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PROGRAMA ANALITICO DE ELECTRONICA II
CAPITULO 1
1-1 Electrónica de potencia

Introducción a la electrónica de potencia (Industrial). Historia breve. Esquema en
bloques de un convertidor de energía. Tipos de conversión de energía eléctrica por
medios electrónicos. Conversión de CA a CC no controlada. Conversión de CA a CC
controlada. Conversión de CA a CA (controladores de voltaje). Conversión de CC a CC
(pulsadores). Conversión de CC a CA (inversores). Interruptores estáticos. Dispositivos
semiconductores de potencia. Diodos de potencia, Transistores de potencia. Tiristores
de potencia. Características y especificaciones de los semiconductores de potencia.
Características de los interruptores electrónicos de corriente reales. Tiempos de
conmutación. Especificaciones de los interruptores semiconductores de potencia
suministrada por los fabricantes. Características de conducción y control de los
interruptores semiconductores. Pautas grales sobre el diseño de un equipo convertidor
de energía eléctrica. Efectos periféricos de los convertidores de potencia eléctrica.
Módulos de potencia. Módulos inteligentes.
CAPITULO 2
2-1 Tipos de diodos- conexión

Tipos de diodos de potencia. Caracteristica V-I. Polarización directa e inversa. Zona de
ruptura. Caracteristica de recuperación inversa. Tiempo de recuperación directa. Efectos
del tiempo de recuperación directa e inversa. Diodos estándar o de uso gral. Diodos de
recuperación rápida. Diodos Schottky. Diodos de carburo de silicio (SiC). Otros tipos de
diodos que se utilizaron como rectificadores de corriente. Especificaciones eléctricas y
térmicas suministradas por los fabricantes. Conexión paralelo de diodos. Colocación de
resistencias de equilibrio en serie. Apareamiento de las características directas.
Equilibrio de corrientes con reactores inductivos. Conexión serie de diodos. Régimen
estacionario. Régimen transitorio.
2-2 Circuitos rectificadores

Parámetros de rendimiento de los circuitos rectificadores. Parámetros de rendimiento en
la salida de los rectificadores. Tensión y corriente promedio. Tensión y corriente eficaz.
Factores de forma. Factores que determinan el contenido de armónicos de ca en la
tensión de salida. Factor de utilización. Eficiencia. Parámetros de rendimiento en la
entrada de los rectificadores. Factor de desplazamiento. Factor armónico. Factor de
potencia de entrada. Factor de cresta. Circuitos rectificadores. Rectificador monofàsico
de media onda. Rectificador bifásico de media onda. Rectificador monofàsico de onda
completa. Rectificador trifásico de media onda. Rectificador trifásico de onda completa.
Rectificador exafásico de media onda. Rectificador trifásico en doble estrella media
onda (con bobina de compensación). Rectificador trifásico de onda completa en estrella
triangulo. Análisis de un rectificador monofàsico de media onda con carga resistiva.
Análisis de un rectificador de media onda con carga RL Rectificador monofasica de
media onda con carga resistiva y voltaje eléctrico. Análisis armónico de la tensión de
salida para un rectificador monofasico de media onda. Rectificación monofasica de
onda completa con carga resistiva. Análisis de un rectificador monofasico en puente con
carga muy inductiva. Rectificador monofásico de onda completa con carga resistiva,
inductiva y tensión eléctrica. Conducción continua y discontinua. Rectificadores
polifásicos. Análisis del rectificador trifásico de media onda. Análisis del rectificador
exafásico de media onda. Análisis del rectificador trifásico de onda completa (en
puente). Análisis del rectificador exafásico a doble estrella de media onda. Perdidas en
los circuitos rectificadores. Perdidas en el cobre. Perdidas por caídas de tensión en los
diodos. Perdidas por procesos de conmutación.
CAPITULO 3
3-1 Tiristores
Tiristores. Características de funcionamiento y construcción. Modelo del tiristor con dos
transistores bipolares. Condiciones transitorias en el tiristor. Activación del tiristor.
Acción térmica. Acción de la luz. Aumento de la tensión aplicada. Variación de la
tensión aplicada (dv/dt). Por acción del transistor o corriente de compuerta.
Caracteristica tensión-corriente del tiristor (SCR). Caracteristica V-I de compuerta del
SCR. Características de activación y desactivación. Protección de la di/dt en los
tiristores. Protección contra la dv/dt. Tipos de tiristores. Tiristores controlados por fase.
Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT). Tiristores de conmutación rápida
(SCR). Tiristores fotoactivados (LASCR). Tiristores de tríodo bidireccional (TRIAC).
Tiristores de conducción en sentido inverso (RCT). Tiristores de apagado por
compuerta (GTO).Tiristores controlados por FET (FET-CTH).Tiristores de apagado por
MOS (MTO). Tirstores de apagado por emisor (ETO).Tiristores conmutados por
compuerta integrada (IGCT). Tiristores controlados por MOS (MCT). Tirstores de
inducción estática (SITH).
3-2 Circuitos de disparo tiristores

Circuitos de disparo de tiristores para los rectificadores controlados. Esquema en
bloques del circuito de disparo. Semiconductores especiales para generar pulsos de
disparo. Transistores de disparo y tiristores de disparo. Transistor unijuntura (UJT).
Oscilador de relajación con UJT. Sincronización de los osciladores de relajación.
Control manual para un convertidor CA a CC (rectificador controlado). Control
pedestal. Control pedestal y rampa exponencial. Control por pedestal y rampa
cosenoidal. Control de un rectificador semicontrolado monofasico con SCR y UJT.
Cálculos del circuito de disparo. Diseño practico de un circuito de disparo con UJT con
control pedestal y rampa cosenoidal. Adecuación de los circuitos de disparo para un
sistema de control realimentado. Transistor unijuntura programable (PUT). Generación
de pulsos de disparo con DIAC. Aislamiento y amplificación de los circuitos de disparo
de tiristores. Optoacopladores. Transformadores de pulso. Aislamiento y amplificación
de pulsos de corriente. Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador.
Generación de pulsos largos. Generación de tren de pulsos. Generación de tren de
pulsos con oscilador y compuerta AND. Protección en los circuitos de compuerta.
3-3 rectificadores controlados

Características de los rectificadores controlados. Clasificación por métodos de control y
por transferencia de energía. Rectificadores semicontrolados (1 cuadrante).
Rectificadores controlados completos (2 cuadrantes). Rectificadores controlados duales
(4 cuadrantes). Operación de un rectificador controlado de media onda con carga
resistiva. Rectificador monofásico en puente semicontrolado (carga altamente
inductiva). Análisis de un rectificador bifásico controlado de media onda. Convertidor
monofásico en puente totalmente controlado con carga inductiva. Convertidor
monofásico controlado de cuatro cuadrantes (convertidor dual). Convertidores
monofásicos en serie semicontrolado. Convertidor monofásico serie totalmente
controlado. Convertidores trifásicos controlados. Convertidor trifásico controlado de
media onda. Convertidor trifásico semicontrolado con diodo de marcha libre.
Rectificador trifásico en puente controlado completo. Mejoras al factor de potencia de
los rectificadores controlados. Control por ángulo de extinción. Control por ángulo
simétrico. Método para obtener un ángulo simétrico de encendido y apagado. Control
por modulación del ancho del pulso uniforme (PWM). Control PWM sinusoidal
monofásica. Otros métodos.
3-4 Rectificadores controlados realimentados

Rectificadores controlados realimentados. Diagrama en bloques clásico de un sistema
de control realimentado. Circuito practico de un rectificador controlado con tiristores
con control analógico. Análisis de un circuito practico comercial. Rectificadores
controlados realimentados con control por microprocesador o microcontrolador.
CAPITULO 4
4-1 Transistores de potencia para conmutación

Introducción. Tipos de transistores de potencia. Transistores bipolares de juntura (BJT).
Características en estado permanente. Calculo de las tensiones y corrientes en la
configuración emisor común. Características de conmutación del transistor bipolar.
Limites de conmutación. Pérdidas y disipación de potencia. Voltajes de ruptura.
MOSFET de potencia. Características en estado permanente. Características de
conmutación. Formas de ondas y tiempos de conmutación del MOSFET. El Transistor
COOLMOS. Características constructivas y ventajas respecto a los MOSFET. El
transistor SIT. Características constructivas y eléctricas. El transistor IGBT.
Características constructivas y eléctricas. Conexión serie y paralelo de los transistores.
Limitaciones por di/dt y por dv/dt.
4-2 Convertidores de CC a CC
Introducción. Principio de operación de los convertidores CC A CC reductores de
tensión. Operación a frecuencia constante. Operación a frecuencia variable. El
convertidor CC a CC reductor con carga R, L y FEM. Principio del convertidor CC a
CC elevador de tensión. Principio del convertidor de CC a CC inversor. Clasificación de
los convertidores de CC a CC según transferencia de energía. Convertidor de 1º
cuadrante. Convertidor de 2º cuadrante. Convertidor de 1º y 2º cuadrante. Convertidor
de 3º y 4º cuadrante. Convertidor de cuatro cuadrantes. Los reguladores de CC en modo
de conmutación. Regulador de conmutación reductor. Circuito básico de control para el
regulador de conmutación reductor con amplificadores operacionales. Reguladores de
conmutación de CC con circuitos integrados.
4-3 Inversores
Introducción. Inversores de baja potencia. Configuración básica de un inversor con
transformador en contratase (medio puente). Circuito inversor con dos transistores y dos
transformadores. Inversores con excitación independientes sin núcleo saturable.
Inversor en contrafase con transformador con modulación por ancho de pulsos múltiple.
Inversores para aplicación a frecuencia industrial. Circuito inversor de medio puente.
Parámetros de rendimiento de los inversores. Factor armónico de la enésima
componente (HFn). Distorsión armónica total (THD). Factor de distorsión (DF).
Armónico de menor orden (LOH). Circuito inversor monofásico en puente. Inversores
trifásicos. Inversor trifásico con inversores monofásicos. Puente inversor trifásico con
seis interruptores. Conducción a 180º. Conducción a 120º. Control de voltaje de salida
de los inversores. Modulación por ancho de un solo pulso. Modulación por ancho de
pulsos múltiples. Modulación por ancho de pulso senoidal. Modulación por ancho de
pulso senoidal modificado. Control por desplazamiento de fase. Análisis de armónicos
del voltaje de CA de salida. Técnicas avanzadas de modulación. Técnicas de
modulación en circuitos inversores trifásicos.
CAPITULO 5
5-1 Convertidores de CA a CA
Convertidores de CA a CA. Método de control de encendido y apagado (todo o nada).
Método de control por fase. Cicloconvertidores trifásicos. Controladores de voltaje de
ca con control PWM Control por fase bidireccional. Controlador de ca monofásico con
cátodo común. Controlador de ca monofásico con un tiristor o un transistor.
Controladores monofásicos con cargas inductivas. Controladores trifásicos de onda
completa. Cicloconvertidores. Principio de funcionamiento de los cicloconvertidores
monofásicos.
5-2 Interruptores estáticos

Convertidores de CA a CA. Método de control de encendido y apagado (todo o nada).
Método de control por fase. Cicloconvertidores trifásicos. Controladores de voltaje de
ca con control PWM Control por fase bidireccional. Controlador de ca monofásico con
cátodo común. Controlador de ca monofásico con un tiristor o un transistor.
Controladores monofásicos con cargas inductivas. Controladores trifásicos de onda
completa. Cicloconvertidores. Principio de funcionamiento de los cicloconvertidores
monofásicos.
CAPITULO 6
6-1 Protección de los semiconductores

Protección de los semiconductores. Introducción. Factores extremos. Protección de los
semiconductores a la temperatura. Disipación de la potencia eléctrica en los dispositivos
semiconductores. Limitación de la temperatura promedio en la juntura. Potencia
eléctrica pérdida y disipada en los diodos y tiristores de los convertidores. Método
grafico analítico para determinar la potencia perdida en un diodo. Cálculo de la potencia
perdida directa en un diodo utilizando su representación lineal por tramos. Obtención de
la potencia perdida en diodos y tiristores mediante gráficos. Disipadores de calor para
semiconductores. La resistencia térmica de contacto. Cálculo del disipador.
Determinación resistencia térmica para disipadores con aletas. Impedancia térmica
transitoria en los semiconductores de potencia. Protección de diodos y tiristores frente a
sobrecorrientes y cortocircuitos. Valores repetitivos y no repetitivos de corriente en los
semiconductores. Sobrecorriente transitoria. Constante subciclica I2t. Análisis de las
corrientes de falla. Selección de las protecciones para sobrecorrientes y cortocircuitos.
Sobrecargas lentas. Sobrecargas rápidas o cortocircuitos. Selección del fusible.
Protección de los transistores a las sobrecorrientes. Protección de los diodos y tiristores
contra las sobretensiones. Causas de las sobretensiones. Métodos empleados para la
protección contra las sobretensiones. Redes de amortiguamiento en paralelo con el
primario o secundario del trafo. Colocación de dispositivos de protección. Protección de
semiconductores con elementos en paralelo. Selección de semiconductores con
sobrecapacidad. Empleo de redes complejas para suprimir sobretensiones transitorias
del sistema de alimentación del convertidor.
CAPITULO 7
7-1 Arquitectura de los computadores

Funcionamiento de las computadoras. Esquema en bloques de sus subsistemas
principales. La unidad central de proceso. La unidad de memoria. Buses. Periféricos.
Procesamiento de datos en la computadora. Conceptos de programación. Diagramas de
flujo. Instrucciones. Códigos nemotécnicos. Bloques básicos que constituyen un
computador personal (PC). Esquema de bloques básicos de un sistema digital sincrónico
programable. Diagrama en bloques de la unidad de control (UC) en la Fase ejecución de
la instrucción. Operaciones de la unidad de control. La unidad aritmética y lógica UAL.
Diagrama en bloques de la UAL. La memoria principal del computador. Diagrama en
bloques de una unidad de memoria de lectura/escritura. Esquema de un circuito
integrado de una memoria de acceso al azar (RAM). Espacio de memoria de un
microprocesador. Secuencia de operación de las instrucciones. Fase de búsqueda y fase
de ejecución. Procesamiento interno de datos en lenguaje de unos y ceros en un
computador, utilizando el programa “Debug”. Procesamiento de datos en un
computador en lenguaje ensamblador, utilizando el programa “Debug”. La estructura
del “Ensamblador”. Los registros para programación.
7-2 Los microcontroladores

Introducción a los microcontroladores. Esquema interno. Diferencias entre un sistema
basado con microprocesador y microcontrolador. Recursos disponibles de los
microcontroladores. Bloques internos principales y auxiliares de los
microcontroladores. Arquitectura de Von Neuman y arquitectura Harvard. La memoria
de programa. La memoria de datos. Puertos de entrada/salida. Principales familias de
microcontroladores. Características especificas de los microcontroladores 16X84.
Diagrama de conexiones. El circuito oscilador. Características de los puertos de
entrada/salida de los microcontroladores PIC. Periféricos digitales para los puertos de
entrada/salida. Circuito de reinicialización o reset. Circuito practico con los elementos
básicos que se conectan a un microcontrolador. Programación de los
microcontroladores. Lenguajes de programación. Diagrama de flujo de las fases de
diseño con microcontrolador. Estructura del programa escrito en lenguaje ensamblador
con editor de textos de PC. Elementos del PIC16X84 para su programación. Registros
específicos (SFR) y de propósito general (GPR) PIC 16 F84. Configuración de los
puertos de entrada/salida. Set de instrucciones. La palabra configuración. Modo de
trabajo del microcontrolador. Programación del microcontrolador con entradas y salidas
exteriores. Resolución de automatismos combinacionales. Direccionamiento directo e
indirecto de la memoria de datos. Confección de programas con instrucciones de salto
condicional. Resolución de un automatismo lógico secuencial. Direccionamiento de la
memoria de programa. Proyecto con instrucciones que modifican el contador de
programa. Control de tiempos con los microcontroladores. El perro guardián (WDTE).
Interrupciones en los microcontroladores. La memoria de datos EEPROM. Modo de
reposo o bajo consumo. Uso de teclados y visualizadores. Resolución de diversos
proyectos.
CAPITULO 8
8-1 convertidores de señales digitales a analógico (DAC)
Convertidores de señales digitales a señales analógicas. Introducción. Proceso de
conversión. Factor de ponderación. Resolución del DAC. Convertidores DAC con
entradas en código BCB. Convertidores DAC bipolares. Circuitos empleados en los
convertidores DAC. DAC con resistencias ponderadas. DAC con resistencias
ponderadas con salida analógica de corriente. Convertidores DAC con resistencia en
escalera R/2R. Diagrama en bloques Gral. de los convertidores DAC prácticos.
Especificaciones de los DAC prácticos comerciales. Resolución. Exactitud. Error de
plena escala. Error de linealidad. Error de desplazamiento (offset). Tiempo de
establecimiento. Monotonicidad. Descripción de un DAC comercial. Aplicaciones de
los DAC. DAC seriales.
8-2 Convertidores de señales analógicas a digital

Convertidores de señales analógicas a digitales. Introducción. Teorema del muestreo.
Multiplexacion y demultiplexacion de señales digitales. Cuantificación y codificación.
Error de cuantificación. Codificación de la señal cuantificada. Sistemas empleados en la
conversión analógica / digital (ADC). Convertidor A/D con comparador en paralelo.
Convertidor A/D con rampa en escalera. Resolución y exactitud del convertidor A/D.
Tiempo de conversión. Convertidor A/D de aproximaciones sucesivas. Tiempo de
conversión del A/D de aproximaciones sucesivas. Convertidor A/D de rampa
ascendente y descendente en escalera. Convertidores A/D con integrador: Convertidor
A/D con rampa única. Convertidor A/D de rampa doble. Convertidor A/D de voltaje a
frecuencia. Descripción técnica del convertidor ADC0808. Aplicaciones de los
convertidores A/D: Voltímetro digital. Adquisición de datos con los convertidores A/D.
Microcontroladores con módulos A/D. Osciloscopio con almacenamiento digital
UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA
1-1 Introducción a la electrónica de potencia
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
INTRODUCCION A LA ELECTRONICA DE POTENCIA
La electronica de potencia combina tres desarrollos tecnológicos importantes: La

energía, La electrónica y el control
La energía, tiene que ver con los equipos de potencia estáticos (acumuladores) o
rotativos (generadores eléctricos), encargados de la generación primaria eléctrica, como
así también de su transmisión y distribución a los consumidores.
La electrónica, se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado sólido, requeridos en

el procesamiento de la “conversión” y “tratamiento” de las señales eléctricas para
cumplir con los objetivos del “control”.
El control, se encarga del régimen permanente y de las características dinámicas de los

sistemas de lazo cerrado.
La electronica de potencia, la podemos definir como la electronica de estado sólido para

el control y la conversión de la energía eléctrica.
La electrónica de potencia, se basa fundamentalmente en la conmutación de dispositivos
semiconductores de potencia y la generación de las señales eléctricas de disparo y
apagado de estos dispositivos, acorde a los requerimientos del “control.
Los desarrollos tecnológicos de los microprocesadores, ha tenido gran impacto sobre el
“control” y la “síntesis” de la estrategia de control para los dispositivos
semiconductores de potencia.
Un equipo electrónico de potencia moderno, en comparación al ser humano, podemos
decir que utiliza semiconductores de potencia, equivalente a los “músculos” y
“microelectrónica “, equivalente al “cerebro”.
La electronica de potencia, tiene variadas aplicaciones en la industria como ser en los
controles de calor, controles de iluminación, control de velocidad y par de motores de
corriente continua y alterna, sistemas de propulsión de vehículos, sistemas de corriente
continua de alto voltaje (HVDC), etc.
Historia breve de la electrónica de potencia
En 1900 aparece la válvula rectificadora de mercurio para rectificación; luego le sigue

el rectificador de tanque metálico, la válvula de vacío no controlada, la válvula de vació
controlada por rejilla, en sus variantes: Ignitrón, fanotron y Tiratrón, únicos dispositivos
que se utilizaron hasta 1950. En 1948 se inventa el transistor de silicio pnp y npn. En
1956 aparece el transistor de disparo pnpn que posteriormente se definió como tiristor o
rectificador controlado de silicio. En 1958, La General Electric (GE) desarrolló
comercialmente el SCR (rectificador de potencia controlado de silicio). A partir de
1970, comienza a escala comercial el desarrollo de los circuitos integrados y nuevos
semiconductores de potencia.
Desde fines de los años 1980 y principios de los noventa, la combinación de los
dispositivos semiconductores de potencia y la microelectrónica, a través de los
microcomputadores (con microprocesadores) y microcontroladores, la electronica de
potencia adquiere mucha importancia, a través de sus aplicaciones en el mundo
moderno
A continuación, daremos como primer ejemplo de aplicación de la electronica de
potencia, un esquema general, en bloques, de un convertidor de energía eléctrica:
___________________________________________________________________ 1
Apunte de cátedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Actuador
Fuente Electro
Primaria Filtro para Transformador
mecánico la De potencia
De energía y
eléctrica corriente
protección de entrada
primaria
Central de Fuente de Protección

alarmas alimentación de semiconductores
luminosa,acustica tensión continua (∆T,U>>,I>>,
pantalla de PC para circuitos dv/dt, di/dt)
electrónicos
Actuadores Filtro para CONVERTIDOR DE

electromecánicos la tensión POTENCIA CON
y protección de salida SEMICONDUCTORES
secundaria
Sistema aislacion eléctrica

controlado circuito de
(motor cc,ca, control
Horno elect.
Iluminac,etc
Generación
Pulsos de
Disparo
Transductor semiconductores
de la
variable
controlada
SISTEMA DE
CONTROL
Analógico con AO o
digital programado
Lazo de control
Procesamiento Señal de
Energia eléctrica referencia de
control
___________________________________________________________________ 2
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
CONVERTIDORES DE ENERGIA ELECTRICA CON SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA (CIRCUITOS BASICOS)
Convertidor de CA a CC (rectificadores no controlados):

Convierten la energía eléctrica de
corriente alterna en energía de corriente continua. Cuando se utilizan diodos, el valor de
la tensión CC de salida, esta determinada por el valor de la tensión de entrada. A estos
convertidores también se les denomina “rectificadores no controlados.
ve
vo
-ve ve vo
Convertidor de CA a CC (rectificadores controlados:
En este caso, el valor de la tensión continua de salida y la potencia eléctrica convertida,

puede ser controlada, variando el tiempo de conmutación de los semiconductores
interruptores. En el dibujo, vemos un rectificador controlado con tiristores del tipo
“SCR”.
___________________________________________________________________ 3
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ve
vo
-ve ve vo
Convertidor de corriente alterna a corriente alterna (controladores de voltaje)
Estos convertidores convierten una tensión alterna de valor eficaz fijo, en una tensión
alterna de valor eficaz variable y controlable. Como ejemplo básico, presentamos un
circuito que utiliza como interruptor bidireccional un tiristor del tipo “TRIAC”. Estos
convertidores se les denomina también “controladores de voltaje”. Aplicaciones típicas
de esta conversión pueden ser como arrancadores de motores de ca., control de
iluminación, etc. El control de la tensión eficaz de salida, para este caso, se logra
variando el ángulo de conducción del interruptor semiconductor.
ve vo ve
vo
Convertidor de corriente continua a corriente continua (pulsadores)
Estos convertidores, denominados también como “pulsadores o reguladores de tensión

continua por conmutación”, el voltaje promedio de la salida, se controla mediante la
variación del tiempo de conducción “t1” respecto al periodo “T”. El siguiente dibujo,
nos muestra un convertidor básico, realizado con un transistor bipolar de potencia. La
___________________________________________________________________ 4
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
tensión continua de salida, dependerá del tiempo “t1”, cuya relación con el periodo, esta
dado por t1= δ.T, siendo “δ”, la relación del ciclo del convertidor. Si calculamos el
valor de la tensión de salida, esta resulta:
Vo(promedio) = δ. Ve
Vbe
Ve
Vo
vo
t
0
t1 T
Convertidores de corriente continua a corriente alterna (inversores)
Estos convertidores, convierten una fuente de tensión continua, en una fuente de

corriente alterna Se les denomina a estos convertidores, “inversores”
___________________________________________________________________ 5
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
vg1
vg2
t
T/2 T
vg3
vg4
t
vo
Vcc
t
-Vcc
En el caso del circuito presentado, en el tiempo, desde cero a T/2, se hacen conducir los
transistores de efecto de campo (MOS) M1 y M2. a partir de T/2, se cortan M1 y M2 y
se hacen conducir a M3 y M4, obteniéndose sobre la carga “RL” una corriente alterna.
En el tiempo T nuevamente se repite el ciclo de conducción de los interruptores “MOS”.
Este convertidor tiene varias aplicaciones siendo una de ellas, controlar la velocidad de
motores de ca.
Interruptores estáticos
Se utilizan para interrumpir corriente alterna o corriente continua en aplicaciones “todo

o nada”, en forma similar como lo hacen los interruptores electromecánicos o
contactores.
ve
t
vo t1
___________________________________________________________________ 6
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En el circuito simplificado, tenemos dos SCR que actúan como interruptores. La
conmutación (cierre y apertura) se hace en el cruce por cero de la tensión de entrada. La
grafica muestra la tensión de entrada y salida donde hasta el tiempo t1, los SCR se
alternan en su conducción de manera tal que sobre la carga, prácticamente la tensión
“vo” es prácticamente igual a “ve”. A partir de t1, ambos SCR dejan de conducir y la
tensión sobre la carga pasa a valer cero volt
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Los denominados genéricamente “tiristores convencionales”, desde su aparición (1957)

y hasta 1970, fueron los protagonistas principales, en las aplicaciones de conversión de
la energía eléctrica, por medios electrónicos. A partir de este año, comenzaron a
desarrollarse varios tipos de semiconductores de potencia. Estos, fueron fabricados en el
material de “silicio”. Actualmente estos, se están desarrollando en carburo de silicio,
dado sus mejores prestaciones eléctricas.
En términos generales, los dispositivos semiconductores de potencia, que se utilizan
como interruptores, en los convertidores, se los clasifica en tres grandes grupos que son:
DIODOS DE POTENCIA, TRANSISTORES DE POTENCIA, y TIRISTORES
DE POTENCIA.
DIODOS DE POTENCIA:
a)-De uso gral a frecuencia industrial
b)-De alta velocidad o de recuperación rápida.
c)- De juntura Schottky o metal-semiconductor
d)-De carburo de silicio.
TRANSISTORES DE POTENCIA:
a)-Bipolares (BJT)
b)-Efecto de campo de puerta aislada (MOSFET).
c)-Bipolares de compuerta aislada (IGBT)
d)-De inducción estática (SIT)
e)-COOLMOS (nueva tecnología Mosfet)
TIRISTORES DE POTENCIA:
a)- Controlados por fase (SCR)
b)-Bidireccionales controlados por fase (BCT)
c)-De conmutación rápida (SCR)
d)-De conmutación rápida asimétrico (ASCRS) o de conducción en sentido inverso
(RCT)
e)- Controlados de silicio fotoactivados (LASCR)
f)-De tríodo bidirecional (TRIAC)
g)-De apagado por compuerta (GTO)
h)-Controlados por FET (FET-CTH)
i)-De apagado por MOS (MTO)
j)-De apagado por emisor (ETO)
k)-Conmutados por compuerta integrada (IGCT)
___________________________________________________________________ 7
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
l)-Controlados por MOS (MCT)
m)-De inducción estática (SITH)
CARACTERISTICAS Y ESPECIFICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES

DE POTENCIA
La electrónica de potencia, utiliza semiconductores que trabajan como interruptores de

corriente eléctrica. Dada la diversidad de estos dispositivos, estos, tendrán ventajas y
desventajas para una determinada aplicación. Esto define para su comparación,
características particulares en los interruptores semiconductores de potencia.
Características ideales
1)- Estando cerrado, debe tener:

a) La capacidad para conducir grandes corrientes (infinito, IF=∞).
b) Caída de voltaje baja (Von=0).
c) Baja resistencia a la conducción (Ron=0). Esta baja resistencia eléctrica, provocara
baja potencia de perdida en el semiconductor (Pon=0)
2) Estando abierto debe tener:

a) La capacidad de soportar un voltaje alto en directo y o inverso (VBR), que tienda a
infinito.
b) Una baja corriente de fuga (Ioff) en estado abierto, tendiendo a cero.
c) Una gran resistencia en estado abierto (Roff), que tienda a infinito.
3) En el proceso de cierre y apertura, lo debe hacer en forma instantánea lo que le

permita trabajar en alta frecuencia de conmutación, por lo tanto debe tener:
a) Tiempo corto de demora (td=0).
b) Tiempo corto de subida (tr=0).
c) Tiempo corto de almacenamiento (ts=0)
d) Tiempo corto de caída (tf=0).
4) Para el cebado y apertura debe necesitar:

a) Baja potencia de activación de compuerta (Vg=0).
b) Baja corriente de activación de compuerta (Ig=0)
5) El interruptor debe ser capaz de manejar grandes variaciones del voltaje aplicado en
sus extremos (dv/dt= ∞)
6) El interruptor debe ser capaz de soportar grandes variaciones de la corriente

circulante que la atraviesa ( di/dt=∞)
7) El interruptor debe ser capaz de soportar corrientes de falla durante un tiempo largo
por lo que los valores de IFS y I2.t deben ser muy alto (∞).
8) El interruptor debe poseer un coeficiente térmico negativo para la corriente

conducida, para permitir la conexión en paralelo por igualación de la corriente entre los
dispositivos conectados.
9) El interruptor debe ser de bajo costo que permita construir convertidores de bajo
precio.
___________________________________________________________________ 8
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
CARACTERISTICAS DE LOS INTERRUPTORES ELECTRONICOS REALES
Tiempos de conmutación
Vsw
VCC
Vsw(sat)
t
t. enc. t. apag.
Isw
Isw(sat)
Isw(off)
t
td tr tn ts tf to
Ig
IGS
0 t
vG Ts=1/fs
VGS
0 t
Psw
___________________________________________________________________ 9
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
El dibujo anterior, muestra las variaciones temporales de la tensión, corriente y

disipación de potencia, de un dispositivo interruptor semiconductor controlado, cuando
se lo excita en su compuerta por una fuente de señal Vg. En ella se determinan los
siguientes tiempos:
td: tiempo de demora

tr: tiempo de subida
t.enc.= td + tr : tiempo de cerrado o encendido
ts : tiempo de almacenamiento
tf : tiempo de bajada
t.apag.=td + tf : tiempo de apertura o apagado
La potencia disipada del interruptor, durante la conmutación vale:
Psw = 1/Ts.( ∫tr p.dt + ∫tfp.dt)
Es la suma de la potencia disipada durante el encendido y la potencia disipada en la

apertura.
Pcerrado =1/Ts.(∫tn+tsp.dt) : potencia disipada promedio durante el tiempo que esta cerrado.
Pabierto = 1/Ts.(∫to+tdp.dt) : potencia disipada promedio durante el tiempo que esta abierto
PG = 1/Ts.(∫td+tr+tnp.dt) : potencia promedio disipada en la compuerta.
La potencia total disipada por el dispositivo interruptor vale:
PT = Psw + Pcerrado +Pabierto +PG
Especificaciones de los interruptores semiconductores suministradas por los

fabricantes
Capacidades de voltaje :
Voltajes pico repetitivos directo e inverso y caídas de
voltaje directo en estado cerrado.
Capacidades de corriente:
Corriente promedio, eficaz (rms), de pico repetitivo, de
pico no repetitivo y de fuga en estado abierto.
Velocidad o frecuencia de interrupción:

Representa la máxima frecuencia que el
dispositivo puede conmutar. Esta relacionado con el tiempo de recuperación inversa. Su
valor esta dado por:
Fs = 1/Ts = 1/ (td+tr+to+tn+ts+tf)
___________________________________________________________________ 10
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Capacidad de di/dt:
El dispositivo necesita un tiempo mínimo para que toda la
superficie conductora intervenga para conducir la corriente. Si la corriente aumenta con
rapidez, el flujo de corriente podría concentrarse en ciertas regiones puntuales del
semiconductor, creando tensiones térmicas que podrían dañar el dispositivo. La di/dt se
limita, conectando en serie con el semiconductor un pequeño inductor, denominado
“amortiguador serie”.
Capacidad de dv/dt:
Los semiconductores tienen capacitancias internas en las junturas
(Cj). Si el voltaje aplicado en sus extremos cambia rápidamente según una dv/dt, puede
ocasionar corrientes altas en estas capacidades (Cj.dv/dt) que pueden destruir al
interruptor. La dv/dt se limita, conectando en paralelo con el interruptor, un circuito
“RC”, denominado “amortiguador paralelo”.
Perdidas por conmutación:

Son las originadas durante el proceso de cierre y apertura
del interruptor. A mayor frecuencia de conmutación, estas perdidas aumentan, pudiendo
ser mayores que las perdidas cuando el dispositivo conduce.
Requisitos de activación de compuerta:

Son parámetros necesarios para encender y
apagar al interruptor. Ademas fija los requisitos del equipo de excitación de la
compuerta del interruptor; en ocasiones, si la energía de excitación es elevada, los
costos del circuito de excitación pueden ser mas altos que el equipo conversor.
Área de operación segura (SOA):

Esta relacionado a la máxima disipación de
energía que el dispositivo puede soportar. Pdmax=V.I ≈ cte. En esta zona, por lo tanto,
la corriente debe ser inversamente proporcional a la tensión.
I2.t para protección con fusible:

Este parámetro se necesita para seleccionar el
fusible de protección. La I2.t del semiconductor debe ser mayor que la del fusible de
protección, para que el interruptor semiconductor quede protegido cuando se den
condiciones de falla.
Temperaturas:
Se determinan las máximas de las junturas , carcaza y de
almacenamiento (≈ 150º a 200ºC ) (almac. -50º a 150ºC).
Resistencias térmicas:
Dan los valores de las resistencias térmicas entre juntura y
base de montaje, base de montaje y radiador y resistencia térmica de los disipadores. En
los interruptores con semiconductores, para limitar la temperatura, se montan sobre
radiadores (disipadores de calor), para eliminar el calor generado en las junturas del
dispositivo. Los fabricantes suministran datos de resistencias térmicas promedio y
transitorias.
___________________________________________________________________ 11
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Características de conducción y control de los interruptores semiconductores
1)-Activación y desactivación sin control:(Diodos)
2)-Activación controlada y desactivación sin control: (SCR—TRIAC—RCT –LASCR

FET-CTH).
3)-Activación y desactivación controladas: (BJT—MOSFET—GTO—SITH—IGBT—

SIT—MCT)
4)-Requisito de señal continua en compuerta: (BJT—MOSFET—IGBT—SIT)
5)-Requisito de pulso en la compuerta: (SCR—GTO—TRIAC—RCT—SITH—

LASCR—MCT—FET-CTH)
6)- Capacidad de soportar voltajes bipolares: (SCR—GTO—TRIAC—SITH)
7)-Capacidad d resistir voltajes unipolares: (BJT—MOSFET—IGBT—MCT—SIT)
8)-Capacidad de corriente bidireccional:( TRIAC—RCT—BCT)
9)-Capacidad de corriente unidireccional:( SCR—GTO—BJT—MOSFET—MCT—

IGBT—SITH—SIT—DIODO).
Pautas grales sobre el diseño de un equipo convertidor de energía eléctrica
Definido el tipo de convertidor requerido, los pasos a seguir para su diseño o a los
efectos su selección, son los siguientes:
1)- Determinación de las condiciones de trabajo, partiendo de las condiciones de:

a- Valor y tipo de tensión sobre la carga.
b- Valor y tipo de corriente sobre la carga
c- Potencia eléctrica a convertir.
d- Tipo de carga como ser resistiva, inductiva, capacitiva, con FCEM o combinación de
ellas.
2)- Selección del circuito convertidor
3)- Selección del tipo de interruptores semiconductores a utilizar en el circuito

convertidor.
4)- Selección de las características eléctricas de los interruptores semiconductores, por

medio de los cálculos eléctricos.
5)-Calculo y selección de la protección de los interruptores semiconductores, fuente de

alimentación y carga.
6)- Determinación de la estrategia de control.
7)- Diseño de los circuitos de excitación, y circuitos de control o mando.
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Efectos periféricos de los convertidores de potencia eléctrica
Interferencia
electromagnética
Fuente Convertidor
de Filtro de Filtro Carga
salida De de salida
Energía potencia
Excitación
y generación
señales
de control
La operación de los convertidores están basados en la conmutación de los interruptores

semiconductores. Como resultado de estas conmutaciones, se producen armónicos tanto
en la carga como en la fuente de energía primaria, provocando distorsiones de voltajes
que son perjudiciales a otros equipos conectados al sistema de alimentación. Estos
equipos también pueden provocar interferencias en equipos de comunicaciones y
señalización, por la generación de señales de radiofrecuencia. La cantidad de estas
distorsiones se miden en función de factores como: “Distorsión armónica total” (THD),
“Factor de desplazamiento” (HF). “Factor de potencia” (IPF), “factor de rizado” etc.
La disminución de esta distorsiones se puede lograr utilizando filtros tanto en la entrada
como en la salida. También se puede lograr una disminución, actuando sobre “la
estrategia de control”. En lo referente a la emisión de radiofrecuencias interferentes,
estas se pueden disminuir con blindajes metálicos conectados a tierra.
Módulos de potencia
Los dispositivos interruptores de semiconductores, se pueden conseguir comercialmente

como unidades aisladas o como módulos. Un convertidor, requiere de dos, tres, cuatro,
seis o más de éstos semiconductores, dependiendo del tipo de circuito utilizado para
realizarlo. Los módulos de potencia, duales (semipuente) cuádruples (puente total) o
séxtuples (puente trifásico completo), se pueden disponer para la casi todas las clases de
dispositivos semiconductores. Estos módulos tienen la ventaja de menos pérdida en
estado de conducción, buenas características de conmutación para altas tensiones y
corrientes, con mayor velocidad de conmutación que los dispositivos convencionales.
También es posible disponer comercialmente de módulos que incluyen la protección
contra los transitorios y los circuitos de excitación.
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Módulos inteligentes
En la actualidad, es posible disponer comercialmente de los denominados “módulos

inteligentes” o de “potencia astuta”. Son sistemas convertidores, con una electronica de
potencia avanzada, que integran el “modulo de potencia” y el “circuito periférico”. El
circuito periférico, esta compuesto por el circuito de excitación, el sistema de
aislamiento para las señales de excitación, el circuito de protección y diagnostico
(contra exceso de corriente, cortocircuito, carga abierta, sobrecalentamiento y exceso de
voltaje), el sistema de control por microcomputadora, una fuente de corriente de control
y un circuito para interconectar sensores para protección. Los usuarios, solo deben
conectar las fuentes de poder externas (flotantes). La tecnología de los módulos
inteligentes, puede considerarse como un solo bloque, que conecta la fuente de poder a
cualquier carga.
Respecto a la detección y protección, esta implementada con circuitos analógicos, con
transistores de alta velocidad y amplificadores operacionales, con el fin de proporcionar
un ciclo rápido de realimentación, que permita la suspensión del funcionamiento del
modulo, cuando las condiciones de operación del sistema, se salen de las condiciones
normales. Por ejemplo, se vigila constantemente la corriente de carga y si se sobrepasa
un límite preestablecido, se corta el voltaje de excitación a los semiconductores
interruptores. Lo mismo ocurre ante elevaciones excesivas de la temperatura, evitando
de esta forma las fallas destructivas.
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2-1 Tipos de diodos, conexión de diodos
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DIODOS Y RECTIFICADORES NO CONTROLADOS
DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Los diodos semiconductores, son dispositivos de dos terminales, denominados ánodo y

cátodo. Se los utiliza como interruptores, permitiendo la conducción eléctrica en un
solo sentido. Tiene aplicaciones en los convertidores de “ca” a “cc”(rectificadores),
diodo de marcha libre, reguladores conmutados, inversor de carga de capacitores,
transferencia de energía entre componentes, aislamientos de voltajes, retroalimentación
de la carga a la fuente de energía y recuperación de la energía atrapada.
Los diodos de potencia, básicamente son de tres tipos: De propósito gral, de alta
velocidad, y de Schottky. Se los construye en silicio, de masiva aplicación comercial y
carburo de silicio, todavía con aplicaciones comerciales limitadas
Diodos semiconductores
silicio Carburo
De silicio
Diodo Diodo
Schottky Schottky
Diodo Diodo
Epitaxial JBS
(PIN)
Diodo Diodo
doble PIN
difusión
(PIN)
En los diodos de potencia, entre otros, tres son los parámetros que influyen en mayor
medida, cuando es necesario realizar su selección, para su uso en un convertidor de
potencia: La máxima tensión inversa, la máxima corriente directa y el tiempo de
recuperación inversa. La máxima tensión inversa esta relacionada a la tensión inversa
que soporta el diodo, en determinado tiempo dentro del ciclo de conversión, si que
provoque su destrucción. La máxima corriente directa, es la corriente que circula por el
diodo, en condiciones que su valor promedio o pico, no supere la temperatura máxima
permitida en su juntura. Finalmente el tiempo de recuperación inversa, esta relacionado
a la máxima frecuencia de conmutación que puede soportar un diodo en un circuito
convertidor, limitada, por exceso de temperatura y corriente pico inverso.
___________________________________________________________________ 1
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Característica tensión–corriente de los diodos
Ánodo Cátodo Símbolo

P N
V+ V+
i i
-VBR
v v
Características. V-I real Características. V-I ideal
El diodo es un dispositivo de unión “pn”, con dos terminales (ánodo y cátodo), La unión
“pn” se puede formar por tres métodos: Aleación, Difusión y crecimiento epitaxial. En
los diodos de potencia se utilizan los dos últimos métodos. Cuando el Terminal de
ánodo esta polarizado positivamente, respecto al cátodo, se dice que esta polarizado en
directo y puede circular una gran corriente con una caída de tensión baja. El valor de
esta caída de tensión dependerá del método de construcción de la juntura y de su
temperatura. Cuando al diodo se lo polariza “en inversa”, ánodo negativo, respecto al
cátodo, la corriente que circula es muy baja (corriente de fuga o de perdidas) del orden
de los micro o miliamperes. Si se aumenta la tensión inversa aplicada, la corriente de
fuga comienza a incrementarse, hasta que se llega a un voltaje de avalancha o zener, que
puede destruir la unión pn.
La característica tensión .corriente, se puede expresar por medio de la ecuación de
“Schockley”:
ID = IS.( eVD/n.VT-1)
VD = tensión aplicada en los terminales del diodo

ID = corriente que circula por el diodo
IS = corriente inversa, de fuga o perdida, del orden de 10-6 a 10-15 Amper
n = constante empírica, llamada”coeficiente de emisión o factor de idealidad”, cuyo
valor varia de 1 a 2. Para diodos de Ge, su valor es 1 y para los de Si, su valor teórico es
2. Para los diodos prácticos de Si, su valor esta comprendido entre 1,1 y 1,8.
___________________________________________________________________ 2
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VT = K.T / q se le denomina “voltaje térmico” donde:
K = Cte. De Boltzman = 1,3806 x 10-23 joules / grados Kelvin

q = carga del electrón = 1,6022 x 10-19 Culombios
T = temperatura absoluta en grados Kelvin ( 273 + ºC)
Por ejemplo a 25ºC VT = 25.8 mv.
La característica V-I del diodo, permite distinguir tres zonas: Zona de polarización
directa (para VD >0), zona de polarización inversa (para VD < 0) y zona de ruptura
para (para -VD <-VBR).
Polarización directa:
En esta zona, la corriente del diodo es muy pequeña, si la tensión en sus extremos no
supera un determinado valor, denominado tensión umbral (≈0,5 a 0,65 volt).Por ejemplo
si en la ecuación anterior, hacemos VD = 0,1 volt, n = 1 y VT = 25.8 mv la corriente del
diodo resulta ID = 48,23 IS . De allí que para valores superiores a 0.1 volt la ecuación
anterior se puede aproximar a:
ID = IS.( eVD/n.VT )
Para valores de la tensión del diodo superiores a la tensión umbral, la corriente crece
rápidamente haciendo que la caída de tensión del diodo, varié entre 0,7 a 1,2 voltios
En conducción directa la caída de tensión del diodo varia en forma inversa con la
temperatura en aproximadamente dv/dt ≈ -2,5 mv/ºC
Polarización inversa:
En esta zona, la tensión del diodo es negativa VD < 0, e ID = -IS.≈ cte. La corriente
inversa que es prácticamente constante hasta casi la tensión de ruptura VBR, varia
aproximadamente 7%/ºC, tanto para los diodos de Si. como Ge. Esto nos dice que la
corriente inversa se duplica con cada 10ºC de aumento de la temperatura.
Zona de ruptura:
La corriente inversa IS , esta formada por los portadores minoritarios generados
térmicamente, y la corriente superficial. Con tensión inversa elevada, los portadores de
esta corriente son acelerados a gran velocidad, adquiriendo suficiente energía como para
provocar impactos ionizantes. Esto da lugar a un aumento de portadores, con un efecto
multiplicador que provoca un aumento de la corriente inversa en forma casi ilimitada y
que puede provocar la ruptura de la juntura, si no se toman limitaciones. Este proceso se
denomina ruptura por avalancha. La tensión inversa a la cual comienza a producirse este
fenómeno, se denomina VBR. A partir de este valor, la corriente inversa crece
rápidamente. La operación del diodo en la zona de ruptura no será destructiva, siempre
y cuando la disipación de potencia este dentro de ciertos limites seguros, dados por el
fabricante. En los diodos de potencia, para aumentar esta tensión de ruptura, se los
construye en tres capas “n+p p+ “, y la pastilla, a los efectos de mejorar la distribución
del potencial eléctrico en la superficie, se la construye con los bordes biselados (estos
diodos se les llama "de avalancha controlada").
+ + p+
n p p p
n+
___________________________________________________________________ 3
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Característica de recuperación inversa

Cuando un diodo tiene polarizacion directa, se produce una gran concentración de
portadores minoritarios, a ambos lados de la juntura y en el material del cuerpo
semiconductor. Cuando el diodo esta con polarizacion inversa, los portadores de carga
minoritarios, se alejan de la juntura, dejando la denominada “región de la carga espacial
no neutralizada” (iones de la estructura cristalina de los átomos). Por lo tanto, cuando un
diodo esta en conducción directa y su corriente se reduce a cero ( debido al
comportamiento del circuito externo o a la aplicación de un voltaje externo), el diodo
continua conduciendo, debido a los portadores almacenados en la juntura “pn” y el
material. Semiconductor, requiriéndose un tiempo para que estos se recombinen con
cargas opuestas y desaparezcan. Este tiempo se conoce como “tiempo de recuperación
inversa del diodo, trr”.
trr
trr
IF IF
ta
ta
t1 t2 t
t
0,25 Irr
tb
Irr tb
Recuperación suave Recuperación abrupta
Las graficas muestran la variación de la corriente del diodo para dos diferentes tipos de
juntura, donde se definen las siguientes corrientes y tiempos:
trr : Tiempo de recuperación inversa. Se mide desde el momento que la corriente pasa
por cero hasta el 25% de la corriente inversa máxima “Irr”. Su valor, esta dado por dos
tiempos parciales trr = ta + tb donde:
ta: Esta originado por el almacenamiento de cargas en la zona de la juntura.
tb: Es el tiempo de almacenamiento en el cuerpo del semiconductor
tb/ta: se le denomina factor de suavidad.
Vamos a relacionar a continuación la relación entre estos parámetros.

Si tenemos en cuenta la variación de la corriente durante el tiempo “ta”, podemos
expresar como:
di/dt= Irr / ta despejando la corriente resulta:
Irr = ta. di/dt ≈ trr. di/dt (1) si hacemos trr = ta+tb ≈ ta
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La carga de recuperación inversa “Qrr” es la cantidad de portadores de carga que fluye a
través del diodo, en dirección inversa, debido a un cambio de la conducción directa a la
condición de bloqueo inverso. Este valor, queda determinado por el área encerrada por
la trayectoria de la corriente de recuperación inversa:
t2
Qrr = ∫ i(t) dt ≈ área encerrada de un triangulo de base “trr” y altura Irr :
t1
Qrr ≈ 1/2 . Irr . trr despejando “Irr” nos queda.
Irr = 2. (Qrr/trr) (2)
Igualando (1) y (2)
2. (Qrr/trr) =trr. di/dt despejando el tiempo “trr” tenemos:

____________
trr = √ (2.Qrr) / di/dt Si a este valor lo reemplazamos en la expresión (1) tenemos:
__________
Irr = √ 2.Qrr. di/dt
El tiempo de recuperación inversa “trr” y la corriente de recuperación inversa de

pico”Irr “ dependen de la carga almacenada “Qrr” y de la variación de la corriente
inversa.. Por otro lado, la carga almacenada, depende del tipo de diodo y de la corriente
directa “IF” en el momento previo a la conmutación.
Los fabricantes de diodos, suministran curvas que muestran la dependencia de “Qrr” y
“trr” con di/dt y la corriente directa “IF”.
La energía puesta en juego en la recuperación vale:
W = Qrr.Vr, donde Vr es la tensión inversa después de la recuperación
En régimen periódico de conmutación la potencia consumida vale:
P = W / T = Qrr . Vr . f
Esta potencia es importante tenerla en cuenta a los efectos de su disipación.
Tiempo de recuperación directa de los diodos
Si un diodo esta polarizado inversamente, fluye una corriente de fuga debido a los
portadores minoritarios. Al polarizar directamente, el diodo conduce la corriente directa.
Este cambio, requiere un tiempo para producirlo que se denomina “tiempo de
recuperación directa”. Es el tiempo necesario para que todos los portadores
mayoritarios de toda la juntura puedan contribuir al flujo de la corriente. Si la velocidad
de crecimiento de la corriente es muy elevada, ocurre que la corriente directa se
concentra en una zona pequeña de la superficie de la juntura; el diodo puede fallar por
un exceso de temperatura puntual. El tiempo de recuperación directa de un diodo, limita
la velocidad de crecimiento y con ello la velocidad de conmutación. Los fabricantes de
diodos, suministran los valores limites mediante la expresión “di/dt”.
___________________________________________________________________ 5
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Efectos del tiempo de recuperación directa e inversa
A los efectos de interpretar los efectos que producen los tiempos de recuperación directa
e inversa, y las medidas preventivas que es necesario tomar, analizaremos un circuito
de conmutación con diodos sencillo, como se muestra en el siguiente circuito:
IL
0 t
I1
t1 t2 t
0
Corriente de pico
I2 Inverso de Dv por
recuperación. inversa
t
Irr
Si cerramos el interruptor “P” en t = 0, se establece una corriente a través del inductor
“L”y resistencia “R” que tomara el valor final, (al finalizar el transitorio) de:
IL = ve / R. . Con la polaridad de la tensión de entrada, el diodo Dv, esta polarizado
inversamente. Si abrimos “P” en el tiempo “t1”, al disminuir la corriente “ IL”, se induce
una tensión en la inductancia “L” , para evitar que disminuya, y esta tensión inducida
polariza ahora al diodo Dv directamente, lo que hace que fluya la corriente “i2”.
Mientras conduzca Dv, la tensión sobre la carga “RL” queda limitada a la caída de
tensión del diodo y con valor negativo (≈0,7 volt).
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Si ahora en el tiempo “t2” cerramos el interruptor “P”, el diodo Dv cambia su polaridad
y pasa de la conducción directa a la inversa, produciéndose durante esa transición , el
fenómeno de recuperación inversa, lo que hace que Dv este prácticamente en
cortocicuito, dado que no tiene prácticamente limitación de corriente. En esta situación,
la velocidad de crecimiento de la corriente “i1” (dv1/dt) y la corriente del diodo “D1”,
como asi también la velocidad de decrecimiento de la corriente de Vd., serian muy
elevados, tendiendo a infinito. Esto hace que la corriente de recuperación inversa del
diodo “Dv” sea muy elevada, dado que esta dado por la expresión deducida :
_________
Irr = √ 2.Qrr.di/dt
Con estas corrientes elevadas, los diodos “D1” y “Dv” podrían dañarse si “di1/dt” del
circuito, supera el tiempo de recuperación directa del diodo D1 y la máxima Irr de Dv.
Una solución es incorporar una inductancia “Le” limitante, en serie con el diodo D1
IL
0 t
I1 Irr
t1 t2
IL=Ve/R
t
0
Corriente de pico
I2 Inverso de Dv por
Recup. inversa
t
Con esta inductancia incorporada, la elevación de la corriente del diodo D1y reducción
de Dv, quedaría limitada a la de la inductancia, cuyo valor se podría determinar,
___________________________________________________________________ 7
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fácilmente, considerando que en el tiempo “t2” el diodo Dv esta en corto. Para esta
situación vale: di/dt = ve / Le.
De esta forma la corriente de recuperación inversa de Dv quedaría limitada a :
Irr = trr.di/dt = trr.ve/Le
La corriente pico del inductor Le vale:
Ip = IL + Irr = IL + trr.ve/Le
Cuando el diodo Dv se recupera (Irr≈ 0), la corriente “Ip” para a valer rápidamente “IL“.
Como la corriente de la carga no puede pasar rápidamente de Ip a = IL , entonces se
induce una sobre tensión alta , debido a la energía almacenada que podría dañar a “Dv”.
El excedente de energía almacenada por “Le” (durante el tiempo de recuperación) vale:
Wr = 1/2. [(IL + Irr)2 - IL2] = 1/2. [(IL + ve.trr/Le)2 - IL2]
Una solucion para descargar este excedente de energía, es agregar un capacitor C1 en

paralelo con Dv para que pueda absorber esa energía y evitar la sobre tensión. El valor
del capacitor se puede determinar como:
Wr = 1/2. C1. Vc2 despejando C1 resulta:

C1 = 2.Wr / Vc2
El valor de “Vc” corresponde a la máxima tensión inversa repetitiva que puede soportar
el diodo Dv (VRWM) que es un dato dado por el fabricante. La resistencia en serie con
C1, se coloca para disipar esta energía y evitar un tiempo prolongado del transitorio
(amortiguamiento).
Problema:
El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr = 3,5 µseg. Y la velocidad de
reducción de la corriente del diodo, cuando esta conmutando de conducción a bloqueo,
es de di/dt = 27 Amper/µseg. Determinar:
a) La carga de almacenamiento Qrr.
b) La corriente inversa de pico Irr.
RESUMEN DE USO Y CARACTERISTICAS TECNICAS DE LOS DIODOS
1) Diodos estándar o de uso gral:

Se los utiliza en rectificadores y convertidores de frecuencia hasta 1 Khz., incluyendo
los conmutados por línea (50 o 60 Hz). Se fabrican por proceso de difusión. Existen
diodos para soldaduras eléctricas fabricados por aleación hasta 300 amperes y 1000 volt
(son económicos).
Corrientes : 1 hasta 4500 amperes
Tensiones inversas: 50 hasta 6000 volt.
trr tipico: 25 µseg.
2) Diodos de recuperación rápida:

Se los utiliza en convertidores de CC a CC y CC a CA, donde la velocidad de
recuperación inversa es critica. Se fabrican por difusión y técnica epitaxial. Por encima
de los 400 volt, se fabrican por difusión, donde el tiempo de recuperación, es
controlada, mediante la difusión de oro o platino. Por debajo de 400volt , los diodos
___________________________________________________________________ 8
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epitaxiales, tienen una base angosta lo que le permite tiempos de recuperación inversa
del orden de los 50 nseg.
Frecuencias de funcionamiento: hasta 10 KHz.
Corrientes : 1 hasta 1000 amperes.
Tensiones inversas: 50 a 3000 volt.
trr : ≈ 0,1 a 5 µseg.
3) Diodos Schottky:
Son diodos donde se logra la barrera de potencial con un contacto metal-
semiconductor. Se logra, depositando sobre una capa epitaxial “n” de silicio, una capa
de metal. La acción rectificadora se logra por la acción de los portadores mayoritarios y
como resultado no tienen portadores en exceso para recombinar. El efecto de
recuperación se debe solamente a la capacitancía de la unión. La caída de tensión
directa es mas baja que los diodos de silicio “pn” (≈0,2 a 0,3 volt). La carga
almacenada, depende de la capacitancia y no depende de la “di/dt”. La corriente inversa
o de fuga, es mayor que la de un diodo de Silicio “pn” y por lo tanto el voltaje inverso
máximo, esta limitado a 100 volt. Las corrientes varían de 1 a 300 amperes. Son ideales
para fuentes de alimentación de alta corriente y bajo voltaje. Tienen buena eficiencia o
sea pocas pérdidas en conducción directa.
Frecuencias de funcionamiento: 20 KHz.
Corrientes: 1 a 300 amperes.
Tensiones inversas: 100 volt
trr : ≈ 1nseg.
4) Diodos de carburo de silicio (SiC):

El SiC. Es un nuevo material que se esta utilizando en la electronica de potencia. Sus
propiedades mejoran a las de silicio (Si.) y de Arseniuro de galio (GaSi). Tenemos tres
variantes para este tipo de diodos: diodos Schottky, diodos JBS, diodos PIN. Los diodos
Schottky fabricados en SiC, tienen pérdidas de potencia muy bajas, gran fiabilidad, no
tienen tiempo de recuperación inversa lo cual los hace ultrarrápidos en la conmutación y
la temperatura, no influye sobre la misma.
5) Otros diodos que se utilizaron como rectificadores de potencia:
a) Diodos de germanio:
Soportan temperatura de juntura hasta 100ºC, lo que limita su
corriente directa a un valor máximo de 25 amperes. Soportan una tensión inversa
máxima de 400volt y tienen una caída de tensión directa de aprox. 0,4 a 0,5volt.
b) Diodos de Selenio:
Soportan una temperatura máxima de juntura de 120ºC. Tiene
menor capacidad de corriente que los diodos de Ge. Soportan una tensión inversa
máxima de 60 volt. Tienen poca sensibilidad a los transitorios, por lo que se lo ha usado
en aplicaciones como protector contra sobre tensiones. Es un dispositivo que sufre
envejecimiento con el uso.
c) Diodos de oxido de cobre:

Soporta temperaturas máximas de 70ºC; Su capacidad para
la tensión inversa estaba alrededor de los 6 volt. Solamente se lo utilizaba en
aplicaciones de baja tensión. Es el mas antiguo rectificador solidó.
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d) Diodos de válvula de vacío:

Los 1º convertidores (rectificadores Ca a CC) se construyeron con estas válvulas.
Soportan altas corrientes y altas tensiones inversas. Necesitan para su funcionamiento,
un circuito auxiliar para calentamiento del cátodo para que pueda emitir electrones y
conduzca la corriente hacia el ánodo.
ESPECIFICACIONES ELECTRICAS Y TERMICAS SUMINISTRADAS POR

LOS FABRICANTES DE DIODOS SEMICONDUCTORES
Tensiones de bloqueo inversa
VR: Máxima tensión inversa aplicable en corriente continua
VRWM : Máxima tensión de pico inversa excluyendo transitorios (onda senoidal 180º)
VRRM : Máxima tensión de pico inversa incluyendo transitorios repetitiva (onda

senoidal 180º).
VRSM: Máxima tensión transitoria de pico inversa de modo no repetitivo.
Caídas de tensión del diodo
VFM: Caída de tensión de pico directa para ½ onda senoidal, frecuencia y corriente pico
especificada.
VF : Caída de tensión promedio para la potencia promedio especificada.
Corrientes directas
IF(AV) : Corriente promedio máxima para 180º de conducción senoidal (con

especificación de temperatura de carcaza o juntura).
IF(RMS) : Corriente eficaz máxima para 180º de conducción senoidal (con especificación
de temperatura de carcaza o juntura).
IFSM : Sobrecorriente transitoria máxima no repetitiva (con especificaciones)
IFRM(rep) : Corriente de pico máximo repetitiva.
Corrientes inversas
IRM : Corriente de pico inversa
IR(AV) : Corriente inversa promedio.
Características de cortocircuito
i2.t [KA2/seg.] : Energía de ruptura del dispositivo con especif. de tiempo de ½ ciclo
(8,3 o 10 mseg), temperatura y tensión VRRM.
_ _
i2.√t [KA2/√seg.] : Valor que se utiliza para calcular i2.t para 0< tx > 8,3 o 10 mseg
_ _
i2.t = i2.√t . i2.√tX
___________________________________________________________________ 10
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Potencias de pérdidas
PRRM : Potencia disipada máxima de pico inverso
PRSM: Potencia máxima de pico inverso no repetitivo
P(AV) : Potencia promedio disipada por la corriente media y eficaz para onda senoidal
180º de conducción con frecuencia especificada
PC : Potencia promedio disipada durante la conmutación con especif. De frecuencia
Características de conmutación
trr : Tiempo de recuperación inversa = (ta+tb)
S : Factor de suavidad = tb/ta
IRM : Corriente inversa máxima de recuperación (Irr )
QRR : Carga almacenada o carga de recuperación inversa
Resistencia del diodo
rf : Resistencia dinámica del diodo con especif de corriente directa.
Resistencia al paso del calor disipado
RthJC : Resistencia térmica juntura – carcaza [ºC/W] (valores promedio)
RthCD : Resistencia térmica carcaza – disipador “ “
RthD : Resistencia térmica disipador “ “
RthJ-mb : Resistencia térmica juntura- medio ambiente (sin disipador) “ “
Zth : Impedancia térmica transitoria del diodo [ºC/W]
Temperaturas
Tj : Temperatura máxima de juntura.
Tc : Temperatura de carcaza
Ta : Temperatura ambiente
Tstg : Temperatura de almacenamiento
Características mecánicas
Fuerza para ajustar a la base de montaje; Peso ; Tipo de encapsulado.
___________________________________________________________________ 11
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
AGRUPACION DE DIODOS SEMICONDUCTORES
Conexión paralelo de diodos
Cuando la corriente promedio, por cada rama de un rectificador, supera a la máxima

promedio de un solo diodo, de los disponibles en el mercado, resulta conveniente la
conexión en paralelo de varios diodos. En este caso es necesario asegurar una adecuada
distribución de las corrientes. Tomemos el caso de la conexión de dos diodos en
paralelo, como se muestra la figura:
D1 D2
i
Características directas después

de un aumento de temperatura
id1’
id1
iT/2
id2’
id2
v
vd’ vd
Debido a las diferentes características tensión-corriente de los diodos, las corrientes
circulantes en cada uno de ellos, serán diferentes. De allí que si “iT/2 es la máxima
corriente de cada diodo, el D1 estará soportando una corriente superior a ese valor y D2
un valor menor. En estas condiciones, D1 se destruirá por exceso de temperatura y mas
tarde ocurrirá con D2 que tiene que asumir la corriente total. Este diferente reparto de
corrientes se agrava más, con el aumento de temperatura. En el grafico se observa que la
corriente del diodo D1 aumenta y la de D2 disminuye.
Existen varios métodos para obtener una ecualización de las características V—I de los
diodos, que permita conectarlos en paralelo, de tal forma que no se superen las
condiciones máximas de conducción de cada uno de ellos. Estos métodos son:
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Colocación de resistores de equilibrio en serie, Apareamiento de las características
directas del diodo y Equilibrio de las corrientes con reactores.
1) Colocación de resistencia de equilibrio en serie
D1 D2
i
Características directas de la
combinación resistor +diodo
id1
id1’
id2’
id2
v
vd vd+vR
Con esta solución podemos observar que las corrientes en los diodos toman valores
bastantes similares. Este método se utiliza para diodos de pequeña capacidad, dado el
consumo de energía en los resistores. Estos últimos, eligen de tal manera que la caída de
tensión en ellos, sea del orden de la caída de tensión de los diodos. Otro inconveniente
de este método, es que se incrementa la caída de tensión que produce el circuito
rectificador.
2) Apareamiento de las características directas de los diodos
Este método se utiliza para el caso de diodos con alto grado de apareamiento, logrado en
base a una selección adecuada. Se realiza en esta forma, una conexión directa, usando
para ello un factor de reducción de corriente.
Si suponemos que D = Im / IM es el desequilibrio de corriente, entonces si conectamos
“n” diodos en paralelo y suponiendo que (n-1) tengan el máximo desequilibrio y el
restante soporta la corriente máxima IM, entonces la corriente total de los “n” diodos la
podemos expresar como:
IM +( n-1). Im =n . I siendo “I” la corriente en el supuesto de que todos los diodos fuesen
iguales y “n.I” representa la corriente total de una rama del rectificador. Operando
tenemos:
IM +( n-1).D.IM =n . I
Operando nuevamente y considerando la relación fd = I / IM como el factor de

reducción, este vale:
fd =D + (n-1).D / n
___________________________________________________________________ 13
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
El valor de “D” se toma como valor practico 0,85 si los diodos tienen fusibles
conectados en serie y si no lo tienen , se toma un valor de 0,8. Reemplazando resulta:
fd = (0,85 + 0,15 / n) con fusibles en serie.
fd = (0,85+ 0,2 / n) sin fusibles en serie.
En esta condición, se supone que la máxima corriente que puede soportar el diodo
resulta:
I = fd . IM
Entonces la corriente total que puede circular por “n” diodos vale:
IT = n . I n . fd . IM = (n.0,85 + 0,15). IM (con fusibles en serie)
Problema:
Calcular la corriente máxima tolerable por 10 diodos conectados en paralelo y
funcionando a máxima temperatura de juntura. Los diodos están protegidos por fusibles
en serie y tienen una corriente máxima promedio de IFAVmax =30 amperes.
IT = (n.0,85 + 0,15). IFAVmax = (0 . 0,8 + 0,15).30 = 259,5 amperes
3) Equilibrio de corrientes con reactores inductivos
Es el método preferido para el equilibrado de grandes corrientes, dado que se tienen

menos perdidas de potencia. El circuito trabaja de la siguiente manera: Si el diodo D1
tiene menor tensión umbral, este será el primero en conducir. La corriente”i1”, produce
una tensión inducida en los bobinados L1 y L2 de manera tal que obliga a conducir a
D2. Cuando cesa el periodo de conducción, “i2” disminuye en primer termino, porque
D2 tiene mayor tensión umbral; esto crea una nueva Fem., que hace que aumente el
periodo de conducción de D2 y disminuya el de D1. El resultado, es que por los diodos
D1 y D2, circulen corrientes prácticamente iguales.
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------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
El valor de la inductancia óptima se determina por la siguiente formula empírica:
L = 20.000 / w. IFRM donde “w” es la pulsación y . IFRM es la máxima corriente de pico

del diodo.
Las exigencias más importantes de la reactancia son elevada densidad de flujo de
saturación y baja densidad de flujo remanente, para obtener el mayor cambio total.
Cuando tenemos que conectar varios diodos en paralelo, se recurre al siguiente circuito:
El circuito muestra la conexión de cuatro diodos en paralelo con reactancias de

equilibrado. Cuando un diodo comienza a conducir, genera una tensión inducida en las
reactancias, que obliga al resto a conducir. Por ejemplo, si el diodo D1 es el primero en
conducir (por tener menor tensión umbral), los diodos D2 y D4 comienzan a conducir a
través de T2 y T1 respectivamente. Las tensiones generadas por T3 y T4, hacen iniciar
la conducción de de D3.
Este sistema, es el más satisfactorio a pesar de su costo y de los transitorios que se
producen durante la conmutación.
CONEXIÓN SERIE DE DIODOS
En los equipos convertidores donde la tensiones inversas del circuito, superan las
máximas admisibles de los diodos (VRW max.), la solución puede consistir en la conexión
en serie de dos o mas diodos. Con tal conexión, surge el problema de asegurar una
distribución suficientemente uniforma de la tensión inversa en cada uno de los diodos,
tanto en el régimen estacionario, como durante la conmutación. La aparición aunque sea
en un solo de los diodos de una tensión superior a la disruptiva, motiva no solo la
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ruptura del diodo determinado, sino también de todos los restantes componentes de la
cadena que se exponen al régimen de sobre tensión. El la siguiente figura muestra una
cadena de diodos en serie con la probable distribución de tensión inversa, tanto en el
régimen estacionario, como en el transitorio de la conmutación
Régimen estacionario
El origen de una distribución irregular en este régimen, se debe a la divergencia en la
pendiente de las porciones rectilíneas, en las características V—I inversa, de cada uno
de los diodos conectados en la cadena. La figura muestra la distribución de la tensión
inversa para dos diodos conectados en serie, con una corriente inversa común de 5 MA:
Vi -800 v -400 v
0
5 ma
-IR
La poca pendiente da lugar a una divergencia considerable en la magnitud de las

tensiones aplicadas a cada una de los diodos, dado que a través de cada uno de ellos.
circula la misma corriente inversa. La solución para este régimen, consiste en distribuir
en forma más o menos uniforme la tensión inversa, colocando para ello resistencias en
paralelo con cada uno de ellos. El dibujo muestra el circuito de ecualización del régimen
estacionario:
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Para la determinación del valor del resistor “R” y la cantidad de diodos, se parte de
considerar la situación mas desfavorable que se va a dar cuando solo uno de los diodos
de la cadena tiene una cierta corriente inversa y el resto despreciable (ver. Circuit. rect.
Fapesa o Proyectos de fuentes de alimentación Ing, Villamill).
El desarrollo, nos lleva a una expresión que me da la cantidad de diodos a conectar en la
cadena cuando tienen que soportar una determinada tensión inversa de la aplicación:
n ≥ 1,5.(Vi / VRWM) - 0,5
Vi : Máxima tensión inversa de trabajo impuesta por la aplicación.

VRWM :Máxima tensión inversa de pico inversa que soporta cada uno de los diodos
Para el cálculo del resistor se aplica la siguiente formula:
R ≤ Vpi / α.IR
Vpi = Vi / n : Máxima tensión inversa de trabajo que soporta cada diodo en condiciones
de trabajo.
α : Coeficiente de distribución ; valor variable entre 2 ≤ α ≤10. Para una alta
confiabilidad, se adopta α =10 , que seria el caso de diodos de gran potencia.
IR : Máxima corriente inversa.
La potencia disipada por los resistores vale:
PR = Vi(RMS)2 / R
El valor Vi(RMS) corresponde a la tensión eficaz inversa que soportan los diodos. Como
este valor no es senoidal, se pueden adoptar las siguientes formulas para su cálculo:
PR = 0,25. Vi(RMS)2 / R para circuitos monofasicos de media onda y onda completa.
PR = 0,4. Vi(RMS)2 / R Para circuitos rectificadores trifásicos.
Ejemplo:
Calcular la cantidad de diodos en serie a colocar para soportar una tensión inversa
máxima Vi = 2000 volt, con diodos de potencia que presentan la siguiente
característica:
VRWM = 600 volt IR = 0,05 ma
Soluc. n ≥ 1,5.(Vi / VRWM) - 0,5 ≥ 1,5.(2000 / 600) - 0,5 = 4,5; adopto n=5
R ≤ Vpi / α.IR ≤ 2000 / 10.0,05 = 800 KΩ
PR = 0,4. Vi(RMS)2 / R = 0,4. 6002 / 800. 103 = 0,18 w ; se adopta un resistor de ½ w
___________________________________________________________________ 17
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Régimen transitorio
En régimen transitorio, cuando los diodos conmutan del estado de conducción al de
bloqueo, también es posible que se produzca una irregularidad en las tensiones
transitorias que soportan los diodos de la cadena, causado por las diferentes cargas
acumuladas en la zona de la juntura, y a su diferente velocidad de recuperación. Esto es
motivado por la completa identidad en las dimensiones geométricas de las capas de las
junturas como así también por las distintas capacidades interdiodicas y tiempo de vida
de los portadores. En esta condición, los diodos que tengan menor tiempo de
recuperación, bloquearan la tensión inversa. Además de absorber dicha tensión, los
diodos recuperados, prolongaran el tiempo de recuperación de los diodos más lentos al
impedir la circulación de la corriente inversa que elimina el exceso de carga
almacenada.
Para mejorar la distribución de tensiones inversa en estas condiciones, es preciso
disponer capacitores en paralelo con cada diodo, como muestra el siguiente circuito:
Estos capacitores, presentan fuentes de baja impedancia que absorben el exceso de

carga almacenada, con lo que reducen al mínimo el tiempo de recuperación de todos los
diodos y se evita la aparición de sobre tensiones en los diodos mas rápidos.
El valor de la capacidad, se puede calcular con las siguientes formulas:
C ≥ 5.trr . n / RT
n : numero de diodos de la cadena.
RT : resistencia total en serie
trr : tiempo máximo de recuperación inversa.
También se puede aplicar la siguiente formula para calcular el valor del capacitor:
C = ( Qmax. – Omin.) / VRRM
Qmax y Qmin. : Máxima dispersión esperada en la carga almacenada en la juntura de

los diodos.
VRRM : Máxima tensión inversa de pico repetitivo.
Si los valores de Qmax y Qmin. No se conocen, se los puede calcular aproximadamente

con la siguiente expresión:
Qmax. (µC) = 2. IFAV (A)
Qmin. = Qmax / 4
___________________________________________________________________ 18
UTN REG. SANTAFE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA
2-2 Circuitos rectificadores no controlados
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
PARAMETROS DE RENDIMIENTO DE LOS RECTIFICADORES
Los circuitos rectificadores no controlados, son convertidores de energía eléctrica de

corriente alterna, a corriente continua, con valores de salida que dependen del valor
de la tensión alterna de entrada y la carga conectada. En la figura, se muestra un circuito
rectificador del tipo monofasico, con los bloques principales:
Esta conversión, debe proporcionar una tensión continua de salida, con un mínimo de
contenido armónico. Al mismo tiempo debe mantener la corriente de entrada tan
senoidalmente como sea posible y en fase con la tensión de entrada, para que el factor
de potencia se acerque a la unidad.
En Gral., y para cualquier tipo de conversor de “energía eléctrica”, la calidad de
conversión queda determinada por el “contenido armónico” de “la corriente de de
entrada, tension de salida y corriente de salida”. Los contenidos armónicos de tension y
corriente, se pueden determinar mediante el desarrollo en serie de Fourier.
Tenemos varios tipos diferentes de circuitos rectificadores. Para su comparación
respecto al mismo voltaje de suministro e igual “carga”, resulta conveniente definir los”
parámetros de rendimiento”, para su evaluación y posterior selección.
Parámetros de rendimiento de la salida de los rectificadores
a) Tensión media o promedio de salida o tension media en la carga: Vo ; Vcd
b) Corriente media o promedio de salida o corriente media en la carga: Io; Icd
c) Potencia en continua sobre la carga: Po = Vo.Io; Pcd = Vcd. Icd
d) Valor medio cuadrático o tensión eficaz de salida: Vo(rms).
e) Valor medio cuadrático o corriente eficaz de salida: Io(rms).
f) Potencia de salida Po(rms) = Vo(rms) . Io(rms)
g) Eficiencia del rectificador o relación de rectificación: η(eta = Po / Po(rms) =

Pcd /Po(rms).
___________________________________________________________________ 1
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
h) Tensión efectiva (rms) de la componente alterna de la tensión de salida:

_____________
Vca = √ Vo(rms)2 – Vo2
i) Factor de forma de la tensión de salida: FFv = Vo(rms) / Vo
j) Factor de forma de la corriente de salida: FFi = Io(rms) / Io
k) Factores que determinan el contenido de componentes armónicos en la tensión

de salida:
k1) Pulsación porcentual: ( Vo(rms) / Vo) . 100 = FFv.100 (factor de forma en %)
k2) Factor de pulsación: (Vs1 / Vo).100 ; Vs1 componente 1º armónica sobre la

carga.
k3) Factor de componente ondulatoria o factor de rizado: RF(γ)≡ (Vca / Vo).100
_____________ _________________
RF≡γ≡ (Vca / Vo).100 = (√ Vo(rms)2 – Vo2 / Vo).100 = (√ (Vo(rms) / Vo)2 – 1 ).100 =
__________
RF ≡ γ ≡ (√ (FFv)2 – 1 ).100
l) Factor de utilización del transformador: TUF ≡ Po / Vs. Is
Vs: tensión eficaz a la salida del transformador.
Is: Corriente eficaz a la salida del transformador.
El “factor de utilización” se define como la relación entre la potencia continua

(promedio) sobre la carga (Po) y la potencia aparente del secundario del transformador.
(al TUF, también se lo puede definir como Po/Vp.Ip o sea en función de la potencia
aparente en la entrada del transformador).
Este factor nos da una idea del empleo que se hace de la disponibilidad o
aprovechamiento del arrollamiento del transformador. Para cada tipo de circuito
rectificador tendremos un “TUF” distinto. Con este valor y la potencia continua sobre la
carga, podremos determinar la potencia aparente del transformador y con este dato
podemos determinar por cálculo, el volumen y costo del mismo. A igual potencia
continua entregada a la carga, el volumen del transformador ( ò potencia aparente) del
transformador, dependerá del tipo de circuito rectificador seleccionado.
Parámetros de rendimiento respecto a la entrada de los rectificadores
“Is” corriente de “Vs” tensión de

entrada entrada
θ “Is1” componente
1º armónica de Is
___________________________________________________________________ 2
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Estos parámetros quedan definidos en función de los contenidos armónicos y defasajes

entre la tension de entrada (vs) y la corriente de entrada (Is).
m) Factor de desplazamiento (DF): Si llamamos” θ” al ángulo de desplazamiento o

defasaje entre la tensión de entrada y la componente de 1º armónica o fundamental, de
la corriente de entrada, entonces “DF” se define como:
DF≡ cos θ (a DF también se lo define como factor de potencia de desplazamiento

DF≡DPF)
n) Factor armónico (HF): El factor armónico de la corriente de entrada se define como:

______________ ____________
HF≡ √ (Is2 – Is12) / Is12 = √ (Is2/ Is12) - 1
Donde “Is” corresponde al valor eficaz (rms) de la corriente de entrada y “Is1” es el

valor eficaz de la componente fundamental (1º armónica) de la corriente de entrada.
El valor de “HF” es una medida de la distorsión de una forma de onda y también se lo
conoce como THD (distorsión armónica total).
ñ) Factor de potencia de entrada (PF). Se lo define como:
PF ≡ [(Vs.Is1) / (Vs.Is)]. Cos θ (potencia activa 1º armónica/ potencia aparente total)
Si la corriente de entrada “is” es senoidal, resulta is = is1 y el factor de potencia “PF” es

igual al factor de desplazamiento “DF”. Para una carga RL (resistencia e inductancia),
el ángulo de desplazamiento “θ” se convierte en el “ángulo de impedancia”:
θ = tang,-1(wL/R).
o) Factor de cresta (CF) : Este factor nos da una medida de la corriente “pico máximo”
de la entrada. Se define como:
CF ≡ Isp(pico) / Is(rms).
Para un rectificador ideal debería cumplirse:
η = 100 %
vca = 0 voltios
FFv = 1
RF≡γ = 0%
HF = THD= 0
PF = DPF = 1
___________________________________________________________________ 3
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
CIRCUITOS RECTIFICADORES
En Gral., los circuitos rectificadores, están alimentados con transformadores, para

adecuar el voltaje de cc en sus salidas. La clasificación en función del numero de fases,
será igual al de los devanados secundarios del transformador, los cuales suministran
tensiones cuyas formas de onda se hallan desplazadas entre si en el tiempo. Por lo tanto,
un rectificador que utilice un transformador con un solo devanado secundario, se
denominara “rectificador monofàsico”. Si el transformador utiliza un devanado con
derivación central, se denominara “rectificador bifásico”, puesto que se comporta como
dos devanados que suministran dos voltajes secundarios con desplazamiento de 180º.
Si utiliza tres devanados que suministran tres voltajes desplazados cada uno de ellos
120º, se denominara “Rectificador trifásico”. Si necesita seis (6) devanados con
tensiones desplazadas en 60º, se denominara “rectificador exafasico”. Otra
denominación que se suma a la anterior, esta relacionada a la circulación de la corriente
en cada una de los bobinados del secundario del transformador. Cuando expresamos que
el rectificador es de “media onda”, la corriente que circula por los devanados es en un
solo sentido. Por el contrario cuando la corriente circula alternativamente en ambos
sentidos, al rectificador se le asigna el término de “onda completa”.
A continuación veremos los circuitos rectificadores que tienen más aplicación, algunos
de ellos para baja potencia transformada y otros para alta potencia. La elección de un
circuito rectificador, dependera, entre otros, de la Economía, del rendimiento y de los
valores limites de los parámetros eléctricos de los diodos. Por ejemplo, para los
circuitos de baja potencia, puede ser conveniente la alimentación de la red monofásica
(circuitos rectificadores monofasicos o bifásicos), si se acepta una frecuencia de
ondulación baja y un factor de ondulación relativamente alto. Pero si necesitamos
mayor potencia, resulta preferible la alimentación a partir de una red trifásica y por lo
tanto se deberán seleccionar rectificadores trifásicos o exafásicos, debido al menor
factor de ondulación y al mayor rendimiento de conversión, aun cuando las perdidas por
conmutación sean mayores.
Circuito rectificador monofàsico de media onda
Angulo de conducción diodo: 180º

Angulo de conducción fase sec. : 180º
Tension de salida: media onda
Factor de ondulación: RF(γ) = 1,21
Factor de utilización TUF = 0,286
Rendimiento η = 40,7 %
___________________________________________________________________ 4
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Circuito rectificador bifásico de media onda
Angulo conducción diodo: 180º

Angulo de conducción fase sec: 180º
Defasaje conducción diodos: 180º
Tension de salida: onda completa
Factor de ondulación RF(γ) = 47%
Circuito rectificador monofàsico onda completa (en puente)
Angulo de conducción diodo : 180º

Defasaje conducción diodos :180º (de a pares)
Tensión de salida: onda completa
Factor de ondulación RF(γ) = 47 %
___________________________________________________________________ 5
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Circuito rectificador trifásico de media onda

Angulo de conducción fase sec.: 120º
Defasaje conducción diodos :120º
Tensión de salida : trifásico media onda
Factor de ondulación RF(γ) = 17,7 %
Circuito rectificador trifásico onda completa (en puente)

Tensión de salida : exafasico onda completa
___________________________________________________________________ 6
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Circuito rectificador exafásico media onda

Angulo de conducción fase sec.: 60º
Tensión de salida : exafasico media onda
Circuito rectificador trifásico en doble estrella media onda (con bobina de

compensación)

Tensión de salida : exafasico media onda
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Circuito rectificador trifásico de onda completa en estrella triangulo

Angulo de conducción fase: 120º
Defasaje de las tensiones sec. Trafo :30º
Tensión de salida : doce fases onda completa
Análisis del circuito rectificador monofasico de media onda
Si bien este circuito, prácticamente no se lo utiliza como rectificador, sirve para analizar
los circuitos con mayor numero de diodos, dado que al desglosarlos circuitalmente,
vemos que todos los otros rectificadores, están compuestos por circuitos de media onda,
alimentados por tensiones de igual valor pero desfasadas entre ellas. De la misma
forma, los conceptos estudiados para este circuito, cuando se analiza su comportamiento
para distintas cargas aplicadas, se extiende al resto de los circuitos rectificadores.
Problema:
Para el siguiente circuito rectificador de media onda , determinar los factores de
rendimiento, considerando vd≈0 volt
___________________________________________________________________ 8
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vs ≈ vo
vs
vo
is is = io Vm
io Im=Vm/RL
0 T/2 T 3/2 T
vs
vs= Vm.senwt: tension instantánea sec. Trafo

is = Im senwt = Vm/RL.senwt corriente inst. sec. trafo para 0≤ wt ≤ Π=w.T/2
vo ≈ vs: tension instantanea continua en la carga.
io = is para 0≤ wt ≤ Π=w.T/2 : corriente instantánea continua en la carga
vo y io valen cero para Π≤ wt ≤2 Π=w.T
Tensión promedio en la carga:Vo = 1/T.∫0 T Vm.senwt.dt=
1/2Π.∫0 Π Vm.senwt.dt = Vm/2Π[-coswt]0Π = Vm/Π
Corriente promedio sobre la carga : Io = Vo/RL

_____________ _________________
Tensión eficaz sobre la carga:Vorms=√1/T.∫0 T/2 vo(t)2.dt =: √1/T.∫0 T/2 vm2.sen2wt dt
Vorms = Vm/2
Corriente eficaz total sobre la carga : Iorms = Vorms/Rl = Vm/2.RL
Corriente eficaz secundario trafo: Is = Iorms = Vm/2.RL
_____________ _________________ _
Tensión eficaz sec. trafo:Vs= √1/T.∫0 T vs(t)2.dt = √1/T.∫0 T vm2.sen2wt dt = Vm/√2
_
Potencia ap. Sec. Trafo : Pap= Vs.Is = Vm/√2 . Vm/2.RL
Potencia en CC : Po = Vo.Io = Vm/Π. Vm/Π.RL
Factor de utilización: TUF = Po/Pap = 0,286
Tensión de pico inverso soportada por el diodo: PIV= Vm ( Vm< VRWM del diodo)
____________
Tensión eficaz de las componentes altenas sobre RL : vca =√ Vorms2 – Vo2
______________
Factor de pulsación: RF(γ) =√ (Vorms/Vo)2 – 1 .100 = 1,21%
Corriente de pico máxima : Is max = Vm/RL
Factor de cresta : CF = ismax/Is = (Vm/RL)/ (Vm/2RL) = 2
Componente 1º armónico: is1= Vm/2.RL .sen wt; Corriente eficaz 1º armónico

:Is1=Vm/2.√2.RL
Factor armónico: √(Is/Is1)2 – 1 ; Factor de potencia: PF = Is1/Is.cosθ ; θ= 0º

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Análisis de un circuito rectificador monofasico de media onda con carga RL
Este circuito tiene poca utilidad práctica, pero resulta interesante su análisis para
comprender el resto de los circuitos rectificadores controlados o no controlados.
vL=0 vs≈vo
vs
vR vR=io.RL
Vm
t
0 t1 t2 t3 t4 t5 t6
αd
vd
Π Diodo 2Π t
bloqueado
Diodo conduce
Debido a la carga inductiva, el periodo de conducción del diodo, supera el medio ciclo
positivo de la tensión de entrada , o sea 180º. Para comprender esta situación,
analicemos el valor instantáneo de la tensión en la carga, Vd., que es prácticamente
igual a la tensión del secundario del transformador, si suponemos despreciable , la caída
de tensión en el diodo(vd≈0).
En el tiempo “t1” resulta vo = vR+vL , donde vR=io.RL y vL=L.dio/dt-
En “t2” dio/dt=0, resultando vL=0 y vo=vR.
En “t3” , se invierte la tensión de vL , resultando vo < vR , dado que ahora vo = vR-VL
En “t4” vR =- vL por lo que vo = 0
En “t5” vR < vL por lo que vo se hace negativo (la tensión vs esta en el semiciclo
negativo y devolviendo energía al sistema primario de alimentación).
En “t6” la corriente de la carga y el diodo se hace cero por lo que vR=0 y vL=vo
(instantes previo a que se haga cero); en ese momento, el diodo invierte su tensión y
___________________________________________________________________ 10
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bloquea la corriente directa. Comienza a conducir nuevamente a partir de “2Π”,
repitiendose el proceso.
La tensión en la inductancia “vL”, durante el periodo de conducción de la corriente,
resulta positiva, (cuando la corriente crece) y luego se hace negativa (cuando la
corriente decrece); el valor promedio de la tensión en la inductancia, es igual a cero.
Como VL= 0, entonces el valor promedio de la tensión en toda la carga es igual al valor
promedio de la tensión en la resistencia RL (VRL = Vo). El valor de “Vd.” lo podemos
calcular determinando el valor promedio de vs durante el periodo de conducción de la
corriente, o sea desde t=0 hasta t= Π+αd , siendo “αd” el ángulo de retraso en la
conducción, a partir de “Π”.
Vo = 1/T.∫0 Π+αd Vm.senwt.dt = Vm/2Π[-coswt]0Π+αd = VM/2Π.[1-cos(Π+αd)]
Como cos(Π+αd) = cos Π.cos αd –senΠ.senαd = -cos αd; reemplazando:
Vo = Vm/2Π.(1 + cos αd). Para αd = 0 resulta Vo = Vm/Π coincidente con el
calculo que hicimos para carga puramente resistiva.
Con un valor de αd ≠ 0 (carga resistiva e inductiva), vemos que entre Π y Π+αd ,
aparece un voltaje negativo sobre la carga. Para evitar que aparezca un voltaje negativo,
y aprovechar la energía magnética almacenada en la inductancia “L” y volcarla sobre
“RL”, se coloca un diodo “Dm”, denominado “de marcha libre o o diodo volante”,
como muestra la siguiente figura:
vL=0 vs≈vo
vs vR=io.RL=-vL
vR
vo
Vm
0 t1 t2 t3 t4 t5
vo≈-0,7 v vo=0v
Dm conduce
vd
Π 2Π
Diodo rect. Diodo rect.
conduce bloqueado
___________________________________________________________________ 11
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
En “t1”, la tensión vo=vR+VL ; la tensión en la inductancia es positiva entre 0 y t3
En " t2", la tensión vL=0 y vo=VR.
Entre t2 y t4 , la tensión en la inductancia es negativa.
En “t3”, vR = -VL y vo = 0.
A partir del tiempo t3, el diodo rectificador se bloquea y transfiere la conducción al
diodo de marcha libre “Dm”, que ahora esta alimentado por la energía almacenada en la
inductancia. La corriente “io” se mantiene en circulación a través de RL, L y el diodo
Dm. Durante esta circulación de corriente , entre t3 y t4 , la tensión vo toma el valor de
la caída de tensión del diodo Dm, que para el caso que sea real , de silicio, su valor será
aproximadamente - 0,7 volt.(negativo). A partir de t5, se repite el ciclo.
La tensión promedio en la carga. Será prácticamente similar a la del rectificador media
onda con carga resistiva.
Vo = Vm/Π
Otro concepto para tener en cuenta, es que si el tiempo t3 de final de conducción de
“io”, es igual o mayor que el tiempo t5, de repetición del ciclo, tendremos una
“continuidad” de corriente sobre la carga ; caso contrario, la corriente sobre la carga
será “discontinua”.
Rectificador monofásico con carga resistiva y voltaje eléctrico
vs E Vm
t
α1 α2
vs-E
t
(Vm-E)/R
io
t
∆α
___________________________________________________________________ 12
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Tomaremos como ejemplo, el caso que debemos cargar una batería con una tensión E =
12 volt y una capacidad de energía acumulada de 100 W-H (vatios-horas). La corriente
promedio en la carga será de un máximo de Io = 5 A. ; la tensión primaria vp= 220 volt;
la relación de vueltas del transformador : 4:1. Determinar: a) El ángulo de conducción
del diodo. b) La resistencia limitador R. c) La potencia disipada por la resistencia. d) El
tiempo de carga en horas. E) La eficiencia del rectificador. f) El voltaje de pico inverso
(PIV) que soporta el diodo.
a) V’m = 240.√2 = vs = vp/n = V’m/n.sen wt = Vm.sen wt

Vm 220.√2/4 = 84,85 volt
El diodo comienza a conducir cuando “vs” iguala a “E”
Vm.sen α1 = E por lo tanto: α1 = arc.sen E/Vm = 8,13º
α2 = Π – α1 180-8,9 = 171,87º por ser simétrica la onda senoidal
∆α = α2 – α1 = 163,74º.
b) La corriente promedio en la carga vale:
Io = 1/2Π.∫α1 α2 (Vm.senwt – E )/ R.dt= 1/2Π.R(2Vm.cos α1 + 2.E. α1- Π.E)
R = (2Vm.cos α1 + 2.E. α1- Π.E)/ 2Π.Io = 4,26 Ω
c) La potencia promedio que debe disipar la resistencia vale:

____________________________
PR = Iorms .R donde = Iorms= √ 1/2Π.∫α1 α2 (Vm.senwt – E )2/ R2.dt
2
________________________________________________________
Iorms=√1/2Π.R2[(Vm2/2 – E2).(Π - 2α1) + Vm2/2 . sen 2α1 – 4.Vm.E. cos α1 ]
Iorms = 8,2 A
PR = 8,22.4,26 = 286,4 watios
d) La potencia entregada a la bateria vale
Po = E. Io = 12 . 5 = 60 W
h. Po = 100 w-h despejando el tiempo:
h = 100/Po = 100/60 = 1,667 horas.

