 50% en β habría resultado en
un 50% de aumento en ICQ y en un cambio dramático en la localización del punto Q.
PROBLEMA 55

Para la red de la figura, calcular ICQ, VCEQ, VB, VC, VE, y VBC.

V CC=20 V

R c =4'7 KΩ
10 µF
RB
V2
250 KΩ C2
C1
Vi β=120
10 µF

La ausencia de RE reduce la reflexión de los niveles resistivos a simplemente el nivel de

RC, y la ecuación para IB se reduce a:

V − VBE 20V − 0.7V 19.3V

I B = CC = = = 23.7 µA
RB + βRC 250kΩ + (120)(4.7kΩ) 814kΩ

I CQ =βI B =(120)(23.7 µA) = 2.84mA

VCEQ = VCC - ICRC = 20 V - (2.84 mA)(4.7 kΩ) = 6.65 V

VB = VBE = 0.7 V

VC = VCE = 6.65 V

VE = 0 V

VBC = VB - VC = 0.7 V - 6.65 V = -5.95 V

PROBLEMA 56

Determine VCEQ e IE para la red de la figura siguiente.

C1
Vi β=90
10 µF C2
V0
RB 240KΩ 10 µF
RE 2 KΩ

V EE -20 V

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada, obtenemos:

-IBRB - VBE - IERE + VEE = 0

pero
IE = (β + 1)IB
y
VEE - VBE - (β + 1)IBRE - IBRB = 0

con
VEE − V BE 20V − 0.7V 19.3V 19.3V
IB = = = = = 45.73µA
RB + ( β + 1) R E 240kΩ + (91)(2kΩ) 240kΩ + 182kΩ 422kΩ

I C = βI B = (90)(45.73µA) = 4.12mA

Aplicando la ley del voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, tenemos:

-VEE + IERE + VCE = 0

pero
IE = (β + 1)IB
y
VCEQ = VEE - (β + 1)IBRE = 20 V - (91)(45.73 µA)(2 kΩ) = 11.68 V
IE = (91)(45.73 µA) = 4.16 mA
PROBLEMA 57

Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuración de base común de

la figura siguiente.

β=60
Vi V0

RE 1.2 KΩ RC 2.4KΩ

V EE 4V V CC 10 V

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada, llegamos a:

VEE + IERE + VBE = 0

VEE − VBE 4V − 0.7V

IE = = = 2.75mA
RE 1.2kΩ

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, tenemos:

-VCB + ICRC - VCC = 0

VCB = VCC - ICRC con IC ≅ IE

VCB = VCC - IERC = 10 V - (2.75 mA)(2.4 kΩ) = 3.4 V

I C 2.75mA
IB = = = 45.8µA
β 60
PROBLEMAS: AMPLIFICADORES.

PROBLEMA 58

Calcular la ganancia en tensión del amplificador CASCODE.

Ω
hie = 760Ω
Ω
hfe = 200Ω
v1 ib 1 E2 C2 v 02

R B2 ||R B3 h ie 1 h ie 2 h fbie 2 RC

Base Q 2

V CC =18V

R B1=6.8kΩ R C =1.8kΩ

C 1 =10µF V 02
Q2 C=5µF

R B2∙4.7kΩ V 01
C S =5µF
Q1

R B3∙4.7kΩ
R E =1.1kΩ C E =5µF

− hfeZE 2 − 200 ⋅ 3.782

AV1 (emisor común) = = = -0.99
hie 760

hie 760
ZE2 = hib2 = = = 3.78 Ω
1 + hfe 1 + 200

hfb − 0.99 ⋅ 1 ⋅ 8 ⋅ 10 3
AV2 = - RC = − = 471.4
hiRb 3.78

hfe
hfb = − = −0.99
1 + hfe

AV = AV1⋅AV1 = -466.6
PROBLEMA 59

Amplificador Multietapa (análisis)

Caso en que los amplificadores se conectan en serie (cascada):

• La carga en el primero es la resistencia de entrada del segundo.
• La ganancia en una etapa se determina por la carga de ésta, que se gobierna
por la resistencia de entrada a la siguiente etapa. Así, al diseñar o analizar
amplificadores multietapa, se empieza por la salida y se continúa hacia la
entrada.

Determínese las ganancias de tensión y corriente para el amplificador de dos

etapas acoplado por condensador que se muestra en la siguiente figura. Todos los
condensadores son suficientemente grandes para considerarse cortocircuitos de la
señal de ca.

