Departamento de Ingeniería Electrónica.

Universidad de Sevilla
Asignatura: Diseño de Circuitos y Sistemas Electrónicos

Boletín de Problemas Resueltos

DISEÑO DE CIRCUITOS Y SISTEMAS

ELECTRÓNICOS

Par diferencial

Dpto. de Ingeniería Electrónica

Universidad de Sevilla

Antonio Torralba y Fernando Muñoz Chavero

Sevilla, Febrero 2013

Ejemplos de Par Diferencial

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Asignatura: Diseño de Circuitos y Sistemas Electrónicos

INDICE

INDICE ............................................................................................................................. 2  
Problema 1: Par diferencial con carga activa ............................................................... 3  
Problema 2. Diferentes tipos de par diferencial ........................................................... 5  
Problema 3. Par diferencial unipolar ............................................................................ 9  

Ejemplos de Par Diferencial

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Problema 1: Par diferencial con carga activa

Para los amplificadores diferenciales de de la Figura 1 determinar:
1. La Ganancia diferencial Add
2. Si la fuente de corriente (ISS) se implementa utilizando un transistor MOS de
dimensiones W/L=46µm/0.5µm, su tensión de polarización de puerta VBN.
3. La tensión mínima de modo común a la entrada.
4. La máxima tensión de modo común a la salida

Datos: ISS =1 mA, (W/L)M1,M2= 50µm/0.5µm, (W/L)M3,M4 = 50µm/1µm, VTN=0.7V, VTP=-0.8V,

µ nC’ox=134µA/V2, µ pC’ox=38µA/V2, ron=rop=20 kΩ, VDD=3V

Emplear el modelo cuadrático del transistor MOS despreciando en todos los casos el
efecto sustrato y, sólo en polarización, el efecto de modulación de canal.

VBP M3 M4
M3 M4

VOUT VOUT

M1 M2 M1 M2
VIN VIN

ISS ISS

a) b)

Figura 1

Solución

Apartado 1:

La Figura 2 muestra los circuitos equivalentes para el análisis ante entrada diferencial

La Figura 2 muestra los circuitos equivalentes

VBP para el análisis ante entrada diferencial.
M3 M3
Para el de la Figura 2a,
Vod/2 Vod/2
1 !"!
!!! = −!"! !"! !"! ≈−
!"! !"!
M1 M1
Para el de la Figura 2b
Vid/2 Vid/2
!!! = −!"! !"! ||!"!

a) b)
Figura 2

Ejemplos de Par Diferencial

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Apartado 2:

Despreciando el efecto de modulación de canal, para el transistor MB que implementa la fuente

de polarización ISS:

!
!! !!" ! !
!!!
!!! = !!"# = !!" − !!" → !!" = !!" + ! = 1.103  !
2 ! !" !! !!"!
2 ! !"

Apartado 3:

Para que el transistor MB permanezca en saturación tiene que ocurrir que VDS|MB > VGS|MB - VTN
por lo que, aplicando la ecuación cuadrática al transistor M1

!!!
!!" − !!" + 2 > !!" − !!" → !!" > 1.373  !
!
!! !!" !
2 ! !!

Apartado 4:

La tensión máxima de modo común está fijada por la caída de polarización del transistor M3.

Para el circuito de la Figura 1a, la caída de polarización del transistor M3 viene dada por

!!!
!!" + 2 = 1.525  ! → !!"# < 1.475  !
!
!! !!" !
2 ! !!

Para el circuito de la Figura 1b, la caída de polarización del transistor M3 es la mínima que
garantiza su saturación VSD|MB > VSG|MB - |VTP|

!!!
!!" > 2 = 0.725  ! → !!"# < 2.275  !
!! !
!! !!" !
2 ! !!

Se puede observar que, si los modos común de entrada y salida son los mismos, el circuito de
la Figura 1a no tiene apenas rango de funcionamiento mientras que, en el segundo, podríamos
tener un buen rango de funcionamiento (máximo de 1.8 Vpp diferencial) si escogemos una
tensión de modo común cercana al punto medio (1.824 V).