O sea se demora 1,667 en cargar la batería.
e) La eficiencia del rectificador vale:

η = potencia entregada a la batería / potencia total de entrada . 100 = Po/ ( Po+PR).100
η = 17,32 %
f) El voltaje pico inverso vale:
PIV = Vm + E = 84,85 + 12 = 96,85 voltios.
___________________________________________________________________ 13
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Análisis armónico de la tensión de salida para un rectificador monofasico de media
onda
Bajo condiciones de régimen permanente, el desarrollo en series de Fourier, es muy útil

para analizar las corrientes de entrada y tensiones de salida (periódicas), de todos los
tipos convertidores de energía. En forma gral, una función periódica se define como:
Vo(t) = vo(t+T), donde “T” es el tiempo periódico. Si “f” es la frecuencia, la velocidad
angular será w= 2.Π/T = 2.Π.f. La ecuación anterior, también la podemos expresar
como: vo(wt) = vo(wt+2.Π).
El teorema de Fourier, dice que una función periódica puede expresarse como un
termino constante mas una serie infinita de términos senoidales y cosenoidales de
frecuencia “nw”, siendo “n” un numero entero:
∞
Vo(t) = aO /2 +∑n=123.(an.cos nwt + bn.sen nwt) donde :
aO /2 : es la tensión promedio de vo(t).
aO = 2/T.∫0 T vo(t).dt = 1/Π.∫0 2Π vo(wt).d(wt)
an = 2/T.∫0 T vo(t).cos nwt.dt = 1/Π.∫0 2Π vo(wt).cos nwt.d(wt)
bn = 2/T.∫0 T vo(t).sen nwt.dt = 1/Π.∫0 2Π vo(wt).sen nwt.d(wt)
Si vo(t) es una función analítica (continua), las constantes pueden determinarse

mediante una sola integración. Si vo(t) es discontinua como en el caso de muchos
convertidores, deberán determinarse varias integraciones parciales a lo largo de todo el
periodo de la función (en este caso vo(t)).
Desarrollando vo(t), también puede expresarse como:
∞
Vo(t) = aO /2 +∑n=123.Cn.sen (nwt+θn) donde :
_______
Cn = √an2+ an2 : amplitud pico de la componente armónica.
Θ= tan-1 an/ bn : angulo de atraso de la componente armónico.
Si vo(t) = - vo(wt+Π) simetria de media onda

Entonces aO=0 . an y bn son cero para valores de “n” pares. Solo la señal contiene
armónicos impares.
Para simetría de ¼ de onda se cumple . aO y bn son cero.
Utilizando estas expresiones, determinaremos la tensión de salida instantánea, para el
rectificador de media onda:
Vo(t)
wt
0 Π 2Π 3Π
___________________________________________________________________ 14
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
vo(t)= Vm. Sen wt para 0 ≤ wt ≤ Π
vo(t) = 0 para Π ≤ wt ≤ 2Π
∞
vo(t) = aO /2 +∑n=123.(an.cos nwt + bn.sen nwt)
Vo = aO /2 = 1/2Π.∫0 Π vo(t).dt = 1/2Π.∫0 Π Vm.sen (wt).d(wt) = Vm/Π
an = 1/Π.∫0 Π vo(wt).cos nwt.dwt = 1/Π.∫0 Π Vm.sen wt.cos nwt.d(wt)
an = 0 pàra n=1
an = (Vm/Π).[(1+(-1)n / 1-n2] para n = 2, 4, 6, 8 ……..
bn = 1/Π.∫0 Π vo(wt).sen nwt.dwt = 1/Π.∫0 Π Vm.sen wt.sen nwt.d(wt)
bn = 0 pàra n=2, 3, 4, 5, ……
an = Vm/2 para n=1
Sustituyendo . aO , an y bn en vo(t) tendremos la expresión final:
vo(t) = Vm/Π + Vm/2 sen wt – 2/(3. Π) . Vm cos 2wt + 2/(15. Π Vm. Cos 4wt + ….
Donde Vm/2 . sen wt es la componente de 1º armónica.
Rectificación monofásica de onda completa con carga resistiva
Esta conversión se puede realizar con dos circuitos rectificadores: el rectificador

bifásico de media onda y el rectificador monofásico de onda completa, también llamado
“en puente”· Veamos a continuación ambos circuitos:
___________________________________________________________________ 15
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Voltaje en
Vs(t) secundario
-Vs(t) Vm trafo
wt
0 Π 2Π 3Π
Vo(t)
Voltaje CC
en la resistencia
Vm
wt
0 Π 2Π 3Π
Voltaje inverso diodos

Vd monofàsico en puente
wt
0 Π 2Π 3Π
-Vm
D3 y D4 D1 y D2 D3 y D4
Voltaje inverso diodos

vd -2Vm Bifásico media onda
wt
0 Π 2Π 3Π
D2 D1 D2
Analizaremos ambos circuitos rectificadores, indicándolo cuando hay diferencias entre

ellos. El análisis siguiente es igual para los dos circuitos:
___________________________________________________________________ 16
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Tensión promedio en la resistencia:

Vo = 1/Π.∫0 Π Vm.senwt.dt= 2.Vm / Π
Corriente promedio en la resistencia:

Io = Vo/ R = 2.Vm / Π.R
Tension eficaz total en la resistencia:

__________________
Vorms = √1/Π.∫0 Π vm2.sen2wt dt = Vm/√2
Corriente eficaz total en la resistencia:

Iorms = Vorms / R = Vm / √2.R
Potencia continua en la resistencia:

Po = Vo2/R = (4.Vm2) / (Π2.R)
Potencia eficaz total en la resistencia:

Prms = Vorms2 /R =Vm2 / (2.R)
Eficiencia de la conversion:
ηc = Po / Porms . 100 = 81%
Factor de forma de la tension:

FFv = Vorms / Vo = 1,11
Factor de la componente ondulatoria o factor de rizado:

________
RF(%) ≡ γ(%) = √ FFv2 – 1 = 48,2 %
Tension eficaz en el (los) secundario del transformador:

__________________
Vs = √1/Π.∫0 Π vm2.sen2wt dt = Vm/√2
Corriente eficaz en las ramas secundarias del trafo para el recticador bifásico:
______________________
Is = √1/2Π.∫0 Π (vm/R)2.sen2wt dt = Vm/2.R
Corriente eficaz en el secundario del transformador para el rectificador en Puente:

______________________
Is = √1/Π.∫0 Π (vm/R)2.sen2wt dt = Vm/√2.R
Factor de utilizacion del sec. Trafo para el rectificador bifásico:

TUF = Vo / (Vs. Is) = 0,5732
Factor de utilización del sec. Trafo para el rectificador monofasico:

TUF = Vo / (Vs. Is) = 0,8106
___________________________________________________________________ 17
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Parámetros eléctricos que deben soportar los diodos
Tensión de pico inverso para el rectificador bifásico:

PIV = 2.Vm
Tensión de pico inverso para el rectificador monofasico:

PIV = Vm
Corriente promedio para ambos rectificadores:

Id = 1/2Π.∫0 Π (Vm/R).senwt.dt= Io / 2
Corriente eficaz para ambos rectificadores:

______________________
IdRMS = √1/2Π.∫0 Π (vm/R)2.sen2wt dt = Vm/2.R = Is
Componentes ondulatorias(armonicas) de la tensión de salida
Se procede de la misma forma que para el rectificador monofasico de media onda. Del
análisis resulta:
vo(t) = (2/Π).Vm – (4.Vm / 3.Π).cos 2wt - (4.Vm / 15.Π).cos 4wt -(4.Vm / 35.Π).cos
2wt -………
Esta serie , se puede expresar como:
∞
vo(t) = Vm.[2/Π – 4/Π.∑n=1(cos 2nwt) / (2n + 1).(2n – 1)]
De resultas del analisis vemos que no tenemos componente de 1º armónico (de la

frecuencia de la tensión primaria) ; tampoco tenemos armónicos impares.
Análisis de un circuito rectificador monofasico en puente con carga muy inductiva
Este caso es muy frecuente, por ejemplo si tenemos que alimentar la excitación de
campo de un motor eléctrico de CC o generador eléctrico de CC y CA. En este caso, la
corriente eléctrica instantánea en la carga, la podemos considerar prácticamente
constante, situación que se da para valores de wL ≥ 100.R, en la carga.
___________________________________________________________________ 18
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Vo(t)
--- vs(t
__ vo(t)
wt
0 Π 2Π 3Π
Vs(t
__is(t) )
--is1(t) Io
wt
Componente 1º armónica
de la corriente
de entrada
io(t)
Io
wt
Tensión promedio en la carga:

Vo = 1/Π.∫0 Π Vm.senwt.dt= 2.Vm / Π
Corriente promedio en la carga:

Io = Vo / R = (2.Vm) / (Π.R)
Tension eficaz secundario trafo:

__________________
Vorms = √1/Π.∫0 Π vm2.sen2wt dt = Vm/√2
Corriente eficaz secundario trafo:

______________ ___________
Is = √1/2Π.∫0 2Π io(t)2 dt = √1/2Π.∫0 2Π Io2 dt = Io
Tension de pico inversa en los diodos:

PIV = Vm
Corriente promedio en los diodos:

Id = 1/2Π.∫0 Π io(t).dt= Io / 2
Corriente eficaz en los diodos :

______________ ___________
Π
IdRMS = √1/2Π.∫0 io(t) dt = √(1/2Π). Io2 Π dt = Io/√2
2
Componentes armónicas de la corriente de entrada:

Del analisis en serie de Fourier para una forma de onda cuadrada y simetrica respecto al
eje de absisas corresponde:
is(t) = 4.To/Π.[(sen wt)/1 +(sen 3wt)/3 +(sen 5wt)/5 +……]
___________________________________________________________________ 19
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Is1 = (4.Io) / (Π.√2) : valor eficaz de la componente de 1º armonica o fundamental.
Corriente eficaz total :

______________________________________
Is = √ [(4.Io) /(Π√2)]2.[1+(1/3)2 +(1/5)2+(1/7)2 ……] = Io
Factor armónico de la corriente de entrada:

______________ ____________
HF≡ √ (Is2 – Is12) / Is12 = √ (Is2/ Is12) - 1 = 0,4843 = THD (distorsion armonica Total)
Factor de desplazamiento:
DF≡ cos θ = cos 0 = 1 (θ: angulo de desplazamiento entre la tension y la componente de
1º armónica de la corriente)
Factor de potencia:
PF = (Is1/Is).cos θ = 0,90 en atraso.
Rectificador monofásico de onda completa con carga resistiva, inductiva y tensión

eléctrica
Este análisis es el caso mas completo donde la carga, por ejemplo el inducido de un
motor eléctrico, esta compuesto por la resistencia eléctrica del devanado, su reactancia
inductiva y la fuerza contraelectromotriz que se genera , cuando esta girando su rotor
(excitación de campo). La siguiente figura, muestra el circuito con su carga compuesta:
En el análisis que sigue, despreciaremos la caída de tensión en los diodos.

Cuando tenemos circulación de corriente en los diodos, la tensión aplicada al
rectificador, Vs(t) = Vm.sen wt = √2.Vs.sen wt, se iguala a las caidas de tensión en la
carga:
_
√2.Vs.sen wt = L.dio/dt +R.io(t) + E , cuya solucion para la corriente, es de la forma:
_
io(t)= √2.Vs/Z . sen (wt-θ) + A1.e-(R/L).t – E/R.
________
Siendo Z= √R2+(wL)2 y θ = arc.tang.(wL/R)
___________________________________________________________________ 20
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para determinar el valor de la constante “A1” se nos presenta dos situaciones diferentes
en lo que respecta a la circulación de la corriente io(t) : Una cuando la corriente en la
carga no se hace nunca igual a cero. En este caso, decimos que estamos en “conducción
continua”. El otro caso, cuando la corriente en la carga es “discontinua”. es decir que en
determinado periodo de tiempo, la corriente es igual a ceo. En este ultimo caso, decimos
que estamos en “conducción discontinua”. Analicemos cada situación, previa
observación del siguiente grafico para conducción continua:
Vo(t)
Vm
wt
0 Π 2Π 3Π
io(t)
imax
I1
imin
wt
1º) conducción continua
La constante A1, la determinamos para wt = Π, donde io(t) = I1 y t= Π/w

_
I1= √2.Vs/Z . sen (Π-θ) + A1.e-(R/L).(Π/w) – E/R. Despejando A1 tenemos:
_
A1 = ( I1 + E/R - √2.Is/Z . sen θ). e-(R/L).(Π/w) .Sustituyendo este valor de A1 en la
Ecuación anterior, tendremos:
_ _
io(t)= √2.Vs/Z . sen (wt-θ) + ( I1 + E/R - √2.Is/Z . sen θ).e(R/L).(Π/w – t) – E/R.
Bajo régimen permanente io(t) = I1 para wt = Π y wt = 0 , por lo que reemplazando

obtenemos “I1” resultando:
_
I1 = √2.Vs/Z . sen θ.{ [1+ e-(R/L).(Π/w)] / [1- e-(R/L).(Π/w)] - E/R}, valido para I1≥0
Sustituyendo este valor de “I1” en la ecuación gral, tendremos finalmente la expresión
que nos da la corriente instantánea en la carga, en función del tiempo “t” o del Angulo
“wt”.
_
io(t)= √2.Vs/Z .{ sen (wt-θ) + [2.sen θ. e-(R/L).t] / [1- e-(R/L).(Π/w)] } –E/R
Se debe tener muy en cuenta que la ecuación anterior, solo tiene validez para el
periodo: 0 ≤ wt ≤ Π y para io(t) ≥ 0 . Los valores de corriente negativos, se
descartan, dado que en un rectificador, la corriente fluye siempre hacia la carga.
___________________________________________________________________ 21
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
La corriente promedio que circula por los diodos la podremos obtener como:
Id = 1/2.Π . ∫0Π io(t).dt
La corriente eficaz que circula por los diodos, la obtenemos como:

________________
IdRMS = √ 1/2.Π . ∫0Π io2(t).dt
La corriente eficaz de salida en la carga la obtenemos como suma de los aportes de los
diodos:
_______________
IoRMS = √ Id2 RMS + Id2 RMS
2º) Conducción discontinua.

En este caso la corriente fluye a la carga en un periodo comprendido entre α≤ wt ≤β ,
siendo :
α : ángulo de inicio de la conducción
β : ángulo de final de conducción.
Cuando el diodo comienza a conducir tenemos :
√2 . Vs sen α = E ; despejando resulta: α = arc. sen (E / √2.Vs).

Para wt = α resulta io(t) = 0 ; entonces podremos encontrar el valor de “A1” de la
ecuación gral:
_
0= √2.Vs/Z . sen (α-θ) + A1.e-(R/L).(α/w) – E/R. ; despejando A1:
A1= [E/R - √2.Vs/Z . sen (α-θ) ]. e-(R/L).(α/w)

Sustituyendo el valor de A1 en la ecuación gral:
_ _
io(t)= √2.Vs/Z . sen (wt-θ) + [E/R - √2.Vs/Z . sen (α-θ)] .e(R/L).(α/w - t) – E/R.
Ecuación solamente valida para α≤ wt ≤β e io(t) ≥ 0

Para determinar el ángulo de apagado “β”, debemos hacer io(t) = 0 y reemplazar wt = β
Para luego despejar “β”, pero es una ecuación trascendente por lo que no se puede
despejar; Como solución, conviene dar valores a “wt” a partir de “α” y cuando io(t)=0
entonces este ultimo valor de “wt de prueba”, resulta “β”.
Los demás valores de corriente lo obtenemos como:
Id = 1/2.Π . ∫αβ io(t).dt : corriente promedio que circula por los diodos
________________
IdRMS = √ 1/2.Π . ∫αβ io2(t).dt : corriente eficaz que circula por los diodos
La corriente eficaz de salida en la carga la obtenemos como suma de los aportes de los
diodos:
_______________
IoRMS = √ Id2 RMS + Id2 RMS
___________________________________________________________________ 22
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Problema:
Para el circuito rectificador monofasicos en Puente, con carga R, L y E, determinar:
1) La corriente instantánea en régimen permanente, en cuatro periodos de tiempo, de tal
forma que me permitan calcular por métodos de aproximación numérica, integrales
definidas.
2) La corriente promedio que circula por los diodos.
3) La corriente eficaz que circula por los diodos
4) La corriente eficaz de entrada al rectificador.
5) La tensión inversa que soportan los diodos
6) La potencia aparente de entrada al rectificador.
7) La grafica de la tensión instantánea en los extremos de la carga.
8) La grafica de la corriente instantánea sobre la carga.
Datos: L = 6,5 mH ; R = 2,5 Ω ; E = 10 volt.
F = 60 Hz ; Vs = 120 volt. Caída de tensión en diodos : Vd. = 0
1) Como primer cálculo debo verificar si el rectificador esta trabajando en conducción

continua o discontinua. Como las formulas son complejas, una solución puede ser
utilizar una planilla de calculo electronica, (programa de computación) como puede ser
“EXCEL” o “QPRO”. Si bien es laborioso armar la planilla, finalmente nos facilita
enormemente los cálculos. En nuestro caso armaremos la planilla con “QPRO”.
Por conveniencia, como utilizaremos un método aproximado para calcular las integrales
definidas, para determinar el valor medio, dividiremos el área de integración en cuatro
sectores. Para cada sector, determinaremos la altura de los rectángulos equivalentes en
los puntos α1, α2,α3 y α4, según muestra el grafico:
io(t)
wt
0 α1 α2 α3 α4 Π
α1 = Π/8 =0,3925 rad. ≡ 22,5º ≡ 1,0416 mseg.
α2 = Π.3/8 =1,1775 rad. ≡ 67,5º ≡ 3,1248 mseg.
α3 = Π5/8 =1,9625 rad. ≡ 112,5º ≡ 5,208 mseg.
α1 = Π7/8 =2,7475 rad. ≡ 157,5º ≡ 7,2912 mseg.

Ahora deberemos verificar el tipo de conducción:
Primero verifico con la “formula de conducción continua”, para wt=0. Si la corriente
calculada es positiva, el resultado es correcto. Si resulta negativa, el valor es incorrecto,
dado que la corriente de la carga, siempre tiene un solo sentido. En este ultimo caso, se
deberá aplicar “la formula para conducción discontinua”, implicando ello, determinar
los ángulos de inicio (α) y final de la conducción (β), para determinar los valores de
corriente promedio y eficaz.
___________________________________________________________________ 23
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para nuestro caso particular, la conducción es continua, resultando los siguientes valores
de corriente:
io(wt=0) = 4,8 A
io(α1) = 25,33 A
io(α2) = 36,26 A
io(α3) = 50,51 A
io(α4) = 44,87 A
2) Para calcular la corriente promedio del diodo aplico la formula aproximada del valor
medio : determino las áreas parciales, se suman y se divide por el periodo considerado
Π.
Id = 1/Π. ∫0Π io(t).dwt = 1/Π [ io(α1).2α1+io(α2).2α1+io(α3).2α1+io(α4).2α1]
Id = α1/Π.[io(α1)+io(α2)+io(α3)+io(α4) ]
Reemplazando valores:
Id = 19,62 A
3) De la misma forma que el caso anterior determinamos el valor eficaz de la corriente

del diodo, utilizando la siguiente formula aproximada:
_________________________________
Π 2
IdRMS = 1/Π. ∫0 io (t).dwt≈ √ α1/Π.[io2(α1)+io2(α2)+io2(α3)+io2(α4) ]
IdRMS = 28,55 A
4) Calculo de la corriente eficaz total sobre la carga

Is2 RMS = Id2 RMS (diodos D1 y D2)+ Id2 RMS (diodos D· y D4)
________ _
Is RMS =√2. Id2 RMS = √2 . IdRMS = 40,26 A
5) Tension inversa que soportan los diodos

_
PIV = √2 . Vs = 1,41 . 120 = 169,2 A
6) Potencia aparente de entrad al rectificador (o salida del trafo).
Pap = Vs . Is RMS = 120 . 40,26 = 4,831 KVA
7) y 8)
Para determinar la grafica de las tensiones y corrientes, el método manual es lento y
engorroso; conviene recurrir a los programas de computación como SPICE,
MICROCAP o WORKBENCH, entre otros. Las planillas de cálculo también
suministran la opción para graficar.
Problema
Para el circuito rectificador del problema anterior, determinar:
a) conducción continua o discontinua para E = 95 volt.
b) Angulo de inicio y final de conducción en los diodos si es discontinua.
c) Corriente promedio en los diodos.
d) Corriente eficaz en los diodos.
e) Corriente eficaz de entrada al rectificador.
f) Potencia aparente en la entrada al rectificador.
g) Tensión inversa en los diodos.
___________________________________________________________________ 24
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
RECTIFICADORES POLIFÁSICOS
Los rectificadores polifásicos, están alimentados por tensiones eléctricas simétricas,

definiendo la simetría por la igualdad en las magnitudes de los voltajes e igualdad de los
defasajes entre las tensiones eléctricas.
Los rectificadores polifásicos pueden clasificarse en dos tipos: aquellos donde la
corriente, en las ramas secundarias del transformador, circula en un solo sentido
(polifásicos de media onda) y los que la corriente circula en ambos sentidos (polifásicos
en puente). En gral podemos decir que es posible, desarrollar formulas de calculo, de los
parámetros eléctricos mas importantes, que involucren a todos los tipos de rectificadores
polifásicos de media onda y similarmente a los polifásicos en puente.
El periodo de conducción de los diodos esta dado por θc= 2.Π/m, siendo “m” el numero
de fases. Si m=3, entonces θc = 120º.
Para determinar en un instante determinado, cual diodo esta conduciendo, como método
Gral., se deberá examinar aquel que tenga su ánodo más positivo o su cátodo más
negativo.
El calculo de la tensión media rectificada, parte del análisis de la forma de onda de la
tensión en la carga, teniendo en cuenta a los efectos prácticos del desarrollo considerar
despreciable la caída de tensión en los diodos. (al final luego se la puede tener en
cuenta).
Vo(t)
Vsm(wt
)
wt
-Π/m 0 +Π/m
___________________________________________________________________ 25
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Calculando la integral definida entre –Π/m y +Π/m y luego dividiendo por el periodo
considerado Π/m+Π/m = 2Π/m, determinamos la tensión promedio Vo
Vo = 1/(2Π/m). ∫-Π/m+Π/m Vm.cos wt .dwt = (m/Π).Vm.sen (Π/m)
Vo = (m/Π).Vm.sen (Π/m) (polifásicos de media onda)
Para los rectificadores en puente, la formula es similar pero multiplicada por 2
Vo = 2. (m/Π).Vm.sen (Π/m) polifásicos en puente)
Circuito rectificador trifásico media onda
Este circuito esta formado por tres diodos conectados, por un lado a cada una de las tres
ramas secundarias del trafo, por el otro extremo se conectan a la carga “ZL”. El otro
extremo de la carga, se conecta al centro de estrella del secundario. Cuando la carga se
conecta con los cátodos de los diodos, y el centro de estrella, el rectificador suministra
una tensión positiva. Si se conecta a través de los ánodos, el rectificador le suministra
una tensión negativa, respecto al centro de estrella.
Analizaremos el primer rectificador. Para determinar, en un instante determinado cual
diodo conduce, en la grafica de las tensiones, lo encontraremos por la condición que
debe tener su ánodo más positivo que el resto de los diodos. Estos últimos, están
entonces bloqueados.
vo(t) vs(t) io(t)

io(t) Carga
vs1 Resistiva
vs2
vs3
wt
t1 t2 t3 t4
Carga
Inductiva
vs3 vs1 vs2
___________________________________________________________________ 26
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
En el grafico vemos que el diodo “D1”, conectado a la tensión de fase “vs1”, comienza
a conducir a partir del tiempo “t1” hasta “t2” , periodo de tiempo en el cual su ánodo es
mas positivo que el resto de los diodos. De la misma forma “D2” conduce entre los
tiempos “t2” y “t3” y el diodo D3, conduce entre “t3” y “t4”, para luego repetirse el
ciclo de conducción. El ángulo de conducción de cada diodo es θc= Π/3 =120º
A continuación, para simplificar, vamos a realizar los cálculos de los parámetros
eléctricos, del rectificador, considerando una carga muy inductiva (wL> 100.RL),
siendo este caso muy común.
Vo(t)
Vo (promedio)
wt
-Π/3 +Π/3
Para simplificar la integral definida el eje de ordenadas pasa por el valor pico de la
tensión instantánea vo(t), por lo que en el tramo considerado, tendrá una variación
cosenoidal resultando: vo(t) = Vm.cos wt ≈ vs
Determinación de la tensión promedio en la carga:

+Π/3
+Π/3 +Π/3
Vo = 1/T. ∫-Π/3 vo(t).dt = 1/(2/3)Π. ∫-Π/3 Vm.cos wt .dwt = (3Vm/2.Π).[sen wt]-Π/3
Vo = ( 3. 2 Vm . sen (Π/3)) / 2.Π = ( 3/Π . sen (Π/3)).Vm = 3/Π . 0,86 . Vm
Vo = 0,828.Vm
Cuando diseñamos “Vo” es dato, debemos determinar “Vm”
Vm = (1 / 0,828).Vo
Determinación de la tensión eficaz de las fases secundarias del trafo:
La tensión de cada una de las fases, es senoidal por lo tanto el valor eficaz de la tensión
resulta el valor conocido:
_
Vs = Vm/√2
Si reemplazamos Vm por su expresión en función de Vo nos queda:
_
Vs = (1/√2).(Vo/0,828) = 0,86.Vo
___________________________________________________________________ 27
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Determinación de la corriente eficaz en las ramas secundarias del trafo:
Is1
(Fase 1) Io
wt
0 2/3Π 2Π
is2
(Fase 2)
Io
wt
2/3Π 4/3Π
is3
(Fase 3)
Io
wt
4/3Π 2Π
Para el cálculo, debemos tener en cuenta que la corriente circula solamente durante 120º
del periodo completo y en un solo sentido; además como hemos considerado carga muy
inductiva, la corriente prácticamente no tiene ondulaciones y su valor instantáneo,
coincide con el valor promedio de la corriente en la carga.
_____________ _______________ _______________
T 2 2/3Π 2
Is = √1/T.∫0 .is (t) dt = √1/2Π.∫0 is (t) dt = √ (1/2Π).(2/3Π).Io2
_
Is = (1/√3).Io
Determinación del factor de pulsación y factor de rizado
Para determinar estos factores, partimos del análisis de Fourier para los rectificadores
polifásicos de media onda:
∞
Vo(t) = Vm. (m/Π).sen(Π/m).[ 1- ∑n=m,2m,(2/n2-1).cos (nΠ/m) . cos nwt]
Para m=3 resulta:
Vo(t) = Vm. (3/Π).sen(Π/3) [1-(2/8).cos(3Π/3).cos 3wt – (2/35). Cos (6Π/3). Cos 6wt-
(2/143).cos (12.Π/3).cos 12wt- ….].
Vemos que la primera componente que aparece es de 3º orden o sea con frecuencia 3f
Cuyo valor es: V3 = 0,207.Vm. luego los factores resultan:
Factor de pulsación: Fp=V3/Vo = 0,25

_
Factor de ondulación o rizado : RF ≈ (V3/√2) / Vo = 0,177
Potencia aparente en el secundario del transformador:
Pas = 3. Vs.Is = 3 . 0,86 . 0,577 . Vo.Io = 1,49 .Po
___________________________________________________________________ 28
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Factor de utilización:
TUF ≡ Po / Pas = 1/1,49 = 0,67
Determinación de los parámetros eléctricos más importantes para seleccionar los

diodos
Corriente máxima repetitiva que soportan los diodos:
IFRM = Io
Corriente eficaz máxima que circulan en los diodos:

_____________ _______________ _
IF(RMS) = √1/T.∫0 T .io2(t) dt = √(1/2Π).(2/3Π).Io2 = (1/√3) .Io2
IF(RMS) = 0,577.Io
Corriente promedio que circulan por los diodos:
IFAV = 1/T.∫0 T .io2(t) dt = (1/2Π).(2/3Π).Io = Io/3
Factor de forma de la corriente en los diodos:
FFD ≡ IF(RMS) / IFAV = (Io/√3) / (Io/3) = 3/√3 = 1,73
Tension de pico inverso que soportan los diodos:

_ _ _ _
PIV = VRWM = √2√3.Vs =√2√3. 0,86.Vo
La tensión de pico inverso que soportan los diodos, corresponde a la máxima amplitud
de la tensión compuesta o de línea.
Nota: En todos los rectificadores polifásicos de media onda, la corriente fluye en los
devanados secundarios en un solo sentido (unidireccional); esto significa que el flujo
magnético tiene una componente continua que puede provocar saturación en el núcleo
del transformador y aumentar el contenido de armónicos en la corriente del lado
primario. Para reducir estos armónicos de corriente, los devanados del primario del
transformador, se conectan en “delta o triangulo”
Rectificador exafásico de media onda
___________________________________________________________________ 29
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para este rectificador, son necesarias seis tensiones de alimentación, simétricas con un
defasajes entre ellas de 60º. Comparándolo con el circuito anterior, tiene el doble de
diodos (6) que soportan una corriente promedio mitad. El factor de ondulación es menor
y un factor de utilización también menor. Veamos como podemos obtener seis
tensiones desfasadas 60º en el secundario del transformador.
1 2 3
4 5 6
En el dibujo solamente se muestra el devanado secundario y el núcleo magnético del

transformador (tipo acorazado).Las tensiones de fase 1,2 y3 forman un sistema trifásico
simétrico con un defasaje de 120º entre ellas, Las tensiones de fase 4, 5 y 6, es similar al
anterior. El defasaje relativo entre estos dos sistemas es de 180º, lo que da las seis
tensiones con defasaje relativo de 60º.
vo(t)
vs(t)
5 1 6 2 4 3 5 1 6
wt
60º
-Π/6 +Π/6
___________________________________________________________________ 30
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Determinación de la tensión promedio de salida:
Vo = 1/(2Π/m). ∫-Π/m+Π/m Vm.cos wt .dwt = (m/Π).Vm.sen (Π/m)

Haciendo m = 6
Vo = 1/(2Π/6). ∫-Π/6+Π/6 Vm.cos wt .dwt = (6/Π).Vm.sen (Π/6) = (3/Π).Vm
Vo = 0,955.Vm
Determinación de la tensión eficaz en los bobinados secundarios del trafo:
La tensión de cada una de las fases , es senoidal por lo tanto el valor eficaz de la tensión
_
vs. = Vm./√2
Si reemplazamos Vm por su expresión en función de Vo nos queda:
_
Vs = (1/√2).(Vo/0,955) = 0,743.Vo
Determinación de la corriente eficaz en las bobinados secundarios del trafo:
Debemos tener en cuenta que la corriente, circula en un solo sentido, durante un ángulo
de conducción de 60º, según muestra la grafica:
Is1
(Fase 1) Io
wt
0 1/3Π 2Π
is2
(Fase 2)
Io
wt
1/3Π 2/3Π
is3
(Fase 3)
Io
“ wt
“
2/3Π Π
“
is6
(fase 6) Io
wt
5/3Π 2Π
___________________________________________________________________ 31
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
_____________ _______________ _______________
T 2 1/3Π 2
Is = √1/T.∫0 .is (t) dt = √1/2Π.∫0 is (t) dt = √ (1/2Π).(2/6Π).Io2
_
Is = (1/√6).Io = 0,408.Io
Determinación del factor de pulsación y factor de ondulación o rizado:
Utilizando la expresión generalizada de Fourier para m=6 encontramos que la 1º

armónica que aparece es de orden 6 lo cual su valor de amplitud vale:
Vm(6) = 0,0544.Vm con este valor puedo determinar los factores:
FP = Vm(6)/ Vo = 0,544.Vm / =0,9550.Vm = 0,0571
RF(%)≡γ(%)≡ (Vm(6)/√2) / Vo .100 = (0,0544/1,41).Vm / 0,9550.Vm.100 = 4,05 %
Pas = 6. Vs.Is = 3 . 0,7433 . 0,408 . Vo.Io = 1,82 .Po
Factor de utilización :
TUF ≡ Po / Pas = 1/1,82 = 0,55

diodos
IFRM = Io
Corriente eficaz máxima que circula en los diodos:

_____________ _______________ _
IF(RMS) = √1/T.∫0 .io (t) dt = √(1/2Π).(1/3Π).Io = (1/√6) .Io2
T 2 2
IF(RMS) = 0,408.Io

_ _
Tensión de pico inverso que soportan los diodos:

_ _
PIV = VRWM =2. √2.Vs =2.√2. 0,743.Vo
La tensión de pico inverso que soportan los diodos, corresponde al doble de la máxima
amplitud de fase.
___________________________________________________________________ 32
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Circuito rectificador trifásico de onda completa o en puente
La necesidad de obtener una corriente rectificada con un factor de pulsación muy bajo,
con un buen aprovechamiento de la capacidad del transformador, especialmente en
conversiones de media y alta potencia, se impone la necesidad de utilizar circuitos
trifásicos. Estos, si bien son más complejos, reducen notablemente las dimensiones de
los elementos filtrantes, como así también se reducen los fenómenos transitorios y se
hace un buen uso del trafo.
Este circuito rectificador, utiliza seis (6) diodos conectados según el esquema de la
figura, donde se ha omitido, por simplificación, los devanados primarios, que
normalmente se conectan en triangulo.
vo(t)
vs1
vs2
vs3 Vm
wt
0 +Π/6
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
id
D3 D1 D2 D3 D1
wt
-id D5 D6 D4 D5
___________________________________________________________________ 33
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para simplificar el análisis del rectificador trifásico en puente, vamos a modificar la
forma de dibujar el circuito de la siguiente forma:
Vemos que la carga ZL, esta alimentada en sus extremos por dos rectificadores en
estrella simple, que la alimentan (supuestamente) hasta la mitad de su valor (ZL/2),
cerrando el circuito, a través de un conductor ficticio hasta el centro de estrella del
secundario del transformador. Dentro de la hipótesis propuesta, entonces el rectificador
formado por los diodos D1,D2,y D3, suministran la corriente “io(t), desde el terminal
(+) de la carga hasta su mitad y luego a través del conductor ficticio, se retorna al centro
de estrella (o).
El otro rectificador, formado por los diodos D4,D5, y D6, extraen la corriente “-io(t)” ,
desde el terminal negativo de la carga , proveniente del centro de estrella (o) a través del
conductor ficticio, conectado, como dijimos, en la mitad de la carga. La corriente neta
sobre este supuesto conductor, lógicamente debe ser cero, dado que no existe (-
io(t)+io(t)=0.
En la practica, la corriente, impulsada por la tensión “compuesta o de línea” del
secundario del trafo, ingresa por el terminal positivo y egresa por el terminal negativo.
Para determinar , en un determinado instante de tiempo, cual de los diodos ingresa la
corriente y cual la extrae de la carga, tenemos que identificar cual de los diodos D1,D2
y D3, tiene su “ánodo” mas positivo (la corriente ingresa) y para el grupo D4,D5 y D6,
tiene su cátodo mas negativo. Por ejemplo, observando el grafico de las tensiones de
fase, para el tiempo “t2”, la corriente ingresa por el diodo “D1” y egresa por el diodo
“D5”. Para el tiempo “t4”, la corriente sigue ingresando por “D1”, pero ahora egresa por
“D6”.
En todos los diodos, la corriente circula durante 2/3Π o sea 120º. Por ejemplo durante el
periodo de conducción del diodo “D1”, que ingresa la corriente a la carga, en los
primeros 60º, la corriente egresa por el diodo “D5” y el resto del tiempo (otros 60º), lo
hace por “D6”.
___________________________________________________________________ 34
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Determinación de la tensión promedio sobre la carga:
Bajo la hipótesis planteada, al ser dos rectificadores trifásicos media onda que alimentan
los extremos de la carga, hasta “su mitad”, entonces, para calcular la tensión promedio,
podemos aplicar la formula de este tipo de rectificador, multiplicada por dos (2).
+Π/3
+Π/3 +Π/3
Vo=2. 1/T. ∫-Π/3 vo(t).dt = 1/(2/3)Π. ∫-Π/3 Vm.cos wt .dwt = (3Vm/2.Π).[sen wt]-Π/3
Vo = [( 3. 2 Vm . sen (Π/3)) / 2.Π] =2. [( 3. 2 Vm . (√3/2)) / 2.Π]= (3.√3/Π).Vm
Vo = 1,636.Vm
También la tensión promedio se puede determinar calculando el valor promedio de la
tensión instantánea en los extremos de la carga, vo(t) entre los límites “0” y “Π/6” ,
valor de tensión que coincide con la tensión compuesta o de línea, de valor √3.vs,
siendo “vs” , la tensión de fase.
_ _ +Π/6
Vo = 1/T. ∫0+Π/6 vo(t).dt = (1/6)Π. ∫0+Π/6 √3.Vm.cos wt .dwt = (3.√3/.Π).[sen wt]0
_
Vo= (3.√3/Π).Vm
También se podría haber determinado Vo considerando el periodo comprendido entre
“-Π/6” y “+Π/6” resultando:
_ _ +Π/6 _
+Π/6
Vo= (1/3)Π. ∫-Π/6 √3.Vm.cos wt .dwt =(3.√3/.Π).[sen wt]-Π/6 = (3.√3/Π).Vm.
Cuando diseñamos, “Vo” es dato, debemos determinar “Vm”

Vm = (1 / 1,636).Vo
Determinación de la tensión eficaz en los bobinados secundarios del trafo:
La tensión de cada una de las fases, es senoidal por lo tanto el valor eficaz de la tensión
_
Vs = Vm/√2 . Si reemplazamos Vm por su expresión en función de Vo nos queda:
_
Vs = (1/√2). (1 / 1,636).Vo = 0,4293.Vo
Corriente eficaz en las fases secundarias del trafo
Vs1(t)
is1(t) 2/3.Π
Io Π 7/6Π 11/6Π 2Π
wt
0 Π/6 5/6Π
2/3.Π
___________________________________________________________________ 35
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
En el grafico anterior, hemos tomado como referencia, la tensión secundaria de fase

vs1(t) y la circulación de corriente en su devanado, en un periodo completo,
considerando una carga muy inductiva (wL>100.R)
_____________ _______________ _________________
Is = √1/T.∫0 .is (t) dt = √1/2Π.∫0 is (t) dt = √ (1/2Π).(2).(2/3Π).Io2
T 2 2Π 2
___
Is = (√2/3).Io = 0,816.Io
Desarrollo en serie de fourier de la tensión de salida:
Como son dos rectificadores en trifásicos de media onda, que alimentan la carga y están
desfasados en 60º entre ellos, podemos plantear la tensión instantánea en la carga como
la suma instantánea de las tensiones parciales de cada rectificador:
vo1(t) = Vo1 -V3.cos 3wt - V6.cos 6wt -………

vo2(t) = Vo2 -V3.cos ( 3wt+60º) - V6.cos (6wt+60º) - ………
vo(t) = vo1(t) + vo2(t)
Realizando la suma y teniendo en cuenta que: V3.cos 3wt = -V3.cos( 3wt+60º) y

además considerando:
Vo = Vo1+Vo2 (suma de los valores parciales continuos) la expresión resulta:
Vo(t) = Vo - 2.V6 . cos(6wt) - 2.V12. cos (12wt) - ......
Considerando el desarrollo en serie de Fourier para trifásico de media onda, podemos

encontrar los valores de las amplitudes parciales, para luego con la ultima formula,
determinar los armónicos del rectificador trifásico en puente
∞
vo(t) = Vm. (m/Π).sen(Π/m).[ 1- ∑n=m,2m,(2/n2-1).cos (nΠ/m) . cos nwt]
Para m=3 resulta:
vo(t) = Vm. (3/Π).sen(Π/3) [1-(2/8).cos(3Π/3).cos 3wt – (2/35). Cos (6Π/3). Cos 6wt-
(2/143).cos (12.Π/3).cos 12wt- ….].
Vo1 = Vo2 = Vm. (3/Π).sen(Π/3) = 0,828.Vm
V6 = (2/35). cos (6Π/3).0,828.Vm = 2/35 . 0,828.Vm = 1,636/35 .Vm
V12= (2/143). cos(12/3.Π).0,828.Vm = 2/143 .0,828.Vm = 1,636/143 .Vm
Reemplazando Vo1 y Vo2, encontramos el valor promedio:
Vo = Vo1+Vo2 = 0,828.Vm +0,828.Vm = 1,636.Vm
vo(t) = 1,636.Vm -2.( 1,636/35).Vm.cos(6wt) – 2.( 1,636/143).Vm.cos(12wt) …….
___________________________________________________________________ 36
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Determinación del factor de pulsación y factor de ondulación:
Factor de pulsación:
FP=V6/Vo = 2.( 1,636/35).Vm/Vo=2.( 1,636/35).(1/1,636).Vo/Vo=0,0571
Factor de ondulación o rizado :
RF ≈ (V6/√2) / Vo = 0,571/√2 = 0,0404
Se puede encontrar una expresión gral para FP y RF, reemplazando el denominador y

numerador de ambas relaciones por los valores determinados en el desarrollo de fourier,
obteniéndose:
FP = 2 / (n2 – 1)
_
RF%(≡γ%) ≈ [2/(√2.(n2 – 1))].100
Pas = 3. Vs.Is = 3 . 0,429 . 0,816 . Vo.Io = 1,05 .Po
Factor de utilizacion :
TUF ≡ Po / Pas = 1/1,05 = 0,952

diodos
IFRM = Io
Corriente eficaz máxima que circulan en los diodos:

_____________ _______________ _
IF(RMS) = √1/T.∫0 T .io2(t) dt = √(1/2Π).(2/3Π).Io2 = (1/√3) .Io2
IF(RMS) = 0,577.Io
Tensión de pico inverso que soportan los diodos:

_ _ _ _
PIV = VRWM = √2√3.Vs =√2√3. 0,4293.Vo
La tensión de pico inverso que soportan los diodos, corresponde a la máxima amplitud
de la tensión compuesta o de línea.
___________________________________________________________________ 37
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Circuito rectificador exafásico a doble estrella de media onda
Este circuito puede considerarse como una modificación del rectificador exafasico en
estrella media onda. El arrollamiento secundario del trafo, esta constituido por dos
estrellas trifásicas (grupo 1 y grupo2), cuyos centros de estrella se conectan al borne
negativo de la carga, a través de dos arrollamientos bobinados en sentido inverso sobre
un mismo núcleo de hierro. Esta bobina de inductancia especial (transformador o
reactor interfasico ) son recorridos por corrientes iguales hacia los centros de estrella,
desde el borne negativo de la carga. El flujo resultante en el núcleo es igual a cero. Cada
variación de la corriente en una de las dos ramas, crea un flujo que se opone a esta
variación, con la siguiente generación de una Fem. en la rama en cuestión. Esto tiene
lugar cuando la conducción pasa de un grupo a otro. Esta Fem. inducida hace que los
grupos trabajen en paralelo.
Las características más relevantes de este circuito rectificador, son las siguientes:
1) La expresión de “Vs” en función de Vo, es similar al rect. trifásico de media onda.
2) La corriente secundaria del trafo por rama “Is”, es la mitad que el trifásico de media
onda.
3) El factor de utilización “TUF” es similar al trifásico de media onda.
4) Las corrientes máximas y media por diodo, resultan la mitad que el trifásico de media
onda.
5) La máxima tensión inversa, resulta similar al trifásico de media onda.
6) El factor de pulsación y ondulación, resulta similar al rect. Exafasico de media onda.
Con carga reducida (0,5% a 1%) el transformador interfasico no funciona y por lo tanto
el circuito se comporta como un rectificador exafasico de media onda.
___________________________________________________________________ 38
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
PÉRDIDAS EN LOS CIRCUITOS RECTIFICADORES
En las grandes instalaciones, con conversiones de potencia eléctrica importantes, las

perdidas de potencia eléctrica, como las caídas del voltaje rectificado, son significativas.
La regulación del voltaje de salida, es decir su variación con la variación de la corriente
de carga (Io), dependen de tres factores principales; “las perdidas en el cobre del
transformador”, “la caída de tensión en los diodos” y “la caída de tensión en la
conmutación”.
Pérdida en el cobre del transformador:
La disminución de la tensión continua de salida del rectificador, debido a las pérdidas

en el cobre, la podemos calcular de la siguiente forma:
Vc[V] = Pc[W] (perdidas en el cobre del trafo) / Io[A] (corriente continua en la carga)
Caída de tensión en los diodos:
En gral , estas son pequeñas para los diodos de silicio, valor que puede estar
comprendido entre 1 y 2 volt. El valor exacto lo podemos obtener de las características
tensión corriente del dispositivo, tomándose como valor promedio, el que corresponde a
la corriente promedio que circula por el diodo.
La caída de tensión en los diodos toma importancia, cuando la tensión de salida
rectificada resulta baja. Por ejemplo una caída de tensión de 1,7 volt para un circuito
rectificador monofàsico en puente (dos diodos en serie en el trayecto de la corriente)
suele ser un valor relativamente alto, si se debe suministrar una tensión continua de 12
volt (≈ 14,2% de caída).
Caída de tensión por los procesos en la conmutación:
En los circuitos rectificadores que hemos estudiado anteriormente, con el objeto de

simplificar el desarrollo analítico, y en el caso de cargas inductivas, las corrientes en los
diodos presentaban una representación grafica rectangular, para cada diodo ( conectado
a las fases del secundario del trafo). Durante la conmutación de la corriente, de un diodo
a otro, esta lo hacia en forma instantánea, donde el diodo que dejaba de conducir, su
corriente caía en forma abrupta, y de la misma forma para el diodo que comenzaba a
conducir, que pasaba instantáneamente del valor cero al valor “Io”.
En los circuitos reales, durante la conmutación, el proceso resulta diferente. Debido a
las reactancias de dispersión de los devanados del secundario, como así también los
filtros inductivos en serie, y la cargas inductivas (para los convertidores que lo posean),
todos estos elementos, hacen que la corriente no cambie abruptamente. En estas
condiciones, durante la conmutación de la corriente en los diodos, en un determinado
periodo de tiempo, ambos diodos conducen corriente eléctrica. En uno de los diodos, la
corriente decrece, y al mismo tiempo, la del otro diodo crece. Este fenómeno, de la
conducción de corriente en ambos diodos, se manifiesta en los parámetros eléctricos del
rectificador, como una caída de tensión extra, que se suma a la caída por las perdidas en
el cobre y caídas de tensión en los extremos de los diodos.
A continuación vamos a desarrollar analíticamente esta condición, partiendo de la
forma de onda de la tensión instantánea sobre la carga vo(t), para el caso donde
tenemos en cuenta solamente, la reactancias de dispersión de los bobinados secundarios
del transformador.
___________________________________________________________________ 39
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
vs1 vo
vo(t)
vs1
vs2
vs3
wt
0
t1 ∆θ t2 t3 t4
vs3 vs1 vs2
is1(t) io=is1 io=is2 io=is3 io=is1

is2(t)
is3(t)
wt
Como vemos en el grafico, durante el periodo “∆θ”, tenemos circulación simultánea en

los diodos D3 y D1. De la misma manera se repite en las otras conmutaciones. Este
fenómeno trae aparejado que la corriente instantánea en la carga tenga ahora la forma de
onda como muestra la figura en trazos gruesos. Como consecuencia de esto, el valor
promedio de la tensión de salida en la carga sea menor en una cantidad ∆Vo.
___________________________________________________________________ 40
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
El valor de “∆Vo” lo podemos encontrar, calculamos la superficie encerrada por la
función “vs1(t)” y la función “vo(t)”, en el periodo “∆θ” y lo dividimos por “∆θ”.
El desarrollo matemático que sigue, lo haremos para a un rectificador polifásico de
media onda.
∆Vo = 1/(2Π/m) .∫0∆θ (vs1 – vo).dθ (1) caída de tensión en la salida del rectificador.
vs1= vo + Ld1 . dis1/dt (2) .

El valor Ld1 . dis1/dt, representa la caída de tensión en la reactancia de dispersión de la
fase secundaria del transformador. Lo mismo, planteamos para vs3
vs3= vo + Ld3 . dis3/dt (3)
Suponemos también que L>> por lo tanto io(t) ≈ Io = constante.

Ademàs: Ld1 = Ld2 = Ld3= …..Ldm = Ld (4).
En el instante que circula la corriente por ambos diodos, se verifica:
Is1 + 1s3 = Io (5)

Derivamos esta última expresión respecto al tiempo obteniendo:
dis1/dt + dis3/dt = 0 (por ser Io = cte). De la misma manera:
dis1/dt =- dis3/dt (6)

Teniendo en cuenta la (4) y la (6), reemplazamos en la (2) y (3), quedando:
vs1= vo + Ld . dis1/dt (7)

vs3= vo - Ld . dis1/dt (8)
Sumamos miembro a miembro (7) y (8) obteniendo:
vs1+vs3 = 2.vo (9) despejamos “vo” :
vo = (vs1+vs3) / 2 (10).
Vemos que “vo” resulta el promedio aritmético de las tensiones del secundario del
trafo, cuando se esta produciendo la conmutación.
Reemplazamos la expresión (10) en la (1):
∆Vo = 1/(2Π/m) .∫0∆θ [vs1 – (vs1+vs3) / 2 ].dθ (11)

Desarrollando la función dentro de la integral, tenemos:
vs1 – (vs1+vs3) / 2 = (vs1 – vs3) / 2 (12).

Reemplazando nuevamente en la integral (12) en (11):
∆Vo = 1/(2Π/m) .∫0∆θ [ (vs1- vs3) / 2 ].dθ (13)
Por otra parte las tensiones vs1 y vs3 las podemos expresar como:
vs1 = Vm1. cos (wt – Π/m) (14)

vs3 = Vm3. cos (wt + Π/m) (15)
Vm1 = Vm3 = Vm (16)

___________________________________________________________________ 41
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Si desarrollamos la (14) y la (15), teniendo en cuenta la (16) resultan:
vs1 = Vm.[ cos wt. cos Π/m + sen wt. sen Π/m ) (17)
vs3 = Vm.[ cos wt. cos Π/m - sen wt. sen Π/m ) (18)
Si restamos la (17) y (18) obtenemos:
vs1 – vs3 = 2.Vm sen wt . sen Π/m (19) operando tenemos :

(vs1 – vs3) / 2 = Vm sen wt . sen Π/m (20)
Reemplazando la expresion (20) en la (13) :
∆Vo = 1/(2Π/m) .∫0∆θ [Vm sen wt . sen Π/m ].dθ (21)

Resolviendo esta integral (21) :
∆Vo = 1/(2Π/m) . Vm . sen Π/m. [- coswt]0∆θ
∆Vo = 1/(2Π/m) . Vm . sen Π/m. [1 – cos ∆θ] (22)
Para resolver (22), necesitamos conocer el valor de ∆θ; lo podemos determinar,

teniendo en cuenta que la corriente “is3” en “∆θ” , vale cero. Para ello entonces
debemos encontrar la expresión de “is3” e igualarla a cero, para luego despejar “∆θ”.
Esta expresión de “is3”, la podemos encontrar, restando miembro a miembro la (2) y la
(3) y teniendo en cuenta la (6):
vs1 – vs3 = Ld( dis1/dt – dis3/dt) (23)
vs1 – vs3 = - Ld dis3/dt (24)

despejando la dis3/dt e integrando respecto al tiempo tenemos
∫ dis3/dt = - 1/(2.Ld) . ∫ (vs1 – vs3) . dt + C (25)
Por otra parte tendiendo en cuenta la (17) y (18) resulta:
vs1 – vs3 = 2.Vm sen wt . sen Π/m (26)
Reemplazando la (26) en la (25) :
is3 = - 1/(2.Ld) . ∫ 2.Vm sen wt . sen Π/m . dt + C
is3 = - (2.Vm.sen Π/m) /(2.Ld) . ∫ sen wt . dt + C
is3 = - (2.Vm.sen Π/m) /(2.Ld) . [ - cos wt/ w] + C
is3 = (Vm.sen Π/m) / (Ld.w). cos wt/ m + C (27)

debemos ahora encontrar la constante de integración “C”; para tenemos en cuenta que
para t=0 is3 = Io. Reemplazando estos dos valores en la (27) y despejando “C”
resultara:
C = Io - (Vm.sen Π/m) / (Ld.w) (28)

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Reemplazando (28) en (27), tendremos la expresión gral de la corriente “is3”:
is3 = (Vm.sen Π/m) / (Ld.w). cos wt/ m + Io - (Vm.sen Π/m) / (Ld.w) (29)
Ahora si en la expresión (29) hacemos wt = ∆θ, será is3 = 0
0 = (Vm.sen Π/m) / (Ld.w). cos ∆θ/ m + Io - (Vm.sen Π/m) / (Ld.w)

Operando esta última expresión llegamos a:
(1- cos ∆θ ) = (Ld.w.Io) / (Vm. Sen Π/m ) (30)
Reemplazando la (30) en la (22) tenemos:
∆Vo = 1/(2Π/m) . Vm . sen Π/m. (Ld.w.Io) / (Vm. Sen Π/m ) (31)

Simplificando la (31) llegamos a la expresión final de la caída de tensión debido a la
conmutación:
∆Vo = ( m.Ld.w.Io) / 2Π = m.Ld.f.Io (valida para polifasicos de media onda)
Esta última expresión vale para los circuitos polifásicos de media onda; para los
polifásicos de onda completa, como son dos polifásicos de media onda que alimentan la
carga por sus extremos, entonces debemos tener en cuenta dos caídas de tensión. La
formula para encontrar la caída de tensión, es igual a la expresión desarrollada para
media onda pero multiplicada por dos
∆Vo = 2 . ( m.Ld.w.Io) / 2Π = 2.m.Ld.f.Io (valida para polifásicos de onda completa)
La tensión promedio a la salida de un circuito rectificador real
La expresión de la tensión promedio en la carga de un rectificador real, la obtenemos,

restando al valor ideal de calculo, las caídas de tensión por perdidas en el cobre del
trafo, por caída de tensión en los diodos y por caída de tensión debido a los procesos de
la conmutación
V’o = Vo - Pc/Io – VFAV . n – ∆vo
Vo : Valor de la tensión promedio teórico en condiciones ideales
∆Vo : caida de tension por el proceso de conmutacion
Pc/Io : caída de tensión por perdidas en el cobre del trafo.
VFAV . n = Caída de tensión en los diodos donde VFAV es la caída de tensión promedio
cuando circula la corriente promedio del diodo (para un rect. trifásico de media onda es
Io/3).
n : Es la cantidad de diodos en serie de por rama del transformador.

Si la salida del rectificador tiene un filtro, al valor de V’o habrá que restarle la caída de
tensión producida en dicho filtro.
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3-4 Tiristores
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TIRISTORES
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores que se utilizan en los
circuitos conversores de potencia eléctrica controlada. Compiten en algunas
aplicaciones, con los transistores de potencia. Actúan como interruptores de corriente
eléctrica, con característica “biestable” por un proceso interno regenerativo, que lo hace
pasar de un estado “no conductor”, a un estado “conductor”.
En comparación con los transistores, desde el punto de vista de su actuación como
interruptor de corriente eléctrica, los tiristores tienen menores perdidas por conducción
en estado “encendido” y tienen mayores especificaciones para el manejo de la potencia
eléctrica a convertir. Los transistores, en cambio, tienen en gral, mejor prestación
durante la conmutación, por su mayor velocidad y menor perdida de conmutación.
Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores denominados “tiristores”,
con dos, tres y hasta cuatro terminales externos. Por ejemplo el tiristor convencional,
denominado “SCR” (rectificador controlado de silicio), tiene tres terminales, dos de los
cuales los emplea para conducir la corriente eléctrica a convertir, y el tercer terminal se
lo utiliza para “encender” el dispositivo (pasaje al estado conductor). La operación
inversa, o sea el bloqueo de la corriente controlada, solo se logra por acción natural
(cruce por cero de la corriente por el cambio de polaridad del voltaje), o por acción
forzada de circuitos de conmutación auxiliares.
El “GTO” es un tiristor que tiene implementada la función de “encendido y apagado”
mediante una compuerta que se le aplican pulsos positivos (para encendido) y pulsos
negativos (para apagado), respecto al terminal “cátodo”.
Previo al análisis del funcionamiento interno de estos dispositivos, veremos primero el
circuito básico y funcionamiento de rectificador controlado de media onda.
Circuito
De
Disparo
En el dibujo se aprecia al “SCR” con sus tres terminales Ánodo, cátodo y compuerta
(gate). La corriente principal circula entre ánodo y cátodo. La tensión de disparo o
control, se aplica entre la compuerta y el cátodo. Esta última tensión, como veremos, es
generalmente de tipo pulsante, generada por un circuito electrónico especial,
denominado “circuito de disparo”.
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3-4 Tiristores
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Para interpretación del funcionamiento, resulta conveniente graficar las tensiones
eléctricas intervinientes en el circuito, en función del tiempo.
vs
0 t1 t2 t3 t4 t5
vgc
t
vac
SCR SCR
Conduce No SCR
conduce Conduce
vL
En el intervalo de tiempo entre 0 y t1, el SCR tiene aplicada una tensión positiva entre
ánodo y cátodo (directa), no conduciendo corriente, por lo que : vL= 0 y vac= vs.
En “t1”, el circuito de disparo aplica un pulso de corriente a la compuerta, haciendo que
el SCR pase al estado de conducción. La tensión vac cae a una valor próximo a 1 volt y
aparece un voltaje en la carga vL= vs- vac ≈ vs. Cuando la tensión de alimentación pasa
por cero (t2) y si la corriente de carga esta en fase, esta también cae a cero, lo que hace
que el SCR se “apague” y deje de conducir. La tensión en sus extremos se eleva
haciéndose negativa y de valor vac = vs ; vl = 0. Posteriores disparos durante el
semiciclo negativo de la tensión de entrada (t3), no logran encender al SCR. En el
próximo semiciclo positivo, en t4, al aplicarle otro pulso en la compuerta, nuevamente
el SCR comienza a conducir corriente hasta el cruce por cero (t5).
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3-4 Tiristores
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Características de los tiristores
Básicamente están formados por una estructura semiconductora de cuatro capas

“PNPN” con tres junturas J1, J2, J3, como muestra el siguiente dibujo:
Ánodo
(A)
A
P
Puerta J1
(GP) N
J2
P
G
J3
N
C
(C)
Cátodo
Cuando al ánodo se le aplica tensión positiva respecto al cátodo, las junturas J1 y J3 se

polarizan directamente y la juntura J2 inversamente. Entre ambos terminales fluye una
pequeña corriente. Se dice que el tiristor esta en estado de “bloqueo directo” o
desactivado. Si aumentamos la tensión ánodo-cátodo (Vac), la juntura “J2” entra en
ruptura por avalancha (Vac = VBO), denominado “voltaje de ruptura directo”. Por el
tiristor circulara una gran corriente, solo limitada por la carga conectada al circuito. Se
dice que el tiristor entro en estado de “conducción directo o activado”. En esta
condición, vac≈1 volt. La corriente se mantendrá circulando, solo si esta supera un
valor, denominado “corriente de retención o enganche”.
Cuando se aplica una tensión negativa en el ánodo respecto al cátodo, J1 y J3 se
polarizan inversamente, y J2 se polariza directamente. En esta condición, las junturas J1
y J3, se comportan como dos diodos conectados en serie, soportando una tensión
inversa, por lo que circulara una pequeña corriente de fuga entre ánodo y cátodo
(corriente inversa). Se dice que en esta condición, el tiristor esta en estado de “bloqueo
inverso”, similar a un diodo polarizado inversamente.
La activación de un tiristor, haciendo Vac > VBO, lo puede destruir. En la práctica
Vac < VBO y para activarlo, se le aplica un voltaje positivo a la compuerta “G”, respecto
al cátodo. Una vez activado, puede quedar en esta condición (por un mecanismo de
realimentación interna positiva), siempre y cuando la corriente de ánodo supere el valor
de la corriente “mínima de retención o enganche” (Ia> IL). Dadas estas condiciones, la
tensión de compuerta se puede retirar, sin afectar el último estado “conductor” del
tiristor.
El tiristor, en el estado conductor, se comporta en forma similar a la de un diodo
polarizado directamente y ya no hay control sobre el dispositivo.
El estado de bloqueo directo se logra, como dijimos, mediante la conmutación natural
de la tensión de alimentación a un valor negativo o mediante circuitos especiales de
apagado del tiristor; todos ellos actuando sobre la corriente de ánodo para que su valor
se haga menor a la de “mínima de mantenimiento” (Ia < IH).
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3-4 Tiristores
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Modelo del tiristor con dos transistores bipolares:
La acción regenerativa, por realimentación positiva, que hace que el tiristor pase del
estado de bloqueo directo al estado conductor, se puede demostrar utilizando un
circuito equivalente con dos transistores bipolares como se muestra en la figura
siguiente:
Ánodo
(A)
P
J1
Puerta
(G) N
N
J2
P J2
P
J3
N
(C)
Cátodo
A continuación vamos a analizar este modelo aplicado a un circuito básico formado por
los dos transistores bipolares una impedancia de carga y una fuente de alimentación.
Con este circuito, vamos a calcular analíticamente la corriente de ánodo ia, en función
de los parámetros eléctricos de ambos transistores. Como caso general, consideraremos
dos puertas, una en la base del transistor npn y la otra en la base del transistor pnp.
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3-4 Tiristores
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La corriente de colector “IC”, de un transistor bipolar, se relaciona en gral con la
corriente de emisor “IE” y la corriente de fuga de la juntura colector-base, “ICBO” como:
IC = αIE + ICBO
Donde α ≈ IC/ IE representa la ganancia de corriente en base común

Para nuestro caso la corriente de colector “IC1” del transistor Q1 resulta:
IC1 = α1IA + ICBO1 (1)

Donde α1 es la ganancia de corriente e ICBO1 es la corriente de fuga para Q1.
De la misma manera para Q2:
IC2 = α2IC + ICBO2 (2)

Por otra parte, de acuerdo al circuito tenemos:
IA = IC1 + IB1 (3)
IB1 = IC2 + IGN (4)
IC = IGP + IA - IGN (5) igualdad que sale de las corrientes entrantes es igual a las
corrientes salientes.
Con las expresiones anteriores despejamos la corriente de ánodo, resultando:
IA =[ ICBO1 + ICBO2 + (1- α2)IGN + α2. IGP ] / [1- (α1+α2) ]

1) Si en la ecuación anterior hacemos IGN = IGP = 0 , es decir no hay activación por
compuerta, la corriente de ánodo vale:
IA = ICBO1 + ICBO2 En este caso α1 =α2 ≈ 0 dado que IE ≈ 0
2) Si hacemos IGN = 0 e IGP ≠ 0 o sea tenemos activación por la compuerta del

transistor npn (corriente de base entrante) comienza a producirse la realimentación
interna positiva , dado que aumenta la corriente de colector de Q2 que a su vez es
corriente de base de Q1 y por efecto de amplificación aumenta su corriente de emisor
(corriente de ánodo del tiristor); de la misma forma aumenta la corriente de colector de
Q1 y esta corriente alimenta nuevamente la base de Q2 y así sucesivamente hasta que
ambos transistores pasan a la saturación. En la formula el crecimiento de la corriente de
ánodo se nota al aumentar las ganancias de corrientes de los transistores por efecto del
aumento de las corrientes de emisor de los transistores, según la
grafica:
α
1
0,8
0,6
0,4
0,2
10-3 10-2 10- 1 IE[mA]
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3-4 Tiristores
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Cuando α1 + α2 = 1 el denominador de la formula se hace cero y la corriente del ánodo

del tiristor se hace infinita. En la práctica, queda limitada por el circuito externo
3) Si hacemos IGP = 0 e IGN ≠ 0 o sea tenemos activación por la compuerta del

transistor pnp (corriente de base saliente) comienza a producirse el mismo efecto de
realimentación pero en este caso requerirá mayor corriente de compuerta dado que en la
expresión de la corriente de ánodo el termino de IGN en el numerador, esta afectado por
(1-α2).
Condiciones transitorias en el tiristor:

Bajo condiciones transitorias de tensión en sus extremos principales, las capacitancias
de las junturas J1, J2, J3, influyen en el comportamiento del tiristor.
Cj1 y Cj3 son capacidades de almacenamiento o difusión, para una juntura polarizada
directamente. Cj2, es la capacidad de la carga espacial o de transición, para una juntura
polarizada inversamente. Si el tiristor esta en bloqueo directo, un rápido crecimiento del
voltaje aplicado entre los extremos ánodo-cátodo, provocará un flujo de corriente a
través de los capacitores de las junturas.. La corriente que pasa por el capacitor Cj2
vale:
Ij2 = d(qj2) / dt = d(Cj2.Vj2) / dt = Vj2.dCj2/dt + Cj2.dVj2/dt
Como vemos, si dVj2/dt es grande, también lo será Ij2, dando lugar a un incremento de
las corrientes de fuga ICBO1 y ICBO2 d la juntura J2 de los transistores, provocando un
incremento de la corriente de ánodo y, por realimentación, α1 y α2 se incrementan,
causando la conducción del tiristor en forma indeseable. Además, si esta corriente
capacitiva es muy grande, puede destruirlo.
Activación del tiristor
Los tiristores pueden activarse, o sea incrementar su corriente de ánodo, por diversas
formas:
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3-4 Tiristores
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1) Acción térmica: Si la temperatura del tiristor es alta, se incrementan las corrientes
ICBO1 y ICBO2 por generación de portadores minoritarios (electrón-huecos), aumentando
los valores de α1 y α2. Cuando α1 +α2 = 1, por acción regenerativa el tiristor se activa.
En consecuencia es necesario limitar la temperatura máxima de funcionamiento para
evitar esta condición no deseada. Los fabricantes suministran los valores máximos de
temperatura de funcionamiento.
2) Acción de la luz: Si se permite que la luz llegue a las junturas del tiristor (J2),
aumentaran los portadores minoritarios electrón-huecos, aumentando las corrientes =
ICBO1 y ICBO2 , hasta provocar la activación. Este mecanismo se utiliza para activar
tiristores que trabajan en convertidores para alta tensión, utilizando fibras ópticas para
su activación y aislamiento eléctrico del circuito generador de los pulsos de disparo.
(Tiristores activados por luz LASCR).
3) Aumento de la tensión aplicada: Si la tensión directa aplicada Vac (ánodo-cátodo)

resulta mayor que VBO, (tensión máxima de bloqueo directo), por efecto “avalancha”,
aumenta ICBO1 y ICBO2 hasta la activación por acción regenerativa, con probabilidad de
destrucción. Esto limita la máxima tensión directa aplicada.
4) Variación de la tension aplicada (dv/dt): Esta acción produce un aumento de las

corrientes capacitivas de las junturas del tiristor, suficientes para activarlo. Un valor alto
de estas corrientes, puede ser destructivo. Los fabricantes establecen los límites de dv/dt
que pueden soportar los tiristores.
5) Acción del transistor Q2 ò por corriente de compuerta: Es el método normal para

activarlo; se logra aplicando un voltaje positivo a la compuerta respecto al cátodo, que
provocara la circulación de la corriente “IGP”, dando lugar a la acción regenerativa
interna en el tiristor. La activación para el “SCR” se logra con voltajes de bloqueo
directo (ánodo positivo respecto al cátodo)
Caracteristica tension-corriente entre ánodo y cátodo para el SCR
ia
Corriente mínima
De enganche IL
Características
Corriente mínima Con corriente
De mantenimiento de compuerta
IH Ig1>Ig2>ig3
Voltaje de
Ruptura inversa
vac
Corriente de fuga VBO
Inversa Voltaje de
Ruptura directo
para Ig =0
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3-4 Tiristores
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Se observa que en el primer cuadrante, tenemos las características directas. Si
aumentamos la tensión “vac” al principio la corriente directa es insignificante. Cuado
llegamos a la zona limite de bloqueo directo (VBO) la corriente comienza a aumentar y
la tensión a disminuir; en este momento comienza la realimentación interna del tiristor,
donde se manifiesta una característica de resistencia “negativa”. Durante este periodo, el
dispositivo “transita por esta zona “, hasta llegar a una zona con característica de
resistencia positiva, el tiristor podrá quedar con determinados valores de corriente y
tensión, dependiente de la tensión externa de alimentación y la resistencia de carga. Esto
se puede lograr, si la corriente anódica supere el valor mínimo de enganche o retención
(IL). Cuando la corriente anódica comienza a disminuir, a partir de un valor mínimo (iH),
el dispositivo vuelve al estado de bloqueo directo. Las características directas, se
modifican (líneas de trazos) de acuerdo con el valor de la corriente inyectada en la
compuerta. En este caso vemos que aumentando la corriente en la compuerta, la tensión
de bloqueo directo, disminuye.
Característica tensión- corriente en la compuerta del SCR
Los tiristores tienen limitaciones en tensión, corriente y disipación máxima de

compuerta. Veamos por ejemplo la característica tensión –corriente de la compuerta del
SCR:
Curvas límites de una familia de SCR

vg Recta de carga
Punto de operación
VGG Curva para un SCR especifico
Disipación máxima
con pulsos de disparo
Disipación promedio o
disparo con cc
VGG/Rs. ig
Zona de disparo
inseguro
Los fabricantes suministran una zona limitada por dos curvas donde se puede ubicar el
punto de operación. La recta de carga, del circuito de disparo, debe ubicarse por debajo
de la hipérbola de máxima disipación promedio, si se lo dispara con tensión continua; si
se lo dispara con pulsos, la recta de carga se podrá ubicar debajo de la máxima
hipérbola de disipación instantánea Por ejemplo si PGpromedio=0,5 vatios y PGmax= 10
vatios, entonces se podrá disparar al SCR con pulsos con una potencia máxima de 10
watios con una duración de tp=0, 5 mseg., con un periodo de 10 mseg., dado que la
potencia promedio, no supera los 0,5 vatios.
En la zona rayada, no es conveniente que cruce la recta de carga del circuito de disparo,
dado que el encendido, depende de la temperatura lo que lo hace inseguro.
PGpromedio= 1/T.∫0tp Pmax. dt = 1/T . Pmax.tp = (1/10) .10 .0,5 = 0,5 vatios.
La relación tp / T se le denomina relación de ciclo de disparo.
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3-4 Tiristores
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Características de activación del SCR
Entre el momento de aplicación del pulso de disparo en la compuerta del tiristor, hasta
que la corriente de ánodo llegue a su valor final, establecido por el circuito externo, se
produce un retardo, denominado “tiempo de encendido”(ton). Este tiempo, esta definido
como el intervalo de tiempo que transcurre entre el 10% de la corriente de compuerta en
estado estable (0,1.IG) y el 90% de la corriente de ánodo, en estado de encendido
(0,9IA).
iA
IA
0,9.IA
0,1.IA
0
t
iG
IG
0,1.IG
t
0
td tr
ton
td: tiempo de retraso, comprendido entre 0,1.IG y 0,1.IA.
tr: tiempo de subida, comprendido entre 0,1.IA y 0,9.IA.
ton = td + tr : tiempo de encendido.
Cuando se diseña el circuito de control, se deben tener en cuenta, los siguientes puntos:
1) Se debe eliminar la señal de compuerta una vez que el tiristor se activo; con esto se
logra disminuir la perdida de potencia en la compuerta.
2) Cuando el tiristor esta con polarizacion inversa, no debe haber señal de compuerta,
dado que puede dañarlo por aumento de la corriente de fuga.
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3-4 Tiristores
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3) El ancho del pulso de compuerta “tp” debe ser mayor que el tiempo requerido para
que el tiristor se active o sea que la corriente de ánodo llegue por encima de la corriente
de enganche o retención, tp > ton.
Características de desactivación del SCR
Para desactivar un tiristor, debemos reducir la corriente de ánodo por debajo de la de

mantenimiento (IH). Esto se puede lograr en forma natural, por el cambio de polaridad
de la tensión externa de alimentación, o por métodos de conmutación forzosa, por
medio de circuitos auxiliares. Una vez lograda que la corriente este por debajo de la
mínima de mantenimiento, es necesario esperar un tiempo relativamente largo, de
manera tal que todos los portadores de carga en exceso, en las cuatro capas se eliminen;
caso contrario, el tiristor volverá a activarse, cuando se le aplique una tensión directa,
sin necesidad de aplicar una señal de compuerta. De ocurrir esto ultimo, por
sobrepasarse la frecuencia de conmutación máxima del dispositivo, se pierde el control
de la potencia convertida.
IA
trr trc
Vac
tq
trr : Corresponde al tiempo de recuperación inversa de las junturas J1 y J3.
trc : Corresponde al tiempo de recuperación inversa de la juntura J2.
Qrr : Es la carga de recuperación inversa durante el proceso de desactivación ;

representa el área encerrada por la corriente (área rayada). Su valor depende del tipo de
tiristor, de la corriente previa a la conmutación y de la velocidad de reducción de la
corriente.
Los fenómenos de activación y desactivación, producen perdidas de potencia.
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3-4 Tiristores
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Protección contra la di/dt en los tiristores
El inconveniente de la “di/dt” es similar al caso de los diodos semiconductores. Los

tiristores requieren un tiempo para dispersar toda la corriente en forma uniforme a
través de las junturas. Si la di/dt, toma un valor muy alto, pueden producirse puntos
calientes, debido a las altas densidades de corriente que pueden hacer fallar al tiristor.
La solución para este caso, es colocar una inductancia en serie con el dispositivo como
se muestra en el siguiente circuito:
En este circuito practico con carga inductiva, Dm actúa como diodo volante para
recuperar energía magnética. Este diodo conduce cuando el tiristor T1 esta cortado o
desactivado. Cuando T1 se activa, Dm sigue conduciendo inversamente (durante su
proceso de conmutación al estado de bloqueo) por lo que Vs ≈ Ls. Di/dt . Por lo tanto
conociendo el valor máximo que puede soportar el semiconductor respecto a di/dt (el
fabricante suministra su valor), podemos determinar el valor de la inductancia de
protección como: Ls ≥ Vs / (di/dt).
El capacitor C2 se coloca para absorber la energía almacenada en Ls, cuando Dm se
bloquea después de su conducción y asi evitar una sobre tensión sobre el tiristor. La
resistencia R2 cumple la misión de disipar la energía y amortiguar el transitorio del
circuito Ls C2.
Protección contra la dv/dt
Para que la tensión aplicada no supere la máxima variación permitida del tiristor, suele
conectarse en paralelo con el dispositivo, una red RC en serie. De esta manera, la carga
del capacitor, limita la velocidad de crecimiento del voltaje en los extremos del
dispositivo. Para su cálculo, consideramos la carga del capacitor con la tensión externa
de alimentación
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3-4 Tiristores
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Vac
0,632.Vs
t
t=τ=RsCs
Calculamos la variación de la tensión de carga del capacitor para el tiempo igual a la

constante de carga τ = Rs.Cs
dv/dt = 0,632.Vs /τ = 0,632.Vs / Rs.Cs despejamos :
Rs.Cs = 0,632.Vs / dv/dt(max)
El valor de Rs., se determina como Rs = Vs / IAD siendo IAD la corriente máxima de

descarga del capacitor, que puede soportar el tiristor.
TIPOS DE TIRISTORES
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por el proceso de difusión. Con técnicas
especiales y estructuras de compuerta, controlan los valores de di/dt, tiempo de
encendido y tiempo de apagado. En gral se los activa con impulsos cortos de excitación
en la compuerta. Para apagarlos, se requieren condiciones especiales de la tensión o
circuitos especiales de apagado. Con el fin e tener un control mas eficiente, tanto en las
condiciones de activación como en la desactivación, se han desarrollado una serie de
dispositivos nuevos que han mejorado notablemente al clásico tiristor “SCR”
Daremos a continuación una clasificación de los diversos tiristores de potencia que
tienen aplicaciones comerciales y una breve descripción de ellos.
1) Tiristores controlados por fase (SCR)
2) Tiristores bidireccionales controlados por fase ( BCT)
3) Tiristores de conmutación rápida (SCR)
4) Rectificadores controlados de silicio foto activados (LASCR)
5) Tiristores de tríodo bidireccional (TRIAC
6) Tiristores de conducción en sentido inverso (RCT)
7) Tiristores de apagado por compuerta (GTO)
8) Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
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3-4 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
9) Tiristores de apagado por MOS (MTO)
10) Tiristores de apagado (control) por emisor (ETO)
11) Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT)
12) Tiristores controlados por MOS (MCT)
13 Tiristores de inducción estática (SITH)
Tiristores controlados por fase (SCR)
Son tiristores de bajo costo, alta eficiencia y especificaciones de alto voltaje y corriente.
Se utilizan en los convertidores de de corriente alterna a corriente continua, a frecuencia
industrial (50 0 60 Hz) o sea, en rectificadores controlados por el método de control por
fase. Se usan en casi todas las transmisiones de CC en alto voltaje (HVDC) y control de
velocidad de motores de CC. Tienen un tiempo de apagado “tq” del orden de los 50 a
100 µseg. Tienen un voltaje en sus extremos en estado activado que varia desde 1,15 V
para 600 V, hasta 2,5 V para tiristores de 4000 V de tensión de bloqueo directo e
inverso. Por ejemplo un tiristor SCR de 1200 V, 5500 A, el voltaje de caída suele ser de
1,25 V.
Los tiristores modernos, suelen tener una compuerta amplificadora como se muestra en
el siguiente esquema.
El encendido se realiza activando el tiristor auxiliar que a su vez amplifica la señal de

compuerta para el tiristor principal. Con esto se logra una simplificación para el circuito
generador de los pulsos de disparo, unas características dinámicas altas con tasas de
“dv/dt” típicas de 1000V/µseg. y tasas de “di/dt” de 500 A/µseg., obteniéndose con
estos valores, una simplificación del inductor limitante y circuito de protección contra la
dv/dt.
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3-4 Tiristores
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Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT)
Símbolo
del BCT
Equivalencia
A B A con dos SCR
B
Es un dispositivo único, de reciente aparición para el control de alta potencia, que

combina dos tiristores en un mismo encapsulado. Tiene la ventaja de ser mas compacto
simplificando el sistema de enfriamiento, mayor fiabilidad y menor costo final del
convertidor. El comportamiento eléctrico del BCT corresponde a dos tiristores
fabricados en la misma oblea y conectados en antiparalelo. Tiene dos compuertas, una
para activar la corriente en sentido directo (tiristor A) y la otra, para activarla en sentido
inverso (tiristor B). La desactivación se logra por disminución de la corriente anódica
por debajo de la mínima de mantenimiento, similar a los SCR.
Tiene aplicaciones en frecuencia industrial tales como compensadores estáticos de volt-
amperes reactivos (VAR), arrancadores suaves y control de motores. Tienen
especificaciones máximas de tensiones de bloqueo de 6500 V a 1800 A. La máxima
especificación de corriente es de 3000 A a 1800 V.
Tiristores de conmutación rápida (SCR)
Son usados en aplicaciones de conmutación de alta velocidad, con conmutación forzada

con el caso de los convertidores de cc a ca, denominados inversores. Tienen un tiempo
corto de apagado, entre 5 y 50 µseg, dependiendo del intervalo de voltaje. La caída de
voltaje en sus extremos, cuando están activados, es función inversa del tiempo de
encendido (tq). Este tiristor, suele llamársele SCR rápido o “tiristor inversor”.
Estos tiristores, tienen valores altos de dv/dt, de unos 1000 V/µseg y valores de di/dt de
1000 A/µseg. Estos valores altos de dv/dt y di/dt, son importantes para reducir el
tamaño y peso de los componentes auxiliares del circuito de conmutación.
Se disponen de tiristores rápidos con valores de 1800 V de bloqueo directo e inverso y
corriente de 2200 A, con una caída de tensión directa de 1,7 V. Existen tiristores
rápidos con bloqueo inverso (no destructivo) de unos 10 V, con un tiempo de apagado
muy corto de alrededor de 3 a 5 µseg; a estos últimos, “tiristores asimétricos”(ASCRS).
Tiristores foto activados (LASCR)
Estos tiristores, se activan por radiación de luz directa, en la oblea de silicio, en la zona
de la juntura “J2”. La radiación de luz genera en esta zona (polarizada inversamente,
con tensión de bloqueo directo, en los extremos del tiristor), generando suficiente pares
electrón-huecos que, por el proceso de realimentación, activan al tiristor.
La estructura de la compuerta se diseña de tal forma que proporciona suficiente
sensibilidad para ser activado con fuentes luminosas normales como por ejemplo
radiación luminosa provenientes de fibras ópticas o diodos emisores de luz (LEDS).
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3-4 Tiristores
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Estos tiristores se usan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, a frecuencia
industrial, como las conversiones para transmisiones CC de alto voltaje (HVDC) y
compensación de potencia reactiva. Los LASCR, tienen un aislamiento eléctrico
completo entre la fuente de radiación de activación y el circuito conversor que trabaja a
alta tensión. Las especificaciones eléctricas máximas de estos dispositivos, llegan a
4000 V a 1500 con una potencia de activación, menor de 100 mW. Soportan una dv/dt
de hasta 2000 V/µseg y di/dt de unos 250 A/mseg.
Circuito equivalente
Símbolo
Tiristores de tríodo bidireccional (TRIAC)
Es un dispositivo semiconductor de característica biestable, con la particularidad que

puede conducir corriente controlada en ambos sentidos, con tensiones positivas y
negativas, aplicadas a sus terminales principales. La activación, se realiza en forma
similar a los SCR, aplicándoles una tensión eléctrica, de determinada polaridad, al
terminal de compuerta.
Como el triac, puede conducir en ambas direcciones, sus terminales principales, se
denominan T2 y T1, en reemplazo del cátodo y ánodo de los dispositivos
unidireccionales, como el SCR. Estructuralmente, esta constituido de la siguiente
forma:
T2
N N
P
P simbolo
N N Circuito análogo
con dos SCR
T1
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3-4 Tiristores
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Como vemos tenemos en la oblea de silicio, un SCR desde el terminal 2 al terminal 1, y
otro SCR en paralelo, pero conectado desde terminal 1 al terminal 2 (antiparalelo). Las
compuertas de ambos SCR están unidas a una compuerta (G) común.
La característica tensión corriente del triac es la siguiente:
Activado (con ±vG)

2º cuadrante 1º cuadrante
bloqueado
Bloqueado
1º cuadrante 4º cuadrante
Activado (con ±vG)
Si tomamos al Terminal “T1” como referencia, podemos decir que el triac se activa
tanto con tensión positiva o negativa del Terminal “T2” y además el pulso aplicado a la
compuerta respecto al Terminal de referencia (T1) puede ser positivo o negativo. De
esta forma tendremos cuatro posibilidades de disparo a saber:
1) Terminal T2 positivo con pulso en G positivo (1º cuadrante con +VG) I+
1) Terminal T2 positivo con pulso en G negativo (1º cuadrante con -VG) I-
1) Terminal T2 negativo con pulso en G negativo (3º cuadrante con -VG) III-
1) Terminal T2 negativo con pulso en G positivo (2º cuadrante con +VG) III+
En la práctica las sensibilidades al disparo son diferentes. En el primer cuadrante se
logra activar al triac con menor corriente de compuerta, aplicándole un pulso de tensión
positiva. Para el tercer cuadrante la mayor sensibilidad, se logra con un pulso de tensión
negativa, en la compuerta.
Esencialmente el TRIAC no presenta diferencias de funcionamiento con respecto al
SCR. Los regimenes máximos que garantiza el fabricante están determinados por la
temperatura máxima de funcionamiento. Los valores de tensión de bloqueo están
disponibles hasta 1200 V y corrientes máximas de 300 A. La frecuencia máxima de
operación es de 400Hz, con tiempos de conmutación de 200 a 400 µseg.
Los TRIAC, tienen aplicaciones en los convertidores de ca a ca (modifican el valor
eficaz de la tensión alterna) por el método de control por fase. Cuando trabajan con
carga inductiva, debido a que la corriente circula mas allá del cruce por cero de la
tensión de alimentación, cuando la corriente se hace finalmente cero, el TRIAC se
somete a una dv/dt alta debido a que en ese momento la tensión en sus extremos toman
el valor de la tensión externa que en ese momento tiene un valor alto. Por ello es
necesario protegerlo con una red pasiva RC, dado que si no se lo hace, se pierde el
control de potencia y el TRIAC se reactiva inmediatamente sin pulso de disparo.
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3-4 Tiristores
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Tiristores de conducción en sentido inverso (RCT)
Estos tiristores se utilizan en aquellos convertidores que necesitan conducir una

corriente en sentido inverso, por causa de una carga inductiva y para mejorar los
requisitos de apagado del circuito de conmutación. El RCT, esta compuesto en un
mismo encapsulado por SCR y un diodo en antiparalelo, como muestra la figura:
El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso en 1 a 2 volt en estado estable; en

condiciones transitorias su valor es de unos 30 volt por las inductancias parásitas
internas. Se disponen de RCT con tensiones de bloque directo de 400 a 2000 V con
corrientes de hasta 500 A. A este dispositivo, también se le suele llamar ASCR o tiristor
asimétrico, con aplicaciones en circuitos específicos.
Tiristores de apagado por compuerta (GTO)
EL GTO, en forma similar a un SCR, se puede activar con una señal pulsante positiva
en la compuerta, pero tiene la posibilidad de apagarlo con una señal negativa aplicada
en la misma compuerta. Los GTO, se pueden construir con especificaciones de tensión
y corrientes parecidas a los SCR, con las siguientes ventajas: 1) No necesitan elementos
auxiliares de conmutación en convertidores que necesitan la conmutación forzada,
reduciendo el costo peso y volumen del convertidor. 2) Reducción del ruido acústico y
electromagnético por eliminación de los reactores de conmutación. 3) Desactivación
mas rápida lo que le permite trabajar con frecuencias de conmutación mas elevada.
4) Mayor eficiencia de los convertidores.
En aplicaciones de baja potencia, los GTO también tienen ventajas sobre los transistores
bipolares: 1) Mayor especificación de voltaje de bloqueo. 2) Alta relación de corriente
pico controlable a corriente promedio. 3) Alta relación de corriente pico de sobrecarga y
la corriente promedio. (10:1) 4) Alta ganancia entre la corriente en el estado activo y la
corriente de compuerta necesaria para su activación (1:600). 5) Señal pulsante de corta
duración en compuerta para su activación y desactivación a diferencia del transistor
bipolar que requiere señal permanente en estado activo.
A continuación veremos el corte transversal del GTO, su símbolo y su circuito
equivalente:
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3-4 Tiristores
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Ánodo
n+
n
n+
Símbolo
Cátodo Compuerta
(C) (G)
A diferencia del SCR, el GTO tiene una capa adicional “n+” cerca del ánodo, que forma
un circuito de apagado entre la compuerta y el cátodo, en paralelo con la compuerta de
encendido. El circuito equivalente es similar al SCR, excepto por su mecanismo de
apagado interno. La activación se logra con un pulso de corriente entrante, aplicado
entre la compuerta y el cátodo. Para lograr la realimentación interna que lo lleve al
estado activo o encendido, el pulso de corriente entrante debe cumplir especificaciones,
dadas por el fabricante, respecto al gradiente de elevación, corriente máxima y duración
del impulso.
El apagado se logra haciendo pasar un gran pulso de corriente entre el cátodo y la
compuerta (corriente saliente de la compuerta), para apartar suficientes portadores de
carga del cátodo, que correspondería al emisor del transistor Q2 (transistor npn, en el
circuito equivalente) para cortarlo y de esa manera sacar al transistor Q1 de la acción
regenerativa. Con esta acción, el transistor Q1 queda con la base abierta y el GTO
vuelve al estado desactivado o no conductor. De la misma forma, el pulso de corriente
de apagado debe cumplir con las especificaciones dadas por el fabricante.
Respecto a la corriente de encendido del ánodo, esta debe ser por lo menos del 1% del
pulso de activación, para asegurarse que la compuerta mantenga la retención del estado
activo. Durante el apagado, la corriente de ánodo, tiene una larga “cola residual de
apagado” por lo que se debe esperar un tiempo especificado, hasta que se haya disipado
la carga residual del ánodo y se pueda, nuevamente activarlo. En la próxima figura se
muestra las especificaciones que debe cumplir el pulso positivo de encendido, como así
también la forma típica de la corriente de ánodo en función del pulso negativo de
apagado.
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3-4 Tiristores
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0,8 IGM
diG/dt Pulso de corriente
0,5 IGM de activación del GTO
IGM
0,1 IGM IG
tGM
I ánodo
Corriente de ánodo,
tGQ(1) en función del pulso
negativo de apagado de
tGQ(2) compuerta del GTO
IGQ(2)
- IG
IGQ(1)
En la próxima figura mostramos el circuito simplificado de apagado del GTO:
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3-4 Tiristores
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Como el GTO necesita una corriente elevada de apagado (aprox. 1/6. IA), es común usar
un capacitor para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para apagarlo. El
inductor se coloca para limitar el valor de di/dt de la corriente de la compuerta
circulando por S1, R2, R1 y L. Se debe seleccionar el voltaje de suministro VGS al
circuito de compuerta para alcanzar el valor necesario de apagado. Los valores de R1 y
R2 se minimizan.
Durante el periodo de apagado, que comienza después que la cola de corriente de ánodo
llega a cero, la compuerta en el caso ideal, debería permanecer con polarizacion inversa,
para asegurar la máxima especificación de bloqueo. Esta polarizacion inversa se puede
obtener ya sea manteniendo cerrado “S1”, durante el periodo de no conducción, o
usando un circuito de mayor impedancia “S2” y R3, siempre y cuando exista un voltaje
negativo mínimo.
En el caso de una falla de los circuitos de auxiliares de apagado, la compuerta puede
permanecer en condición de polarización inversa, y el GTO podrá no bloquear la
tensión. Para asegurar que se mantenga un voltaje de bloqueo en el dispositivo, de debe
aplicar una resistencia mínima de compuerta “RGC” especificada por el fabricante.
Para la condición de apagado, los GTO tienen baja ganancia, normalmente seis, lo que
requiere un pulso de corriente elevado para desactivarlo. La caída de voltaje en sus
extremos, es mayor que los SCR; por ejemplo para un GTO de 1200 V y 550 A, su
caída de tensión es de 3,4 volt.
En algunas aplicaciones, los GTO necesitan un diodo rápido conectado en antiparalelo;
en este caso, no necesitan tener capacidades de bloqueo de voltaje inverso. Con
modificaciones en la capa interna “n”, se logran “GTO asimétricos” en un solo
encapsulado.
Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
Un tiristor FET-CTH, esta compuesto, en un solo encapsulado, de un tiristor

convencional del tipo SCR y un transistor MOSFET. Este último cuando se le aplica un
voltaje en su compuerta, conduce la corriente de disparo o activación del tiristor. La
tensión necesaria aplicable al MOSFET para el disparo, es de unos 3 volt.
Este dispositivo, tiene alta velocidad de conmutación y altos valores de di/dt y dv/dt.
La siguiente figura, muestra el circuito equivalente del FET-CTH:
El encendido es por tensión eléctrica, pero no se puede apagar, salvo por la conmutación
natural o forzosa. Tiene aplicaciones cuando se debe usar disparo óptico para dar
aislamiento eléctrico entre la señal de control y la del circuito convertidor.
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3-4 Tiristores
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Tiristor de apagado por MOS (MTO)
El MTO es una combinación de un GTO y un MOSFET, que juntos mejoran las

capacidades de apagado del GTO. Vimos que en este último, necesitamos una corriente
inversa considerable para cortar la corriente de emisor del transistor npn y de esta
manera eliminar la realimentación con el transistor pnp para así desactivar al GTO. En
el caso del MTO, el transistor MOS, que esta conectado entre la base y emisor del
transistor bipolar npn, hace caer la tensión base emisor por debajo del umbral y de esta
manera éste transistor deja de conducir, eliminando la realimentación.
La estructura es parecida al GTO, conservando las ventajas de alto voltaje (hasta 10Kv)
y elevada corriente (4000 A), con aplicaciones de gran potencia (1 a 20 MVA).El MTO
se apaga mas rápidamente que el GTO y casi se eliminan las perdidas asociadas a las
cargas de almacenamiento. También tienen una mayor dv/dt y en forma parecida al
GTO, tienen una larga cola de corriente de apagado.
Ánodo
n+
n
n+ Símbolo
Circuitos equivalentes
Cátodo
Compuerta
Compuerta de apagado
de encendido
Tiristores de apagado por emisor (ETO)
El ETO es un dispositivo hibrido compuesto por un MOS y un GTO, en el que se

combinan las ventajas de ambos semiconductores. Tiene dos compuertas, una normal
para activarlo y otra, con un MOSFET conectado en serie, para apagarlo. Su estructura
y circuito equivalente, se muestra en la siguiente figura:
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3-4 Tiristores
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Ánodo
p Símbolo
n
activac.
p
G1
n desact.
G2
Cátodo
Circuito
equivalente
La activación se logra aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2; de esta

manera el MOSFET de canal P se mantiene en condición de bloqueado y el MOSFET
de canal N conduce, permitiendo un flujo de corriente a la compuerta del GTO. Esta
corriente inicia el proceso de realimentación interna la realimentación haciendo que el
GTO conduzca y asi el ETO pasa al estado de conducción o activación.
El apagado se logra aplicando un voltaje negativo a la compuerta 2, apagando el
MOSFET de canal N ; la corriente principal se desvía del cátodo (emisor del transistor
bipolar npn del GTO) , hacia la base a través del MOSFET de canal P, deteniendo el
proceso de realimentación interna y apagando o desactivando al ETO.
En forma parecida al GTO, el ETO también tiene una cola larga de la corriente de
ánodo, al final del apagado, por lo que se debe esperar para el siguiente encendido, hasta
que la corriente residual, del lado del ánodo, se haya disipado por el proceso de
recombinación.
Se disponen de estos dispositivos con tensiones de bloqueo directo e inverso de valores
de hasta 6 KV y corrientes de hasta 4000 A.
Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT)
En el IGCT, se integran un tiristor conmutado por compuerta (GCT) y un activador de

compuerta en tarjeta de circuito impreso multicapa. El GCT, es un GTO de
conmutación permanente con un pulso de corriente de compuerta muy rápido y de valor
muy alto, prácticamente del mismo valor que toma la corriente de cátodo y la lleva a la
compuerta en aproximadamente en 1 µseg para asegurar un apagado rápido.
La estructura interna de GCT y su circuito equivalente, es parecido al GTO, como se
muestra en la siguiente figura, que además tiene un diodo integrado en paralelo:
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3-4 Tiristores
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Ánodo
p+
n+
n
Lado
Lado del
del diodo
GTO n-
p p
n+
Compuerta
Cátodo
Circuito
equivalente
T.C.I
El encendido del IGCT es similar al GTO, aplicando una corriente de encendido a la

compuerta. Para apagarlo, se recurre a una tarjeta de circuito impreso multicapa de
compuerta que aplica un pulso de apagado de subida rápida, por ejemplo una corriente
de 4 KA/µsg, con solo un voltaje de 20 volt de compuerta –cátodo. Con esta variación
de la corriente de compuerta, el transistor npn, del lado del cátodo, se apaga en su
totalidad en menos de aprox. 1 µseg. y de hecho el transistor pnp al quedar su base
abierta , también se apaga y el IGCT se desactiva. Debido a la muy corta duración del
pulso, el consumo de compuerta se reduce al mínimo.
Tiristores controlados por MOS (MCT)

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3-4 Tiristores
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En un MCT, se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas,

con una estructura de compuerta MOS. En forma similar al transistor bipolar de
compuerta aislada (IGBT), se logran las ventajas de los transistores bipolares con las de
efecto de campo; el conjunto resulta en una mejoría respecto a un tiristor con un par de
MOSFET, que lo activan y lo desactivan. Existen varios dispositivos de estas
estructuras MCT; solamente analizaremos una de ellas, el MCT de canal “p” de mayor
difusión. En la próxima figura representaremos su estructura interna:
Ánodo
oxido oxido
Compuerta S2 n+ S1 Compuerta
n+
MOSFET MOSFET
M2 M1
de canal n p p+ p de canal p
D2 E2
C1 C1
B2 B2
n
B1
p- C2
n+ E1
metal
Cátodo Esquema estructural

del MCT de canal p
El proceso de construcción de este dispositivo, es complejo, por lo que solamente nos

remitiremos a su circuito eléctrico equivalente, formado por dos transistores bipolares,
uno npn, el otro pnp y dos transistores de efecto de campo MOS, uno de canal n y otro
de canal p, conectados como muestra la siguiente figura:
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3-4 Tiristores
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Ánodo
Compuerta
Cátodo
Símbolo
Circuito eléctrico
equivalente
Debido a que la estructura del MCT es de tipo NPNP, diferente a un SCR normal que es
del tipo PNPN, el ánodo se utiliza como Terminal de referencia, con respecto al cual se
aplican las señales de compuerta para su activación y desactivación.
El encendido de un MCT de canal p que esta en el estado de bloqueo directo (ánodo
positivo respecto al cátodo) se puede realizar aplicando un pulso negativo, respecto al
ánodo. En el circuito eléctrico equivalente, vemos que esta acción, hace conducir al
MOS de canal p (M1) y de esta manera, a través de sus terminales drenaje-surtidor,
inyectan una corriente en la base del transistor bipolar npn que inicia la realimentación
interna entre los transistores bipolares Q1 y Q2. El MCT pasa al estado activo.
El MCT permanece en el estado activo, hasta que se invierta la polaridad de la tensión
Ánodo-cátodo, que gaga disminuir su corriente, o aplicando un pulso de apagado en su
compuerta.
El proceso de apagado de un MCT, de canal p, es el siguiente: Si aplicamos un pulso
positivo en la compuerta, respecto al ánodo, este pulso, hace conducir brevemente al
MOS de canal n (M2), lo que hace bajar su tensión drenaje-surtidor. Como estos
últimos terminales están conectados a la juntura base-emisor de Q1, cuando esta tensión
cae por debajo de la tensión umbral, entonces este ultimo transistor, deja de conducir
corriente, abriendo la base de Q2 y de esta manera, se anula la realimentación interna.
El MCT pasa al estado desactivado.
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3-4 Tiristores
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Para un MCT de canal n, la activación se hace con un pulso positivo aplicado a la

compuerta, respecto al cátodo y la desactivación, se realiza aplicando un pulso a la
compuerta de polaridad negativa, respecto al cátodo.
El MCT puede ser operado como dispositivo controlado por compuerta si la corriente
controlada, no supera el valor especificado. Para corrientes mayores, el apagado de un
MCT, debe realizarse de la misma manera que un SCR normal (por conmutación de la
tensión en sus extremos o conmutación forzosa).
Los anchos de pulso de compuerta no son críticos, con corrientes menores a la
especificada. Para corrientes mayores, el ancho del pulso, debe ser mayor. En muchos
circuitos convertidores, como por ejemplo los inversores, se aplican pulsos continuos de
compuerta, tanto en el apagado como en el encendido, para evitar falsos disparos en el
control del MCT.
Los MCT tienen las siguientes características eléctricas:
1) Tiene baja caída de tensión en sentido directo durante su estado conductor.
2) Tienen un corto tiempo de activación, normalmente 0,4µseg. y un corto tiempo de
apagado de aproximadamente 1,25 µseg, por ejemplo para un MCT de 500 V y 300 A.
3) Tiene bajas perdidas por conmutación.
4) Baja capacidad de bloqueo de la tensión inversa.
5) Alta impedancia de entrada en su compuerta lo que simplifica bastante el circuito
generador de pulsos de excitación de compuerta.
6) Puede conectarse en paralelo para conmutar grandes corrientes, con pocas
desviaciones de las especificadas.
7) No puede utilizarse un transformador de pulsos si se necesita un pulso continuo para
evitar falsas excitaciones.
La estructura del MCT se reparte en toda la superficie del dispositivo, lo que le permite
el encendido y apagado rápido con bajas perdidas por conmutación. La potencia o
energía para su activación y desactivación es baja y el retardo debido al almacenamiento
de cargas, también es muy bajo. Todas estas condiciones, lo aproximan como el
dispositivo de retención, ideal, para ser usado en los convertidores de energía eléctrica.
Tiristores de inducción estática (SITH)
El SITH, llamado también diodo controlado-limado (FCD), fue introducido por Tezner
en la década de 1960. Es un dispositivo de portadores minoritarios por lo cual tiene baja
resistencia o baja caída de tensión en sus extremos cuando esta activo o conduciendo la
corriente. Tiene grandes velocidades de conmutación de 1 a 6 µseg, con capacidades de
dv/dt y di/dt elevadas. Se lo puede fabricar para soportar tensiones elevadas de hasta
2500 V con corrientes de hasta 500 A.
Este dispositivo, tiene una alta sensibilidad al proceso de fabricación y pequeñas
perturbaciones en su manufactura, producen grandes cambios en sus características.
Con la llegad de la tecnología de carburo de silicio (SiC) se ha fabricado un SITH con
una tensión de bloqueo directo de 300 V.
En la siguiente figura, se representa un corte transversal de este dispositivo, su símbolo
y su circuito eléctrico equivalente:
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3-4 Tiristores
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Ánodo
p+
J1
Base n
J2
Compuerta p+
J3
canal
J4 n+
Ánodo
Cátodo
Esquema estructural Compuerta
Cátodo
Símbolo
El funcionamiento de este dispositivo es el siguiente: Se enciende con un pulso de

tensión positivo entre compuerta y cátodo. Esto inicia la conducción de corriente en el
diodo pin (p+nn+), que inyecta electrones del cátodo (n+) a la base “n”, entre la
compuerta (p+) y el cátodo (n+), que se difunden por el canal, modulando su
resistividad, haciéndolo mas conductor. Cuando estos electrones llegan a la juntura
“J1”, el ánodo (p+), comienza a inyectar huecos en la base , proporcionando la corriente
de base del transistor Q2. Al aumentar la corriente de base, Q2 pasa a la saturación,
haciendo que la juntura “J2” se polarice directamente y provocando que el SITH, se
active completamente, todo esta acción, en un periodo muy breve.
La compuerta (p+) y la región del canal, toma la forma de un transistor de efecto de
campo de juntura (JFET), proporcionando la corriente de base del transistor Q1(p+n p+).
Debido al alto contenido de dopantes de la compuerta p+, no pasan electrones a la
compuerta. Una parte de la corriente de huecos pasan por la compuerta p+ y por el canal
directamente al cátodo. El resto de la corriente de huecos pasa por la compuerta p+ hacia
el canal, como corriente de compuerta del JFET en modo bipolar (BMFET). La corta
distancia entre cátodo y compuerta da como resultado una concentración uniforme y
grande de portadores en esa región, haciendo que la caída de tensión sea despreciable.
El apagado del SITH, se logra aplicando a la compuerta un pulso negativo de voltaje.
Esto provoca una capa de agotamiento en torno a la compuerta, creando una barrera de
potencial en el canal, que lo hace mas angosto, eliminando el exceso de portadores. Si el
voltaje, aplicado a la compuerta es suficientemente grande, el canal queda desprovisto
de portadores de carga, anulando la corriente entre el ánodo y cátodo, desactivando al
SITH.
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3-4 Tiristores
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3-5 métodos y circuito disparo tiristores.
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CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES
CONTROLADOS
El circuito de disparo o excitación de compuerta de los tiristores, es una parte integral

del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en
que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutación (tiristores), es una
función directa del proceso de cómo se desarrolla la conmutación. Podemos decir
entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para obtener la salida
deseada y cumplir con los objetivos del “sistema de control”, de cualquier convertidor
de energía eléctrica.
El diseño de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las características
eléctricas de compuerta del tiristor específico, que se va a utilizar en el circuito principal
de conmutación. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes,
puede resultar conveniente diseñarlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores
donde se necesita la activación de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta
eficiencia y que además sean compactos, los circuitos integrados para activación de
compuerta que se disponen comercialmente, son más conveniente.
Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los
rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El
circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito
conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador
y finalmente el circuito de protección de la compuerta del tiristor. El diagrama en
bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relación de estos componentes:
Tensión CA
de la red
eléctrica
Protección de SCR1
la compuerta SCR2
del tiristor .
.
SCRn
Sincronizador Aislador del

(Detector de circuito de Carga
cruce por cero) disparo con los
circuitos de
conmutación
Entrada
Señal de
control Circuito con
base de tiempo Generación y
para el retardo amplificación del
del ángulo de pulso de disparo
disparo
___________________________________________________________________ 1
Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli
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Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en
sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ángulo
(respecto al cruce por cero de la tensión de red), el pulso de disparo, en todos los
semiciclos.
Entrada señal de control: Esta señal es la que determina el retraso del ángulo de
disparo, señal generada en forma manual o a través de un sistema realimentado. Para
este ultimo caso, la señal se genera por la interacción de la señal de referencia, la señal
realimentada y el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.).
Circuito base de tiempo: En los circuitos analógicos, la base de tiempo se genera por
medio de un circuito tipo RC, o sea a través de la carga de un condensador, con una
constante de tiempo τ=CR., hasta una tensión que genera un pulso de disparo. En los
sistemas programables, la base de tiempo se genera por programación o por medio de
un temporizador interno que se carga también por programación.
Generación de los pulsos de disparo: Para la generación de los pulsos, se disponen de

muchas variantes de circuitos, con aplicación de transistores bipolares o mediante
semiconductores específicos, que generan, cortos pulsos de disparo.
Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor:

fundamentalmente se utilizan dos técnicas. Una es la de utilizar un transformador
aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto controlado de silicio,
también llamado opto acoplador. Otra técnica utilizada es a través de las fibras ópticas
con emisor en el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta.
Protección de la compuerta: Se utilizan circuitos de protección contra disparos por

tensiones espurias.
Mas adelante, desarrollaremos con mas amplitud, estos elementos que componen el
circuito de disparo.
SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO
Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores que pueden utilizarse para
generar pulsos de disparo. Entre ellos tenemos aquellos que actúan como transistores y
otros lo hacen como tiristores. Se los utiliza para generar pulsos de disparo en circuitos
de relajación (osciladores) o como disparadores por nivel de tensión.
Transistores disparadores:
UJT : Transistor unijuntura.

CUJT: Transistor unijuntura complementario
DIAC: Disparador bidirecional tipo npn.
Tiristores disparadores:
PUT: Transistor unijuntura programable.

LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz.
DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor.
SUS : Conmutador unilateral de silicio
DIAC: Diodo tiristor bidireccional
___________________________________________________________________ 2
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
SBS: Conmutador bilateral de silicio.
ST4 : Disparador asimétrico de GE.
Lámpara de Neon (poca aplicación o muy limitadas)
Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicación de tres de estos dispositivos, el

UJT, el PUT y el DIAC, que son los mas conocidos en lo que se refiere a sus
aplicaciones.
Transistor unijuntura (UJT)
Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales; en dos terminales,

denominados base 1(B1) y base2 (B2), se sitúa una resistencia semiconductora (tipo n)
denominada “resistencia interbase RBB”, cuyo valor varia desde 4,7 a 10 KΩ. En un
punto determinado de esta resistencia, se difunde una zona “p” que forma una juntura
diódica que se conecta al tercer terminal, denominado “emisor” (E). El grafico muestra
la característica V-I del emisor respecto a la base1 (B1), el símbolo del UJT y su
circuito equivalente:
IE Emisor Base 2
IV Símbolo Base 1
IP
IEBO VV VK VP VE
Características tensión –corriente

del terminal Emisor-Base 1
Circuito eléctrico
equivalente
La polarizacion se realiza aplicando una tensión positiva a la base B2 (VBB≈5 a 30 volt)

La máxima tensión aplicada, esta limitada por la disipación del UJT.
___________
VBB = √ RBB. VDmax. La corriente IB2 vale:
IB2 = VBB / RBB
___________________________________________________________________ 3
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
El UJT se dispara cuando la juntura pn se polariza directamente.
Si la tensión del emisor (VE) es menor a (VC), circula por la juntura una corriente
inversa denominada IEBO. Cuando la tensión del emisor supera a la tensión VC, la
juntura se polariza directamente la corriente del emisor se hace positiva , inyectando
portadores minoritarios en la porción de la resistencia RBB, comprendida entre el diodo
y la base 1(B1), haciendo que este tramo, aumente drásticamente su conductividad y
disminuya su resistencia eléctrica. En esta situación, la tensión del emisor disminuye
cuando la corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa), dado que la
tensión VC= VBB .R1 (R1+R2) disminuye al disminuir R1. El la grafica V-I este
fenómeno comienza en el punto “VP. IP.”. La corriente queda limitada solamente por la
resistencia R1 y la de la fuente de tensión que polariza al emisor. ( se produce un pulso
de corriente de magnitud).
La tensión VE, para producir el disparo o sea VP, vale:
VP = (R1/R1+R2). VBB + VD. = η.VBB +VD
R1/ (R1+R2) se le denomina “relación intrínseca η” y tiene un valor en particular para

cada tipo de UJT. La relación intrínseca toma un valor entre 0,45 y 0,82.
La VBB, se denomina “tensión ínter básica” y es la tensión que se aplica entre las bases
B1 y B2.
La “VD” es la tensión umbral de polarizacion directa de la juntura PN, cuyo valor es
aproximadamente de 0,56 volt a 25º C y disminuye en aprox. 2 mv / ºC.
Cuando IE aumenta, VE disminuye (zona de característica negativa) hasta un valor dado
por IV, VV, donde nuevamente comienza aumentar. Si al dispositivo, lo hacemos
trabajar por debajo de los valores de IV y VV, el valor de R1 retoma su valor original. Si
la tensión de emisor se mantiene constante y mayor que VV, R1 se mantiene en su valor
bajo y no se reestablece.
En la aplicación, la tensión de disparo VE= VP, se debe mantener constante; pero como
varia con la temperatura, debido la valor de VD, resulta entonces necesario compensar
esta variación. El procedimiento es colocar una resistencia de carbón en la base B2
que tiene un coeficiente de variación positivo, para contrarrestar el coeficiente negativo
de la juntura pn. La figura muestra el circuito:
___________________________________________________________________ 4
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma:
Vp = VD + η. VBB. (1)
VBB= Vcc – RB2. IB2 (2)
IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3)
Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos:
Vp = VD + η. VCC - η.Vcc. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2:
Vp ≈ VD + η. VCC - η.Vcc . RB2 / RBB
Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0,008%/ºC y el de RB2 es de

+0,004%/ºC, entonces tanto VD como el termino η.Vcc . RB2 / RBB sufren las mismas
variaciones con la temperatura. Si hacemos:
VD = η.Vcc. RB2 / RBB la formula anterior nos queda:
VDp= η. VCC
El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior, lo obtenemos despejando de la

igualdad anterior como:
RB2 = V D. RBB / (VCC. η)

Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe
incrementar en (1-η. RB1) / η quedando:
RB2 = V D. RBB / (VCC. η ) + (1-η. RB1) / η
Oscilador de relajación con UJT
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El transistor unijuntura, se lo utiliza como oscilador de relajación, para generar pulsos
de disparo. El circuito trabaja de la siguiente forma. El capacitor, conectado entre el
emisor y la base1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de
tiempo) dado por el producto de CE. RE. Cuando se llega al valor de la tensión de
disparo “ VP.” el capacitor se descarga a través del emisor, rápidamente, dado por la
constante de descarga “de CE.( R1.+ RB1. )“. Cuando se llega al valor VE.= VV. , el
emisor se bloquea, parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo
de carga. La grafica muestra la forma de onda en el capacitor ( VE.= VC. ) y la señal
pulsante en los extremos de RB1
Para calcular el periodo de los pulsos, partimos de la tension de carga del condensador:
VC = Vcc. (1 – e-t/R.C)
Para nuestro caso el tiempo “T1” lo calculamos para Vcc’ = Vcc – VV y VC.= VP.
VC = (Vcc_VV). (1 – e-T1/RE.CE)
Despejando el tiempo T1 obtenemos:
T1 = RE .CE . ln ( VCC.- VV ) / (VCC.- VP ).
El tiempo T2 de descarga es difícil de calcular por la variación que sufre la resistencia

de descarga a través de R1 y RB1. Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 vale
empíricamente:
T2 ≈ (2+5.C). VEsat.
Donde VEsat es el valor dado en las características del UJT para IE = 50 mA.
No obstante en las aplicaciones para disparo de tiristores, resulta T1 >>T2 por lo cual el
periodo lo calculamos como:
T = T1+ T2 ≈ T1
La expresión para el periodo se puede simplificar si hacemos VV ≈ 0
T = RE .CE . ln VCC. / (VCC.- VP ).
Por otra parte como Vp = η.Vcc reemplazando:
T= RE .CE . ln VCC / (VCC.- η.Vcc ). = RE .CE . ln 1 / (1-η)
Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646, el valor de la

relación intrínseca vale η≈ 0,63, entonces reemplazando tenemos:
T = RE .CE.
Las condiciones de diseño para un circuito de disparo de tiristores con UJT, no son muy
rigurosas. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 Ω. En algunas
aplicaciones su valor podrá valer entre 2000 y 3000 Ω. Si el pulso de disparo se toma de
los extremos de RB1, este tendrá que tener un valor tal que la tensión continua
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producida por la corriente interbase, no tome un valor superior a la de disparo del
tiristor.
VGtmax > RB1 . Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2.)
El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 KΩ y 3 MΩ, para permitir que el

circuito oscile. Si es muy grande, es posible que no llegue a la tensión de disparo. Si es
muy chico, el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva y no
vuelve a bloquearse.
Sincronización de los osciladores de relajación
El periodo de oscilación T de estos osciladores no es muy preciso, por lo que resulta

conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precision. Existen varios
métodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa en B2 para reducir la
tensión interbase, reduciendo así la tensión de disparo y obligar al UJT a dispararse.
Entrada pulsos de
sincronismo
Salida de pulsos
sincronizados
Cuando se utiliza el transistor unijuntura para generar pulsos de disparo para tiristores
para el control de potencia eléctrica en sistemas eléctricos de frecuencia industrial (50 o
60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo con la frecuencia de la red. En todos
ellos se aprovecha el cruce por cero de la tensión. Una forma es alimentar el oscilador
de relajación con UJT con una tensión rectificada de onda completa y estabilizada con
un diodo Zener. De esta forma cuando la tensión pase por cero, todo el circuito
prácticamente esta con valor cero, el capacitor CE esta descargado y de esta forma en
cada semiciclo la base de tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de
tiempo “T” o de otra forma podrá disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o
ángulo, con respecto al cruce por cero de la tensión de red.
El diodo zener cumple la función de estabilizar la tensión de alimentación del generador
de pulsos, permitiendo en cada semiciclo generar el pulso, con la misma tensión de
disparo Vp.
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En el siguiente circuito, se muestra el circuito de sincronización junto al generador de
pulsos:
Pulso de
disparo
Tensión de
alimentación para
sincronización
Control manual de potencia eléctrica para un convertidor CA a CC (rectificador

controlado)
Este sistema de control, si bien es obsoleto tecnológicamente hablando, tiene

importancia del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del
control por fase y la importancia de la sincronización con la frecuencia de red.
En el circuito la sincronización se logra rectificando la tensión alterna en los extremos
del Triac y alimentando el circuito de disparo. En este caso se utiliza un transformador
de pulsos para aislar el circuito de disparo (alimentado con tensión de +24 Volt)
respecto a la tensión de alimentación de la carga (220 V ca)
La potencia en la carga se controla retrasando el disparo del triac respecto al cruce por
cero de la tensión de alimentación. Para ello se modifica la base tiempo que carga al
capacitor CE, por medio de un potenciómetro RE. Para este circuito si quisiéramos
adaptarlo para un sistema de control automático, el potenciómetro RE, debería
reemplazarse por un transistor que controle la corriente de carga del capacitor CE, en
función de la señal de control
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En la próxima figura se grafican las formas de ondas del circuito, así como la variación
de la potencia en la carga en función del porcentaje del valor de RE.
Vtriac
Vs’
Vz
Vp
VE
Vdisp
t
%VL
100
80
60
40
20
0 25 50 75 100 %RE
Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el

valor de la potencia controlada sobre la carga.
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Control pedestal
Este método de control, consiste en cargar en forma rápida (cte RC bajo) al capacitor
exponencialmente hasta la tensión de disparo Vp. De esta forma, la tensión de disparo
queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potenciómetro, como muestra el
circuito:
VL
(%)
100
0
0 30 60 100 Rp
En la grafica se observa que tenemos una variación brusca en el control de la potencia

eléctrica sobre la carga, con la variación de la resistencia del potenciómetro. Este
control podría aplicarse el “control todo o nada” como el caso de los relés estáticos
asincrónicos. Este sistema manejado desde un “sistema de control automático” se podría
hacer funcionar mediante un transistor, controlando la corriente de base, como muestra
la figura:
VL
ib
Para este caso cuando el transistor pasa al corte, haciendo la corriente de base cero, El
UJT se dispara en el inicio de cada ciclo entregando a la carga la potencia máxima.
Cuando el transistor esta conduciendo, el capacitor queda cargado con una tensión baja
(VBEsat) y por lo tanto nunca se llega a la tensión de disparo Vp, del UJT; por lo que
no se entrega potencia a la carga.
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Control por pedestal y rampa exponencial
Vs
Vz %VL
Vp 100
Vc
1
Vp1 2
Vp2
t
0 t1 t2 0 100 %Rp
Vdisp.
1 para RE1.CE
2 “ RE2.CE
t
Este método, es una combinación de control por pedestal con rampa exponencial que
puede ser iniciada a partir de una tensión pedestal (precarga del capacitor a través del
potenciómetro y el diodo). La tensión pedestal esta determinada por el divisor resistivo
que fija el potenciómetro y el tiempo de precarga, es rápido dado el valor bajo de
“Rp.CE”. El diodo bloquea una posible derivación de corriente, cuando el capacitor
supera la tensión pedestal, ahora en su carga exponencial, a través de RE.
Los tiempos de disparo t1 y t2, se logran modificando el valor de la tensión de pedestal,
con un mismo valor de constante de carga exponencial RE.CE.
En la grafica del porcentaje de “VL” en función de la variación del potenciómetro,
tenemos dos curvas 1 y 2, que corresponden para distintos valores de producto RE.CE.
Para un determinado valor de este producto, se logra mejorar la linealidad de la función
graficada.
Una mejora en la linealidad comentada, se logra con el control pedestal, rampa
cosenoidal.
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Control por pedestal y rampa cosenoidal
Vs
Vz %VL
Vp 100
Vc
1
2
Vp1
Vp2
t
0 t1 t2 0 100 %Rp
Vdisp.
1 para RE1.CE
2 “ RE2.CE
t
El control por pedestal y rampa cosenoidal, es similar al caso anterior, con la diferencia
que la tensión de carga del capacitor, después de su precarga (pedestal) es cosenoidal.
Para lograr este tipo de rampa, el circuito que carga al capacitor a través de RE, debe ser
alimentado por una tensión alterna senoidal, tomada en la entrada del circuito de
sincronización, antes de ser recortada por el diodo zener. De esta forma, la tensión del
capacitor la podemos expresar como:
Vc = V1 + 1/CE.∫ iE.dt como iE ≈ Vmax/RE.sen wt reemplazando tenemos:
Vc = V1 + 1/CE.∫ Vmax/RE.sen wt.dt
Vc = V1 + Vmax / RE.CE.w.( 1 – cos wt ).

Este tipo de control, es el que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia en la
carga y la variación de la tensión de pedestal (en este caso, a través de un
potenciómetro).
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Circuito completo de control manual de potencia eléctrica monofàsico
semicontrolado realizado con componentes discretos con SCR y UJT
Este circuito, de valor conceptual, nos muestra en forma sencilla, las etapas mas
importantes de un convertidor de CA a CC (rectificador controlado). Para el caso el
circuito principal del convertidor, esta formado por el puente semicontrolado, formado
por los diodos D1 y D2 y los tiristores (SCR) T1 y T2. Para alimentar el circuito de
sincronización, control y generación de los pulsos de disparo, se recurre al puente
monofàsico formado por los diodos D1, D2, D3 y D4.
Si este circuito forma parte de un control de tipo realimentado, con señal de referencia,
la tensión de control ingresa directamente en el ánodo del diodo para controlar el
pedestal. (Precarga del capacitor CE).
Problema: Diseñar el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo
con UJT, con control exponencial:
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a) Selección del SCR:
Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga máxima con un ángulo de

conducción de 180º, con una carga RL = 100 Ω.
_ _
Π
ITM = (1/2Π).∫0 (√2.220/RL). Sen wt dwt = (√2.220/RL.Π) = 1 A (corriente media)
______________________________ _
Π 2 2
ITef. = √(1/2Π).∫0 (√2.220/RL) . Sen wt dwt = (√2.220/RL.2)=1,55 A (corriente eficaz)
_
VRWM = Vm = √2.220 V = 310 Volt (tensión máxima inversa repetitiva).
A estos valores máximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos

entre 2 y 3. Si tomamos 2, entonces debemos seleccionar en 1º instancia un SCR con
los siguientes valores eléctricos:
ITM ≥ 2A
ITef. ≥3 A
VRWM ≥600 volt
b) Calculo del circuito de disparo
b1) Determinación de RB1:

La finalidad de RB1 es evitar como dijimos, disparos
imprevistos del SCR (con trafo de pulsos no se coloca), al drenar parte de la corriente
que circula por el UJT por la resistencia internase RBB. Por lo tanto debe ser lo mas
bajo posible, siempre que asegure el disparo del SCR. Utilizaremos un UJT 2N4947 que
tiene las siguientes características, para una tensión de alimentación de 20 volt:
RBB = 6 KΩ , η = 0,60 , Iv = 4 mA , Vv = 3 volt , Ip = 2µA.
IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) ≈ 20 V / RBB = 20 v/ 6 KΩ = 3,3 mA
Dado que la mayoría de los SCR se disparan con una tensión de 0,7 a 1 volt, tomamos
entonces una tensión sobre RB1 de unos 0,3 volt. De esta forma nos permite un margen
de tensión de ruido de o,4 volt (0,7-0,3), que es un valor aceptable.
RB1 = VRB1 / IRB1= =,3 V / 3,3 mA ≈ 100 Ω
b2) Calculo de RB2 :

Esta resistencia tiene la misión de estabilizar térmicamente a los
UJT. Se determina experimentalmente o por medio de graficas. Para la mayoría de los
UJT, se estabilizan con resistencias de valor entre 500 Ω a 3 KΩ. Nosotros la vamos a
calcular con la formula teórica desarrollada anteriormente:
RB2 = V D. RBB / (VCC. η ) + (1-η. RB1) / η = (0,6.6)/(20.0,6) + (1-0,6)/0,6.0,1 = 315 Ω
Adoptamos RB2 = 470 Ω
___________________________________________________________________ 14
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
b3) Determinación de REmin, REmax y el capacitor CE.
Previamente, debemos observar la grafica de la característica V-I del Terminal de

Emisor del UJT
IE Emisor IE Base 2
REmax REmin
IV VE Base 1
Símbolo
IP
IEBO VV VK VP
V Vc Vz VE
Características tensión –corriente

del terminal Emisor-Base 1
Determinaremos primero, el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. Se

producirá cuando el capacitor se cargue con la tensión Vc = Vp, a traves de Re y Vz
como tensión de alimentación, Como vemos en la grafica, entonces el valor de REmin
vale:
REmin = (Vz-Vp) / Ip = (Vz- Vz.η) / Ip = (20 – 20.0,6) / 2µA = 4 MΩ
Esto significa que RE deberá ser menor de 4 MΩ para que la tensión en el capacitor,
llegue a la tensión de disparo Vp del UJT.
Para calcular RE min, es necesario que la recta de carga no intercepte un punto de la
característica V- I del UJT que presente resistencia positiva, porque si ocurre esto , el
UJT se dispara una vez y luego queda bloqueado. En la grafica, vemos que el punto
limite, esta dado para IV y Vv . El valor mínimo de RE lo calculamos como:
REmin = ( Vz- Vv) / Iv = (20 V- 3 V) / 4 mA = 4,25 KΩ
El valor REmin calculado, significa que RE no debe ser inferior a 4,25 KΩ para que el
UJT, una vez disparado, vuelva a bloquearse.
Adoptamos RE min = 10 KΩ.

Para calcular el valor de la resistencia del potenciómetro de manera tal que
RE = RE min + REp
Nos conviene tomar la media geométrica en lugar del valor promedio, dado que los dos
valores extremos difieren mucho:
____________ __________
RE = √REmin.REmax = √ 4,25 . 4x103 ≈ 64 KΩ
Con este valor, podemos calcular el capacitor, teniendo en cuenta que llegue a la tensión
de disparo Vp en el tiempo de t= T/2, cuando RE tiene su valor máximo.
___________________________________________________________________ 15
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t≈ CE.RE para η ≈0,6
t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg
CE = 10 msg / 64 KΩ = 0,156 µF.
Un valor de CE fácil de conseguir es de 0,1 µF, por lo que conviene recalcular el valor
de RE:
RE = t / CE = 10 mseg / 0,1 µF = 100 KΩ
Adoptamos entonces un potenciómetro lineal de 100KΩ
C) Calculo del diodo Zener y Rs
IEmax = Vz / REmin = 20 v / 10 KΩ = 2 mA ;
IR1 = Vz / ( RB1+RBB+RB2) ≈ 3 mA
Estos dos últimos valores representa la corriente de carga del circuito regulador paralelo
con diodo Zener. Para evitar la tensión de codo del diodo Zener, adoptamos un valor de
la corriente de zener de 20 mA, de manera tal que cualquier variación de la corriente de
carga, prácticamente no influye sobre la tensión de zener. Para que por el zener circule
la corriente adoptada, debemos limitarla con la resistencia Hrs., de manera que su valor,
lo podemos determinar como:
Rs = (Vm – Vz) / (Iz+ IEmax + IR1 ) = (310 V- 20 V) / 25 mA = 11,6 KΩ
Adoptamos un valor de Rs. = 12 KΩ

Finalmente para seleccionar esta resistencia, debemos conocer su disipación máxima:
Pinst = (Vm-Vz)2 / Rs = (310-20)2 / 12 = 3,3 W
Adoptamos una resistencia que disipe 5 W.
El diodo Zener lo adoptamos para VZ = 20 volt y Pdz = Iz . Vz = 20 mA . 20 V =0,4 W

Adoptamos un diodo zener de ½ W.
Finalmente nos queda determinar el diodo “D” que, junto con la señal alterna provee la
sincronización y alimentación del circuito de disparo. En este caso la corriente máxima
que circulara por este diodo, será la suma de todas las corrientes parciales:
ID = IZ + IE +IR1 = 20 + 2 +3 = 25 mA.
La tensión inversa máxima que soporta resulta:

_ _
VRWM = Vm.√2 = 220 .√2 = 310 volt.
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----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Adoptamos un diodos estándar como el 1N4005, 1N4006 o el 1N4007, que soportan
una corriente máxima de1 A y una tensión inversa máxima repetitiva de 600, 800 y
1000 volt respectivamente.
Diseño práctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal, control

cosenoidal
Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior, remitiéndonos al cálculo de los

componentes del circuito de disparo, según la
figura:
vs
Vs
Vz
Vp
Vc
Vped=0
Vped
t de disparo wt≈180º
1) Los valores de Rs., RB1, RB2, se determinan en forma similar al problema anterior.
2) El potenciómetro que fija la tensión de pedestal se fija en forma practica en 5KΩ y si

adoptamos CE = 0,1 µF, entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensión
pedestal es de :
t = Rp.CE = 5KΩ.0,1 µF = 0,5 mseg. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5%

del tiempo de medio ciclo de 10 mseg.
3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensión de pedestal de cero volt y un
pulso de disparo en 180º o sea en 10 mseg. Como la carga del condensador es
cosenoidal, entonces obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE:
Vc = V1 + Vmax / RE.CE.w.( 1 – cos wt ).
___________________________________________________________________ 17
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para el caso V1 = 0 , cos 180º = -1 , Vc =η.Vz = 0,6. 20
Reemplazando estos valores en la formula anterior y despejando RE tenemos:
RE = (Vm . 2) / ( Vz . η. CE. W) = 1,56 MΩ
El diodo D1 se adopta estándar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que
circula por el mismo es mínima lo mismo su tensión inversa.
Conceptos para utilizar el circuito anterior en un sistema de control realimentado.
Para este caso, la señal de control realimentada, obtenida como señal de error,
amplificada, compensada y adaptada al circuito, se aplica como tensión de pedestal para
controlar el ángulo de fase. La figura siguiente, nos muestra el circuito simplificado:
Transistor unijuntura programable PUT
Este dispositivo, tiene un comportamiento similar al UJT, con la diferencia que la

relación intrínseca “η” se puede “programar”, mediante un divisor resistivo.
A pesar de llamarse transistor, su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de
puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de cátodo (base del transistor pnp)
Ánodo (A)
A
P GA
Puerta (GA)
N
P
C
N
Símbolo
Cátodo (C)
___________________________________________________________________ 18
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
La forma típica de polarizar al PUT, es la que se muestra en el circuito (A) de la

siguiente figura:
El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta siendo:
VT = (Rp.VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1.Rp) / ( R1+Rp)

Para una VT determinada y mientras VAA < VT, la corriente de ánodo “IA “ es
prácticamente despreciable, estando el PUT en estado de bloqueo. Si VAA > VT en una
cantidad " Vp" , se produce una inyección de portadores de carga por el diodo formado
por el Terminal del ánodo y compuerta, dando comienzo a la realimentación interna que
provoca el estado de conducción de PUT entre el ánodo y el cátodo.
Una vez activado el PUT si disminuimos la tensión VAA de manera que la corriente pase
por debajo de un valor llamado de valle “IV” (mínima de mantenimiento), el PUT
nuevamente pasa al estado de bloqueo, de manera similar al UJT.
La próxima figura muestra la característica V-I de los terminales ánodo-cátodo para un
determinado valor de RT y VT
VAC
Vp
Vs
VA
VV
IGAo Ip Iv IA IAC
En forma similar al UJT, el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de

relajación, sincronizado con la frecuencia de red. Sintetizando, el PUT puede
reemplazar al UJT en los circuitos de disparo que hemos analizado, conectando el
Terminal “ánodo” del PUT con el Terminal que corresponde al “emisor” del UJT y el
“cátodo” del PUT, con el terminal “base2” del UJT. Se deberá agregar un divisor
resistivo, para programar la relación intrínseca “η”.
___________________________________________________________________ 19
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
La siguiente figura, muestra un circuito de disparo con PUT con control exponencial
donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1, Rp) y su fuente de
alimentación (D1, C1).
Generación de pulsos con DIAC

El DIAC es un tiristor doble, conectado en antiparalelo, sin compuerta, que tiene la
particularidad de conducir corriente en los dos sentidos de sus terminales, cuando la
tensión en sus extremos supera el máximo voltaje de bloqueo directo “VBO”.
El dibujo siguiente, muestra la estructura interna, su símbolo y su característica V-I:
A2
P1 N1 A2
IA
VA2> VA1 N2
IA
P2 A1
VA1> VA2
N3
Símbolo
A1
10 mA
VBO=-20 a-30 V
VBO=20 a 30 V
-10 mA
___________________________________________________________________ 20
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Como se puede ver en la estructura interna el DIAC esta compuesto por dos tiristores
compuestos por:
P2 N2P1N1 para V21 >0
P1 N2P2N3 para V12<0
Debido a su comportamiento bidireccional y a su valor bajo de tensión de activación (20

a 30 volt), se lo suele utilizar como generador de pulsos positivos y negativos para
disparos de tiristores como los SCR y TRIAC
Veamos un ejemplo de aplicación para controlar la potencia eléctrica para una carga
conectada en corriente alterna, control en ambos semiciclos:
VT2-T1
Vc
Idisp
t
___________________________________________________________________ 21
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
El DIAC esta conectado por un extremo a la compuerta del TRIAC; por el otro a un
capacitor que forma parte de un circuito defasador de tensión, tipo RC. De esta forma la
tensión del capacitor estará retrasada respecto a la tensión de línea. Cuando la tensión
del capacitor llega a la tensión de activación del DIAC, este se dispara, inyectando un
pulso de corriente en la compuerta del TRIAC, activándolo. Cuando este último se
activa, cae la tensión del circuito de disparo, por estar conectado a los terminales del
TRIAC, haciendo que el DIAC pase al estado de bloqueo y el capacitor se descargue.
Para el semiciclo negativo, el capacitor se carga inversamente, y cuando llegue a la
tensión de activación del DIAC, se producirá un pulso de corriente con polaridad
opuesta, haciendo activar el TRIAC en sentido inverso. Conectando al TRIAC
adecuadamente, se los puede disparar en los dos cuadrantes con mayor sensibilidad.
Determinación del ángulo mínimo de activación del DIAC:

Este se producirá cuando
el valor de R = R1+Rp = 0 y la tensión de alimentación tome el valor de activación del
DIAC o sea VBO .
VBO = Vm, sen θmin
θmin = arc.sen (VBO /Vm)
Determinación del ángulo máximo de activación del DIAC:
θmax = Π - θmin =Π- arc.sen (VBO /Vm)
Cálculo de la constante de tiempo R.C para el ángulo de activación máximo:
Partimos de la formula de carga de un capacitor con tensión previa
Vc = vo + 1/C ∫i dt como i = (vs – vc) / R≈ vs / R y vs = Vm. Sen wt
Vc = vo + 1/C ∫vs/R dt = vo + 1/C.∫ Vm/R.sen wt dwt
Vc= vo + (Vm/R,C.W)[1-cos wt]0wt
Para Wt = θmax. = Π - θmin =Π- arc.sen (VBO /Vm)≈ Π= T/2
Vc = VBO = vo + (Vm/R,C.W)[1-cos wt]0Π = vo + (2.Vm) / ( R.C.W).
Despejando la constante de carga obtenemos:
R.C = (2.Vm) / (VBO –vo).W
Seleccionando el valor de R o de C, obtenemos el otro.
Consideraciones practicas del circuito de control con DIAC y TRIAC
1) Este circuito, en la práctica tiene histéresis, respecto a la variación de la constante

CR., para variar la potencia en la carga, debido a la carga residual del capacitor. Para
evitar este inconveniente se reduce con el método de control por doble constante de
___________________________________________________________________ 22
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
tiempo, que hace que el capacitor C2 (de la próxima figura) siempre mantenga una
carga residual, prácticamente constante, anulando el efecto de histéresis.
2) Si la carga que se controla es fuertemente inductiva, se producirá un defasaje entre la

corriente circulante por el TRIAC y la tensión de alimentación. En este caso cuando la
corriente se hace cero, puede ocurrir que la tensión de alimentación en ese momento,
tiene un valor elevado y el TRIAC no la pueda bloquear dado que la aplicación a
superado su máxima dv/dt. Por ello, al circuito anterior se lo debe proteger contra la
dv/dt, colocando un circuito serie RC (red amortiguadora), en paralelo con el TRIAC. El
valor de R y C necesarios, se determina por cálculo o por graficas (ábacos)
suministradas por el fabricante, dados en función de la corriente eficaz y máxima dv/dt
del TRIAC.
3) Cuando se utiliza este circuito para control de iluminación con lámparas
incandescentes, se debe tener precaución cuando se selecciona el TRIAC, que no
solamente se debe tener en cuenta la corriente eficaz que soporta, sino también la
máxima corriente pico que admite el TRIAC. Esto es necesario tenerlo en cuenta,
especialmente en las lámparas de iluminación incandescentes dado que su resistencia
eléctrica en frío es muy baja, siendo la corriente de choque o inicial, cuando se prende la
lámpara, muy alta. En lámparas de alta potencia la “Inicial / I nominal” es de 15:1 y en
lámparas de baja potencia “10:1”.
4) Otro aspecto a tener en cuenta, es que los circuitos de control con variación del
ángulo de fase pueden producir interferencias de radiofrecuencia, en el momento de la
conducción, debido a los picos de la corriente producidos por la conexión a la carga a
una tensión no nula. Para evitar estas interferencias, se pueden colocar filtros de
provisión comercial para red industrial, o un filtro como muestra la siguiente figura:
___________________________________________________________________ 23
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Circuito practico final
AISLACION Y AMPLIFICACION DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO
En los convertidores de potencia eléctrica con tiristores, como el caso de los

rectificadores controlados, existen diferencias de potencial entre los diversos terminales.
El circuito convertidor, propiamente dicho, esta sujeto por lo general, a tensiones
eléctricas superiores a los 100 volt, mientras que los circuitos de control y formación de
pulsos de disparo, trabajan con tensiones eléctricas de baja magnitud. (Para los circuitos
de disparo de compuerta, entre 12 y 30 volt). De allí la necesidad de contar con un
circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de
disparo. El aislamiento se logra utilizando “opto acopladores” y “transformadores de
pulso”.
Opto acopladores:
Los opto acopladores son circuitos con semiconductores que tienen en su entrada un
diodo emisor de Luz, normalmente del tipo de emisión infrarroja (ILED, de infrared
Light-emitting diode )y en su salida , tiene un semiconductor “detector de luz”, como
por ejemplo un fototransistor, un fotodarlington o un fototiristor. Ambos circuitos,
están acoplados mediante “un dieléctrico” transparente, proporcionando, entre ellos, una
aislamiento eléctrico, entre 5 y 15 KV. De esta manera el circuito de control y disparo
se conecta en la entrada del opto acoplador y la salida se conecta a la compuerta de
disparo del tiristor, asegurando entre ellos una alta tensión de aislamiento.
Ejemplo:
Entrada Salida
Diodo emisor Foto transistor

de luz (ILED)
Tipos: HP24 6 KV aislamiento; HP23 , uso en fibras ópticas
HP22 10 a 15 KV aislamiento
___________________________________________________________________ 24
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Existen en el mercado, opto acopladores con fototransistores con tiempos de subida y
bajada muy cortos. Valores típicos para el encendido (ton) son de 2 a 2,5 µs y tiempos
de apagado (toff) de 300 nseg. Estos tiempos de conmutación, limitan las aplicaciones
en alta frecuencia. En la próxima figura mostramos un opto acoplador con un fototiristor
del tipo SCR:
Opto acoplador
Un pulso corto en la entrada del fotodiodo (proveniente de un UJT o PUT) activa al
foto-SCR y se dispara el tiristor de potencia T1. El inconveniente de este tipo de
aislamiento, es la necesidad de contar con una fuente auxiliar separada (en el esquema
+Vcc) y esto aumenta el costo y el peso del circuito de disparo.
Transformadores de pulso:
Son transformadores especiales que permiten reproducir en los secundarios pulsos de
tensión de muy corta duración. Son construidos con núcleos magnéticos de gran
permeabilidad, con aleaciones especiales como Hipersil, Permalloy o Ferrite. Tienen un
solo devanado primario y pueden tener uno o varios devanados secundarios. Con varios
devanados secundarios se pueden lograr señales pulsantes simultáneas para excitación
de compuertas que exciten tiristores conectados en serie o en paralelo. Estos
transformadores se caracterizan por tener una inductancia de fuga muy pequeña, y el
tiempo de subida del pulso deberá ser muy pequeño. Con un pulso relativamente largo,
y con baja frecuencia de conmutación, el transformador se satura y la salida se
distorsiona.
Aislamiento y amplificación de pulsos con transformadores de pulso

A continuación veremos algunos circuitos típicos de aislamiento y amplificación de
pulsos:
1) Amplificador de pulsos de corriente
___________________________________________________________________ 25
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Este circuito amplifica y produce aislamiento del circuito generador de pulsos con
PUT. Los pulsos de corriente generados por el PUT, son amplificados por el transistor
bipolar Q1. El pulso de corriente de colector circula por el devanado primario
induciendo en el secundario otro pulso de tensión que inyecta una corriente en la
compuerta del tiristor.
2) Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador
V1
Cuando aplicamos pulsos “rectangulares” positivos o de larga duración a la red

diferenciadora, formada por C1R1, se generan pulsos cortos, “positivo”, en el flaco de
subida y “negativo”, en el flanco de bajada. El pulso negativo, es bloqueado por el
diodo D1 conjuntamente con la juntura base-emisor de Q1. El pulso positivo, produce la
conmutación de Q1, haciéndolo pasar a la saturación, lo cual hace aparecer un voltaje
(+Vcc) sobre el primario del transformador, induciendo un voltaje pulsante en el
secundario del transformador, que se aplica entre los terminales de compuerta y cátodo
del tiristor. Cuando el pulso se retira de la base de Q1, el transistor se apaga y se induce
un voltaje de polaridad opuesta a través del primario, haciendo conducir al diodo Dv
(diodo volante o de corrida libre). La corriente, debida a la energía magnética disminuye
a cero a través de Dv. Durante esta disminución transitoria, se induce el correspondiente
voltaje inverso en el secundario.
3) Generación de pulsos largos
___________________________________________________________________ 26
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Se puede alargar el ancho del pulso conectando un capacitor “C” en paralelo con el
resistor “R”. El transformador conduce corriente unidireccional y el núcleo magnético
se puede saturar limitando así el ancho del pulso. (Se logran pulsos de 50 a 100µseg)
4) Generación de tren de pulsos
En numerosos convertidores de potencia eléctrica, las cargas son del tipo inductiva, por
lo que el periodo de conducción de un tiristor depende del factor de potencia (FP) de la
carga. La consecuencia de esto, es que no se sabe exactamente el inicio de conducción
del tiristor (la corriente tiene un periodo relativamente largo para que el tiristor se
active). En este caso resulta conveniente disparar en forma continua a los tiristores.;
pero esto hace aumentar las perdidas en el tiristor, por lo que resulta conveniente
dispararlo con un tren de pulsos. El circuito anterior permite la generación de un tren de
pulsos, por la acción del devanado auxiliar N3. Cuando se aplica la tensión en la
entrada V1, el capacitor C1 se carga a través de R1, haciendo conducir a Q1; esto
provoca conducción en el devanado primario lo que induce un pulso de tensión en N2
(hacia el tiristor) y N3, que polariza negativamente al diodo D1. Esto provoca el corte
de Q1; al desaparecer la tensión negativa sobre D1, Q1 nuevamente conduce corriente,
generando otro pulso, repitiéndose el proceso, lo que da lugar en la salida de N3, a un
tren de pulsos que durara hasta tanto se mantenga la tensión V1 en la entrada. A este
tipo de circuito se le denomina “Oscilador de pulsos de bloqueo”.
5) Generación de tren de pulsos con oscilador y compuerta lógica AND
Oscilador de pulsos
___________________________________________________________________ 27
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
A diferencia del circuito anterior, donde el mismo circuito que a través del devanado
N3, se generaba el tren de pulsos, en este caso, se genera externamente, por medio de
otro circuito, como por ejemplo, utilizando un CI555. Con una etapa de control y
excitación del tipo de compuerta “Y” (AND), se logra controlar el inicio y final del tren
de pulsos, mediante la tensión V1.
Protección en los circuitos de compuerta
La salida de los circuitos de disparo, se conectan normalmente, para el caso de un SCR,

entre la compuerta y el cátodo, junto con otros componentes que actúan como
protectores de la compuerta. Para el circuito (A) de la figura anterior, el capacitor “Cg”,
cumple la misión de eliminar los componentes de ruido eléctrico de alta frecuencia,
aumenta la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta del tiristor.
Para el circuito (B), el resistor “Rg” aumenta la capacidad del valor dv/dt del tiristor,
reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes de sujeción y enganche.
Para el circuito (C), el diodo “Dg”, protege la compuerta contra el voltaje negativo. Sin
embargo, para los rectificadores controlados de silicio, como el SCR, resulta
conveniente tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta, para mejorar la
capacidad de dv/dt y también para reducir el tiempo de apagado.
Todas las funciones mencionadas en los circuitos de compuerta A, B y C pueden
combinarse, como se observa en el circuito “D”, donde además se agrego un diodo D1
que permite solamente que pasen pulsos positivos y la resistencia R1 para limitar la
corriente de compuerta.
___________________________________________________________________ 28
3-3 Características de los rectificadores controlados
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
CARACTERISTICAS DE LOS RECTIFICADORES CONTROLADOS
Los conversores, de potencia eléctrica de alterna (CA) a potencia eléctrica de continua

(CC), denominados “rectificadores controlados”, ejercen el control sobre la potencia
convertida. Este control, se realiza variando el tiempo de activación o encendido de los
tiristores, que conforman el circuito principal de conmutación.
Teniendo en cuenta la forma o momento de activación y desactivación de los tiristores,
estos convertidores se pueden clasificar en los siguientes grupos:
a) Rectificadores controlados por ángulo de fase o ángulo de inicio de la

conducción.
b) Rectificadores controlados por ángulo de extinción.
c) Rectificadores controlados por ángulo simétrico.
d) Rectificadores controlados por modulación del ancho del pulso (PWM).
e) Rectificadores controlados por modulación senoidal del ancho del pulso

(SPWM).
Si tenemos en cuenta la transferencia de la energía eléctrica entre la fuente de

suministro y la carga, podemos realizar la siguiente clasificación:
a) Rectificadores semicontrolados o semiconvertidores.
b) Rectificadores controlados completos o convertidores completos.
c) Rectificadores controlados duales o convertidores duales.