12V

i 500kΩ
R 2 =7kΩ 600kΩ 10kΩ
V0
is 2

V1 R L =600Ω

2kΩ

R 2 =1kΩ 50kΩ
50kΩ

Se desarrolla el circuito equivalente híbrido para el amplificador multietapa de la

figura dada. El circuito híbrido es el siguiente.

iE i s1
i s2

i b1 i c1 i c2

Las variables prima denotan cantidades de salida de la etapa, mientras que las variables
normales denotan cantidades de entrada a ella. Los cálculos para la etapa de salida son:

10000 ⋅ 2000
R´B = = 1.67 kΩ
10000 + 2000

12 ⋅ 2000
V´BB = =2 V
10000 + 2000
 VBB − VBE 2 − 0.7
I´CQ = = = 22 mA
R´/ β + R´E 1670 / 200 + 50

h´ib = 26 mV / |I´CQ| = 1.17 Ω h´ie = 235.17 Ω

Para la etapa de entrada:

7000 ⋅ 1000
RB = = 8.75 Ω
7000 + 1000

12 ⋅ 2000
VBB = = 1.5 V
7000 + 1000

VBB − VBE 1.5 − 0.7

ICQ = = = 1.47 mA
R´/ β + R´E 875 / 200 + 50

26mV
hib = = 1.77 Ω hie = 355.77 Ω
14.7 mA

La resistencia de entrada se determina usando la ecuación siguiente:

875 ⋅ 200 ⋅ (1.77 + 50)

Ren =RB || β(hib + RE) = = 807Ω
875 + 10354

La ganancia de corriente, Ai, se encuentra de la siguiente forma

RB ien 875in
ib = = = 0.078ien
RB + β (hib + RE ) 875 + 200(1.77 + 50)

La resistencia de entrada de la segunda etapa es

R´en = R´B || h´ie = 205 Ω

La corriente R´en es iL y está dada por

600
i´L = 15.6 ien = 11.63 ien
805

Nuevamente, iL se divide en la entrada de la segunda etapa. Entonces,

− R´B i L − 1670(11.63ien
i´b = = = −10.38ien
R´ B + h´ie (1670 + 205)

La corriente de salida:

10.38ien ⋅ 200 ⋅ 500

i´o = = 941 ien
500 + 600
La ganancia de corriente es

Ai = 941

Y la ganancia en tensión es

941⋅ 600
Av = = 700
807

PROBLEMA 60

Calcule la ganancia en tensión, la tensión de salida, la impedancia de entrada y de

salida para un amplificador de dos etapas en E. C. Ambos autopolarizados con
divisor de tensión y acoplados por condensador.

VCC = 20 V, hie = 1260 Ω, hfe = 200, VE = 25 µV, RL = 10 kΩ

Ω, R1 = 15 kΩ
Ω,
Ω, RC = 2.2 kΩ
R2 = 4,7 kΩ Ω, RE = 1 kΩ Ω, CE →∞, Cacoplo→∞.

20V

2.2kΩ
15kΩ
V0
β=200 1µF
RL

4.7kΩ +
V 1 =25µV
1kΩ C E =20µF
+

ZB1 = hie1 (RE está cortocircuitada)

ZE1 = RB1 || ZB1 = R11 || R22 || hie1 = 15 k || 4.7 k || 1.26 k = 932 Ω

ZE2 = R21 || R22 || hie2 = 15 k || 4.7 k || 1.26 k = 932 Ω

 2.2 ⋅ 0.932 
200 
hfe ( RC || ZE 2)  2.2 + 0.932 
AV1 = − =− = -103
hie1 1.26

hfeRC 200 ⋅ 2.2

AV2 = − = = -349.2
hie 1.26
 AV = AV1⋅AV2 = 84507

ZS = RC 2.2 kΩ

La tensión de salida VS = AV ⋅VE = 84507⋅25⋅10-6 = 2.1 V

Si ahora se conecta una resistencia RL:

ib 1
ib 2

RB h ie h fbie 1 Rc RB h ie h fbie 2 RC RL

En este caso se cumple que (RC || RL) = 1.80 kΩ

hfe ( RC || RL )
A´V2 = = -186.24
hie

A´V = AV1⋅A´V2 = 36281.8

VS = A´V ⋅ VE = 0.74 V.