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Problema 2. Diferentes tipos de par diferencial

Calcular la ganancia !!! de los siguientes circuitos, mostrando su circuito equivalente

para el análisis diferencial:

R1 R2 VBP M3 M4
M3 M4
VBP M3 M4
VOUT VOUT

VOUT

R1 R1
M1 M2 M1 M2 M1 M2

VIN VIN VIN

VBN VBN VBN

M5 M5 M5

a) b) c)

M3 M4 M3 M4 VBP VBP
VOUT M7 M3 M4 M8
R1 R2
VOUT
R1 R2
VOUT
M1 M2
M1 M2 M1 M2
VIN
VIN VIN

VBN
VBN M5
VBN
M5 M5

d) e) f)

RD RD
M5 M3 M4
VBP
VOUT

VOUT
M1 M2 M1 M2
VIN M7 M8 VBCN
VIN

VBN M3 VBN
M4 M5

g) h)

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Circuito a

M3 1 !! !"! !!
!!! = −!"! !"! !"! || ≈−
!"! 2 2 + !"! !!
Vod/2
Es un circuito con poca ganancia, pero muy rápido, porque tiene un
único polo en la salida de muy alta frecuencia.
M1 R1/2
Normalmente R1 >> 2/gm3, por lo que Add -> gm1/gm3
Vid/2

Circuito b

R1

VBP !!! = −!"! !"! || !"! + !! + !"! !"! !! ≈ −!"! !"! ||!"! !"! !!
M3
La resistencia R1 se ve multiplicada por el efecto cascodo de M3. La
Vod/2 resistencia ha de ser pequeña, pues la caída DC en R1 limita el rango
de señal

M1
Vid/2

Circuito c

VBP
M3 !! !!
!!! = −!"! !"! | !"! | ≈ −!"!
2 2
Vod/2 La resistencia R1 no tiene caída DC y puede ser elevada

M1 R1/2
Vid/2

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Circuito d

!!! = −!"! !"! | !"! |!! ≈ −!"! !!

M3 Este circuito tiene un comportamiento curioso en transitorio.

Cuando la salida se desbalancea en una dirección, la tensión del

Vod/2 R1
nodo común de las resistencias aumenta, por lo que también
aumenta la corriente que proporcionan las fuentes pMOS. Esto hace
que el circuito sea rápido en los transitorios reduciendo el Slew Rate
M1 del amplificador.

Vid/2 A este efecto se le llama polarización dinámica.

Circuito e

M3
!"! !"! !"! 1 − !"! !! !"!
Vod/2 !!! = − ≈− 1 − !"! !!
!"! + !"! + !! + !"! !"! !"! !"!

En este circuito, por razones de polarización R1 es muy pequeña, por

R1
lo que, normalmente, la ganancia es negativa y pequeña. En
cualquier caso, la ganancia no puede hacerse positiva porque el
circuito se haría inestable
M1
Vid/2

Circuito f

1 !"!
!!! = −!"! !"! !"! ||!"! ≈ −
VBP !"! !"!
M7 M3
En este circuito, si la tensión de modo común de salida es tal
que el transistor M3 está normalmente cortado, la ganancia es
Vod/2 muy elevada !!! = −!"! !"! ||!"! . En este caso el transistor
M3 tiene utilidad en el transitorio. En efecto, si la salida
Vid/2 correspondiente se desbalancea mucho hacia abajo, M3 entra en
M1 conducción y proporciona una corriente elevada. Esta técnica se
emplea para reducir el Slew Rate de los amplificadores. No
obstante hay maneras más efectivas de usar este efecto para
aumentar el Slew Rate del amplificador.

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Circuito g

RD

Vod/2 !!! = −!"! !! || !"! ||!"! + !"! + !"! !"! ||!"!

≈ −!"! !! ||!"! !"! ||!"!

M1 M7 Es un par diferencial cascodo plegado con carga resistiva. El

VBCN amplificador (sin tener en cuenta la carga RD) tiene una
Vid/2
resistencia de salida muy elevada.

Para cargas resistivas suele usarse como transconductor.

VBN .
M3

Circuito h

1 !"!
!!! = −!"! !"! | !"! | − ≈
!"! !"!

M3 -1 La realimentación es positiva y el circuito es inestable si, como es

habitual, gm3 > 1/ro1 `1/ro3.

Aún así, poniendo esta carga invertida en paralelo con una carga
convencional (activa o pasiva) puede conseguirse una resistencia
Vod/2 equivalente muy elevada y, en consecuencia, ganancias
M1 elevadas. No obstante, es un circuito poco robusto, ya que la
Vid/2 resistencia equivalente no es fácil de predecir, y el circuito puede
llegar a ser inestable, si la resistencia equivalente de la carga se
hace negativa.
.

