Lab 3 - Diseño y Simulación de Circuitos Con Transistores

UNIVERSIDAD MILITAR NUEVA GRANADA.
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA.
PRÁCTICA N°3 Diseño y simulación de circuitos con transistores
DIRIGIDO A:
LUIS HORACIO BERNAL ACERO.
INTEGRANTES:
1803830 JUAN SEBASTIAN NIÑO BARRAGÁN

ING. MECATRÓNICA.
1803796 LAURA CATALINA GONZÁLEZ MANCILLA.

ING. MECATRÓNICA.
26 DE MARZO
BOGOTÁ D.C.
2021
UNIVERSIDAD MILITAR NUEVA GRANADA
Diseño y simulación de circuitos con transistores

Codificación:
GL-AA-F-1
Guías de Prácticas de Número de

Revisión No.:
Páginas:
Laboratorio 2
6
Fecha Emisión:
2020/8/16
Laboratorio de:
Electrónica
Título de la Práctica de Laboratorio:
Elaborado por: Revisado por: Aprobado por:
Sergio Andrés Chaparro Dario Amaya Hurtado William Gomez
Docente Programa de Jefe área de Electrónica

Ingeniería Mecatrónica Programa de Ingeniería Director del Programa
Mecatrónica de Ingeniería
Mecatrónica
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contra de los derechos del autor.
Control de Cambios
Descripción del Cambio Justificación del Cambio Fecha de

Elaboración /
Actualización
Modificación criterios de evaluación Claridad en la evaluación 2019/01/21
Modificación criterio de evaluación Nuevas metas ABET 2019/07/26
Modificación del desarrollo Nuevos problemas 2020/07/17

de la práctica.
1. Transistor BS170 [5]:

IDon= 0.29 A y VGS on = 10V
2. Transistor 2N2907 [6]:
Ic max= 0.6 A y V max= 9.6V β= 100
3. Transistor Tip42 Y Tip 41 [7]:
Ic max = 6 A ; β= 20
4. Transistor 2N2222:
Ic max= 0.6 A y V max= 9.6V β= 100
El objetivo de la polarización del transistor es establecer un punto conocido

para que el transistor funcione eficientemente y produzca una señal de
salida no distorsionada. Además, se busca obtener un estado constante de
los transistores y esto depende en gran medida de su corriente base, voltaje
del colector y corriente del colector y, por lo tanto, si un transistor debe
operar como un amplificador lineal, debe estar polarizado adecuadamente
para tener un punto de funcionamiento adecuado[8].
Se le denomina polarización fija o autopolarización

porque la corriente que circula por el colector es definida
por la corriente forzada al circular la base. Estas
corrientes se relacionan mediante β. Como norma se
considera a β como una constante, pero no lo es ya que
presenta variaciones en función de distintos fenómenos
un ejemplo de estos es la temperatura. Por esta razón
normalmente se minimiza al máximo la variación de
corriente
Una de las principales ventajas que tiene este método de
polarización consiste en emplear el circuito
autopolarizado, en este la corriente del colector no es
fijada por la corriente de la base sino por la corriente de
emisor.
Si, al modelarse a partir de resistencias, si los valores de voltaje a los que son
sometidos son iguales en la puerta, el surtidor estará con un voltaje Vgs es
equivalente a cero
El transistor o configuración Darlington es un tipo especial de configuración

(Colector común), este tiene una alta ganancia, consiste en que dos transistores
obtengan un nivel de ganancia evitando sucesivas etapas de amplificación. Como
se mencionó está compuesto por dos transistores bipolares que se conectan en
cascada.
El montaje Darlington tiene algún reglas:

- La tensión de polarización, para que conduzca y amplifique debe ser mayor
(2) al 𝑉𝐵𝐸convencional, ya que las uniones B-E de los transistores están en
serie.
- La tensión C-E del Darlington no llega a ser tan baja en saturación como la
de un simple transistor bipolar, ya que la tensión de la unión B-C del primer
transistor juega en contra, el Darlington se queda con una 𝑉𝐶𝐸entre 0,7 y 2
voltios.
- Al activar las dos uniones B-E,el transistor Darlington es más lento de lo
normal y al mismo tiempo es más lento al momento de conducir. Para
regular esto se conectan un par de resistencias en paralelo con las uniones
B-E de los dos transistores; esto también afecta la β del Darlington.
La palabra de etapa de potencia es de origen francés y su definición se puede

entender como un amplificador de audio, cuya función es incrementar la señal. El
amplificador necesita corriente continua para trabajar, por esta razón necesita un
transformador y rectificador que se ajusten al tipo de corriente y el voltaje a los
valores para que el amplificador funcione correctamente.
Esta etapa de potencia tiene unos factores técnicos a tener en cuenta:
- La impedancia.
- La amortiguación.
- Potencia de salida.
- Relación señal-ruido.
- Respuesta en frecuencia.
- Respuesta en fase.
- Acoplamiento: directo, inductivo y capacitivo.
- Ganancia.

