CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS I
Polarizaciones
Objetivos
◦ Comprender el funcionamiento de un diodo en polarización directa.
◦ Comprender el funcionamiento de un diodo en polarización inversa.
◦ Como calcular la barrera de potencial de un diodo.
◦ Como calcular la corriente de saturación
◦ Como calcular la corriente superficial de fugas.
Introducción
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección. De
forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de cierta
diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como
un circuito cerrado con muy pequeña resistencia eléctrica. Adicional a lo anterior existen 2 formas de
polarización del diodo, estas son la directa y la inversa, las cuales veremos mas a fondo a continuación.
Polarización directa
◦ La Figura muestra una fuente de corriente continua conectada a un diodo. El terminal negativo de la fuente
se conecta al material de tipo n y el terminal positivo se conecta al material de tipo p. Esta conexión da lugar
a una polarización directa.
En la Figura, la batería empuja a los huecos y electrones libres hacia la unión. Si la tensión de la batería es
menor que la barrera de potencial, los electrones libres no tienen la suficiente energía para atravesar la zona de
deplexión. Cuando entran en esta zona, los iones se ven empujados de vuelta a la región n, por lo que no
circula corriente a través del diodo.
Cuando la tensión de la fuente de corriente continua es mayor que la barrera de potencial, la batería de nuevo
empuja a huecos y electrones libres hacia la unión. En este caso, los electrones libres tienen suficiente energía
para atravesar la zona de deplexión y recombinarse con los huecos.
El flujo de un electrón
◦ Después de que el electrón libre deja el terminal negativo de la batería, entra por el extremo derecho del
diodo. Viaja a través de la región n hasta llegar a la unión. Cuando la tensión de la batería es mayor que 0,7 V,
el electrón libre tiene la suficiente energía para atravesar la zona de deplexión. Poco después de que el
electrón libre entra en la región p se recombina con un hueco.
◦ En otras palabras, el electrón libre se convierte en un electrón de valencia. Como electrón de valencia,
continua viajando hacia la izquierda, pasando de un hueco al siguiente hasta que alcanza el extremo izquierdo
del diodo.
◦ Cuando deja el extremo izquierdo del diodo, aparece un nuevo hueco y el proceso comienza otra vez. Dado
que hay miles de millones de electrones haciendo el mismo viaje, se obtiene una corriente continua a través
del diodo. Para limitar la cantidad de corriente directa se utiliza una resistencia en serie.
Polarización inversa
Si damos la vuelta a la fuente de corriente continua, obtenemos el circuito de la Figura. En este caso, el terminal
negativo de la batería se conecta al lado p y el terminal positivo de la batería se conecta al lado n. Esta conexión
da lugar a una polarización inversa.
Ensanchamiento de la zona de deplexión
El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres. Por tanto,
huecos y electrones libres se alejan de la unión, ensanchándose en consecuencia la zona de deplexión.
¿Cuánto aumenta la zona de deplexión de la Figura a? Cuando los huecos y los electrones libres se alejan de la
unión, los nuevos iones que se crean aumentan la diferencia potencial en la zona de deplexión. Cuanto mayor
es la zona de deplexión, mayor es la diferencia de potencial. La zona de deplexión deja de crecer cuando su
diferencia de potencial es igual a la tensión inversa aplicada. Cuando esto ocurre, los electrones y los huecos
dejan de alejarse de la unión.
En ocasiones, la zona de deplexión se muestra como una región sombreada, como la de la Figura b. La anchura
de esta región sombreada es proporcional a la tensión inversa. A medida que la tensión inversa aumenta, la
anchura de la zona de deplexión también aumenta.
Corriente de portadores minoritarios
Existe una pequeña corriente en el caso de la polarización inversa. Recuerde
que la energía térmica crea continuamente pares de electrones libres y huecos.
Esto quiere decir que existen unos pocos portadores minoritarios en ambos
lados de la unión. La mayor parte de ellos se recombinan con los portadores
mayoritarios, pero los que se hallan dentro de la zona de deplexión pueden
vivir el tiempo suficiente como para cruzar la unión. Cuando esto sucede, por
el circuito externo circula una pequeña corriente.
Supongamos que por el efecto de la energía térmica se ha creado un electrón
libre y un hueco en las proximidades de la unión. La zona de deplexión
empuja al electrón libre hacia la derecha, forzando a un electrón a abandonar
el extremo derecho del cristal. El hueco de la zona de deplexión es empujado
hacia la izquierda. Este hueco adicional del lado p hace que entre un electrón
por el extremo izquierdo del cristal y se recombine con un hueco. Puesto que
la energía térmica está generando continuamente pares electrón-hueco en la
zona de deplexión, aparece una pequeña corriente continua en el circuito
externo.