Esta clasificación es valida tanto en los rectificadores monofasicos como trifásicos.
Rectificadores semicontrolados
Los rectificadores semicontrolados o semiconvertidores, se caracterizan por transferir

energía en un solo sentido, de la fuente de suministro a la carga. La tensión aplicada a la
carga, respecto a la referencia “masa” de la carga, resulta positiva. De la misma forma,
es positiva la corriente en la carga, significando esta polaridad como corriente entrante a
la carga.
Representando la relación V-I de la carga en ejes coordenados, decimos que el
rectificador trabaja solamente en el primer cuadrante, como muestra la figura:
Vo
1º cuadrante
Io
___________________________________________________________________ 1
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Rectificadores controlados completos
Estos convertidores respecto a la tensión y corriente en la carga, trabajan en dos

cuadrantes, el primero y el cuarto. Esto significa que la tensión sobre la carga, puede ser
positiva o negativa. La corriente siempre es positiva o sea siempre ingresa a la carga.
Cuando la tensión es positiva, la energía se transfiere de la fuente de alimentación a la
carga. Cuando la tensión es negativa, la energía se transfiere de la carga a la fuente de
alimentación, o sea devuelve parte de la energía que le fue transferida. Para que esto
ocurra, la impedancia de la carga debe ser presentar una componente inductiva (LR o
LR y E).
Vo
1º cuadrante
Io
4º cuadrante
Rectificadores controlados duales
Los convertidores duales pueden operar en los cuatro cuadrantes respecto a la

representación de la tensión y corriente en la carga. Pueden cambiar la polaridad de la
tensión y sentido de la corriente de la carga.
Por ejemplo, si tomamos como carga un motor eléctrico de corriente continua (CC), y lo
alimentamos con un rectificador dual, este, puede entregar energía al motor para que
pueda ser convertida en “cupla mecánica de rotación”, o en determinadas circunstancia
devolver parte de esta energía, al sistema de alimentación primaria del rectificador
controlado dual. A su vez este convertidor puede cambiar la polaridad de la tensión
entregada al inducido del motor eléctrico, cambiando el sentido de circulación de la
corriente, invirtiendo el sentido de giro del eje de rotación. En esta nueva rotación,
también puede devolver parte de la energía al sistema de alimentación.
2º Vo 1º cuadrante
Io
3º 4º
___________________________________________________________________ 2
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
1º cuadrante: Entrega energía a la carga con rotación en un determinado giro del eje
2º cuadrante: devuelve energía al sistema con igual sentido de giro del 1º cuadrante
3º cuadrante: Entrega energía a la carga con rotación inversa al 1º cuadrante
4º cuadrante: Devuelve energía al sistema con rotación inversa al 1º cuadrante.
Operación de un rectificador controlado de media onda con carga resistiva
En este caso, como la carga es resistiva, el rectificador actúa en el 1º cuadrante (como

semiconvertidor)
Vs
Vo
vT≈0 en conducción io
vs= Vm sen wt t
vT= vs: tiristor apagado α Π 2Π
vo ≈ vs cuando el tiristor
conduce.
VT
io =vo/RL cuando el
tiristor conduce
t
Determinación de la tensión promedio sobre la carga:
Vo = 1/ T ∫αT vo dt = 1/ 2Π ∫αΠ Vm.sen wt dwt = (Vm/ 2Π).[-cos wt ]αΠ
Vo = (Vm/2Π). (1+cos α) valido para media onda
Vo = (Vm/Π). (1+cos α) valido para un rectificador onda completa
Analizando las expresiones matemáticas vemos que para α = 0º, tenemos la máxima
tensión promedio sobre la carga, que coincide con los valores calculados para los
rectificadores no controlados.
Vo = Vm/Π para α = 0º (media onda)
Vo = 2Vm/Π para α = 0º (onda completa)
___________________________________________________________________ 3
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para α = 180º la tension de salida vale cero Vo= 0.
Calculo de la tensión eficaz total en la carga:

___________ _____________________ _______________________
Vorms= √1/ T ∫αT vo2 dt = √1/ 2Π ∫αΠ Vm2.sen2 wt dwt = √ Vm2./ 4Π ∫αΠ (1-cos2wt) dwt
Vorms = Vm/2 [1/Π.(Π-α+sen2α/2)]1/2 para media onda

_
Vorms = Vm/√2 [1/Π.(Π-α+sen2α/2)]1/2 para onda completa
Con los valores obtenidos de Vo y Vorms, podemos determinar los factores de

rendimiento para los distintos ángulos de inicio de la conducción.
Factor de forma de la tensión: FF =Vorms/Vo

______
Factor de componente ondulatoria: RF = Vcaeficaz/Vo = √FF2-1
Corriente eficaz total sobre la carga: Iorms = Vorms/ RL
Potencia total sobre la carga: PT = Vorms. Iorms = Vorms2/RL
Potencia en continua sobre la carga: Po = Vo.Io = Vo2/RL
Eficiencia: η % = (Po/PT). 100
Potencia aparente trafo: Paps = Vs eficaz. Is eficaz Ineficaz = Iorms
Factor de utilización trafo TUF = Po/ Pap
Tensión de pico inversa del tiristor: Vinv = Vm
Rectificador monofásico en puente semicontrolado (carga altamente inductiva)
Carga
___________________________________________________________________ 4
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
vo Vm vs
wt
io 0 α Π Π+α 2Π
vo
wt
0 α Π Π+α 2Π
iT1
Io
wt
iT2
Io
iD1 wt
Io
wt
iD2
Io
wt
is
Io
wt
-Io
io
Io
wt
iDv
Io
wt
___________________________________________________________________ 5
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Analizaremos este circuito, con carga altamente inductiva (wL≥100.R) por lo que la
corriente en la carga, prácticamente no tiene ondulaciones; por lo tanto de la misma
manera, supondremos que la corriente tiene el mismo comportamiento, en todo el
circuito. Además en la primer parte del análisis, supondremos no disponer del diodo
volante “Dv”.
Durante el semiciclo positivo de la tensión de alimentación si se activa con un pulso de
disparo al tiristor T1 (en wt=α), se aplica tensión positiva a la carga, circulando la
corriente por los semiconductores T1 y D2. El valor de la tensión en la carga resulta:
Vo = VS (t) – VT1 – VD2

Mientras la corriente en la carga siga creciendo, la Fem “E” se opondrá, con la
polaridad indicada en el circuito. Cuando la tensión de entrada decrece, comenzará a
decrecer la corriente y por lo tanto cambiará la polaridad la Fem “E”. Cuando la tensión
de alimentación se hace cero y cambia a su valor negativo, debido a la Fem de la
inductancia, la corriente sigue circulando por la carga, a través del tiristor “T1” y el
diodo “D1”. (la corriente que circulaba por D2 en el semiciclo positivo, se transfiere al
Diodo D1). Ahora la tensión en la carga es la suma de las caídas de tensión del tiristor
T1 y el diodo D1, siendo:
Vo=-(Vd+VT) ≈ ( 0,75+1) ≈ 1,75 Volt
Cuando se dispara el tiristor T2, el tiristor T1 se desactiva naturalmente y ahora la

tensión Vo toma nuevamente un valor positivo igual al de la tensión de alimentación
menos las caídas de tensión en el tiristor T2 y el diodo D1:
Vo = VS (t) – VT2 – VD1
Vs (t)
Vs Vo (t)
Vo
wt
≈1,75V
io
T2D2 T1D2 T1D1 T2D1 T2D2 T1D2 wt
La grafica anterior, nos muestra la variación de la tensión en la carga Vo, sin considerar
los transitorios de conmutación. La corriente de la carga, cuando pasa por T1D2 y por
___________________________________________________________________ 6
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
T2D1 la fuente de alimentación externa “Vs” entrega energía a la carga; cuando lo hace
por T1D1 y por T2D2 la energía magnética de la inductancia recircula por la carga.
Cuando conectamos el diodo volante Dv, y previamente T1 estaba entregando energía a
la carga, cuando la tensión de alimentación se hace negativa, T1 se desactiva y la
corriente de la carga recircula por el diodo volante, descargando la energía magnética de
la inductancia. Durante el periodo de conducción de Dv, la tensión en la carga Vo, se
mantiene en aproximadamente en -0,75 volt. El grafico es similar al anterior, salvo
cuando Vo se hace negativo. El diodo volante es una solución más económica que la
recirculación a través del puente rectificador, dado que exige mayores capacidades de
corriente a los diodos y tiristores.
Vs(t)
Vs Vo(t)
Vo
≈ 0,75V
io
Dv T1D2 Dv T2D1 Dv T1D2 wt
En los periodos que la corriente circula por Dv (cuando esta conectado), o por T1D1 y
T2D2,(cuando no se coloca Dv), no hay corriente proveniente de la fuente de
alimentación. Como conclusión podemos decir que el rectificador monofásico en
puente, semicontrolado, la energía eléctrica se transmite solamente, desde la fuente de
alimentación, a la carga (CA → CC).
Tensión promedio sobre la carga

A continuación, vamos a determinar la expresión matemática del valor de la tensión
promedio sobre la carga, despreciando el valor negativo que toma cuando se produce la
recirculación por el Diodo volante Dv o en el otro caso por T1D1 y T2D2.
Vo = 1/ T ∫αT vo dt = 1/ Π ∫αΠ Vm.sen wt dwt = Vm/Π.[-cos wt ]αΠ
Vo = Vm/Π.(1+ cos α)
Tensión eficaz total sobre la carga:

____________ _____________________ _______________________
Vorms= √1/ T ∫αT vo2 dt = √1/ 2Π ∫αΠ Vm2.sen2 wt dwt = √ Vm2./ 4Π ∫αΠ (1-cos2wt) dwt
_
Vorms = Vm/√2. [1/Π.(Π-α+sen2α/2)]1/2
___________________________________________________________________ 7
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para encontrar el valor eficaz de la corriente que circula por el devanado secundario del
transformador, aplicamos la formula de valor eficaz, teniendo en cuenta que la forma de
onda de la corriente instantánea es rectangular, en ambos semiciclos, por lo que el valor
de la integral definida, la obtenemos calculando las superficies de dos rectángulos, con
altura de valor Io2 y base igual a Π – α.
___________ ______________ _______________
Is= √1/ T ∫αT io2 dt = √1/ 2Π ∫αΠ is2 dwt = √1/2Π. 2 Io2. (Π-α) = Io.(1-α/Π)1/2
El valor eficaz de la componente de 1º armónica, se puede obtener del desarrollo en

serie de Fourier para una onda rectangular simétrica resultando:
_
Is1 = (2.√2.Io/Π). Cos α/2 Φ = -α/2 (ángulo entre la tensión y corriente 1º armónica)
Con estos valores se pueden determinar todos los factores de rendimiento en la entrada
del rectificador.
Análisis de un rectificador controlado bifásico de media onda
En este caso, cuando la carga es muy inductiva, la corriente en los tiristores, circula más
allá del cruce con cero, de la tensión de alimentación, según muestra el grafico:
Vs(t) vo(t)
io(t) io(t)
wt
vo(t)
wt
αi αd (Π+αi) (Π+αd) (2Π+αi) (2Π+αd)
___________________________________________________________________ 8
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
La grafica muestra la variación de la corriente y tensión en la carga para el caso de
conducción discontinua. La siguiente grafica representa la variación de la corriente y
tensión en la carga, para conducción continua. La continuidad o discontinuidad,
depende de varios factores como ser el ángulo inicial de disparo de los tiristores y de las
características de la carga.
vo(t)
Vs(t) io(t)
io(t)
vo(t)
0 α Π Π+α 2Π 2Π+α 3Π 3Π+α
Como podemos observar tanto en la conducción continua como discontinua, tenemos un

periodo de tiempo donde se produce una inversión del sentido de la energía; cuando la
tensión instantánea sobre la carga se hace negativa, se devuelve energía al sistema de
alimentación. En este caso la tensión promedio en la carga vale:
Vo = 1/ T ∫αΠ+α vo dt = 1/ Π ∫αΠ+α Vm.sen wt dwt = (Vm/ Π)[-cos wt ]αΠ+α
Vo = (2Vm/Π) .cos α
Esta ultima expresión, nos dice que si activamos los tiristores para un ángulo α>90º la
tensión media rectificada resulta negativa, significando ello que estamos trabajando en
el segundo cuadrante.
Si queremos solamente trabajar en el 1º cuadrante con un control de potencia eléctrica
para 0 ≤ α ≥ Π, debemos colocar el diodo volante, en paralelo con la carga. Para este
ultimo caso, la grafica de la tensión y corriente en la carga, resulta entonces similar al
rectificador monofásico semicontrolado, con diodo volante.
Vs(t) vo(t)
io(t) io(t)
vo(t)
α Π Π +α 2Π 2Π+α 3Π
Convertidor monofásico en puente totalmente controlado con carga inductiva
___________________________________________________________________ 9
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Vo
Io
Este rectificador, igual que el bifásico de media onda sin diodo volante, me permite
controlar la energía eléctrica en el cuadrante 1º y 2º.
vo(t)
Vs(t) io(t)
io(t)
wt
vo(t)
is(t)
T2T3 T1T4 T2T3 T1T4
___________________________________________________________________ 10
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Durante el semiciclo positivo, los tiristores T1 y T4 tienen polarizacion directa y cuando
se disparan en wt=α conectan la fuente de alimentación externa a la carga. Mientras la
tensión de alimentación sea positiva y la corriente, entrante a la carga, decimos que el
conversor trabaja en el modo de “rectificador”. Cuando la tensión pasa por cero, debido
a la “fuerza contraelectromotriz de la inductancia “L”, los tiristores T1 y T4 siguen
conduciendo, aun con tensión negativa en la alimentación. En esta última condición
pasa potencia inversa de la carga a la fuente de alimentación; decimos entonces que el
conversor trabaja en el modo “inversor”.
Este convertidor tiene aplicaciones industriales frecuentes, hasta una potencia de 15
Kw. Dependiendo del valor de “α”, el voltaje promedio de salida, puede ser positivo o
negativo, permitiendo la operación en los dos cuadrantes (1º y 2º).
La tension promedio en la salida vale:
Vo = 1/ T ∫αΠ+α vo dt = 1/ Π ∫αΠ+α Vm.sen wt dwt = (Vm/ Π).[-cos wt ]αΠ+α
Vo = (2Vm/Π) .cos α
La tensión eficaz total en la carga resulta:
____________ _____________________ _______________________

Vorms=√1/ T ∫αT vo2 dt =√1/ Π ∫αΠ+α Vm2.sen2 wt dwt =√Vm2./ 2Π ∫αΠ+α (1-cos2wt) dwt
_
Vorms = Vm/√2.
Si la carga fuera resistiva, los tiristores solo conducen hasta el cruce por cero, por lo que
el comportamiento es similar al rectificador en puente monofásico semicontrolado.
Convertidor monofásico controlado de cuatro cuadrantes (convertidor dual)
Vo
Io
___________________________________________________________________ 11
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Esta formado por dos convertidores controlados completos que trabajan “espalda con
espalda”, de forma tal que pueden invertir tanto la corriente como la tensión sobre la
carga, logrando funcionar en los cuatro cuadrantes.
Existen dos formas de trabajo: Sin corriente circulante y con corriente circulante.
Para el primer caso, cuando uno de los convertidores esta trabajando, o sea
conectándose a la fuente de alimentación externa y entregando la tensión a la carga, por
ejemplo “vo1”, el otro no funciona. En estas condiciones, la polaridad de la tensión
sobre la carga, se puede cambiar, no así la corriente (funcionamiento en los cuadrantes
1º y 4º). Si se quiere invertir la corriente y también la polaridad de la tensión, entonces
se debe apagar el primer convertidor y encender el segundo, para que suministre la
tensión “vo2” (funcionamiento en los cuadrantes 2º y 3º).
En la otra forma de trabajo, uno de los convertidores trabaja como “rectificador” y el
otro como “inversor”, de tal manera que ambos deben suministrar la misma tensión
promedio sobre la carga, pero de signo opuesto.
Vo1 = (2.Vm/Π). Cos α1 Vo2 = (2.Vm/Π). Cos α2
Como Vo1 = -Vo2 resultará: Cos α1= Vo1 = - Cos α2
α2 = (Π –α1)
La figura muestra los valores instantáneos de las tensiones vo1 y vo2 y la suma
instantánea de ellas (vr(t) = vo1+ vo2), todas con respecto al Terminal “1”
Vs
Π 2Π wt
0α Π-α Π+α
vo1
Tensiones
Π-α referidas al
Terminal“1“,
Vo2 de la carga
Vr(t)
Diferencia de
tensiones
entre ambos
convertidores
___________________________________________________________________ 12
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Como los valores instantáneos de las tensiones que suministran cada convertidor están
desfasados, se producirán diferencias de tensión que darán lugar a una corriente
circulante limitada por el inductor “Lr”. Como los voltajes promedios son iguales pero
con polaridad opuesta Vo1 = -Vo2, la corriente promedio circulante será igual a cero.
Por ello para encontrar los valores instantáneos, de la corriente circulante por la
inductancia Lr, partimos de:
Vr= L. dir/dt ; despejando el diferencial de la corriente y luego integrando desde Π-α a

wt obtenemos:
ir = (1/wLr). ∫Π-αwt vr. d(wt) = (1/wLr). ∫Π-αwt (vo1+vo2). d(wt)
Reemplazando por los valores instantáneos de las tensiones e integrando, se llega a la

siguiente expresión:
ir = (2Vm/wLr) (cos α- cos wt)
Vemos que para valores de disparo entre 0 ≤ α≥ Π/2 la corriente ir resulta positiva y
para valores de Π/2< α≤ Π resulta negativa.
Se deberá prever el cálculo de la corriente circulante máxima para sumársele a la
máxima de la carga para que los tiristores puedan suministrarla sin superar sus
especificaciones.
Cuando los convertidores trabajan simultáneamente con corriente circulante, tienen la
siguiente ventaja:
1) La corriente circulante mantiene una conducción continua de ambos convertidores en
todo el intervalo de control, independientemente de la carga.
2) Como un convertidor funciona siempre como rectificador y el otro como inversor, es
posible el flujo de potencia en cualquier dirección y en cualquier momento.
3) Como ambos convertidores están en conducción continua, el tiempo de respuesta
para cambiar de operación de un cuadrante a otro, es menor.
La secuencia de disparo es la siguiente: Primero se dispara en el ángulo “α” el
convertidor positivo (rectificador) y luego se dispara en “Π-α” el convertidor negativo
(inversor).
Convertidores monofásicos en serie semicontrolado
___________________________________________________________________ 13
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Este circuito se utiliza para aplicaciones de alto voltaje. Por las formas de onda de la
corriente del primario, se logra mejorar el factor de potencia.
La tensión de salida resulta de la suma aritmética de los valores promedios de las
tensiones de cada uno de los convertidores
Vo1 = (Vm/Π). (1+cos α1)
Vo2 = (Vm/Π). (1+cos α2)
Vo = Vo1+ Vo2 = (Vm/Π). (2+cos α1+ cos α2)

El mayor voltaje promedio se logra con α1= α2 = 0º
Vomax = 4 (Vm/Π)
a) Si queremos hacer variar Vo desde cero a Vm/Π, hacemos 0 ≤ α1 ≥ Π y α2 = Π
Vo = (Vm/Π). (1+cos α1)
b) Para hacer variar Vo desde Vm/Π a 2Vm/Π , hacemos 0 ≤ α2 ≥ Π y α1 = 0

Vo = (Vm/Π). (3+cos α2)
Los diodos de marcha libre además de hacer circular la corriente inductiva de la carga,
hacen circular la corriente de retorno de uno de los convertidores cuando el otro esta
apagado. Cuando trabajan con 0 ≤ α2 ≥ Π y α1 = 0, por las formas de onda de la
corriente del primario, se logra mejorar el factor de potencia
Vs
Π+α
α2
wt
vo1
vo2
vo
___________________________________________________________________ 14
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Convertidor monofásico serie totalmente controlado
La disposición circuital es similar al caso anterior, con la diferencia que se utiliza ocho
(8) tiristores ( se reemplazan los diodos por tiristores) y se eliminan los diodos de
marcha libre. Para que el conjunto pueda funcionar ambos convertidores deben
funcionar simultáneamente.
El convertidor serie, puede trabajar como Rectificador (1º cuadrante) o como inversor
(2º cuadrante)
Como rectificador: Hacemos 0 ≤ α2 ≥ Π y α1 = 0
Vo = Vo1+Vo2 = (2.Vm/Π). (cos α1+ cos α2) =(2.Vm/Π). (1+ cos α2)
La máxima tensión promedio de salida se logra con α2 = 0
Vomax = 4.Vm/Π (α1=0 α2=0)
Como inversor: Hacemos 0 ≤ α1 ≥ Π y αΠ = 0
Vo= =(2.Vm/Π). ( cos α1 – 1 )
CONVERTIDORES TRIFASICOS
Los convertidores trifásicos, comparándolos con los monofasicos, a igualdad de

amplitud y frecuencia de la tensión primaria de alimentación, proporcionan un voltaje
promedio mayor, con una frecuencia del voltaje de las componentes alternas, mas
elevado. Como resultado, los requisitos del filtro de salida para disminuir estas
componentes, son menos exigentes. Por estas razones, los convertidores trifásicos,
trabajando en el régimen de “rectificador “ o como “inversor”, se usan extensamente
como “controladores de velocidad variable de alta potencia”.
A continuación, analizaremos, los “convertidores trifásicos de media onda”, los
convertidores trifásicos en puente semicontrolado” y finalmente “los convertidores
trifásicos totalmente controlados”
Convertidor trifásico controlado de media onda
___________________________________________________________________ 15
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
El circuito, muestra un rectificador trifásico
controlado de media onda que permite, si la carga es Vo
muy inductiva, trabajar en los cuadrantes 1º y 4º.
Si colocamos un diodo volante o de marcha libre en
paralelo con la carga, la corriente inductiva de la
inductancia recircula por el diodo y en este caso Io
trabajamos solamente en el 1º cuadrante como
“rectificador controlado”. Con carga resistiva,
siempre trabaja en el 1º cuadrante.
Veamos las graficas de las tensiones y corrientes para el modo de funcionamiento en los
dos cuadrantes, 1º y 4º:
vs3 vs1 vs2 vs3 vs1
vs1
vs2
vs3
0 Π/6 Π/6+α Π
α
Π/6+α
T3 T1 T2 T3 T1 T2
vo
io
Io
is1 Π 2Π 3Π
Io
0 Π/6+α (5/6)Π+α
___________________________________________________________________ 16
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Tomaremos como referencia la tensión de fase “vs1”. En este caso el ángulo minino
para que se dispare el tiristor “T1” es Π/6, dado que entre 0º a Π/6=60º, la tensión
compuesta “v13” lo esta polarizando negativamente. A partir de Π/6 (α=0º) el tiristor
esta en condiciones de dispararse hasta un valor teórico de retraso máximo de Π/6+Π
(α=Π). En la figura se ven la variación de la tensión instantánea del voltaje en la carga,
para un disparo en Π/6+ α, (siendo “α”, el ángulo de disparo), tomando como referencia
Π/6. Entonces la validez de α es: 0 ≤ α ≥ Π. Como es un sistema de tensiones
simétricas, el periodo de disparo de los tiristores es T = (2/3).Π.
Si el voltaje de fase vale vs1= Vm.sen wt, entonces el valor promedio de la tensión (Vo)
y el valor eficaz total (Vrms) en la carga resulta:
Carga inductiva:
Vo = 1/ T ∫Π/6+α5/6Π+α vo dt = 3/(2.Π) ∫Π/6+α5/6Π+α Vm senwt dwt

_
Vo = [(3√3.Vm)/(2.Π)] .cos α
Vomax = (3√3.Vm)/(2.Π) para α = 0º (valor máximo en el 1º cuadrante)
Vo = 0 para α = 90º
Vo = -(3√3.Vm)/(2.Π) para α =180º (valor máximo negativo para el 4ºcuadrante)
Vrms = (1/ (2/3)Π ∫Π/6+α5/6Π+α vm2.sen 2wt dt)1/2 =

_
Vrms = √3.Vm[1/6+cos (Π/3+2.α)]
Carga resistiva:
En este caso también el mínimo ángulo de disparo es Π/6 que corresponde a α =0º.
Además hay que tener en cuenta que el tiristor, cuando llegue al valor de “Π=180º”, se
desactiva por conmutación natural. Si todavía no se cumplió el periodo T = (2/3).Π,
para el disparo de tiristor siguiente, la corriente en la carga se vuelve discontinua. Por lo
tanto tendremos dos expresiones matemáticas para determinar la tensión promedio en la
carga:
1) Vo = 1/ T ∫Π/6+α5/6Π+α vo dt = 3/(2.Π) ∫Π/6+α5/6Π+α Vm senwt dwt

_
Vo = [(3√3.Vm)/(2.Π)] .cos α.
Esta ultima expresión, es valida para: Π/6+α+2Π/3 ≤Π (conducción continua)
2) Vo = 1/ T ∫Π/6+α5/6Π+α vo dt = 3/(2.Π) ∫Π/6+αΠ Vm senwt dwt

_
Vo = [(3√3.Vm)/(2.Π)] .[1+ cos ( Π/6+α)]
Expresión valida para : Π/6+α+2Π/3 ≥Π (conducción discontinua)
Vrms = (1/ (2/3)Π ∫Π/6+αΠ vm2.sen 2wt dt)1/2 =
___________________________________________________________________ 17
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Vrms = √3.Vm.[5/24- (α/8Π). sen(Π/3+2.α)]1/2
Determinación de la corriente media con carga
Carga muy inductiva: En este caso la corriente permanece prácticamente constante,

sin ondulaciones. Por lo tanto la podemos calcular en función de los valores promedios
de las tensiones del circuito:
Io = (Vo – E) / R
Carga resistiva, inductiva y fcem: Para poder calcularla, primero, debemos encontrar
su valor instantáneo, para luego determinar su valor promedio
Se resuelve planteando la ecuación de Kirchoff de las tensiones:
Vm.sen wt = R. i(t) + L. di(t)/dt + Vd + E
Resolviendo para la corriente y para el caso de conducción discontinua, tendremos:
i(t) = (Vm/R).{cos Φ. Sen (wt- Φ) – a + [a – cos Φ. Sen (αi – Φ)].e –(wt-αi)/tgΦ}
La corriente media la calculamos como:
Io = 1/(2/3Π).∫αiαdi(t) dwt
Donde:
αi : ángulo de disparo
αd : ángulo de extinción o apagado
Φ = arc.tg (wL/R)
a: (Vd+E)/Vm
Para encontrar “αd” hacemos i(t) = 0 y despejamos su valor; como es una función
trascendente no se resuelve fácilmente, por ello se recurre a las curves de Puchloswsky
o mediante tablas electrónicas de programas de computadoras como “Excel” o Qpro”.
Secuencia de los pulsos de disparo
Se genera un pulso en el cruce por cero de la tensión de referencia, por ejemplo “vs1” y
se genera el pulso de disparo para “vs1 en el valor Π/6 + α. Luego se generan dos pulsos
mas, uno retrasado 2/3 Π, respecto al pulso que se disparo a “vs1, y que se aplica a
“vs2” , y otro retrasado también 2/3Π, respecto a este último, para disparar al SCR ,
conectado a “vs3”
Los convertidores trifásicos de media onda, casi no tienen aplicación práctica dado que
la corriente primaria es unidireccional, perro el desarrollo de su funcionamiento resulta
interesante para explicar los rectificadores trifásicos completos.
Como la corriente se retrasa en un ángulo “α”, respecto a la tensión, la componente
fundamental, también estará retrasada, lo que produce un factor de potencia en atraso.
___________________________________________________________________ 18
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Convertidor trifásico semicontrolado con diodo de marcha libre
vs3 vs1 vs2 vs3 vs1
0 Π/6 Π/6+α Π
α
Π/6+α
T3D3 Dv T1D1 Dv T2D2 Dv T3D3 Dv T1D1
vo
wt
iT1,iD1
Io
iT2,iD2
iT3,iD3
iDv
iS1
___________________________________________________________________ 19
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Los semiconvertidores trifásicos, se utilizan en aplicaciones en la industria hasta aprox.
120 Kw., donde se requiera la operación de un cuadrante (rectificación controlada). La
grafica anterior muestra la variación de las tensiones de entrada y salida, como así
también las corrientes en las respectivas ramas del puente. La corriente de carga,
prácticamente no tiene ondulaciones. La frecuencia del voltaje de salida es de3fs.
El ángulo de retardo “α”, se puede variar entre “0º” y “Π”, a partir de Π/6.
Durante el periodo Π/6 ≤ wt ≥ 7Π/6, el tiristor “T1” esta polarizado en sentido directo.
Si se dispara T1 para wt= Π/6+α, conducen T1 y D1 y aparece el voltaje de línea “vs1-
vs3” a través de la carga. Para wt> 7Π/6, aparece una tensión negativa en la rama T1D1,
que hace que por conmutación natural, se desactive T1D1. Como la carga es inductiva,
ahora la corriente recircula por el diodo de marcha libre “Dv”. Si no hubiera diodo de
marcha libre, T1 seguiría conduciendo hasta el disparo de T2 (en 5Π/6+α), pero ahora, a
partir de 7Π/6, la corriente recircula por T1D2 como diodos de marcha libre.
Si disparamos para Π/6 ≤α ≤ Π/3, el diodo de marcha libre no funciona, cada tiristor
conduce cada 2Π/3. Por ejemplo la corriente circularía por T1D3 y luego por T1D1,
completando los 120º.
vs3 vs1 vs2 vs3 vs1
0 Π/6 Π
α
Π/6+α 2Π/3
vo
T1D3 T2D1 T3D2 T1D3

T3D3 T1D1 T2D2 T3D3 T1D1 wt
iT3 iT1 iT2 iT3 iT1
iD3 iD1 Io iD2 iD3 iD1
iT3
iS1
Para α ≥Π/3 La tensión promedio de salida se determina como:
Vo = 1/T ∫Π/6+α7/6Π vo dt = 3/(2.Π) ∫Π/6+α7/6Π √3Vm sen(wt-Π/6) dwt
___________________________________________________________________ 20
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Vo = [(3√3.Vm)/(2Π)].(1+cosα)
Para α ≤ Π/3 la tensión promedio se determina calculando los valores promedios de las
tensiones compuestas en el periodo 2/3 Π resultando.
Vo = (3√3.Vm /2Π)(1+cosα)
Rectificador trifásico en puente controlado completo
Estos convertidores se utilizan en aplicaciones industriales que requieren

funcionamiento en dos cuadrantes, con potencias de conversión de hasta 120 KW.
La siguiente figura muestra el circuito y las graficas de tensión y corrientes mas
importantes, para un ángulo de disparo α = Π/3, tomando como referencia el valor Π/6
de la tensión de fase “vs1”. Tomamos esta referencia, dado que para ángulos menores a
Π/6, el tiristor T1 esta polarizado inversamente (vs1<vs3), por lo que no se lo podrá
disparar. T1 conduce a partir de α hasta α+2Π/3, momento que se dispara T3,
polarizando inversamente a T1. Durante la conducción de T1, aparece la tensión de
línea en la carga (vs1-vs2), dado que en el primer tramo de conducción (Π/3), T6 esta
activado; En el segundo tramo de conducción de T1, tendremos sobre la carga la tensión
de línea (vs1-vs3), dado que T6 deja de conducir, por la activación de T2.
Como vemos cada Π/3 se activa y desactiva un tiristor pero siempre tendremos dos
tiristores conduciendo que aplican las tensiones de línea sobre la carga.
Para generar la secuencia de disparo, tomamos como referencia el cruce por cero de la
tensión “vs1” y retardamos el pulso de disparo en Π/6+α, para T1; Luego generamos 5
pulsos mas, cada uno retardado en Π/3, para ser aplicado en T2, T3, T4, T5, T6 y así
sucesivamente.
Cuando el valor de α es mayor a Π/3, la tensión sobre la carga tiene una porción
negativa; como la corriente no se puede invertir, dado que los tiristores conducen en un
solo sentido, durante este momento se produce inversión de potencia instantánea (2º
cuadrante).
El voltaje promedio en la carga lo determinamos como:
Vo = 1/T ∫Π/6+αΠ/2+α vs12 dt = 3/.Π ∫Π/6+αΠ/2+α √3Vm sen(wt+Π/6) d(wt)
Vo = (3. √3.Vm/Π). Cos α

El valor eficaz de la tensión de salida, se calcula como:
Vrms = [3/Π ∫Π/6+αΠ/2+α 3.Vm2.sen 2(wt+Π/6) d(wt)]1/2 =
___________________________________________________________________ 21
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Vrms = √3.Vm.[1/2 + (3. √3/4Π). Cos2α)]1/2
vs3 vs1 vs2 vs3 vs1
0 Π/6 Π/2 Π
α
Π/6+α
T5,T6 T6,T1 T1,T2 T2,T3 T3,T4 T4,T5 T5,T6 T6,T1 T1,T2
vo
wt
iT1
Io t
iT4
Io t
is1
t
io = Io
t
Mejoras al factor de potencia de los rectificadores controlados
El factor de potencia de los rectificadores controlados por el método de control del

ángulo de inicio de la conducción, en rangos de voltajes bajos, el factor de potencia se
desmejora, como así también aumentan los contenidos de las armónicas de corriente de
entrada. Con el uso de las de las técnicas de conmutación forzada como así también el
uso de tiristores de desactivación por compuerta, es posible mejorar estas características
desfavorable de bajo factor de potencia y alto contenido de armónicos de corriente.
Las técnicas de disparo que se utilizan para mejorar los aspectos desfavorables del
método anterior, son las siguientes:
a)-Control del ángulo de extinción
b)-Control del ángulo simétrica.
c)-Modulación del ancho del pulso (PWM).
d)-Modulación senoidal del ancho del pulso.(SPWM)
___________________________________________________________________ 22
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Control por ángulo de extinción
Vs
0 Vm П 2П wt
Vo β
iT1 П-β 2П-β
iT2
vs =Vm. senwt iDv Corriente

diodo volante
is Corriente en la
entrada rect.
io Corriente en la carga
Una forma mas simplificada para trabajar de este modo, es utilizando tiristores de
activación y desactivación por compuerta, como por ejemplo los tiristores GTO. (En
reemplazo de los SCR con circuitos de conmutación forzada).
En este método, los tiristores se activan en α = 0º (cruce por cero del voltaje de entrada)
y se desactivan en α=Π-β. El control de potencia se hace en el apagado del tiristor, o sea
variando “β”. De esta forma, la componente fundamental de la corriente de entrada, esta
adelantada respecto a la tensión y el factor de potencia esta adelantado. En algunos
casos este sistema puede utilizarse como carga capacitiva y mejorar las caídas de
tensión de las líneas eléctricas de alimentación.
La tensión promedio y eficaz de salida del convertidor vale:
Vo = 1/ Π ∫0Π-β Vm.sen wt d(wt) = (Vm/Π). ( 1+cos β)
Vrms =[(1/Π). ∫0Π-β vm2.sen 2wt d(wt)]1/2 = (Vm/√2)[1/Π(Π-β+ sen2β/2]1/2
El rendimiento de los convertidores semicompletos (rectificadores) controlados por

ángulo de extinción, es similar a los de control por fase.
___________________________________________________________________ 23
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Utilizando un convertidor completo, es posible eliminar el diodo volante, ejerciendo
esta acción por medio de los tiristores del circuito conversor, ubicados en la misma
rama. Para este caso, la secuencia de disparo seria 12, 14, 34, 32.
Control por ángulo simétrico:
Vs
0 Vm П 2П wt
Vo
β
iT1 α1 α2 П 2П
iT2
vs =Vm. senwt is
Corriente en la is1
entrada rect.
io
Corriente en la carga
El circuito es similar al semiconvertidor de un cuadrante por control de ángulo de

extinción, con diodo volante o al de control completo. En este caso se controla tanto el
ángulo de encendido como el ángulo de apagado
α1= (Π-β)/2 α2 = (Π-β)/2 +β = (Π+β)/2
α1 = α2 – Π
Vo = 1/ Π ∫α1α2 Vm.sen wt d(wt) = (2Vm/Π). sen(β/2)
Vrms =[(1/Π). ∫α1α2 vm2.sen 2wt d(wt)]1/2 = (Vm/√2)[1/Π(β+ senβ]1/2
___________________________________________________________________ 24
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
En este caso la componente fundamental de la corriente de entrada, esta en fase con la
tensión de alimentación. El factor de desplazamiento es la unidad y el factor de potencia
se mejora.
Método para obtener un ángulo simétrico de encendido y apagado:
Para disparar y apagar en forma simétrica para cualquier valor de potencia del
convertidor, en el circuito de control se genera una onda triangular simétrica (señal de
referencia), como muestra la figura. Esta onda triangular, se compara con la tensión de
control. Cuando ambas tensiones son iguales, por ejemplo en el flanco de subida de la
onda triangular, se inicia el encendido del tiristor (se usa un comparador para el flanco
de subida). Cuando se iguala el flanco de bajada con la tensión de control, se emite un
pulso (negativo si utilizamos un GTO) para apagarlo.
V
Ar Tensión de referencia
Tensión de control
Ac
0 β П β 2П β 3П wt
T1 T2 T1
vg1
vg2
0 П 2П 3П wt
Control por modulación del ancho del pulso uniforme (PWM)
Haciendo el análisis de Fourier para las ondas cuadradas de la corriente de entrada para
los casos anteriores (ángulo de extinción y ángulo simétrico, la armónica de orden
menor, es la tercera. Como resulta difícil filtrar y separar una armónica de orden bajo, se
puede solucionar con el control PWM que puede genera armónicas de orden superior.
Para este control, los interruptores del rectificador se abren y cierran varias veces
durante un medio ciclo, y el voltaje de salida se controla haciendo variar el ancho de los
pulsos. Las señales de compuerta, se generan comparando una onda triangular con una
señal de control de continua, como se muestra en la siguiente figura:
V
Ar Tensión de referencia
Tensión de control
Ac
0 δm δm δm П wt
vg1
T1 T1 T1
0 П wt
___________________________________________________________________ 25
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Las siguientes graficas muestran el voltaje de salida y la corriente de entrada para el

control por el método PWM.
Vs
Voltaje de entrada
П 2П 3П wt
0
Vo Voltaje de salida
δm
0
wt
αm
iT1
Corrientes en
los
interruptores
wt
iT2
wt
0
is
Corriente de entrada
al rectificador
0 wt
io
Corriente en la carga
0 wt
Las armónicas de orden menor se pueden eliminar o reducir seleccionando la cantidad

de pulsos por medio ciclo. Sin embargo si se aumenta la cantidad de pulsos, también se
incrementa la magnitud de las armónicas de orden mayor, que se podrían filtrar con
facilidad.
El voltaje promedio a la salida del rectificador controlado con PWM vale:
p αm+δm
Vo = ∑ [(2/2П)∫ Vm.sen wt.d(wt)]
m=1 αm
___________________________________________________________________ 26
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Control PWM sinusoidal monofásica
Vs
Voltaje de entrada
П 2П 3П wt
0
Señal de referencia (Vc)
Señal portadora (Vr)

Ar
Ac
0 wt
iT1 δm
wt
αm
iT2
wt
0
is
Corriente de entrada
wt
0
io
0 wt
A diferencia del método anterior, los anchos de los pulsos son distintos. Es posible
escoger esos anchos de tal modo que se puedan eliminar ciertas armónicas. Tenemos
distintos para variar los anchos de los pulsos, siendo el mas conocido el de la
modulación por ancho de pulso sinusoidal (SPWM). Como se muestra en la figura
anterior, los anchos de los pulsos se generan comparando un voltaje de referencia
triangular “Vr”, de amplitud “Ar” y frecuencia “fr”, con un voltaje semi-sinusoidal de
portadora “Vc” de amplitud variable “Ac” y frecuencia “2fs”. La frecuencia “fs”,
corresponde a la frecuencia de alimentación de alterna del rectificador controlado, y esta
en fase con la tensión de entrada Vs. Esta comparación, genera pulsos de ancho variable
por cada semiciclo, que a su vez se pueden modificar, cambiando el valor de la amplitud
___________________________________________________________________ 27
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
de la señal de portadora “Ac”. Esta modificación, cambia el índice de modulación “M”
de 0 a 1. El índice de modulación lo definimos como la siguiente relación:
M = Ac/Ar.
En el control PWM sinusoidal, el factor de desplazamiento “DF” es unitario, y el factor

de pulsación “FP” se mejora, dado que las armónicas de orden mayor se eliminan o
reducen. De la misma manera, la distorsión armónica total de la corriente de entrada
(THD), disminuye.
___________________________________________________________________ 28
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
RECTIFICADORES CONTROLADOS REALIMENTADOS
A continuación, trataremos los conceptos grales, de los sistemas realimentados (tema de

otra materia), aplicados a los rectificadores controlados.
Los sistemas de mando automático desempeñan un papel primordial en la industria y en
los crecientes desarrollos de las tecnologías modernas. En comparación con un sistema
de mando”abierto” o manual, este ultimo, adolece de muchos inconvenientes. En un
sistema de mando manual, la variable de ajuste, depende del criterio y la estimación del
hombre. Otro obstáculo que adolece un sistema abierto, es que no se adapta a las
perturbaciones exteriores, que influyen sobre la variable controlada. Por ejemplo,
tomemos el caso de controlar la velocidad de un motor de corriente continua, con
excitación independiente, mediante un rectificador controlado, variando la tensión de
alimentación del inducido.
Como primer paso, debemos presentar las relaciones entre los parámetros eléctricos del
motor en relación a su velocidad (rpm) y a la cupla mecánica de su rotor. Estas
relaciones son las siguientes:
N = K1. (V-I.R) / Φ
C = K2.Φ.I
Donde:
N: velocidad del motor en revoluciones por minuto (RPM)
K1 y K2: constantes
V: tensión de alimentación del inducido, proporcionada por el rectificador controlado.
I: corriente del inducido (A)
R: Resistencia del inducido (Ω)
Φ: Flujo de excitación del estator
C: cupla eléctrica en el eje rotor.
Como segundo paso, analicemos el comportamiento del sistema rectificador – motor,
frente a una perturbación externa, como podría ser una variación en la cupla mecánica.
Si esta aumenta, el motor eléctrico frente a este aumento, aumentara la corriente de
inducido, según la formula de la cupla (Φ = cte. para excitación independiente). En la
formula de la velocidad, vemos que el aumento de la corriente de inducido provocara
una disminución de velocidad con característica lineal inversa. Esta disminución de
velocidad, se acentuara mas todavía, si esta alimentado por un rectificador controlado,
dado que la tensión media rectificada (V), es función en parte, de la fuerza
contraelectromotriz del inducido y como este ultimo es función de la velocidad, una
disminución provoca una disminución de la FEM y también una disminución de la
tensión “V”. Todo este proceso, hace que la velocidad del motor presente alteraciones,
En definitiva si quisiéramos mejorar la presición de un sistema de mando abierto,
debemos establecer un enlace entre las señales de entrada y salida. Estos sistemas, se
denominan de lazo cerrado o realimentados. De esta manera, la variable controlada, se
vuelve prácticamente inmune, frente a las perturbaciones exteriores.
Diagrama en bloques clásico de un sistema de control realimentado
Señal Controlador Amplificador y/o Proceso

de error corrector final
Referencia Valor medido Perturbación

Transductor de la
variable controlada
___________________________________________________________________ 1
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
Adaptando el esquema anterior, a un sistema conversor de CA a CC controlado,
tenemos el siguiente diagrama simplificado:
Circuito conversor
CARGA
Motor, Transductor
Válvula, variable
etc controlada
Alimentación sist. control
Regulador
lineal o
conmutado
Detector
cruce cero
Controlador Retraso
Amplif. P angulo
de error P+I disparo
Restador A compuertas
Formación y
amplificación
Pulsos disparo
tiristores
Aislamiento sistema
Amplificador, control
separador y
convertidor
Este esquema lo analizaremos conjuntamente con un circuito práctico comercial,

Realimentado analógico que utiliza un amplificador operacional como controlador.
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Circuito practico de un rectificador controlado con tiristores con control analógico
Descripción breve del funcionamiento del circuito
Circuito principal de conversión:

Es un rectificador monofásico en puente
semicontrolado formado por los diodos D6, D7 y los SCR T8, T9, que alimentan el
bobinado inducido (estator) del motor eléctrico de CC., a través de los terminales 3 y 4.
El varistor Rv1 y la red RC, formada por Rv2 en serie con Cv2, se utilizan para proteger
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los semiconductores rectificadores (D4, D5, D6, D7, T8 y T9) principales, frente a las
sobretensiones.
Los capacitores C6 y C7 protegen las compuertas de los tiristores para evitar disparos
por ruido eléctrico de alta frecuencia.
Alimentación para la excitación de campo independiente del motor eléctrico:

Se
obtiene por medio del rectificador monofásico no controlado, formado por los diodos
D4, D5, D6 y D7. El bobinado de excitación, se conecta al circuito a través de los
terminales 5 y 6. La resistencia R16 amortigua el transitorio por carga inductiva y
descarga la energía residual del campo magnético.
Alimentación circuito de control y disparo:

Utiliza el mismo rectificador no
controlado para la excitación de campo, con un circuito de regulación y filtro formado
por R15, DZ y C5, para suministrar +15 V de tensión continua. D11 protege, evitando
tensiones inversas (al AO741).
Suministro tensión de referencia:

La tensión de referencia de velocidad, la suministra
el divisor de tensión formado por las resistencias R1, R2, R16, R3. Los potenciómetros
de ajuste R2 y R3, fijan los valores máximos y mínimos de velocidad respectivamente
potenciómetro R16 permite variar la velocidad, entre los valores extremos máximo y
mínimo.
Realimentación de la variable controlada:

Se realiza indirectamente, tomando como
muestra, la tensión de salida del rectificador (n = f(V), que alimenta al inducido del
motor. Esta tensión alimenta el divisor de tensión formado por las resistencias R4 y R7,
e ingresa al circuito detector de error (AO 741). En los controles de motores de mayor
potencia, se logra mayor exactitud en la regulación, utilizando como tensión de
realimentación, la que suministra un generador “taquimétrico” adosado al eje del motor
o también puede utilizarse un detector digital (tacómetro digital), con conversor D/A.
Circuito controlador:
Este se encarga de procesar la señal de error, amplificándola e
integrándola (Control proporcional + integrador). Esta función la desempeña el
amplificador operacional realimentado que actúa como circuito restador de las tensiones
(resistencias de entrada R5 y R6, conjuntamente con la resistencia de realimentación
R8) que ingresan a sus terminales, que a su vez es integrada, mediante el capacitor de
realimentación C2.
Tensión de control:
Es la que obtenemos a la salida del amplificador operacional
Retraso de la señal de disparo:

Se realiza mediante el control de “pedestal y rampa
exponencial”. La tensión de pedestal la suministra la “tensión de control”, precargando
el capacitor C3, en un tiempo dado por la constante de carga R9.C3. Obtenida la
precarga, C3 se sigue cargando exponencialmente, hasta la tensión de disparo del PUT
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El diodo D1, aísla la carga exponencial de C3, evitando que se drene corriente de carga
por el circuito de control.
Circuito de sincronización:
La sincronización se obtiene, descargando prácticamente a
cero al capacitor C3, en el cruce por cero de la tensión de alimentación del circuito
principal. Esto se logra con los transistores Q1 y Q2. Q1 es alimentado en su base por
una tensión rectificada de onda completa, obtenida del circuito de alimentación de la
excitación de campo. Cuando la tensión pasa por cero, Q1 deja de conducir, permitiendo
a Q2 que pase a la saturación y con ello descarga a C3 que esta conectado al colector.
Durante el resto del semiperiodo, Q1 esta conduciendo y Q2 esta cortado, permitiendo
la precarga con la tensión de control (pedestal) y luego la carga exponencial a través de
R12, hasta la tensión de disparo del PUT.
Generación, amplificación y aislamiento de los pulsos de disparo:

El pulso de disparo
lo genera el PUT, al descargar en forma rápida al capacitor C3. Esta corriente de
descarga, es amplificada por el transistor Q4. La corriente amplificada (de colector)
circula por el primario del transformador de pulsos, induciendo pulsos de tensión el los
devanados secundarios que están conectados a las compuertas y cátodos de los SCR.
Estos se dispararan, cuando sus ánodos estén polarizados positivamente respecto al
cátodo e ingresen los pulsos de disparo a las compuertas.
Finalmente tenemos el Terminal 7 para permitir otra entrada de realimentación, por

ejemplo para controlar la aceleración o cupla del motor, mediante la realimentación
de corriente del inducido, obtenida por caída de tensión de una resistencia conectada en
serie con el circuito principal. De no usarse esta entrada, debe conectarse a masa o
Terminal 11.
Rectificadores controlados realimentados con control por microprocesador o

microcontrolador
Técnicamente se les denomina “sistemas digitales de proceso síncrono programables”.

Tienen la ventaja de una reducción del tamaño y costo de las partes electrónicas de
control, mejorando notablemente la confiabilidad, rendimiento y precision del conjunto.
En este sistema, todas las variables intervinientes, deben convertirse al sistema digital,
mediante códigos binarios. Deben intervenir interfases analógico /digital (A/D) y digital
/ analógico (D/A) para enlazar las señales externas, al procesador sincrónico
programable.
El esquema, estrategia, o algoritmo de control, se desarrolla mediante una serie de
operaciones binarias secuenciales, ordenadas por un conjunto de de instrucciones
especificas, que interpreta el procesador sincrónico. El conjunto de instrucciones
necesarias para desarrollar el esquema de control, se le denomina “programa de
computo (software) “. Este programa, guardado actualmente en memorias
semiconductoras reescribir, resultando flexible, dado que permite modificar la estrategia
de control, para que se cumpla con distintas características de funcionamiento de la
carga, sin necesidad de modificar el circuito electrónico de control (Hardware)
Los sistemas de control por microcomputadora (con microprocesador) o
microcontroladores, permiten realizar variadas funciones como linealización del control,
mediante tablas de linealización, fijadas en “memorias semiconductoras”, conexión y
desconexión de la tensión de alimentación principal; en cargas como el caso de motores
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eléctricos, permite controlar la velocidad , aceleración, arranque suave, frenado
regenerativo, control de corriente, protección e interrupción automática, y diagnostico
para localización de fallas.
Otra característica interesante de estos sistemas es que permiten la comunicación
“serie”, mediante diversos protocolos. De esta manera, se puede establecer un lazo de
comunicación con una computadora central, denominada también “estación primaria
(Mainframe), que esta supervisando un proceso industrial completo, mediante
estaciones remotas secundarias.
Mas detalle, se trataran en la unidad temática especifica que trata sobre los sistemas
digitales de proceso síncrono.
Veamos a continuación, un esquema en bloques simplificado, de un rectificador
controlado con un sistema digital programable:
Trafo corr.
Rectificador Efecto Hall
Sistema de controlado
alimentación
primario de CA
Sistema
digital Sincronización
programable M
de linea Generac.
Pulsos
disparo
Determinación
Encendido
tiristores Sincroniz
y
lógica
Generación ángulo
Disparo tiristores
Control de Control de
RPM corriente
Convert. Sensor de
A/D corriente
Comparador Comparador
de RPM de corriente
Convert. Sensor de
A/D RPM
Referencia Mando Referencia

de arranque de
corriente y paro corriente
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TRANSISTORES DE POTENCIA PARA CONMUTACION
Introducción
Los transistores, son dispositivos semiconductores con características controladas para

la conducción de corriente (encendido) y para la interrupción de la corriente (apagado).
Los transistores, cuando se los emplean como interruptores, operan en la región de corte
y saturación en los BJT e IGBT y región de corte y óhmica para los MOS.
La velocidad de conmutación de los transistores modernos es mucho más alta que la de
los tiristores por lo que resultan convenientes para su utilización en convertidores de
CC-CC y CC-CA, en combinación con diodos en paralelo para proporcionar flujo
bidireccional de corriente.
Como contrapartida, respecto a los tiristores, sus especificaciones de tensión y corriente,
son de menor magnitud, lo cual hace que sus aplicaciones se limitan a los convertidores
de baja y mediana potencia.
Los transistores de potencia se pueden clasificar, de manera general, en cinco categorías
a saber:
1-Transistores bipolares de juntura (BJT)
2-Transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor (MOS).
3-Transistores de inducción estática (SIT)
4-Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).
5-Transistores COOLMOS.
En gral, estos tipos de transistores pueden operar como un interruptor mecánico, con
limitaciones respecto a un conmutador ideal. Estas limitaciones, restringen para algunas
aplicaciones por lo que deberemos conocer las características y especificaciones de
estos dispositivos para su adecuación al uso que se le va a dar.
A continuación describiremos las características y especificaciones más importantes de
estos dispositivos semiconductores, teniendo en cuenta su aplicación como conmutador
de corriente.
Transistores bipolares de juntura (BJT)
Colector Colector
C C
n IC p IC
Base Base
B IB B IB
p n
n IE p IE
E E
Emisor Emisor
TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP
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Los transistores bipolares se construyen formando tres zonas semiconductoras tipo
NPN o PNP, como muestra el dibujo. Estas regiones tienen terminales denominados
colector, base y emisor. Tienen dos uniones o junturas: La juntura colector-base y la
juntura base-emisor. Los transistores bipolares pueden ser de tipo NPN o de tipo PNP.
Veamos la sección transversal de ambos tipos de transistores:
Emisor Base Emisor Base
n+ n+ p+ p+
p n
n p
Colector Colector
Transistor NPN Transistor PNP
Tenemos dos regiones n+ para el emisor del transistor NPN y dos regiones p+ para el
emisor del transistor PNP. Para el transistor NPN la capa n del lado del emisor es
angosta y con fuerte dopado, la base es angosta con un dopado bastante menor que el
emisor, y la capa n del lado del colector es ancha y con un dopado mayor que la base.
Para el caso de los transistores PNP, las características son similares,(en términos
grales) en relación al dopado y dimensiones. Cabe aclarar, que desde el punto de vista
eléctrico los transistores no son simétricos, significando ello que no pueden
intercambiarse los terminales. Por ejemplo si intercambiamos los terminales emisor por
colector, el funcionamiento resulta deficiente, sin ganancia de corriente.
Con esta construcción, (doble zonas de emisor) las corrientes de base y colector fluyen
por dos trayectorias paralelas resultando en una baja resistencia colector-emisor en
saturación (RCE enc.).
Características del transistor en estado permanente
Como lo hemos estudiado en la materia Electrónica 1, el transistor tiene tres modos de

funcionamiento: colector común, base común y emisor común. En las aplicaciones
como conmutador, resulta preferible utilizarlo en la configuración emisor común.
En la próxima figura, vemos el circuito básico para esta configuración y las
características eléctricas de entrada, salida y función de transferencia para un transistor
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NPN. Para el transistor PNP, las curvas son similares, solamente que debemos invertir
las polaridades de todas las corrientes y tensiones.
IB VCE1 VCE2
VCE2 > VCE1
VBE
0
Circuito en emisor común característica de entrada
Zona Zona
de activa
corte
IC VCE
Corte Activa Saturación
IBN > IB4 >IB3 > IB1
IBN
IB4
IB3
IB2
IB1 VCE(sat
IB0=0 IB
Zona de corte IB(sat)

Característica de salida VCE
0 0,5 VBE(sat) VBE
C
Característica de transferencia
IC
ICE0
βF.IB
B IB
Modelo de transistores NPN

IE
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Tenemos tres zonas de operación del transistor bipolar: zona de corte, zona activa y
zona de saturación. En la zona de corte, el transistor esta abierto o apagado, la corriente
de base no es suficiente para saturarlo, y las dos junturas están polarizadas
inversamente. En la región activa, el transistor actúa como un amplificador lineal, en el
que la corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y el voltaje colector-
emisor disminuye al aumentar la corriente de base. En esta zona la tensión de la juntura
colector-base, esta polarizada inversamente y la tensión de la juntura base colector esta
polarizada directamente. En la zona de saturación, la corriente de base es
suficientemente alta como para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor
actúa como un interruptor cerrado. En esta zona, amabas junturas están polarizadas
directamente. En el dibujo anterior, se muestran las características de entrada, salida y
de transferencia, donde se aprecian las zonas o regiones de trabajo.
El modelo de l transistor NPN presentado en la figura, representa para su operación en
CC con grandes señales. La relación entre las tres corrientes de sus terminales, esta dado
por la segunda ley de Kirchoff , donde la suma de las corrientes en un nudo es igual a
cero; de otra forma vemos que
IE = IC + IB
Por otra parte, de la teoría de circulación de las corrientes en el interior de transistor
(Electrónica 1) tenemos:
IC = α. IE + IC0
Como en la configuración emisor común, la corriente de base es la señal de entrada y la

corriente de colector, la de salida, entonces con las dos expresiones anteriores tenemos:
IC = α / (1-α ) IB + 1 / (1-α ).I C0
Donde: βF = α / (1-α ) y 1 / (1-α )= ( βF + 1); haciendo ( βF + 1). I C0 = ICE0
La expresión final nos queda:
IC = βF. IB + ICE0
Para los transistores de potencia de silicio, que son los que se emplean actualmente, la
corriente de perdida ICE0, es prácticamente despreciable frente a la corriente de colector,
por lo tanto podemos llegar a una expresión más sencilla:
IC ≈ βF. IB
Donde el valor de βF se le denomina “ganancia de corriente en el sentido directo”.
Calculo de las corrientes y tensiones en el circuito básico emisor común

Examinando el circuito básico de la figura anterior, tenemos:
IB = (VB - VBE) / RB
VC = VCE = VCC – IC. RC
VCE = VCB + VBE para esta última expresión tenemos también:
VCB = VCE - VBE
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La ultima expresión nos dice que siempre que VCE ≥ VBE, la juntura colector –base
esta polarizada inversamente, y el transistor esta en la zona activa.
La corriente máxima de colector en la “región activa” la podemos obtener haciendo
VCB = 0 y VBE = VCE resultando:
ICM = (VCC - VCE) / RC =(VCC - VBE) / RC
El valor de la corriente de base resulta:
IBM = ICM / βF
Si aumentamos la corriente de base por encima de este valor, VBE aumenta, la corriente
de colector aumenta y la VCE disminuye por debajo de VBE. Esto continua hasta que la
juntura colector –base tiene polarización inversa, con un valor de VCB de
aproximadamente 0,4 a 0,5 volt. En estas condiciones, el transistor pasa a la saturación.
La saturación de un transistor la podemos definir como el punto arriba del cual todo
aumento en la corriente de base no aumenta apreciablemente la corriente de colector.
En la saturación, la corriente de colector permanece casi constante. Si el voltaje de
colector a emisor es VCE(sat), la corriente de colector la determinamos como:
ICS = (VCC - VCE(sat)) / RC
La corriente de base la calculamos como:
IBS = ICS / βF(sat)
En este caso la ganancia de corriente β de saturación resulta un valor menor que el β de

la zona activa (los fabricantes suministran valores de orientación).
En la práctica para asegurarse la saturación que nos asegura una disminución de
potencia disipada respecto a la zona activa, se suele sobresaturar.
En el caso normal, el circuito se diseña con una corriente de base mayor que el límite
IB(sat). La relación entre la corriente de sobresaturación y la corriente de saturación se
denomina “factor de sobresaturación” (ODF).
ODF = IB / IBS
La relación entre ICS y IB para este caso de sobresaturación, se denomina ganancia de

corriente en sobresaturación o β forzada.
βforzada = ICS / IB
Por otro lado como la disipación de potencia del transistor vale:
PT = VCE. IC + VBE . IB
Vemos que un aumento de la sobresaturación hace que la potencia disipada en la salida

permanezca prácticamente inalterable pero la potencia de entrada aumenta al aumentar
la corriente de base y la tensión VBE, lo cual puede dañar al transistor debido a una
avalancha de corriente causada por la temperatura. De igual forma una subsaturación
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provoca un aumento de temperatura, por aumento en la potencia disipada en la salida
por aumento de la tensión colector-emisor (zona activa).
Otro de los inconvenientes de la sobresaturación es el aumento de los tiempos de
conmutación, que hace aumentar significativamente las perdidas de potencia, durante la
conmutación, provocando limitaciones a la máxima frecuencia de funcionamiento del
conmutador. Analizaremos a continuación, las características de conmutación.
Características de conmutación del transistor bipolar
Como ya lo hemos estudiado, una juntura polarizada directamente tiene dos

capacitancias: La de transición o agotamiento (átomos ionizados de la estructura
cristalina) y la de difusión (debida a la corriente directa). En cambio la juntura
polarizada inversamente solo tiene una capacitancia de transición o agotamiento. En
condiciones de estado permanente es decir con las tensiones continuas de polarización,
estas capacitancias no tienen efecto, en cualquier zona de funcionamiento. En cambio
durante la activación del transistor como conmutador, su efecto se hace notar, durante el
encendido y apagado. Analicemos el modelo equivalente bajo condiciones transitorias
como lo muestra la figura:
iC
iB iC iB
iE iE
gm=hfe.iB/Vbe=iC/Vbe
Modelo con ganancia de corriente Modelo con transconductancia
En estos modelos, validos para condiciones transitorias, Ccb y Cbe representan las
capacitancias efectivos de las junturas colector- base y base –emisor respectivamente.
Los valores de estas capacitancias, son dependientes de los voltajes aplicados y de la
construcción física. La capacitancia Cbc afecta en forma apreciable a la capacitancia de
entrada, debido al efecto de multiplicación de Miller (recordar teorema de Millar).
Las resistencias rbe y rce representan las resistencias de base a emisor y de colector a
emisor respectivamente.
Debido a las capacitancias internas, el transistor no se enciende al instante. Cuando la
tensión de entrada aumenta de cero a V1 y la corriente de base aumenta a IB1, la
corriente de colector no lo hace en forma inmediata. Se produce un retardo, denominado
tiempo de retardo “td” para que la corriente de colector comience a crecer. Este
retardo se produce por la carga de la capacidad de la JE “Ce” hasta la tensión de
polarización directa VBE≈ 0,6 a 0,7 volt. Después del retardo “td”, la corriente de
colector comienza a aumentar hasta el valor “Ics” de estado permanente. El tiempo que
tarda en llegar a este valor, denominado”tr” depende de la constante de tiempo de carga
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de la capacidad de la juntura de emisor (JE). La figura siguiente, muestra las formas de
onda y tiempos de conmutación.
vB
V1
0
kT (1-kT) t
-V2
iB
IB1
0
t
-IB2
iC
Ics
0,9 Ics
0,1 Ics
0
td tr tn ts tf to t
Normalmente la corriente de base es mayor a la necesaria para saturar al transistor

(sobresaturación) por lo que esto da lugar a un exceso de carga debido a los portadores
minoritarios, en la región de la base. Mientras mayor sea la sobresaturación (ODF), mas
alta será la cantidad de carga adicional almacenada en la base. Esta carga adicional,
denominada “carga de saturación”, es proporcional al exceso de excitación de la
corriente de la base
IBexceso= IB(sobresat.) –Ics / β = ODF. IBs –IBs = IBs. (ODF—1)
Siendo IBs la corriente mínima para saturar al transistor.
La carga de saturación se determina por la expresión:
Qs = τs . IBexc = τs.IBs. (ODF –1)
El valor de “τ” (tao) se llama “constante de tiempo de almacenamiento” del

transistor.
Cuando la tensión de entrada se invierte, pasando del valor V1 a “—V2”, la corriente de
base, también cambia de IB1 a “—IB2”. La corriente de colector, no cambia hasta
transcurrido un tiempo “ts” denominado “tiempo de almacenamiento”. El tiempo “ts”
es el necesario para eliminar la carga de saturación de la base. Como la “vBE” todavía
es positiva (de valor 0,7 volt aprox.), la corriente de la base invierte su dirección debido
al cambio de polaridad de la fuente de señal digital “vB”, desde +V1 a –V2. Esta
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corriente “—IB2” en sentido inverso, ayuda a descargar el exceso de carga de la base.
Si no tenemos a “—IB2” (por ejemplo dejamos la base abierta), el exceso de carga se
elimina por recombinación, pero en este caso, el tiempo de almacenamiento “ts” seria
mayor.
Una vez que se elimino el exceso de carga, la capacidad de la juntura JE se carga hasta
la tensión “—V2”, y la corriente de base cae a cero. El tiempo de caída “tf” depende de
la constante de tiempo de la capacidad de la juntura de emisor con polarización inversa.
El tiempo de “encendido o activación” es la suma del tiempo de retardo “td” y el tiempo
de subida “tr”
t act. = td + tr
El tiempo de “apagado o desactivación” es la suma del tiempo de almacenamiento “ts”
y el tiempo de caida “tf”
t apag.= ts + tf
La siguiente figura, nos muestra la carga de almacenamiento extra en la base de un

transistor saturado y su variación durante el proceso de corte:
Emisor Base Colector Emisor Base Colector
a
b
c
c
Almacenamiento de Perfil de carga durante

carga en la base el proceso de corte
Durante el apagado, la carga adicional se remueve primero en el tiempo “ts”, y el perfil

de la carga cambia de “a” a “c”. Durante el tiempo de caída, el perfil de la carga baja
desde “c” hasta que se remueven todas las cargas.
Como veremos mas adelante, los tiempos de conmutación pueden ser mejorados,
mediante técnicas especiales de la excitación de la base, como ser “control al
encendido”, control al apagado”, control proporcional en base”, “control por
antisaturación.
Límites de conmutación
Segunda avalancha (SB, Secund. breakdown)

La avalancha secundaria es un fenómeno destructivo; se debe al flujo de corriente por
una pequeña porción de la base, que produce puntos calientes localizados. Si la energía
de esos puntos calientes supera un determinado valor, el calentamiento excesivo puede
dañar al transistor. La avalancha secundaria o segunda avalancha, es un proceso térmico
localizado debido a altas concentraciones de corriente, provocado por defectos en la
estructura del transistor. La SB, se presenta con ciertas combinaciones de voltaje,
corriente y tiempo. Debido a que interviene el tiempo, la avalancha secundaria es
básicamente un fenómeno dependiente de la energía.
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Área de operación segura en polarización directa (FBSOA, forward-biased safe

operating area).
Durante las condiciones de activación y de estado activo, la temperatura promedio de la
juntura y la segunda avalancha limitan la capacidad de manejo de potencia de un
transistor bipolar. Los fabricantes suelen incorporar en sus especificaciones técnicas, las
curvas FBSOA bajo determinadas condiciones específicas de prueba.
Las curvas FBSOA, indican los limites de las características tensión –corriente ( ic-vce)
del transistor, para que su operación sea confiable, limitándose la potencia disipada a lo
que las curvas FBSOA, indique.
Área de operación segura en polarización inversa (RBSOA, reverse-biased safe

operatin area)
Durante el tiempo de apagado, el transistor debe sostener una gran corriente y un alto
voltaje, en la mayoría de los casos con polarización inversa de la base-emisor. El voltaje
de colector a emisor debe mantenerse en un nivel seguro, a un valor especificado de
corriente de colector, o menor. Los fabricantes, mediante las curvas RBSOA, limitan las
valores Ic-VCE durante el apagado con polarización inversa.
Perdida de disipación de potencia.

Para la determinación de los valores de temperatura alcanzables durante la disipación de
potencia en los transistores, se utiliza la llamada “Ley de Ohm térmica”, estudiada en
Electrónica I, cuyo circuito equivalente térmico, es el siguiente:
TJ RJC TC RCD TD
PT RDA
TA
PT: Potencia disipada en el interior del transistor (valores promedios)

TJ: Temperatura de la juntura colector-base.
TC: Temperatura de la carcaza
TD: Temperatura del disipador.
TA: Temperatura ambiente.
RJC: Resistencia térmica juntura-carcaza.
RCD: Resistencia térmica carcaza-disipador.
RDA: Resistencia disipador-ambiente.
Para el circuito equivalente térmico se cumple:
TC = TJ – PT. RJC
TD = TC – PT. RCD
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TA = TD – PT. RDA
TJ-TA = PT.( RJC +RCD + RDA)
La disipación máxima de potencia PT, se suele especificar a TC = 25º C. Si la

temperatura ambiente aumenta a TA = TJ (max) =150º C, el transistor no puede disipar
potencia. Por otra parte, si la temperatura de la carcaza es de Tc = 0ºC, el dispositivo
puede disipar la máxima potencia., lo cual no es practico. En consecuencia se deben
tener en cuenta la temperatura ambiente y las resistencias térmicas al interpretar las
especificaciones de los dispositivos.
Los fabricantes, suministran curvas de perdida de disipación de potencia de los
dispositivos que contemplan las perdidas directas y por segunda avalancha.
Voltajes de ruptura
Un voltaje de ruptura o un voltaje disruptivo se define como el voltaje absoluto máximo
entre dos terminales, con la tercera Terminal abierta, en corto o polarizada en directa o
en inversa.. Un voltaje de ruptura permanece relativamente constante donde la corriente
aumenta con rapidez. Los fabricantes suministran los siguientes voltajes de ruptura:
VEB0: El voltaje máximo entre la Terminal del emisor y la de la base con el Terminal de
colector en circuito abierto.
VCEV o VCEX: El voltaje máximo entre el Terminal de colector y emisor para un voltaje
negativo especificado, aplicado entre la base y el emisor.
VCEO (sus): El voltaje máximo de sostén entre el Terminal del colector y el Terminal del
emisor, con la base en circuito abierto. Este valor se especifica con la corriente y el
voltaje máximo de colector, que aparecen en forma simultanea a través del dispositivo
y con un valor especificado de inductancia de carga.
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MOSFET DE POTENCIA
Los transistores bipolares son dispositivos controlados por corriente, y requieren de una
corriente de base para que pase corriente en el colector. En saturación, la corriente de
colector es prácticamente independiente de la corriente de entrada (base), solo depende
de la tensión de alimentación y la carga; de allí podemos decir que la ganancia de
corriente depende de la temperatura de la juntura.
A diferencia del BJT, el MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje,
y solo requiere de una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es
muy alta y los tiempos de conmutación son del orden de los nanosegundos.
Los MOSFET de potencia están encontrando aplicaciones en convertidores de baja
potencia y alta frecuencia. Estos dispositivos no tienen los problemas de fenómenos de
segunda avalancha, como los BJT. Sin embargo, tienen inconvenientes de descarga
electrostática y requieren cuidados especiales en su manejo. Otro inconveniente que
tienen es que resulta relativamente difícil protegerlos en condiciones de falla por
cortocircuito.
Tenemos dos tipos de MOSFET: a) de tipo decremental y b) de tipo incremental.
ID Metal
D
n+
Metal RD
oxido
Substrato
tipo p
+ VDD
VGS
- n+
S
Símbolo canal n
Estructura básica canal n
Metal
D
p+
Metal RD
Oxido
Substrato
tipo n
+ VDD
VGS
- p+
S
Símbolo canal p
Estructura básica canal p
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En ambos tipos de transistores, el canal de conducción puede ser “p” o “n”. El

MOSFET de potencia que se utiliza como dispositivo de conmutación es el de tipo
incremental por lo que solamente trataremos este tipo de transistor. (Ambos tipos de
transistores fueron tratados en la materia Electrónica I). La figura anterior, muestra el
esquema básico del MOSFET incremental de canal n y de canal p.
El dispositivo tiene tres terminales: compuerta, drenaje y fuente. El MOS de canal “n”,
esta formado por un substrato tipo “p” donde tiene difundidos dos regiones de silicio
“n+” muy dopadas, para formar conexiones de baja resistencia (drenaje y fuente).Entre
ambos terminales tenemos la zona del canal (inducido para el MOS incremental).La
compuerta esta aislada del canal por una capa muy delgada de oxido de silicio. Cuando
se aplica un voltaje positivo VGS entre compuerta y canal (o fuente cuando esta ultima
esta conectada al substrato), este atrae a los electrones del substrato p y los acumula en
la superficie, bajo la capa de oxido. Si VGS es mayor o igual a un valor denominado
“voltaje umbral” o voltaje de entrada “VT”, se acumula una cantidad suficiente de
electrones para formar un canal n virtual, y la corriente circula entre drenaje y fuente, si
aplicamos un voltaje entre estos terminales. Para el MOS de canal p, el proceso es
similar, con la diferencia que se invierten todos los voltajes y corrientes.
La próxima figura, muestra la estructura básica del MOSFET de potencia, denominado
“V-MOS”:
Fuente Compuerta
Fuente Compuerta
S G
n+ n+
p p n+
p+
Epitaxial n- Rn+ Rch
Repi
Epitaxial n+
n- epi
n+ sub Rsub
Drenaje
Estructura básica del “V” MOS
D
Drenaje
Resistencias en serie del “VMOS”
en estado activo
Cuando la compuerta tiene un voltaje un determinado, con respecto a la fuente, el efecto

de su campo eléctrico atrae electrones de la capa “n+” hacia la capa “p”. De esta forma
se forma un canal en la proximidad de la compuerta, el cual a su vez permite el flujo de
___________________________________________________________________ 12
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
corriente del drenaje a la fuente. Existe una capa de dióxido de silicio (SiO) entre el
metal de la compuerta y la unión “n+” y “p”. El MOSFET esta muy drogado en el lado
del drenaje, para formar un acoplamiento debajo de la capa de desplazamiento “n”. Este
acoplamiento evita que la capa decremental llegue al metal, distribuye el esfuerzo
dieléctrico a través de la capa “n” y también reduce la caída de voltaje en sentido
directo, durante la conducción. También la capa de acoplamiento hace que sea un
dispositivo asimétrico, con una capacidad bastante baja de voltaje en sentido inverso.
Los MOSFET requieren poca energía de compuerta, y tienen una velocidad muy grande
de conmutación, y bajas perdidas por conmutación. La resistencia de entrada es muy
alta, del orden de 1011Ω. Sin embargo, la desventaja de los MOSFET es su alta
resistencia en sentido directo, en estado activo, lo cual provoca altas perdidas en sentido
directo, por eso se los hace menos atractivos como dispositivos de potencia, aunque son
excelentes como dispositivos amplificadores de compuerta para tiristores.
Características en estado permanente

Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de
entrada muy alta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequeña, del orden de
los nanoamperes. La ganancia de corriente definida como la relación entre la corriente
de drenaje ID y la corriente de compuerta IG es del orden de 109. Sin embargo la
ganancia de corriente no es un parámetro a tener en cuenta. Lo que si se toma en cuenta,
y de suma importancia para el MOSFET, es la “transconductancia” que se define como
la relación entre la corriente de drenaje y el voltaje de compuerta. La siguiente figura,
muestra la característica de transferencia del MOSFET de canal n y canal p, además la
característica de salida del MOSFET canal n incremental:
ID -VT VGS
Característica 0
de
transferencia
0 VT VGS
-ID
Canal n Canal p
Región lineal Región saturación

ID VGS5 > VGS4
VDS= VGS- VT
VGS4 > VGS3
VGS3 > VGS2
VGS2 > VGS1
VGS1
0 VGS= VT VDS
Característica de salida del MOSFET tipo incremental
___________________________________________________________________ 13
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Se distinguen tres regiones: a)- La región de corte, donde VGS ≤ VT. b)- la región de
estrechamiento, o de saturación, donde VDS ≥ VGS - VT. c)- La región lineal (o de
tríodo), donde VDS ≤ VGS - VT. En la región lineal, la corriente de drenaje ID varia en
forma casi proporcional con la tensión drenaje-fuente, VDS. Debido a la corriente de
drenaje y al bajo valor de la tensión VDS, necesaria para tener perdidas de potencia
bajas, los MOSFET, trabajando como conmutador, operan en la región lineal
(conduciendo corriente) y en la región de corte (bloqueando la corriente). En la región
de saturación, la corriente de drenaje permanece casi constante para cualquier aumento
de la tensión VDS, y es en esta zona donde se utiliza el transistor para amplificar
linealmente voltajes. Debemos recordar que la región de saturación del MOSFET,
corresponde con la región activa de los transistores BJT, y la región lineal, con la de
saturación respectivamente.
La figura siguiente, muestra el modelo equivalente del MOSFET en estado permanente
(o de corriente continua), para las regiones lineal (ohmica) y de saturación
Donde:
RDS= ∆VDS /∆ID
gm = ∆ID /∆VGS │VDS=CTE = K.(VGS – VT)2
Características de conmutación
Si no tiene señal de compuerta, un MOSFET incremental se puede considerar como dos

diodos conectados espalda con espalda, o como un transistor NPN. La estructura de la
compuerta tiene capacidades parasitas Cgs respecto a la fuente y Cgd respecto al drenaje.
El transistor npn tiene una unión con polarización inversa, del drenaje a la fuente, y
forma una capacidad Cds. La siguiente figura (figura a), muestra el circuito equivalente
de un transistor bipolar parasito en paralelo con el MOSFET. La región de base a
emisor de un transistor NPN se pone a corto en el microcircuito, al metalizar la
Terminal de la fuente y la resistencia de la base al emisor, resulta de un valor bajo por lo
que se la desprecia. Por consiguiente, se puede considerar al MOSFET con un diodo
interno (figura b), por lo que las capacitancias parasitas dependen de sus voltajes
respectivos.
La figura c, muestra el modelo de conmutación de los MOSFET.
___________________________________________________________________ 14
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a) modelo con capacidad bipolar b) modelo con diodo interno
c) modelo de conmutación para el MOSFET incremental
Formas de ondas y tiempos de conmutación del MOSFET
VG
V1
t
0
VGS
V1
VGSP
VT t
0
td(enc) tr td(apag) tf
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El grafica anterior, nos muestra las formas de onda del voltaje de excitación de entrada
para un MOSFET y su voltaje VGS en función del tiempo. El “retardo de encendido”
td(enc) es el tiempo necesario para cargar la capacidad de entrada hasta el valor del
voltaje umbral VT. El “tiempo de subida” tr, es el tiempo de carga de la compuerta,
desde el nivel de umbral hasta el voltaje total de compuerta VGSP, que se requiere para
activar al transistor hasta la región lineal. El “tiempo de retardo de apagado” td(apag) es
el necesario para que la capacidad de entrada se descargue desde el voltaje de
sobresaturación V1 hasta la región de estrechamiento. El voltaje VGS debe disminuir en
forma apreciable antes de que VDS comience a subir. El “tiempo de caída” tf , es el
necesario para que la capacidad de entrada se descargue desde la región de
estrechamiento hasta el voltaje de umbral. Si VGS ≤ VT, el transistor se desactiva.
___________________________________________________________________ 16
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COOLMOS
El COOLMOS, es una tecnología nueva de MOSFET de potencia para alto voltaje. Se

implementa mediante una estructura de compensación en la región vertical de
desplazamiento de un MOSFET, para mejorar la resistencia en estado activo. Para un
mismo encapsulado, tiene menor resistencia en estado activo en comparación con la de
otros MOSFET. Las perdidas de conducción son 5 veces menores, cuando menos en
comparación con las de la tecnología MOSFET convencional. El COOLMOS es capaz
de manejar de dos a tres veces mas potencia de salida que la de un MOSFET
convencional en el mismo encapsulado. El área activa de microcircuito de un
COOLMOS es unas 5 veces menor que la de un MOSFET normal.
Fuente (S) (G) compuerta
SiO2
n+ n+
p+ p+
p- p-
n-epi
n+sub
(D) drenaje
La figura muestra el corte transversal del COOLMOS. En el dispositivo se ha

aumentado el dopado de la capa conductora de corriente, sin alterar la capacidad de
bloqueo. Un alto voltaje VBR de bloqueo del transistor requiere una capa epitaxial
relativamente gruesa y poco dopado. Existe una ley que relaciona la resistencia drenaje -
fuente con VBR.
RD(enc) = VBRKc
Donde Kc es una constante entre 2,4 y 2,6
Esta limitación se supera agregando columnas de tipo de dopado contrario, que se
implementan en la región de corrimiento en tal forma que la integral de dopado a lo
largo de una perpendicular al flujo de corriente permanece menor que la carga de
ruptura especifica del material. En este concepto se requiere una compensación de la
carga adicional en la región n, mediante regiones adyacentes con dopado p. Esas cargas
crean un campo eléctrico lateral que no contribuye al perfil vertical del campo. En otras
___________________________________________________________________ 17
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
palabras, la concentración de dopado se integra a lo largo de una perpendicular a la
interfase entre las regiones p y n.
Los portadores mayoritarios solo proporcionan la conductividad eléctrica. Como no hay
contribución de corriente bipolar, las perdidas de conmutación son iguales a las de los
MOSFET convencionales. Se aumenta el dopado de la capa que sostiene el voltaje más
o menos, en un orden de magnitud. Se insertan bandas verticales p adicionales en la
estructura para compensar el exceso de carga n que contiene la corriente. El campo
eléctrico en el interior de la estructura esta fijado por la carga neta de las dos columnas
con dopados opuestos. De este modo se puede obtener una distribución casi horizontal
del campo, si ambas regiones se compensan entre si en forma perfecta. La fabricación
de pares adyacentes dopadas con p y con n con una carga neta prácticamente de cero
requiere una manufactura de presición. Todo desequilibrio de cargas influye sobre el
voltaje de bloqueo del dispositivo. Para mayores voltajes de bloqueo solo se tiene que
aumentar la profundidad de las columnas sin necesidad de alterar el dopado. Esto
conduce a una relación lineal entre el voltaje de bloqueo y la resistencia en estado
activo.
Resistencia MOSFET normal

en estado
encendido COOLMOS
Voltaje de
ruptura
Por ejemplo la resistencia es de 70 mΩ para un COOLMOS de 600 V, 70 A. El
COOLMOS tiene una característica v-i lineal con un bajo voltaje umbral.
Los dispositivos COOLMOS se pueden usar en aplicaciones hasta limites de potencia
de 2 KVA, como suministros de corriente para estaciones de trabajo y servidor, fuentes
ininterrumpibles de energía (UPS), convertidores de alto voltaje para sistemas de
microondas, hornos de inducción y equipos de soldadura. Estos dispositivos pueden
reemplazar a los MOSFET convencionales de potencia en todas sus aplicaciones en la
mayor parte de los casos sin adaptación alguna del circuito. A frecuencias de
conmutación mayores a 100 KHZ, los dispositivos COOLMOS ofrecen una mejor
capacidad de manejo de corriente, como por ejemplo un área mínima requerida de
microcircuito para determinada corriente. Tienen la ventaja de tener un diodo inverso
intrínsico. Toda oscilación parasita que pudiera causar disparos negativos del voltaje
entre drenaje y fuente se fija a un valor definido por el diodo.
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EL TRANSISTOR SIT
Un SIT es un dispositivo para alta potencia y alta frecuencia. En esencia es la versión

del tubo tríodo al vacío, pero en estado sólido. La siguiente figura muestra un corte
transversal de la estructura de silicio de un SIT:
Fuente
S
Capa de
Compuerta pasivación
G
n+
n
- p+ + p+
n p
Drenaje D
D
G Símbolo
S
Es un dispositivo de estructura vertical con multicanales cortos. De esta forma no esta
sujeto a limitaciones de área, y es adecuado para funcionamiento de alta velocidad con
alta potencia. Los electrodos de compuerta están enterrados dentro de capas, epitaxiales,
n de drenaje y fuente. Un SIT es idéntico a un JFET, excepto por la construcción
vertical y de compuerta enterrada que produce una menor resistencia de canal y causa
menor caída de voltaje. Las curvas características típicas se observan en la figura:
(mA)IDS
0 -1 -2
600
-3 -4
-6 VGS
-8
400
-15
-20
200 -25
VDS
200 400 600 600 (V)
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Un SIT tiene longitud corta de canal, baja resistencia de compuerta en serie, baja
capacitancia entre compuerta y fuente y pequeña resistencia térmica. Tiene bajo ruido,
baja distorsión y capacidad de alta potencia en audiofrecuencia. Los tiempos de
encendido y apagado son pequeños, típicamente 0,25 µseg..
La caída en estado activo, encendido, es alta en el caso normal de 90 volt para un
dispositivo de 180 A, y de 18 volt para uno de 18 A. Un SIT, en el caso normal, es un
dispositivo encendido, y con un voltaje negativo en compuerta lo mantiene apagado. La
característica de normalmente cerrado (conduciendo) y la alta caída en estado activo
limitan sus aplicaciones en conversiones generales de potencia.
El control de la corriente se realiza por medio de un potencial inducido
electrostaticamente. Estos dispositivos pueden operar con potencias de 100 KVA a 100
KHZ o de 10 VA a 10 GHZ. La especificación de corriente de los SIT puede llegar
hasta 1200 V, 300 A, y la velocidad de conmutación puede ser hasta 100 KHZ.
El SIT es más adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia
(amplificadores de audio, VHF/UHF y microondas).
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EL TRANSISTOR IGBT
En los transistores IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFET. Un
IGBT tiene una alta impedancia de entrada, como los MOSFET y pocas perdidas por
conducción en estado activo como los BJT. Sin embargo, no tiene el problema de
segunda avalancha, como los BJT. Por el diseño y la estructura del microcircuito, se
controla la resistencia equivalente de drenaje a fuente, RDS, para que se comporte como
la de un BJT. Veamos el dibujo del corte transversal del IGBT:
Colector
Substrato p+
Capa de acoplamiento n-
n-epi
p+
p
p
n+ p- n+
Compuerta Compuerta
Emisor
Circuito equivalente circuito equivalente

simplificado
Como se puede observar la estructura de silicio de un IGBT, es idéntica a la de un

MOSFET, a excepción del substrato p+. Sin embargo, el rendimiento de un IGBT se
parece mas al de un BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al substrato p+, causante
de la inyección de portadores minoritarios en la región n. En el dibujo también se
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muestra el circuito equivalente que se puede simplificar más mediante un BJT tipo NPN
y un MOS de canal N. Un IGBT se construye con 4 capas alternas PNPN y puede tener
retención como un tiristor cuando se cumple la condición (αnpn +αpnp) > 1. La capa de
acoplamiento n+ y la ancha base epitaxial reducen la ganancia en el Terminal NPN por
diseño interno, lográndose con ello evitar la retención. Los IGBT tienen dos estructuras:
a) De perforación (PT,punch through) y b) NPT ( non punch through). Para el caso “a”
el tiempo de conmutación se reduce usando una capa de acoplamiento n muy dopada, en
la región de corrimiento cerca del colector. Para los del tipo “b”, los portadores tienen
una vida mayor que para los IGBT tipo PT, lo que causa modulación de conductividad
de la región de corrimiento y reduce la caída de voltaje en estado de encendido.
Un IGBT es un dispositivo controlado por voltaje, parecido a un MOSFET de potencia.
Como en un MOSFET, se hace positiva la compuerta respecto al emisor, los portadores
“n” son atraídos al canal “p” cerca de la región de la compuerta, produciendo una
polarización directa de la base del transistor “npn”, lográndose el encendido. Entonces,
un IGBT se enciende con un voltaje positivo en la compuerta y se apaga cuando le
eliminamos el voltaje positivo aplicado en la compuerta. Dado que la activación y
desactivación se efectúa con una tensión eléctrica, el circuito de control asociado a la
activación y desactivación, resulta sencillo.
Los IGBT tienen menores perdidas de conmutación y de conducción, y al mismo
tiempo comparte muchas de las propiedades ventajosas de los MOSFET de potencia,
como la facilidad de excitación de compuerta, corriente pico, buenas características
tensión corriente y robustez.. En forma inherente un IGBT es más rápido que un BJT
pero resulta mas lento que los MOSFET.
RD
iC
C
RS
Vcc
+
VG RGE E
-
iC(A)
iC(A)
6 VGE=10 V 3
5
4 9V 2
8V
3 6V
1
2
1
5V
4,5V 0
0
2 4 6 8 2 4 6 8 10
Voltaje colector-emisor Voltaje compuerta-emisor
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--------------------------------------------------------------------------------------------------------
La figura anterior nos muestra el circuito básico de aplicación, las características

tensión- corriente de salida y la característica de transferencia o sea corriente de colector
versus voltaje de compuerta.
La especificación de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta 1200 V, 400 A con
una frecuencia de conmutación de hasta 20 KHZ. Los IGBT tienen aplicaciones
crecientes en potencias intermedias, como por ejemplo propulsores de motores de CD y
CA, fuentes de corrientes, relevadores de estado sólido, y contactores.
A medida que los limites superiores de las especificaciones de IGBT disponibles en el
comercio aumentan (hasta 6500 V y 2400 A), están encontrando aplicaciones donde se
usan los BJT y los MOSFET convencionales principalmente como interruptores
llegando a sustituirlos.
OPERACIÓN SERIE Y PARALELO EN LOS TRANSISTORES
Con la misma necesidad de los diodos y tiristores, los transistores pueden conectarse en
serie y paralelo.
Conexión serie
Cuando los transistores se conectan en serie, se deben encender y apagar
simultáneamente. De no ser así, el dispositivo mas lento en el encendido, y el mas
rápido en el apagado, pueden quedar sujetos al voltaje total del circuito de colector a
emisor (o de drenaje a fuente), y ese dispositivo en particular, se puede destruir por alto
voltaje. Los dispositivos deben estar apareados en “ganancia”, “transconductancia”,
“voltaje umbral”, “voltaje en estado activo”, “tiempo de encendido y tiempo de
apagado”. Hasta las características de la excitación de la compuerta o de la base deben
ser idénticas. De la misma forma que los diodos y tiristores, se pueden usar redes de
tipo capacitivo y resistivo, para igualación del voltaje compartido.
Conexión paralelo
Los transistores se conectan en paralelo si un dispositivo no puede manejar la demanda
de la corriente de la carga. Para compartir corrientes iguales, los transistores deben estar
apareados en “ganancia”, “transconductancia”, “voltaje de saturación”, “tiempo de
encendido y tiempo de apagado”. En la práctica, no siempre es posible cumplir con
todos estos requisitos. Se pueden obtener una partición razonable de corriente (45 a 55%
con dos transistores), conectando resistores en serie con los terminales de emisor (o
fuente), como muestra la siguiente figura para dos transistores bipolares:
RC
Q2 Q1
IE2 IE1
Vcc
Re2 Re1
___________________________________________________________________ 23
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Los resistores conectados en los emisores, ayudan a compartir la corriente bajo
condiciones de estado permanente. Bajo condiciones dinámicas, se puede lograr el
equilibrio de corrientes, conectando inductores acoplados como se observa en el
siguiente circuito:
Partición dinámica de la corriente RC