- Diafonía.
- Distorsión.
- Sensibilidad.
La función y utilidad de un transistor de potencia es igual al transistores normales,
existen tre tipos de transistores de potencia:
- Bipolar.
- Unipolar o FET.
- IGBT (entrada MOS)
𝑉𝐸𝐵 = 0, 7 & β ≈ 300

𝑉𝐵−𝑉𝐶
𝐼𝐵 = 𝑅𝐵

Podemos ver el circuito del punto 1 de la siguiente manera
𝐼'𝐶=𝐼𝐸
si aplicamos la ley de tensiones de kirchhoff obtenemos la siguiente ecuación:
1. 𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝐸𝑅𝑐 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
También tenemos las siguientes ecuaciones asumiendo que esta en región activa
2. 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
3. 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 * β
Reemplazamos la ecuación 3 en la 2 obteniendo la ecuación 4
4. 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐵 * β⇒ 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵(1 + β)
Ahora ponemos la ecuación 3 y la 4 en la #1
5. 𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝐵(1 + β) * 𝑅𝑐 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝐼𝐵(1 + β) * 𝑅𝐸)
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐵(𝑅𝑐β + 𝑅𝑐 + 𝑅𝐸 + β𝑅 + 𝑅𝐵 )
𝐸
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐵(𝑅𝐵 + (𝑅𝑐 + 𝑅𝐸)(1 + β))
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝑅𝐵+(𝑅𝑐+𝑅𝐸)(1+β)
9−0,7
𝐼𝐵 = 50𝑘 + (200 +50)( 1+300)
= 66, 267µ𝐴
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 * β ⇒ 66, 267µ𝐴 * 300 = 19, 88 𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 ⇒𝐼 = 66, 267µ𝐴 + 19, 88 𝑚𝐴 = 19, 946 𝑚𝐴

𝐸
Por medio de ley de ohm sobre 𝑅𝐸 se halla el voltaje

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 * 𝑅𝐸 ⇒ 19, 946 𝑚𝐴 * 50 ⇒ 𝑉𝐸 = 0, 997𝑉

Como se sabe que:
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 ⇒ 𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐸𝐵 ⇒ 𝑉𝐵 = 0, 997𝑉 + 0, 7𝑉 = 1, 697𝑉
Por medio de ley de ohm se halla el voltaje 𝑅𝐶

𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐸 * 𝑅𝐶 ⇒ 19, 946 𝑚𝐴 * 200 ⇒ 𝑉𝑅𝐶 = 3, 98𝑉
Por lo que Vc seria igual a:

Vc=𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑅𝐶 ⇒9V-3,98V= 5,02V
comprobando que el transistor está en región activa
● 𝑉𝐵𝐸≥ VD,on ⇒0,7 ≥ 0,7

● 𝑉𝐶𝐸≥ 𝑉𝐵𝐸⇒𝑉𝐶 − 𝑉𝐸≥ 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸
⇒𝑉𝐶≥ 𝑉𝐵⇒ 5, 02𝑉 ≥ 1, 697𝑉
Por lo tanto se evidencia que el transistor Q1 tipo NPN está en región activa
Realizando la simulación en el Ltspice se obtiene los siguientes valores:
Para el caso de polarización simple:
se debe mantener 𝑉𝐵𝐸 = 0, 7𝑉donde para este caso 𝑉𝐸=0 , de modo

que 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 = 0. 7𝑉además Ic= 19, 88 𝑚𝐴
𝐼𝐶 19.88 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = β
= 300
= 66, 266µ𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 = 4, 023 𝑉
Para mantener estas condiciones :

𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵 9−0.7
𝑅𝐵 = 𝐼𝐵
= 66,266µ𝐴
=125,25 k Ω
𝑉𝐶𝐶−𝑉𝑐 9−4,023
𝑅𝑐 = 𝐼𝑐
= 19,88 𝑚𝐴
=250 Ω

