REACTOR CATALITICO

Un catalizador mejora la velocidad de una reacción los catalizadores están implicados en la

reacción, pero se regeneran al final de las reacciones de modo que no se consume nada del
catalizador.

INFORMACION GENERAL

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Catalizadores como los que se describen, fueron reconocidos por primera vez en 1835
y nombrados por J.J. Berzelius, quien acuñó el término "poder catalítico" para describir
el efecto de los catalizadores sobre las reacciones.
Los productos químicos se habían utilizado durante siglos como catalizadores antes
de la catálisis fue reconocido por primera vez. Mejoraron el proceso de fermentación
en la producción de cerveza y vino. A mediados del siglo XIX, se comenzó a
comprender la catálisis y estudiar también la catálisis de las reacciones.

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DISEÑO DE EQUIPOS
Los catalizadores disocian los enlaces en los reactivos, promoviendo la recombinación de los
átomos reaccionantes y, como resultado, aceleran la reacción. El catalizador mismo se
regenera finalmente la reacción.

Esta "potencia catalítica" se debe a la unión libre situada sobre el catalizador superficial que
puede formar enlaces químicos con una o más moléculas reactivas, permitiendo que las
reacciones ocurran con mayor facilidad. Los mecanismos reales dependen de los reactantes y
catalizadores implicados.

La animación muestra a la derecha CO reaccionando con O2 Con la ayuda de un catalizador

de metal. El oxígeno (blanco) se disocia sobre la superficie del catalizador. Carbon (naranja),
que ya está atraído a la superficie catalítica, recoge un átomo de oxígeno no unido para formar
CO2.

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DISEÑO DE EQUIPOS
Muchos tipos de materiales pueden servir como catalizadores. Industrialmente, los ácidos y
bases fuertes, los óxidos y sulfuros metálicos, los metales y los formadores de radicales libres
son los más útiles.
Free radicals (radial libre) Son especies químicas altamente reactivas que tienen un electrón
libre y no ligado.

La catálisis se divide en dos categorías, heterogéneas y homogéneas. En la catálisis

heterogénea, los catalizadores y reactivos están en diferentes fases, mientras que en catálisis
homogénea se encuentran en una sola fase. Los procesos industriales usan catalizadores
homogéneos casi exclusivamente.

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DISEÑO DE EQUIPOS

Normalmente, los catalizadores industriales se introducen en una reacción mediante el uso de

un soporte, tal como los mostrados a la derecha. El material catalıtico se cubre y se adsorbe
en el gránulo. Normalmente sólo 0,1-20% De la superficie está activa.
Support (soporte) Los soportes, como los que se ilustran, son pastillas típicamente hechas de
un material químicamente inerte de oxidos metálicos o simples Tales como sílice, magnesia o
alúmina.
Los granulo típicos son altamente porosos, Con más de 100 centímetros cuadrados de
superficie por centímetro cúbico. Los poros tienen entre dos y 100 nanómetros de diámetro.

La alta área superficial aumenta el contacto entre el reactivo y el catalizador, aumentando la

velocidad de reacción. El contacto se mejora adicionalmente saturando el soporte con la
mezcla de reacción.

EJEMPLO DE USO

Los catalizadores son utilizados en la producción por encima de 20% De todos los productos
industriales y 90% De todos los productos químicos y materiales producidos en todo el mundo.

El mayor usuario de catalizadores es la industria del petróleo. La refinería de petróleo que se

muestra utiliza catalizadores en cuatro procesos: Reformado catalítico, Hidrotratamiento, craque
catalítico de fluidos y alquilación.

Catalytic remorming ( reformado catalítico Utiliza aleaciones metálicas tales como platino Para
aumentar los índices de octano de la gasolina mediante la reforma de las cadenas de carbono
en el petróleo).

Alkylation (La alquilación es el proceso de reacción de las cadenas de hidrocarburo insaturadas

más cortas en presencia de un catalizador para producir hidrocarburos ramificados de alto
octanaje, gasolina).

Hydrotreatment (El hidrotratamiento es un proceso de adición de gas hidrógeno en presencia

de sulfuros metálicos mixtos sobre un soporte para mejorar las emisiones al saturar los enlaces
en hidrocarburos largos).

catalytic cracking (El craqueo catalítico utiliza una matriz de sílice-alúmina con cristales de
zeolita (aluminosilicatos cristalinos) para reducir la longitud de las cadenas de hidrocarburos en
cadenas más pequeñas utilizables, tales como el octano).