PROBLEMA 61

Determinar la ganancia en corriente del siguiente circuito.

12V

i 500kΩ
R 2 =7kΩ 600kΩ 10kΩ
V0
is 2

V1 R L =600Ω

2kΩ

R 2 =1kΩ 50kΩ
50kΩ

Dibujamos primero el circuito híbrido equivalente

 iE i s1
i s2

i b1 i c1 i c2

Calculamos primero RB1 y RB2 del circuito híbrido equivalente:

7000 ⋅ 1000
RB1 = = 875 Ω
4000 + 1000

10000 ⋅ 2000
RB2 = = 1.67 kΩ
10000 + 2000

A continuación calculamos los siguientes parámetros:

ZB1 ≅ hie1 + hfe1 RE1 = 355.77 + 200 ⋅ 50 = 10356 Ω

875 ⋅ 10356
ZE1 = RB1 || (hie + hfe RE) = = 807Ω
875 + 10356

ZE2 = RB2 || hie2 = 1.67 k || 355.77 Ω = 205 Ω

i s 2 i s 2 ib 2 i s1 ib1
Ai = = ⋅ ⋅ ⋅ =
i E ib 2 i s1 ib1 i E
h fe 2 ⋅ Rc 2  RB 2   h fe1 ⋅ Rc1  R B1
=− ⋅  +  ⋅  − ⋅
 R + h + (1 + h R ) =
823
Rc 2 + R L  R B 2 + hie 2   Rc1 + Z E 2  B1 ie1 fe1 E1
PROBLEMA 62

Para la red de la figura, sin CE (sin derivación) determine:

a) re
b) Zi
c) Z0
d) Av
e) Ai

20V

I0

270kΩ 5.6kΩ

C1=10µF
C2=10µF
Vi .β=120
Ii

Zi
Z0
1.2kΩ
CE=10µF

a) CD.

VCC − V BE 20V − 0.7V

IB = = = 46.5µA
RB + ( β + 1) RE 270kΩ + (121)1.2kΩ

I E = ( β + 1) I B = (121)(46.5µA) = 5.63mA

26mV 26mV
re = = = 4.62Ω
IE 5.63mA

b)
Zb = βre + (β + 1)RE = (120)(4.62Ω) + (121)1.2kΩ = 145.75kΩ
contra 144 kΩ utilizando Zb ≅ βRE

Zi = RB || Zb = 270kΩ || 145.75kΩ = 94.65kΩ

contra 93.91 kΩ empleando Zi ≅ RB || βRE
c) Z0 = RC = 5.6kΩ

d)
βRC (120)(5.6kΩ)
Av = − =− = −4.61
Zb 145.75kΩ
contra -4.67 utilizando Av ≅ -RC / RE

e)
βRB (120)(270kΩ)
Ai = = = 77.93
RB + Z b 270kΩ + 145.75kΩ
o bien
Zi 94.65kΩ
Ai = − Av = −(−4.61) = 77.92
RC 5.6kΩ

PROBLEMA 63

Repita el problema anterior con CE colocado en su sitio.

a) El análisis de cd es el mismo, y re = 4.62 Ω.

b) RE es cortocircuitado por CE para el análisis de ca. Por consiguiente:

Zi = RB || Zb = RB || βre = 270 kΩ || (120)(4.62 Ω) = 270 kΩ || 554.4 Ω = 553.26 Ω

c) Z0 = RC = 5.6 kΩ

d)
RC 5.6kΩ
Av = − =− = −1212.12
re 4.62Ω

lo cual es un incremento significativo con respecto al caso anterior.

e)
βRB (120)(270kΩ)
Ai = = = 119.75
RB + Z b 270kΩ + 554.4Ω
PROBLEMA 64

Para la red de la figura, determine (empleando aproximaciones apropiadas):

a) re
b) Zi
c) Z0
d) Av
e) Ai

16V

I0

2.2kΩ
90kΩ C2

C1 +

Vi β=210
Z0
Ii

Zi V0

10kΩ
0.68kΩ CE

a) Al probar βRE > 10R2:

(210)(0.68 kΩ) > 10(10 kΩ) ⇒ 142.8 kΩ > 100 kΩ ⇒ se satisface

R2 10kΩ
VB = VCC = ⋅ 16V = 1.6V
R1 + R2 90kΩ + 10kΩ

V E = V B − V BE = 1.6V − 0.7V = 0.9V

VE 0.9V
IE = = = 1.324mA
RE 0.68kΩ

26mV 26mV
re = = = 19.64Ω
IE 1.324mA
b) El circuito de ca equivalente se proporciona en la figura siguiente:

Ii +
I0 Z0
+

Zi V0 -
2.2kΩ
Vi 10kΩ 90kΩ
0.68kΩ

- -
R'
La configuración resultante tiene ahora R’ = R1 || R2 = 9 kΩ. Al utilizar las
aproximaciones adecuadas, llegamos a:

Zb ≅ βRE = (210)(0.68 kΩ) = 142.8 kΩ

Zi = RB || Zb = 9 kΩ || 142.8 kΩ = 8.47 kΩ

c) Z0 = RC = 2.2 kΩ

d)
RC 2.2kΩ
Av = − =− = −3.24
RE 0.68kΩ

e)
Zi 8.47 kΩ
Ai = − Av = −(−3.24) = 12.47
RC 2.2kΩ

PROBLEMA 65

Repita el problema anterior con CE en su sitio.

a) El análisis de cd es el mismo, y así, re = 19.64 Ω.

b) A partir del circuito de ca equivalente de la segunda figura:

Zb = βre = (210)(19.64 Ω) = 4.12 kΩ

Zi = RB || Zb = 9 kΩ || 4.12 kΩ = 2.83 kΩ

c) Z0 = RC = 2.2 kΩ
d)
RC 2.2kΩ
Av = − =− = −112.02
re 19.64Ω
lo cual es un incremento significativo.

e)
Zi 2.83kΩ
Ai = − Av = −(−112.02) = 144.1
RC 2.2kΩ

PROBLEMA 66

Para la red de la figura, determine:

a) Zi
b) Z0
c) Av
d) Ai

8V
I0

2.7kΩ
330kΩ

V0
Vi hfe=120
hie=1.175kΩ Z0
Ii hfe=20µA/V
Zi

a) Zi = RB || hie = 330 kΩ || 1.175 kΩ = 1.171 (vemos que Zi ≅ hie)

b)
1 1
r0 = = = 0.05MΩ = 50kΩ
h0 e 20 µA / V

1
Z0 = || RC = 50kΩ || 2.7 kΩ = 2.56kΩ ≅ RC
h0 e
c)
h fe RC (120)(2.7 kΩ)
Av = − =− = −276.69
hie 1.171kΩ
d) Ai ≅ hfe = 120

PROBLEMA 67

Para la red de la figura, determine:

a) Zi
b) Z0
d) Av
e) Ai

Ii

+ +
I0
Z0
Zi
2.2kΩ hfb=-0.99 3.3kΩ
Vi hib=14.3Ω V0
hob=0.5µA/V
4V 10V

- -

a) Zi = RE || hib = 2.2 kΩ || 14.3 Ω = 14.21 (vemos que Zi ≅ hib)

b)
1 1
r0 = = = 2 MΩ
h0b 0.5µA / V

1
Z0 = || RC = 2 MΩ || 3.3kΩ = 3.3kΩ ≅ RC
h0b

c)
h fb RC (−0.99)(3.3kΩ)
Av = − =− = 229.91
hib 14.21kΩ

d) Ai ≅ hfb = -1
PROBLEMA 68

Diseñar el amplificador estabilizado por divisor de tensión de la figura para que

trabaje en clase A, tenga una ganancia de tensión Av = -4 y una frecuencia inferior
de corte de aproximadamente 50 Hz. En el circuito diseñado, ¿cuál es la máxima
señal de entrada para una salida sin distorsión? Suponer el BJT de silicio con β >
100.