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Problema 3. Par diferencial unipolar

En la figura se muestran dos amplificadores operacionales con salido unipolar. Se pide

calcular la ganancia para entrada puramente diferencial y determinar, de manera
aproximada, la posición del polo dominante y del primer polo parásito para una carga
capacitiva elevada de valor CL. Comparar ambos amplificadores.

Nota: Aun cuando los circuitos no son completamente simétricos suponer, por
simplicidad que, para entrada puramente diferencial, el nodo X es un nodo de tierra
virtual.

VBP
M3 M4 M3 M4
VOUT VOUT
A A

M1 M2 M1 M2
X VIN X
VIN

ISS ISS

a) b)

Solución:

- Circuito de la Figura a:

Asumiendo que el nodo X es un nodo de tierra virtual frente a entrada puramente

diferencial, el modelo de pequeña señal de baja frecuencia

gm1vid/2 1/gm3 va gm4va vout

ro1 ro3 gm2(-vid/2) ro2 ro4

nos dice que:

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!!"
!!"# = −!"! − − !"! !! !"! ||!"!
2
!!" !!" 1
= −!"! − − !"! −!"! !"! | !"! | !"! ||!"!
2 2 !"!
≈ !"! !"! ||!"! !!"

de donde
!!"#
!! = ≈ !"! !"! ||!"!
!!"

Para una carga capacitiva elevada el polo dominante (p1) está en la salida, y el primer
polo no-dominante (p2) en el nodo A, y vienen dados por:

1 1 1 1 !"!
!! ≈ =                    !! ≈ = ≈
!!"# !! !"! ||!"! !! !! !!" 1 !!"
!"! | !"! | !
!"! !"

siendo ra la resistencia equivalente del nodo A y Cpa la capacidad parásita asociada a ese
nodo:

!!" ≈ !!"! + !!"! + !!"! + !!"! + !!"! + 1 − !!" !!"!

donde Aao es la ganancia entre el nodo A y la salida, que en baja frecuencia vale

!!" ! → 0 = −!"! !"! ||!"!

- Circuito de la Figura b:

Asumiendo que el nodo X es un nodo de tierra virtual frente a entrada puramente

diferencial, el modelo de pequeña señal de baja frecuencia

gm1vid/2 va gm4va vout

ro1 ro3 gm2(-vid/2) ro2 ro4

nos dice que:

!!"
!!"# = −!"! − − !"! !! !"! ||!"!
2
!!" !!"
= −!"! − − !"! −!"! !"! ||!"! !"! ||!"!
2 2
!!"
≈ !"! 1 + !"! !"! ||!"! !"! ||!"!
2

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de donde

!!"# 1
!! = ≈ !"! !"! ||!"! !"! !"! ||!"!
!!" 2

Para una carga capacitiva elevada el polo dominante (p1) está en la salida, y el primer
polo no-dominante (p2) en el nodo A, y vienen dados por:

1 1 1 1
!! ≈ =                    !! ≈ =
!!"# !! !"! ||!"! !! !! !!" !"! ||!"! !!"

siendo ra la resistencia equivalente del nodo A y Cpa la capacidad parásita asociada a ese
nodo:

!!" ≈ !!"! + !!"! + !!"! + !!"! + !!"! + 1 − !!" !!"!

donde Aao es la ganancia entre el nodo A y la salida, que en baja frecuencia vale

!!" ! → 0 = −!"! !"! ||!"!

- Comparación:

Circuito de la Circuito de la
Figura a Figura b

1
Ganancia !! ≈ !"! !"! ||!"! !"! !"! ||!"! !"! !"! ||!"!
2
1 1
Polo Dominante !! ≈
!"! ||!"! !! !"! ||!"! !!
!"! 1
Polo No-dominante !! ≈ !!" !"! ||!"! !!"

Nótese que el circuito de la Figura b es, en realidad, un amplificador de dos etapas. Su

ganancia es aproximadamente el cuadrado de la ganancia del circuito de la Figura a.
Ambos comparten el mismo polo dominante, pero el polo no-dominante del circuito de
la Figura b está a bastante menor frecuencia que el de la Figura a, por lo que puede dar
lugar a inestabilidad cuando el amplificador se realimente, haciendo necesaria una
compensación. Todas estas son características de un amplificador de dos etapas.

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