Para el caso de Divisor Resistivo :
se debe mantener 𝑉𝐵𝐸 = 0, 7𝑉donde para este caso 𝑉𝐸=0 , de modo que
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 = 0. 7𝑉además Ic= 19, 88 𝑚𝐴
𝐼𝐶 19.88 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = β
= 300
= 66, 266µ𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 = 4, 023 𝑉
Para mantener estas condiciones :

𝑅𝐵 = 𝐼𝐵
= 66,266µ𝐴
=125,25 k Ω
𝑉𝐶𝐶−𝑉𝑐 9−4,023
𝑅𝑐 = 𝐼𝑐
= 19,88 𝑚𝐴
=250 Ω
se debe mantener 𝑉𝐵𝐸 = 0, 7𝑉donde para este caso 𝑉𝐸=0 , de modo que
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 = 0. 7𝑉además Ic= 19, 88 𝑚𝐴
𝐼𝐶 19.88 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = β
= 300
= 66, 266µ𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 = 4, 023 𝑉
Para mantener estas condiciones IR1>> IB, se toma un valor de 0,02 A:
𝐼𝑅1 ≈ 𝐼𝑅2
𝑅1 = 𝐼𝑅1
= 0,02 𝐴
=415 Ω
𝑉𝐵 0,7
𝑅2 = 𝐼𝑅2
= 0,0199 𝐴
= 35 Ω
𝑉𝐶𝐶−𝑉𝑐 9−4,023
𝑅𝐶 = 𝐼𝑐
= 19,88 𝑚𝐴
=250 Ω
Se debe desconectar la tensión 𝑉𝐺y conectar el terminal de puerta del transistor al

drenador. Se disminuye gradualmente el valor de la tensión 𝑉𝐷𝐷 = 6𝑉hasta obtener
una corriente de 1mA.

Se tiene que 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) = 𝑉𝑇𝐻 = 1, 833 𝑉, el cual está dentro del rango que
presenta el datasheet.
El siguiente paso es conectar nuevamente el circuito de acuerdo con el circuito que se

muestra al inicio del punto 2, teniendo en cuenta los valores de 𝑉𝐷𝐷 = 9𝑉, aumentar
𝑉𝐺desde 0V hasta obtener 𝐼𝐷 = 15 𝑚𝐴y verificar en qué región de operación se
encuentra el transistor.
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 * 𝐼𝐷 → 9𝑉 * 15𝑚𝐴 = 1, 35𝑉
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 * 𝑅 → 9𝑉 − 15𝑚𝐴(390Ω) = 8, 415𝑉
𝑉𝐷 > 𝑉𝐺 − 𝑉𝑇𝐻 + 2
De esta forma se puede comprobar que el transistor se encuentra operando en la
región de saturación
Ya que se conoce el valor de 𝐼𝐷y 𝑉𝑇𝐻, se puede obtener el valor de la constante K a
partir de la siguiente ecuación:
𝐼𝐷 15𝑚𝐴
𝐾= 2 → 2 = 0. 065mA/V^2
(𝑉𝐺𝑆− 𝑉𝑇𝐻) (1.35𝑉−1.83)
Ahora bien se hace el diseño, simulación e implementación de la polarización del

transistor mediante divisor resistivo y auto polarización.
- Divisor resistivo:
𝑉𝐺 = 2, 5 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑜𝑏𝑡𝑒𝑛𝑒𝑟 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 15 𝑚𝐴
(10*𝑅2)
2, 5 = (𝑅1+𝑅2)
𝑅1 = 5. 1𝑘 → 𝑅2 = 1, 2𝐾
- Autopolarización:
[5] alltransistors. (n.d.). 2N2907 Datasheet. 2N2907 Datasheet. Retrieved MARZO 5,
2021, from https://alltransistors.com/transistor.php?transistor=2578
[6] DIGIKEY. (n.d.). Enhancement Mode Field Effect Transistor. datasheets. Retrieved
MARZO 5, 2021, from https://datasheetspdf.com/pdf/575885/ONSemiconductor/BS170/1

