UNIVERSIDAD TÉCNICA DEL NORTE

FACULTAD DE INGENIERÍA EN CIENCIAS APLICADAS

INGENIERÍA EN MANTENIMIENTO AUTOMOTRIZ
EDISON LEMA 06/01/2017 SEPTIMO “A”

LÁMINAS CERÁMICAS (ELEMENTOS NERNST)

Ecuación de Nernst
La ecuación de Nernst se utiliza para calcular el potencial de reducción de un electrodo
fuera de las condiciones estándar (concentración 1 M, presión de 1 atm, temperatura de
298 K ó 25 ºC). Se llama así en honor al científico alemán Walther Nernst, que fue quien la
formuló en 1889.
Función de la sonda Nernst.
Un lado del sensor de cerámica está expuesto a la corriente de gas evacuado, mientras
que el otro se basa en una referencia sobre el nivel de dioxígeno. En la mayoría de las
ocasiones se usa el aire del entorno, por medio de una apertura en la sonda o sobre una
guía para el aire. Con ello se impide que el valor de referencia se vea influido por una
posible contaminación de vapores de agua, aceite o combustible. Si la sonda se
contaminara se reduciría la cantidad de dioxígeno en la referencia, y por ello se reduciría
el voltaje de la sonda. En el caso de una referencia bombeada, el aire del entorno no es
necesario, sino que la referencia del dioxígeno se basa en una corriente de iones a partir
del gas evacuado.

En temperaturas superiores a unos 300 °C la cerámica de la sonda, compuesta de dióxido

de circonio y de itrio, se vuelve conductora de iones negativos de oxígeno. La diferencia de
concentración da lugar a una difusión de iones del gas evacuado. Los átomos de oxígeno
pueden moverse en la cerámica como iones de carga negativa doble. Los electrones
necesarios para la ionización de los átomos de oxígeno son suministrados por los
electrodos, que son conductores electrónicos. De esta forma puede tomarse el voltaje de
la sonda entre los electrodos de platino situados dentro y fuera. Esta información se
transmite por medio del cableado a la centralita electrónica del motor. El valor se sitúa
para λ>1 (mezcla pobre, falta de combustible o exceso de aire) entre 0 y 150 mV, para λ<1
(mezcla rica), exceso de combustible o falta de aire) entre 800 y 1000 mV. El voltaje
medido se describe en la ecuación de Nernst. En un rango muy estrecho en torno a λ=1,
denominada la ventana λ, la curva característica es extremadamente empinada. El voltaje
se altera en la ventana en relación con la mezcla combustible-aire de una manera muy
repentina, con lo que estas oscilaciones hacen que la mezcla sea estequiométrica o
prácticamente estequiométrica. En esta zona los valores de CO y HC son relativamente
bajos, así como los de NOx, permitiendo así que el catalizador trabaje en las condiciones
más favorables.
FAMILIA DE CURVAS CARACTERISTÍCAS
Curvas características
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parámetros para
determinar el estado eléctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las
leyes básicas de resolución de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:
Por ello, los parámetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y
bajo la acción de unas excitaciones concretas, existirán unos valores de estos cuatro
parámetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se
denomina punto de operación (Q).
Las curvas características más empleadas en la práctica son las que relacionan VBE con IB
y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.
Características VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la
tensión de polarización VBE sobre la corriente de base IB. Estas gráficas reciben el nombre
de curvas características de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a
la de un diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prácticamente constantes, por lo que serán de gran ayuda
para localizar averías en circuitos con transistores.
Curva Vbe Ib
La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede aplicarse dado que
la unión base - emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al polarizarla, seguirá el
mismo comportamiento que aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresión:
Características VCE-IC
Estas características también son conocidas como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensión e intensidad del colector. En la siguiente figura, se muestran
una familia de curvas de colector para diferentes valores constantes de la corriente base.

Idealmente, en la Región Activa, la corriente de colector depende exclusivamente de la de

base, a través de la relación IC=β+IB. Por lo tanto, en el plano VCE-IC la representación estará
formada por rectas horizontales (independientes de V CE) para los diversos valores de I B (en
este caso se ha representado el ejemplo para β=100).
Evidentemente, no se dibujan más que unos valores de I B para no emborronar el gráfico.
Para IB=0, la corriente de colector también debe ser nula. La región de corte está
representada por el eje de abscisas. Por contra, para V CE=0 el transistor entra en
saturación, luego esta región queda representada por el eje de ordenadas.
Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un
poco más compleja, y las curvas quedarán como representa la siguiente figura:
Las diferencias son claras:
  En la Región Activa la corriente del colector no es totalmente independiente de la
tensióncolector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la
resistencia interna del transistor.
 La región de saturación no aparece bruscamente para V CE=0, sino que hay una
transición gradual. Típicamente se suele considerar una tensión de saturación
comprendida entre 0.1V y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se
puede comprobar que, para una tensión constante de colector-emisor, si se producen
pequeñas variaciones de la corriente de base (del orden de µA) esto origina unas
variaciones en la corriente de colector mucho más elevadas (del orden de mA), de lo cual
se deduce la capacidad del transistor para amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensión V CE afecta muy poco a la corriente
de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de V CEO), la unión del colector
entra en la región de ruptura y éste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensión
VCE es muy pequeña (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector será muy débil,
obteniéndose una ganancia de corriente muy baja. En conclusión, para conseguir que el
transistor trabaje como amplificador de corriente, la tensión de polarización inversa
VCE debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensión de ruptura.