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Universidad de Sevilla
Asignatura: Diseño de Circuitos y Sistemas Electrónicos
Par diferencial
INDICE
INDICE ............................................................................................................................. 2
Problema 1: Par diferencial con carga activa ............................................................... 3
Problema 2. Diferentes tipos de par diferencial ........................................................... 5
Problema 3. Par diferencial unipolar ............................................................................ 9
Emplear el modelo cuadrático del transistor MOS despreciando en todos los casos el
efecto sustrato y, sólo en polarización, el efecto de modulación de canal.
VBP M3 M4
M3 M4
VOUT VOUT
M1 M2 M1 M2
VIN VIN
ISS ISS
a) b)
Figura 1
Solución
Apartado 1:
La Figura 2 muestra los circuitos equivalentes para el análisis ante entrada diferencial
a) b)
Figura 2
Apartado 2:
!
!! !!" ! !
!!!
!!! = !!"# = !!" − !!" → !!" = !!" + ! = 1.103 !
2 ! !" !! !!"!
2 ! !"
Apartado 3:
Para que el transistor MB permanezca en saturación tiene que ocurrir que VDS|MB > VGS|MB - VTN
por lo que, aplicando la ecuación cuadrática al transistor M1
!!!
!!" − !!" + 2 > !!" − !!" → !!" > 1.373 !
!
!! !!" !
2 ! !!
Apartado 4:
La tensión máxima de modo común está fijada por la caída de polarización del transistor M3.
Para el circuito de la Figura 1a, la caída de polarización del transistor M3 viene dada por
!!!
!!" + 2 = 1.525 ! → !!"# < 1.475 !
!
!! !!" !
2 ! !!
Para el circuito de la Figura 1b, la caída de polarización del transistor M3 es la mínima que
garantiza su saturación VSD|MB > VSG|MB - |VTP|
!!!
!!" > 2 = 0.725 ! → !!"# < 2.275 !
!! !
!! !!" !
2 ! !!
Se puede observar que, si los modos común de entrada y salida son los mismos, el circuito de
la Figura 1a no tiene apenas rango de funcionamiento mientras que, en el segundo, podríamos
tener un buen rango de funcionamiento (máximo de 1.8 Vpp diferencial) si escogemos una
tensión de modo común cercana al punto medio (1.824 V).
R1 R2 VBP M3 M4
M3 M4
VBP M3 M4
VOUT VOUT
VOUT
R1 R1
M1 M2 M1 M2 M1 M2
a) b) c)
M3 M4 M3 M4 VBP VBP
VOUT M7 M3 M4 M8
R1 R2
VOUT
R1 R2
VOUT
M1 M2
M1 M2 M1 M2
VIN
VIN VIN
VBN
VBN M5
VBN
M5 M5
d) e) f)
RD RD
M5 M3 M4
VBP
VOUT
VOUT
M1 M2 M1 M2
VIN M7 M8 VBCN
VIN
VBN M3 VBN
M4 M5
g) h)
Circuito a
M3 1 !! !"! !!
!!! = −!"! !"! !"! || ≈−
!"! 2 2 + !"! !!
Vod/2
Es un circuito con poca ganancia, pero muy rápido, porque tiene un
único polo en la salida de muy alta frecuencia.
M1 R1/2
Normalmente R1 >> 2/gm3, por lo que Add -> gm1/gm3
Vid/2
Circuito b
R1
VBP !!! = −!"! !"! || !"! + !! + !"! !"! !! ≈ −!"! !"! ||!"! !"! !!
M3
La resistencia R1 se ve multiplicada por el efecto cascodo de M3. La
Vod/2 resistencia ha de ser pequeña, pues la caída DC en R1 limita el rango
de señal
M1
Vid/2
Circuito c
VBP
M3 !! !!
!!! = −!"! !"! | !"! | ≈ −!"!
2 2
Vod/2 La resistencia R1 no tiene caída DC y puede ser elevada
M1 R1/2
Vid/2
Circuito d
Circuito e
M3
!"! !"! !"! 1 − !"! !! !"!
Vod/2 !!! = − ≈− 1 − !"! !!
!"! + !"! + !! + !"! !"! !"! !"!
Circuito f
1 !"!
!!! = −!"! !"! !"! ||!"! ≈ −
VBP !"! !"!
M7 M3
En este circuito, si la tensión de modo común de salida es tal
que el transistor M3 está normalmente cortado, la ganancia es
Vod/2 muy elevada !!! = −!"! !"! ||!"! . En este caso el transistor
M3 tiene utilidad en el transitorio. En efecto, si la salida
Vid/2 correspondiente se desbalancea mucho hacia abajo, M3 entra en
M1 conducción y proporciona una corriente elevada. Esta técnica se
emplea para reducir el Slew Rate de los amplificadores. No
obstante hay maneras más efectivas de usar este efecto para
aumentar el Slew Rate del amplificador.
Circuito g
RD
Circuito h
1 !"!
!!! = −!"! !"! | !"! | − ≈
!"! !"!
Aún así, poniendo esta carga invertida en paralelo con una carga
convencional (activa o pasiva) puede conseguirse una resistencia
Vod/2 equivalente muy elevada y, en consecuencia, ganancias
M1 elevadas. No obstante, es un circuito poco robusto, ya que la
Vid/2 resistencia equivalente no es fácil de predecir, y el circuito puede
llegar a ser inestable, si la resistencia equivalente de la carga se
hace negativa.
.
Nota: Aun cuando los circuitos no son completamente simétricos suponer, por
simplicidad que, para entrada puramente diferencial, el nodo X es un nodo de tierra
virtual.
VBP
M3 M4 M3 M4
VOUT VOUT
A A
M1 M2 M1 M2
X VIN X
VIN
ISS ISS
a) b)
Solución:
- Circuito de la Figura a:
!!"
!!"# = −!"! − − !"! !! !"! ||!"!
2
!!" !!" 1
= −!"! − − !"! −!"! !"! | !"! | !"! ||!"!
2 2 !"!
≈ !"! !"! ||!"! !!"
de donde
!!"#
!! = ≈ !"! !"! ||!"!
!!"
Para una carga capacitiva elevada el polo dominante (p1) está en la salida, y el primer
polo no-dominante (p2) en el nodo A, y vienen dados por:
1 1 1 1 !"!
!! ≈ = !! ≈ = ≈
!!"# !! !"! ||!"! !! !! !!" 1 !!"
!"! | !"! | !
!"! !"
siendo ra la resistencia equivalente del nodo A y Cpa la capacidad parásita asociada a ese
nodo:
donde Aao es la ganancia entre el nodo A y la salida, que en baja frecuencia vale
- Circuito de la Figura b:
de donde
!!"# 1
!! = ≈ !"! !"! ||!"! !"! !"! ||!"!
!!" 2
Para una carga capacitiva elevada el polo dominante (p1) está en la salida, y el primer
polo no-dominante (p2) en el nodo A, y vienen dados por:
1 1 1 1
!! ≈ = !! ≈ =
!!"# !! !"! ||!"! !! !! !!" !"! ||!"! !!"
siendo ra la resistencia equivalente del nodo A y Cpa la capacidad parásita asociada a ese
nodo:
donde Aao es la ganancia entre el nodo A y la salida, que en baja frecuencia vale
- Comparación:
Circuito de la Circuito de la
Figura a Figura b
1
Ganancia !! ≈ !"! !"! ||!"! !"! !"! ||!"! !"! !"! ||!"!
2
1 1
Polo Dominante !! ≈
!"! ||!"! !! !"! ||!"! !!
!"! 1
Polo No-dominante !! ≈ !!" !"! ||!"! !!"