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    6 Capito 2 Reordenando: AV = (-2mvrc) AT ay ‘De este modo, podemos caleular Ia barrera de potencial para cualquier temperatura de la unién. eee eee ee Ejemplo 2.5 Suponiendo una barrera de potencial de 0,7 V a una temperatura ambiente de 25°C, ;Cual es la barrera de poten- cial de un diodo de silicio cuando la temperatura de la unién es de 100°C? c¥ a 0°C? SOLUCION Cuando la temperatura de la unién es 100°C, la variacién de la barrera de potencial es: a 150 mV = (-2mv/"C) AT = (-2 mV/*CV(IGOC — 25°C) Esto nos dice que la barrera de potencial disminuye 150 mV respecto de su valor a temperatura ambiente, Por tanto, os igual a Y= LIV ~ 1S V = 0,55 V ‘Cuando la temperatura de la uni6n es de 0°C, la variacién de la barrera de potencial es: AV = (—2 mV/*C) AT = (—2 m¥/*CYO°C ~ 25°C) = 50 mV Lo que nos dice que la barrera de potencial aumenta 50 mV respecto de su valor a temperatur © esiguala: Vp = 0,7 V +008 =0,5V PROBLEMA PRACTICO 2.5 Cuil seré la barrere de potencial en el Ejemplo 2.5 cuando la temperatura de la unign sea de 50°C? eee 5 Diodo polarizado en inversa ‘Vearos unas pocas ideas més avanzadas sobre el diodo polarizado en inversa, Para empezar, la anchura dela zona de deplexién varia cuando vatia Ia tensién inversa, Veamos lo que esto implica. Corriente transitoria Cuando la tensién inversa aurnenta, los huecos y los electrones se alejan de le unin, dejando iones positives y ne- ativos tras ellos, Por tanto, la zona de deplexién se hace mas ancha, Cuanto mayor es la polarizacién inversa, més fancha se hace la zona deplexién. Mientras la zona de deplexién se ajusta a su nueva anchura, una cortientefluye al eircuito extemo. Esta corriete transitoria se hace cero cuando la zona de deplexidn deja de aumentar de tamatio La cantidad de tiempo durante la que esta corriente transitoria fluye depende de la constante de tiempo RC del Circuito extero. Normalmente, dura unos nanosegundos, por lo que los efectos de esta correntetransitoria puc- den ignorarse para frecuencias por debajo de, aproximadamente, 10 MHz. Corriente inversa de saturacion Como se ha dicho anteriormente, la polrizacin directa de un diodo hace que la banda n se cleve y permite que {os electrones libres atraviesen la unin. La polarizacién inversa tiene el efecto contrario: hace que la zona de de~ plexién se ensanche y que ta banda » descienda, como se muestra en la Figura 2.27, ‘Ceamos qué es la corriente inversa de saturecién desde el punto de vista de Ia energta, Supongamos que la ener- ‘fa térmica crea un huevo y un electron libre en la zona de deplexién, como se ve en la Figura 2.27, Ahora el elec. tr6n libre en 4 y el hueco en B pueden contribuir ala corriente. Debido a la polarizacién inversa, cl electrin libre Semiconductors 7 figura 2.27 La eneria térmica genera electrones Mores y huecs en el interior de la zona de depleién. ! o on jee lee oo] jo o| jo o| loo | se movers hacia fa derecha, empujando a un electrGn hacia el extremo derecho del diodo, De forma similar ef hhueco se moverd hacia la iaquierda Este hueco extra del lado p dejara entrar aun electron en elextremo izquierdo del cristal aanto mayors la temperatura dela unién, mayor esl corrcate de sturacién. Una aproximacin iil que debe re- cordate la siguonte: se duplica por cada inremento de temperatura de 10°C, Como dervacién tenemos, Porcentaje Als = 100% por eada 10°C de incremento as) Dicho con palabras fa vatiacign en la corrente de saturacién es del 100 por cien por cada ineremento de 10°C de Ja temperatura, Silas varaciones de temperatura son menores que 10°C, se puede emplear esta repla equivalente Porcentaje As = 7% por °C : 06) Con palabras, Ia variacién en la comviente de saturacién es del 7 por ciento por cada incremento de un grado Cel- sius. Esta solucién del 7 por ciento es una buens aproximacién dela regla de los 10°. y germanio En un étomo desi, fa dstanci ete la banda de valencia y la banda de condaceién se denomina hands prok- bida. Cuando la engi termina produce eectrons ies yhuecs, ene gue poporcionar& fs electrons de ¥a- Tenia la engi sufcientepaasaltar ala banda de conuccin, Cuamo mayor es fa banda prohibid, més die 5 que la energa térmica gener pares electrén‘hveco. Afortumadamente, el