Q2 Q1
IE2 IE1
Vcc
L2 L1
Si aumenta la corriente que pasa por Q1, la tensión inducida, L.(di/dt) aumenta a través
de la inductancia L1 y se induce un voltaje correspondiente de polaridad opuesta a
través del inductor L2. El resultado es una trayectoria de baja impedancia, y la
corriente se desplaza a Q2. Los inductores generarían picos de voltaje, y pueden ser
costosos y voluminosos, en especial si las corrientes son grandes.
Los transistores bipolares (BJT) tienen coeficiente negativo de temperatura. Cuando
comparten la corriente, si un transistor conduce más corriente, su resistencia de
encendido disminuye y aumenta más la corriente; mientras que los MOSFET tienen
coeficiente de temperatura positivo y su funcionamiento en paralelo es relativamente
fácil. El MOSFET que al inicio conduce más corriente se calienta con más rapidez y
aumenta su resistencia de encendido, haciendo que la corriente se desplace hacia los
otros dispositivos. Los IGBT, requieren cuidados especiales para aparear las
características, debido a las variaciones de los coeficientes de temperatura, con la
corriente de colector.
LIMITACIONES POR DI/DT Y POR DV/DT
Los transistores requieren ciertos tiempos de encendido y de apagado. Si no tenemos en

cuenta el tiempo de retardo “td” y el tiempo de almacenamiento “ts”, las formas típicas
de ondas de voltaje y corrientes, de un dispositivo semiconductor interruptor, son las
siguientes:
Vcc=Vs
0
t
Ic=Ics= IL
t
tr tf
___________________________________________________________________ 24
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Durante el encendido, la corriente en el colector aumenta y la variación de corriente
resulta:
di/dt = IL/tr = Ics/tr
Durante el apagado, el voltaje de colector a emisor debe aumentar en relación con la
caída de corriente de colector resultando una variación de tensión:
dv/dt = Vs/tf = Vcc/tf
Las condiciones de di/dt y dv/dt están establecidas por las características de
conmutación del transistor, y deben satisfacerse durante el encendido y apagado.
Normalmente, cuando se superan estos valores, se requieren de circuitos adicionales
para protección por di/dt y dv/dt, como el siguiente interruptor típico:
if
V1=VB
t
0
i
IL
0 t
If
tr tf
IL
La red “RsCs”, en paralelo con los terminales del transistor, es un “circuito

amortiguador” que limita la dv/dt. El inductor “Ls”, limita la di/dt y se le denomina
“amortiguador en serie”. Analicemos como actúan esto circuitos amortiguadores.
Supongamos que bajo condiciones especiales la corriente de la carga IL tiene
circulación libre a través del diodo Dv, cuyo tiempo de recuperación inversa es
despreciable. Cuando se enciende el transistor Q1, la corriente de colector sube y la
___________________________________________________________________ 25
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corriente del diodo Dv cae, porque Dv se comporta como un cortocircuito. En esta
situación, el crecimiento de la corriente del transistor la podemos determinar como:
di/dt = Vs/Ls
Como este valor no puede superar al establecido como límite para el dispositivo
interruptor, entonces en el límite debemos igualarlo con este último, resultando:
Vs/Ls = Ics/tr donde Ics = IL
Con la igualdad anterior podemos encontrar el valor de “Ls” que me permita superar los
límites del dispositivo semiconductor:
Ls = (Vs.tr)/IL
Durante el apagado, el capacitor Cs se carga con la corriente de carga, y el voltaje del

capacitor aparece a través del transistor, resultando:
dv/dt = IL/Cs
Igualando con la expresión que limita la dv/dt del dispositivo, tendremos:
Vcs/tf = IL/Cs
Con esta última expresión, determinamos el valor de Cs que limita el crecimiento de la

tensión a un valor que no supere al límite del dispositivo interruptor:
Cs = (IL.tf)/Vs
Una vez cargado el capacitor con Vs, y el diodo Dv se activa, aparece un circuito
resonante amortiguado Ls Cs Rs. Este circuito se hace críticamente amortiguado, en el
caso normal, para evitar las oscilaciones.
Para un amortiguamiento crítico, el valor de Rs lo obtenemos como:
_____
Rs = 2.√ Ls/Cs
El capacitor Cs se debe descargar a través del transistor, lo que aumenta la

especificación de corriente pico del transistor. Se puede evitar la descarga por el
transistor si conectamos Rs a través de Cs, en vez de ponerlo en paralelo con Ds.
Por otra parte, tenemos que tener en cuenta el tiempo de descarga de Cs a través de Rs;
por lo general se establece en un tiempo no mayor a 1/3 del periodo de conmutación.
Para este caso debemos verificar Rs para que no se supere este tiempo, resultando:
Rs.Cs = Ts/3 = 1/3.fs
Rs = 1/ (3.fs.Cs)
___________________________________________________________________ 26
4-9 Convertidores de CC a CC.
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CONVERTIDORES DE CC A CC
Introducción
Muchas aplicaciones en la industria, requieren convertir un voltaje fijo de una fuente de

alimentación de CC (grupo de baterías, por ejemplo), en un voltaje variable de
suministro de CC. El convertidor de CC a CC “transforma” en forma directa de CC a
CC. Este tipo de conversión, se le denomina simplemente “convertidor de CC”.
Un convertidor de CC, es el equivalente del transformador en corriente alterna, con una
relación de vueltas que varia en forma continua. De la misma forma que en ca, se puede
bajar o subir el voltaje de una fuente de CC.
Los convertidores de CC se utilizan mucho para el control de motores de tracción de
automóviles, tranvías, grúas marinas, montacargas y elevadores de mina. En las
estaciones de transformación eléctrica, a partir de una fuente de suministro segura, (120
o 220 volt de baterías). También proporcionan las tensiones de alimentación para los
sistemas correspondientes a las “protecciones eléctricas” de los transformadores y líneas
eléctricas de transmisión en mediana y alta potencia. En el caso de alimentación de
motores eléctricos, proporcionan un control uniforme de aceleración, gran eficiencia y
rápida respuesta dinámica. Se puede usar en el frenado regenerativo de motores de CC
para regresar energía a la fuente fija de CC, permitiendo considerables ahorros de
energía para el caso de sistemas de transporte. También se utilizan en los reguladores de
voltaje de CC y usados en conjunto con un inductor, generan una corriente de CC, en
especial para el inversor de fuente de corriente.
En un principio, los elementos conmutables semiconductores, eran transistores bipolares
para pequeñas corrientes. Los SCR, con circuitos de bloqueo, se utilizaban para
convertidores de mayor potencia. Hoy en día se emplean transistores bipolares de
potencia, transistores de efecto de campo de metal oxido semiconductor de potencia
(MOSFET), tiristores de disparo y apagado por compuerta (ejemplo el GTO) y
transistores de compuerta aislada (IGBT).
Principio de operación de los convertidores CC A CC reductores de tensión

Interruptor
+ VH - Con semiconductor
io Vo
Vs
+ t=0 +
t1 t2
Vo t
Vs R
T
- -
i
Vs/R
__________________________________________________________________ 1
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
La figura nos muestra el circuito básico del convertidor reductor CC a CC en donde el
interruptor mecánico simboliza a un dispositivo semiconductor como lo hemos
señalado. Cuando el interruptor se cierra en t =0, aparece un voltaje Vs en la carga,
durante el tiempo que esta cerrado (t1). Durante el tiempo t2 el interruptor esta abierto
por lo tanto el voltaje en la carga durante este tiempo, es nulo. Las graficas muestran la
variación del voltaje y corriente en la carga durante la conmutación del interruptor en
condiciones ideales; en los dispositivos prácticos, tenemos una caída de tensión en el
interruptor (aprox. de 1 a 2 volt dependiendo del tipo de semiconductor empleado). Esta
forma de conmutación se realiza en forma periódica, donde el valor promedio de la
tensión de salida, depende de la relación de tiempos de conducción y no conducción
dentro del periodo:
Vo = 1/T ∫0 t1 vo.dt = (t1/T).Vs = f.t1.Vs = k.Vs k= t1/T(ciclo de trabajo) o’ t1 = k.T
La corriente promedio la podemos determinar como:
Io = Vo/R = k.Vs/R
El valor eficaz del voltaje de salida lo determinamos como:
Voef = (1/T ∫0 t1 vo2.dt )1/2 = √k. Vs

Si suponemos que el convertidor no tiene perdidas la potencia en la entrada será igual a
la salida:
Pi = 1/T ∫0 kt vo2/R. .dt= k ( Vs2/R)
La resistencia efectiva vista por la fuente de alimentación del convertidor vale:
Ri = Vs/Io = Vs/(k.Vs/R) = R / k
Como vemos si variamos el tiempo de conducción dentro del periodo T, la resistencia

de entrada será variable en función del ciclo de trabajo k.
El ciclo de trabajo puede variar de 0 a 1, variando t1, T o f. Por lo tanto el voltaje de
salida lo podemos variar desde 0 a Vs, controlando el ciclo de trabajo k y de esta forma
controlamos el flujo de potencia hacia la carga. El ciclo de trabajo se puede controlar de
dos formas a saber:
a) Operación a frecuencia constante y variando el tiempo de conmutación t1 desde
t1=0 a t1 = T. De esta manera variamos el ancho del pulso de aplicación de la potencia
eléctrica. Este modo de control se le denomina “modulación del ancho del pulso” o
PWM.
b) Operación a frecuencia variable y manteniendo constante el tiempo de cierre t1 o
el tiempo de apagado t2. Este método se le llama “modulación por frecuencia”. En este
caso debemos variar la frecuencia en un amplio margen para obtener todo el intervalo
del voltaje de salida.
Este tipo de control genera armónicas impredecibles lo cual hace difícil el diseño del
filtro, por lo cual se hace preferible el método PWM.
Problema
Un convertidor como la figura anterior tiene una carga resistiva R = 10 Ω con un
voltaje continuo de entrada Vs = 220 V. El semiconductor que produce la conmutación
__________________________________________________________________ 2
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
tiene una caída de tensión ∆Vse.= 2 V con una frecuencia de conmutación de f= 1
KHZ. Determinar:
a) La tensión promedio de salida para un ciclo de trabajo del 50%
b) El voltaje eficaz de salida
c) La eficiencia del convertidor.
d) La resistencia efectiva de entrada Ri del convertidor.
e) El valor rms del componente fundamental del voltaje de salida.
Solución:
a) Vo = 0,5 (220-2) 109 V

_
b) Voef.= √0,5. (220-2) = 154,15 V
c) Para calcular la eficiencia debemos calcular la potencia de salida y de entrada al

convertidor:
Po = k (Vs – ∆vse)2/ R = 0,5 . (220-2)2 / 10 = 2376,2 W (potencia de salida)
d) Para calcular la eficiencia debemos calcular la potencia de entrada al convertidor:
Pi = 1/T ∫0 kt Vs. i. dt = Pi = 1/T ∫0 kt Vs.(Vs-∆vse) /R dt =k. Vs.(Vs-∆vse) /R
Pi = 0,5. 220.(220-2) / 10 = 2398 W (potencia de entrada)
Eficiencia (%) = Po/Pi . 10 = 2376,2/2398 . 100 = 99,09 %
d) Ri = R / k = 10 / 0,5 = 20 Ω.
e) Haciendo el análisis de Fourier para una onda cuadrada la componente alterna

fundamental vale:
v1(t) = Vs/Л ( sen2Л.k.cos2Л.f.t + ( 1-cos2Л.k)sen2Л.f.t)
v1(t) = 140,06 sen (6283,2.t)
v1ef = 140,06/√2 = 99,04 V.
Generación del ciclo de trabajo

v
Vr
Vcr
t
0
T
Vg
kT
t
0
__________________________________________________________________ 3
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
El ciclo de trabajo k en los sistemas de control analógicos se puede generar comparando
una señal de referencia o también llamada tensión de control (vcr), con una señal
portadora con forma de diente de sierra (vr).
La señal diente de sierra vale:
vr = (Vr/T) .t
En el punto de comparación, es igual a la señal de referencia Vcr
Vcr = (Vr/T) .t
El ciclo de trabajo k lo determinamos como la relación entre Vcr y Vr
k= Vcr/Vr ≡ M
M se le denomina “índice de modulación”. Cuando variamos Vcr desde cero a Vr
logramos hacer variar el ciclo de trabajo desde 0 a 1, generando para ello una tensión de
compuerta o de base para excitar el interruptor que comienza en el inicio de la rampa y
termina cuando ambas tensiones son iguales. (Se utiliza un comparador de tensiones con
AO).
El convertidor CC a CC reductor con carga R, L y FEM
i i1 i2
+ + R + R R
Vs Vo Vs
L L L
_ _ E _ E E
Circuito Modo 1 Modo 2
Vo
Vs
t1 t2
t
T
i
I2 i1 Conducción
i2 continúa
I1 t
i Cerrado abierto
I2 Conducción
i1 i2 discontinua
t’2 t
0
__________________________________________________________________ 4
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
La figura muestra las formas de ondas de la corriente para una carga formada por una
resistencia, inductancia y una Fem, como es el caso de alimentar el inducido de un
motor eléctrico de CC, para variar su velocidad con cupla casi constante. El análisis de
la corriente, requiere dos modos:
En el modo 1, el interruptor con semiconductor esta cerrado durante el tiempo t1=kT; la
corriente, debido a la inductancia L crece exponencialmente. Si la constante del tiempo
de carga τ = L/R es mucho mayor que el periodo de conmutación, entonces
prácticamente la corriente crece linealmente con el tiempo. La determinación de la
corriente la obtenemos mediante el circuito 1, aplicando la ley de Kirchoff de las
tensiones
Vs = R.i1 + L.di1/dt + E
La resolución gral para la corriente resulta:
i1(t) = I1.e-t.R/L + (Vs-E)/R . (1- e-t.R/L) valida hasta t=t1
En el modo 2 el interruptor se abre la corriente en la carga comienza a disminuir por lo

que la inductancia L genera una Fem. en sentido contrario para evitar que esto ocurra.
Esto hace polarizar en directo al diodo Dv por lo cual hace que la corriente en la carga
siga circulando (i2) haciendo que la energía almacenada por L, durante el modo 1 se
disipe en la resistencia R. Para este caso presentado, con diodo volante Dv, toda la
energía se transfiere de la fuente Vs a la carga (primer cuadrante).
El análisis de la corriente durante este modo se realiza partiendo de:
0= R.i1 + L.di1/dt + E
Cuya resolución nos da :
i2(t) = I2.e-t.R/L - (E/R) . (1- e-t.R/L)
Ambas expresiones de las corrientes son validas para conducción discontinua que se da
cuando L/R >>T.
Cuando la conducción es discontinua I1=0 y la ecuación de i1(t) se transforma:
i1(t) = (Vs-E)/R . (1- e-t.R/L)

La ecuación de i2(t) se mantiene solo que ahora es valida entre t1≤ t ≤ t’2
PRINCIPIO DEL CONVERTIDOR CC A CC ELEVADOR DE TENSION
L i iL
+ + +
D1
VL Carga
Interruptor
Vs Vo
_ periódico CL
- -
El convertidor de tensión también puede usarse para aumentar el voltaje de la fuente de

alimentación primaria. El circuito básico se muestra en la figura y funciona de la
siguiente forma: Cuando se cierra el interruptor durante un tiempo t1, la corriente que
pasa por el inductor L comienza a aumentar, almacenando energía. Cuando se abre el
__________________________________________________________________ 5
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
interruptor durante un tiempo t2, la corriente comienza a disminuir, haciendo cambiar la
polaridad del inductor y su energía almacenada se transfiere a la carga, pasando por el
diodo D1. El siguiente grafico ilustra la variación de la corriente (suponiendo que esta
es continua) y la tensión normalizada a la salida:
Vo/Vs
i 7
I2 i1
i2 6
∆i 5
I1 t 4
3
t1 t2 2
k
Cerrado abierto 1
0,2 0,4 0,6 0,8 1
Cuando el interruptor se cierra, el voltaje a través del inductor vale:
VL = L di/dt = Vs
Suponiendo, durante el tiempo t1, un crecimiento lineal de la corriente, podemos
determinar la variación ∆i como:
∆i = Vs.t1/L
El voltaje promedio a la salida lo podemos calcular aproximadamente como:
Vo = Vs + L.∆i/t2 = Vs(1 + t1/t2) = Vs ( 1/ (1-k))

Si conectamos un capacitor CL, suficientemente grande, a la salida, el voltaje resultara
continuo.
Como se puede analizar, podemos modificar el voltaje de salida, variando el ciclo de
trabajo k, resultando una tensión mínima para k= 0. (Para este valor el interruptor no se
conmuta). Para k=1, el voltaje teórico se hace infinito. Para valores de k tendiendo a la
unidad el voltaje real resulta elevado y su valor muy sensible a los cambios de k.
PRINCIPIO DEL CONVERTIDOR DE CC A CC INVERSOR
i1 i2
+ -(+) -
Interruptor
Vs periódico VL Vo
_ +(-) +
i
I2 i1
i2
I1 ∆i
t
t1 t2
Cerrado abierto
__________________________________________________________________ 6
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Cuando se cierra el interruptor, circula la corriente i1 por el inductor en forma creciente,

almacenando energía; durante este periodo, la polaridad del voltaje en el inductor es la
indicada entre paréntesis. Se cumple:
VL = = L di/dt = Vs
De la misma manera que el caso anterior, si el crecimiento de la corriente es casi lineal,
la variación sufrida durante el tiempo t1 vale:
∆i = Vs.t1/L
Cuando el interruptor se abre, la corriente circulante por el inductor comienza a
disminuir, lo que provoca un cambio de polaridad en sus extremos, provocando la
polarización directa del diodo que hace que aparezca una tensión inversa sobre la carga
El voltaje promedio a la salida lo podemos calcular aproximadamente como:
Vo = - L.∆i/t2 = -L.Vs.t1/t2.L = - Vs.t1/t2 = -Vs / (1/k-1)

También de la misma forma que el caso anterior para valores de k bajos, el voltaje de
salida es bajo e invertido en relación a Vs ; para valores altos de k, el voltaje aumenta
hasta hacerse teóricamente infinito para k=1.
CLASIFICACION DE LOS CONVERTIDORES DE CC
Los circuitos analizados anteriormente, son los circuitos clásicos, donde la corriente de
carga pasa del suministro a la carga y se denominan de primer cuadrante. Pero no son
los únicos que se utilizan para realizar la conversión de CC, con características
particulares en relación a la polaridad del voltaje de salida y dirección del flujo de la
corriente. De acuerdo con las direcciones de flujo de corrientes y voltajes, los
convertidores de CC se pueden clasificar en cinco tipos a saber:
a) Convertidor de primer cuadrante: La corriente fluye hacia la carga y la polaridad

de la tensión es positiva.
b) Convertidor de segundo cuadrante: La corriente sale de la carga, siendo la tensión

positiva. En este caso la carga suministra energía a la fuente de suministro.
c) Convertidor de primero y segundo cuadrante: En este caso la corriente puede ser

positiva (fluye hacia la carga) o negativa (fluye de la carga al suministro). La tensión
siempre resulta positiva.
d) Convertidor de tercero y cuarto cuadrante: En este caso la tensión es siempre

negativa pero la corriente fluye en ambos sentidos.
e) Convertidor de cuatro cuadrantes: En este caso tanto la corriente como la tensión

cambian de dirección y polaridad. Este convertidor aplicado a un motor eléctrico de CC
permite hacerlo girar en ambos sentidos, entregando potencia (cupla mecánica) y a su
vez devolviendo parte de la energía al suministro (la carga debe ser inductiva).
Las graficas que siguen muestran la tensión y corriente en la carga para las distintos
modos de funcionamiento mencionados. Los circuitos que cumplen con estas
particularidades, no lo vamos a tratar.
__________________________________________________________________ 7
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
+VL +VL +VL
IL -IL -IL +IL

Convertidor Convertidor
de primer de segundo Convertidor de primero
cuadrante cuadrante y segundo cuadrante
+VL
-IL +IL
-IL +IL
-VL
-VL
Convertidor de tercero
y cuarto cuadrante Convertidor de
cuatro cuadrantes
LOS REGULADORES DE CC DE MODO DE CONMUTACION
En general, las fuentes de alimentación de energía eléctrica de los sistemas electrónicos

necesitan, para su correcto funcionamiento, determinadas condiciones de voltaje y
corriente. Por ejemplo un rectificador de CA o un convertidor de CC con filtro, sin
regulador, suministran un voltaje de CC con bajo contenido de armónicas para una
determinada corriente de carga; pero, ante variaciones de la corriente de la carga o
variaciones del voltaje primario de alimentación, la tensión CC de salida sufrirá
variaciones en su magnitud. Para solucionar el inconveniente mencionado, se recurre a
los reguladores de voltaje y corriente, que se colocan a la salida de los filtros de las
fuentes comentadas.
Los reguladores, de acuerdo a la forma de operar el elemento semiconductor que actúa
como tal, se pueden clasificar en reguladores lineales (serie o paralelo) y reguladores de
modo de conmutación. En los primeros, el elemento activo que regula, trabaja en su
zona lineal (activa para un BJT y saturación para un FET). En los segundos, actúan
como interruptor de corriente.
La elección entre un regulador lineal y uno de modo de conmutación, esta relacionado a
las pérdidas de potencia inherentes a la regulación. Los reguladores lineales son de baja
eficiencia por lo que son preferibles para suministros de CC regulado de baja potencia
(no mas de 10 Vatios). Para consumos importantes, se hacen preferibles los reguladores
conmutados por su alta eficiencia (> 80%).
__________________________________________________________________ 8
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
En los reguladores de modo de conmutación, la regulación se suele obtener con la
modulación del ancho del pulso (PWM) a determinada frecuencia. El dispositivo
semiconductor de conmutación es normalmente un BJT, MOSFET o IGBT.
La siguiente figura, muestra el esquema en bloques gral, de un regulador de modo de

conmutación:
Entrada L Salida
Conmutador
periódico de
+ CC C +
Vp Vg
Vc ve
Control
Vs Vo
Vref
_ _
Vs: Voltaje de entrada no regulado

Vo: Voltaje de salida regulado
Vref.: Voltaje de referencia para el sistema realimentado
Ve: Voltaje de error para el control
Vc: Voltaje de control
Vp : Voltaje de portadora (diente de sierra) para generar la modulación PWM).
Vg: Voltaje de compuerta para accionar el conmutador semiconductor.
El dibujo, muestra el esquema simplificado de los componentes y voltajes intervinientes

para lograr la regulación de la tensión de salida. Esta ultima, es comparada con una
tensión de referencia para lograr el voltaje de salida adecuado. La tensión de error de
control (Ve=Vo-Vref) es amplificada y tratada para obtener la tensión de control que es
comparada con un voltaje de portadora de tipo diente de sierra para generar la señal de
control PWM Vg. Para accionar el conmutador de semiconductor.
La salida de un convertidor de CC con carga resistiva es discontinua y contiene
armónicos que se reducen normalmente con un filtro LC.
Actualmente los reguladores de conmutación se consiguen en el comercio en forma de
circuitos integrados. En estos reguladores se selecciona la frecuencia de conmutación,
seleccionando los valores de R y C del oscilador de frecuencia. Como regla aproximada
para maximizar la eficiencia, se suele tomar como periodo de conmutación, 100 veces
mayor que el tiempo de conmutación del transistor que actúa como interruptor. Por
ejemplo si el tiempo de conmutación del transistor es de 0,5 µseg., el periodo del
oscilador es de 50 µseg., lo que equivale a una frecuencia de 20 KHZ. Esta limitación se
debe a que las pérdidas del transistor aumentan con la frecuencia disminuyendo la
eficiencia, además de los problemas con el inductor del filtro.
__________________________________________________________________ 9
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Tenemos cuatro tipos básicos de reguladores de conmutación a saber:
a) Reguladores reductores.
b) Reguladores elevadores.
c) Reguladores reductores y elevadores.
d) Reguladores de CuK.
Por lo extenso del tema, solamente trataremos los reguladores reductores dado su
amplia difusión.
Regulador de conmutación reductor

Is=iL
io Vs
+ +
iC t1 t2
Vs Control Vo t
KT T
- - iL
t
Modo 1
is
is=iL + io
t
Vc
-
ic
t
Modo 2
iL
+ io Vc
Vc
-
t
io
La figura muestra el circuito básico y las graficas de corriente y voltaje de un regulador

de conmutación reductor con un transistor bipolar (BJT) como interruptor. En su salida,
dispone de un filtro LC con diodo (volante) para recuperación de energía del inductor.
Tiene dos modos de funcionamiento: En el primer modo, el transistor esta conduciendo
durante el tiempo t1; la corriente que pasa por el inductor se incrementa y pasa al
capacitor C y la resistencia de carga R. En el segundo modo, el transistor esta cortado
__________________________________________________________________ 10
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
durante el tiempo t2. En esta condición, la corriente sigue pasando por el inductor
decrementandose, lo que hace que cambie la polaridad en los extremos del inductor,
haciendo conducir al diodo volante y de esta manera la energía almacenada como
campo magnético se transfiere a la carga, según muestran los gráficos.
De acuerdo a la frecuencia de conmutación la corriente por el inductor puede ser
continua o discontinua. En gral, resulta conveniente la continuidad del la corriente sobre
el inductor para evitar transitorios indeseables. Teniendo en cuenta el análisis del
circuito (no lo haremos), las condiciones críticas de L y C para la continuidad de la
corriente en el inductor, están dadas por las siguientes expresiones:
Vo = k.Vs
Lc = ((1-k).R) / 2.f Cc = (1-k) / 16.L .f2
Circuito básico de control para el regulador de conmutación reductor con

amplificadores operacionales
Con la finalidad de comprender el sistema de control de un regulador conmutado

reductor, la figura muestra un posible diseño con amplificadores operacionales con
circuitos ya conocidos en Electrónica 1.
El AO1, actúa como oscilador de relajación (astable), generando una onda cuadrada
cuya frecuencia esta fijada por los valores de C y R.
__________________________________________________________________ 11
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
El AO2, actúa como integrador, modificando la onda cuadrada para convertirla en una
señal de tipo triangular.
El AO3, actúa como fijador de pulsos negativos a masa, (circuito sumador), mediante la
tensión Voffset. De esta manera, a la onda triangular se le agrega una componente
continua para que fluctúe entre un valor de tensión de masa a un valor máximo positivo.
El AO4, es un comparador que actúa como detector de error entre la tensión de
realimentación Vf, y la tensión de referencia que fija el valor de la tensión de salida
Vo. La tensión de realimentación Vf, se la obtiene del voltaje de salida, mediante el
divisor de tensión formado por R1 y R2. A la salida de AO4, obtenemos el valor de la
tensión de control que luego será comparada con la tensión triangular para determinar el
ciclo de trabajo k.
El AO5 actúa como comparador de tensión entre la tensión de control (salida de AO4) y
la tensión de onda triangular (salida de AO3).
Si la tensión de salida tiende a aumentar, el sistema de control actúa de manera tal de
reducir el ciclo de trabajo k y con esto actuar en forma opuesta sobre Vo.
Si el sistema a lazo abierto tiene suficiente ganancia, La tensión de error en el
comparador AO4 es próxima a cero por lo que la corriente que circula por la resistencia
R2 vale:
I2 = Vref / R2
Esta corriente circula también por R1, por lo que la tensión de salida vale:
Vo = I2.( R1+R2) = Vref.( R1/R2+1)
Como vemos la tensión de salida del regulador conmutado puede ser modificada,
actuando sobre el valor de Vref.; también se logra, modificando el divisor resistivo R1,
R2
Presentamos a continuación, las formas de ondas de voltaje en las distintas etapas del
proceso de regulación:
Vosc.
t Voltaje generado en AO1
Vt’ Voltaje a la salida de

t AO2 obtenido por
integración de la onda
cuadrada
Vt
Voltaje a la salida de
t AO3 sumando una
tensión de offset a la
onda triangular
Vt
Vc Comparación en AO5 de los
voltajes de salida de AO4 y
t AO3
Vg Voltaje de compuerta del

t MOS (salida de AO5)
__________________________________________________________________ 12
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Reguladores de CC de conmutación con circuitos integrados
GND 9
16
Q1
1 Vref
+5V Q2
TL594 Control
logico
2 3 Osc.
GND
1 8
Como lo hemos mencionado al principio del tema, los reguladores de modo de

conmutación, se los diseña con circuitos integrados especializados como por ejemplo el
TL594 de Texas Instruments, como se lo puede observar en la figura anterior. En su
interior presenta un modulador por ancho de pulso PWM que esta controlado por
diferentes señales en su entrada, por amplificadores detectores de error.
Para obtener una tensión estabilizada, para generar las tensiones de referencia, dispone
de un regulador interno que es alimentado por el Terminal 12 (con +12 V),
obteniéndose una tensión estabilizada de +5 V en el Terminal 14.
Para generar el PWM, se dispone de un oscilador interno cuya frecuencia se establece
por medio de una resistencia y capacitor externo (C3 y R6). El oscilador genera una
onda triangular que se utiliza para compararla con la tensión de control y generar el
PWM para conmutar los transistores internos Q1 y Q2. La frecuencia de
funcionamiento, se establece por la expresión:
Fosc.= 1 / RT.CT (para aplicaciones de simple fase)
__________________________________________________________________ 13
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Fosc.= 1 / 2 RT.CT (para aplicaciones push-pull)

Este circuito integrado, me permite controlar sobre el circuito conmutador, la tensión y
la corriente.
Para el control de la tensión, se toma una muestra de la tensión de salida (a través del
divisor resistivo R7, R8) y se la compara con la tensión de referencia, obtenida del
divisor resistivo R2, (R3+ R4). Estas resistencias están alimentadas con la tensión
estabilizada de +5 V.
Para el control de la corriente (Io máx.), se la convierte primero a una caída de tensión
mediante la resistencia R11 (1Ω) y luego se la compara en el amplificador de error con
una tensión de referencia obtenida en el divisor R3, R4. La ganancia de ambos
amplificadores se controla con la resistencia de realimentación R5.
También se dispone de una entrada externa (Terminal 4) que permite controlar mediante
una tensión el PWM. De no usarla de la conecta a masa.
En el ejemplo de la figura las salidas de los transistores Q1 y Q2 están conectadas en
paralelo y ambos, producen la conmutación de la CC del circuito.
Cuando la carga del regulador supera a la de ambos transistores, estos últimos actúan
como excitadores de transistores externos de conmutación.
Como dato ilustrativo, este circuito integrado se lo puede utilizar para diseñar
convertidores de CC a CA (inversores).
Problema:
Un convertidor de CC tipo reductor esta alimentado con una tensión primaria de 12 volt
y tiene una frecuencia de conmutación f= 25 KHZ.
Si el tiempo de conducción, durante la conmutación de interruptor es de tc= 30 µseg.,
determinar el voltaje de CC de salida.
Problema:
Un convertidor de CC regulado tipo reductor trabaja a una frecuencia de conmutación
f= 20 KHZ. Determinar el ciclo de trabajo y tiempo de conducción para obtener en la
salida una tensión Vo = 8 volt.
Problema:
En el circuito regulador conmutado reductor realizado con amplificadores
operacionales, la tensión de referencia del AO4 (amplificador de error de tensión) esta
ajustado a Vref= 1,25 V. Si el divisor resistivo de realimentación tiene valores R1 3 kΩ
y R2= 1 kΩ, determinar la tensión de salida.
Problema:
Si el circuito del problema anterior esta alimentado con una tensión de entrada de +25
volt, determinar el ciclo de trabajo y el tiempo de conducción del transistor para obtener
la tensión de salida calculada en dicho problema.
__________________________________________________________________ 14
4-10 Circuitos inversores.
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
INVERSORES DE POTENCIA ELECTRICA
INTRODUCCION
Los inversores, son convertidores de potencia eléctrica de continua (CC) en potencia

eléctrica de alterna (CA). La función de un inversor, es cambiar un voltaje de entrada de
corriente continua CC., en un voltaje de salida de corriente alterna simétrico con una
magnitud y frecuencia deseada. . El voltaje de salida podría ser fijo o variable, a una
frecuencia fija o variable. El voltaje continuo de entrada pueden ser pilas químicas,
baterías de acumuladores químicas, celdas solares u otra fuente de cc.
Los inversores para una potencia determinada, son de voltaje de salida variable; esto se
logra haciendo variar el voltaje de entrada o si este último es fijo, podemos variar el
voltaje de salida variando la ganancia del inversor. La ganancia del inversor se puede
definir como la relación entre el voltaje de salida de ca y el voltaje de entrada de cc. El
método que se utiliza para variar esta ganancia, dentro del inversor, es por el método de
control del ancho del pulso (PWM, pulse-width-modulation).
Las formas de ondas ideales del voltaje a la salida de un inversor debería de ser
senoidal; sin embargo la de los inversores prácticos no tienen esta forma y contienen
armónicas de la frecuencia de salida. Para inversores de pequeña y mediana potencia, el
voltaje de salida es de una forma de onda cuadrada o similar. Para altas potencias a
convertir se requieren formas de ondas sinusoidales, con poca distorsión. Con la
disponibilidad de los dispositivos semiconductores de potencia de alta velocidad de
conmutación, se pueden minimizar los contenidos de armónicas en el voltaje de salida,
mediante técnicas especiales de conmutación.
Los inversores, tienen amplia difusión en aplicaciones industriales, como por ejemplo
en impulsores (variadores, reguladores o controles) de motores de alterna, calentamiento
por inducción, fuentes de alimentación de reserva y fuentes de alimentación
ininterrumpida. También se los utiliza para convertir un voltaje de cc de valor constante,
en un voltaje variable de cc, mediante la conversión de continua a alterna (inversor);
luego con transformadores de núcleo y rectificadores, se convierte nuevamente a
continua (Uno de los métodos para convertir de cc a cc).Para pequeñas potencias a
invertir, se los utiliza en iluminación de emergencia mediante tubos de iluminación de
descarga (fluorescente).
Los inversores se pueden clasificar en el sentido amplio en dos tipos: inversores
monofásicos e inversores trifásicos. Los dispositivos de conmutación pueden ser
transistores (BJT, MOSFET, IGBT) o tiristores controlados por compuerta, como por
ejemplo, los GTO. Los inversores de mediana y alta potencia usan en Gral. señales de
control por modulación por ancho del pulso (PWM) para producir voltajes variables de
salida con poca distorsión.
Un inversor se llama “inversor alimentado por voltaje” (VFI) si el voltaje de entrada
permanece constante. Se llama “inversor alimentado por corriente” (CFI) si la
corriente de entrada permanece constante y se llama “inversor enlazado con cc
variable” si el voltaje de entrada es controlable. Si se hacen pasar por cero el voltaje o
la corriente de salida del inversor, creando un circuito resonante LC, a esta clase de de
inversor se le llama “inversor de pulso resonante”.
Para pequeñas potencia (hasta aprox. 500 w), los inversores pueden ser auto-excitados
(circuito tipo oscilador de bloqueo). Para potencias mayores, el circuito inversor,
propiamente dicho, es excitado externamente.
1
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Inversores de baja potencia
Están basados en el oscilador de bloqueo con inductor o transformador saturable

(también se le llama con inductor de resonancia). Pueden ser de un interruptor o dos
interruptores, utilizándose, más frecuentemente como dispositivo interruptor, los
transistores bipolares y SCR. El más simple, es el que utiliza un transistor y un
transformador con tres bobinados: uno de excitación primaria, uno de realimentación
positiva, para generar la oscilación y otro para conectar la carga. Se diseñan este tipo de
inversores, para cargas no mayores a 50 W. Algunos, más complejos, utilizan dos
transistores y uno o dos transformadores y pueden alimentar cargas de hasta 500 W.
En este tipo de circuitos, el cálculo del transformador, es un aspecto importante porque
determina la frecuencia y relación de transformación para entregar el voltaje de salida a
la carga. Analicemos el funcionamiento del circuito básico del inversor con un solo
transistor:
+Vcc
VCE
IC t
(3)
(2)
(1)
t
VBE
t1 t2
IL
B
φ t
H
Características magnéticas t
núcleo transformador
t1: tiempo de conducción del
iC transistor; se transfiere energía a Lp
t2: tiempo que tarda en desenergizar

RL2` la bobina Lp. El transistor esta
cortado.
RL1`
Vcc VCE
2
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Cuando el transistor comienza a conducir, como resultado de una polarización directa o
excitación externa (transitorio, conexión la tensión de alimentación), se transfiere
energía de la batería y se la almacena a la inductancia de colector (bobinado primario
“T”). Mientras se transfiere esa energía, la variación de flujo dentro del circuito
magnético del transformador induce un voltaje en el bobinado de realimentación “T2”
que aumenta la conducción de Q1, hasta que el transistor entra en saturación. Si
suponemos la carga reflejada RL1´ alta, debido a la alta permeabilidad del circuito
magnético, la corriente de colector es muy baja y por lo tanto también lo será la
VCEsat≈0. Entonces, bajo esta circunstancia, se inducirá en el bobinado primario una
FEM dada por:
Vp = L.di/dt = +Vcc dado que VCEsat ≈ 0
Como la tension Vcc = cte., entonces:
di/dt = Vcc/Lp = cte.
La corriente de colector crece entonces en forma lineal con el tiempo (del punto 1 al 2).
Por otra parte, se induce una tensión en el bobinado de realimentación “T2” que hace
aumentar “ib” y por supuesto “iC”.
Cuando se llega a la saturación del flujo magnético, la permeabilidad disminuye lo que
hace disminuir a Lp y como Vcc= Lp.di/dt = cte entonces, partir de este punto (2) la
corriente de colector crece mas rápidamente. El aumento de iC y la saturación del flujo
magnético, modifica el valor de la resistencia reflejada a RL2`, haciendo que aumente la
VCEsat (el transistor pasa de saturación a la zona activa) por lo que el interruptor deja de
comportarse como “ideal”. En el límite de la saturación no se tiene suficiente tensión
inducida de realimentación de la base, lo que hace que la corriente de colector caiga
abruptamente., pasando al corte. Este último proceso comentado, se desarrolla durante
el tiempo “t1”. Durante el tiempo “t2”, la energía almacenada en la bobina Lp, se
transfiere a la carga y la base del transistor en este tiempo, recibe una tensión de
polarización negativa. Cuando la energía del inductor se hace cero, nuevamente el
transistor tiene tensión positiva en la base (Vγ) para reiniciar nuevamente el ciclo.
Frecuencia de funcionamiento
Los inversores de baja potencia, que utilizan núcleo saturable y uno o dos transistores
(contrafase), son de frecuencia fija. La frecuencia de estos inversores, esta determinada
por:
E = 4.44Bm.f.Np. A.S.10-8
E: Voltaje de pico de onda cuadrada presente en el devanado primario o mitad del

devanado primario si es del tipo de contrafase (bobinado con derivación central)
Bm: Densidad máxima del flujo del núcleo saturable en Gauss.
f: frecuencia en Hz.o ciclos por seg.
A: Área de la sección transversal del núcleo saturable, en cm2.
S: Factor de relleno del núcleo.
Para que la frecuencia sea constante, deben serlo E y Bm, de allí la necesidad de utilizar
un núcleo saturable con características cuadráticas en su ciclo de histéresis. Para el
mismo fin, como E ≈ Vcc, resulta importante mantener la tensión de alimentación lo
más constante que sea posible, utilizándose para ello, reguladores de tensión.
3
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Los materiales que se utilizan para el transformador de núcleo saturable depende de los
siguientes factores: Potencia sobre la carga, frecuencia de funcionamiento y temperatura
de trabajo. Los materiales utilizados normalmente son la Ferrita, el hierro al silicio y el
acero al silicio. Estos materiales, usados para construir el núcleo del transformador,
deben tener un bajo campo coercitivo (H), muy alta permeabilidad y brusco cambio de
la permeabilidad entre la zona saturada y no saturada (características cuadráticas).
Para altas frecuencias, el núcleo de ferrita es más conveniente que los otros, dado que
tiene mayor rendimiento. Se utiliza para frecuencias comprendida entre 1 a 20 Khz. Las
pérdidas de potencia de la ferrita es función lineal de la frecuencia, hasta unos 40 Khz.
Por encima de los 50 Khz., el rendimiento baja.
Los núcleos de hierro al silicio, aleaciones níquel -hierro y acero al silicio, se aplican
para frecuencias comprendidas entre 0,1 a 1 Khz. En Gral. Podemos decir que los
núcleos de hierro, no superan los 10 Khz. (altas perdidas).
Parámetros magnéticos típicos de los núcleos de los transformadores
Material Permeabilidad Densidad máxima del

Máxima (µm) flujo magnético (Gauss)
Ferrite 1000-4000 2000-5000
Hierro al silicio 8500 15.000-20.000
(grano orientado)
Acero al silicio 30.000 15.000-20.000
(tipo “alto Mu”)
Aleación 70.000 15.000-20.000
Níquel-hierro
Los inversores con transformador y un solo transistor, tienen un rendimiento de
conversión promedio de un 70 %, valor que disminuye a medida que aumenta la
potencia convertida. Por ejemplo para Psal= 5 w; η=75%. Psal.50w; η=60%.
Este rendimiento se puede mejorar con el inversor en contrafase (Psal=200W; η=80%)
Configuración básica de un inversor con transformador en contrafase (1/2 puente)
N1 T
Np1
Ns
V.salida
V.entrada c.a
c.c Np2
N2
4
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
En este circuito inversor, durante un ciclo completo, la densidad del flujo magnético del
transformador varia entre el valor de saturación en un sentido (+Bm) y el valor de
saturación en el otro (-Bm). La conducción y no conducción de los transistores, se
realiza en forma alternativa; es decir cuando uno conduce, el otro esta cortado y
viceversa. Al comienzo del periodo de conducción de un transistor, la densidad del flujo
magnético en el núcleo esta en su valor máximo negativo o positivo. Por ejemplo, el
transistor Q1 pasa a la conducción con “-Bm” y Q2 con “+Bm”. Durante la conducción
de Q1, la densidad del flujo magnético cambia de su nivel inicial “-Bm” y se hace
positiva a medida que se almacena energía en la inductancia del transformador (Np1),
proveniente de la batería, y simultáneamente se le suministra energía a la carga (Np2).
Cuando la densidad del flujo magnético llega a +Bm, el transistor Q1 pasa al corte y Q2
pasa a la conducción. De esta forma, el transformador asegura el suministro de energía a
la carga a una velocidad constante, durante todo el periodo de conducción de Q1. Este
ciclo de transformación, también se repite cuando conduce Q2. El proceso de corte y
conducción de Q1 y Q2, es similar al analizado con el inversor de un solo transistor
respecto a la actuación de los bobinados de realimentación, es decir por ejemplo cuando
Q1 conduce, a través de la realimentación recibe una polarización de base directa que
hace aumentar su conducción y por otra parte, durante este periodo, Q2 recibe
polarización inversa, manteniéndolo cortado. El proceso se repite, a la inversa cuando
Q2 conduce.
Circuito inversor con dos transistores y dos transformadores
T2
RB=1Ω
Vent.
T1 cc
+
Vsal RL
c.a
-
RB=1Ω
El inversor con dos transistores y un transformador tiene tres desventajas básicas:

primero, la corriente de pico de colector es independiente de la carga. Esta corriente,
depende, por lo tanto, de la tensión de base disponible, y de la curva de entrada del
transistor; segundo, a causa de que la corriente de pico depende de las características del
transistor, el comportamiento del circuito depende del transistor en particular empleado;
Tercero, el transformador, que es relativamente grande, debe utilizar material costoso,
para núcleo con lazo de histéresis cuadrado y tener elevado valor de densidad de flujo
magnético en la saturación. Estas desventajas pueden superarse utilizando dos
transformadores, como se muestra en el circuito anterior.
5
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
En este tipo de circuito, un transformador de núcleo saturable T1, controla la operación
de conmutación del inversor en todos los niveles de potencia de del circuito de base. El
transformador de salida T2, de funcionamiento lineal, transfiere la potencia de salida a
la carga. Como este transformador no se satura, la corriente pico de colector de cada
transistor esta determinada principalmente por el valor de la impedancia de la carga.
Esta característica permite un rendimiento elevado para el circuito.
Las resistencias RB y R2 fijan una polarización, próxima a la tensión umbral (Vγ) para
ambos transistores que permita el arranque del circuito, especialmente con altas cargas,
para que el circuito tenga una ganancia de lazo superior a la unidad. La resistencia de
realimentación Rfb, se calcula como la resistencia requerida para producir la diferencia
de tensión que debe existir entre la tensión colector-colector de los dos transistores y la
tensión primaria aplicada al primario del transformador T1. La modificación de su
valor, produce una variación en la tensión primaria de T1 lo que produce una
modificación de la frecuencia de funcionamiento, dentro de un rango limitado. Una
disminución de Rfb aumenta la corriente magnetizante de T1, aumentando las perdidas
del circuito asociado y un aumento de la frecuencia. El aumento de Rfb, produce el
efecto contrario.
Cuando se alimenta con tensión al inversor, a causa de un pequeño desequilibrio del
circuito, uno de los transistores, Q1 por ejemplo conduce inicialmente más intensamente
que el otro. El aumento resultante en la tensión existente a través del primario del
transformador de salida T2, se aplica al primario del transformador de excitación de
base T1, en serie con la resistencia de realimentación Rfb. Los bobinados secundarios
del transformador T1 están dispuestos de manera que el transistor Q1 sea llevado a la
saturación, y a Q2 se le aplique una tensión inversa en la base que lo mantenga cortado.
Al saturarse T1, la corriente del primario , en rápido aumento, produce una mayor caída
de tensiona través del resistor de realimentación, disminuyendo la tensión primaria
aplicada a T1, y con ello una disminución de la tensión de excitación de base de Q1 que
hace disminuir su corriente de colector; esta disminución modifica la Fem. en T2 y T1,
provocando el encendido de Q2 y apagado de Q1, cumpliéndose el ciclo.
(Para mas datos sobre diseño de estos inversores remitirse a “Circuitos de potencia de
estado sólido, RCA).
Inversores con excitación independientes sin núcleo saturable.

Estos inversores, utilizan un circuito externo al circuito inversor, para proveer las
tensiones de excitación, necesariamente desfasadas, para comandar los interruptores de
estado sólido, sean transistores o tiristores. Veamos un diagrama en bloques
simplificado de este inversor:
Oscilador Generador Dispositivos Transformador

onda y interruptores para conexión
cuadrada desfasador estado sólido contrafase
señales de primario
excitación
Carga
conectada a
secundario
trafo
6
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Detallaremos a continuación los posibles circuitos de los diferentes bloques, aprendidos

en Electrónica I
El oscilador de onda cuadrada normalmente lo podremos construir mediante un
oscilador de relajación del tipo astable, realizado con dos transistores, amplificador
operacional o el clásico circuito integrado 555, en conexión astable. El circuito para
obtener dos señales de excitación de onda cuadrada desfasadas 180º, lo podemos
construir con AO en configuración inversora y otro AO en configuración no inversora.
Para el bloque de interruptores, necesitamos dos transistores BJT o MOSFET de
potencia, que se conectaran al primario del transformador con punto medio.
Si bien, es posible diseñar el circuito del inversor con los elementos mencionados, los
fabricantes de CI suministran una serie de circuitos integrados de cierta complejidad,
por ejemplo los reguladores conmutados TL494 o TL594 que nos permiten realizar un
inversor en contrafase (o conexión push pull) con pocos elementos incorporados. Estos
circuitos integrados especiales y ya comentados en los convertidores regulados de CC a
CC, tienen: oscilador interno, lógica para excitar dos salidas a dispositivos interruptores,
con defasaje 180º , entradas de realimentación de tensión y corriente, y módulo interno
para realizar la modulación del ancho del pulso (PWM), comandado desde la salida de
los amplificadores de error (tensión y corriente), o a través de una entrada externa.
Veamos un esquema simplificado de un convertidor CC-CA que utiliza estos circuitos
integrados para excitar dos interruptores en conexión contrafase y transformador de
salida:
Entrada
CC Salida
tensión
CA
Salidas de excit.
desfasadas 180º
Vcc1
Realimentación
Entrada tensión
Realimentación
corriente CI
TL594 Rectif y
filtro RyC
Entrada de determinan
tensión para
Frecuencia
ref. corriente
salida Salida CA
Entrada para
Entrada ref. de tensión
PWM salida
7
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
El dibujo anterior, representa el circuito de un inversor CC a CA, del tipo contrafase
(push pull), con transformador, excitado por un CI regulador de tensión y corriente del
tipo conmutador. El circuito, utiliza la técnica de “Modulación por ancho de pulso
único”, para modificar el valor eficaz de la tensión alterna de salida. El CI, genera la
frecuencia de conmutación (con R y C externos) y con ello la frecuencia de la tensión
alterna de salida. La forma de onda de esta tensión, es de onda cuadrada (un solo pulso
en el semiciclo positivo y otro, en el negativo). El circuito me permite regular la tensión
alterna de salida, generando la tensión una continua de realimentación, mediante el
divisor resistivo, transformador aislador y rectificador y filtro. La generación de la
tensión de realimentación que limita la corriente de salida, se obtiene como caída de
tensión en la resistencia RI, al circular la corriente continua de los interruptores. Para
ello el CI dispone de terminales, donde se ingresan tensiones de referencia para regular
la tensión de salida y limitar la corriente en la carga. El control de la tensión (valor
eficaz) y corriente, se realiza internamente en el CI mediante un modulador de ancho de
pulso, controlado por los amplificadores de error (internos) de la tensión y o la
corriente. La modificación del ancho del pulso, se realiza mediante la técnica de
comparación de una onda triangular con la tensión de control, similar al analizado para
el regulador de tensión continua conmutado. Ante un eventual aumento o disminución
de la tensión de salida y o corriente, la realimentación actúa de manera tal de disminuir
o aumentar el ancho del pulso de excitación de los interruptores (en este caso MOSFET
de potencia), respectivamente. El CI, también dispone de una entrada para una tensión
continua que permite modular el ancho del pulso, de la misma forma que lo hacen las
tensiones de control, provenientes de los amplificadores de error.
Inversor en contrafase con transformador con modulación por ancho de pulsos

múltiple.
Con la finalidad de disminuir el contenido de armónicas y modificar el valor eficaz, se
aplican varios pulsos en cada medio ciclo del voltaje de salida del inversor. Se utilizan
varias técnicas que veremos mas adelante. Para lograr esto, se modificaremos el
circuito anterior, agregando un bloque intermedio entre el CI y los dispositivos
interruptores, denominado “circuito supresor de pulsos”. El CI genera las señales de
excitación de los interruptores, para que actúen aplicando varios pulsos de voltaje (de
duración constante o variable), durante el correspondiente medio ciclo de la frecuencia
de la tensión de salida. El circuito supresor de pulsos, revisa una tensión alterna de
referencia y si es positiva, activa el tren de pulsos de excitación de uno de los
interruptores e interrumpe la del otro. Cuando cambia la polaridad de la señal alterna de
referencia y se hace negativa, invierte el paso de los pulsos de excitación. Por lo tanto
cada transistor produce un tren de pulsos que contiene variaciones de pulsos del ciclo de
trabajo como se muestra en la figura:
Vref.
Q1
Q2
8
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Modificaremos el inversor en contrafase de un solo pulso en cada semiciclo, para

adaptarlo a esta nueva configuración:
Voltaje ca de salida
Voltaje cc de
entrada
+Vcc Realiment.
tension
Circuito
supresor de
Realiment.
pulsos
corriente
TL494
Reg.de
Conmutacion
Tension ref. Tensión alterna de
para ref. tensión y
Limitacion frecuencia salida
corriente
Fuente de señal
para modular R.C fijan los
ancho de los pulsos
pulsos múltiples múltiples en
los semiciclos
La salida del inversor, tiene aplicado un filtro pasabajos Lf y Cf:
+ +
Ve Vo
_ _
Este filtro, se diseña para que presente una alta impedancia a la frecuencia de
conmutación de los interruptores (generada por el CI) y baja impedancia a la frecuencia
de salida de voltaje del inversor (generada por la tensión alterna de referencia mediante
el supresor de pulsos).
9
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Como referencia, la relación entre las frecuencias de conmutación y la de salida del
inversor, puede estar entre 50 a 100 Khz. para la conmutación y 2 a 6 Khz. para la
salida.
La señal de retroalimentación de voltaje, se toma a través del divisor resistivo Rv1, Rv2.
Esta señal se rectifica y se utiliza como realimentación para el CI de regulación de
voltaje, dado que trabaja con tensiones continuas. La señal de referencia de voltaje y
frecuencia, como es de corriente alterna, también debe ser rectificada y utilizada como
referencia de voltaje para el circuito de regulación. La referencia de frecuencia del
voltaje de salida del inversor, se toma de esta ultima señal, sin rectificar, y se aplica al
circuito supresor de pulsos, encargado de controlar las señales de excitación a los
interruptores del inversor Q1 y Q2.
La señal de retroalimentación de corriente de salida, es similar al circuito de un solo
pulso, y es obtenida como caída de voltaje de cc en la resistencia RI. En esta resistencia,
la corriente proveniente de los interruptores y primario del transformador, es siempre
en un solo sentido. Para la referencia de limitación de la corriente se lo resuelve
mediante una tensión de referencia de cc (estabilizada) y potenciómetro.
Teniendo en cuenta que las señales de referencia de voltaje y de realimentación son
alternas y el CI 494 es un regulador de voltaje de conmutación de continua, se modifica
la señal de referencia de tensión, para este regulador, colocando un circuito de control
automático de ganancia (AGC), como muestra el la siguiente figura:
Fuente de referencia de
voltaje y frecuencia
Tensión de
referencia de voltaje
Circuito RC para el CI 494
promediador
Circuito RC
promediador
Voltaje de
retroalimentación de
salida del inversor
En este circuito la señal de referencia de voltaje y frecuencia y la de retroalimentación

son rectificadas, para convertirlas en señales continuas (positivas respecto a masa).
Cada una de estas señales se pasan a través de un circuito RC (filtro pasa bajos) para
producir un voltaje promedio relativo de cada señal. Las dos señales promediadas son
comparadas por un comparador que controla la atenuación de un dispositivo MOSFET
que actúa como resistencia controladora de voltaje. La señal de referencia de voltaje es
operada por el potenciómetro e ingresada al CI 494.
10
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INVERSORES PARA APLICACIONES A FRECUENCIA INDUSTRIAL
Estos circuitos se aplican como propulsores de motores de ca.(con variación de

velocidad), calefacción por inducción, fuentes de alimentación ininterrumpida, Fuentes
de respaldo de energía primaria, etc. Las cargas están conectadas directamente a los
dispositivos interruptores, encargados de realizar la conversión.
La alimentación de estos equipos son fuentes de cc, baterías de acumuladores acido o
alcalinas, celdas solares, generadores de cc.
Los inversores industriales pueden ser monofásicos o trifásicos. Los valores de tensión
y frecuencia que generan son: monofásico 120 V-60Hz, 220 V–50 Hz y 115 V-400Hz.
Trifásicos: 120/208 V- 60 Hz., 220/380 V – 50 Hz., y 115/200 V – 400Hz.
Circuito inversor de medio puente
Corriente
Vs/2 Vao=vo fundamental
io1
i1 t
+
Vs/2 0
-
-Vs/2 θ1
io
+ To/2 To
Vs
va0=vo -
+ i1
Vs/2 Vs/2R
i2 -
t
0
i2
Vs/2R
Vs/4fL t
0
0 t
Formas de onda con carga resistiva
D1 Q1 D2 Q2 D1 Q1
Conducción de los dispositivos con

carga altamente inductiva
Este inversor tiene dos interruptores, en este caso dos MOSFET de potencia. Cuando se
hace conducir a Q1, el voltaje instantáneo que aparece en la carga, durante el tiempo
To/2, vale +Vs/2. Si conduce Q2, durante To/2, la tensión en la carga vale –Vs/2. La
lógica de excitación de Q1 y Q2 debe ser tal, que no deben estar activos al mismo
tiempo; de hacerlo provocaría un cortocircuito a la fuente Vs, llevando a la destrucción
de los dispositivos interruptores. De allí la importancia, cuando se diseña el circuito de
excitación, tener en cuenta los tiempos de activación y desactivación de los
interruptores.
11
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
El valor eficaz de la tensión alterna vale:

_______________
Vorms= √1/To.∫0To(Vs/2)2.dt= Vs/2
El voltaje instantáneo de la tensión alterna sobre la carga lo podemos expresar como

serie de Fourier para una onda cuadrada con simetría en el eje de x, resultando:
∞
vo= ∑ (2Vs/nП).sen(nwt) = 0 para n=2,4,……….
n=1,3,5…
La componente de 1ª armónica vale: vo1= (2Vs/П).sen(wt)
Su valor eficaz resulta:

Vo1rms= 2Vs/√2.П = 0,45.Vs
Cuando la carga es resistiva, las expresiones para la corriente eficaz, instantánea, de 1ª

armónica y su valor eficaz, es similar a las formulas de la tension dividida por la
resistencia.
Carga inductiva
Cuando la carga es muy inductiva, la corriente no puede cambiar rápidamente. Si Q1 es
desactivado en To/2, la corriente seguirá fluyendo a la carga a través del diodo D2. De
la misma forma, cuando deja de conducir Q2, la corriente sigue circulando por D1.
Cuando conducen los diodos D1 y D2, la energía se devuelve a la fuente de
alimentación.
Observando el grafico anterior para carga inductiva, vemos que los transistores
solamente pueden conducir durante 90º. Para cargas con inductancia y resistencia, el
periodo de conducción esta entre 90º y 180º.
Para una carga RL, la corriente instantánea la podemos encontrar dividiendo el voltaje
instantáneo de salida por la impedancia de carga Z= R +jnwL, resultando:
∞ ________
io= ∑ [2Vs/nП.√R+(nwL)2].sen(nwt-θn) = 0 para n=2,4,……….
n=1,3,5…
Donde: θn= arc.tan (nwL/R).
La corriente eficaz de 1ª armónica, la podemos obtener de la expresión gral de valor

eficaz o bien con la tensión eficaz 1ª armónica dividida el modulo de la impedancia para
la 1armónica:
_ ________
Io1= 2Vs/√2.П.√R2+(wL)2
La potencia de salida para la componente fundamental vale:

_ ________
Po1 = Vo1.Io1.cosθ1 =I o1.R = [2Vs/√2.П.√R2+(wL)2]2.R
2
En la mayor parte de las aplicaciones (por ejemplo impulsores de motores), la potencia

de salida útil corresponde a la de 1ª armónica; el resto (armónicas de orden superior) se
pierde como calor en la carga.
12
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Corriente de alimentación de la fuente de cc
Para determinarla podemos hacer las siguientes consideraciones:

a) suponemos que la potencia que entrega Vs se consume en la carga como potencia de
alterna.
b) si la carga tiene mucha inductancia la corriente resulta senoidal y prevalece la
componente de 1ª armónica
Ps = Po
Vs. Is = Vo1rms.Io1rms.cos θ1
Is = (Vo1rms.Io1rms.cos θ1)/ Vs
Donde “θ1” representa el ángulo de la carga de la frecuencia fundamental
Parámetros de rendimiento de los inversores
La tensión alterna de salida de los inversores contiene armónicos. La calidad o

rendimiento de un inversor, se mide en gral, en términos de la cantidad de armónicos
presentes en la salida. Para evaluarlos, y medir la calidad del voltaje alterno de salida, se
toman los siguientes parámetros de rendimiento:
Factor armónico de la enésima componente (HFn)

Representa una medida de la contribución individual de esa armónica y se define como:
HFn = Von/Vo1 para n>1
Siendo Von la componente eficaz de orden “n” y Vo1 el valor eficaz de la componente
fundamental.
Distorsión armónica total (THD)

La distorsión armónica total, es una medida de la coincidencia de formas entre una onda
y su componente fundamental. Se define como:
THD = Valor eficaz total de la tensión de salida/ valor eficaz de la componente

fundamental
∞
THD= (1/Vo1).[∑ (Von)2]1/2
n=1,3,5…
Factor de distorsión (DF)

Es una medida de la eficacia de atenuación de un filtro de 2 orden colocado previo a la
carga para disminuir los armónicos. Un filtro que atenúa con un 2º grado significa
dividir la armónica de orden “n” por “n2” Para una tensión de entrada al filtro Vn, la
salida queda disminuida en el valor Vn/n2
∞
DF= (1/Vo1).[∑ (Von/n2)2]1/2
n=1,3,5…
Para una sola componente: DFn = Vn/(Vo1.n2)
13
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Armónico de menor orden (LOH)

La armónica de menor orden es aquella cuya frecuencia es más cercana a la
fundamental y cuya amplitud es mayor que o igual al 3% de la componente
fundamental.
Secuencia de disparo para el inversor de medio puente
1) Se debe generar una señal de disparo cuadrada, vg1 con una frecuencia fo y ciclo de
trabajo 50%. La señal de disparo vg2 debe ser una inversa lógica de vg1.
2) La señal vg1, que controla a Q1, se debe aplicar a través de un circuito aislador de
compuerta, y vg2 puede controlar a Q2 sin circuito alguno de aislamiento.
Circuito inversor monofásico en puente
io
vo=vab
Corriente fundamental
Vab Vs io1 io Vs/(4.f.L)
Vs/R
t t
0 θ1 To/2 To
D1,D2 Q1,Q2 D3,D4 Q3,Q4 D1,D2

Q1, Q2 Q3, Q4 Q1,Q2
Forma de onda de la tensión y la corriente Corriente para una carga altamente inductiva
para carga resistiva
Este circuito, consiste de cuatro interruptores periódicos. Cuando conducen

simultáneamente los transistores Q1 y Q2, el voltaje Vs aparece en la carga.
Transcurrido el tiempo To/2, estos interruptores se apagan e inmediatamente (no
simultáneamente) conducen los transistores Q3 y Q4, entregando a la carga el voltaje
invertido –Vs.
14
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
El voltaje rms de la salida, lo podemos calcular como:
______________
Vorms= √2/To.∫0To/2(Vs)2.dt= Vs
El voltaje instantáneo de salida lo podemos expresar en serie de Fourier como:

∞
vo= ∑ (4Vs/nП).sen(nwt)
n=1,3,5…
Para n=1 obtenemos la componente fundamental de la tensión de salida, cuyo valor en

rms vale:
_
Vo1rms= 4Vs/(√2.П) = 0,90.Vs
La corriente instantánea vale:

∞ ________
io= ∑ [4Vs/nП.√R+(nwL)2].sen(nwt-θn)
n=1,3,5…
Donde: θn= arc.tan (nwL/R).
Con carga inductiva a través de los diodos (de retroalimentación), la energía vuelve a la
fuente de cc., como se observa el grafico con carga altamente inductiva.
Corriente de alimentación de CC
Si no tenemos en cuenta las perdidas, la potencia que entrega la fuente Vs es igual a la
potencia en la carga:
Vs(t).is(t) = vo(t).io(t) como Vs =cte. Entonces, despejamos la corriente de la fuente:
is(t) = (1/Vs). vo(t).io(t)
Para carga inductiva y para frecuencias relativamente altas, podemos suponer que la
corriente en la carga io y el voltaje de salida vo son sinusoidales, resultando:
_ _
is(t) = (1/Vs). √2.Vo1.sen(wt).√2.Io.sen(wt-θ1)
Para la tensión hemos tomado la 1ª armónica dado que tiene forma de onda cuadrada y
para la corriente hemos tomado el valor eficaz dado que la inductancia elimina
prácticamente las armónicas de orden superior.
Ordenando la última expresión de la corriente tenemos:
is(t) = (Vo1/Vs).Io.cos(θ1) – (Vo1/Vs).Io.cos(2wt-θ1)
Vo1: voltaje rms de la fundamental

Io: corriente rms en la carga.
θ1: ángulo de impedancia de carga a la frecuencia fundamental.
15
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
En la última ecuación vemos que aparece un armónico de 2º orden de la misma
magnitud que la corriente de alimentación de continua. Esta armónica se inyecta de
regreso a la fuente de alimentación Vs. Para eliminarla, se suele conectar un capacitor
de valor considerable a través de la fuente de alimentación de continua.
Finalmente, como conclusión de estos dos circuitos presentados, podemos decir que el
voltaje pico inverso de cada transistor y la calidad de voltaje de salida para el medio
puente y puente completo, son iguales. Sin embargo, en los inversores con puente
completo, la potencia de salida es cuatro veces mayor, y la componente fundamental es
el doble que la de los puentes medio.
Inversores trifásicos
Inversor trifásico con inversores monofásicos
En gral, los inversores trifásicos se utilizan en aplicaciones de grandes potencias. Una

forma de realizarlos, es conectando tres puentes inversores monofásicos de medio o
puente completo, en paralelo, para formar la configuración de un inversor trifásico. En
la siguiente figura, podemos ver esta conexión:
- Vs +
Inversor
1
Inversor
2
Inversor
3
Para obtener tres tensiones simétricas con igual amplitud y defasaje entre ellas, las
señales de control de los inversores monofásicos se deben adelantar o atrasar 120º entre
si. Los devanados primarios se deben aislar entre ellos, mientras que los devanados
secundarios se pueden conectar en estrella (Y) o en triangulo (∆). Normalmente, los
secundarios se conectan en delta (∆), para eliminar armónicas de múltiplo de tres
(n=3,6,9,…) que aparecen en los voltajes de salida.
En la próxima figura podemos observar la conexión de los transistores a los devanados
del transformador trifásico de salida:
16
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Como podemos ver en este circuito, se requieren tres transformadores monofásicos, 12

transistores y 12 diodos de retroalimentación para cargas inductivas. Si las magnitudes
y las fases de los voltajes de salida no están perfectamente balanceadas, los voltajes
trifásicos estarán desbalanceados.
Puente inversor trifásico con seis interruptores
Es posible obtener una salida trifásica, con una configuración de seis transistores y seis
diodos, con la siguiente configuración de circuito:
En este circuito, se pueden aplicar dos clases de señales de control a los transistores:
Conducción a 180º o conducción a 120º.
Conducción a 180º
Cada transistor conduce durante 180º. En cualquier momento hay tres transistores
conduciendo. Cuando se activa el transistor Q1, el terminal “a” queda conectado con el
terminal positivo de la fuente de alimentación Vs. Cuando se activa el transistor Q4, el
terminal “a” se lleva al terminal negativo de Vs.
17
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Como se observa en el siguiente grafico, tenemos seis modos de operación en un ciclo,
y la duración de cada modo es de 60º. Los transistores se numeran en el orden de sus
señales de disparo: 123, 234, 345, 456, 561 y 612.
g1
0 Π 2Π 3Π
g2
1/3Π
g3
2/3.Π
g4
3/3.Π
g5
Π+1/3Π
g6
Vab
Vs
Vbc
Vca
18
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Conducción a 120º
En esta clase de control, cada transistor conduce 120º. En cualquier momento solo hay
dos transistores activados. El orden de conducción de los transistores es: 12, 23, 34, 56
y 61. Esto da lugar a tres modos de operación en medio ciclo, dando lugar a las formas
de onda que muestra la siguiente figura:
g1
0 2/3Π Π 2Π 2/ 3Π
g2
1/3Π
g3
2/3.Π
g4
3/3.Π
g5
Π+1/3Π
g6
Van
Vs/2
Vbn
Vcn
19
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Secuencia de activación de los transistores
Conducción 180º
1) Se deben generar tres señales de disparo cuadradas, vg1, vg3, y vg5, desfasadas 120º,
con la frecuencia de salida y ciclo de trabajo 50%. Las señales vg2, vg4, y vg6 son las
inversas lógicas respectivamente. Este modo de disparo hace que las señales en el orden
de numeración establecido, estén desfasadas 60º, Los transistores conducen durante
180º.
2) Las señales vg1, vg3, y vg5 controlan respectivamente a Q1, Q3, y Q5, a través de
circuitos de aislamiento. Las señales vg2, vg4 y vg6 pueden activar, respectivamente a
Q2, Q4, y Q6, sin circuitos de aislamiento.
Conducción 120º
1) Se generan tres señales de disparo cuadradas vg1, vg2 y vg3, desfasadas 120º con la
frecuencia de salida, con ciclo de trabajo asimétrico, conducción solamente de 120º de
los interruptores. Las señales vg2, vg4 y vg6, se activan a los 180º del comienzo de las
señales vg1, vg2 y vg3, respectivamente. Este modo de disparo hace que las señales vg1
a vg6, respectivamente, estén desfasadas 60º. Los transistores conducen durante 120º.
2) Las señales vg1, vg3, y vg5 controlan respectivamente a Q1, Q3, y Q5, a través de
circuitos de aislamiento. Las señales vg2, vg4 y vg6 pueden activar, respectivamente a
Q2, Q4, y Q6, sin circuitos de aislamiento.
Voltaje de salida de los inversores trifásicos con seis interruptores

No desarrollaremos el análisis, solamente daremos los voltajes de salida para ambos
métodos de conducción. La componente fundamental rms VL1 del voltaje de línea de
salida, es de 0,7798.Vs y la del voltaje de fase es Vp1= VL1/√3= 0,45.Vs, para el
método de conducción de 180º. Para conducción de 120º, resulta VL1= 0,6753. Vs y
Vp1= 0,3898.Vs
Como puede observarse, los valores eficaces de las tensiones de línea y fase son
menores con conducción 120º que con conducción 180º.
Por otra parte con conducción 120º, al conducir menos tiempo el transistor, se hace
menos aprovechamiento del transistor. Por lo anterior, se prefiere la conducción a 180º
y es la que se usa en gral en los inversores trifásicos.
Control del voltaje de salida en los inversores
En las aplicaciones industriales, surge la necesidad de modificar la magnitud (valor

eficaz) del voltaje de salida de los inversores por varios motivos: 1) Hacer frente a las
variaciones del voltaje de entrada de corriente continua. 2) Regular el voltaje de salida
del inversor. 3) Satisfacer los requisitos de control de voltaje y frecuencia. 4) mantener
prácticamente constante la relación tensión/frecuencia para los impulsores de motores
de corriente alterna con variación de velocidad.
El método más eficiente para controlar el voltaje de salida de los inversores, es el
denominado control por ancho del pulso (PWM).
Varias son las técnicas utilizadas para realizar el PWM, tanto en inversores monofásicos
como trifásicos. Detallaremos a continuación las técnicas mas frecuentes para controlar
el voltaje de salida de los inversores monofásicos.
20
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Los métodos mas frecuentes son:
1) modulación por ancho de un solo pulso.
2) Modulación por ancho de pulsos múltiples.
3) Modulación por ancho de pulso senoidal.
4) Modulación por ancho de pulso senoidal modificado.
5) Control por desplazamiento de fase.
Modulación por ancho de un solo pulso
Consiste en modular el ancho de un solo pulso por cada medio ciclo. En la próxima
figura, se muestra la generación de las señales de control, las señales de excitación de
los interruptores y el voltaje de salida, para un inversor monofásico en puente completo
.
Señal portadora
e Señal de referencia
Ac
Ar Ac
Ar wt
0
α1 α2
g1 δ
wt
0
g2 П/2-δ/2 П/2 П/2+δ/2 П
wt
Vo
Vs
δ wt
0
П/2-δ/2 П/2 П/2+δ/2 П
-Vs
Las señales de disparo se generan comparando una señal de referencia rectangular, de

amplitud “Vr”, con una onda triangular de amplitud Ac. La frecuencia de la tensión de
referencia determina la frecuencia fundamental del voltaje de salida. El voltaje de
salida, es una función que depende de las señales de activación vo = Vs(g1-g2). La
relación entre Ar y Ac determinan la variable de control, y se define como el “índice de
modulación”
M= Ar/Ac
21
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
El voltaje rms de salida se puede determinar como:
(П+δ)/2
Vo = [(2/2П)∫(П-δ)/2Vs2 dwt ]1/2 = Vs.(δ/П)1/2
La serie de Fourier del voltaje de salida es:

∞
vo= ∑ (4Vs/nП).sen(nδ/2). sen(nwt)
n=1,3,5…
La próxima figura, nos muestra el perfil de armónicas, y el factor de distorsión “DF”

para la modulación de un solo ancho de pulso, en función del índice de modulación
“M”.
Vn/Vs Pulsos (p) = 1 DF(%)

9
1
8
V1 DF 7
0,8
6
0,6 5
4
0,4
V3 3
0,2 2
V5
V7
1
0 0
1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
Índice de modulación M
Analizando estas graficas, se observa que la armónica dominante es la tercera, y el

factor de distorsión “DF” aumenta en forma apreciable para bajo índice de modulación
o que es lo mismo, bajo voltaje de salida.
El tiempo y los ángulos de intersección lo calculamos como:
t1= α1/w = (1-M). Ts/2 Ts= T/2
t2= α2/w = (1+M). Ts/2
El ancho del pulso resulta
d= δ/w = t2-t1 = MTs = MT/2
22
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Modulación por ancho de pulsos múltiple
Se puede reducir el contenido de armónicas usando varios pulsos en cada medio ciclo
del voltaje de salida. La generación de las señales de activación de los interruptores,
se lo hace comparando una señal de referencia, de onda cuadrada y de frecuencia “fo”,
con una onda triangular de una frecuencia mayor a la frecuencia del voltaje de salida del
inversor. La próxima figura muestra la generación de las señales de control, las señales
de activación y la forma de onda del voltaje de salida:
Señal portadora
e 1/fc Señal de referencia
Ac
Ar Ac
Ar wt
0
α1 α2 α3 α4 α5 α6 α7 α8 α9 α10 α11
g1 δ
0 wt
g2
αm+δ/2
wt
Vo
Vs αm+П+δ/2
0 П 2П wt
αm δ
-Vs
La frecuencia de la señal de referencia “fo”, establece la frecuencia del voltaje de salida

y la frecuencia de la portadora, establece la cantidad de pulsos “p” por cada medio ciclo.
El índice de modulación controla el voltaje de salida. A esta clase de modulación, se le
denomina “modulación por ancho de pulsos uniforme (UPWM)”. La cantidad de
pulsos por medio ciclo se determina con:
p = fc/2fo = mf/2,
Donde mf =fc/fo y se define como “relación de modulación de frecuencia”

Si “δ” es el ancho de los pulsos, el voltaje de salida rms se calcula como.
(П/p+δ)/2 _________
Vo = [ (2p/2П)∫(П/p-δ)/2 Vs dwt] 2 1/2
= Vs√(pδ/П)
La variación del índice de modulación M, desde 0 a 1 hace variar el ancho del pulso “d”
desde 0 hasta T/2p (0 a П/p), y al voltaje rms de salida desde 0 a Vs
23
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
La expresión gral de la serie de Fourier para el voltaje instantáneo es:
∞
vo(t) = ∑ Bn. sen (nwt)
n=1,3,5…..
Para el calculo de Bn, debemos primero encontrar el valor “b1” para un solo par de
pulsos, teniendo en cuenta su ubicación dentro del ciclo, luego tomar otro par de pulsos
para encontrar “b2” y asi con el resto. El valor de Bn resulta como suma de todos los
valores de “bn” calculados. La expresión resultante es engorrosa (consultar
bibliografía). A los fines prácticos, daremos las graficas de variación de las armónicas y
el valor del “factor de distorsión DF”, en función del índice de modulación.
Vn/Vs DF(%)
1 5
V1 DF 4
0,8
0,6 3
0,4 2
V3
0,2 V5 1
V7
01 0,8 0,6 0,4 0,2 0
Observando el grafico, vemos que DF varía entre 3,8 a 4,5 % en todo el rango de
variación de M. El orden de las armónicas es igual que el de un solo pulso. Sin
embargo, por la mayor cantidad de procesos de conmutación, las perdidas son mayores.
Con mayores valores de “p”, las amplitudes de la LOH serien menores, pero
aumentarían las de algunas armónicas de orden mayor. Sin embargo, esas armónicas
producen un rizado menor y fácilmente pueden ser filtradas con facilidad (son de alta
frecuencia, requiriendo valores de L y C de poca magnitud). No existen armónicas
pares, por la simetría con el eje de absisas.
El m-ésimo tiempo “tm” y αm, se calculan como:
tm =αm/w = (m-M).(Ts/2) para m= 1,3,5……

tm =αm/w = (m-1+M).(Ts/2) para m= 2,4,6……
El ancho del pulso vale:
d = δ/w = tm+1-tm = M.Ts , siendo Ts(periodo de la portadora)= T/2p
p: numero de pulsos por medio ciclo de la tensión de salida del inversor.
24
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Modulación por ancho de pulsos sinusoidal
Con este método, en vez de mantener igual el ancho de todos los pulsos, se hace variar
el ancho de cada pulso en proporción con la amplitud de una onda senoidal evaluada en
el centro del mismo pulso. De esta forma, se logra disminuir considerablemente el
factor de distorsión (DF) y la armónica de orden más bajo (LOH). Las señales de
control, se generan comparando a una señal senoidal de referencia con una onda
portadora triangular con frecuencia “fc”. Esta modulación por ancho de pulso
sinusoidal (SPWM) es la que se suele usar en las aplicaciones industriales.
Señal portadora Señal de referencia

Ac Vcr Vr
Ar
wt
1/fc
g1
wt
0 П 2П
g4
wt
0 П 2П
Vs δm
wt
0 αm П 2П
-Vs
La frecuencia “fr” de la señal de referencia determina la frecuencia “fo” de la señal

de salida del inversor., y su amplitud pico “Ar” controla el índice de modulación “M”,
y en consecuencia el voltaje rms de salida Vo. Al comparar la señal portadora
bidireccional “vcr” con dos señales de referencia vr y –vr, como muestra la figura, se
producen las señales de disparo g1 y g4, respectivamente. El voltaje de salida es
vo=Vs(g1-g4). Sin embargo las señales g1 y g4 no se pueden activar al mismo tiempo.
La cantidad de pulsos por medio ciclo depende de la frecuencia de la portadora.
25
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
También es posible las mismas señales de disparo con una onda portadora triangular
unidireccional como se muestra en el siguiente dibujo, siendo más fácil y preferible.
Ac v
M=Ar/Ac
Ar
0 αm П 2П wt
El voltaje de salida rms se modifica variando el índice de modulación. Se determina por

la expresión.
2p
Vo =( ∑δm/П )1/2
m=1
El análisis de Fourier para este tipo de modulación demuestra que el factor de
distorsión “DF”, se reduce en forma considerable, en comparación con el de modulación
por varios pulsos de ancho constante; además esta modulación elimina las armónicas
menores o iguales a 2p-1. Por ejemplo para p=5 (5 pulsos), la LOH es la novena.
Vn/Vs p=5 DF(%)
1 1
DF 0,8
0,8
V1
0,6 0,6
0,4 0,4
V11=V13
0,2 0,2
V9=V15
01 0,8 0,6 0,4 0,2 0

Con la modulación PWM, podemos decir que las armónicas de la tensión de salida, son
trasladadas hacia las altas frecuencias, en torno a la frecuencia “fc” de conmutación y
sus múltiplos, es decir en torno a las armónicas mf, 2mf, 3mf, etc.
26
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Modulación por ancho de pulso modificada
En la modulación por ancho de los pulsos senoidal (SPWM), los anchos de los pulsos
más cercanos al pico de la onda senoidal no cambian mucho al variar el índice de
modulación. Esto se debe a las características propias de la onda senoidal. Esto se puede
modificar para que se aplique la onda portadora durante los primeros y últimos
intervalos de 60º por medio ciclo (de 0º a 60º y de 120º a 180º). Esta modulación por
ancho de pulso senoidal modificada (MSPWM), aumenta la componente fundamental, y
mejora sus características de armónica; además, reduce la cantidad de conmutación de
los dispositivos de potencia, reduciendo las perdidas por conmutación.
9
Ac v Señal portadora
Ar M=Ar/Ac
Señal de referencia
0 60º 120º П 240º 300º 2П wt
g1
g2 60º 120º П 240º 300º 2П wt
wt
Vn/Vs p=5 DF(%)
1 10
8
0,8
DF
V1
0,6 6
0,4 4
V3
0,2 2
V13
1 0,8 0,6 0,4 0,2
0 Índice de modulación M 0
27
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Control por desplazamiento de fase
Para entender esta forma de control, podemos interpretar que la tensión de salida del
inversor de puente completo, es el resultante de la suma de las tensiones de salida de
dos inversores de medio puente, desfasados 180º , como se muestra en las siguientes
graficas:
.
Vao
Vs/2 wt (a)
180º 360º
Vbo
wt (b)
-Vs/2
Vab
Vs
wt (c)
-Vs
Vbo
α
wt (d)
+Vs/2
-Vs/2
180º 360º
Vab
Vs
wt (e)
-Vs 180º 360º
Vab
+Vs
wt (f)
-Vs
α ( 180º-α) 180º 360º
En la grafica “a”, se observa la forma de la onda de la tensión de salida “Vao” del

medio puente con referencia de 0º. En la grafica “b”, la forma de onda de la tensión de
salida del otro medio puente, con un defasaje de 180º. En la grafica “c”, la suma de
ambas tensiones, que es la que le corresponde al inversor con puente completo. En la
grafica “d”, vemos la forma de onda del inversor que tenia un defasaje de 180º, pero
ahora, solamente tiene un defasaje de “αº”. En la grafica “. En la grafica “e” vemos el
resultado de la suma de ambos inversores, uno de ellos con defasaje de α grados.
28
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para lograr este desplazamiento, a la señal de compuerta “g1” del inversor de medio
puente, la desfasamos αº y la aplicamos a la compuerta “g2”
El voltaje de salida rms , aplicando la formula correspondiente, resulta:
___
Vo = Vs.√α/П
El voltaje instantáneo de la tensión de salida lo obtenemos aplicando series de Fourier a

las formas de ondas de las tensiones de los medios puentes con su defasaje
correspondiente para uno de ellos, y luego sumando ambos desarrollos y operando,
resulta:
∞
vab vao-vbo = ∑ (4Vs/nП).sen(nα/2). cosn(wt-α/2)
n=1,3,5…
El voltaje rms fundamental vale:
Vo1= (4Vs/√2).sen(α/2)
Si a la señal de compuerta g1 y g2 la retrasamos los ángulos α1=α y α2=(П-α),

logramos que el voltaje de salida tenga simetría de cuarto de onda, como se observa en
la grafica “f”, resultando el voltaje instantáneo de salida:
∞
vab vao-vbo = ∑ (4Vs/nП).cos(nα). sen(nwt)
n=1,3,5…
Los inversores con control por desplazamiento de fase, tienen aplicaciones con grandes
potencias donde requieren una gran cantidad de dispositivos interruptores conectados
en paralelo.
Técnicas avanzadas de modulación
La técnica SPWM, o sea la modulación por ancho de pulso sinusoidal, es la más

utilizada hasta el momento, pero presenta inconvenientes como por ejemplo el bajo
voltaje fundamental de salida. Existen otras técnicas que permiten un mejor
funcionamiento. Solamente mencionaremos estas técnicas, sin desarrollarlas.
Modulación trapezoidal
Modulación por escalera.
Modulación por pasos.
Modulación por inyección de armónicas.
Modulación delta.
Técnicas de Modulación utilizadas en inversores trifásicos
Detallaremos las más usadas solamente:

PWM sinusoidal.
PWM con tercera armónica.
PWM a 60º.
Modulación por vector espacial.
Estas técnicas, se pueden analizar en la bibliografía correspondiente.
29
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Otras técnicas utilizadas en los convertidores de cc a ca
Además de los procedimientos circuitales analizados para convertir de cc a ca, existen

otras técnicas que solamente las vamos a enumerar para conocimiento, sin entrar en
detalle y análisis de estos circuitos, por una razón de limitación de temas de la materia.
Estos inversores son: Los inversores de pulso resonante y los inversores multinivel
En los inversores de pulso resonante, la conmutación de los interruptores
semiconductores se realiza cuando el voltaje o corriente es cero. Para ello el voltaje y
corriente son forzados a pasar por cero mediante circuitos LC resonantes; de allí que
estos convertidores se les denomine “convertidores de pulso resonante”.
Los convertidores resonantes se pueden clasificar, en forma amplia en ocho tipos:
Inversores resonantes serie.
Inversores resonantes paralelo.
Convertidor resonante en clase E.
Rectificador resonante en clase E.
Convertidores resonantes por conmutación a voltaje cero (ZVS).
Convertidores resonantes por conmutación a corriente cero (ZCS).
Convertidores resonantes ZVS de dos cuadrantes.
Inversores de enlace resonante de cd.
El fundamento de los inversores multinivel, esta basado en sintetizar la onda alterna,
partiendo de una fuente de continua con varios niveles de voltaje, con aplicación de
estos voltajes a la carga, mediante interruptores semiconductores, en sucesión, a través
del periodo del voltaje alterno de salida. Tienen aplicaciones interesantes para alta
potencia y voltaje como por ejemplo para la compensación de potencia reactiva.
Estos inversores multinivel, se pueden clasificar en tres tipos:
Inversor multinivel con diodo fijador.
Inversor multinivel con capacitores volantes.
Inversor multinivel en cascada.
30
5-11 Convertidores de ca. a ca.
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CONVERTIDORES DE CORRIENTE ALTERNA A CORRIENTE ALTERNA
Introducción
Los convertidores de ca a ca, están destinados a controlar el flujo de potencia de

corriente alterna, mediante la variación del valor eficaz (rms) del voltaje de ca aplicado
a la carga. La frecuencia de salida de estos convertidores, es la misma que la frecuencia
del voltaje de entrada. A este tipo de convertidores, también se le suele llamar
“controladores de voltaje de ca”. Estos controladores de voltaje de ca tienen
aplicación en calefacción industrial, cambio de conexiones de transformadores con
carga, controles de alumbrado, control de velocidad de motores polifásicos de inducción
y controles de electroimanes.
En términos generales, se utilizan dos métodos para realizar el control del flujo de
potencia de ca, a saber:
1. Control de encendido y apagado

2. Control por ángulo de fase
En el control de “encendido y apagado” (también llamado control todo o nada), los

interruptores estáticos (tiristores) conectan la carga a la fuente de ca durante algunos
ciclos del voltaje de entrada y lo desconectan durante algunos otros ciclos. Los
controladores por ángulo de fase, los interruptores conectan la carga con la fuente de ca
durante una parte de cada ciclo del voltaje de entrada.
Los controladores de voltaje, los podemos clasificar, desde el punto de vista de los
circuitos utilizados en: a) Controladores monofásicos y b) Controladores trifásicos.
Ambos a su vez pueden subdividirse en controladores unidireccionales o de media onda
y en controladores bidireccionales o de onda completa. Dentro de los trifásicos,
tenemos varias configuraciones que dependen de las conexiones de los interruptores.
En gral, estos convertidores son relativamente sencillos, dados que son conmutados por
línea, con control por ángulo de fase, sin circuitos adicionales de conmutación. Trabajan
con baja frecuencia de conmutación, por lo que se utilizan tiristores (SCR) de baja
frecuencia de conmutación, lo que hace que estos convertidores sean de bajo costo.
El análisis de las formas de onda de estos convertidores resulta más complejo,
especialmente para el control por ángulo de fase con carga RL. Con la finalidad de
simplificar, analizaremos estos convertidores con carga resistiva; no obstante en los
diseños definitivos, deben tenerse en cuenta las cargas reales.
Control por encendido y apagado (todo o nada)
+ +
Vs Vo
- -
___________________________________________________________________ 1
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
El principio del control de encendido y apagado, lo podemos explicar con un

controlador de onda completa, como se muestra en la figura anterior. Los SCR se
conectan a la carga durante un tiempo “tn” y desconectan la carga, durante un tiempo
“tm”, como se muestra en el siguiente grafico:
Vs
tn=T.n tm=T.m
Vm
0 wt
Factor de potencia
_ T
FP
FP=√k
Vo
1
Vm io
0,8 io
0,6 0 wt
0,4
0,2
k Pulsos de disparo para T1
0 g1
0,2 0,4 0,6 0,8 1
0 wt
k: ciclo de trabajo
Pulsos de disparo para T2
k=tn/(tn+tm) g2
wt
0
El tiempo de activación “tn” suele consistir en una cantidad entera de ciclos. Los
tiristores se activan en “sincronismo” con los cruces por cero del voltaje de entrada de
ca. Este tipo de control se usa en aplicaciones con una gran inercia mecánica y alta
constante de tiempo térmico (control de velocidad de motores y calefacción industrial).
Debido a la conmutación a voltaje y corriente cero de los tiristores, las armónicas
generadas por la conmutación, se reducen notablemente.
Para un voltaje senoidal de entrada vs = Vm.sen wt = √2.Vs.sen wt, con una conexión
de “n” ciclos y desconexión de “m” ciclos, el voltaje eficaz (rms) sobre la carga lo
podemos determinar como:
2П 1/2
Vo = [n/2П.(n+m)∫0 2.Vs .sen wt.d(wt]
2 2
____ _
Vo = Vs.√n / (n+m) = Vs.√k
El valor de k=n/(n+m) se llama “ciclo de trabajo”. Las configuraciones de los circuitos

para el control de encendido y apagado son similares a las de control de fase; de la
misma manera respecto al análisis de rendimiento de ambos métodos.
Si “T” es el periodo del voltaje de entrada, (n+m).T es el periodo de control de
encendido y apagado, y debe ser menor a la constante mecánica o térmica de la carga.
___________________________________________________________________ 2
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
El valor de T siempre es menor a 1seg, y la suma de n+m esta en alrededor de 100. La
formula anterior no tiene validez para periodos de horas o días.
Control de ca por ángulo de fase
Este método, consiste en controlar el flujo de potencia, retrasando el ángulo de disparo

de los interruptores (tiristores). La siguiente figura, nos muestra un circuito de control
que solamente utiliza un tiristor T1 para controlar solamente un semiciclo, el otro
semiciclo, no tiene control debido a que el diodo conduce los 180º.
Vs
Vm
wt
0
П 2П 3П
Vo,io
+ +
Vs Vo 0 wt
- -
α : ángulo de 2П+α
retraso
Pulso de disparo de T1
g1
0 wt
Debido al diodo D1, el intervalo de control de la tensión eficaz de salida, se puede

variar entre 70,7 y 100 %. El voltaje y la corriente de salida son asimétricos y tienen
componente de continua que podría provocar saturación en el circuito magnético del
transformador.
El voltaje eficaz y promedio de la tensión de salida se determinan por las siguientes
expresiones:
1/2
Vo=Vs [1/2П(2П-α+((sen 2α)/2)]
Vdc= (√2.Vs/2П).(cosα -1)
Este tipo de control solamente se aplica en casos particulares de baja potencia donde se
requiera controlar en forma parcial, la potencia eléctrica entre el 50% y 100%.
Control por fase bidireccional.
Con éste método, podemos controlar el flujo de potencia en ambos semiciclos y a su vez
eliminar la componente de corriente continua, que presentaba, el caso anterior. La
siguiente figura muestra el circuito principal de conversión junto a las graficas de los
voltajes y corrientes que involucrados.
___________________________________________________________________ 3
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
Vs
Vm
wt
0
П 2П 3П
α1=П+α1 : ángulo retraso T2

Vo,io
+ +
Vs Vo
- - 0 wt
α1 : ángulo de
retraso T1
g1
0 wt
g2
wt
0
Como se puede observar, se colocaron dos tiristores, T1 y T2, para controlar el flujo de
potencia, tanto en el semiciclo positivo como en el negativo, respectivamente. Los
pulsos de disparo de T1 y T2, para los distintos retrasos en la conducción, se mantienen
separados 180º. _
Si la tensión de entrada vale: vs = √2.Vs.senwt y si disparamos a T1 con un retraso
“α=α1” y a T2 con un retraso “α2=П+α1, el voltaje eficaz sobre la carga lo podemos
calcular de la siguiente manera:
П
1/2 1/2
Vo = [2/(2П).∫α 2.Vs2.sen2wt dwt] = Vs.[(1/П).(П-α+((sen2α)/2)]
Como vemos en la formula, la tensión eficaz sobre la carga la podemos variar desde
cero a Vs, variando el ángulo “α” desde П a cero, respectivamente.
Para generar los pulsos de disparo y trabajar “sincrónicamente” con el voltaje de
entrada, debemos realizar la siguiente secuencia de disparo:
1) Detectar con un circuito especial, el cruce por cero del voltaje de entrada y
generar un pulso de sincronismo de referencia.
2) Tomando como referencia el pulso de sincronismo de cruce por cero, retrasar un
ángulo “α1” el pulso de disparo del tiristor T1.
3) Generar otro pulso de disparo con un retraso α2=П+α1 para disparar al tiristor
T2.
Esta secuencia, se debe cumplir tanto si el sistema de control de pulsos esta
materializado con circuitos analógicos o por medio de sistemas programables (por
ejemplo un microcontrolador). Para los sistemas programables, el pulso de sincronismo
se obtiene de un circuito analógico, que luego el programa de control se encarga de
detectarlo, para luego con temporizaciones con instrucciones internas, generar los
___________________________________________________________________ 4
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
“tiempos” para generar los pulsos para disparar a los tiristores. Para este ultimo caso,
los generadores de pulsos son circuitos especiales.
Controlador de ca monofásico con cátodo común
Los circuitos de disparo de los tiristores T1 y T2 del caso anterior, deben aislarse para
poder ingresar los pulsos entre la compuerta y el cátodo. Es posible tener un cátodo
común para T1 y T2 agregando dos diodos como se ilustra en la siguiente figura:
is io
+ +
vs vo
- -
El tiristor T1 y el diodo D1 conducen al mismo tiempo, durante el semiciclo positivo y

el tiristor T2 y el diodo D2, lo hacen durante el semiciclo negativo. La ventaja de este
circuito, respecto al anterior deriva del hecho que al tener cátodo común T1 y T2,
necesitamos un solo circuito de aislamiento, pero a expensas de dos diodos de potencia,
que reducen la eficiencia del circuito, por el aumento de las perdidas por conducción.
Controlador de ca monofásico con un tiristor o un transistor
Es posible realizar el control de potencia en ambos semiciclos, utilizando un solo tiristor

(puede ser también un transistor, como un IGBT), si lo conectamos con cuatro diodos,
como muestra la figura siguiente:
Vs
Vm
П 2П 3П wt
0
α
vo
is io Vm
+ iT1 +
wt
0
vs vo α+П
- - iT1
Vm/RL
wt
0
g1
wt
0
___________________________________________________________________ 5
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
En este caso los cuatro diodos funcionan como un puente rectificador, de manera tal que
en ambos semiciclos, el tiristor siempre esta polarizado en directo, resultando la
corriente por T1 unidireccional. Actualmente se dispone en el comercio el puente
rectificador con el tiristor, como un solo conjunto o dispositivo “interruptor de ca”, con
bajas perdidas, respecto a su conexión en forma discreta.
Controladores monofásicos con cargas inductivas
Con carga resistiva la corriente del tiristor se hace cero en el cruce con cero del voltaje
de entrada. Con carga inductiva, la corriente del tiristor sigue conduciendo mas allá del
cruce con cero y si no se toman medidas al respecto, se puede perder el control de la
potencia convertida. El siguiente grafico, nos muestra un controlador de ca con carga
RL, donde se observa que la corriente del tiristor T1, se extingue más allá del cruce con
cero de la tensión de entrada. Vemos que se lo dispara en el ángulo “α” y se apaga en el
ángulo “β > П”. Esto, es consecuencia de la FEM de la inductancia “L”, de la carga, que
hace que el tiristor siga polarizado en directo, aun cuando la tensión de entrada sea
negativa.
Vs
Vm
wt
0
П 2П 3П
α1=П+α1: ángulo retraso T2

iT1
g1
0 wt wt
0
g2 α П П+α 2П
α1 : angulo de retraso T1
0 wt
Disparo pulsos continuos para carga inductiva β ángulo de extinción de T1
g1 Pulso de disparo de T1
g1 wt
0
0 wt g2
g2
0 wt 0
Disparo tren de pulsos para carga inductiva
Las señales de disparo de los tiristores pueden ser pulsos de corta duración para carga
resistiva. Sin embargo, para carga inductiva, los pulsos cortos no son adecuados. En
primer lugar, la corriente del tiristor cuando se enciende, crece lentamente y puede
ocurrir que no alcance al valor mínimo de la corriente de enganche, con un pulso de
corta duración. Por otra parte puede ocurrir que para un determinado valor de retraso del
ángulo de conducción “α” (por ejemplo T1) y de la constante de carga RL, el ángulo de
apagado (T1), sea mayor al ángulo de inicio de conducción del otro tiristor, o sea T2
(β>П+α). Para este caso, el tiristor que tiene que empezar a conducir en П+α, todavía
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tiene polarización inversa entre ánodo y cátodo; cuando recibe su pulso de disparo, el
tiristor no se activa. El resultado es que solo funciona un tiristor y causa formas de onda
de voltaje y corriente, asimétricas en la carga. Para evitar los inconvenientes
mencionados, resulta conveniente disparar a los tiristores con un pulso continuo, con
una duración П-α, como se observa en el grafico anterior, para pulsos continuos. Sin
embargo, un pulso continuo de compuerta, aumenta la pérdida de los tiristores por
conmutación, y requiere un transformador de aislamiento más grande para el circuito de
disparo. En la práctica, se suele usar un tren de pulsos de corta duración como se
muestra en el grafico anterior.
En lo que respecta a los valores de corrientes y tensiones del circuito, no lo vamos a
deducir; para esta información remitirse a la bibliografía. Mencionaremos como hecho
importante que la corriente en la carga puede ser continua o discontinua, dependiendo
de los valores de “α” y del ángulo de carga “θ=tan-1(wL/R).
Controladores trifásicos de onda completa
iA ia
+
+
VAN van
~ - R
- VBN + R -
N ib n
~ -
+ vbn -
~ VCN
-
vcn
+ R
+
ic
Este control, se utiliza para cargas trifásicas, como por ejemplo, los arrancadores de
motores de ca de mediana potencia. El análisis de la conducción de los tiristores
depende del ángulo de retraso “α”, considerando a este valor el retraso de conducción de
uno de los tiristores conectados a una de las tensiones de fase, considerado de
referencia. Por ejemplo si tomamos como referencia a la fase VAN, la secuencia de
disparo es T1, T2, T3, T4, T5, T6. El análisis de las graficas (ver bibliografía)
demuestran que para 0 ≤ α < 60º, las condiciones de conducción se alternan entre dos y
tres tiristores. Para 60º ≤ α < 90º, solo hay dos tiristores que conducen en cualquier
momento. Para 90º ≤ α < 150º, aunque dos tiristores conducen en cualquier momento,
hay intervalos en los que no hay tiristores conduciendo. Cuando α >150º, no hay
periodo durante el cual dos tiristores conduzcan y el voltaje de salida se vuelve cero a
partir de α =150º. La secuencia de disparo de los tiristores, es la siguiente:
1- Generar una señal de pulso en el cruce por cero del voltaje positivo de fase VAN.
2- Retardar los pulsos de disparo los ángulos α, α+(2/3)П, α+(4/3).П, para los
tiristores T1, T3, T5.
3- Retardar los pulsos de disparo los ángulos α+П, α+(5/3)П, α+(7/3).П, para los
tiristores T2, T4, T6.
___________________________________________________________________ 7
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CICLOCONVERTIDORES
Introducción
Los controladores de voltaje de ca, analizados hasta aquí, proporcionan un voltaje

eficaz de salida variable, pero la frecuencia se mantiene constante. Otro
inconveniente de estos convertidores, es el alto contenido de armónicas
especialmente con valores bajos de voltaje. Por otra parte, existen aplicaciones para
los convertidores de ca en donde además de la exigencia de variar el voltaje de
salida, también es necesario variar la frecuencia. Por ejemplo para variar la
velocidad de los motores de ca, una de las variables del control, es la frecuencia del
voltaje de alimentación. Se puede obtener un voltaje eficaz variable, con una
frecuencia variable, mediante conversiones en dos etapas: Una primera conversión
de ca de frecuencia constante en voltaje continuo variable, mediante rectificador
controlado. La segunda conversión, el voltaje continuo variable a la salida del
rectificador, se lo convierte en voltaje de alterna, con frecuencia variable, mediante
un inversor. También se puede utilizar la combinación de un rectificador no
controlado con un inversor con modulación por ancho del pulso, en sus distintas
variantes.
Con los cicloconvertidores, es posible eliminar la necesidad de uno o mas
convertidores intermedios. Un ciclo convertidor es un cambiador directo de
frecuencias, que convierte corriente alterna con una determinada frecuencia, en
corriente alterna con otra frecuencia, en una conversión ca a ca sin un enlace
intermedio de conexión.
La mayor parte de los cicloconvertidores tienen conmutación natural, y la frecuencia
máxima de salida se limita a un valor que solo es una fracción de la frecuencia de la
fuente. En consecuencia, las aplicaciones principales de los cicloconvertidores son
en excitadores de motores de ca de velocidad, hasta 15.000 KW, con frecuencias de
0 a 20 Hz
Con el desarrollo de las técnicas de conversión de potencia eléctrica, y los métodos
modernos de control con microprocesadores, los excitadores de motores de ca
alimentados con rectificador-inversor, están ganando terreno sobre los excitadores
alimentados por cicloconvertidor, especialmente en las potencias bajas y medias.
Sin embargo los adelantos recientes en conmutación rápida de dispositivos de
potencia, con conmutación forzada y la aplicación también de sistemas
programables de control, con microprocesador, han permitido sintetizar e
implementar estrategias avanzadas de conversión para los cicloconvertidores. Estas
estrategias, optimizan la eficiencia y reducen el contenido de armónicas de estos
convertidores directos de frecuencia, haciéndolos competitivos con los de doble
conversión, en determinados rangos de potencia y frecuencia.
Estos cicloconvertidores con conmutación forzada, se les denomina con la
abreviatura FCDFC (force-commutated direct-frecuency changer).
___________________________________________________________________ 8
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Principio de funcionamiento de los cicloconvertidores monofásicos
is iN
Convertidor P convertidor N
iP
+ -
Vo1 Vo2
- +
Vs П 2П 3П 4П 5П wt
Vm
fs=60 Hz
Vo
α
0 wt
To/2 fo = 20 Hz
Convertidor P activo wt
Convertidor N activo wt
g1,g2
wt
g3,g4
wt
g1’,g2’
wt
g3’,g4’
wt
___________________________________________________________________ 9
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
El principio de funcionamiento de los cicloconvertidores monofásicos/monofásicos
Lo podemos observar en la figura anterior. Como vemos tenemos dos rectificadores
controlados en puente T1, T2, T3, T4 y T1’, T2’, T3’ T4’, con sus salidas
conectadas en extremos opuestos de la carga, para suministrar voltajes en oposición.
Durante el primer periodo (To/2) de la frecuencia de salida, solamente esta activo el
primer rectificador controlado, suministrando una tensión positiva a la carga.
Durante el segundo periodo, se desactiva el primer rectificador y se activa el
segundo, suministrando una tensión negativa a la carga. Los pulsos de disparo a los
tiristores, se realizan de tal manera que ambos rectificadores suministren el mismo
voltaje pero en oposición, por la forma como están conectados. Vo1 = -Vo2.
Cicloconvertidores trifásicos
VAB VBC VCA fs = 60 Hz
wt
wt
To/2 fo = 12 Hz
___________________________________________________________________ 10
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El esquema anterior muestra un ciclo convertidor trifásico / monofásico. Para ello se
utiliza dos rectificadores controlados conectados en oposición, en los extremos de la
carga. La síntesis de la forma de onda corresponde para una frecuencia de salida de
12 Hz, para una frecuencia de la tensión trifásica de 60 Hz. El rectificador
controlado positivo, cuando esta activado, suministra el semiciclo positivo de la
tensión de salida, mientras que el otro, suministra el semiciclo negativo.
Para el control de grandes motores de ca, se requiere un voltaje de alimentación
trifásico con frecuencia variable. Para ello, el cicloconvertidor anterior se puede
ampliar para dar una salida trifásica, teniendo mediante 6 rectificadores controlados.
Si utilizamos rectificadores controlados trifásicos de media onda, se requerirán 18
tiristores y si utilizamos rectificadores controlados en puente, necesitaremos 36
tiristores. La estrategia de control deberá ser tal que en cada fase se suministre una
tensión alterna sin componente continua y a su vez el defasaje entre fases sea de
120º.
La siguiente figura muestra un esquema simplificado de un cicloconvertidor
trifásico /trifásico:
Fuente trifásica
P P P
N N N
Carga Carga Carga

Fase a Fase b Fase c
A
B
C
Convertidor
Fase “a”
P N con rectificador
trifásico media
onda
___________________________________________________________________ 11
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Controladores de voltaje de ca con control PWM
Los controladores de voltaje de ca, con tiristores con conmutación natural,

introducen armónicas de orden menor tanto del lado de la carga como del lado sel
suministro; además, tienen bajo factor de potencia (FP). Estos inconvenientes
pueden mejorarse mediante un control por modulación por ancho de pulso (PWM).
El siguiente circuito, muestra un control PWM monofásico para ca, donde los
interruptores S1, S2, S1’y S2’, representan tiristores con activación desactivación
por pulsos.
+
Vo
_
Vo
П 2П wt
0
Io
θ
wt
0
S1
0 wt
S2
wt
0
S1’
0 wt
S2’
0 wt
___________________________________________________________________ 12
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Los interruptores S1 y S2 se activan y desactivan varias veces durante los medios
ciclos positivo y negativo, del voltaje de entrada, respectivamente. Los interruptores
S1’ y S2’ actúan como “diodos volante”, proporcionando las trayectorias de corrida
libre para la corriente de carga, cuando esta ultima presenta parte inductiva. Esta
situación se presenta cuando S1 y S2 están desactivados. La conducción de los
interruptores S1’ y S2’ transfieren la energía magnética acumulada en la inductancia
de carga a la carga R, evitando también que aparezcan altos voltajes inversos sobre
los interruptores principales. Cuando se activa y desactiva S1, durante el semiciclo
positivo, El interruptor S1’ queda conectado todo el tiempo y el interruptor S2’
desconectado. Durante el semiciclo negativo, S2 se activa y desactiva, con S2’
conectado y S1’ desconectado, según se muestra en las señales de disparo de la
grafica anterior.
Para una carga resistiva, la forma de la corriente de la carga, es similar al del voltaje
de salida. Para carga con componente inductivo, tipo RL, l corriente en la carga
aumenta en dirección positiva o negativa, cuando se activan S1 y S2
respectivamente. De igual modo, la corriente en la carga decrece cuando están
activos S1’ y S2’ y S1 y S2 están desactivados respectivamente.
Los diodos, conectados al circuito, disminuyen los voltajes inversos sobre los
interruptores.
Una de las ventajas de convertidor de ca con PWM, es producir un voltaje variable
de alterna con un factor de potencia superior al sistema clásico.
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INTERRUPTORES ESTATICOS
Introducción
Estos dispositivos fueron diseñados con la finalidad de reemplazar a los clásicos

interruptores de corriente mecánicos y electromecánicos. Aprovechando las
características funcionales de los tiristores y los transistores, se aplican estos
dispositivos para el uso como interruptores de corriente.
Los interruptores estáticos tienen ventajas, frente a los clásicos, como ser alta velocidad
de activación y desactivación (algunos microsegundos), no tienen partes móviles y no
hay rebotes en el contacto al cerrar.
Además de las ventajas mencionadas, los interruptores estáticos (o electrónicos), se los
puede diseñar con determinadas funciones lógicas, necesarias en sus aplicaciones
(automatismos o mandos), como ser “retardos”, “retención”, detección etc., tanto para
corrientes como voltajes.
Los interruptores estáticos se pueden clasificar en interruptores para corriente alterna e
interruptores para corriente continua. Los interruptores de ca, pueden ser monofasicos o
trifásicos. Estos últimos también podemos clasificarlos en asincrónicos y sincrónicos,
en relación al inicio de su activación, con respecto al cruce con cero, del voltaje de
trabajo.
Normalmente los interruptores de ca tienen conmutación de línea o natural, y la
velocidad de conmutación esta limitada por la frecuencia de la fuente de alimentación
de ca y la velocidad de conmutación de los tiristores.
Los interruptores para corriente continua, tienen conmutación forzada y la velocidad de
conmutación depende de los tiempos de activación y desactivación de los dispositivos
semiconductores.
INTERRUPTORES DE CORRIENTE ALTERNA
Estos dispositivos conmutan potencia eléctrica de manera “todo o nada”, reemplazando

a los interruptores mecánicos y contactores electromecánicos. Pueden ser como dijimos
monofasicos o trifásicos. Son circuitos similares a los controladores de ca, con la
diferencia que el ángulo de encendido o activación se realiza en cada ciclo en α = 0º, o
sea en el cruce por cero del voltaje de entrada, para carga resistiva, y en el cruce por
cero de la corriente, para carga inductiva.
Interruptores estáticos de ca monofásicos
io
io io io
+ + + +
vs vo vs vo
- - - -
___________________________________________________________________ 1
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
La figura anterior muestra dos circuitos que realizan la misma función, con la diferencia
que segundo circuito los tiristores tienen cátodo común, y las señales de disparo tienen
terminal común. En ambos casos, el tiristor T1 se dispara en el inicio del semiciclo
positivo de la tensión de entrada, para carga resistiva, o la corriente de entrada, para
carga inductiva. Para el semiciclo negativo de la tensión o corriente, se activa el tiristor
T2. Las siguientes graficas, muestran los momentos de disparo de los tiristores para
ambos tipos de carga:
Vs
Vs
Vm
Vm
П 2П wt П 2П wt
0
0
Vo
Vo
Vm
Vm
wt wt
0
0
Io
Io
Vm/|ZL|
Vm/RL θ θ
wt
0 wt
g1
g1
wt wt
0
0
g2
g2
0 wt wt
0
Formas de ondas para carga resistiva Formas de ondas para carga inductiva
Si las condiciones de tensión y corriente lo permiten, los dos tiristores pueden ser
reemplazados por un triac como lo muestra el próximo circuito. En este caso el TRIAC
se dispara también en los cruces por cero, con un pulso positivo en la compuerta,
respecto al terminal T1, en el inicio del semiciclo positivo (Vgt1) y un pulso negativo
para el inicio del semiciclo negativo. (Para cargas inductivas, trenes de pulso).
___________________________________________________________________ 2
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Is io
+
vs +
- vo
-
Un puente rectificador de diodos, con un tiristor o un transistor, como se muestra en la

siguiente figura, pueden realizar la misma función que los casos anteriores. A este
conjunto de dispositivos semiconductores, se le denomina “interruptor bidireccional”.
+ +
vs vo
- -
Durante el semiciclo positivo de la tensión de entrada, la corriente circula hacia la carga,

a través de D1, T1, y D2. Durante el semiciclo negativo, la corriente se invierte en la
carga, circulando por D3, T1 y D4. Como vemos la corriente del tiristor (o transistor) es
unidireccional
Interruptores trifásicos
iT1
iA ia
+
+
VAN van
~ - R
- VBN + R -
N ib n
~ -
+ vbn -
~ VCN
-
vcn
+ R
+
ic
___________________________________________________________________ 3
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Conectando tres interruptores monofasicos, como se muestra en la figura anterior,
formamos un interruptor trifásico, que permite alimentar una carga en estrella o en
triangulo. En este caso, las señales de disparo de los tiristores, se muestra en la siguiente
figura:
V Vab Vbc Vca Vab Vbc Vca
0 wt
g1
0 wt
g2
wt
0
g3
wt
0
g6
wt
0
g5
wt
0
g4
0 wt
iT1
wt
0
Para reducir la cantidad y costos de los tiristores, se puede usar en cada fase un diodo y
un tiristor, siendo el efecto similar. La diferencia esta cuando se quiere detener el flujo
de corriente donde para el caso de dos tiristores por fase se tarda a lo sumo 10 ms
(medio ciclo) para una frecuencia de alimentación de 50 Hz; utilizando diodo y tiristor
se tarda el doble o sea 20 ms(1 ciclo completo), resultando mas lento.
___________________________________________________________________ 4
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Interruptores con inversión de potencia
Se puede tener inversión de la potencia trifásica suministrada a una carga (inversión del
sentido de giro para un motor trifásico de ca), agregando dos interruptores monofasicos
al interruptor trifásico. Estos interruptores monofasicos se agregan a dos fases de
manera tal de intercambiar el flujo de potencia, en los bornes de la carga. Para esta
aplicación, todos los interruptores deben ser tiristores. En la figura siguiente, para un
determinado flujo de potencia, por ejemplo el interruptor trifásico funciona, activando
los tiristores T1, T2, T3, T4, T5, y T6. En la inversión, se activan T1, T4, T7, T8, T8 y
T10.
Interruptores para transferencia de canal de alimentación
Los interruptores estáticos se pueden usar como dispositivos para transferir canales de
alimentación de energía eléctrica a una carga, de forma alternativa. Por ejemplo si la
fuente normal de alimentación a la carga proviene de V1, ante la no disponibilidad de
esta fuente por inconvenientes en su alimentación primaria, falla de la propia fuente o
suministro con bajo voltaje, mediante la configuración mostrada en la figura, es posible
desconectar la fuente normal (V1) y conectar la fuente alternativa (V2). Esta
transferencia de energía, ante uno de los inconvenientes mencionados, se puede realizar
en un tiempo muy breve, del orden del periodo de las tensiones de alimentación.
También es posible realizar esta configuración de circuito, para alimentación trifásica.
+ + +
V1 Vo V2
_ _ _
___________________________________________________________________ 5
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
INTERRUPTORES ESTATICOS PARA CORRIENTE CONTINUA
Los interruptores de corriente continua tienen la capacidad de conectar y desconectar

cargas que tienen suministro de tensiones de alimentación continuas. Los
semiconductores que se utilizan como interruptores, pueden ser transistores de potencia
bipolares tipo NPN, MOSFET de potencia o IGBT. También se pueden utilizar
tiristores como los SCR de conmutación rápida y GTO.
+ +
ZL
Vcc D1 Vcc
I1
T
Circuito de
+ + apagado
Vbe Q Vg
I2
- - - -
Circuito 1 circuito 2
+ +
Vcc Vcc
+
I1 C
+ Vg
Vg I2
- - - -
Circuito 3 circuito 4
Carga Z
+
E D
control
VDD +
Señal lógica S
de
control
- -
Circuito 5
El circuito Nº1, es un interruptor con transistor bipolar NPN, conectando una carga con
componente inductiva. Para este tipo de carga, es necesario conecta un diodo en
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antiparalelo, para suministrar un camino a la energía almacenada en la inductancia L
para proteger al transistor de voltajes transitorios, durante la desactivación.
El circuito Nº2, es un interruptor de corriente continua, basado en un tiristor tipo SCR

de conmutación rápida. En este caso cuando el SCR se activa con polarización directa,
no tenemos control para su desactivación, dado que la tensión de alimentación no
cambia de polaridad, como el caso cuando se lo utiliza en ca, que se desactiva en el
comienzo del semiciclo negativo (apagado por conmutación natural).Para tener control
en la desactivación, necesitamos incorporarle un circuito de apagado, también llamado
“circuito de conmutación forzosa”. Tenemos una diversidad de circuitos de apagado.
El circuito Nº3, nos muestra, a modo de ejemplo, uno de los varios circuitos de
conmutación forzosa para el apagado del SCR. En este circuito, el SCR se activa cuando
cerramos el interruptor “I1”(este, puede ser un transistor). Durante la activación, el
capacitor C, se carga prácticamente al valor de la tensión de alimentación “Vcc”, a
través de la resistencia R2 y el propio tiristor T1. Cuando queremos desactivar a T1,
entonces cerramos el interruptor I2 y activamos el SCR T2, aplicándole a T1 el voltaje
negativo del capacitor.
Con una tensión negativa en los extremos de T1, hace que su corriente disminuya por
debajo de la mínima de mantenimiento, haciendo que T1 se desactive. Por otra parte T2
que se había activado durante el cierre de I2, no puede mantenerse en estado activo dado
que la resistencia R2, se elige para que la corriente en este tiristor, no llegue al valor
mínimo de retención.
El circuito Nº4, se muestra un interruptor de continua, realizado con un tiristor GTO.

Como vemos es este caso no necesitamos un circuito auxiliar de conmutación, dado que
el GTO se activa con un pulso positivo aplicado entre la compuerta y cátodo, y se
desactiva con un pulso negativo aplicado en los mismos terminales.
El circuito Nº5, representa un interruptor realizado con transistor MOSFET, canal N,

con sus funciones internas de control y protección. Estos interruptores, se suministran
comercialmente como un solo modulo con tres terminales: D(drenaje), para conectar la
carga, S(surtidor o fuente), para conectar al negativo de la alimentación y E (entrada),
donde se aplica el voltaje para la activación y desactivación.
Interruptores inteligentes de potencia
El avance de la microelectrónica, con el aporte de los circuitos integrados de alta

densidad de integración, cada vez tiene más aplicaciones en las tecnologías de
automatización, lo cual exigen un mayor rendimiento a los interruptores estáticos de
potencia. En muchas aplicaciones esos requisitos exigidos por estos sistemas, no pueden
satisfacerse con los interruptores electromecánicos convencionales. Existen en el
mercado, una variedad de interruptores estáticos con funciones incorporadas en un solo
bloque semiconductor, lo cual se los denomina “interruptores inteligentes de potencia”.
Esta funciones, son muy variadas, y entre ellas podemos mencionar: la protección por
sobrevoltaje, limitación de corriente, protección de la compuerta del interruptor
propiamente dicho, sensor del voltaje de entrada, sensor de temperatura interna,
detección de circuito abierto, detección de cortocircuito, y otras mas.
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A modo de ejemplo, mostramos en la siguiente figura, el esquema de bloques funcional,
de un interruptor inteligente de potencia, comercializado por una empresa importante,
sin realizar comentarios.
+VDD 3
Fuente Protección Limitador Protección de

de de de compuerta D
voltaje sobrevoltaje corriente
Vlògico
S
Salida 5
Bomba de carga Limite para
desplazador de cargas induc. no
Sensor de
nivel de para sujetas a un c
rectificador nivel temperatura
a
r
Detección g
2 ENT circuito
Circuito
abierto
a
de Circuito
entrada de
activador lógica
3 ST
Detección
Masa
cortocircuito
de la
carga
1 Masa de la señal
RELEVADORES DE ESTADO SÓLIDO
Los relevadores de estado sólido, comúnmente llamados “relés estáticos”, son

interruptores estáticos de pequeña potencia. Se usan en muchas aplicaciones, en
controles industriales como control de cargas de motores, transformadores, calefacción
por resistencias, etc. Para aplicaciones con ca se pueden usar tiristores como pueden ser
los SCR o los TRIAC y para aplicaciones con tensiones continuas, se usan transistores.
En gral, en los relés estáticos, se aísla el circuito de control y el circuito de carga
mediante un relevador tipo “reed” (también llamado relé de lengüeta), un
transformador de pulsos cortos, o un elemento optoacoplador.
El relé de lengüeta, básicamente consiste en dos láminas de metal que cumplen la
misión de contactos, ubicadas generalmente en una ampolla de vidrio, con terminales
exteriores. Envolviendo a esta capsula de vidrio se encuentra el bobinado de excitación.
Cuando se hace pasar corriente cc sobre este bobinado, se genera en el interior de la
capsula un flujo magnético que hace que las laminas se orienten en la dilección del
___________________________________________________________________ 8
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
campo magnético, haciendo que se toquen las láminas, cerrando el circuito de disparo.
La próxima figura muestra el esquema del relevador de lengüeta
ooooooooooooooooooooooo Bobinado de excitación
Ampolla de vidrio
Terminal exterior
Contacto de láminas
oooooooooooooooo00oo
Los transformadores de pulsos, son transformadores magnéticos especiales, que
permiten reproducir en el bobinado secundario, pulsos de voltaje de muy corta duración.
Estos transformadores, exigen núcleos de hierro con gran permeabilidad, como son las
aleaciones especiales “Hipersil”, “permalloy” o “Ferrites”. En gral la relación de
transformación de los transformadores de pulso es 1:1
Los Optoacopladores son circuitos semiconductores que disponen del lado de

excitación o control, de una fuente de radiación luminosa, usualmente un diodo emisor
de luz tipo Leds; del lado de la salida se dispone de un dispositivo detector de luz como
puede ser un fototransistor, fotodarlington o fototiristor. Ambos, están acoplados
mediante un dieléctrico transparente. De esta manera, el circuito de disparo o de control,
se conecta a la puerta del tiristor o transistor, asegurando una aislamiento eléctrica entre
el circuito de la carga (de alta tensión), con el circuito de disparo o control (de bajo
voltaje).
Conexión al Conexión a la
circuito de compuerta de
disparo o de activación
control del interruptor
Tipos
HP24 6000 v aislamiento
HP23 aplicación con fibras ópticas Aislamiento
HP22 10 a 15 Kv de aislamiento transparente
Ejemplo de aplicaciones
Relé de
Trafo de pulsos lengueta
Circuito Circuito
disparo disparo
Circuito 1
Circuito 1 Circuito 2
El circuito Nº1 muestra el esquema de un circuito relevador que puede utilizarse para
control o como interruptor para corriente alterna. En este caso, se utiliza un TRIAC
como interruptor con transformador de pulsos, para aislar el circuito de disparo respecto
___________________________________________________________________ 9
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
al circuito de la carga. El circuito de disparo, utiliza la misma fuente de alimentación
que la carga, y se conecta en los extremos del TRIAC, por un lado para sincronizar los
disparos en cada semiciclo y a vez asegurar que no se produzcan disparos posteriores,
una vez activado.
En circuito Nº2, es similar al anterior con la diferencia que utiliza “un relé de lengüeta”
y alimentación independiente para el circuito de disparo.
Relevadores interruptores tipo todo o nada asincrónicos
Estos interruptores de pequeña potencia, permiten o interrumpen el flujo total de

potencia alterna hacia la carga. No tienen sincronismo con el cruce por cero de la
tensión de alimentación de la carga. Si en el momento de conectarla, el voltaje se
encuentra en un valor alto, puede provocar una interferencia electromagnética, que
podría afectar a sistemas electrónicos vecinos. Veamos un circuito sencillo con
dispositivos conocidos, a modo de ejemplo:
Conexión
a la carga
Entrada
logica de
control
“ve”
Voltaje de
Vs alimentación
Vp
Pulsos de
disparo
0 wt
П 2П 3П
Vac
Voltaje en los
extremos del
0 SCR wt
VL
Voltaje en la
carga
wt
to to: tiempo de Voltaje de entrada

Ve activación del Para activar el
relevador relevador
0
wt
___________________________________________________________________ 10
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Cuando la entrada lógica de control “Ve” toma un estado alto, el oscilador de relajación
comienza a oscilar, generando pulsos de disparo de alta frecuencia (en relación a la
frecuencia de la tensión de alimentación de la carga). De esta forma, se proporciona
una secuencia de pulsos rápidos a la compuerta del SCR, disparándolo en cada
semiciclo, dado que el voltaje de sus extremos proviene del puente de diodos formado
por D1, D2, D3, D4. La corriente en la carga, circula en ambos sentidos.
La tensión de control “Ve” puede provenir de un suministro de voltaje de un sistema
lógico discreto, integrado cableado o microcontrolador). Cuando este voltaje esta en un
nivel bajo, el capacitor “C” no llega a cargarse a la tensión de disparo del UJT, lo cual
no se generan pulsos de disparo, y el SCR esta inactivo. Cuando “Ve” pasa a un estado
alto el capacitor comienza cargarse, con una constante de carga “R.C”, hasta la tensión
de disparo del UJT, generando pulsos de disparo, activándose el SCR. El periodo de
disparo, esta dado aprox. Por T= R.C. Si R: 10 KΩ y C=0,1 µF, resulta T = 1 ms y si la
frecuencia de red es de 50 c/seg. Entonces se generaran 10 pulsos por cada periodo de la
tensión de alimentación de la carga, lo cual hace que el máximo retardo a la activación
del SCR, sea de 1 ms.
Como se observa en el grafico, este relevador, es asincrónico en el inicio de su
activación, pero entrega a la carga, ciclos enteros de potencia eléctrica.
Circuito relevador estático con optoacoplador Diac y Triac
+
Señal de
Control
Ve
En este circuito, el DIAC genera los pulsos de disparo positivos para el TRIAC, en los
semiciclos positivos, y genera los pulsos de disparo negativos, en los semiciclos
negativos. Estos pulsos se podrán generar siempre y cuando se permita cargar al
capacitor “C”, a través de R, al valor de la tensión de disparo del DIAC. En este caso, el
circuito de control, actúa sobre este capacitor controlando su carga. Si la señal de
control tiene un valor bajo, el diodo Led no ilumina al fototransistor y éste se mantiene
abierto. Esta situación permite la carga del capacitor, generando los pulsos para disparar
en cada semiciclo al TRIAC. En cambio si tenemos una señal alta de control, el diodo
Led ilumina al fototransistor y este conduce, presentado un camino de baja impedancia,
en paralelo con el capacitor, no permitiendo su carga y con ello no se generan los pulsos
de disparo al TRIAC. En este caso, no se entrega potencia a la carga. El camino de baja
impedancia para el semiciclo positivo esta dado por D1, fototransistor y D2. Para el
semiciclo negativo esta dado por D3, fototransistor y D4.
Resumiendo, cuando tenemos señal de control, no se entrega potencia a la carga.
Cuando no tenemos señal de control, entregamos potencia a la carga, o sea éste
relevador estático, se activa con lógica negativa. Este circuito, como el anterior,
también es asincrónico, en el momento de la activación.
___________________________________________________________________ 11
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Relevadores estáticos sincrónicos a la activación
En estos relevadores, cuando se los activa, recién lo hacen en el cruce por cero de la
tensión de alimentación de la carga; como los demás, mientras esta activado, entrega
ciclos enteros de potencia a la carga. Veamos un diagrama en bloques de estos
relevadores:
Circuito Generador
Señal de Circuito de detector cruce Pulsos
control aislamiento por cero disparo
Vamos a analizar ahora, un relevador realizado con técnica discreta, que si bien, con la
tecnología actual, es obsoleto, nos sirve como referencia para comprender el
funcionamiento de otros relevadores modernos, totalmente integrados.
Señal de control
Opto Detector Generación

acoplador cruce por Pulsos
cero disparos
Circuito completo
Señal
control
Opto Control Generador Aliment. Interruptor Alimentación

acoplador Disparo Pulsos y estático principal de
Con disparos sincronismo con Triac voltaje ca
Cruce cruce y carga RL
cero cero
___________________________________________________________________ 12
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Funcionamiento:
Los diodos D1, D2, D3 y D4 trabajan como rectificador monofásico entregando una
tensión que varia desde un valor máximo un valor cero, en el cruce por cero de la
tensión de alimentación. Por encima de cero, el diodo Zener conduce, haciendo
conducir al transistor Q, a la saturación. Como el transistor esta conectado en su salida a
la compuerta y cátodo del SCR, este último no puede activarse para generar el pulso de
disparo del interruptor principal (TRIAC). Cuando la tensión se aproxima a cero, el
diodo Zener deja de conducir, el transistor Q, también, porque esta alimentado en su
base por la corriente del Tener, y si el optoacoplador se encuentra activado, puede
disparar el tiristor que a su vez dispara al TRIAC, en el cruce por cero. De esta manera,
la orden de activación del relevador estático se puede dar en cualquier momento del
periodo de la frecuencia de alimentación, pero la conexión de la carga, se hace siempre
en el cruce por cero.
Relevador con optoacoplador y detector de cruce por cero con circuito integrado
1 6
Circuito
De
control
2 5
3 Detector 4
cruce
cero
SK2049
Utilizando un CI especial, optoacoplador con detector de cruce por cero y un fototriac,

como generador de pulsos de salida, podemos diseñar con muy pocos dispositivos un
relevador con sincronismo en su activación.
Relevadores estáticos comerciales
Desde hace unos años atrás, se disponen comercialmente relevadores estáticos

implementados en un solo módulo, con conexionados normalizados. Se disponen de
relevadores para baja potencia con manejos de corriente de unos 300 mA y voltajes de
línea de 120 y 220 volt. Para lo relevadores de mas potencia, pueden manejar corrientes
desde 2 a 3 A, hasta 40 A.
Diseño o selección de un interruptor estático
El diseño o la selección de un interruptor estático, requiere calcular las especificaciones

de voltaje y corriente. Por ejemplo si tomamos un interruptor estático realizado con
tiristores del tipo SCR, como muestra la siguiente figura, el cálculo es el siguiente:
___________________________________________________________________ 13
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Si la corriente instantánea de línea es is(t) = Im senwt, la corriente eficaz vale:
П 1/2
Is = [2/П.∫0 Im .sen wt.d(wt]
2 2
= Im/√2
Como cada tiristor conduce corriente solo durante medio ciclo, la corriente promedio
del tiristor vale:
П
IT = 1/2П.∫0 Im.senwt.d(wt = Im/Π
El valor eficaz de la corriente de cada tiristor vale:
П 1/2
IT(rms) = [1/2П.∫0 Im .sen wt.d(wt]
2 2
= Im/2
___________________________________________________________________ 14
UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA
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PROTECCION DE LOS SEMICONDUCTORES
Introducción
Los dispositivos semiconductores, sean diodos, transistores o tiristores, cuando trabajan

en los circuitos convertidores de energía, sufren condiciones extremas que pueden
perjudicar su funcionamiento normal, incluso pueden llegar a su destrucción. Estas
condiciones extremas pueden aparecer en condiciones normales o nominales de
funcionamiento, tanto en corriente como en tensión.
Los factores de riesgo de los semiconductores son las variaciones de tensiones y
corrientes, sobretensiones transitorias, sobrecorrientes y corrientes de falla. También, la
elevación de temperatura, en la juntura de los dispositivos semiconductores, es una
condición extrema de cuidado.
Factores extremos:
a) Sobrecalentamiento en condiciones de régimen o en condiciones transitorias

(carga pulsante).
b) Sobrecorrientes por exceso de carga.
c) Fallas eléctricas (cortocircuito) en el circuito de alimentación.
d) Variación de corriente directa, en el inicio de la conducción “di/dt”.
e) Variación de la tensión directa aplicada “dv/dt”.
f) Sobretensiones inversas por fenómenos internos (recuperación inversa).
g) Sobretensiones externas (atmosféricas, transitorios, circuitos próximos, etc)
Frente a estas condiciones extremas, se hace necesario tomar medidas de protección,

para evitar el deterioro de los dispositivos semiconductores. En la práctica, los excesos
térmicos o de temperatura (avalancha térmica), se protegen con disipadores de calor.
Las variaciones de tensión (dv/dt), variaciones de corriente (di/dt) y las sobretensiones
internas y externas, se protegen con “circuitos de apoyo”. Estos circuitos son colocados
en paralelo con los semiconductores y o en paralelo con el primario o secundario del
transformador de alimentación, del convertidor. También, en algunos convertidores, se
utilizan circuitos electrónicos que detectan las sobretensiones y actúan reduciéndolas
(circuitos “palanca” o “Crow-bar”). Las sobrecorrientes, se protegen con fusibles
“lentos” o interruptores termomagnéticos. Las corrientes de falla (cortocircuitos), se
protegen con fusibles “rápidos”.
PROTECCION DE LOS SEMICONDUCTORES A LA TEMPERATURA
Disipación de la potencia eléctrica en los dispositivos semiconductores
Debido a las perdidas en estado activo y por conmutación, dentro del dispositivo
semiconductor se genera calor. Este calor, debe ser transferido a un medio de
enfriamiento para mantener la temperatura de operación (en la zona de juntura), en las
condiciones especificadas de funcionamiento.
La elevación de temperatura de un dispositivo semiconductor tiene diversas causas,
siendo las primordiales, las siguientes:
a) La potencia disipada en la conducción directa, siendo ésta, la de mayor magnitud.
__________________________________________________________________ 1
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
b) La potencia media de avalancha, debido a transitorios de tensión, por ejemplo en
diodos de avalancha controlada y tiristores.
c) Potencia disipada durante la conmutación, especialmente en aquellos dispositivos

semiconductores que trabajan en altas frecuencias de conmutación o sea por encima de
las frecuencias de red (50 o 60 HZ).
d) Potencia media inversa debido a las corrientes inversas, suma de las

correspondientes a los portadores minoritarios y las de fuga superficial.
e) Potencia disipada en la compuerta o base de los tiristores o transistores.
Limitación de la temperatura promedio en la juntura
Es uno de los factores limitativos para el aprovechamiento del dispositivo

semiconductor. La probabilidad de falla es marcadamente dependiente de la temperatura
de operación. Algunos fabricantes aseguran un incremento en la confiabilidad de hasta
un 250%, si se reduce la temperatura de operación en 20 ºC. La temperatura máxima de
operación, la especifica el fabricante. Por ejemplo, para un clásico diodo rectificador de
potencia de baja frecuencia BYX96, su temperatura máxima de juntura esta
especificada en Tjmáx.= 175 ºC para una frecuencia comprendida entre 50 a 400 Hz;
temperatura que se produce cuando se hace circular una corriente promedio de 35
Amperes, con una forma de onda senoidal y con un ángulo de conducción de 180º.
Otro ejemplo, es el diodo IR-530 EF, que soporta corrientes promedios de 850 A y
tensiones inversa de 800 V, soporta hasta Tjmáx.= 125 ºC. (Diodo para uso en
inversores).
Para evitar el aumento de la temperatura, el calor generado debe ser disipado. Este
calor, que se genera en la juntura principal, donde circula la corriente que se dirige hacia
la carga, debe fluir hacia la carcaza exterior (encapsulado) del semiconductor; de alli
pasa al disipador de calor (radiador) que se encarga finalmente de transferirlo al medio
de enfriamiento o medio ambiente.
La ley de transferencia de calor es del tipo:
PD = η.h.s.∆T
η : Rendimiento del disipador.
h : Coeficiente de transferencia del calor por convección, radiación y conducción.
s : Superficie del disipador.
∆T: Salto de temperatura.
Para el régimen permanente, la determinación de las características del disipador de

calor que deberemos aplicar al semiconductor, salen de la denominada “ley de Ohm
térmica”:
∆T = (Tj-TA) = PD.(RJC + RCD + RDA )
Esta ley, tiene esta denominación por la analogía a los circuitos eléctricos como vemos
en el siguiente “circuito térmico”:
__________________________________________________________________ 2
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
TJ RJC TC RCD TD
RDA
PD
TA
En gral., los fabricantes, en sus especificaciones de los dispositivos, suministran casi
todos los datos necesarios para determinar el disipador adecuado. Aplicando la “ley de
Ohm térmica, nos permite determinar la resistencia térmica adecuada del disipador, para
que no se sobrepasen las características máximas de funcionamiento, en lo que respecta
a la temperatura del semiconductor.
Potencia eléctrica perdida y disipada en los diodos y tiristores de los convertidores
Los datos técnicos suministrados para diodos y tiristores de potencia, suelen incluir
curvas de corriente en función del voltaje, tanto en sentido directo como inverso;
también suministran curvas de disipación de potencia en función de la corriente directa
promedio. Todas estas curvas y datos relativos a valores límites repetitivos y no
repetitivos, nos indican las condiciones óptimas de funcionamiento de los
semiconductores, y la observancia de los mismos, garantizan una mayor seguridad de
uso. En gral., para el caso de un funcionamiento continuo, los factores que limitan los
límites máximos de uso, son la máxima corriente directa media o promedio y la tensión
de cresta o pico máxima repetitiva. No obstante, en algunas aplicaciones, la limitación
puede deberse a los valores máximos de tensión y corriente no repetitivos.
Cuando los diodos y tiristores en circuitos eléctricos con formas de ondas sinusoidales
con frecuencias comprendidas entre 50 y 400 Hz, las perdidas de potencia eléctrica
directas e inversas, determinan principalmente, la disipación total, constituyendo las
directas, la parte mas importante. No obstante, las perdidas inversa s necesario tenerlas
en cuenta dado que aumentan con la temperatura y frecuencia de trabajo, lo cual pueden
provocar un funcionamiento inestable.
La potencia eléctrica real perdida en los diodos y tiristores y que deberá ser disipada
para no alterar sus características, dependen de los valores instantáneos de corriente
principal que circula y en correspondencia con ellos, de los valores instantáneos de
caída de voltaje que se produce en los terminales principales.(ánodo y cátodo en diodos
y tiristores y T2, T1, en Triac, por ejemplo).
La potencia instantánea perdida, va a estar dada por el producto de los valores
instantáneos de la corriente y tensión, en los terminales principales del semiconductor:
pi = iD. vD
La potencia promedio perdida, en un periodo de la corriente alterna la podemos

determinar como:
PD = (1/T).∫0T pi dt = (1/2П).∫02П iD. vD dt
__________________________________________________________________ 3
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
La relación entre los valores instantáneos de la corriente que circula por el
semiconductor y la caída de tensión que ésta produce, se puede establecer por las
características tensión –corriente del dispositivo, a la temperatura de trabajo.
Debido a que estas características, no son lineales, varios son los métodos para obtener
la potencia promedio perdida en un ciclo de trabajo.
Método grafico analítico para determinar la potencia perdida en un diodo
Tj= 100ºC iD
vD 0 П 2П wt
PD
pi= f(iD,vD)
pi
Con este método grafico-analítico, podemos determinar las perdidas de potencia

directas de un diodo, para una determinada temperatura promedio de su juntura.
En el primer cuadrante, de los sistemas de coordenadas, se representa la corriente que
circula por el diodo, en función del tiempo. En el segundo cuadrante, representamos la
característica tensión –corriente del diodo, correspondiente a la temperatura de trabajo.
Con los valores instantáneos de la corriente y la caída de tensión del diodo, para
distintos instantes de tiempo, obtenemos los valores instantáneos de la potencia perdida,
en los instantes de tiempos seleccionados: pi= iD.vD. Estos valores de potencia
instantáneos los representamos en el cuarto cuadrante, donde los instantes de tiempo
tomados, son los mismos que hemos representado para la corriente, o sea en el eje de
absisas; en el eje de ordenadas, representamos los valores instantáneos de la potencia
perdida del diodo. El área limitada por la curva de la potencia instantánea y el eje de
absisas, determina la energía total convertida en calor, en un periodo. La altura del
rectángulo, con base igual al periodo e igual área a la de la energía perdida, determina la
potencia media o promedio perdida por el diodo, y que debe ser disipada.
cálculo de la potencia perdida directa en un diodo utilizando su representación

lineal por tramos
Otro método que podemos utilizar, para el cálculo teórico de la potencia promedio
directa perdida, consiste en reemplazar al diodo por su circuito equivalente lineal por
tramos, obtenido mediante la característica tensión-corriente del dispositivo, a la
temperatura de trabajo.
__________________________________________________________________ 4
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Ánodo Vc rd Cátodo
Ánodo Cátodo
iD
ID
α = arc.cotag (∆v/∆i=rd)
0 Vc VD vd
Para esta representación, la potencia instantánea vale:
pi = Vc. iD + rd. iD2 = Vc.( ID +id) + rd. iD2
Vc: tensión de codo del diodo a la temperatura de trabajo y se obtiene por intersección
de la recta tangente a la curva (en el punto correspondiente la corriente media del
diodo) con el eje de absisas.
iD : corriente instantánea, compuesta de una componente media y una suma de
componentes alternas. iD= ID +id, siendo id, las componentes alternas.
El valor promedio de la potencia perdida, lo obtenemos como:
PD = (1/T).∫0T pi dt = (1/T).∫0T Vc.( ID +id) dt + (1/T).∫0T rd. iD2 dt
PD = Vc. ID + rd.iDef.2
Donde ID es la corriente media que circula por el diodo e iDef.2 representa la corriente
eficaz total que circula por el diodo.
La formula anterior, también puede ser expresada mediante el factor de forma:
a= iDef./ID
PD = Vc. ID + rd.a2.ID.2
La resistencia dinámica “rd”, la podemos obtener como:
rd = cotag.α = ∆v/∆i = (VD-Vc)/ ID
Siendo VD, la caída de tensión promedio, obtenida de la curva tensión-corriente, en el

punto correspondiente a la corriente promedio del diodo, ID.
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Problema
Determinar la potencia perdida y disipada por el diodo BYX14 funcionando con sus
valores máximos, y con un ángulo de conducción de 180º.
De los datos obtenidos en sus especificaciones técnicas, tenemos:
Vc = 0,9 Volt
ID = IFAV = 150 Amperes
rd = 1,2 mΩ (mili Ohm)
Para una forma de onda de corriente senoidal, con conducción 180º, el factor de forma
vale: a= iDef./ID = П/2 = 1,57
Reemplazando estos valores en la expresión de la potencia promedio, obtenemos:
PD = Vc. ID + rd.a2.ID2 = 201, 55 vatios.
Obtención de la potencia perdida en diodos y tiristores mediante gráficos
En gral, los fabricantes de semiconductores de potencia, suministran gráficos de curvas

obtenidas experimentalmente (mediante mediciones con vatímetros y amperímetros) de
la potencia perdida en los dispositivos, en función de la corriente media y del ángulo de
conducción. Veamos estas curvas para el caso de diodos de potencia
60º (rect. exafásico)

Potencia
Promedio 120º (trif.media onda o trif. Puente)
Perdida
180º (monofásico)
PD2
CC (Corriente continua)
PD1
0 ID corriente media
Es interesante observar como, a igual corriente media circulante por el diodo, las
perdidas de potencia serán mayores, a medida que disminuimos el ángulo de
conducción PD2 > PD1.
Las curvas, de perdidas de potencia en función de la corriente promedio, también
pueden estar identificadas por el tipo de rectificador, de otra forma, por el factor de
forma. Para el caso de los tiristores, los fabricantes suministran curvas similares, para
distintos ángulos de disparo.
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Problema
Se desea calcular la resistencia térmica del dispositivo disipador, a colocar en cada

diodo de la serie BYX96, que van a ser utilizados en un rectificador trifásico en puente,
alimentado a frecuencia industrial 50Hz. La carga resistiva, conectada al rectificador le
exige a cada diodo una corriente media de ID = 20 A, con una temperatura ambiente de
trabajo TA = 40º C.
Solución:
Como es un rectificador trifásico en puente, los diodos conducen corriente durante 120º,
en el periodo; además, como la carga es resistiva, la forma de onda de la corriente en los
diodos es senoidal, por lo que el factor de forma resulta:
a= iDef./ID = 1,75
Con las curvas de perdidas de potencia para el tipo de diodo seleccionado, la corriente
promedio y el factor de forma, determinamos en el grafico, la potencia promedio
perdida
PD
(W) a=2,4
33 vatios a=1,75
a=1,6
0
20 A ID
De las especificaciones técnicas del diodo obtenemos los siguientes datos:
Tjmax = 175º C
RJC = 1,0 ºC/W
RCD = 0,3 ºC/W
Con estos valores, la potencia disipada, la temperatura ambiente y la aplicación de la ley

de Ohm térmica, podemos calcular la resistencia térmica del disipador.
RD = ((Tjmax – TA) / PD ) - RJC - RCD = 2,79 ºC/W
Si quisiéramos mas confiabilidad en los diodos, tomaríamos una temperatura de juntura

menor, por ejemplo 150 ºC; en este caso, debemos recalcular la resistencia térmica del
disipador
RD = ((Tj – TA) / PD ) - RJC - RCD = 2,03 ºC/W
Evidentemente esta modificación, exigirá un disipador mas eficiente, o sea de mayores

dimensiones o utilizar ventilación forzada.
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Disipadores de calor para semiconductores
Como factores de decisión para seleccionar el disipador, se deberá tener en cuenta el

costo, volumen y confiabilidad. Siempre resulta conveniente partir de un disipador mas
simple, o sea el disipador plano. Si el área resulta demasiada exagerada, se tomara como
solución, un disipador con aletas, construido por medio de la inyección o la extrusión
del material (aluminio) y con ventilación natural. Para este último caso habrá que prever
que no pueda impedirse la circulación de aire, por condiciones de montaje del gabinete.
Si todavía resulta insuficiente, por razones de volumen fundamentalmente, habrá que
recurrir a la refrigeración forzada, haciendo circular aire, con un ventilador. La
resistencia térmica del disipador, es en este caso, función de la velocidad del aire
circulante. La resistencia térmica, disminuye con el aumento de la velocidad del aire.
Sin embargo más allá de cierta velocidad, la disminución no resulta efectiva.
En gral, podemos decir que los disipadores planos pueden ser usados en una solución
económica, hasta potencias disipadas del orden de los 50 vatios. Con disipadores
inyectados y extrusionados con aletas, se pueden evacuar potencias del orden de los 200
a 300 vatios. Para potencias mayores, es necesario recurrir a la ventilación forzada o en
último caso a la circulación de líquidos a baja presión, agua o aceite, en disipadores
especiales.
Los semiconductores de potencia, en algunas aplicaciones, se pueden enfriar con tubos
térmicos parcialmente llenos con un líquido de baja presión de vapor. El dispositivo se
toma de un lado del tubo, y en el otro lado esta un condensador (o disipador). El calor
producido en el semiconductor evapora el líquido y entonces el vapor circula hacia el
lado de condensación, donde se condensa y el líquido regresa al lado de la fuente de
calor
Tubos de calor
Liquido
Fuente
Vapor de calor
Liquido
Aletas de enfriamiento
En aplicaciones con altas potencias a disipar, los semiconductores se refrigeran mejor

con líquidos como el agua o aceite. El enfriamiento con agua es muy eficiente, unas tres
veces más eficiente que el enfriamiento con aceite. Sin embargo, es necesario usar agua
destilada para minimizar la corrosión y agregarle anticongelante. El enfriamiento con
aceite, esta restringido a algunas aplicaciones especiales, de alto voltaje, dado que
proporciona un buen aislamiento, no implica problemas de corrosión y congelamiento.
Un inconveniente importante del aceite, es inflamable.
La resistencia térmica de contacto
Tiene mucha importancia, el área de contacto entre el dispositivo y el disipador de calor,

dado que es necesario minimizar la resistencia térmica de contacto. Las superficies de
contacto, deben ser planas, lisas y sin polvo, corrosión ni óxidos superficiales.
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Para montajes a presión de la carcaza del semiconductor con el disipador, la resistencia
térmica de contacto varia entre 0,8 a 1 ºC/W.
Los semiconductores con dispositivos atornillados al disipador, permiten obtener un
mínimo de resistencia térmica de contacto confiable. En este caso se debe asegurar que
la superficie de asiento sea plana, sin rugosidad, y el agujero pasante del disipador para
el montaje, sea mínimo. En el caso normal, se aplican grasas de silicona para mejorar la
capacidad de transferencia térmica y para minimizar la formación de óxidos y
corrosiones. Con este aditivo y respetando la cupla de montaje, aconsejada en las
características técnicos del semiconductor, se logran resistencias de contacto del orden
de 0,2 ºC/W y menores. Si se colocan arandelas aislantes (mica), la resistencia de
contacto puede aumentar a valores de 0,6 a 1 ºc/w.
El dispositivo se debe montar en forma correcta sobre el disipador, con la presión
correcta de montaje. Los fabricantes suelen dar los procedimientos adecuados para su
instalación. Para el caso de los dispositivos con perno de montaje, los pares excesivos
de apriete, pueden causar daños mecánicos al semiconductor, y además, el perno no se
debe engrasar ni lubricar, porque la lubricación aumenta la tensión en el perno.
Cálculo del disipador
La resistencia térmica del disipador al ambiente, depende varios factores o variables

como ser su forma física, su terminación superficial, tipo de material, color de la
superficie, ubicación horizontal o vertical y finalmente de la potencia que va a disipar
(temperatura superficial). En gral, los fabricantes de disipadores, suministran ábacos o
gráficos de curvas de disipación, para los diferentes tipos de disipadores o radiadores,
teniendo en cuenta sus dimensiones, color, material, velocidad del aire, para circulación
forzada, potencia disipada, etc. Estas curvas se obtienen en gral. mediante mediciones
experimentales. La figura siguiente, ilustra un método de medición
.
Disipador
R
W
T
Vs
Vatímetro
Termómetro
de contacto
Autotransformador
Con el autotransformador, puedo variar la potencia disipada en el semiconductor y

medirla con el vatímetro. Con un termómetro de contacto, mido la temperatura en la
superficie del disipador y conociendo la temperatura ambiente, puedo, mediante la ley
de Ohm térmica, calcular la resistencia térmica del disipador para las distintas
condiciones de trabajo.
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A los fines didácticos mostramos a continuación las graficas obtenidas
experimentalmente para un radiador plano, color negro, colocación vertical. Las curvas
mostradas en este apunte, son aproximadas.
Disipador plano
Diámetro de asiento: 11 mm
Roscado 10-32 UNF
RD Diámetro agujero disipador: 5,2 mm
ºC/W Color: Negro
10
Convección
libre
8
6 1W
3W
4
10 W
30W
1m/s
2m/s
2 5m/s
Aire forzado
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 area (cm2)
Ejemplo:
Para un área del disipador plano (una sola cara) de 100 cm2, color negro y una potencia
disipada de 3 vatios, la resistencia térmica del disipador vale aproximadamente, según el
grafico RD = 5 ºC/W. Si para la misma situación, se hubiera refrigerado con aire a una
velocidad de 2m/seg., la resistencia térmica vale: RD = 2 ºC/W
Determinación resistencia térmica para disipadores con aletas
La determinación de la resistencia térmica, es similar al caso anterior, se deben disponer

las graficas experimentales para cada tipo de radiador, siendo en este caso función de
las dimensiones de su sección y forma, longitud, color, potencia disipada y velocidad
del aire si se lo utilizara con ventilación forzada. Daremos las graficas para un radiador
con aletas una determinada dimensión transversal.
Sección transversal de un determinado radiador con aletas
max 109 mm
min 34,5 mm
mat.: aluminio
59,7 mm
5,5 mm
__________________________________________________________________ 10
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
RD Color: Brillante
ºC/W Material: aluminio
5
Convección
libre
4
3W
3 10W
30 W
2
1m/s
2m/s
5m/s
1
Aire forzado
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 longitud (cm.)
RD Color: Negro
ºC/W Material: aluminio
5
Convección
libre
4
3W
3
10W
30 W
2
1m/s
2m/s
1 5m/s
Aire forzado
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 longitud (cm.)
Ejemplo:
Determinar la longitud necesaria para el disipador con aletas del grafico anterior que
permita obtener una resistencia térmica RD = 3 ºC/W y disipe una potencia de 10 vatios.
Solución:
De acuerdo a los gráficos anteriores tenemos que para color brillante, la longitud de
radiador debe ser de 8 cm. y para color negro, debe ser de 6 cm.
__________________________________________________________________ 11
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
Impedancia térmica transitoria en los semiconductores de potencia
El concepto de resistencia térmica y los cálculos de las variaciones de temperatura,

están fijados sobre la base del régimen permanente o promedio.Para el caso de los
convertidores que trabajan a frecuencia industrial, con ondas senoidales, los valores
obtenidos de temperaturas promedios en el interior del semiconductor, no difieren
prácticamente de sus valores instantáneos. Diferente puede ser la situación, cuando el
semiconductor trabaja con pulsos de corta duración. Para el caso del disipador, como
éste presenta una masa considerable, tiene una “constante térmica” relativamente
grande. De allí que, frente a variaciones en la potencia disipada, su temperatura,
prácticamente no sufre alteraciones. Lo mismo podemos decir, respecto a la temperatura
de la carcaza del semiconductor, dado que esta fijado al disipador. No ocurre de igual
forma, en el interior del semiconductor, dado que al disponer de poca masa, por sus
dimensiones reducidas, la constante térmica es muy pequeña. Esta situación da lugar a
variaciones de temperatura en la zona de la juntura, cuando se producen variaciones de
la potencia disipada. En este caso el valor promedio de temperatura en la juntura,
obtenido mediante la ley de Ohm térmica, puede diferir bastante respecto a los valores
instantáneos. Como la temperatura de la juntura debe mantenerse por debajo de límites
establecidos por los fabricantes, es necesario verificar que éstos, no se superen. Estas
condiciones extremas pueden ocurrir, cuando el dispositivo semiconductor trabaja con
pulsos de corta duración, como por ejemplo, en los convertidores que aplican la
modulación por ancho del pulso (PWM).
Los fabricantes de semiconductores, suministran curvas de valores de “impedancia
térmica transitoria”, cuando los dispositivos deben disipar potencias de corta
duración. La impedancia térmica transitoria varía en relación a la duración del pulso de
la potencia disipada, y nos sirve para calcular las variaciones de temperatura en la
juntura, tomando como referencia una temperatura inicial.
Se puede aplicar la respuesta escalón de un sistema de primer orden, para expresar la
impedancia térmica transitoria. Si Zo es la impedancia térmica de la carcaza a la juntura
en estado permanente (RJC), la impedancia térmica transitoria o instantánea se puede
expresar como:
Z(t) = Zo.(1-e-t/τth)
Donde “τth” es la constante de tiempo térmico del dispositivo.
Z(t)
(ºC/w) 1
Impedancia térmica
Diodo BYX96
RJC= 1 ºC/w 10-1
10-2
10-3 -5
10 . 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 seg.
__________________________________________________________________ 12
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
El grafico anterior nos muestra la variación en el tiempo de la impedancia térmica
transitoria para un diodo en particular. Se puede observar que para pulsos de aplicación
de potencia largos, a partir de 1 seg., el valor de la impedancia térmica transitoria
prácticamente coincide con el valor de la resistencia térmica RJC
Si la pérdida de potencia es PD, el aumento instantáneo de temperatura de la juntura,
respecto a la carcaza vale:
Tj = PD.Z(t)
Si la perdida de potencia es pulsante, como en PWM, se puede aplicar la formula
anterior para graficar las respuestas escalón de la temperatura de la juntura. Si “tn” es la
duración del n-ésimo pulso de potencia, las impedancias térmicas correspondientes al
principio y al final del n-ésimo pulso son Zo= Z(t=0) y Zn=(t=n), respectivamente. La
impedancia térmica Zn=Z(t=n), correspondiente a la duración de “tn” se puede
determinar a partir de las características de impedancia transitoria del dispositivo, como
la figura anterior.
P(t)
P5 P5
Pm
P3
P1
0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 - - - - tm t
Tj(t)
Tjo
0 t
Si P1, P2, P3,……Pm, son los pulsos de potencia perdida, con P2=P4=Pm-1=0, la
temperatura de la juntura al final del m-ésimo pulso se puede expresar como:
m
Tj(t) = Tjo + P1(Z1-Z2) + P3(Z3-Z4) + P5(Z5-Z6)+…= Tjo+∑ Pn(Zn-Zn-1)
n=1,3,….
Donde Tjo es la temperatura inicial de la juntura. Cuando no se aplica potencia, los

signos de las impedancias transitorias son negativos, significando esto que el dispositivo
se enfría, en estos intervalos.
Problema
La pérdida de potencia de un dispositivo semiconductor, se observa en el siguiente
grafico:
P(w)
1200
800
600
t (ms)
1 0,5 1 0,5 1 0,5
__________________________________________________________________ 13
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
Graficar el aumento instantáneo de la temperatura, respecto a la carcaza o encapsulado,
para las potencias instantáneas P1=800 W, P3=1200 W, P5=600 w, P2=P4=P6=0
Solución:
Para este dispositivo en particular, la hoja de datos tecnicos indica lo siguiente:
Para t1 = t3 = t5 = 1ms → Z(t) = Z1 = Z3 = Z5 = 0,035 ºC/W
Para t2 = t4 = t6 = 0,5 ms → Z(t) = Z2 = Z4 = Z6 = 0,025 ºC/W
∆Tj(t=1ms) = Tj(1ms) – Tjo = Z1.P1 = 0,035.800 = 28ºC

∆Tj(t=1,5ms) = 28 – Z2.P1 = 28 – 0,025.800 = 8ºC
∆Tj(t=2,5ms) = 8 + Z3.P3 = 8 – 0,035.1200 = 50 ºC
∆Tj(t=3ms) = 50 – Z4.P3 = 50 – 0,025.1200 = 20ºC
∆Tj(t=4ms) = 20 + Z5.P5 = 20 + 0,035.600 = 41 ºC
∆Tj(t=4,5ms) = 41- Z6.P5 = 41 – 0,025.600 = 26ºC
La grafica de variación de la temperatura, respecto al encapsulado, es la siguiente:
∆Tj(t) (ºC) 50
50
40 41
30 28
20
20
10
8
0 t(ms)
1 1,5 2,5 3 4 4,5
Cuando se producen perdidas de potencia pulsantes, en forma periódica, la temperatura

de la carcaza, prácticamente no sufre variaciones por estar apretada al disipador, que
posee una masa considerable, y con ello una elevada constante térmica. Por lo tanto para
calcular la temperatura de la carcaza, se lo hace con los valores promedios de pérdida de
potencia o sea aplicando la ley de Ohm térmica con los valores de las resistencias
térmicas.
PROTECCIONES DE LOS DIODOS Y TIRISTORES A LAS

SOBRECORRIENTES Y CORTOCIRCUITOS
Previo al estudio de este tema recordaremos las limitaciones de corriente que presentan
los semiconductores, valores suministrados por el fabricante, en sus especificaciones
técnicas.
Valores repetitivos:
Corriente media (IFAV): Esta especificada para un ángulo de conducción de 180º, en el

periodo, y una forma de onda de corriente senoidal, con una temperatura máxima
permitida en la juntura Tjmáx. o temperatura máxima de la carcaza Tcmax . Ejemplo: el
diodo BYX96 soporta una corriente media IFAV=30 A, para Tjmáx=175ºC o Tc=125º C
__________________________________________________________________ 14
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
Corriente eficaz IF(rms): Esta especificada de la misma forma que la corriente media.
La relación entre ambas corrientes, esta dada por el factor de forma para media onda
senoidal. Si IFAV=30 A entonces IF(rms)= a. IFAV= 1,6 . 30 A = 48 A.
Corriente máxima IFRM : Esta limitación de corriente se da cuando la carga tiene
componente capacitiva, como en el caso de un filtro a condensador, que dan lugar a
corrientes de pico de corta duración. Por ejemplo para el diodo BYX96 IFRM= 400 A.
Valores no repetitivos.
Sobrecorriente transitoria: Esta limitación se expresa en valor pico IFSM o en valor

eficaz IFS (rms). Este valor es importante dado que me permite coordinar las
protecciones de los semiconductores ante sobrecargas. Las protecciones usadas
normalmente frente a las sobrecargas, son las llaves termo magnéticas de corte rápido y
los fusibles. Cuando se lo suministra con un solo valor, se dan las condiciones previas y
duración de la sobrecarga. Por ejemplo para el diodo BYX96, IFSM= 400 A para una
duración de la sobrecarga t=10 ms (media onda senoidal), con una temperatura de
juntura previa de Tj máx. = 175ºC.y tensión inversa máxima (VRWM) reaplicada.
También la sobrecorriente transitoria que puede soportar un semiconductor, se da en
forma de grafica en función del tiempo o número de ciclos de duración de la sobrecarga.
IFS(rms) DIODO BYX96
600 I
IFSM
Tjmax=175ºC IFS(rms)
400 IFSM t
281
200
48 A
0
10-3 10-2 10-1 1 10 seg.
Para IFSM= 400 A, corresponde un valor IFS (rms) = 281 A Como vemos la corriente en
amperes que puede soportar, disminuye con el aumento del tiempo de la sobrecarga.
Para t=∞ corresponde a la corriente eficaz permanente o sea a IF(RMS)= 48 A.
Constante subciclica I2t: Este valor se utiliza para coordinar la protección del
semiconductor ante una falla de “cortocircuito” en la carga, en un tiempo menor a
medio ciclo, o sea t = 10 ms. para f = 50 Hz y t = 8,33 ms. para f = 60 Hz.
El valor I2t en realidad no es una constante, sino que es función de la duración de la
sobrecarga subciclica. La constante subciclica, esta expresada en (A2 seg.) y representa
la energía que produce la destrucción del semiconductor.
I2t (A2s) IFS(rms A)
1000 2 400 175ºC temp. juntura
800 It Diodo
BYX96
500 281
Diodo 200
BYX96
ms ms
0 0
0 5 10 0 5 10
Duración pulso Variación corriente subciclica
corriente con duración del pulso.
El valor de I2t (t=10ms) esta relacionado con IFS(rms) = (I2t /t)1/2
__________________________________________________________________ 15
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para I2t =800A2s → IFS(rms) = (800/0,01) = 281 A y IFSM =IFS(rms).√2= 400 A
Análisis de las corrientes de falla
Las corrientes de fallas que pueden presentarse en un sistema eléctrico que alimenta un
convertidor de energía, pueden tener diversos orígenes. Por ejemplo una sobrecarga
mecánica de un motor eléctrico, alimentado por el convertidor. También puede
presentarse un cortocircuito en uno de los semiconductores del convertidor o un
cortocircuito en los cables de alimentación de la carga o en ella misma.
Para analizar las situaciones presentadas y lograr la interrupción de estas corrientes de
fallas, se requiere conocer la ley de variación de la corriente en función del tiempo y,
determinar de esta manera, el valor de la corriente en cada instante. Dos valores
importantes interesa conocer de estas corrientes de falla: El valor máximo que
alcanzaría la corriente si no tuviera ninguna protección, denominada “corriente prevista
o prospectiva”. El otro valor que interesa, es la corriente efectiva, denominada
“corriente de corte”, fijada por el elemento protector.
Analizaremos primero la variación de la corriente de cortocircuito como función del
tiempo y de los parámetros que caracterizan al circuito donde se produce la falla. En
base a estos valores, determinaremos los elementos adecuados para proteger a los
semiconductores y al resto de la instalación
i(t)
v(t)=√2.E.sen(wt+θ)
El circuito anterior responde a la siguiente expresión cuando se produce un

cortocircuito:
R.i(t) + L.di(t)/dt = √2.E.sen(wt+θ)
Resolviendo esta ecuación diferencial para obtener la corriente tendremos.
_ ______
i(t) = √2 .E / √R2+xL2 . [sen(wt+θ- Φ) + sen(Φ -θ).e-R.t/L]
t: tiempo
w=2Пf : pulsación angular
θ: Ángulo que determina el momento en el cual se produce el cortocircuito, medido a
partir del cruce por cero del voltaje.
Φ: Ángulo del factor de potencia que encuentra la corriente de cortocircuito, dado por
arc.tag x/R
R: resistencia de cortocircuito.
x: reactancia inductiva de cortocircuito.
L: inductancia de cortocircuito.
E: valor eficaz de la tensión de alimentación del cortocircuito.
_______
√R2+xL2 : modulo de la impedancia de Cortocircuito.
_______
E /√R2+xL2 : valor eficaz de la corriente de Corto en régimen permanente ( t→ ∞)
Analizando la expresión de la corriente, podemos sacar las siguientes conclusiones:
1) dentro del corchete tenemos dos sumandos. el primero, es una función seno o sea
una función periódica, cuya amplitud y frecuencia son constantes en el tiempo. Este
valor se le denomina componente de corriente alterna en régimen permanente. El
segundo sumando, es una función, que se amortigua en forma exponencial, en el
__________________________________________________________________ 16
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
tiempo, según una cte. de tiempo “L/R”. Este sumando, se hace cero a medida que
transcurre el tiempo. Este valor, se le denomina “componente unidireccional o de
continua”.
2) En base a los sumandos anteriores, podemos dividir al cortocircuito en dos
periodos: Uno transitorio y otro permanente.
3) Durante el periodo transitorio la corriente de corto, depende de los parámetros “θ y
Φ, y de acuerdo con estos valores, nos encontraremos en situaciones extremas. El valor
de Φ depende de los parámetros del circuito comprendido, por lo tanto es constante para
un determinado circuito. El valor de θ, depende del azar o sea el momento en que se
produce el cortocircuito, en relación al cruce por cero de la tensión de alimentación. El
periodo transitorio, dura entre cinco y seis periodos.
4) Si el cortocircuito se presenta en un momento que θ =0, la componente de corriente
continua se anula, significando esto que no se produce periodo transitorio. Esta
corriente se le denomina “simétrica”. Esta situación también se produce para θ = Φ.
5) Otra condición extrema tiene lugar cuando el desperfecto se produce cuando θ=0 y
Φ=90º, o sea la carga totalmente inductiva, resultando R/L=0 ; en esta situación el valor
pico de la corriente, puede llegar a valer 2.√20= 2,828 veces el valor eficaz de la
corriente de cortocircuito permanente, o de otra forma, al doble de su valor pico.
6) Entre los valores extremos se pueden presentar infinidades de situaciones, dado que
el segundo termino del corchete puede estar comprendido entre “-1 y +1”.
En la práctica, la situación R/x = 0 o R/x = ∞, no se presenta, por lo tanto se adopta un
límite que puede estar comprendido según el fabricante o normas que responde entre
x/R = 6,25 y x/R = 25; en términos del factor de potencia corresponde a:
0,04≤ cos Φ ≥ 015. Cabe destacar que el análisis de la corriente de cortocircuito esta
hecho en base de un cortocircuito lejos del generador con fuente de tensión infinita. Si
no fuera así, el cortocircuito presenta tres periodos: Subtransitorio, transitorio, y
permanente. Como los convertidores de energía, en gral siempre están lejos del
generador, no consideramos ésta última situación
Icc corriente de cortocircuito asimétrica para θ=0º y Φ=90º
IccMo
Componente continua
Componente alterna (valor eficaz)
IccM IccMo=2.IccM
IccM
wt
0
Régimen transitorio Régimen permanente
La figura nos muestra la variación de la corriente de cortocircuito para un comienzo en

θ= 0º (cruce con cero de la tensión) y Φ = 90º o sea el circuito totalmente inductivo. Se
puede observar que el pico de la corriente de cortocircuito, en el primer medio ciclo,
vale el doble del pico cuando la corriente esta en el régimen permanente.
La relación entre el valor máximo de pico, durante el periodo transitorio, al valor pico,
en régimen permanente, se denomina factor de asimetría.
La próxima grafica, muestra el factor de asimetría en función de la relación Rcc/xcc
(indirectamente el factor de potencia), para la condición θ = 0º
__________________________________________________________________ 17
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
fa= IccMo/IccM
2
1,5
1
0 0,5 1 1,5 Rcc/ xcc
La próxima grafica, nos muestra la corriente de cortocircuito, relacionada con la

amplitud pico de la corriente de cortocircuito, en el régimen permanente. Se grafican
varias curvas, para un ángulo de inicio del cortocircuito de θ = 0º y distintos valores de
Φ o sea del ángulo del factor de potencia.
icc(t) / IccM
2
1,6 θ = 0º
Φ = 90º
Φ = 85º
Φ = 75º
1,2
0,8
0,4 Φ = 0º
Φ = 30º
Φ = 60º
0
0 0,25 0,5 0,75 1 t/T
En el grafico vemos que para Φ = 90º (circuito inductivo puro), el pico de corriente
llega al doble que para Φ = 0º (circuito resistivo) y que además el primer pulso de
corriente dura un periodo de la frecuencia de alimentación.
La próxima grafica muestra la variación en el tiempo de la corriente de cortocircuito,
para un determinado ángulo del factor de potencia (Φ) y con distintos ángulos de inicio
del cortocircuito (θ).
icc(t) / IccM
1,6
Φ = 75º
1,2
θ = 0º
0,8 θ = 45º
θ = 90º
0,4
0
0,4 0,25 0,5 0,75 t/T
0,8 θ = 135º
θ = 180º
1,2
1,6
__________________________________________________________________ 18
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
Analizando los gráficos presentados, se llega a la conclusión, que para los casos
prácticos, el primer impulso de corriente de cortocircuito es decisivo, ya que el
dispositivo protector, deberá abrir antes que se produzca el segundo impulso de
corriente (negativo). Se demuestra además, que la amplitud del primer impulso de
corriente será máxima, cuando se produzca un cortocircuito en el momento en que la
tensión de alimentación pase por cero. Se observa también que la velocidad inicial de
aumento de la corriente de cortocircuito depende de la relación R / x y del ángulo de
fase θ. La máxima velocidad de aumento se alcanza cuando se produce el cortocircuito
a la máxima tensión de alimentación o sea para θ = П/2 ó 3П/2, independientemente del
valor R / x. La mínima velocidad de crecimiento se produce para la mayor amplitud del
primer impulso, o sea para θ = 0º ó П. Esto tiene importancia si se emplean dispositivos
protectores de sobrecorriente basados en la detección de la velocidad de crecimiento
dIcc/dt.
Selección de las protecciones para sobrecorrientes y cortocircuitos
El diseño de un sistema de protección contra sobrecorrientes va a depender del tipo de

instalación, de la seguridad deseada y de la continuidad requerida para su
funcionamiento. Para mantener la continuidad de funcionamiento debemos colocar un
exceso de semiconductores en paralelo y un sistema de detección que aísle cualquier
semiconductor defectuoso. Además en estos casos, es conveniente incorporar un
sistema de señalización adecuado para facilitar la localización de los semiconductores o
fusibles defectuosos (sistema, como podemos darnos cuenta, bastante costoso).
Otros factores que guiaran la selección de un sistema de protección son:
a) La posibilidad de cortocircuito en la carga
b) La posibilidad de fallo en barras colectoras.
c) La posibilidad de cortocircuito entre el transformador de salida y el convertidor.
d) La probabilidad de un cortocircuito interno en los semiconductores del convertidor
e) El valor y velocidad de crecimiento de la posible corriente de cortocircuito.
En gral, podemos distinguir dos tipos principales de elementos para protección contra
cortocircuitos:
a) Elementos que pueden limitar la velocidad de crecimiento de la corriente de
cortocircuito, o la amplitud de esta corriente en régimen permanente, como son los
transformadores de impedancia, reactores de línea, inductancias y resistencias en el
circuito de carga.
b) Elementos capaces de interrumpir el paso de la corriente, como los disyuntores para
ca, colocados en la línea primaria o secundario, disyuntores rápidos, colocados en el
circuito de cc o fusibles de acción rápida colocado en la entrada del convertidor y mejor
aun, en cada semiconductor. En instalaciones de gran potencia, también se suele usar
detectores electrónicos de crecimiento de la corriente (dicc/dt) que actúan sobre
cartuchos explosivos que interrumpen el circuito principal.
En las instalaciones de baja y mediana potencia se utilizan fusibles ultrarrápidos, en
combinación con disyuntores.
Debe tenerse en cuenta al coordinar elementos protectores térmicos para los
semiconductores, que aquellos reaccionan según el valor eficaz de la corriente, mientras
que los semiconductores responden de manera esencial al calor solamente. Como un
semiconductor es un elemento no lineal, su calentamiento será proporcional a un nivel
de corriente situado entre los valores medio y eficaz.
Atendiendo a la forma en que se presentan las corrientes de falla, y al comportamiento
de los semiconductores frente a ellas, podemos clasificar estas corrientes en:
__________________________________________________________________ 19
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
a) Lentas, que son las que se producen durante un tiempo mayores a 10 ms (50Hz) u 8
ms (60Hz) o sea mayor a medio ciclo.
b) Rápidas, que crecen con velocidad alta y alcanzan valores altos, en un tiempo menor
a medio ciclo.
Para las sobrecargas lentas, se utiliza normalmente disyuntores, con un tiempo de
actuación mínimo de 30 ms, y o fusibles de acción lenta. Para sobrecargas rápidas, el
único elemento capaz de proteger al semiconductor, interrumpiendo la corriente de
cortocircuito, en un tiempo menor al de medio ciclo de la frecuencia industrial, es el
fusible ultrarrápido. En ocasiones, es necesario recurrir a una combinación de estos dos
elementos para cubrir el esquema de coordinación.
Sobrecargas lentas.
Este tipo de sobrecargas, como dijimos, pueden estar protegidas con fusibles,
disyuntores o combinación de ambos
IccRMS Corriente Características de sobrecorriente
(Escala arranque de un diodo o tiristor
Corriente eficaz
log.) motor máxima
Características de fusión del fusible
semiconductor
Máxima corriente permanente limitada (IFrms)
por el fusible (IFusible nominal)
Corriente
nominal de la
carga
10ms 4 hrs. Tiempo (Esc.log.)
La grafica, muestra la coordinación de entre las características de sobrecorriente
transitoria del semiconductor (IFSM), y las características de fusión del fusible, para que
éste último lo proteja adecuadamente, a partir de los 10 ms, para cualquier valor de
sobrecorriente de arranque o de carga. Para este caso, decimos entonces que tenemos
protección total por sobrecorriente.
Por ejemplo cuando alimentamos un motor eléctrico con un convertidor, en el arranque,
la corriente puede llegar en algunos casos hasta 10 veces el valor nominal. La
protección en este caso, debe ser dimensionada de manera tal que no actúe, y que pueda
soportarla el semiconductor. En ocasiones, habrá que sobredimensionar el fusible y el
semiconductor para que éste último esté protegido. Esta solución puede resultar costosa
por lo que se suele recurrir a una protección combinada de fusible y disyuntor, como se
muestra en el siguiente grafico.
IccRMS Características de sobrecorriente

(Escala de un diodo o tiristor
log.) Corriente eficaz
máxima
Características de fusión del fusible
semiconductor
Máxima corriente permanente limitada (IFrms)
por el disyuntor (Idisy.nominal)
1s 4 hrs. Tiempo (Esc.log.)