VCC=10V

RL
R1
CB

+
Vi R2
RE

Para que el amplificador trabaje en clase A, se debe cumplir:

½ VCC = ICQ (RL + RE)
y para que la ganancia de tensión valga -4, se debe verificar:
Av = -4 = -RL / RE ⇒ RL = 4RE
Sustituyendo en la primera ecuación, y fijando ICQ = 1 mA, inmediatamente se obtiene:
½ VCC = ICQ 5RE ⇒ 5V = 1 mA∙5RE ⇒ RE = 1 kΩ
con lo que:
RL = 4 kΩ
Con los valores de RE e ICQ anteriores, la tensión en el emisor vale VE = 1 V, y en
consecuencia, la tensión en la base es VB = 1.7 V. Eligiendo la corriente ID por el
divisor R1 - R2 igual a ID = 0.1 mA >> IB, fácilmente se determina:
R2 = VB / ID = 17 kΩ
R1 = (VCC - VB) / ID = 83 kΩ
La impedancia que ve el condensador CB es igual a la impedancia de entrada Zinp del
amplificador, que vale:
Zinp = R1 || R2 || (β + 1)RE = 12.38 kΩ
y, en consecuencia:
Zinp = (CBω1)-1 = 12.38 kΩ ⇒ CB = (12.38 kΩ ∙ 2π∙50 Hz)-1 = 257 nF
Veamos cuál es la máxima amplitud posible de la señal de entrada. El BJT se cortará
cuando en su emisor la tensión valga cero voltios o, lo que es lo mismo, cuando en la
base la tensión valga VB = 0.7 V. En consecuencia, la máxima amplitud de la señal de
entrada es de 1 V.

PROBLEMA 69

En el circuito de la figura, hallar R1 y R2 para que el circuito trabaje en clase A de

alterna. Con los valores de R1 y R2 obtenidos, ¿cuál es la máxima amplitud de la
salida sin distorsión? El BJT es de Ge (VBE ≈ 0) y con β > 100.

VCC=10V

RL=150Ω
R1
CB→∞

R2
RE
CE→∞
100Ω

La ecuación de la recta estática de carga es:

VCC = ICQ (RL + RE) + VCEQ

y de la recta dinámica:

(iC - ICQ)RL = -(vCE - vCEQ)

Para una excursión máxima simétrica se debe verificar:

vCE = 0 ⇒ ic = 2ICQ ⇒ ICQ = VCEQ / RL

Sustituyendo el este valor en VCC:

VCC = ICQ(RL + RE) + ICQRL

VCC 10V
I CQ = = = 25mA
2 RL + RE 2 ⋅ 150Ω + 100Ω
Es decir, para que el circuito trabaje en la clase A de alterna, el transistor debe
polarizarse mediante R1 y R2 para que la corriente de colector en el punto Q valga ICQ
= 25 mA. En ese caso, la tensión en el emisor valdrá VE = ICQ∙RE = 2.5 V, tensión que
será igual a la que hay en la base VB por ser VBE = 0. Fijando la corriente ID por el
divisor en ID = 2.5 mA, inmediatamente se determina:

VCC − VB 10V − 2.5V

R1 = = = 3kΩ
ID 2.5mA

VB 2.5V
R2 = = = 1kΩ
I D 2.5mA

La máxima amplitud de salida, dado que el punto Q está centrado en alterna, vale:

ICQRL = 3.75 V

PROBLEMA 70

En el amplificador de la figura, hallar:

a) R2 de modo que ICQ = 5 mA.

b) El máximo valor de la amplitud de la tensión de salida sin distorsión con ICQ =
5mA
c) El valor de R2 que hace que el amplificador trabaje en clase A de alterna y
calcular en ese caso el máximo valor de la amplitud de la salida sin distorsión.

VCC=12V

hfb=-0.99
BJT hib=14.3Ω
R2 hie=1kΩ
CB
CE
+
Vi
RE RL
1k 2k

a) Si ICQ = 5 mA, la tensión en la base debe valer:

VB = VE = ICQRE = 5 V
Como la corriente continua de base vale IB = ICQ / β = 0.1 mA, resulta:

VCC − VB 12V − 5V
R2 = = = 70kΩ
IB 0.1mA

b) La tensión VCEQ es igual a:

VCEQ = VCC - ICQRE = 12 V - 5 mA ∙ 1 kΩ = 7 V

por tanto, el punto Q está más próximo a la zona de corte que a la de saturación, y será
precisamente el corte del BJT la causa que limite la amplitud de la oscilación.