[7] TIP42 Datasheet. (n.d.). TIP42 Datasheet. Retrieved marzo 3, 2021, from
https://alltransistors.com/transistor.php?transistor=46901
[8]S.A. (n.d.). Polarización de transistores y polarización de transistores. TUTORIALES
ELECTRONICA BASICA. Retrieved 3 5, 2021, from
http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/polarizacion-de-transistores
y.html#:~:text=Un%20estado%20de%20funcionamiento%20constante,un%20punto%20
e%20funcionamiento%20adecuado.
[9] Fransisco, J. (2018, Noviembre 21). La configuración Darlington de transistores
bipolares. Departamento de Electricidad-Electrónica Centro Integrado de Formación
Profesional Número Uno de Santander. Retrieved Marzo 05, 2021, from
https://cifpn1.com/electronica/?p=4280
[10] Gómez, E. (2017, Marzo 14). Transistor BJT autopolarizado. Rincon Ingieneril.
Retrieved 03 05, 2021, from
https://www.rinconingenieril.es/transistor-bjt-autopolarizado/
[11] ¿Qué es etapa de potencia? (n.d.). Diccionario Actual. Retrieved 03 11, 2021, from
https://diccionarioactual.com/etapa-de-potencia/

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PRÁCTICA N°3 Diseño y simulación de circuitos con transistores

1803830 JUAN SEBASTIAN NIÑO BARRAGÁN

1803796 LAURA CATALINA GONZÁLEZ MANCILLA.

Diseño y simulación de circuitos con transistores

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Descripción del Cambio Justificación del Cambio Fecha de

Modificación criterios de evaluación Claridad en la evaluación 2019/01/21

Modificación criterio de evaluación Nuevas metas ABET 2019/07/26

Modificación del desarrollo Nuevos problemas 2020/07/17

Diseño y simulación de circuitos con transistores

Diseño y simulación de circuitos con transistores

1. Transistor BS170 [5]:

El objetivo de la polarización del transistor es establecer un punto conocido

Se le denomina polarización fija o autopolarización

Diseño y simulación de circuitos con transistores

El transistor o configuración Darlington es un tipo especial de configuración

El montaje Darlington tiene algún reglas:

La palabra de etapa de potencia es de origen francés y su definición se puede

Diseño y simulación de circuitos con transistores

𝑉𝐸𝐵 = 0, 7 & β ≈ 300

Diseño y simulación de circuitos con transistores

𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 * β ⇒ 66, 267µ𝐴 * 300 = 19, 88 𝑚𝐴

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 ⇒𝐼 = 66, 267µ𝐴 + 19, 88 𝑚𝐴 = 19, 946 𝑚𝐴

Por medio de ley de ohm sobre 𝑅𝐸 se halla el voltaje

Diseño y simulación de circuitos con transistores

Por medio de ley de ohm se halla el voltaje 𝑅𝐶

Por lo que Vc seria igual a:

comprobando que el transistor está en región activa

● 𝑉𝐵𝐸≥ VD,on ⇒0,7 ≥ 0,7

Realizando la simulación en el Ltspice se obtiene los siguientes valores:

Diseño y simulación de circuitos con transistores

Para el caso de polarización simple:

Diseño y simulación de circuitos con transistores

se debe mantener 𝑉𝐵𝐸 = 0, 7𝑉donde para este caso 𝑉𝐸=0 , de modo

Para mantener estas condiciones :

Diseño y simulación de circuitos con transistores

Para mantener estas condiciones :

Diseño y simulación de circuitos con transistores

Se debe desconectar la tensión 𝑉𝐺y conectar el terminal de puerta del transistor al

Diseño y simulación de circuitos con transistores

El siguiente paso es conectar nuevamente el circuito de acuerdo con el circuito que se

Ahora bien se hace el diseño, simulación e implementación de la polarización del

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[5] alltransistors. (n.d.). 2N2907 Datasheet. 2N2907 Datasheet. Retrieved MARZO 5,

2021, from https://alltransistors.com/transistor.php?transistor=2578

MARZO 5, 2021, from https://datasheetspdf.com/pdf/575885/ONSemiconductor/BS170/1

Diseño y simulación de circuitos con transistores

[8]S.A. (n.d.). Polarización de transistores y polarización de transistores. TUTORIALES

ELECTRONICA BASICA. Retrieved 3 5, 2021, from

[9] Fransisco, J. (2018, Noviembre 21). La configuración Darlington de transistores

bipolares. Departamento de Electricidad-Electrónica Centro Integrado de Formación

Profesional Número Uno de Santander. Retrieved Marzo 05, 2021, from

Retrieved 03 05, 2021, from

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