slcio tiene una banda prokbide ‘rande, lo que signfiea que la ener térmica no puede generar muchos pats electcSn-hueco a emperarasnor- rales En undtomo de germanio la banda de valencia est mucho més ere de a banda de conduccién. Es dei, germanio tiene una banda pronibida mucho més pequta que el silico. Pr ell, le energia rica genera moches fnés pares eletrén-hueco en los dipositives de german. Este es el fllo fatal que hemos mencionado anteror- mente, La exoesiva corre inversa de los dispostves de germanio les excluye desu uso generalzado en las Computadoras moderns, I electtnica de consumo y los ereitos pra comunicacones Corriente superficial de fugas En la Seccién 2.10 hemos mencionado brevemente la corriente superficial de fugas, Recuerde que es una corrente inversa que luye por la superficie del cristal. Vamos abora una explicacién de por qué existe esta coniente. ma- gine que los étomos de las pares superior e inferior de la Figura 2.28a se encuentran sobre la superficie del cris- tal Puesto que estos tomos no tienen vecinos, s6lo tienen seis elecrones en el orbital de valencia lo que implica dos huecos en cada una de las superficies del dtomo. Luego podemos ver que la superficie del cristal es como un semiconductor de tipo p. Por esta razén, los electrones pueden entrar por el extremo izquierdo del cristal, arave- sar los huecos de la superficie y salir por el extremo derecho del cristal. De este modo, se crea una pequcia co- rmiente inversa a lo largo de la superficie La cortiente superficial de fuges es drectamente proporcional ala tensién inversa. Por ejemplo, si se duplica 1a tension inversa, la corriente superficial de fugas Js, se duplica. Podemos defnir la resistencia superficial de en 48 Capitulo 2 Figura 2.28 (o) Los étomos que se encuentran en la superficie del risa no tienen vecinos. (6) La superficie del cristal tiene huecos, ® Ejemplo 2.6 Un diodo de silicio tiene una corriente de saturacién de 5 mA a 25°C. Cuil seré Ia corriente de saturacién a 100°C? SOLUCION La variacién de temperatura es: AT = 100°C - 25°C = 75°C Coa la Ecuacién (2.5), vernos que la corriente se duplica siete veces entre 25°C y 95° Jy = Q\SnA) = 64004 Con la Ecuacién (2.6), vemos que hay 5° adicionates entre 95°C 100°C: Js = (1.077640 nA) = 898 nA, PROBLEMA PRACTICO 2.6. Uilizand et mismo diodo que en el Fjemplo 26, val srt I cominte de saturcion 3 80°C? Ejemplo 2.7 Si la coniente superficial de fugns es de 2 nA para uns tension inversa de 25 V, gual ser la corsiente superficial de fugas para una tens inversa de 35 V? SOLUCION Hay dos formas de resolver este problema, La primera consiste en calcular la resistencia superfi- cial de fugas: fy = BY = 25000 Acontinuacién, se calcula la corriente superficial de fugas para 35 V como sigue: 35v t= Ta scoja — 78M LACS SIE RE MS 49 EI segundo método es el siguiente, Dado que la cortiente superficial de fugas es directamente proporcional a la tensién inverse, tenemos: pees e” 35 oz 2m 280A Resumen . ‘SEC. 2.1, CONDUCTORES 1p dtomo de cobre neuto sélo tiene un sectrdn en su orbital mas externa, Puesto sive tiene un nico eectrén puede srpararse Faciimente del tom, y se le denomina electrén libre El cobre es buen ‘conductor porque incluso la tension mas pequeha hace que los electrones res thuyan de un atomo al siguiente SEC. 2.2 SEMICONDUCTORES 1H ilicio es ef material semiconductor mis ampliarneate utlizado. Un tomo aistado tte sliio tiene cuatro electrones en su vrbital de valencia, el més extemo. El numero de elecrrones en el orbital de valencia es la clave de fa conductividad, tos conductoces tienen un electron de ‘valencia, fos serniconductores tienen cua- luo electrones de valencia y los aislantes tienen ocho electrones de valencia SEC. 2.3 CRISTALES DE SILICIO Cada stomo de slicio de un erstal tiene sus cuatro electrones de valencia mas ‘otros cuatro electrones que comparte con los atomos vecinos. A temperatura ambiente, un erstal de silico puro sélo tiene unos pocas electrones fibres. y hhueeas generadas porta energia térmics, la cantidad de tiempo transeurrida entre la creacién y la recorbinacién de un lectin lore y un hueco se denomina tiempo de vida. SEC. 2.4 SEMICONDUCTORES INTRINSECOS: Un semiconductor intrinseco es un semiconductor