La corriente inversa causada por los portadores minoritarios producidos térmicamente se denomina corriente
de saturación. En las ecuaciones, la corriente de saturación se expresa como IS. El nombre de esta corriente
representa el hecho de que no se puede obtener una corriente de portadores minoritarios mayor que la
producida por la energía térmica. En otras palabras, aumentar la tensión inversa no incrementará el número de
portadores minoritarios creados térmicamente.
Corriente superficial de fugas
Además de la corriente de portadores minoritarios producidos térmicamente, ¿existe alguna otra corriente en
un diodo polarizado en inversa? Sí, una pequeña corriente que fluye por la superficie del cristal. Esta corriente
se conoce como corriente superficial de fugas y es debida a las impurezas e imperfecciones de la superficie de la
estructura del cristal.
Entonces:
La corriente inversa total de un diodo consta de una corriente de portadores minoritarios y una corriente
superficial de fugas. En la mayoría de las aplicaciones, la corriente inversa en un diodo de silicio es tan pequeña
que no se suele tener en cuenta. La idea principal que debe recordar es la siguiente: en un diodo de silicio
polarizado en inversa, la corriente es aproximadamente cero.
Tabla resumen: Polarizaciones
Disrupción
Los diodos permiten unos valores nominales máximos de tensión. Existe
un límite para la tensión máxima en inversa con que se puede polarizar un
diodo sin correr el riesgo de destruirlo. Si se incrementa la tensión inversa
de forma continua, llegará un momento en que se alcanzará la tensión de
disrupción del diodo. En muchos diodos, la tensión de disrupción es como
mínimo 50 V. La tensión de disrupción se incluye en las hojas de
características de los diodos.
Una vez alcanzada la tensión de disrupción, en la zona de deplexión
aparece de repente una gran cantidad de portadores minoritarios y el diodo
conduce fuertemente. ¿De dónde proceden estos portadores? Se producen
por el efecto de avalancha, el cual tiene lugar para tensiones inversas muy
altas. Lo que ocurre es lo siguiente: como siempre, existe una pequeña
corriente inversa de portadores minoritarios. Cuando la tensión inversa
aumenta, fuerza a los portadores minoritarios a moverse más rápidamente.
De esta forma, los portadores minoritarios colisionan con los átomos del
cristal
Si estos portadores adquieren la suficiente energía, pueden golpear a los
electrones de valencia y liberarlos, produciendo electrones libres. Estos
nuevos portadores minoritarios se unen entonces a los portadores
minoritarios existentes para colisionar con otros átomos. Este proceso
es geométrico, porque un electrón libre libera un electrón de valencia
para dar lugar a dos electrones libres. Estos dos electrones libres liberan
otros dos electrones más dando lugar a cuatro electrones libres. El
proceso continúa hasta que la corriente inversa se hace demasiado
grande.
La Figura muestra una vista ampliada de la zona de deplexión. La
polarización inversa fuerza al electrón libre a moverse hacia la derecha.
A medida que se mueve, el electrón gana velocidad. Cuanto mayor es la
polarización inversa, más rápido se mueve el electrón. Si el electrón que
se mueve a gran velocidad tiene la suficiente energía, puede chocar con
el electrón de valencia del primer átomo de un orbital de nivel superior,
lo que da como resultado dos electrones libres, que pueden acelerarse y
desligar dos electrones más.
Niveles de energía
Una buena aproximación consiste en identificar la energía total de un electrón con el
tamaño de su orbital. Es decir, podemos pensar en cada uno de los radios de la Figura a
como en el equivalente a cada uno de los niveles de energía mostrados en la Figura b. Los
electrones del orbital más interno se corresponden con el primer nivel de energía; los
electrones situados en el segundo orbital se encuentran en el segundo nivel de energía, etc.
Dado que el electrón es atraído por el núcleo, se requiere energía adicional para llevarlo a
un orbital de mayor energía. Cuando un electrón salta del primer orbital al segundo, gana
energía potencial con respecto al núcleo. Algunos de los agentes externos que pueden hacer
que un electrón pase a niveles de mayor energía son el calor, la luz y la tensión.
Por ejemplo, supongamos que una fuerza constante hace pasar al electrón del primer al
segundo orbital, como se muestra en la Figura a. Este electrón tiene más energía potencial
porque está más alejado del núcleo (Figura b). La situación es similar a la de un objeto
situado por encima de la Tierra: cuanto más alto está el objeto, mayor es su energía
potencial con respecto a la Tierra. Si lo liberamos, el objeto realiza un trabajo mayor cuando
cae en la Tierra.