La ecuación de la recta dinámica de carga es:

(iC - ICQ)R = -(vCE - VCEQ)

siendo R = RE || RL. Cuando el transistor se corta (iC = 0) la tensión vCE vale:

vCE = VCEQ + ICQR = 7 V + 5 mA ∙ 2/3 kΩ = 10.33 V

por lo que, en ese instante, la tensión en el emisor vale:

vE = vC - 10.33 V = VCC - 10.33 V = 12 V - 10.33 V = 1.67 V

de donde, la máxima amplitud V0 de la señal de salida es:

V0 = VE - vE = 5 V - 1.67 V = 3.33 V

c) Para que el seguidor trabaje en clase A de alterna, vCE = 0 y iC = 2ICQ por lo que nos
queda:
(iC - ICQ)R = -(vCE - VCEQ) ⇒ ICQR = VCEQ

Por otro lado, la ecuación de la recta estática de carga es:

VCC = ICQRE + VCEQ

Combinando estas dos últimas ecuaciones:

VCC 12V
I CQ = = = 7.2mA
RE + R 1kΩ + 0.67 kΩ

Con el valor anterior de ICQ, la tensión en la base es VB = 7.2 V, de donde:

VCC − VB 12V − 7.2V

R2 = = = 33kΩ
IB 0.144mA
La amplitud máxima V0 de la oscilación de salida vale en este caso:

V0 = ICQR = 7.2 mA ∙ 0.67 kΩ = 4.8 V

PROBLEMA 71

Ω y R2
Determínese el punto Q para el circuito mostrado en la figura si R1 = 1.5 kΩ
Ω. Se utiliza un transistor 2N3903, con β = 140, RE = 100 Ω y RC = RL = 1kΩ
= 6 kΩ Ω.

VCC=5V

RC=1kΩ
R2 C→∞

2N3903
+
VBE=0.7V
v0
Vi R1 RE RL
100Ω C→∞
1kΩ

R1VCC 1500Ω ⋅ 5V
VBB = = = 1V
R1 + R2 1500Ω + 6000Ω

R1 R2
RB = = 1200Ω
R1 + R2

Se determina si el amplificador tiene estabilidad con cambios en β mediante a

verificación de RB < 0.1βRE = 0.1(140)(100 Ω) = 1400 Ω. Como la desigualdad se
cumple, se tiene estabilidad. Se encuentra el punto Q como sigue:

VBB − V BE 1V − 0.7V
I CQ = = = 2.76mA
RB / β + RE 1200Ω / 140 + 100Ω

Se encuentran Rca = RC || RL = 500 Ω, y Rcd = RC + RE = 1.1 kΩ

Calculamos VCEQ:

VCEQ = VCC - ICQRcd = 5 V - 2.76 mA ∙ 1.1 kΩ = 1.96 V

Entonces:

V’CC = VCEQ + ICQRac = 1.96 V + 2.76 mA ∙ 500 Ω = 3.34 V

Como el punto Q se halla en la mitad inferior de la línea de carga de ca, la máxima

excursión simétrica en la tensión de salida es:

2ICQ(RC || RL) = 2(2.76 mA)(500 Ω) = 2.76 V

En este ejemplo, el punto Q no se encuentra en la mitad de la línea de carga, de manera

que la excursión en la salida no es máxima. Sin embargo, si la señal de entrada es
pequeña y no se requiere máxima salida, se puede utilizar una ICQ pequeña para reducir
la potencia disipada en el circuito.

PROBLEMA 72

Selecciónese R1 y R2 para máxima excursión en la tensión de salida en el circuito

del ejemplo anterior.

Determinamos la ICQ:

VCC 5V
I CQ = = = 3.13mA
Rca + Rcd 500Ω + 1100Ω

pues Rca = RC || RL = 500 Ω, y Rcd = RE + RC = 1100 Ω.

Para máxima excursión:

V’CC = 2VCEQ

Entonces, VCEQ está dado por:

VCEQ = (3.13 mA)(500 Ω) = 1.56 V

La intersección de la línea de carga de ca con el eje vCE es V’CC. Así:

V’CC = 2VCEQ = 3.12 V

De las especificaciones del fabricante, β = 140, luego:

RB = 0.1(140)(100) = 1400 Ω

VBB = 3.13 mA (1400 / 140 + 100) + 0.7 = 1.044 V

Con esto, se encuentra R1 y R2:

RB 1400Ω
R1 = = = 1.77 kΩ
1 − VBB / VCC 1 − 1.044 / 5

RBVCC 1400Ω ⋅ 5V
R2 = = = 6.7 kΩ
VBB 1.044V

La máxima excursión en la tensión de salida, ignorando las no linealidades de

saturación y corte, sería entonces:

2ICQ(RC || RL) = 2(3.13 mA)(500 Ω) = 3.13 V