Zona de protección por apertura
disyuntor
__________________________________________________________________ 20
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
En el grafico, se puede observar que la curva de fusión del fusible, hasta 1 segundo,
esta por debajo de la curva de sobrecorriente del semiconductor, por lo tanto tendremos
protección por fusible para sobrecargas de valor alto, hasta 1 segundo de duración. Por
encima de este tiempo la zona de apertura del disyuntor esta por debajo de la de
sobrecorriente del semiconductor; con esto, a partir de un segundo en adelante, el
disyuntor se encarga de proteger al semiconductor.
Sobrecargas rápidas o cortocircuitos

Se consideran sobrecargas rápidas o simplemente “cortocircuitos”, cuando la corriente
de falla crece rápidamente y toma valores elevados en un tiempo menor a medio ciclo,
de la frecuencia de la tensión de alimentación. Esto corresponde a un tiempo menor a
10 ms para f =50 Hz, y menor a 8,33ms, para f =60 Hz. Para este caso, podemos decir
que el único elemento que puede proteger al semiconductor, es el “fusible ultrarrápido”.
En este caso es importante considerar la energía térmica máxima que puede soportar el
semiconductor, durante este breve tiempo, con la energía necesaria para fusionar el
fusible, para su protección. Este valor esta caracterizado por “I2.t”, que representa, para
el semiconductor, como dijimos, la energía máxima que puede soportar, en el tiempo
menor a medio ciclo, y para el fusible, representa la energía de fusión. Para lograr una
protección total, el parámetro “I2.t”, que sirve como comparación, deberá ser menor en
el fusible, respecto al semiconductor.
En el estudio de las corrientes de cortocircuito, vimos que la máxima amplitud de la
corriente, durante el primer medio ciclo, se produce para θ = 0º y Φ =90º (R/xL = 0
carga totalmente inductiva). En apariencia, esta seria la peor condición para la actuación
del fusible, pero como éste debe actuar antes de los 10 u 8ms, la condición mas
desfavorable va a ser aquella, donde la pendiente inicial del crecimiento de la corriente
sea mayor. Esta situación se va dar para θ= 90º, dado que la pendiente inicial es mayor y
rápidamente el fusible alcanza la energía de fusión, necesaria para su apertura.
Voltaje de alimentación voltaje de pico de arco

Voltaje de arco voltaje en el fusible
después de la fusión (abierto)
Voltaje en los extremos del

fusible previo a la fusión pico asimétrico de la corriente
de falla (transitorio) corriente de falla
simétrica (permanente
Pico de corriente de fusión
limitado por el fusible
t
Corriente a través del fusible

previo a la falla
Instante del cortocircuito
__________________________________________________________________ 21
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
El dibujo muestra las formas de ondas de tensión y corriente en los extremos del fusible.
Previo al cortocircuito, circula la corriente de la carga siendo la caída de tensión muy
baja. A partir del instante en que se produce la falla, la corriente comienza a aumentar
rápidamente hasta el valor de la corriente de fusión del fusible. A partir de este punto, se
genera un arco eléctrico en el interior del fusible hasta su extinción total. La corriente,
en este periodo, disminuye bruscamente hasta llegar al valor de cero.
En lo que refiere a la tensión, cuando se produce el cortocircuito, la misma comienza a
aumentar al principio por caída resistiva. Cuando se produce la fusión del fusible se
genera un arco eléctrico y la corriente cae bruscamente; en este instante se genera una
sobre tensión en los extremos del semiconductor, debido a las reactancias inductivas
presentes en el circuito. Finalmente cuando se interrumpe totalmente la corriente de
falla, queda en los extremos del fusible y del semiconductor, la tensión nominal de
trabajo.
La tensión generada durante el arco puede afectar al resto de los semiconductores del
convertidor, y será mayor cuanto mas rápidamente el fusible corte a la corriente de falla.
Analizaremos ahora cuanto vale la corriente de fusión de fusible que será la máxima que
recorrerá el circuito. Para ello, partimos de la condición mas desfavorable para la
actuación del fusible, o sea para el inicio de cortocircuito en θ = 90º. En este caso, no se
produce el transitorio y el valor máximo de la corriente “prevista” o “prospectiva”, será
el que corresponde al régimen permanente. La corriente de fusión será mucho menor
que este valor.
icc Pendiente inicial de la IccM : Amplitud corriente prospectiva de
IccM corriente de falla falla; coincide con la amplitud de régimen
Corriente prospectiva permanente para θ=90º
Ifu de falla
Ifu: Corriente pico de fusión
Corriente
Tfu: Tiempo de fusión del fusible
real
t1 t Tarc: tiempo de arco.
0
tf tarc Tc: Tiempo de corte final de la corriente de
tc falla.
t1: instante de tiempo de fusión del fusible
Para calcular el valor de la corriente de fusión (Ifu), podemos suponer que en el inicio de
la falla, la pendiente inicial va a ser una recta; de esta forma, podemos suponer que la
corriente tendrá una variación lineal dado por:
icc = IccM.sen(wt) ≈ d(icc)/dt = IccM.wt.cos(wt) para t = 0
icc≈ IccM.wt ( 0≤ t ≤ t1) (1)
El valor de la energía que fusiona a fusible vale:
Emfu = Rf ∫ i2cc.dt = Rf ∫0t1 (IccM.w.t)2dt = ((Rf.I2ccM.w2) / 3).[t3]0t1= (Rf.I2ccM.w2.t13) /3
Despejando el valor de t1 tenemos:
t1 = (3. Emfu / (Rf.I2ccM.w2))1/3 si hacemos K = Emfu / Rf , valor que depende del fusible
t1 = (3. K / (I2ccM.w2))1/3 reemplazando este valor en la expresión (1) tenemos:
__________________________________________________________________ 22
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
icc ≈ IccM.w. ( 3. K / (I2ccM.w2))1/3 simplificando , tenemos finalmente:
icc ≈ ( 3. K.IccM.w)1/3
Vemos finalmente que la corriente máxima de fusión, no solamente es función propia

del fusible, sino también depende de la máxima corriente de cortocircuito de la
instalación, en régimen permanente. El fabricante de fusibles, suministra curvas
experimentales del valor de la corriente máxima de fusión (Ifu), energía de fusión (I2.t )
y tiempo de corte final (tc), todos ellos en función del valor eficaz de la corriente de
cortocircuito permanente IccM/√2, para diversas corrientes nominales de fusibles.
Ifu
800 A
600 A
400 A
300 A
_
IccM/√2
Otro punto importante en la selección del fusible, es la sobre tensión que éste origina al
producirse el arco eléctrico. El fabricante especifica los fusibles con dos parámetros
fundamentales: 1) La corriente nominal de fusible, valor de corriente que puede circular
en forma permanente. 2) El sobrevoltaje que produce cuando se genera el arco eléctrico.
Por ejemplo un fusible con los valores 10 A, 250 volt, significa que por el fusible puede
circular 10 Amperes en forma permanente, y cuando se genera el arco eléctrico en la
apertura sobre un circuito inductivo, generará una sobretensión adicional al voltaje de
servicio de 250 volt. O sea que si la tensión nominal de servicio, es de 250 volt, la
sobretensión máxima, en los extremos del fusible, que se puede generar, es de 500 volt.
Cabe aclarar que si ese fusible, lo utilizo en una instalación con un voltaje de servicio
mayor a 250 volt, generará una sobretensión adicional de amplitud mas elevada, que lo
especificado.
Selección del fusible

Normalmente la mejor protección que se puede conseguir en un circuito convertidor
electrónico, se consigue con la colocación de un fusible conectado en serie con cada
semiconductor. Para seleccionar el fusible adecuado, se puede seguir uno de los
siguientes métodos:
1) Se fija la corriente eficaz que va a circular, en condiciones normales o se calcula el

valor que va a circular por cada semiconductor.
2) Se selecciona el fusible con una corriente nominal que sea un poco mayor que la
corriente eficaz del semiconductor. Cabe aclarar, que la corriente nominal de fusible,
esta dada bajo determinadas condiciones, por ejemplo, a determinada temperatura
ambiente. Un valor práctico, es tomar un 20 % más del valor de la corriente eficaz del
semiconductor.
3) Se determina el voltaje de trabajo (en el secundario del transformador que alimenta el

convertidor)
__________________________________________________________________ 23
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
4) Con estos datos, se selecciona el fusible (corriente y voltaje)
5) Se debe verificar que el I2.t del fusible sea menor, en cualquier condición al I2.t del
semiconductor. El fabricante, suministra el valor de I2.t, en función del fusible y de la
corriente de cortocircuito permanente IccM/√2
I2.t
800 A
600 A
400 A
300 A
_
IccM/√2
6) Se determina el I2.t del semiconductor para el tiempo de corte final (tc) mediante la
expresión i2.√tc propia del semiconductor, debiendo ser este último valor, mayor que el
I2.t del fusible.
Como vemos resulta importante tener como dato, la corriente de cortocircuito en
régimen permanente, tema que no lo vamos a desarrollar, dado que se estudia en otra
materia especifica.
7) seleccionada ya el fusible, nos queda determinar el valor de la corriente de fusión,

que la obtenemos mediante las curvas suministradas por el fabricante para ese fusible en
particular, y la corriente de cortocircuito permanente. El valor obtenido, no debe ser
mayor a la máxima corriente de pico no repetitivo del semiconductor (IFSM de pico)
8) La ultima verificación que debemos hacer, es con respecto a la sobretensión que se

produce, durante el arco producido en el fusible, en su apertura. El fabricante suministra
el valor de sobretensión que origina el fusible seleccionado y este valor, sumado a la
tensión de pico de servicio, tendrá que ser menor a la máxima tensión inversa de pico no
repetitiva del semiconductor (VRSM).
En los diseños de las protecciones por corrientes de falla de los convertidores de
energía, electrónicos, se pueden presentar las siguientes alternativas:
a) Se selecciona el semiconductor en base a la corriente media o eficaz y la máxima
tensión inversa repetitiva, impuesta por el voltaje de alimentación. Con los valores de,
sobrecorriente (IFSM) e I2.t, del semiconductor y las sobrecorrientes y cortocircuito
impuesto por el sistema, se selecciona el fusible adecuado.
b) Seleccionado el semiconductor y la protección según el primer punto, si la corriente
de falla supera estas condiciones, entonces se calcula una impedancia de fuente primaria
para que las satisfaga. En este caso, se agregan inductancias en serie para limitar las
sobrecorrientes y cortocircuitos.
c) Seleccionar un fusible y una impedancia de fuente, y con estos valores, seleccionar el
semiconductor que pueda cumplirlo.
Problema (abierto)
Seleccionar los tiristores y sus protecciones frente a cortocircuitos, para un rectificador
monofásico en puente completo. El rectificador alimenta una carga altamente inductiva,
siendo el valor mas alto de la corriente en la carga Io = 600 A (disparo en α = 0º). El
voltaje de alimentación del rectificador controlado es de 240 Volt 60 Hz
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Para el cálculo de la protección, considerar despreciable a la resistencia del circuito de
protección de falla y que solamente presenta una impedancia inductiva de valor
L= 0,07 mH
a) Selección de los tiristores
En general los tiristores y diodos son seleccionados, en lo que respecta a sus
características eléctricas, por su corriente promedio y su tensión inversa repetitiva.
En nuestro caso comenzaremos a calcular la corriente promedio y eficaz que circulan
por los tiristores, impuesta por la aplicación:
Corriente promedio en los tiristores (α= 0º):
ITo = 1/2Π.∫0 Π io(t).dt= Io / 2 = 600/2 = 300 A
Corriente eficaz en los tiristores (α= 0º):

______________ ___________
ITRMS = √1/2Π.∫0 Π io(t)2 dt = √(1/2Π). Io2 Π dt = Io/√2 = 600/√2 = 425 A
Si tomamos un coeficiente de seguridad de valor 2 para la corriente, el tiristor
seleccionado deberá tener una capacidad de corriente eficaz de valor 2.425 A = 850 A.
Seleccionamos tiristores IR de tipo S30F, con las siguientes especificaciones:
IT(AV) = 540 A (corriente promedio máximo para media onda senoidal y Tjmax)
IT(RMS) = 850 A (corriente eficaz máxima para media onda senoidal y Tjmax)
I2.t = 300 kA2 s para t=8,33 ms (duración del cortocircuito).
i2√t = 4650 kA2√s
ITSM = 10 kA (corriente de pico máxima no repetitiva) para VRRM reaplicado = 0
que seria el caso cuando el fusible se abre en un tiempo menor a medio ciclo.
Para completar la selección de los tiristores, debemos determinar las tensiones inversas
repetitivas y no repetitivas que deben soportar. Por ello primero seleccionaremos
primero la protección, dado que cuando actúa, es una fuente de sobretensión.
b) selección de la protección
Se adoptará como criterio de protección, colocar un fusible en serie con cada tiristor.
Teniendo en cuenta la corriente eficaz máxima impuesta por la aplicación
seleccionaremos un fusible con una corriente nominal (eficaz) de por lo menos 1,2
veces por encima de la corriente eficaz que circula por los tiristores:
Ifu = 1,2. 425 = 510 A
Para Vs= 240 V, probaremos con el fusible IR tipo TT350-600 que presenta una
corriente nominal de 540 A para una temperatura ambiente de 40ºC.
Calcularemos ahora la corriente de cortocircuito, llamada también corriente rms
prospectiva de falla simétrica, que representa el caso más desfavorable para la actuación
del fusible ultrarrápido.
Isc = Vs/Z = (240 .1000)/(2.Π.60.0,07) = 9094 A
Para el fusible seleccionado TT350-600, encontramos en las curvas presentadas por el
fabricante, que para Isc =9094 la corriente máxima de pico que se produce es de 8500 A,
valor menor que la corriente máxima de pico no repetitivo del tiristor que es de
ITSM = 10.000 A.
Para esta corriente de cortocircuito, y deacuerdo a las graficas, la i2.t para este fusible
es de 280 kA2 s y el tiempo total de despeje o fusión es t = 8 ms; Como t es menor a
8,33 ms, debemos entonces calcular el i2.t del tiristor seleccionado con la expresión
i2√t = 4650 kA2√s, que para t = 8 ms vale:
i2√t = 4650 kA2√0,008 = 416 kA2 s
Como vemos este último valor es mayor al del fusible, como así también la corriente
pico por lo cual podemos decir que el tiristor estaría protegido por el fusible
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ultrarrápido frente a un cortocircuito de duración menor a medio ciclo de la tensión
alterna de alimentación
PROTECCIÓN DE LOS TRANSISTORES A LAS SOBRECORRIENTES
Los diodos y tiristores tienen más capacidad de resistir sobrecorrientes que los
transistores; por lo tanto resulta más difícil protegerlos. Los transistores bipolares son
dispositivos dependiente de la ganancia y controlados por corriente. La corriente
máxima de colector depende de su corriente de base. Al aumentar la corriente de falla,
el transistor puede salir de la zona de saturación, y el voltaje colector-emisor, comienza
a aumentar con la corriente de falla, en especial si la corriente de base no cambia para
compensar la mayor corriente de colector. Este efecto secundario puede causar mayor
perdida de potencia dentro del transistor, debido al aumento de la tensión colector-
emisor, pudiendo dañar al transistor, aunque la corriente de falla no sea suficiente para
fusionar el fusible y despejar la falla por corriente. Como conclusión, los fusibles de
acción rápida o ultrarrápida, pueden no ser adecuados para proteger a los transistores
bipolares en condiciones de fallas.
Los transistores pueden protegerse con un circuito denominado “de barra, de palanca” o
con su nombre de origen “protección crow-bar”, como se muestra en el siguiente
circuito
Fusible F1
+
Vs Circuito
sensible a la
corriente o a
la tensión
Este circuito de “barra” (esta conectado en las barras de alimentación), se utiliza para
proteger circuitos o equipos, en condiciones de falla, donde la cantidad de energía que
interviene, es demasiado alta, y los circuitos normales de protección no se pueden usar.
La protección “de barra”, consiste en un tiristor, con un circuito de disparo, sensible a la
tensión o a la corriente. El “tiristor de barra”, se instala en paralelo con el circuito
convertidor que va a proteger. Si se captan condiciones de falla, por ejemplo una
sobrecorriente o una sobretensión, según para qué condición este diseñado, el circuito
de vigilancia dispara al tiristor conectado a la barra de alimentación, creando un corto
virtual y haciendo fusionar al fusible F1. La apertura del fusible, deja sin tensión al
convertidor y con ello, lo alivia de la falla.
Los MOSFET, son dispositivos controlados por voltaje, y al aumentar la corriente de
falla, no necesita cambiar el voltaje de compuerta. La corriente de pico máximo que
puede soportar, es aproximadamente el triple de la corriente nominal. Si no se excede
esta corriente pico y el fusible actúa adecuadamente, los fusibles ultrarrápidos pueden
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proteger a los MOSFET. No obstante, se recomienda la proyección de barra, también
para los transistores MOSFET.
Las características de protección frente a fallas, de los transistores bipolares de puerta
aislada (IGBT), son parecidas a los transistores bipolares (BJT).
PROTECCION DE LOS DIODOS Y TIRISTORES CONTRA LAS

SOBRETENSIONES
Introducción
Las sobretensiones se presentan como fenómenos transitorios. Para la supresión de estos

transitorios, se recurre a elementos que presenten una característica de impedancia que
sea función del voltaje o de la frecuencia de modo que presenten una baja impedancia
(cortocircuito) para éstas sobretensiones transitorias. Esto implica que el elemento
protector deberá soportar altos valores pico de corrientes, y además tendrá que absorber
la energía del transitorio.
Causas de las sobretensiones

Diversas son las causas que producen sobretensiones en los semiconductores, siendo las
que generan mayores picos de sobretensión, la interrupción de la corriente de
magnetización del transformador de elevación o reducción, ubicado previo al
convertidor de energía. Otra causa importante, esta relacionada a los fenómenos
aleatorios en la red eléctrica primaria, difícil de cuantificar.
A continuación enumeraremos algunas fuentes de sobretensiones:
1) Transitorio debido a la interrupción de la corriente de magnetización del trafo.
2) Transitorio debido a la conexión del primario del trafo.
3) Transitorio debido la conexión de un transformador reductor (por capacidad
parasita entre bobinados).
4) Transitorio debido a la desconexión de una carga inductiva.
5) Transitorios cíclicos debido a los fenómenos de recuperación inversa en los
semiconductores.
6) Transitorios debido a circuitos paralelos.
7) Transitorio debido a una carga regenerativa (con Fem., como motor eléctrico).
8) Transitorios debido a perturbaciones en la red primaria de alimentación.
Métodos empleados para la protección contra las sobretensiones

1) Utilización de redes de amortiguación en paralelo con el primario y secundario de
transformador.
2) Colocación de dispositivos de protección en paralelo con el transformador.
3) colocación de elementos o redes de amortiguamiento en paralelo con el
semiconductor.
4) Selección de semiconductores con sobrecapacidad para soportar sobretensiones
transitorias.
Redes de amortiguamiento en paralelo con el primario o secundario del trafo

Estos circuitos R-C, son imprescindibles cuando el transitorio causa tensiones en exceso
a la máxima tensión de cresta inversa no repetitiva. Las sobretensiones deben a la
máxima soportable por el semiconductor (VRSM). El calculo parte de considerar la
energía magnética almacenada por la corriente de magnetización del trafo. Ésta debe ser
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absorbida por el capacitor. La resistencia se calcula en base a la máxima sobretensión
que se produce en el momento de carga del capacitor. Con estas consideraciones, los
valores de C y R se obtienen con las formulas y tablas presentadas a continuación:
C1= A1.Imag./V1 (µF)

R1= B1/C1 (Ω)
C2= A2.(Imag./V2).kt2. (µF) + +

R2= B2/C2 (Ω)
V1 V2
V1: tensión eficaz primario trafo - -
V1: tensión eficaz secundario trafo
Kt= V1 /V2: relación trafo
Imag.: corriente mag. Primario trafo
Los factores A1, A2 B1 y B2 dependen de la relación VRSM /Vpi, siendo:
VRSM: Máxima tensión de pico inverso no repetitiva que soporta el semiconductor.
Vpi : tensión de pico inversa repetitiva que soporta el semiconductor (T1 y T2) impuesta
por el circuito.
VRSM /Vpi 1,00 1,25 1,5 2,00

A1 800 550 400 200
A2 900 620 450 225
B1 300 260 225 150
B2 350 310 275 200
Problema
Un circuito trifásico en puente de onda completa, previsto para dar una corriente media
por diodo de 15 A, es alimentado por una red trifásica de 380 V (secundario conectado
en estrella). La relación primario –secundario es de 1:1. La corriente de magnetización
del primario es Imag = 5 A. Las fluctuaciones del voltaje de alimentación son de ± 10%.
Calcular los elementos del circuito RC supresor de transitorios que debe conectarse en
paralelo con el secundario del transformador.
Solucion:
Para este rectificador, la tensión de pico inverso de trabajo resulta:
Vpi = 1,1.√2√3.Vs = 1,1. 1.41.1,73. 380 = 1025 V.
Seleccionamos los diodos BYX13-1200R, con las siguientes características principales:
IFAV 20 A
VRWM= 800 V (tensión de pico inversa repetitiva)
VRSM= 1200 V (tensión de pico inversa no repetitiva)
Como la tensión inversa de la aplicación, supera a la VRWM , entonces colocamos dos
diodos en serie con cada rama del puente. En este caso la tensión inversa por diodo vale
Vpi =1025/2 = 513 V
VRSM/ Vpi = 1200/513 > 2
Con este valor, según la tabla tenemos: A2= 225 ; B2= 200
C2= A2.(Imag./V2).kt2. (µF) 225.(5/380).12 = 2,95 µF

R2= B2/C2 (Ω) = 200/2,95 Ω
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Colocación de dispositivos de protección
Otra solución consiste en colocar sobre uno de los bobinados del transformador, un
componente que presente una característica fuertemente dependiente con la tensión
aplicada en sus extremos.
Uno de estos dispositivos es el “Varistor normal” (resistor variable con la tensión),
con la condición que se requieren semiconductores con una tensión de pico inversa de
trabajo de 5 a 6 veces mayor.
Los “diodos de selenio” también pueden usarse, siendo en este caso, la necesidad de
colocar dos grupos de diodos en serie y cada grupo, en oposición. Sin embargo estos
diodos presentan algunos inconvenientes como ser gran volumen y sufren
envejecimiento.
El dispositivo mas recomendable actualmente como elemento protector, es un tipo
especial de varistor conocido como MOV (metal oxido varistor). Presenta la ventaja de
ser de tamaño reducido, admite fuertes sobrecargas y posee características simétricas.
Responde aproximadamente a la expresión:
I = K. Vα
Siendo “I”, la corriente que circula por el dispositivo, “V” la tensión en los extremos y
“α”, es un valor del orden de 40. La curva característica V-I es comparable a la de dos
diodos Zener conectados en oposición.
A los MOV, se los identifica por la tensión de utilización, como el valor eficaz de
tensión alterna de forma de onda senoidal que provoca una corriente pico de 1 mA.
Las tensiones disponibles de los MOV, comprenden desde los 40 Volt hasta 1000 Volt.
La corriente transitoria máxima que puede absorber, puede llegar al orden de algunos
miles de Amperes. La energía admitida por el dispositivo, varía entre los 2 a 160 Joules.
El MOV debe ser seleccionado por su tensión de trabajo y por su capacidad de energía
admisible “W” que soporta cuando esta conduciendo, por surgimiento de alguna
sobretensión. Esta energía, debe ser superior a la que almacena la inductancia del
primario del transformador.
W ≥ L.I2mag.= Vprimaria.Imag./ ω
En todos los casos el elemento protector debe colocarse lo mas próximo posible al
elemento protegido, para evitar, de esta manera, efectos separadores de las inductancias
parasitas del cableado.
Protección de semiconductores con elementos en paralelo.
Su finalidad es asegurar tensiones inversas dentro del régimen de semiconductor. Son
redes idénticas a las que se disponen cuando se colocan varios semiconductores en serie.
La función de esta red, es atenuar la dv/dt y las sobretensiones originadas por los
transitorios cíclicos de conmutación de corriente de un semiconductor a otro, debido a la
inductancia de fuga del transformador. El cálculo en este caso solo sirve como
aproximación, y a ese fin se utilizan formulas prácticas, como las siguientes:
R ≤ VRWM / IRM (Ω)
C ≤ 10. Id / VRWM (µF).
VRWM: Tensión de pico inversa repetitiva del

semiconductor (Volt).
IRM: Corriente de fuga máxima a la temperatura
de operación (Amperes).
Id: Corriente del semiconductor previa a la
conmutación (Amperes)
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Para los semiconductores rápidos es conveniente disponer de una red serie R-C, en
paralelo con el semiconductor, para evitar los efectos de una alta di/dt que podría
producirse al descargarse el capacitor. Para este caso, el valor del capacitor se calcula
con la misma formula anterior. El valor de la resistencia no es critico, su valor oscila
entre 5 y 100 Ω. La resistencia en serie con el capacitor tiene la finalidad de limitar la
corriente de descarga del capacitor, cundo el semiconductor pase al estado de
conducción. El capacitor, oscila entre 0,5 µF y 2µF, para convertidores a frec. Industrial.
Selección de semiconductores con sobrecapacidad

Es práctica usual en semiconductores de alta capacidad de corriente tomar un
coeficiente de seguridad de 2 en la determinación de la tensión de pico inversa
repetitiva. Algunos fabricantes recomiendan coeficientes de seguridad mayores. Este
coeficiente de seguridad pone a cubierto al diseñar el circuito, el desconocimiento de las
tensiones transitorias. Por ejemplo para diodos rectificadores comunes a frecuencia
normal industrial, se recomienda un coeficiente de seguridad entre 2 y 3.
Empleo de redes complejas para suprimir sobretensiones transitorias del sistema

de alimentación del convertidor
Para suprimir los transitorios de la red, la solución más económica pueden ser los
siguientes circuitos:
Supresión de transitorios para red monofásica

Impedancia de red Z
Resistor
Resistor de limitador de
drenaje corriente
Red Al sistema
de ca convertidor
Supresión de transitorios red trifásica

Impedancias de
línea
Red trifasica Al convertidor de

ca energía
Resistor
Resistor limitador de
drenaje corriente
Consiste en conectar un condensador electrolítico y un resistor de drenaje (con una

constante de tiempo de unos 2 s) por medio de un puente de diodos como se observa en
__________________________________________________________________ 30
-------------------------------------------------------------------------------------------------------
la conexión monofásica y trifásica. El bajo valor de la impedancia de línea, impone el
uso de capacidades de valor elevado.
El siguiente circuito, es una protección de barra o también llamada “de palanca” (crow-
bar), que se conecta en paralelo con la fuente de alimentación
Impedancia de Protección doble vía (crow-bar)
línea
Limitador de Limitador de
corriente corriente de
transitoria puerta
Red de Al sistema
alimentación convertidor
ca
Esta protección, no actúa en condiciones normales de trabajo. Pero si se presenta un

transitorio que da lugar a una sobretensión, el diodo de avalancha controlada D3
conducirá corriente a través de D4 y D2 o D5 y D1, según sea la polaridad del
transitorio. Uno de los SCR se disparara y conducirá durante el resto del semiperiodo,
provocando una disminución de la tensión de línea. La velocidad de respuesta es muy
alta, dado que el tiempo de conmutación de los tiristores es extremadamente corto
(1 a 3 µs). Los diodos D1 y D4 protegen las puertas de los tiristores contra tensiones
inversas excesivas.
El próximo circuito se utiliza para suprimir transitorios de sobretensiones a la salida de
un sistema convertidor que suministra cc:
+
Limitador de
corriente
Salida del transitoria A la carga
convertidor
Resistor de
- drenaje
Este sistema es muy útil en los casos e que la carga no puede absorber la energía
transitoria, por ser muy inductiva, o bien si puede estar desconectada. El diodo D1 debe
poder admitir la corriente de carga del condensador C1 y resistir la tensión de pico de
salida del convertidor. El valor del capacitor depende de la aplicación real y
normalmente de determina experimentalmente. El resistor R1 se elige de tal forma que
la constante de tiempo R1C1 sea del orden de 2 s.
En la figura siguiente se muestra una red parecida para protección individual de
semiconductores:
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-------------------------------------------------------------------------------------------------------
Circuito individual para protección
transitorios sobretensiones de la red ca
Esta protección se utiliza donde se necesite gran capacidad, ya que permite emplear un
condensador electrolítico. El condensador C1 se carga con la tensión de pico inversa
aplicada al circuito, y que aparecen en los bornes del semiconductor T, que debe ser
protegido. Los transitorios de tensión inversa provocan la conducción del diodo D y la
energía transitoria es almacenada en C1 y absorbida por R1, durante la carga de C1, y
por R2, cuando se descarga C1, durante el semiciclo positivo de la tensión de
alimentación.
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7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras
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FUNCIONAMIENTO DE LAS COMPUTADORAS
Las computadoras son sistemas electrónicos denominados técnicamente “SISTEMAS

DIGITALES BINARIOS DE PROCESO SÍNCRONO PROGRAMABLE”. Tienen
aplicación tanto en la gestión empresaria (procesamiento de información, base de datos,
etc.), como en el control de procesos industriales.
Básicamente podemos decir que son sistemas versátiles o universales, dado que es posible
modificar la operación que esta realizando, por otra diferente, modificando el programa de
las instrucciones, necesarias para la nueva tarea a realizar.
La base o punto de partida de estas estructuras, proviene de los “sistemas digitales binarios
de proceso síncrono especializado”, formados por la combinación de sistemas secuenciales
síncronos de control (combinación de flip flop sincrónicos activados por flancos) y
operadores aritméticos y lógicos combinacionales.
Estos sistemas, están caracterizados por realizar un determinado proceso, mediante una
secuencia de operaciones elementales, denominadas microoperaciones.
Veamos el diagrama en bloques de estos sistemas:
Datos externos
Orden externa Unidad de

de inicio memoria
Unidad de
control
Unidad
Generador de aritmética
impulsos y lógica
----------Señales de control
______ Señales de información
La unidad de memoria almacena los datos procedentes del exterior y los resultados
parciales y finales del proceso.
______________________________________________________________________ 1
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
La unidad aritmética y lógica recibe información procedente de la memoria, realiza los
cálculos adecuados con ellos y le devuelve los resultados obtenidos.
La unidad de control, constituida por un sistema secuencial sincrónico, actúa como
gobierno de ambas unidades; ésta se activa por una orden externa.
El inconveniente de estos sistemas, es que un cambio en las especificaciones de
funcionamiento, implica la modificación de la unidad de control.
Microperación: Se entiende como aquella operación aritmética, lógica o de transferencia

de datos, que se realiza durante un ciclo del generador de impulsos, equivalente a un único
estado de la unidad de control. La secuencia de micro operaciones realizadas en cada uno
de los estados de la UC, da lugar a un proceso de la información.
Datos externos
Memoria de
instrucciones
Memoria
de datos
Resultados
Unidad de
control
Unidad
Generador aritmética
de impulsos y lógica
_ _ _ _ _señales de control
_______señales de información (datos, instrucciones)
En este caso la unidad de control (UC) es programable desde el exterior para indicarle las
microoperaciones que debe realizar.
Los programas de operación de estos sistemas, son una secuencia de instrucciones
guardadas en una unidad de memoria, que le indican las sucesivas microoperaciones que
debe realizar.
Los sistemas digitales de proceso programable, reciben el nombre de computadores u
ordenadores.
La unidad de control programable, tiene dos estados diferentes:
a)-Un estado en el cual genera los impulsos adecuados para leer las instrucciones contenida
en la memoria de instrucciones y que se denomina “estado de búsqueda” (Fetch ).
b)-Un estado en el cual se genera los impulsos adecuados para ejecutar la instrucción y que
se denomina “estado de ejecución” (Execute).
______________________________________________________________________ 2
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Instrucciones:
Las instrucciones le indican a la unidad de control “la operación” que debe
realizar el sistema y la “dirección” de los operandos con que debe realizar aquella; por lo
tanto las instrucciones están constituidas por un cierto número de bits, dividido en dos
campos: El campo del código de operación y el campo de dirección.
Código de Dirección
operación
Unidad central de proceso:
La UC dirige la realización del proceso y la unidad aritmética
y lógica (UAL) lo ejecuta. Ambos bloques se presentan en un solo chips denominado
“unidad central de proceso”, “microprocesador” o “procesador”.
Unidad de Unidad Unidad

control aritmética central de
y lógica proceso
(UCP)
Periféricos: Los sistemas externos se denominan periféricos. En Gral. cuando el

computador se conecta a mas de un periférico, solo intercambia información con uno de
ellos simultáneamente. Por ello para disminuir el número de conexiones, los periféricos se
conectan entre sí y la unión común se une al computador. De la misma manera, la memoria
de acceso aleatorio, esta conectada a la conexión común de manera tal que permita un
acceso directo a ella con datos e instrucciones, provenientes de un periférico.
Unidad Unidad de
central de memoria
proceso
Periférico
Generador 1
de
impulsos
Periférico
2
Periférico
3
______________________________________________________________________ 3
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Las instrucciones son una combinación de bits que indican a la UC las acciones que debe
realizar y por ello se pueden almacenar en la misma memoria en la que se almacenan los
datos, con lo cual se reduce el número de terminales de la UC.
Datos externos
Unidad de
memoria de
datos e
instrucciones
Unidad de
control
Unidad
aritmética
y lógica
Generador
de
impulsos
_ _ _ _ señales de control
______señales de datos e instrucciones
La unidad de memoria:
Como la UC es un sistema secuencial sincronica gobernado por un
generador de impulsos de periodo constante, resulta preferible que la lectura de la memoria
se realice en el mismo tiempo, cualquiera sea la posicion de lectura; por ello resulta
conveniente, que esta sea de “acceso aleatorio” (RAM).
Los datos externos y los resultados parciales se memorizan entonces en una memoria de
lectura/escritura de acceso aleatorio.
Las instrucciones también se pueden almacenar en una memoria de este tipo denominada “
“activa”. En algunos casos estas instrucciones no se van a modificar, por lo que resulta
conveniente almecenarlos en una memoria “pasiva” (ROM), dando lugar a la siguiente
estructura:
______________________________________________________________________ 4
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Memoria Memoria
activa pasiva
(RAM) (ROM)
Resultados
Unidad de
control
Unidad Datos externos

aritmética
Generador y lógica
de
impulsos
PROCESAMIENTO DE DATOS EN LA COMPUTADORA
Este tiene la particularidad de ser automático. En este proceso automático, están presentes
cuatro subprocesos:
ENTRADA--- MEMORIZACIÓN--- PROCESAMIENTO---SALIDA
Antes de entrar en detalle del desarrollo de estos subprocesos dentro de la computadora,

tomaremos un modelo equivalente de cómo se procesa la información.
Para ello suponemos una persona (que representa la unidad de control) sentada en un
escritorio el cual tiene puesta una camisa con dos bolsillos (registros), uno en la izquierda y
otro en la derecha. , que le podemos llamar “acumulador A” y “acumulador B”. Frente a la
persona, sobre el escritorio, tiene dos canastas que actúan como “bandeja de entrada” y
“bandeja de salida” (puerto paralelo o puerto serie de la PC). Sobre la pared hay un reloj
que nos permitirá sincronizar o establecer un ritmo minuto a minuto sobre la tarea que se va
a realizar (oscilador a cristal para generar pulsos de sincronismo en la PC).
Sobre el escritorio tenemos una hoja de papel, un lápiz, una goma de borrar y una
calculadora (este elemento representa la UAL de la PC).
En principio también vamos a suponer que siempre realizaremos la misma tarea. La tarea a
realizar, estará descripta en un “mazo de tarjetas” y son fijas (equivalente a una memoria
ROM). En cada tarjeta, y en forma ordenada se indicaran las diferentes tareas a realizar
(instrucciones) con los “datos” que vayan llegando sobre la bandeja de entrada.
______________________________________________________________________ 5
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Las instrucciones de este mazo de cartas (programa), conducirán a almacenar sobre un
pizarrón (memoria RAM volátil), cinco números impares, obtenidos de la bandeja de
entrada, que sean mayores a 100.
El operador (UC), realizara cada instrucción, minuto a minuto en sincronismo con la lectura
del reloj:
Tarjeta n°1: Leer un numero de la bandeja de entrada y escribirlo en el papel y guardarlo
en el bolsillo izquierdo (acumulador A).
Tarjeta n°2: ¿El n° es impar? , si lo es saltear las tarjetas n° 3, 4, y 5.
Tarjeta n°3: Leer un numero de la bandeja de entrada, escribirlo en el papel y guardarlo en
el bolsillo derecho (acumulador B).
Tarjeta n°4: Sumar los números de ambos bolsillos y poner el resultado en el papel del
bolsillo izquierdo (acumulador A).
Tarjeta n°5: ¿El n° es impar?, si no lo es, volver a la tarjeta n°3.
Tarjeta n°6: ¿El n° obtenido es mayor a 100?, si no lo es volver a la tarjeta n°3.
Tarjeta n°7: Escribir en el pizarrón el número almacenado en el bolsillo izquierdo.
Tarjeta n°8: ¿Hay cinco números en el pizarrón?, si no lo hay volver a la tarjeta n°1
Como podemos observar, cuando se lee cada instrucción, se deberá tomar una decisión”
lógica” (por ejemplo saltar a otra instrucción) o realizar una “operación”. Estas acciones
son las funciones principales que se desarrollan en un computador.
CONCEPTOS DE PROGRAMACIÓN
En el modelo equivalente desarrollado, vemos que un programa de una computadora se

realiza con un conjunto de instrucciones ordenadas, que se encuentran en una memoria. Los
programas de computación, se denominan “software” y son los encargados de dirigir la
actividad de la UCP (microprocesador).
Los programas, habitualmente están guardados en una unidad de disco rígido, unidad de
disquete, CD ROM, o en una memoria electrónica permanente del tipo ROM.
Diagrama de flujo:
Antes de comenzar a escribir un programa sobre un papel o editor de
textos de una PC, es conveniente generar un “diagrama de flujo” de las actividades que se
desea que el programa ejecute. Podemos decir que un diagrama de flujo es una
representación grafica de los pasos lógicos, cálculos y decisiones y la secuencia en que
deben ejecutarse los mismos, para llevar a cabo una tarea especifica.
Símbolos utilizados
Comienzo, continuación o fin
Proceso o
acción
Conexión entre páginas del flujo
desición Entrada
o salida
______________________________________________________________________ 6
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Diagrama de flujo del ejemplo
T7
Comienzo
Escribir
T1 resultado en
pizarrón
Colocar en bolsillo
izquierdo un n° de la
canasta de entrada
T8
no
T2 ¿Quinto
si
El Nº es número?
impar?
no T3
Colocar en bolsillo
derecho un n° de la
canasta de entrada Continuar
T4
Sumar ambos Nº y
guardar resultado en
bolsillo izquierdo
no T5
El Nº es
impar
si
T6
El Nº
supera
100
no
si
______________________________________________________________________ 7
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Códigos nemotécnicos:
Son códigos simples, alfabéticos y representan la función de la instrucción codificada.
Las instrucciones de una computadora, están materializadas como un grupo de bits
codificados que la UC lo interpreta y realiza una determinada operación.
Por ejemplo en el microprocesador de Motorola M6800, la instrucción
“ABA”(nemotécnica) significa sumar el contenido del acumulador A con B.
Esta instrucción en formato de 8 bits equivale: ABA = 1B (hex) = 00011011
Cuando el microprocesador encuentra esta instrucción (en el registro de instrucción), la
decodifica interpretando “sumar los contenidos de los acumuladores, colocar el resultado en
el acumulador A y buscar la próxima instrucción en la dirección de memoria siguiente.
Ejemplo: MOV AX, 1020. Esta instrucción corresponde a los microprocesadores INTEL
(80x86 como el 286-386-486-Pentium). Significa guardar el dato 1020 (hex) en el registro
AX.
MOV [5000] ,AX = A10050 (hex).
A1: código de operación: mover un dato al registro AX0050: dirección de memoria donde
se encuentra el dato.
Teniendo en cuenta el ejemplo anterior, en un computador tenemos dos aspectos
importantes que permiten desarrollar un determinado proceso: El “hardware” que
representa el medio físico que permite desarrollar el proceso, y el “software” o programa,
que representa el conjunto de instrucciones para dirigir el desarrollo del proceso.
Teniendo en cuenta los cuatro subprocesos mencionados, los bloques funcionales de un
computador (PC), se pueden representar como las funciones que realizan:
ENTRADA MEMORIZACION
SALIDA PROCESAMIENTO
______________________________________________________________________ 8
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Bloques básicos que constituyen un computador personal (PC)
Entrada Memorización Procesamiento Salida
Interfaces Interfaces
MICRO
Mouse I PROCESADOR I Monitor
MEMORIA Unidad de
control
Disco
rigido
I I Disco
rigido
Instrucciones Registros
Datos datos, ins-
Unidad de
disquete
I trucciones I Unidad de
estado y disquete
Resultados puntero
Scanner
I I Impresora
Unidad
aritmética
Moden
I y lógica I Moden
CD ROM
I I Plotter
Periféricos Bus de datos, instrucciones, Periféricos

de entrada direcciones y control de salida
Periféricos de entrada / salida:

Son dispositivos que suministran y o reciben información de
la computadora. Generalmente los periféricos trabajan en un sistema diferente e
independiente.
Interfaces de entrada / salida:
Son circuitos electrónicos intermediarios, ubicados entre dos
subsistemas independientes, que sirve para comunicarlos y adaptarlos eléctricamente. En
Gral. la interfase esta ubicada (no siempre) en una placa adaptadora que se inserta en la
______________________________________________________________________ 9
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
placa principal de la computadora (placa madre o Motherboard). El periférico se conecta a
esta placa por medio de un cable que posee varios conductores (a través de un conector).
Este cable posee en sus extremos conectores apropiados para conectar el periférico por un
lado y la plaqueta interfase por el otro.
La plaqueta interfase (electrónica intermedia), posee circuitos con memoria que constituyen
“registros” denominados “puertos” (Port).
Resumiendo la plaqueta interfase tiene como misión principal, convertir los datos externos
en internos en las operaciones de “entrada” y a la inversa en las operaciones de salida.
La unidad de control, que es la que gobierna el funcionamiento interno, no tiene mando
directo sobre los periféricos; lo hace a través de la plaqueta interfase, por medio de un
programa preparado a tal fin.
Buses:
En un computador, los distintos sistemas que lo conforman, se comunican entre sí,
mediante un conjunto de líneas eléctricas (impresas en la placa principal), y cables
conductores que los interconectan entre sí eléctricamente, los cuales configuran una
“estructura de interconexión. Decimos entonces que un “bus” de un computador es una
estructura de interconexión para la comunicación selectiva entre dos o más módulos por
vez. Por ejemplo la comunicación del microprocesador con la memoria, para transmitir
direcciones, datos, resultados y para suministrar energía eléctrica, constituyen un bus.
En Gral., en un bus encontramos líneas para direcciones, datos y señales de control.
Bus de direcciones: Conducen desde la UCP a la memoria principal (MP), una

combinación de unos y ceros que indica como localizar instrucciones o datos. Es
unidireccional. Los puertos, también son direccionados por este bus.
Bus de datos: Por ejemplo en cada lectura de MP, estas líneas conducen datos a operar
como instrucciones (para la arquitectura de Von Neuman). En una operación de escritura,
conducen los resultados desde la UCP a la MP.
Bus de control: Son unidireccionales. Salen de la UCP hacia la MP o interfaces. La UCP

las utiliza para leer o escribir en la MP, o para recibir señales que indica lectura
efectivizada o solicitudes de interrupción.
Un bus común en las PC es el “bus de sistema o “bus ISA ó IBM bus o AT bus o bus de
entradas salidas al cual a través de zócalos se conectan plaquetas para conexión de
periféricos. Este bus tiene las tres clases de líneas indicadas. No esta directamente
vinculado al bus local que se conecta directamente a las patas de la pastilla que contiene a
la UCP.
Otros buses comunes de encontrar en una PC son el VESA (conectado a líneas que salen de
la UCP), el bus PCI, como así también el conexionado SCSI.
Las líneas de datos de cualquier bus se interconectan con las líneas de datos del bus del
microprocesador ya sea directamente o a través de chips, cuyos circuitos hacen de puente
entre los distintos buses como lo sugiere el dibujo.
Es importante aclarar, que si bien los distintos periféricos están conectados a los mismos
buses, no lo hacen simultáneamente, sino a través de solicitudes de interrupción (líneas
IRQ).
______________________________________________________________________ 10
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Otra característica de la comunicación de los periféricos con la UCP, esta en la forma de
transferir los datos e instrucciones. Una forma es que en vez de pasar directamente los datos
e instrucciones a la MP, lo hagan a través de registros (como AX) de la UCP y de este a la
MP, dando lugar a una triangulación. Esto es lo que sucede en una PC, cuando se entran
datos desde el teclado, el Mouse o el disco rígido. En cambio la unidad de disquete envía o
recibe información directamente a memoria sin realizar la triangulación. Esta ultima
transferencia de información se denomina “acceso directo a memoria (ADM). En teoría
resultaría más rápida pero en los procesadores rápidos como el 486 o Pentium, la
triangulación resulta más acelerada.
BLOQUES INTERNOS PRINCIPALES DE UN SISTEMA DIGITAL SINCRÓNICO

PROGRAMABLE
Bus de direcciones
Memoria Unidad de control
R D I Bus datos e R D M S P
D I N Instrucciones I I I C
I S
T
Bus de control
Unidad operativa
Módulos
de entrada Registro
y salida auxiliar
I/O Unidad
Acumula aritme-
dor tica
lógica
Registro UAL
de
estado
______________________________________________________________________ 11
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
UNIDAD CENTRAL DE PROCESO (UCP)
Esta formado por la unidad de control (UC) y la unidad operativa. Esta ultima esta
compuesta por la unidad aritmética y lógica y los registros como el AX, RI y otros que se
usan durante la ejecución de cada instrucción.
La UCP, es el bloque donde se ejecutan las instrucciones. Hacia ella se dirigen las
instrucciones que serán ejecutadas (una vez que se decodifique su código) y los datos para
ser operados por la UAL. De la misma forma, con los resultados que genere la UAL.
La UCP de una microcomputadora como lo es una PC, esta contenido en el chip
“microprocesador central” (INTEL: 80286/386/486/Pentium, Power pc, Alfa, etc.)
Diagrama en bloques de la unidad de control (UC)en la Fase ejecución de la

instrucción
Registro de Decodificador
Bus de datos e instrucciones de instrucciones
instrucciones (RI) (DI)
Memoria de
microinstrucciones Secuenciador
(MI) generador de Contador
Códigos de impulsos de de
instruccion control programa
(S)
Bus de control Bus de direcciones
La unidad de control tiene la misión de interpretar y ejecutar las instrucciones provenientes

de la MP a través del bus de datos e instrucciones. El código binario que se va a ejecutar, se
deposita en el registro de instrucciones (RI) y luego se traslada al “decodificador de
instrucciones” (DI), cuya misión es seleccionar en una memoria ROM, un conjunto de
posiciones que corresponden al código recibido y en las que se encuentran los códigos de
las operaciones elementales o microinstrucciones, que componen las diferentes etapas en
las que se divide la ejecución de la instrucción decodificada.
______________________________________________________________________ 12
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Las microinstrucciones van pasando al “secuenciador” (S), que es un circuito lógico de
control y tiempos, el cual gobierna a todos los elementos del sistema y lleva a cabo la
ejecución secuencial de las microinstrucciones.
La función del contador de programa (PC), es enviar por el bus de direcciones, la posición
de la memoria donde se encuentra la siguiente instrucción que se va a ejecutar. Este
contador, se incrementa en una unidad, en cuanto la memoria acepta la dirección de la
instrucción anterior.
Operaciones de la unidad de control:
La UC, realiza millones de operaciones básicas por
segundo, en forma repetitiva o cíclica a saber:
1)- Obtener de la memoria, la próxima instrucción a ejecutar.
2)- Decodificar la instrucción.
3)- Localizar los datos a operar en MP, registro, etc. según lo ordene la instrucción.
4)-Ordena a la UAL que realice la operación indicada, guardando el resultado en un
registro o en MP
1 2 3 4
Obtener Decodificar Localizar Realizar

instrucc dato a operación y
operar guardar
Obtener nueva instrucción con el PC actualizado
Las direcciones en MP están ubicadas en forma consecutiva. La UC localiza las direcciones

de las instrucciones, a través de “contador de programa” o también denominado “registro
puntero”, donde se registra la próxima instrucción a ejecutar. Cuando la instrucción se
ejecuta (paso 4), el contador de programa se actualiza, para obtener la dirección de la
próxima instrucción. Cabe aclarar que una instrucción puede estar compuesta por varias
direcciones consecutivas de la MP.
La unidad aritmética y lógica UAL:

La UAL es un circuito combinacional, que realiza
operaciones aritméticas con números naturales o enteros, con instrucciones de suma, resta,
multiplicación y división. También realiza operaciones lógicas.
Para operar con números fraccionarios, el programa que ordena las operaciones aritméticas,
debe controlar el lugar donde esta la coma y operar como números enteros, de forma
similar como lo hacemos manualmente.
Las operaciones lógicas que puede realizar son la AND, la OR, y la NOT. También en
algunas UAL pueden realizar la NAND, NOR, Y XOR.
Por ejemplo la operación AND queda definida por las siguientes condiciones:
0.0=0 0.1=0 1.0=0 1.1=1
______________________________________________________________________ 13
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Si tenemos dos operando de 8 bits, la operación AND se realiza columna por columna:
10010100
11011101
-------------
10010100
También puede realizar operaciones de comparación. Por ejemplo si se desea comparar dos
números A y B a fin de saber si A es igual, mayor o menor que B, en la UAL se resta A-B.
La indicación de la UAL de resultado negativo, cero o positivo, permite conocer como es A
respecto de B.
La UC no sabe que esta operando números ni el valor de una combinación binaria. Por
ejemplo para saber si un número es el 2003, debemos restarle el mismo número. Si el
resultado es cero, entonces es el número.
La UAL indica el resultado de su operación mediante indicadores de estado (flag) que
pueden valer 0 ó 1 y se encuentran en el denominado “registro de estado”. Estos
indicadores son esenciales para determinar, mediante instrucciones de salto, que se pase a
ejecutar otra instrucción distinta de la que corresponde por orden sucesivo de escritura de
las instrucciones en memoria.
El registro de estado en las PC es de 16 bits, los cuales se utiliza tres bits o banderas de
control para: Dirección, interrupción y captura; cinco bits o banderas de status:
desbordamiento, signo, cero, acarreo auxiliar, parida, acarreo.
Por ejemplo el indicador de signo (S) para enteros vale 1(NG) si el resultado de la
operación fue negativo y vale 0 (PL) si fue positivo
El indicador de cero vale 1 (ZR) si el resultado vale cero y si no es cero, vale 0 (NZ).
Diagrama en bloques de la unidad operativa UAL
Resultado
Registro
acumulador
Unidad
Bus aritmética
de y lógica
datos Registro
Registro 2º de estado
operando
Selección de la operación
Uno de los operando que interviene en la operación se carga en el registro acumulador

(AX). El otro operando se carga en otro registro auxiliar (BX, CX, DX). El resultado de la
operación en Gral, queda en el registro acumulador, reemplazando al 1° operando.
______________________________________________________________________ 14
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Denominación de las agrupaciones de bits
1 nibble = 4 bits
1 byte = 8 bits
Palabra = 2 bytes = 16 bits (word)
Palabra larga 4 bytes = 32 bits (doble Word)
1024 bytes = 1 kbyte (1 kb) = 8.192 bits.
1 Mbytes (1MB) = 1024 Kbytes = 1024x1024 bytes = 1.048.576 bytes
1 Gbyte (1 GB) = 1024 Mbyte = 1024x1024x1024 bytes
1 Tbyte (1TB) = 1024 Gbyte = 1024x1024x1024x1024 bytes
LA MEMORIA PRINCIPAL DE UN COMPUTADOR (MP)
La MP de un computador es de acceso aleatorio, significando esto, que el tiempo de acceso

es el mismo para cualquier dato o instrucción que se quiera leer o escribir.
Considerando el mantenimiento en el tiempo de la información guardada, las memorias
pueden ser ROM, donde el contenido se mantiene en el tiempo, y se dice que son de solo
lectura, y RAM que se caracterizan por que se pueden leer y escribir. El contenido de estas
últimas se puede borrar y volver a escribir.
Dentro de esta primera clasificación, tendremos varios tipos que por el momento no lo
consideraremos. Solamente veremos por ahora su direccionamiento y contenido.
Una memoria, la podemos considerar como un conjunto de casilleros. En cada casillero,(si
esta organizada en bytes) se guarda un byte de información (8 bits). Este, puede ser un dato,
un carácter imprimible o no, una instrucción de un programa etc.
Cada casillero o celda se localiza mediante un número binario denominado “dirección”. La
cantidad de casilleros que se puede identificar, dependerá de la cantidad de bits que posea
la “dirección”.
4 bits --------24 = 16 identifica a 16 casilleros
16 “ ---------216 = 65.536 identifica 65.536 casilleros
32 bits 232 = 4.294.967.296 (4 Gigabytes) identifica a 4 GB

En cada celda o casillero de una memoria, identificada por una dirección, solo pueden
leerse o escribirse 8 bits por vez, sin posibilidad de operar menor cantidad de bits o un bit
aislado.
Las memorias, desde el punto de vista contructivo, pueden ser “estáticas “o “dinámicas”.
Las estáticas están conformadas con flip flop sincrónicos. Estas son rápidas en lectura /
escritura pero ocupan mayor volumen.
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------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Las dinámicas, utilizan pequeños capacitores semiconductores (MOS). Son de alta densidad
de integración, pero necesitan tensiones eléctricas de refresco para no perder la información
cuando están activas. En ambas cuando se elimina la tensión de alimentación, la
información se pierde.
Memorias ROM:
Son de solo lectura. Presentan un esquema de direccionamiento similar a
las RAM. Para aquellos sistemas digitales programables que realizan una función específica
como los “microprocesadores dedicados” y los “microcontroladores”, en este tipo de
memoria, se guardan las instrucciones que forman el programa de la aplicación especifica.
Eliminada la alimentación, la información no se pierde. Son memorias semiconductoras y
exciten varias técnicas para su construcción.
Por ejemplo en los computadores personales (PC), parte de la memoria principal, es ROM,
ubicada en el chip denominado ROM BIOS (Basic input output system).
La ROM BIOS contiene programas que se ejecutan cuando se enciende el computador y
tienen entre otras las siguientes finalidades:
1)- Verificar en el arranque el correcto funcionamiento del “Hardware” y su configuración.
2)- Traer del disco rígido a la memoria principal (MP) una copia de programas del sistema
operativo del computador, acción conocida como bootear o arrancar el sistema.
3)- Por otra parte almacena programas que se usan permanentemente para la transferencia
de datos entre periféricos y memoria, sea en operaciones de entrada o salida de datos.
4)- La ROM BIOS también tiene tablas, por ejemplo relativas a características de discos.
En las PC, las ROM, son de tipo EEPROM o de tipo FLASH.
Diagrama en bloques de la unidad de memoria de lectura / escritura con 256

posiciones con 8 bits.
8lineas
Bus de Registro de Decodificador
direcciones direcciones de direcciones
(8lineas) (RDI) (DD)
Contenido Dirección
00
01
10110010 10
8 líneas 01100011 ---
Bus de 11001100 ---
datos Registro de
------------- FF
(8lineas) datos
-------------
11110001
Bus de Memoria
control 8x256 256 líneas
______________________________________________________________________ 16
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Analicemos la operación de esta memoria de 256 posiciones de 8 bits.

Los datos están ubicados en casilleros electrónicos de 8 bits cada uno. Para acceder a ellos
es necesario direccionarlos a través del “bus de direcciones”. En la memoria cuando se le
indica leer (read, R), a través del bus de control la dirección queda almacenada en el
registro de direcciones (n líneas de entrada, n líneas de salida). De allí se pasa al
decodificador de direcciones, que es un circuito de “n” entradas y 2N salidas donde se
selecciona el casillero direccionado. Los 8 bits de la posición accedida, salen al registro de
datos cuya salida esta conectada al bus de datos e instrucciones.
En una operación de escritura, a través del bus de control, se le indica a la memoria que
realice una escritura (write W). En este caso el dato (8 bits) o instrucción, se presenta en el
bus de datos y queda almacenado en un casillero indicado por el bus de direcciones.
La unidad de memoria se conecta al bus de datos e instrucciones a través de circuitos de 3
entradas: cero, uno y alta impedancia.
Esquema de un circuito integrado de una memoria de acceso al azar (RAM)
Terminales de alimentación
Líneas de
Selección Ao VCC GND Do
A1 D1 Terminales
de de entrada
Bytes o A2 capacidad D2
A3 128 bytes D3 o salida de
líneas de datos
direcciona A4 D4
A5 8x128 bits D5 Conexión
miento al bus de
A6 D6
D7 datos
Lectura/escritura R/W
_
S3 S2 S1
Triestate
Terminales para selección
circuito integrado para
formar bancos de memoria
______________________________________________________________________ 17
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Espacio de memoria de un microprocesador:

El espacio de memoria de un
microprocesador, esta relacionado a la capacidad máxima de direccionamiento que
dispone. Éste, esta en relación directa a la cantidad de líneas de direccionamiento (bus de
direcciones) que puede direccionar.
Por ejemplo, un microprocesador con un bus de datos de 8 bits y un bus de direcciones de
16 bits (como el up z80), puede manejar una capacidad de memoria máxima de:
2N = 216 = 65.536 bytes = 64 Kbytes = 64 Kb

La serie de microprocesadores de la firma INTEL, de la serie 80x80, trabajan con la
siguiente cantidad de datos y direcciones:
Microprocesador | Línea de datos externa | línea de direcciones | Espacio de memoria |
----------------------|------------------------------|---------------------------|--------------------------|
8086 16 20 1024 Kbytes (1MB)
8088 8 20 1024 “ “
80286 16 24 16.384 “ (16 MB)
80386 DX 32 32 4.096 Mbytes (4 GB)
80486 DX 32 32 4.096 “ “
Pentium 64 (int.2x32 ) 32 4.096 „ „
Pentium pro 64 „ 36 65.536 MB (64GB)
Mapa de direccionamiento de la memoria
______________________________________________________________________ 18
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FFFF 1000
FFFF
F000
FFFE
E000
FFFD
D000
FFFC
C000 0C00
FFFB
B000
FFFA
A000
FFF9
9000
64KB
8000 0800
7000
1KB
6000
0005 4K
5000
0004
4000 0400
0003
3000
0002 1KB
2000
0001
1000 0100
0000 4K 1pagina
0000 0000
Tomemos por ejemplo un microprocesador de 8 bit, con un bus de direcciones de 16 bits.
La capacidad de direccionamiento es entonces de 65.536 direcciones de memoria, cada una
conteniendo un byte. Estas direcciones (ver dibujo anterior) se expresan en hexadecimal, la
mas baja de las cuales será 0000 H y la mas alta FFFF H.
Es de notar que la dirección de memoria se incrementa en 1000 H cada 4KB (4096)
direcciones de espacio de memoria. También vemos que cada 1KB, la dirección se
incrementa en 0400 H.
La memoria también se organiza en” paginas de memoria”. Cada una contiene 256 bytes y
cubre 100 H direcciones de memoria. Hay por lo tanto 4 paginas en 1KB de memoria. Las
direcciones en la página de más bajo orden van desde 0000 H hasta 00FF H; en la siguiente
desde 0100 H hasta 01FF y así sucesivamente.
SECUENCIA DE OPERACIÓN DE UNA INSTRUCCIÓN
La ejecución de un programa (conjunto de instrucciones) de una computadora exige

disponer las “instrucciones”, una a continuación de la otra y en forma ordenada, en la
memoria principal (MP). El principio de ejecución de cada una de estas instrucciones, tiene
características similares. En todas ellas como dijimos, tenemos dos tiempos fundamentales
llamados de “búsqueda” (fetch) y “ejecución” (execute)
Fase de búsqueda:
La fase de búsqueda, corresponde al comienzo de una nueva instrucción
y es similar para cualquier instrucción. El registro “contador de programa”(PC o´IP en los
microprocesadores de INTEL 80x86), deposita en el bus de direcciones, la dirección de la
______________________________________________________________________ 19
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
posición en la memoria principal, donde se encuentra el código de instrucción que se va a
ejecutar. Dicho código sale de la MP por el bus de datos hasta la unidad de control, donde
se graba en el registro de instrucciones según el siguiente esquema
Contador UNIDAD
de DE
programa CONTROL
Bus de direcciones
MEMORIA PRINCIPAL
Registro de Decodificador Dirección Contenido Registro datos e

direcciones direcciones 01 11000110 instrucciones
Bus de datos e instrucciones
UNIDAD Registro de
DE instrucciones
CONTROL
Al mismo tiempo, el contador de programa se incrementa en una unidad, puesto que
siempre debe señalar la dirección de la próxima o siguiente instrucción que se va a ejecutar
para cuando se necesite. De esta forma se completa la fase de “búsqueda”.
Fase de ejecución:
______________________________________________________________________ 20
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Bus de datos e
instrucciones
BLOQUES DE LA
UNIDAD DE CONTROL
Registro de
instrucciones
Memoria de Bus de
microinstrucciones control
Decodificador de
instrucciones dirección contenido Secuenciador
Contador de
Bus de programa
direcciones
La primera parte de esta fase, la decodificación de la instrucción, es igual para todas las
instrucciones. La parte de la instrucción llamada”código de operación” (opcode), se
transfiere al decodificador de instrucciones (DI) y en esta parte comienza la diferencia
entre el repertorio de instrucciones..
Al recibir el decodificador de instrucciones, el código de la instrucción en curso, se encarga
de seleccionar en la memoria de microinstrucciones, aquellas que corresponden a dicho
código. Estas microinstrucciones pasan al “secuenciador”, las cuales originan una serie de
señales de control, en el tiempo, que regulan la ejecución de las diferentes etapas en las que
se descompone la instrucción.
Ejecutadas todas las microinstrucciones que componen la instrucción, el contador de
programa se incrementa en una unidad y el sistema pasa a la ejecución de la siguiente
instrucción del programa. Por ejemplo en el caso de una suma, uno de los sumandos ha de
estar contenido previamente en el registro “acumulador” (AX), mientras que el otro llegara
de un registro auxiliar; generalmente de la memoria de datos cuya dirección
correspondiente vendrá acompañada, al código de la operación en la instrucción.
La UAL efectuará la suma y el resultado se depositará en el registro acumulador, al mismo
tiempo que los bits señalizadores del registro de estado tomarán el valor correspondiente,
en función del resultado.
PROCESAMIENTO INTERNO DE DATOS, EN LENGUAJE MAQUINA, DE UN
COMPUTADOR
A continuación, a los fines, didácticos, para una mayor comprensión del funcionamiento
interno de un computador, vamos a analizar paso a paso el procesamiento de datos en un
______________________________________________________________________ 21
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
computador personal (PC). Para ello, utilizaremos como herramienta de apoyo, el programa
“DEBUG”, que opera como “monitor externo de lenguaje de maquina”. Este programa se
encuentra residente en el sistema operativo MS-DOS. Con él, podremos realizar las
siguientes operaciones:
a) Examinar la memoria ROM y RAM del computador
b) Modificar el contenido de la memoria RAM del computador.
c) Cargar y examinar un archivo en una determinada dirección de la memoria (la memoria
se examina por sectores de 64 Kbytes).
d) Ejecutar un programa un escrito en lenguaje de maquina (unos y ceros) o en lenguaje
Ensamblador, ya sea en su totalidad o una instrucción por vez
e) Ensamblar y ejecutar programas sobre la marcha. Debug solo crea archivos con
extensión “.com.”. Esto significa que estos programas no pueden ser mayores a 64 Kbytes.
f) Examinar y modificar los registros operativos que son accesibles para la programación en
lenguaje de maquina (0y 1), lenguaje Asembler (Lenguaje nemotécnico de las instrucciones
con que opera el computador) o lenguajes de alto nivel.
Para el tratamiento de los datos e instrucciones, Debug trabaja en el modo de escritura
Hexadecimal. Debug simula un microprocesador 8086, pero como es compatible con el
386, 486 y el Pentium, puede usarse con cualquier PC que disponga del sistema operativo
MS-DOS. ( El Windows 98, 2000 y Xp profesional también lo disponen).
Para acceder a MS-DOS (sistema operativo por medio de líneas de comando), en el
Windows Xp profesional, debemos posicionarnos en: INICIO → Todos los programas →
Accesorios → Símbolo del sistema, y luego pulsar “enter” (retorno) y de esta manera
aparecerá el símbolo del sistema “C:\ >”.En esta condición, MS-DOS esta listo para recibir
líneas de comando.
Ejemplo:
Procedimiento para leer o escribir la memoria principal (RAM) de la PC
1) Nos posicionamos en el directorio principal “C”, en sistema operativo MS-DOS,
siguiendo los pasos indicados anteriormente.
2) Aparece en la pantalla, en el margen superior izquierdo, el símbolo del sistema “C:\>”,

indicándonos que el DOS espera que se escriban las líneas de comando.
3) C:\> DEBUG ↵ (llamamos al programa DEBUG; con el símbolo “↵” indicamos la

acción de pulsar la tecla “ENTER”
4) – (Después de pulsar la tecla “↵”, aparece un guión titilante indicándonos que Debug
esta listo para ejecutar sus líneas de comando). Los dígitos que van a aparecer y escribir,
representan al sistema “Hexadecimal”.
5) E 2000 ↵ (Línea de comando para indicarle al DEBUG examinar la memoria en un

determinado segmento de 64 KB posiciones de 1 byte, en la dirección relativa 2000 Hex.)
6) 0AC1: 2000 69 (Después de pulsar “↵ ↵”, aparece la dirección indicada, seguida de dos
números hexadecimales, por ejemplo 69)
0AC1: Esta relacionado con el comienzo de la 1ª dirección del segmento, que en este caso
es 0AC10 (se agrega un cero a la derecha).
______________________________________________________________________ 22
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2000: Es la dirección relativa dentro del segmento.
Para encontrar la dirección absoluta,(para una memoria de 1Mbyte≡1.048.576 direcciones),
debemos sumar ambas cifras (en hexadecimal):
0AC10 + 2000 = 0CC10. Como vemos, corresponde a una dirección de 20 bits por lo cual
el máximo direccionamiento que podemos hacer, es de 1 MB, comenzando por la dirección
00000 (hex) y terminando en FFFFF (hex).
69: Es el byte que esta contenido en el casillero de la MP:
69H≡01101001B (El contenido también se expresa en Hexadecimal).
7) 0AC1: 2000 69 0C 00 1A………….. Una vez que apareció el primer

contenido (69), si pulsamos la tecla de la barra de espacio (SP), aparece el contenido de las
posiciones consecutivas.
8) Para cambiar el contenido de una posición de la memoria, se escribe seguidamente al

contenido mostrado, el nuevo valor a guardar, en esa dirección.
0AC1: 2000 69 00 (En esa dirección, tiene guardado el 69; si seguidamente escribimos el
00, el contenido “69” será reemplazado por el valor “00”. Para verificar la operación
pulsamos “↵ ↵” y nuevamente escribimos la misma dirección para visualizar si el nuevo
contenido se guardó.
0AC1: 2000 00
9) Para salir del programa “Debug”, debemos escribir seguidamente al guión titilante, la
letra “Q” y a continuación pulsar “↵↵”.
El contador “CP” (contador de programa), registro por el cual la unidad de control
direcciona a la memoria de programa (MP) para encontrar la siguiente instrucción a
ejecutar, esta formado por dos registros auxiliares, denominados “Segmento de código”
(CS) y “Registro puntero” (IP). En el caso del ejemplo, se carga en CS, el valor 0AC1, y
en IP el valor 2000.
Conviene aclarar, que el contenido de una posición de la memoria, se puede obtener con
distintos valores de direcciones relativas contenidas en CS e IP
Ejemplo:
CS IP contenido Dirección absoluta
20B9 : 5000 E8 → 20B90 + 5000 = 25B90
20B8 : 5010 E8 → 20B80 + 5010 = 25B90
20B7 : 5020 E8 → 20B70 + 5020 = 25B90
A continuación vamos a crear en la PC, en el directorio “C”, un archivo de texto y en el

escribiremos lo siguiente: “Ana 3/6/80”. Esta expresión quedara grabada en el disco rígido.
Cuando llamemos a este archivo, la información pasara a la memoria RAM (una copia) de
la PC. Como es información de texto, el código digital que se usa, es el ASCII.
(barra de espacio)
A n a sp 3 / 6 / 8 0 → texto
41H 6EH 61H 20H 33H 2FH 36H 2FH 38H 30H → código ASCII (Hex)
↓ ↓
01000001B 00101111B código ASCII (Bi)
______________________________________________________________________ 23
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Primero vamos a crear un archivo de texto con nombre y extensión “Mario.Cod”:

1) C:\> Copy con Mario.Cod ↵
2) Ana 3/6/80 ^Z↵ ↵ (para escribir en C:\> ^Z, pulsar la tecla “control” junto con la tecla “Z”)
A continuación examinaremos este archivo en la memoria, mediante el programa “Debug”
que por defecto, lo ubicara en un determinado segmento de código, a partir de la dirección
relativa 0100. Para ello debemos escribir el siguiente comando, para el programa Debug, a
partir del símbolo del sistema:
3) C:\> Debug Mario.Cod ↵
4) – E100 ↵
5) 17F8:0100 41 6E 61 20 33 2F 36 2F
17F8:0108 38 30
Ejemplo
Partiendo de la ventana de Windows, crearemos un archivo de texto, que lo ubicaremos en
el directorio “C” que denominaremos “PRUEBA1.txt”. Para ello, utilizaremos el editor de
textos “Bloc de notas” (INICIO\Programas\Accesorios\Bloc de notas↵ ↵). Como texto,
escribiremos: 0 sp 1 sp 2 sp 3 sp 4 sp……, siendo sp la barra de espacio (realizado con el
tabulador)
1) Creamos el archivo y lo ubicamos en el directorio C
2) Nos ubicamos en el símbolo del sistema y escribimos el siguiente comando para el

programa Debug:
C:\> Debug PRUEBA1.txt ↵
3) – E 100 ↵ (A continuación del guión titilante examinamos la MP con el comando E 100)
17F8:0100 31 20 32 20 33 20 34………………
Debug nos muestra que en esa dirección, esta guardado el código binario 31(escrito en
Hex.), que representa en código ASCII el numero decimal “1”. Los demás códigos los
podemos obtener pulsando la tecla de espacio (sp).
Nota: Para salir de este último comando debemos pulsar la tecla “↵↵”; paso seguido, aparece
el guión titilante, indicándonos que el Debug, esta esperando nuevos comandos. Si
↵”, pasando al
queremos salir del programa, debemos escribir la letra “Q” y pulsar “↵
símbolo del sistema “C:\>”.
Si queremos salir del símbolo del sistema, para pasar a la ventana Windows, debemos
escribir “Exit” y teclear “↵↵”.
Procesamiento de datos en un computador
En cualquier proceso de datos, es indispensable escribir en la memoria principal (MP) o

también llamada “memoria de trabajo” (RAM), los datos y las instrucciones del programa,
______________________________________________________________________ 24
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
antes de ejecutarlas. Para ello se deberá tener una zona en la memoria, donde se guardaran
las instrucciones, y una zona donde se guardaran los datos.
Representación contenidos y direcciones de la memoria
0200 A1 0211
0201 00 I1
0202 50
5000 20
0203 03 P
5001 10
0204 06 Zona
I2 De
0205 00
Zona datos
0206 50 5006 40
De Q
0207 2B programa 5007 20
0208 06
I3
0209 06
5010
020A 50 R Resultados
5011
020B A3
00
020C 10 I4
020D 50
020F
0210
Como ejemplo, vamos a efectuar la siguiente operación:
R=P+P–Q
P = 1020 H (Hexadecimal)
Q= 2040 H
1020 H ≡ 0001 0000 0010 0000 B
Para P, asignamos las direcciones 5000 H y 5001H