Después de que un electrón ha saltado a un orbital mayor, puede volver a caer en un nivel de energía inferior. Si
esto ocurre, perderá su energía adicional en forma de calor, luz y otras radiaciones.
En un diodo LED (light-emitting diode), la tensión aplicada eleva a los electrones a niveles de energía mayores.
Cuando estos electrones caen en niveles de energía inferiores, emiten luz. Dependiendo del material utilizado, la
luz puede ser roja, verde, naranja o azul. Algunos diodos LED emiten radiaciones infrarrojas (no visibles), que
resultan útiles en sistemas de alarma antirrobo.
Bandas de energía
Cuando un átomo de silicio está aislado, el orbital de un electrón sólo está influenciado por las car gas del
átomo aislado. Esto da lugar a niveles de energía como las líneas mostradas en la Figura. Sin embargo, cuando
los átomos de silicio se encuentran en un cristal, el orbital de cada electrón también está influenciado por las
cargas de los otros átomos de silicio. Puesto que cada electrón tiene una posición única dentro del cristal, es
decir , no hay dos electrones que vean exactamente el mismo patrón de cargas circundantes. Debido a esto, el
orbital de cada electrón es diferente; dicho de otro modo, el nivel de energía de cada electrón es distinto.
La Figura muestra lo que ocurre en los niveles de energía.
Todos los electrones del primer orbital tienen niveles de
energía ligeramente diferentes, ya que nunca dos electrones
ven exactamente el mismo entorno de cargas. Dado que hay
miles de millones de electrones en el primer orbital, los
distintos niveles de energía ligeramente diferentes forman un
grupo o banda de energía. De forma similar, hay miles de
millones de electrones en el segundo orbital, todos ellos con
niveles de energía ligeramente distintos, que forman la
segunda banda de energía, y así sucesivamente.
Además, como ya sabemos, la energía térmica produce unos
pocos electrones libres y huecos. Los huecos permanecen en
la banda de valencia, pero los electrones libres saltan a la
banda de energía inmediatamente superior, que se denomina
banda de conducción. Ésta es la razón por la que en la Figura
se muestra una banda de conducción con algunos electrones
libres y una banda de valencia con algunos huecos. Cuando se
cierra el interruptor, aparece una pequeña corriente en el
semiconductor puro. Los electrones libres se mueven a través
de la banda de conducción y los huecos a través de la banda
de valencia.
Bandas de energía de tipo n
La Figura muestra las bandas de energía de un semiconductor tipo n. Como era de esperar, los portadores
mayoritarios son los electrones libres de la banda de conducción y los portadores minoritarios son los huecos
de la banda de valencia. Cuando en el esquema de la Figura se cierra el interruptor, los portadores mayoritarios
fluyen hacia la izquierda y los portadores minoritarios hacia la derecha
Bandas de energía de tipo p
La Figura muestra las bandas de energía de un semiconductor tipo p, donde podemos ver una inversión en los
papeles que juegan los portadores.
Ahora, los portadores mayoritarios son los huecos de la banda de valencia y los portadores minoritarios son los
electrones libres de la banda de conducción. Cuando en el esquema de la Figura se cierra el interruptor, los
portadores mayoritarios fluyen hacia la derecha y los portadores mayoritarios fluyen hacia la izquierda.
Barrera de potencial y temperatura
◦ La temperatura de la unión es la temperatura interna de un diodo, exactamente en la unión pn. La
temperatura ambiente es otra cosa: es la temperatura del aire fuera del diodo, es decir, la temperatura del aire
que rodea al diodo.
◦ Cuando el diodo conduce, la temperatura de la unión es mayor que la temperatura ambiente debido al calor
producido por la recombinación. La barrera de potencial depende de la temperatura de la unión. Un
incremento de la temperatura de la unión crea más electrones libres y huecos en las regiones dopadas.
Cuando estas car gas se difunden por la zona de deplexión, ésta se hace más estrecha, lo que quiere decir que
hay menos barrera de potencial para temperaturas de la unión más altas.
◦ Antes de continuar, necesitamos definir un símbolo:
◦ Δ = la variación de
La letra griega Δ (delta) quiere decir “la variación de”. Por ejemplo, ΔV indica la variación de tensión y ΔT
quiere decir la variación de temperatura. La relación ΔV / ΔT indica la variación de la tensión dividida entre la
variación de temperatura.