puro, cuando se le apica tuna tension externa, los electrones libres fluyen hacie el terminal positivo de la boateria y tos huecos hacia et terminal negative de la tateia, SEC. 2.5 DOS TIPOS DE FLUJO En un semiconductor intrinseco existen dos tipas de flujo de portadores: el fujo de loselectrones esa través de los orbitales, mds grandes (banda de conduccién) y el flujo de fos huecos a través de los orbitales mds pequefas (la bands de valencia) SEC. 2.6 DOPAJE DE UN ‘SEMICONDUCTOR Con 41 dopaje se aumenta la concucti- vidad de un semiconductor. Un semicon- ductor dopado se denomina semiconduc- tor extrnsece, Cuando un semiconductor {ntrinseeo se dopa con tomas pentava- fentes (donantes), tiene mas electrones Vibres que fhuecos. Quando un semicon- ductor intrinseeo se doga con atomos trivalentes faceptore), tiene mis huecos que electrones. SEC. 2.7 DOS TIPOS DE ‘SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS En un semiconductor de tipo 7, los elec- trones libres son los portadores mayo- ritarios y los huecos son los portadores rminoriterios. En un semiconductor de tipo p, las hueces son los portadores mmayoritarios y los electrones libres sn los portadares monortaris, SEC. 2.8 EL DIODO NO POLARIZADO Un diode no polarizado tiene uns zona de eplexin en la unién fn. Los jones de la zona de deplexion producen una barrera ‘de potencial. A temperatura ambiente, esta bartera de potencal es de aproximada- mente 0,7 V para un diodo de sliio y de (03 V para un diado de germanio. EMA PRACTICO 2.7 En el Ejemplo 2.7, zd es a corriente superficial de fugas para una tensién faversa de 100 V? ‘SEC. 2.9 POLARIZACION DIRECTA ‘Cuando una tensién externa se opone ala barrera de potencal el diodo se polarize en directa. Sia tension aplicads es mayor que Ta barrera de potencial, la corriente es grande, Es decir, 8 corrente fluye féeil- ‘mente en un dicda poiarizado en directa SEC. 2.10 POLARIZACION INVERSA (Cuando se afade una tension externa ata barreta de potencial, el diodo se polarize en Inverse, Cuando la tension inversa aumen- 1a, la zona de deplexidn se hace més ancha, Ls coniente ¢s aproximadamente cero, SEC. 2-11 DISRUPCION Demasiada tensién inverse producir bien el efecto de avalancha oe efecto zener,e° cuyo caso, una corriente de disrupcion ‘grand puede destruir el diodo. En general, los diodos nunca operan en la regién de dlsrupcion. La dca excepcién es el diodo zener, un diodo de propésito especial que Se trataré en un capitulo posterior. SEC. 2.12 NIVELES DE ENERGIA CCuanto mas grande es el orbital, mayor es el nivel de energia de un electron, Si una fuerza externa hace que ef electrdn pase 2 un nivel de eneroia mayor, éste emis sladn tipo de energia cuando caiga de fuevo en su orbital de oxigen. SEC. 2.13 LA BARRERA DE ENERGIA a barrera de potencial de un diodo es Similar una banda prohibida. Los eectro- es que intentan atravesar la union nece- ‘tan la suficiente enerala como pas satar (2 barrera. Una fuente de tensin externa que polarice en directs ai diodo da a los i so capt? = clectones la eneralanecesava par ara~ estecha y a barrera de potencal dlsmi- que se produce cuando le tension inves vesarla zona de deplxién ruil aprovimadomente 2 mV por cada vara;iacorrientedelos portadoresmina- ado Celsius de increment, riterios, también denominada corriente 2 SEC. 2.14 BARRERA DE de soturacionporqueesindepencientede = POTENCIAL Y ‘SEC. 2.15 DIODO POLARIZADO la tension inversa. Yla tercera y citima,la TEMPERATURA EN INVERSA comiente superficial de fugas, que Cuando la temperatura “de ta union fn un diodo exsten tres componentes de @umenta cvando aumenta Ie. tensién jumenta, fa zona de deplexién se hace més corriente inversa: la corriente transitoria_inversa Definiciones tn meat Leyes ° (2-1) Saturacién de valencia: n= @ Dreivaciones ° 23) AY ~aavre es or orca 1° nemo (24) AV (2 mv/"Q) AT (2.6) Porcentaje Als = 7% porC Cuestiones ° 1. cCuintos protones contiene el 5 zCuéntosclectones de valencia 9, Un semiconductor intinseco tiene miele de un Stomo de cobre? tiene un tomo de iho? algunos huecos» temperatura n= i 7 Biente. Z0u cause eon haces? ba tt 2. dopae ci oa 8. eecrones bres a9 aa «ere térmica 2 La carga neta de un tomo de 6.

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