Para Q, asignamos las direcciones 5006 H y 5007H
Para R, asignamos las direcciones 5010 H y 5011H
Cuando un dato ocupa mas de 1 byte (8 dígitos binarios=8 bits) de memoria, el byte de
menor peso se le asigna la primer dirección y a la dirección siguiente, el byte de mayor
peso.
______________________________________________________________________ 25
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
En general, una instrucción ordena una operación y en relación con ésta, permite ubicar un
dato a operar. Así mismo, indica donde guardar el resultado de dicha operación. La
combinación binaria que codifica a una instrucción, constituye su “código de instrucción” o
código de maquina, en el sentido que representa el código que entienden los circuitos de la
unidad de control (UC). Cada procesador tiene sus propios “códigos de maquina” que
puede ejecutar.
Analicemos las instrucciones necesarias para resolver el ejemplo:
I1= A10050 = código de maquina (A1) + dirección del dato(0050)

A1H : Es una instrucción de transferir o mover hacia el registro acumulador (AX) una copia
del dato que esta en la memoria en la dirección 5000H. I1,es una instrucción que ocupa 3
bytes y su denominación en código nemotécnico (Asembler) es “MOV [5000] , AX”
I2= 03065000 =código de maquina (0306) + dirección del dato (0050)

0306H= Es una instrucción que ordena sumar al contenido del registro acumulador o sea
AX, una copia del dato que esta en la memoria, en la dirección que indican los dos últimos
bytes; en este caso vuelve a ser 5000H pero podría ser otra dirección.
I3 = 2B060650 = código de maquina (2B06) + dirección del dato (0650)

2B06H= Ordena restar al numero contenido en AX, una copia del numero que en la
dirección de memoria que indican los dos últimos bytes, o sea 5006H (transpuestos). El
resultado de esta operación queda en el registro acumulador AX.
I4 = A31050 = código de maquina (A3) + dirección de memoria (1050)

A3H= Ordena transferir hacia la posición de memoria cuya dirección esta indicada en los
dos últimos bytes (5010H), una copia del numero que esta en el registro AX.
A continuación, mediante el “Debug” , vamos a guardar en la memoria, el “programa de

computación”, definido como el conjunto de las instrucciones I1, I2, I3 I4, mas los datos P y
Q. La escritura la haremos en lenguaje de maquina (mediante su expresión hexadecimal),
en el segmento de 64 Kbytes, identificado como 19B0, cuya dirección absoluta de inicio es
19B00. Las instrucciones, las guardaremos a partir de la dirección relativa 0200H y los
datos, a partir de la dirección 5000H.
1) C:\> Debug ↵
2) _ (Aparece guión titilante, indicándonos que Debug espera comandos)
3) _ E 19B0 : 0200 ↵
4) 19B0 : 0200 25.A1 F2.00 CF.50 AA.03 12.06 AD.00 2A.50

19B0 : 0208 26. 2B 22.06 54.06 12.50 00.A3 B1.10 BF.50 ↵
Cuando ejecutamos el punto 3, aparece en la pantalla, lo indicado en 4, con el primer
contenido en la memoria, que en este caso es 25; seguidamente a este valor, escribimos los
dos primeros bytes nuevos a cargar que corresponden a las instrucciones. Pulsamos la tecla
del tabulador y seguirán apareciendo los siguientes bytes que de la misma manera los
______________________________________________________________________ 26
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
reemplazaremos por los correspondientes a las instrucciones. Los bytes de lasa
instrucciones, se guardan uno a continuación del otro, hasta completar la s instrucciones
I1, I2, I3 I4.
Para verificar si han quedado memorizados los bytes del programa, examinamos
nuevamente la memoria, a partir de la misma dirección donde comenzamos su
memorización.
5) _ E 19B0 : 0200 ↵
6) 19B0 : 0200 A1 00 50 03 06 00 50
19B0 : 0208 2B 06 06 12.50 A3 10 50 ↵
Seguidamente guardamos los datos de la misma forma que lo hemos echo para las
instrucciones, pero ahora a partir de la dirección relativa 5000H, dentro del mismo
segmento 19B0.
7) _ E 19B0 : 5000 ↵
8) 19B0 : 5000 FF.20 11.10 A1. 22. 12. A3 2B.40

19B0 : 5008 2A20 2B ↵
Verificamos ahora si hemos introducidos correctamente los datos
9) _ E 19B0 : 5000 ↵
10) 19B0 : 5000 20 10 A1 22 12 A3 40

19B0 : 5008 20 2B ↵
Una vez introducidos los datos e instrucciones, para que la “Unidad de control” pueda
ejecutar la operación, debemos indicarle la dirección de inicio de la primera instrucción,
dentro del segmento. Esto lo podemos hacer colocando la dirección de inicio en el registro
puntero “IP”. Esto lo hacemos con el Debug, con el comando “r”, seguido de “IP”.
11) _ r IP ↵ (Al pulsar↵

↵, aparece IP con 0100; lo modificamos colocando el nuevo valor a
continuación de los dos puntos
12) IP 0100
: 0200 ↵
Verifico a continuación el estado de todos los registros de la PC que son accesibles para la
programación
13) _ r ↵
AX=0000 BX=0000 CX= 0000 DX= 0000 SP= FFEE BP=0000 SI=0000 DI=0000
DS= 19B0 ES=19B0 SS=19B0 CS=19B0 IP = 0200 NV UP EI PL NZ NA PE NC
19B0 : 0200 A10050 MOV AX [5000] DS : 5000 = 1020
______________________________________________________________________ 27
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Registro
acumulador
AX
Bus de ALU
datos
Registro 2º
Operando
MP
Registro de
estado
Registros ubicados Selección
En la de la
Unidad de control operación
RI A10050
RI: Registro de instrucciones
IP IP: Registro puntero
0200 CS: Registro segmento de código
CS ALU: Unidad aritmética y lógica
19B0
Modificado el registro puntero “IP”, con la dirección relativa 0200, del segmento 19B0, la
unidad de control buscara (en la fase de búsqueda) la primera instrucción a ejecutar, en la
dirección absoluta indicada por CS : IP. Para otro segmento, debemos modificar “CS”.En
el resumen del estado de los registros, Debug nos muestra que en esa dirección de la MP, se
encuentra la primera instrucción que guardamos, o sea “A10050 (MOV AX [5000] en
asembler). La ejecución de esta instrucción, lo hacemos con el comando “T”, seguido de ↵
14) _ T ↵ (Ejecutamos la 1º instrucción)
AX = 1020 …………….
IP = 0203
19B0 : 0203 03060050 ADD AX ,[5000] DS : 5000 = 1020
AX = 2040 …………….
IP = 0207
19B0 : 0207 2B060650 SUB AX ,[5006] DS : 5006 = 2040
AX = 0000 …………….
______________________________________________________________________ 28
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
IP = 020B
19B0 : 020B A31050 MOV [5000] ,AX DS : 5010 = FD11
AX = 0000 …………….
IP = 0203
19B0 : 020E BB 1024 (Este es un valor cualquiera, dado que a partir de
“020E” no tenemos instrucciones)/
Para verificar que en las direcciones 5010 y 5011 se coloco el resultado que esta en AX
(0000), examinamos la memoria, en esas direcciones.
18) _ 19B0 : 5010 ↵
19B0 : 5010 00. 00. ↵

Hemos constatado que la instrucción I4 se ha cumplido.
Nota: Los programas de las computadoras terminan con una instrucción, denominada “de
salto”, cuyo código ordena que se pase a ejecutar un programa del sistema operativo, para
que éste, decida cual es el próximo programa que debe ejecutarse.
Las instrucciones I1 I2 I3 I4 que las ejecutamos paso a paso, la podemos ejecutar

simultáneamente una a continuación de la otra como lo hace la computadora en el proceso
real. Para ello, utilizamos el comando “G” de Debug, con la indicación de las direcciones
de comienzo y final del conjunto de instrucciones a ejecutar/
19) _ R IP ↵
: 0200 ↵
_R ↵
AX : 0000……………..
19B0 : 0200 A10050 MOV AX ,[5000]
_ G 0200 020E ↵ (Es una orden para el Debug, no para el procesador)

AX : 0000
IP = 020E
En el ejemplo que hemos desarrollado, la Unidad de Control (UC), tiene como principal
función, dar ordenes de operaciones de lectura o escritura a la Memoria Principal (MP), y
o registros de la Unidad Central de Proceso (UCP), y ordenar que operación debe hacer la
Unidad Aritmética y Lógica (UAL). La UC controla, dando ordenes a esos dispositivos,
de allí su nombre.
La UCP esta estructurada para que repita permanentemente una secuencia de pasos con las
instrucciones del programa a ejecutar, programa que se encuentra memorizado en la MP.
Para el caso de la instrucción I1, los pasos que se realizan, son los siguientes:
1) Obtener la instrucción de la MP: La dirección en la MP donde comienza el código de

maquina de la instrucción a ejecutar, se encuentra en el “registro puntero o contador de
______________________________________________________________________ 29
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
programa” IP. Para direccionar la memoria (seleccionarla) y leerla, por la “línea de control
L/E” (que forma parte del “bus de control”) se coloca un “1”. Por otra parte, una copia de la
dirección contenida en IP pasa al registro RDI que esta conectado al bus de direcciones y a
través de este bus esa dirección se llega al registro de entrada de la MP. Esta ultima lo
decodifica y localiza la instrucción (I1) que aparece en la salida de la MP que esta
conectada al bus de datos. Por este bus, se transmite al registro RDA (registro de datos),
conectado al bus de datos, y finalmente del RDA al registro de instrucciones RI. En nuestro
ejemplo, RI se carga con I1≡A10050.
2) Decodificación: Cuando el código de maquina de la instrucción llega al registro RI, el

código de operación (A1) es decodificado por la UC, o sea es detectado por los circuitos de
la UC, y su combinación particular de “unos y ceros”, desencadena una secuencia de
acciones (micro ordenes) que ya han sido preparadas para esa combinación, cuando se
diseño el procesador.
3) Obtención del dato a operar: La UC pone un “1” en la línea de control “L/E” y ordena
una copia del contenido de la MP en la dirección formada por los dos bytes del código de
maquina que siguen al código de operación (A1), que en este caso es “0050” pero
transpuestos (5000), con lo cual dicha dirección se coloca en RDI, de allí pasa al bus de
direcciones y llega al registro de direcciones de MP. Esta ultima, envía juntos los
contenidos de la posición direccionada y de la siguiente (5000H y 5001H) o sea el dato
1020H, que llega por el bus de datos al registro RDA.
4) Realizar la operación: En este caso la instrucción I1 (A1) ordena transferir desde MP

hacia AX un dato. AX, es uno de los registros de la UAL (registro acumulador). Como el
dato ya se encuentra ubicado en RDA, solo resta pasar dicho dato a AX, donde queda
almacenado.
5) Modificación del registro contador de programa IP: En la UAL, se debe sumar al

contenido del registro IP, la cantidad de bytes que ocupa la instrucción ejecutada (en este
caso 3, A1 00 50) y reemplazar el valor anterior (0200) por el resultado de la suma (0203).
De esta forma con el IP actualizado, tenemos la dirección de la próxima instrucción a
ejecutar (I2), repitiéndose los pasos anteriores, hasta completar el programa.
Obtener Decodificar Obtener dato a Realizar

instrucción operar operación
Obtener nueva instrucción con el valor de IP actualizado
______________________________________________________________________ 30
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
La UAL y el registro de estado
La unidad aritmética y lógica (UAL), realiza operaciones aritméticas de suma, resta,

multiplicación y división de números enteros. Además realiza operaciones lógicas con
AND, OR y NOT. También realiza comparaciones de dos números, para establecer si son
mayores iguales o menores. La UAL no tiene “inteligencia” de tipo deductivo como lo
puede insinuar su nombre, solamente realiza operaciones ordenadas mediante instrucciones
de un programa, sin tomar ninguna resolución, en función del resultado de las operaciones.
La UAL, junto con el resultado de las operaciones, genera unos indicadores, denominados
“Flag” o “banderas”. Estos indicadores, que pueden valer cero o uno, nos dan un pequeño
resumen de las características de los resultados. Estos indicadores están ubicados en el
denominado “registro de estado”, y son esenciales para determinar, en función de uno o
varios de ellos, la condición para que la “UC” pase a ejecutar otra instrucción distinta de la
que corresponde, por orden sucesivo de escritura de las instrucciones en memoria.
Uno de estos indicadores se denomina “Z”(cero), y vale “1”(ZR) si el resultado de la
operación fue cero; vale “0”(NZ), si el resultado no fue cero. El indicador “S” (signo para
enteros) vale “1” (NG) si el resultado fue negativo y vale “0” (PL), si el resultado fue
positivo. El indicador “V” (over flow) vale “1” (OV) si el resultado como numero entero
supera el máximo valor representable; caso contrario vale “0” (NV).
Las instrucciones de salto
El grupo de instrucciones que hace que se altere el flujo de ejecución sucesivo, de las
instrucciones, dentro de un programa, se denominan”instrucciones de salto”. Existen dos
tipos de instrucciones de salto. La instrucción “Jmp” (en asembler) altera el flujo de
ejecución, enviando el control en forma “incondicional” a la dirección indicada. Estas
instrucciones, se denominan de “salto incondicional”. Las otras instrucciones de salto, se
denominan “de salto condicional”. Estas, realizan bifurcaciones del programa principal,
según el “estado” que tengan algunos bits del “registro de estado”. Ejemplo de estas
instrucciones son “Jnz” (salta si el resultado es mayor o menor a cero) y la instrucción
“Jz”, que realiza un salto si el resultado es cero.
A continuación y como ejemplo realizaremos un programa en lenguaje de maquina
tomando el primer ejemplo donde se le intercalara una instrucción de salto, que
denominaremos “IS”. Esta instrucción, será de salto condicional, utilizando para ello la
instrucción “Jnz”, que indica saltar, si el resultado de la operación no fue cero (indicado
con la bandera “Z” con “cero” (NZ)).
Operación: R = P + P – Q
Instrucciones:
I1(A15000): Cargar el registro AX (acumulador), el dato ubicado en la dirección 5000 (P)
I2(0306500):Sumar al registro AX el dato que esta en la dirección 5000 (P+P)
I3(2B065006):restar a AX el dato que esta en la dirección 5006 (P+P-Q)
I4S(7508):Es una instrucción de salto condicionada. Si como resultado de la instrucción
anterior (I3) el indicador de cero (Z) vale 1 (ZR), o sea el resultado vale cero, la próxima
instrucción a ejecutar es la escrita a continuación en la memoria (I4). Si el resultado es
distinto de cero (NZ), saltar a ejecutar la instrucción I5 que esta en la dirección que resulta
de sumar a la dirección de la instrucción I4,el valor indicado en la instrucción I4S.
______________________________________________________________________ 31
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
I5: Es similar a I4 pero el numero se guarda en las direcciones 5012H y siguiente.
A continuación, almacenaremos las instrucciones y datos en la memoria y ejecutaremos las
instrucciones una por vez. Para el primer caso, tomaremos:
P ≡ 1020, Q ≡ 2040 R1 = 0000 (5010H→ 00, 5011H→ 00)
P ≡ 1020, Q ≡ 203F R2 = 0001 (5012H→ 01, 5013H→ 00)
Representación contenidos y direcciones de memoria del ejemplo
0200 A1 0211
0201 00 I1
0202 50
5000 20
0203 03 P
5001 10
0204 06 Zona
I2 De
0205 00
datos
0206 50 5006 40
Q
0207 2B 5007 20
0208 06
I3
0209 06
5010 00
020A 50 R1
Zona 5011 00
020B 75 Resultados
I4S De 5012 01
020C 08 programa R2
5013 00
020D A3
020E 10
I4
021F 50
0210 XX
0211 XX
0212 XX
0213 XX
0214 XX
0215 A3
I5
0216 12
0217 50
0218
______________________________________________________________________ 32
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Registros de la Unidad Central de proceso que se utilizan para la programación
Tomaremos como referencia a los microprocesadores 80x80 y 80x86 (Intel). Estos registros
son los únicos accesibles que se pueden visualizar y modificar; se utilizan para la
realización de los programas. A través del programa “Debug” del sistema operativo DOS,
podemos acceder a ellos. Dentro del programa Debug, seguido al guión titilante, si
tipeamos el comando “r “(registros) y luego “↵” (enter), podemos visualizarlos:
1) C:\> Debug ↵
2) _ r ↵
Línea 1
Registros
de pila
Registros de uso general
Línea 2
DS= 19B0 ES=19B0 SS=19B0 CS=19B0 IP = 0200 NV UP EI PL NZ NA PE NC

Registro
Registros de segmento puntero Registro de estado
Linea 3
19B0 : 0200 A10050 MOV AX [5000] DS : 5000 = 1020

Instrucción a Dirección y
ejecutarse en contenido dato
nemotécnico
(Asembler)
Código hexadecimal de la instrucción a ejecutar

Dirección de la siguiente instrucción a ser ejecutado
Para estos microprocesadores, se disponen de 14 registros internos, cada uno de 16 bits

(para el 386 y 486, son de 32 bits). Los primeros cuatro, AX, BX, CX y DX, son registros
de uso gral. y se pueden usar como registros de 8 bits. Por ejemplo AX se puede dividir en
AH (byte alto) y AL (byte bajo). Estos son los únicos registros que se pueden usar como
dual.
AX, BX, CX, DX: Registros de uso gral.

BP, SP: Registros de apuntadores
SI, DI: Registros índice.
CS, DS, SS, ES: Registros de segmento.
IP: Registro apuntador de instrucciones.
NV UP EI PL NZ NA PO NC: Registro de bandera o registro de estado.
______________________________________________________________________ 33
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Registros de uso gral.
AX (registro acumulador): Se usa para almacenar resultados de operaciones, de lectura o

escritura desde o hacia los puertos y como área de memoria temporal (Scratch pad).
BX (registro base): Sirve como registro apuntador base o índice; se usa para calcular
direcciones que acceden a la memoria.
CX (registro contador): Se utiliza constantemente en operaciones de repetición, como un

contador que automáticamente se incrementa de acuerdo con el tipo de instrucción usada.
DX (registro de estado): Sirve como deposito para las direcciones de los puertos. En
combinación con AX, se utiliza para designar cantidades de 32 bits (DX:AX). Se lo utiliza
también en combinación con DS (DS:DX). Tiene aplicación en operaciones con
interrupciones.
Registros apuntadores
Son registros que apuntan a una localidad de memoria en gral.
BP (registro apuntador de base): Se usa para manipular la información que se encuentra

en la pila (memoria LIFO: primero en entrar, ultimo en salir), sin afectar al registro de
segmento SS. Es útil cuando se usa la interfaz entre lenguaje de alto nivel y el ensamblador.
SP ( registro apuntador de pila): Se usa junto con el SS (registro segmento de pila) para
crear en memoria una estructura llamada “Pila” (Stack).
Registros índice
SI (registro índice fuente) y DI (registro índice destino): Se utilizan para manejar

bloques de cadenas en memoria. SI, representa la dirección donde se encuentra la cadena, y
DI donde será copiada. Se los utiliza en operaciones en cadena con la instrucción MOVSD.
Registros de segmento
CS ( registro de segmento de código): Se encuentra asociado al código de programa o sea

controla al código de los programas y tiene como socio al registro IP. CS : IP da la
siguiente instrucción a ser ejecutada.
DS (registro del segmento de datos): Indica el segmento donde se encuentran los datos.
ES ( registro de segmento extra): Sirve como “colchón” para ampliar el segmento de

datos.
SS ( registro del segmento de pila): Tiene la función de controlar el área (segmento)

donde se creara la pila (Stack).
IP (registro apuntador de instrucciones): Se lo usa en conjunto con el CS ( CS : IP ).
______________________________________________________________________ 34
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Los registros BP, SS y SP, trabajan con la pila (Stack).
Registro de estado o registro de banderas
Banderas prendidas (1) OV DN EI NG ZR AC PE CY

Banderas apagadas (0) NV UP DI PL NZ NA PO NC
Overflow:
NV : no hay desbordamiento
OV: si lo hay.
Direction:
UP: hacia delante
DN: Hacia atrás.
Interrupciones:
DI: Desactivadas
EI: Activadas
Signo:
PL: positivo
NG: Negativo.
Zero:
NZ: No es cero
ZR: Si lo es
Auxiliary Carry:
NA: no hay acarreo aux.
AC: hay acarreo aux.
Parity:
PO: No hay paridad.
PE: Paridad par.
Carry:
NC: No hay acarreo
CY: Si lo hay.
CONCEPTOS GRALES SOBRE PROGRAMACIÓN EN LENGUAJE ASEMBLER
Como hemos visto, el lenguaje que interpreta y ejecuta una computadora, es el de “ceros” y
“unos” eléctricos, denominado “lenguaje de maquina”. Este lenguaje es valido tanto para
los datos, direcciones e instrucciones.
Si quisiéramos desarrollar un programa en este lenguaje de ceros y unos, su elaboración,
como lo hemos experimentado, resulta muy lenta y engorrosa. No obstante, programas de
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computación especiales como el “DEBUG”, residente en el sistema operativo “DOS” de
una PC, nos permitieron elaborar y ejecutar programas cortos, en lenguaje de maquina,
grabándolos directamente en la memoria RAM.
El lenguaje ensamblador, es una variante (legible para el ser humano) del lenguaje de
maquina, que usan las computadoras para ejecutar programas. Es el lenguaje de mas bajo
nivel, después del lenguaje de maquina..
Los lenguajes BASIC, FORTRAN, COBOL, etc. Son de mas alto nivel que el lenguaje
Ensamblador (o Asembler ).
Este lenguaje de programación, le da facilidades y herramientas necesarias para que se
pueda controlar todo lo que la PC puede realizar físicamente.
El ensamblador, resulta indispensable cuando se desea escribir programas que controlen la
entrada / salida de datos, agregar nuevas interfases de entrada / salida, escribir rutinas
optimizadas de un procedimiento etc.
El set de instrucciones que manejan los microprocesadores y microcontroladores, están
expresados en lenguaje Asembler y en código hexadecimal.
Estructura del Ensamblador:

Habíamos visto que una instrucción (su formato), presenta
una parte que es el código de operación o de comando y la otra parte representa los datos.
En Asembler, el código de operación, se representa por dos, tres, o cuatro letras (nombres
mnemónicos), representando la función especifica que habrá de realizar la unidad de
control (UC). La segunda parte representan los operandos. Algunas instrucciones no
requieren operandos.
Los operandos comprenden dos partes: Destino y fuente.
Ejemplo:
MOV AX, 01 = B8 01 (hex)
Operando: destino (AX) , fuente (01)
Esta instrucción escrita en asembler, el código de operación (MOV) es “mover o

desplazar”. Los operandos son AX y 01 y se interpreta como “mover al registro AX, el dato
hexadecimal 01”.
Herramientas necesarias para programar en Asembler:

La programación, en cualquier
lenguaje que se realice, necesita al menos tres herramientas: Un “editor de textos” para
crear el “archivo fuente”, un “compilador” para convertirlo en “archivo objeto” y un
enlazador (Linker), para generar finalmente el “programa ejecutable”
Una cuarta herramienta seria el “depurador” (Debugger), que sirve como soporte para
verificar, depurar y en caso necesario corregir el programa ejecutable.
La programación en lenguaje Ensamblador, no es la excepción y también necesita las
herramientas anteriores.
Archivo fuente: Para generar este archivo, podemos usar cualquier editor de textos
(Por ejemplo el Edit, del DOS, Bloc de Notas Windows). Al usar el editor de texto se forma
el archivo fuente que contiene todas las instrucciones que conforman el programa, en el
formato ensamblador.
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Archivo objeto: Este archivo intermedio (con extensión. OBJ), lo genera el programa
ensamblador que en este caso es el MASM. Para ello el programa fuente debe tener
extensión .ASM. Este archivo en formato OBJ, no es ejecutable por el DOS. Este archivo
decodifica las líneas del programa en secuencias de caracteres separados, como así también
se definen los segmentos y direcciones.
Archivo ejecutable: Partiendo del archivo objeto, el enlazador (Linker) arma las
estructuras necesarias que necesita el cargador o sea el programa que carga el programa
ejecutable en memoria.
Con la finalidad de asimilar los conceptos generales de la programación, con el uso del
lenguaje Asembler (lenguaje de las instrucciones nemotécnicas), realizaremos un programa
similar al que hemos realizado en lenguaje de maquina. Para ello, utilizaremos como
“ensamblador”, al Debug. Este programa tiene el comando “A” (dirección) que nos permite
grabar en la memoria, el programa a crear en ensamblador. Por ejemplo A → CS : IP. Si
no definimos la dirección, Debug coloca la dirección actual (por defecto).
Veamos los pasos que debemos seguir:
1) C:\> Debug ↵
2) _ A ↵
3) 19A5 : 0100 _ ( Debug se encuentra listo para recibir instrucciones)
4) 19A5 : 0100 _MOV AX,1020 ↵ (El dato se guarda en el registro AX)
5) 19A5 : 0103 _MOV [5000], AX ↵ (El contenido de AX se guarda en 19A5 : 5000)
6) 19A5 : 0106 _MOV AX, 2040 ↵ (El dato 2040 se guarda en el registro AX)
7) 19A5 : 0109 _MOV [5006], AX ↵ (El contenido de AX se guarda en 19A5 : 5006)
8) 19A5 : 010C _MOV AX, [5000] ↵ (Cargo en AX, el contenido de la direcc. 5000)
9) 19A5 : 010F_ADD AX, [5000] ↵ (Sumo a AX, el dato contenido en 5000)
10)19A5 : 0113 _SUB AX, [5006] ↵ (Resto a AX el dato contenido en 5006)
11)19A5 : 0117 _MOV [5010], AX ↵ (Llevo el contenido de AX a la direcc 5010 de MP)
12)19A5 : 011A _INT 20 ↵
13)19A5 : 011C_ ↵
14) _
Para ejecutar el programa anterior usamos el comando G (dirección). Este comando, le

indica al Debug que ejecute todas las instrucciones, a partir de CS : IP (el valor que tenga),
hasta la instrucción, por ejemplo “011A” .
14)_ G 011A ↵
15)
DS= 19A5 ES=19B0 SS=19A5 CS=19A5 IP = 0200 NV UP EI PL NZ NA PE NC
19A5 : 011A A10050 INT 20 DS : 0000 = 0000
En cuanto la ejecucion llega a "011A", Debug despliega los resultados parciales (el
contenido actual de los registros).
Al ejecutar el comando G, Debug ejecuta la instrucciuon "INT 20" y regresa el control con
el siguiente mensaje :
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16)_ G ↵
“Programa terminado normalmente”
Resumiendo, con el comando “G”, con una dirección, Debug ejecuta todas las instrucciones
previas, haciendo una pausa en ésta (INT 20 H). A cada dirección especificada en el
comando G, se le denomina dirección de pausa (Breakpoint addres), permitiendo ver la
ejecución del programa por partes.
Existe un comando en el Debug, “t” (Trace) que nos permite ejecutar una instrucción por
vez.
Debug tiene un comando "U", que desemsambla lo que se digito como codigo
nemotecnico. Para ello debemos especificar la direccion de inicio y la longitud del
programa, que para nuestro ejemplo vale L = 011C – 0100 = 001C.
14) (esto lo hacemos a partir del punto 14 del ejemplo anterior)
_ U100 L1C ↵
19B0 : 0100 B82010 MOV AX, 1020
19B0 : 0103 A30050 MOV [5000],AX
19B0 : 0106 B84020 MOV AX,2040
19B0 : 0109 A30650 MOV [5006],AX
19B0 : 010C A10050 MOV AX,[5000]
19B0 : 010F 03060050 ADD AX,[5000]
19B0 : 0113 2B060650 SUB AX,[5006]
19B0 : 0117 A31050 MOV [5010],AX
19B0 : 011A CD20 INT 20
_
El listado anterior, nos da el formato segmento: la dirección en MP, el código, en
hexadecimal, correspondiente a la instrucción y por ultimo, el código de operación
(nemotécnico).
Grabación en disco rígido de un programa
El programa básico generado en “asembler” con el Debug, vamos a guardarlo como un

archivo en el disco rígido, para un posterior uso, similar a los de uso corriente en las PC.
Para realizarlo con el Debug, debemos realizar los siguientes pasos:
1) Desde el “símbolo del sistema” (en el directorio C o en otra subcarpeta del C) se invoca
al Debug.
2) Con el comando “A”, escribimos el programa en lenguaje asembler.
3) Con el comando “H”, obtenemos la suma y la resta entre la dirección siguiente a la
última del programa, y la de inicio del programa. El valor que nos interesa, es la diferencia,
dado que nos brindara la cantidad de bytes que ocupa el programa, o sea la longitud del
programa. Para nuestro ejemplo, la dirección de inicio, es la 0100, y la siguiente a la última
del programa, es la 011C. Luego resulta L = 011C – 0100 = 001C.
4) Con el comando "N", le debemos dar un nombre al programa, que incluya la "via" y la
extension, que en el caso del Debug, corresponde ".COM".
5) Con el valor de la longitud del programa "L", cargamos el registro CX.
6) Con el comando "W", damos la orden de escritura.
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Ejemplo:
Vamos a guardar el programa anterior, con el nombre de “PRUEBA.COM”.
Comenzaremos desde el principio escribiendo, con el comando “A”, el programa en la
carpeta “EJEMPLOS” perteneciente al directorio C. Previamente, debemos crear esta
carpeta, ya sea con el Windows o con las instrucciones o líneas de comando del sistema
operativo MS DOS. En este ejemplo, utilizaremos en su totalidad, el sistema operativo MS
DOS, haciendo notar que el objetivo de este desarrollo, es simplemente conceptual, para el
aprendizaje del funcionamiento interno de las computadoras.
1)
C:\> MD EJEMPLOS ↵ (con MD creamos la carpeta EJEMPLOS)
C:\> CD EJEMPLOS ↵ (con CD nos posicionamos en la carpeta EJEMPLOS)
C:\ EJEMPLOS >_ (estamos en la carpeta Ejemplos)
C:\ EJEMPLOS >Debug ↵ (invocamos al DEBUG desde la carpeta EJEMPLOS)
_ (Guión titilante, indicándonos que el DEBUG esta listo para recibir comandos)
2)
_ A ↵ (con el comando A podemos escribir el programa)
19A5 : 0100 _ ( Debug se encuentra listo para recibir instrucciones)
19A5 : 0100 _MOV AX,1020 ↵ (El dato se guarda en el registro AX)
19A5 : 0103 _MOV [5000], AX ↵ (El contenido de AX se guarda en 19A5 : 5000)
19A5 : 0106 _MOV AX, 2040 ↵ (El dato 2040 se guarda en el registro AX)
19A5 : 0109 _MOV [5006], AX ↵ (El contenido de AX se guarda en 19A5 : 5006)
19A5 : 010C _MOV AX, [5000] ↵ (Cargo en AX, el contenido de la direcc. 5000)
19A5 : 010F_ADD AX, [5000] ↵ (Sumo a AX, el dato contenido en 5000)
19A5 : 0113 _SUB AX, [5006] ↵ (Resto a AX el dato contenido en 5006)
19A5 : 0117 _MOV [5010], AX ↵ (Llevo el contenido de AX a la direcc 5010 de MP)
19A5 : 011A _INT 20 ↵
19A5 : 011C_ ↵ (Dirección siguiente a la ultima dirección del programa)
3)
_H011C 0100 ↵ (Con el comando H, obtengo la suma y diferencia entre 011C y 0100)
021C 001C (suma y diferencia respectivamente)
4)
_N PRUEBA.COM ↵ (Con el comando N, le asignamos al programa el nombre, sin vía de
acceso, dado que la carpeta actual es EJEMPLOS.)
5)
-R CX ↵ (con éste comando invocamos al registro CX)
CX 0000
: 001C ↵ (después de los dos puntos escribimos en CX la longitud del programa)
6)
-W ↵ (Con el comando W escribimos en el disco rígido el programa)
Escribiendo 0001C bytes
-
Por último para estar seguro que el programa fue cargado, salimos del DEBUG, para luego
entrar nuevamente, desde el directorio C con la vía correspondiente o desde la carpeta
donde esta guardado el programa. Para invocarlo, lo hacemos con el comando N, indicando
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luego con U, la dirección de inicio y con L, la longitud del programa. Veamos esta
comprobación, invocando al DEBUG, desde la carpeta EJEMPLOS:
C:\ EJEMPLOS >Debug ↵
_N PRUEBA.COM ↵
_U100 L1C ↵
19B0 : 0100 B82010 MOV AX, 1020
19B0 : 0103 A30050 MOV [5000],AX
19B0 : 0106 B84020 MOV AX,2040
19B0 : 0109 A30650 MOV [5006],AX
19B0 : 010C A10050 MOV AX,[5000]
19B0 : 010F 03060050 ADD AX,[5000]
19B0 : 0113 2B060650 SUB AX,[5006]
19B0 : 0117 A31050 MOV [5010],AX
19B0 : 011A CD20 INT 20
_
Con esto, hemos comprobado que el programa ha sido guardado correctamente. También lo
podemos verificar, a través de Windows. Para ejecutarlo, lo hacemos con el DEBUG, con
los métodos, ya aplicados.
Las interrupciones de la unidad central de proceso (microprocesador)
De alguna manera, la UCP, tiene que estar conciente de lo que sucede a su alrededor. Esta
“conciencia” la adquiere mediante las interrupciones. Por ejemplo cuando un periférico
necesita interaccionar con la UCP, lo hace mediante una entrada del microcircuito de
petición de interrupción. En el caso del teclado, cuando oprimimos una tecla, se produce
una interrupción. La UCP detiene lo que esta haciendo, guarda la dirección actual en la
memoria “pila” (ultima en entrar, primera en salir), y pone atención al teclado. Una vez
atendida esta interrupción, la UCP retoma el programa que estaba ejecutando, previo a la
interrupción, recuperando de la “pila” la dirección actual.
Otra interrupción que ocurre aproximadamente 18 veces por segundo, es la que actualiza la
hora del día. Las interrupciones ocurren tan seguidas en la UCP de una PC, que necesita un
circuito integrado aparte, para establecer la prioridad de cada interrupción. Una manera de
administrar las interrupciones, que se usa en el entorno del DOS, es mantener una tabla de
vectores en la memoria baja, empezando por la dirección 0(cero) y terminando en la 256
(decimal). Estos vectores interrupción, señalan otra dirección de memoria donde la UCP
empieza a ejecutar el código que allí se encuentra.
Resumiendo, una interrupción, es una bifurcación a cierta dirección de la memoria (RAM o
ROM), donde la UCP iniciara la ejecución de una serie de instrucciones, y al terminar,
regresa a la siguiente dirección de la instrucción que causo la interrupción.
Las interrupciones se dividen en interrupciones de “circuitos” (hardware) e interrupciones
de “programa” (Software). Las interrupciones de programa a su vez se dividen en
interrupciones de BIOS e interrupciones del DOS.
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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II –ING. ELECTRICA
7-2 Microcontroladores
……………………………………………………………………………………………
MICROCONTROLADORES
CAPITULO 1: Generalidades, especificaciones y conexionados externos del

microcontrolador
INTRODUCCION
Los microcontroladores son circuitos integrados “programables”, que contienen todos

los elementos de un computador. Este componente electrónico, ha revolucionado, en los
últimos años, las técnicas de diseño, en lo referente a “sistemas de control industrial”.
Esta diseñado para controlar sistemas que realizan una tarea especifica. Como esta
integrado en una sola pastilla (chips), de reducido tamaño, suele estar incorporado al
propio dispositivo que gobierna. Podemos decir que es un “computador completo”, con
limitaciones en sus prestaciones.
Aplicaciones comunes: Hornos microondas, lavarropas, sistema de inyección de
automóviles, teclados de PC, impresoras, videos, sistemas de comunicaciones, procesos
industriales etc.
Esquema general interno
Vcc.
ROM
UCP
RAM
I/O I/O
Entradas Salidas
Esquema general de un sistema con microcontrolador
Entradas proceso Salidas
interruptores visualizadores
teclados relés
Micro
controlador
(programa)
sensores parlantes
transductores motores
___________________________________________________________________ 1
……………………………………………………………………………………………
Diferencias entre sistemas basados con microprocesador y con microcontrolador:
El microprocesador, es un circuito integrado que contiene a “la unidad central de

proceso(UCP) de un computador. Decimos entonces que el microprocesador es un
“sistema abierto”, con el que puede construirse, un computador, con las caracteristicas
que se desee, acoplando los modulos necesarios, para el sistema a controlar.El
microprocesador puede sacar al exterior, las lineas de sus buses de direcciones, datos y
control.
El microcontrolador, es un “sistema cerrado”, dado que no son accesibles las líneas de
los buses de direcciones, datos y control (salvo casos especiales de microcontroladores).
El microcontrolador, tiene todos los elementos de un computador, con prestaciones
limitadas que no se pueden modificar. Las entradas y salidas de un microcontrolador,
están adaptadas eléctricamente a los respectivos periféricos.
Sistema con microprocesador

Bus de direcciones
Microprocesador Bus de datos
Bus de control
Memoria Controlador o Controlador o

interface interface
Sistema con microcontrolador
Periféricos Microcontrolador
Periféricos
Tenemos algunas diferencias importantes entre los sistemas basados con

microprocesador y microcontrolador. Cada uno tiene sus ventajas y desventajas,
dependiendo de las necesidades de cada aplicación. Enumeraremos algunas de ellas:
1)- La UCP de los microcontroladores es más simple y sus instrucciones están
orientadas, fundamentalmente, a la operación de cada una de las líneas de entrada /
salida.
2)- La memoria RAM de datos de los microcontroladores, es de baja capacidad. La
razón es que para aplicaciones de control e instrumentación normales, no se necesita
almacenar gran cantidad de información temporal. En cambio en los microprocesadores,
pueden acceder a través de los buses, a grandes bancos de memoria RAM externa de
acuerdo a las necesidades del sistema.
___________________________________________________________________ 2
……………………………………………………………………………………………
3)- En los microcontroladores, la memoria ROM de programa, es limitada. Por lo
general no mayor a 4 K x instrucciones. En un sistema con microprocesador, se pueden
tener ROM externas de acuerdo a las necesidades del sistema.
4)- Con los microcontroladores, no es necesario diseñar circuitos complejos
decodificadores, porque el mapa de memoria y de puertos I / O, están incluidos
internamente.
5)- La mayoría de los microcontroladores, no tienen accesibles al usuario, los buses
de direcciones, datos y control de la UCP. Algunos modelos, lo pueden hacer a través
de los puertos I / O, para construir expansiones de memoria RAM y ROM. En los
microprocesadores, la expansión es más fácil.
6)- La velocidad de operación de los microcontroladores es más lenta, de la que se
puede operar con los sistemas con microprocesadores. Sin embargo, actualmente existen
microcontroladores que operan por encima de los 50 MHZ.
7)- De manera similar a los sistemas basados con microprocesadores, para escribir,
ensamblar y depurar programas en lenguaje de maquina, los microcontroladores
necesitan un sistema de desarrollo para cada familia de microcontroladores. Éstos, están
compuestos por un paquete “software” con editor de textos, ensamblador y simulador de
programas y al mismo tiempo, se necesita de un “hardware”, para poder almacenar el
“programa “de aplicación”, en la memoria ROM del microcontrolador.
Resumiendo, podemos decir que algunas de las principales ventajas de los
microcontroladores son:
a)- El circuito impreso es más pequeño dado que muchos de los componentes se
encuentran dentro del circuito integrado.
b)- El costo del sistema es reducido, dado que es reducido él número de
componentes.
c)- Los problemas de ruido eléctricos que pueden afectar a los sistemas con
microprocesador, se eliminan, debido a que todo el sistema principal, se encuentra
en un solo encapsulado.
d)- El tiempo de desarrollo de un sistema con microcontrolador, se reduce
notablemente.
Cuando una aplicación sobrepasa las características del microcontrolador como
capacidad de memoria, velocidad de proceso, número de entradas y salidas, etc. , se
debe recurrir a un sistema con microprocesador o una computadora completa.
Recursos disponibles de los microcontroladores

Existen muchas aplicaciones que
requieren solamente entradas y salidas de tipo digital. Por ello, muchos de los
microcontroladores, disponen internamente de algunos circuitos especiales, para atender
a diversas situaciones y naturaleza de las entradas y salidas:
a)- Si los fenómenos que se necesitan medir o controlar, son de naturaleza analógica,
como los casos de temperatura, presión, voltaje, etc. Se debe entonces disponer de un
conversor analógico/digital de varios canales.
b)- Si es necesario medir periodos de tiempo, o generar temporizaciones en las salidas,
tonos o frecuencias, se debe contar con uno o más contadores programables (timer).
c) Si la información obtenida en un proceso de medida o control, o los resultados de los
cálculos del programa del programa, se deben enviar a otro microcontrolador o a una
computadora o a una red, es conveniente que el microcontrolador posea un circuito de
comunicaciones (RS232, I2C, USB, etc.).
___________________________________________________________________ 3
……………………………………………………………………………………………
d)- Existen sistemas que requieren sistemas de control por ancho de pulso PWM como
el caso de motores, cargas resistivas etc. Para este caso, hay disponibles
microcontroladores con módulos PWM.
e)- Para aquellos eventos que actúan en tiempo real o existen procesos que no dan
“espera”, se deben utilizar la técnica llamada “interrupciones”. Cuando una señal
externa activa una línea de interrupción, el microcontrolador deja de lado la tarea que se
encuentra ejecutando, para atender una situación especial y luego puede regresar a
continuar con la labor que esta realizando.
Bloques internos principales y auxiliares de los microcontroladores

Alimentación
+VCC Masa
FLASH
UCP RAM
EEPROM
Señal de entrada
I/O A/D analógica
Señales de
entrada/salida TIMER 1
digitales I/O Salida temporizada o
contador de pulsos
TIMER 2 externos
Salida pulsos TX
modulados PWM Transmisión y
Rx Recepción serie
Partes principales:
-Unidad central de proceso (UCP)
-Memoria no volátil para guardar el programa, por ejemplo EPROM (hay varios tipos)
-Memoria no volátil para guardar datos, por ejemplo EEPROM.
-Memoria de lectura / escritura para guardar datos.
-Registros generales y especiales para programación.
-Líneas de entrada / salida para los controladores periféricos con comunicación paralela
-Líneas de entrada / salida para comunicación serie con periféricos (232C.I2C,USB,etc.)
Recursos auxiliares:
-Circuito reloj (oscilador para sincronismo)
-Temporizadores (timer)
-Perro guardián (watch dog)
-Conversores analógico / digital (A /D) y viceversa (D/A).
-Comparadores analógicos.
-Protección ante fallas de alimentación.
-Estado de bajo consumo o reposo.
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Arquitecturas empleadas en los microcontroladores
Arquitectura de Von Neuman.
Bus de direcciones
MEMORIA
UCP instrucciones
Bus de datos e instrucciones +
datos
Ésta es la arquitectura de los grandes computadores y las PC. Tenemos un bus de

control, un bus de “datos e instrucciones” que es compartido por los datos y las
instrucciones del programa en ejecución. Además, tanto los datos como las
instrucciones, comparten el uso de la memoria principal, lógicamente en distintas áreas.
Esta arquitectura se utilizó en los primeros microcontroladores.
Arquitectura Harvard
Bus de direcciones Bus de direcciones
Instrucc. datos
Memoria de UCP Memoria
instrucciones de
datos
Bus de instrucc. Bus de datos
Esta arquitectura, es la utilizada por los modernos microcontroladores. En ella, son

independientes la memoria de instrucciones y la memoria de datos. Cada una, dispone
de su propio sistema de bus de direcciones.
Otra característica, esta en la UCP. Ésta responde a la arquitectura RISC (computadoras
con juego de instrucciones reducido), identificada por poseer un juego de instrucciones
de máquina pequeña y simple, de tal forma que la mayor parte de las instrucciones, se
ejecuta en un ciclo de instrucción.
Otra característica es la segmentación del procesador (pipe line) que permite procesar en
etapas, las instrucciones para trabajar con varias a la vez.
El alto rendimiento y elevada velocidad de los modernos microcontroladores, se deben a
la aplicación de las arquitecturas Harvard, Risc y a la segmentación (pipe line) de las
instrucciones.
La memoria de programa
El microcontrolador, esta diseñado para que en su memoria de programa, se almacenen

todas las instrucciones del programa de control. En Gral., no se pueden utilizar
memorias externas para su ampliación. Como el programa es siempre el mismo, éste se
graba en forma permanente.
Los tipos de memoria que admiten la retención de lo grabado, son cinco versiones:
1)- ROM con mascara: Se graba el chip durante el proceso de fabricación; se justifica
ésta memoria cuando se deben grabar grandes cantidades de microcontroladores.
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2)- EPROM: Se graba con un dispositivo físico (circuito electrónico) gobernado por
una PC, denominado “grabador”. En la superficie de la cápsula, tiene una ventana de
cristal para borrarla con rayos ultravioleta y volverla a utilizar.
3)- OTP: Estas memorias se graban una sola vez, por el usuario, y no se pueden borrar.
Son de bajo precio y fáciles de grabar. Se justifica para prototipos finales y series cortas.
4)- EEPROM: Se graban en forma similar a las OTP y EPROM y se borran en forma
similar a la grabación, o sea eléctricamente sobre el mismo zócalo del grabador. Puede
ser programada y borrada aprox. 1.000.000 de veces. La capacidad de memoria es
limitada, con tiempo de grabado relativamente alto y elevado consumo de energía. Por
ejemplo el microcontrolador PIC 16C84 puede almacenar en su memoria de programa
EEPROM, 1 K de palabras de 14 bits y algunos bytes de datos, sin pérdida de la
información cuando se interrumpe la tensión de alimentación.
5)- FLASH: Es una de las últimas versiones de memoria no borrables. Es de bajo
consumo con posibilidad de escribir y borrar (aprox. 1000 veces) como la EEPROM
pero de mayor capacidad. Por sus mejores prestaciones, están desplazando a las
EEPROM.
Son recomendables en aplicaciones que sea necesario modificar el programa a lo largo
de la vida del producto a controlar sea por desgaste, optimización etc. Por ejemplo la
empresa Microchip T. Comercializa los microcontroladores PIC. Dentro de esta familia
estén los PIC 16C84 con memoria de programa EEPROM y los PIC 16F84 con
memoria FLASH.
Ambos microcontroladores, son similares en sus prestaciones. La memoria FLASH, es
una variante de las EEPROM.
La memoria de datos
Esta memoria debe ser de lectura / escritura (L/E) por lo que la memoria “RAM
estática” (SRAM), es la mas adecuada aunque sea volátil al eliminar la tensión de
alimentación. Hay microcontroladores que utilizan para los datos dos memorias: una
EEPROM y otra SRAM. Por ejemplo el PIC 16F84 tiene 68 bytes de memoria SRAM
para datos y 64 bytes de memoria EEPROM, también para datos. La memoria de
programa para estos chips, es de 1 K x 14 bits. De tipo EEPROM.
Líneas o puertos de entradas y salidas (I/O)
Están destinadas a soportar los periféricos exteriores que controlan. Son de ambos
sentidos, es decir que pueden actuar como entradas o salidas según se las programe y se
adaptan con los periféricos, manejando información paralela; se agrupan generalmente
en grupos de 8 bits, denominándose el conjunto “Puertas”. La actuación de estas puertas
es la de suministrar corriente eléctrica en el estado binario alto, con el nivel de tensión
aprox. Al de la fuente de alimentación, y absorber corriente en el estado binario bajo.
Existen modelos que soportan comunicación serie, otros disponen de líneas para
diversos protocolos de comunicación como I2C, USB etc.
Otros terminales de un microcontrolador son dos entradas para alimentación de energía
eléctrica (VDD(+) y Vss(-); una entrada para el “reinicio” o “reset”(MCLR#) y dos
entradas para el oscilador externo (osc1/CLKIN y osc2/CLKOUT); una entrada para
interrupción.
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PRINCIPALES FAMILIAS DE MICROCONTROLADORES
Detallaremos brevemente las principales o más renombradas familias de

microcontroladores.
Existen en el mercado varias marcas reconocidas por sus características,
comercialización, soporte técnico, difusión, usos en la industria etc. Entre ellas tenemos
INTEL, MOTOROLA, MICROCHIP, PHILLIPS, NATIONAL y ATMEL.
Familia Intel 8051: El primer microcontrolador fue el 8048 con 8bits de datos, con
RAM interna, pero la memoria de programa era externa. En los años 80 nació el 8051,
siendo el más difundido a nivel mundial. El 8051 tiene 4 Kbytes de ROM que deben
programarse durante su construcción. El 8751 reemplazo la ROM por una EPROM. El
8031 no tiene ROM interna; el programa reside en memoria externa. Para la
comunicación con la memoria, utiliza 3 de los cuatro puertos entrada / salida. Esta
posibilidad de expansión es característica de esta familia.
Familia Motorola: Derivaron del microprocesador 6800, siendo optimizados para

aplicaciones de control especializado, formando parte de aparatos de producción masiva
como juguetes, equipos de video, impresoras, electrodomésticos y tienen amplia
aplicación en la industria automotriz. Existen cinco familias principales: La 68H05,
68HC08 y 68HC11 de 8 bits; la 68HC12 y 68HC16 son de 16 bits, cada una de ellas
con diferente UCP. Por ejemplo la 68hc05,representa a mas de 30 microcontroladores
distintos con la misma UCP y de 8 bits.. Éstos incluyen RAM, ROM, puertos I/O,
temporizadores, convertidores A/D y memorias PROM o EPROM.
Familia Microchip: Estos microcontroladores tienen arquitectura Hardware. Se

clasifican en tres grupos, dependiendo de la longitud de palabra de instrucción que
pueden manejar (12,14 o 16 bits), tomando las referencias 12XXX, 16XXXX, 17XXX
y 18XXX. Los fabricantes los definen a los PIC como microcontroladores de 8 bits tipo
RISC. Son de bajo costo poco consumo y alta velocidad de operación.
Familia ATMEL: Manejan 3 grandes grupos de microcontroladores RISC, cuyas UCP,

llegan hasta los 32 bits. El 1° grupo tiene la arquitectura basada en el 8051 con memoria
de programa FLASH. El 2° grupo es el AT91, los cuales soportan compilados en
lenguaje “C”, ensamblador etc. El 3° grupo, AVR”, son arquitectura RISC y UCP de 8
bits y módulos de comunicación USART, SIP, ADC, etc.
Microcontroladores Basic Stamp: Toman como base el microcontrolador PIC los

cuales forman un sistema soportados en una placa principal, que les permite
programarlos en lenguaje “Basic Stamp”, siendo éste más sencillo que otros (lenguaje
de alto nivel).El fabricante de estos sistemas es PARALLAX INC.
CARACTERISTICAS ESPECIFICAS DEL MICROCONTROLADOR PIC16X84
El desarrollo de este curso sobre introducción a los microcontroladores, tomara como

base al microcontrolador PIC16X84, fabricado por la empresa Microchip. Su elección,
esta basada en las siguientes consideraciones:
-Sencillez de su manejo
-Abundante información técnica de aplicación
___________________________________________________________________ 7
……………………………………………………………………………………………
-Buen promedio en los parámetros: velocidad, consumo, tamaño, alimentación, código
compacto, etc.
Microchip, clasifica a sus microcontroladores en cuatro gamas a saber:
1º Gama básica: familias PIC 125xx y PIC 16C5x, con un repertorio de 33
instrucciones de 12 bits y dos niveles de pila
2º Gama media: Familias PIC 12C6xx, PIC 16Cxx y PIC 16F87x con 8 niveles de pila,
1 vector interrupción y 35 instrucciones de 14 bits.
3º Gama alta: PIC 17Cxx con 16 niveles de pila, 4 vectores de interrupción y 58
instrucciones de 16 bits.
4º Gama mejorada: PIC 18Cxxx con 32 niveles de pila, 4 vectores de interrupción y
77 instrucciones de 16 bits.
Para el caso especifico del PIC 16F84 que vamos a trabajar, dispone de 8 niveles de
pila, 1 vector de interrupción y 35 instrucciones de 14 bits (gama media)
Partes principales y características eléctricas generales del PIC16X84
-Tecnología de fabricación: Circuito integrado CMOS, técnica epitaxial

-Encapsulado plástico con 18 terminales.
-Unidad central de proceso.
-Memoria de programa: 1K x 14 bits EEPROM(PIC16C84) y FLASH (PIC16F84)
-Memoria de datos RAM (GPR) : 36 bytes (PIC16C84) y 68 bytes (PIC16F84)
-Memoria de datos EEPROM : 64 bytes para ambos modelos.
-PILA (stack): de 8 niveles (Memoria para subrutinas anidadas)
-Interrupciones: 4 tipos diferentes con 1 vector de interrupción.
-Temporizadores: uno solo, el TMRO, que puede actuar como temporizador de
eventos o como contador de pulsos externos.
-Perro guardián (WDT) actúa para evitar que el microcontrolador quede “colgado”
ante una falla temporal en la ejecución de las instrucciones.
Líneas de entrada / salida digitales: 13 en total, 5 en Puerta A y 8 en Puerta B.
-Juego de instrucciones: 35 (de 14 bits)
-Corriente máxima absorbida: 80 mA en Puerta A y 150 mA en Puerta B.
-Corriente máxima suministrada: 50 mA en Puerta A y 100 mA en puerta B.
-Corriente máxima absorbida por línea: 25 mA
-Corriente máxima suministrada por línea: 20 mA
-Voltaje de alimentación: (VDD): de 2 a 6 volt. CC
-Voltaje de grabación: (VPP) : de 12 a 14 volt. CC
- Protección contra fallo de alimentación.
-Entrada para RESET.
- Entradas para osciladores externos.
-Estado de reposo o bajo consumo.
- Registro de trabajo W.
-Registros de propósitos especial (SFR) : Total 22 ubicados en la memoria RAM.
-Direccionamiento directo e indirecto de la memoria RAM
___________________________________________________________________ 8
……………………………………………………………………………………………
DIAGRAMA DE CONEXIONES
RA2 1 18 RA1
RA3 2 17 RAO
RA4/TOCKI 3 16 OSC1/CLKIN
MCLR# 4 PIC16X84 15
OSC2/CLKOUT
VSS 5 14 VDD
RBO/INT 6 13 RB7
RB1 7 12
RB6
RB2 8 11
RB5
RB3 9 10 RB4
OSC1 / CLKIN : Entrada externa de los impulsos reloj o conexión con el cristal de
cuarzo.
OSC2 /CLKOUT: Salida de Fosc/4 en modo osc. RC o conexión con el cristal de
cuarzo.
MCLR#: En modo grabación se introduce la tensión VPP (12 a 14 V DC.).
En funcionamiento normal, es la entrada del “reset” del PIC.
RA0- RA3 :Líneas de E / S de la puerta A (puerto A)
RA4 / TOCKI: Línea de E / S de la puerta A o entrada de impulsos de reloj para
TMR0.
RB0 / INT : Línea de E / S de la puerta B (o puertoB) o de pedido de interrupción.
RB1-RB7 : Líneas de E / S de la puerta B. (o puerto B)
VDD : Entrada tensión de alimentación (+)
VSS : Entrada tensión de alimentación(-)
Para la grabación de las instrucciones en la memoria de programa (EEPROM o

FLASH), se ingresa la tensión de grabación (VPP=12 a 14 volt.) por el Terminal
MCLR#, la señal reloj del sistema grabador por RB6 y los bits de las instrucciones
en serie por la entrada RB7.
EL CIRCUITO OSCILADOR EN LOS MICROCONTROLADORES PIC
Como los microcontroladores son sistemas síncronos programables, necesitan una señal
eléctrica con una frecuencia de funcionamiento fija, provista por un oscilador. Esta
señal, ingresa a través del pin OSC1/CLKIN. Los pulsos que ingresan, se dividen
internamente por cuatro, dando lugar a las señales Q1, Q2, Q3 y Q4. Las instrucciones
del programa, requieren de estos cuatro periodos para ejecutarse, denominándose éste
tiempo, periodo (ciclo) de instrucción. Por ejemplo para una frecuencia reloj de 10
MHZ el periodo resulta T =100 ns y el ciclo de instrucción es 4 x 100 = 400 ns.
Las instrucciones simples, requieren para cumplirse de dos ciclos de instrucción. Las
instrucciones de salto, necesitan cuatro ciclos.
Q1: Durante este tiempo, se incrementa el contador de programa.
Q2: Se busca el código de instrucción en la memoria de programa y se carga en el
registro de instrucciones.
Q3 – Q4 : Se produce la decodificación y la ejecución de la instrucción.
___________________________________________________________________ 9
……………………………………………………………………………………………
Como los microcontroladores PIC aplican la técnica de segmentación (pipe-line), que
consiste en realizar en paralelo las dos fases que comprenden cada instrucción
(búsqueda y ejecución), podemos decir que cada instrucción simple, se ejecuta en un
tiempo de 1 ciclo de instrucción y las de salto, en 2 ciclos
| Q1 Q2 Q3 Q4 | Q1 Q2 Q3 Q4 | Q1 Q2 Q3 Q4 | Q1 Q2 Q3 Q4 |
OSC1|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|
1 ciclo 1 ciclo 1 ciclo 1 ciclo

|---------------------|----------------------|----------------------|----------------------|
Búsqueda 1 Ejecución 1
Búsqueda 4
Tipos de osciladores
Los microcontroladores PIC admiten cinco tipos de osciladores externos para aplicarle
la señal con la frecuencia de funcionamiento. El tipo de oscilador empleado, debe
especificarse en dos bits ( FOSC1 Y FOSC2 ) de la denominada “palabra de
configuración” o registro de configuración, durante el proceso de grabación del
programa, en la memoria de instrucciones del micro.
Los tipos de osciladores son los siguientes;
1)- Oscilador tipo RC.
2)- Oscilador RC interno (INTRC)
3)- Oscilador tipo LP
4)- Oscilador tipo XT
5)- Oscilador tipo HS
Oscilador tipo RC:

Este oscilador es de bajo costo, proporcionando una estabilidad en
frecuencia mediocre. Se lo utiliza para aquellos casos donde los tiempos de
funcionamiento (temporizaciones) no son exigentes.
PIC16X84
___________________________________________________________________ 10
……………………………………………………………………………………………
Ejemplo de frecuencias de oscilación:

Fosc Rex Cex
625 Khz 10 K 20 pF
80 Khz 10 K 220 pF
80 Hz 10 K 0.1 uF
La resistencia exterior (Rex) varía entre 5 K y 100 K. Para valores menores de 5 K la
oscilación se hace inestable y puede detenerse; para valores mayores de 100 K, se hace
susceptible al ruido y la humedad. Por el terminal OSC2/CLKOUT podemos obtener la
frecuencia del oscilador dividida por cuatro para sincronizar dispositivos externos.
Oscilador RC interno (INTRC

Es la solución más económica, no siempre disponible en todas las familias de PIC. En
los PIC 16X84 no existe esta variante. La frecuencia de oscilación se genera
internamente sin elementos externos.
Oscilador tipo LP:

Es un oscilador de bajo consumo y baja frecuencia con cristal de cuarzo o
resonador cerámico. Esta diseñado para trabajar en frecuencias de 35 a 200 KHZ.
Oscilador tipo XT:

Es un oscilador de cristal de cuarzo o resonador cerámico tipo estándar
para frecuencias comprendidas entre 100 KHZ y 4 MHZ. Tiene un consumo de energía
medio.
Oscilador tipo HS:

Es un oscilador de cristal de cuarzo resonador cerámico con alta
frecuencia, comprendida entre 4 y 10 MHZ. Tiene un consumo de energía alto.
Conexión del oscilador basado en cristal o resonador cerámico
PIC16X84
RESONADOR
MODO FREC. C1/C2

XT 455 KHZ 22 – 100
2,0 MHZ pf 15 – 68
4,0 MHZ pf 15 – 68
pf
HS 8,0 MHZ 10 – 68
16 MHZ pf 10 –22
pf
___________________________________________________________________ 11
……………………………………………………………………………………………
CRISTAL
MODO FRECUENCIA C1 C2
LP 32 KHZ 68 –100 pf 68 –100 pf
200 KHZ 15 –30 pf 15 – 30 pf
XT 100 KHZ 68 – 150 pf 150 – 200 pf
2 MHZ 15 – 30 pf 15 – 30 pf
4 MHZ 15 –30 pf 15 –30 pf
HS 8 MHZ 15 –30 pf 15 – 30 pf
10 MHZ 15 – 30 pf 15 – 30 pf
20 MHZ 15 – 30 pf 15 –30 pf
Cuando el microcontrolador se configura en los modos LP, XT o HS, se puede utilizar
una fuente externa para los pulsos reloj adaptada mediante una compuerta lógica y
conectada al pin OSC1. Al pin OSC2 se le suele colocar una resistencia a masa para
disminuir ruidos del sistema, pero a costa de incrementar la corriente del sistema.
PIC16X84
Características de los puertos de entrada/salida de los microcontroladores PIC
Como lo hemos mencionado, el puerto “A” tiene 5 líneas conectadas a 5 terminales del”
chip” y el puerto “B” tiene 8 líneas conectadas a 8 terminales. Cada línea, puede ser
configurada, por el programa grabado, como entrada o salida. Cada Terminal, tiene un
resistor interno, conectado a la fuente de alimentación (pull-up) que puede ser
conectado o desconectado, por el programa. Estos resistores se desconectan
automáticamente, si un terminal se predispone como terminal de salida. Esto es asi
debido a que las salidas tienen la posibilidad de actuar como fuente de corriente
(entregan corriente) o como sumidero (absorben corriente). Todos los resistores de
“pull-up” se conectan o desconectan al mismo tiempo (no existe un comando que los
conecte independientemente.
Como salida, un terminal del puerto “A”, puede absorber 25 mA del circuito exterior o
entregar 20 mA al circuito exterior, pero en total, no se debe exceder de 80 mA
absorbidos y 50 mA entregados.
Para el puerto “B”, las características son similares por Terminal individual, pero en
total no se puede exceder de los 150 mA absorbidos y 100 mA entregados.
Terminales no utilizados
Los terminales de los puertos no utilizados, siempre se deben conectar a la fuente de

alimentación (+5 volt) mediante un resistor de 10 KΩ, debido a que se trata de un
dispositivo CMOS, caso contrario podría deteriorarse por captación electrostática.
___________________________________________________________________ 12
……………………………………………………………………………………………
PIX16X84
Terminales no utilizados
El Terminal nº 3
El Terminal nº 3 del circuito integrado, denominado RA4/TOCKI, puede ser

configurado como entrada/ salida o como de arranque de un temporizador/contador.
Cuando se programa como entrada, este Terminal funciona como un disparador de
Schmitt trigger ideal para reconocer señales distorsionadas o de crecimiento lento.
Cuando trabaja como salida lo hace “colector abierto” (drenador abierto), es decir que
no se puede utilizarlo como fuente de corriente, en este caso siempre se debe colocar un
resistor externo entre la fuente de alimentación y el Terminal, según se muestra en el
dibujo:
PIX16X84 PIX16X84
Puerto de Terminal 3
salida
normal
PERIFÉRICOS DIGITALES PARA LAS ENTRADAS Y SALIDAS
Entradas:
En el primer programa que desarrollamos, introducimos los datos
directamente. En la práctica el microcontrolador se comunica con el mundo exterior, a
través de señales externas digitales o analógicas. De igual forma, son las señales de
salida, que gobiernan el proceso controlado. Solamente analizaremos las señales
digitales para el PIC16X84.
___________________________________________________________________ 13
……………………………………………………………………………………………
A) Sin pulsar: entrada en VDD (+) = 1 B) Sin pulsar: entrada en cero volt. = 0
Pulsando: entrada a cero volt. = 0 Pulsando: entrada en VDD (+) =0
Contactos o interruptores:
El análisis de los circuitos, es similar al de los pulsadores
Circuitos de entradas antirrebotes:
Rebotes
Pulsación
Los dispositivos electromecánicos, al cerrar, provocan rebotes que pueden durar algunos
milisegundos. Si no se toma ninguna acción, pueden provocar inestabilidad, en la
mayoría de los circuitos digitales.
En el caso de los microcontroladores, tenemos dos tipos de soluciones:
1)- Solución por programa:
Consiste en identificar el primer flanco de la señal de entrada, luego se pasa a un

programa de “rutina de retardo” de varios milisegundos antes de pasar a detectar si se ha
producido el flanco contrario.
___________________________________________________________________ 14
……………………………………………………………………………………………
2)- Solución por circuito:
Circuito (A): Al cerrar “P” el capacitor se descarga a través de la resistencia de 1K y

suministra un cero (0). Cuando se desactiva “P”, el capacitor se carga a través de la
resistencia de 10 K con una determinada cte de tiempo, que dependen de los valores del
capacitor y resistencia de carga, suministrando un uno (1).
Circuito (B): El circuito representa un flip flop tipo RS con puertas NAND, de manera
tal que este circuito cambia su salida, apenas detecta el 1° flanco.
Acoplamiento óptico de entradas digitales:
Los opto acopladores, son encapsulados de cuatro terminales, disponiendo en su

interior, de un diodo Leds (emisor de luz) y un fototransistor (receptor de luz). Ambos
dispositivos se encuentran aislados eléctricamente.
El periférico, cuando desea introducir un “uno lógico”, al microcontrolador, aplica una
tensión positiva al ánodo del diodo. La corriente circulante, provoca una emisión de luz,
que es captada por el fototransistor. Este último, al tener aplicada una tensión eléctrica
en su terminal colector, conduce corriente que circula por la resistencia de 1K,
provocando una caída de tensión en sus extremos, que es captada por el
microcontrolador, interpretándola, como un “uno lógico” en su entrada.
___________________________________________________________________ 15
……………………………………………………………………………………………
Circuitos conectados a las salidas del microcontrolador
Diodos Leds :
No se puede utilizar
esta salida para R3
Se puede utilizar esta
salida para R3
Circuito (A): Cuando la salida del microcontrolador es una tensión positiva (uno
lógico), entrega una corriente al diodo Leds, limitada por la resistencia eléctrica. El
diodo Leds, emite luz.
Circuito (B): Cuando la salida del microcontrolador provee una tensión baja (0+), por
el diodo Leds circula una corriente, dado que su ánodo, tiene aplicada una tensión
positiva respecto a la masa o terminal común.
Utilización de transistores y diodos Leds:
Este circuito, se utiliza para amplificar la corriente de salida del microcontrolador. El

transistor trabaja al corte y saturación. La resistencia en colector limita la corriente que
se entrega al diodo Leds. La resistencia eléctrica en la base limita la corriente en la base
del transistor y la de salida del microcontrolador.
Cuando el microcontrolador entrega una tensión positiva (uno lógico), suministra
corriente a la base del transistor. Este, pasa a la saturación, dando lugar a la corriente de
colector que a su vez alimenta al diodo leds. Este último, emite luz.
Las formulas de cálculo son las siguientes:
RC = (VCC – Vcsat. – Vd)/ Icsat. βsat: ganancia de corriente de saturación del

transistor
___________________________________________________________________ 16
……………………………………………………………………………………………
IBsat = Icsat/ βsat V (+)= VDD =+5 volt. : Tensión de salida del
microcontrolador
RB = ( V(+) – Vbsat )/ IBsat
Activación por relés y microrelés:
A)- Actuando las salidas sobre relés, nos permite controlar cargas mucho mayores,
dados que las corrientes de carga pasarán por los contactos del relé. Por ejemplo poner
en marcha un motor eléctrico a través de un contactor. Un “uno” en la salida del micro
(V+) produce el accionamiento del relé. Un “cero” (0+), el relé esta desactivado.
B) Este es el caso de activación por microrelés con doble contacto. En este caso, el
micro relé se activa con un “cero” en la salida del microcontrolador y se desactiva con
un “uno lógico”.
En este circuito, se utiliza un diodo Leds para indicar la activación del micro relé; el
otro se utiliza para la aplicación.
Salidas opto acopladas:
Cuando la salida del microcontrolador vale “1” (V+), el Leds del opto acoplador se
enciende y activa al fototransistor a la saturación, entregando entonces un “0” (0+)
lógico al periférico.
Cuando la salida del microcontrolador vale “0” (0+), el Leds esta apagado y el
fototransistor esta desactivado (corte); se entrega un “1” (VCC+) al periférico.
___________________________________________________________________ 17
……………………………………………………………………………………………
Control de cargas eléctricas alternas con triac:
Los TRIAC son dispositivos electrónicos que dejan pasar una parte del semiciclo
positivo o negativo, en función de un impulso de disparo aplicado a su compuerta. En el
caso del circuito del ejemplo, resulta un control de carga eléctrica “por ciclos enteros”.
Cuando la salida del microcontrolador vale “1”, el diodo Leds se enciende ; el fototriac
se activa recién cuando la tensión alterna de la carga pasa por cero, y de esta manera le
inyecta un impulso de corriente a la puerta del triac de potencia que controla la carga. El
resistor 39 ohm y capacitor conectado a el (10nf), protegen al triac frente a sobre
tensiones y dv/dt.
Otras aplicaciones:
Existen una gran variedad de aplicaciones conectadas a las salidas del

microcontrolador como ser activación de displays de 7 segmentos, pantallas de cristal
liquido LCD, zumbadores, comunicaciones digitales bajo la norma RS-232 (previo
desarrollo de un programa de comunicación y circuito especial adaptador como el
MAX232), control de motores paso a paso, etc.
Circuito de reinicialización o reset
En los microcontroladores, se requiere un Terminal para reiniciar el funcionamiento del

sistema cuando sea necesario, ya sea por una falla que se presente o porque así fue
diseñado. Este Terminal se denomina “Master Clear”, abreviadamente MCLR.
La acción de provocar un “reset” en el microcontrolador, produce dos efectos
importantes:
a)- El contador de programa (que me indica la próxima dirección de la instrucción a
ejecutar) se carga con la dirección 0x 00 (00000000), apuntando a la primera dirección
de la memoria de programa (vector reset) en donde deberá estar situada la primera
instrucción del programa de aplicación.
b)- La mayoría de los registros de estado y control del procesador, toman un estado
conocido y determinado. _____
En el PIC 16X84, el Terminal de “reset” esta ubicado en el pin nº4 denominado MCLR.
___________________________________________________________________ 18
……………………………………………………………………………………………
Este microcontrolador, admite cinco diferentes tipos de reset:
1)- Reset al encendido “POR” (Power On Reset), hasta estabilizar VDD y el oscilador;
Si esta habilitado, se logra conectando el terminal de reset (MCLR#) con el terminal de
la entrada de la tensión de alimentación VDD.(se conecta a través de una resistencia
eléctrica)
2)- Reset por pulsación externa (Master clear); se logra, llevando a masa el terminal
de reset.
3)- Reset por pulsación externa (Master Clear), cuando el microcontrolador esta en el
estado de bajo consumo (modo sleep). Se logra de la misma forma que el reset nº2
4)- Actuación del circuito de vigilancia “perro guardián” (watchdog) durante la
operación normal (si esta habilitado).
5)- Actuación del circuito de vigilancia “perro guardián” durante el modo de reposo
(modo slepp), si esta habilitado.
Un circuito sencillo que admite un reset al encendido” (si esta habilitado) y reset por
pulsación externa (2 y 3), es el siguiente:
1 18
2 PIC16X84 17
3 16
4 MLCR 15
5 14
6 13
7 12
Pulsador 8 11
9 10
Circuito práctico
El siguiente circuito práctico muestra un conexionado común en casi todas las

aplicaciones. Dispone de un circuito de reset, un oscilador a cristal con una frecuencia
de oscilación de 4 MHZ (tipo XT), una entrada a contacto (RA1) y una salida con un
diodo LEDS (RB1). La tensión de alimentación, es de 5 volt., que es un valor normal de
aplicación para los microcontroladores PIC. Para una mayor estabilidad de
funcionamiento resulta conveniente que la tensión de alimentación sea provista por una
fuente regulada, como podría ser con el CI 7805
___________________________________________________________________ 19
……………………………………………………………………………………………
18
4 16
5 15
7 14
PIC16X84
Esquema de la fuente de alimentación +VDD
CI
7805
___________________________________________________________________ 20
……………………………………………………………………………………………
PROGRAMACIÓN DE LOS MICROCONTROLADORES
Introducción:
Cuando se decide realizar un automatismo o un subsistema de un sistema más
complejo (por ejemplo formando parte de un circuito de un aparato electrónico), se debe
establecer la combinación adecuada del “hardware” (circuitos) y del “software”
(programa). Estos puntos, son los que involucran el diseño con microcontroladores.
Los microcontroladores, permiten configurar un sistema que cumpla con los requisitos
del problema a resolver, gracias a una característica fundamental que comparten con las
computadoras convencionales: que son “programables”. Por ello, diseñar sistemas de
control con microcontroladores, exige el dominio de dos especialidades
fundamentales: la primera es la especialidad o destreza para seleccionar y
conectar componentes electrónicos (diseñar y realizar el circuito), y la segunda, es
el conocimiento de las técnicas de programación. Ambas especialidades, logran que
el microcontrolador actúe según los requisitos que el problema a resolver propone.
Un aspecto importante que tenemos que tener siempre presente, cuando realicemos el
programa, es que todos los sistemas programables, no procesan la información en forma
continua (como los sistemas analógicos), sino que lo hacen en pequeños periodos de
tiempo, por lo que deben organizar sus tareas en forma secuencial en el tiempo.
Los pasos básicos en la creación y ejecución de un programa, en un sistema
programable en Gral., son los indicados en el diagrama en bloques de la siguiente
figura:
Diseño de un
automatismo con
microcontroladores
Interpretar el
problema creando
diagrama de flujo
Almacenar Diseñar circuito

Escribir las programa en electrónico completo
instrucciones del memoria del y ejecutar el
programa microcontrolador programa
Estas acciones a resolver, involucran a especialistas en el tema y son los denominados

“PROGRAMADORES”.
___________________________________________________________________ 21
……………………………………………………………………………………………
Lenguajes de programación:
Dado que programar en lenguaje de maquina (de unos y ceros) resulta muy
complicado, es conveniente utilizar lenguajes nemotécnicos, más fáciles de entender.
Existen varios lenguajes que utilizan las computadoras modernas. Algunos de ellos se
utilizan para resolver problemas de carácter administrativo, como lo es el lenguaje
COBOL. Otros lenguajes, ayudan a crear programas de utilidad para Ingeniería, como
FORTRAN , PASCAL etc.
Cuando se trata de resolver problemas de “control industrial” con microcontroladores,
cuya capacidad de memoria de programa resulta restringida, conviene utilizar lenguajes
de bajo nivel o más cercano al dispositivo. Él más conveniente, por requerir menos
instrucciones para ejecutar tareas especificas, es el” lenguaje ensamblador o Asembler”.
Este lenguaje esta compuesto por un conjunto de palabras sencillas, que permiten
describir las acciones básicas, que ejecuta la UCP del microcontrolador.
Uno de los inconvenientes de este lenguaje, es que cada familia de microcontroladores,
tiene su propio lenguaje ensamblador. No obstante esta dificultad, aprendiendo a
programar en “ensamblador” para un determinado tipo de microcontrolador, le permite
transferir esta especialidad, a otro diferente.
Otros lenguajes de alto nivel que se utilizan en la programación de microcontroladores
son el lenguaje “C” y el lenguaje “Basic”.
Cuando se utiliza uno de estos lenguajes, es necesario otro programa de computadora
para que lo traduzca al sistema binario, de manera tal que se pueda introducir en la
memoria de instrucciones del microcontrolador. Estos programas se denominan
“ensambladores” o “compiladores” y sirven para el microcontrolador específico o para
una determinada familia de microcontroladores. En el caso específico del
microcontrolador PIC tenemos:
Lenguaje ensamblador > ensamblador MPASM.
Lenguaje C > compilador PCM.
Lenguaje Basic > compilador PBASIC.
Descripción del programa ensamblador:
Definimos como “programa de usuario” o “programa fuente”, aquel que es escrito

por el programador, en el lenguaje “ensamblador”. Para ello, se debe utilizar un editor
de texto de PC, para generar un archivo de texto, con las instrucciones que puede
ejecutar el microcontrolador. Los programas fuente, no pueden ejecutarse asi
directamente; son archivos de texto pensados para que puedan ser interpretados por los
seres humanos, pero incomprensibles para la unidad central de proceso del
microcontrolador.
Para lograr un programa ejecutable por el microcontrolador, se deben seguir varios
pasos. El primer paso consiste en traducir el programa fuente a su codigo objeto
equivalente; este trabajo se encarga de realizarlo el “programa ensamblador” .
El programa ensamblador, esta conformado por varios módulos independientes, cada
uno de los cuales, cumple una función especifica. Los módulos más importantes son:
a)-Ensamblador básico: Genera, a partir del código fuente, un archivo “relocalizable”o
codigo objeto (.OBJ). Básicamente consiste en obtener un archivo equivalente al
archivo fuente pero comprensible al ordenador.
___________________________________________________________________ 22
……………………………………………………………………………………………
b)- Enlazador: Crea, a partir del archivo relocalizable y otros archivos del módulo
“control de librerías”(lib), un archivo binario ejecutable. Éste código, es el que ejecuta
directamente el microcontrolador.
c)- Control de libr

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PROGRAMA ANALITICO DE ELECTRONICA II

1-1 Electrónica de potencia

2-1 Tipos de diodos- conexión

2-2 Circuitos rectificadores

3-2 Circuitos de disparo tiristores

3-3 rectificadores controlados

3-4 Rectificadores controlados realimentados

4-1 Transistores de potencia para conmutación

5-2 Interruptores estáticos

6-1 Protección de los semiconductores

7-1 Arquitectura de los computadores

7-2 Los microcontroladores

8-2 Convertidores de señales analógicas a digital

La electronica de potencia combina tres desarrollos tecnológicos importantes: La

La electrónica, se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado sólido, requeridos en

El control, se encarga del régimen permanente y de las características dinámicas de los

La electronica de potencia, la podemos definir como la electronica de estado sólido para

Historia breve de la electrónica de potencia

En 1900 aparece la válvula rectificadora de mercurio para rectificación; luego le sigue

Central de Fuente de Protección

Actuadores Filtro para CONVERTIDOR DE

Sistema aislacion eléctrica

DE POTENCIA (CIRCUITOS BASICOS)

Convertidor de CA a CC (rectificadores no controlados):

Convertidor de CA a CC (rectificadores controlados:

En este caso, el valor de la tensión continua de salida y la potencia eléctrica convertida,

Convertidor de corriente alterna a corriente alterna (controladores de voltaje)

Convertidor de corriente continua a corriente continua (pulsadores)

Estos convertidores, denominados también como “pulsadores o reguladores de tensión

Convertidores de corriente continua a corriente alterna (inversores)

Estos convertidores, convierten una fuente de tensión continua, en una fuente de

Se utilizan para interrumpir corriente alterna o corriente continua en aplicaciones “todo

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Los denominados genéricamente “tiristores convencionales”, desde su aparición (1957)

CARACTERISTICAS Y ESPECIFICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES

La electrónica de potencia, utiliza semiconductores que trabajan como interruptores de

1)- Estando cerrado, debe tener:

2) Estando abierto debe tener:

3) En el proceso de cierre y apertura, lo debe hacer en forma instantánea lo que le

4) Para el cebado y apertura debe necesitar:

6) El interruptor debe ser capaz de soportar grandes variaciones de la corriente

8) El interruptor debe poseer un coeficiente térmico negativo para la corriente

CARACTERISTICAS DE LOS INTERRUPTORES ELECTRONICOS REALES

El dibujo anterior, muestra las variaciones temporales de la tensión, corriente y

td: tiempo de demora

La potencia disipada del interruptor, durante la conmutación vale:

Psw = 1/Ts.( ∫tr p.dt + ∫tfp.dt)

Es la suma de la potencia disipada durante el encendido y la potencia disipada en la

PG = 1/Ts.(∫td+tr+tnp.dt) : potencia promedio disipada en la compuerta.

La potencia total disipada por el dispositivo interruptor vale:

PT = Psw + Pcerrado +Pabierto +PG

Especificaciones de los interruptores semiconductores suministradas por los

Velocidad o frecuencia de interrupción:

Perdidas por conmutación:

Requisitos de activación de compuerta:

Área de operación segura (SOA):

I2.t para protección con fusible:

1)-Activación y desactivación sin control:(Diodos)

2)-Activación controlada y desactivación sin control: (SCR—TRIAC—RCT –LASCR

3)-Activación y desactivación controladas: (BJT—MOSFET—GTO—SITH—IGBT—

4)-Requisito de señal continua en compuerta: (BJT—MOSFET—IGBT—SIT)

5)-Requisito de pulso en la compuerta: (SCR—GTO—TRIAC—RCT—SITH—