Ahora podemos establecer una regla para estimar la variación de la barrera de potencial. La barrera de potencial
de un diodo de silicio varía 2 mV por cada incremento de un grado Celsius.
Como derivación, tenemos:
Reordenando:
De este modo, podemos calcular la barrera de potencial para cualquier temperatura de la unión.
Ejemplo:
Suponiendo una barrera de potencial de 0,7 V a una temperatura ambiente de 25°C
a) ¿Cuál es la barrera de potencial de un diodo de silicio cuando la temperatura de la unión es de 100°C?
b) ¿Y a 0°C?
Diodo polarizado en inversa
Anteriormente se vio el funcionamiento básico del diodo polarizado en inversa, pero ahondaremos un poco
mas en este tipo de polarización, viendo lo que es la corriente transitoria, corriente inversa de saturación y
corriente superficial de fugas.
Corriente transitoria
◦ Cuando la tensión inversa aumenta, los huecos y los electrones se alejan de la unión, dejando iones positivos
y negativos tras ellos. Por tanto, la zona de deplexión se hace más ancha. Cuanto mayor es la polarización
inversa, más ancha se hace la zona deplexión. Mientras la zona de deplexión se ajusta a su nueva anchura, una
corriente fluye al circuito externo. Esta corriente transitoria se hace cero cuando la zona de deplexión deja de
aumentar de tamaño.
◦ La cantidad de tiempo durante la que esta corriente transitoria fluye depende de la constante de tiempo RC
del circuito externo. Normalmente, dura unos nanosegundos, por lo que los efectos de esta corriente
transitoria pueden ignorarse para frecuencias por debajo de, aproximadamente, 10 MHz
Corriente inversa de saturación
◦ Como se ha dicho anteriormente, la polarización directa de un
diodo hace que la banda n se eleve y permite que los electrones
libres atraviesen la unión. La polarización inversa tiene el efecto
contrario: hace que la zona de deplexión se ensanche y que la
banda n descienda, como se muestra en la Figura.
◦ Ahora veremos qué es la corriente inversa de saturación desde el
punto de vista de la energía. Supongamos que la energía térmica
crea un hueco y un electrón libre en la zona de deplexión, como
se ve en la Figura. Ahora el electrón libre en A y el hueco en B
pueden contribuir a la corriente. Debido a la polarización
inversa, el electrón libre se moverá hacia la derecha, empujando
a un electrón hacia el extremo derecho del diodo. De forma
similar , el hueco se moverá hacia la izquierda. Este hueco extra
del lado p dejará entrar a un electrón en el extremo izquierdo
del cristal.
◦ Cuanto mayor es la temperatura de la unión, mayor es la corriente de saturación. Una aproximación útil que
debe recordar es la siguiente: IS se duplica por cada incremento de temperatura de 10°C. Como derivación
tenemos,
◦ Dicho con palabras, la variación en la corriente de saturación es del 100 por cien por cada incremento de
10°C de la temperatura. Si las variaciones de temperatura son menores que 10°C, se puede emplear esta regla
equivalente:
◦ Con palabras, la variación en la corriente de saturación es del 7 por ciento por cada incremento de un grado
Celsius. Esta solución del 7 por ciento es una buena aproximación de la regla de los 10°.
Corriente superficial de fugas
Recordemos que es una corriente inversa que fluye por la superficie del cristal.
Veamos ahora una explicación de por qué existe esta corriente. Imaginemos
que los átomos de las partes superior e inferior de la Figura a se encuentran
sobre la superficie del cristal. Puesto que estos átomos no tienen vecinos, sólo
tienen seis electrones en el orbital de valencia, lo que implica dos huecos en
cada una de las superficies del átomo. Luego podemos ver que la superficie del
cristal es como un semiconductor de tipo p.
Por esta razón, los electrones pueden entrar por el extremo izquierdo del
cristal, atravesar los huecos de la superficie y salir por el extremo derecho del
cristal. De este modo, se crea una pequeña corriente inversa a lo largo de la
superficie.
La corriente superficial de fugas es directamente proporcional a la tensión
inversa. Por ejemplo, si se duplica la tensión inversa, la corriente superficial de
fugas ISL se duplica. Podemos definir la resistencia superficial de fugas del
siguiente modo:
Ejemplo: Corriente de saturación
Un diodo de silicio tiene una corriente de saturación de 5 nA a 25°C.
◦ ¿Cuál será la corriente de saturación a 100°C?
Ejemplo: Corriente superficial de fugas
Si la corriente superficial de fugas es de 2 nA para una tensión inversa de 25 V,
◦ ¿cuál será la corriente superficial de fugas para una tensión inversa de 35 V?