VENTAJAS/ DESVENTAJAS

VENTAJAS
 Acelerar las reacciones
 No es consumido por la reacción
 Puede ser manipulado para satisfacer las necesidades
 Aumentar la eficiencia y la selectividad de las reacciones

DESVENTAJAS
 Puede ser caro
 Debe eliminarse del producto

REFERENCIAS

Productos catalíticos internacionales, lake zurich

Mobil oil corporation

REACTOR CVD (Depósito químico en fase vapor )

El reactor químico de deposición en fase vapor se utiliza en aplicaciones que implican la

deposición de una capa o capas de una sustancia sobre una superficie. La figura a la izquierda
es una vista ampliada de múltiples capas sobre la superficie de una herramienta.
REACTOR APCVD MENU

Los reactores de deposición de vapor químico de presión atmosférica son el tipo más general
de reactores CVD. El sistema APCVD mostrado aquí incluye la cámara de reacción y los
controles de parámetros.

INFORMACION GENERAL APCVD

En la deposición de vapor químico por presión atmosférica, una capa de material de varias micras (10-6m)

se deposita sobre una superficie receptora. La imagen de la derecha muestra una cámara de
reacción durante la reacción utilizada en el procesamiento de obleas semiconductoras. La
uniformidad de la capa depositada es crucial para el rendimiento de los dispositivos
microelectrónicos

Wafer: Un disco delgado de material semiconductor usado en la producción de dispositivos

microelectrónicos, tales como chips de computadora

DISEÑO DE EQUIPO APCVD (1 de 3)

La animación muestra un reactor horizontal APCVD de pared fría utilizado en la producción de
obleas semiconductoras. Las obleas se calientan calentando el susceptor de grafito por
inducción a través de una bobina de cobre conectada a una fuente de radiofrecuencia (RF). El
gas que contiene el material a depositar fluye sobre las obleas y tiene lugar la reacción,
formando una capa de producto de espesor micrométrico. El susceptor se inclina para reducir
el agotamiento aguas abajo.

Cold-Wall En los sistemas CVD de pared fría, sólo la oblea y el soporte de la oblea se
calientan, dejando el resto del sistema frío. En los sistemas de paredes calientes, todo el
reactor se calienta.
Esto tiene la desventaja de que las reacciones se producen a lo largo de la cámara de
reacción, requiriendo limpiezas regulares y completas del sistema.

Susceptor el susceptor soporta la oblea.

Inductión: Método de calentamiento de una superficie, sin contacto directo con el objeto, ondas
electrónicas, en este caso ondas RF.

Downstream depletion (Agotamiento aguas abajo) El agotamiento aguas abajo ocurre en

muchos diseños horizontales planos. Como se muestra en el esquema exagerado a la
izquierda, el gas más cercano a la oblea se agota en la primera oblea, dejando ninguno para
ser depositado en los dos últimos. El resultado es una pobre uniformidad de la capa depositada
a lo largo del soporte de la oblea. Sin embargo, si el susceptor está inclinado, como se muestra
a la derecha, el gas se deposita uniformemente sobre toda la oblea.

DISEÑO DE EQUIPO (2 de 3)

Esta animación muestra el funcionamiento de un reactor APCVD de pared fría de flujo vertical.
Las obleas son calentadas por una bobina de RF debajo del soporte de grafito. En lugar de
tener el flujo de gas horizontalmente sobre la oblea, como en el diseño anterior, el flujo de gas
desde abajo y es enviado por encima de la oblea, luego cae sobre el sitio de reacción. El
soporte rotatorio da como resultado una capa depositada mucho más uniforme que si estuviera
estacionaria.

La verdadera ventaja del diseño de flujo de gas vertical es el suministro continuo de gas
reactivo fresco, que elimina el problema de agotamiento de aguas abajo. Debido a su
capacidad de la carga de la oblea, este diseño se utiliza a menudo en laboratorios o líneas
fabricatio pequeñas.
 DISEÑO DE EQUIPO (3 de 3)

El número de objetos, o carga, que un reactor puede manejar agrega otro elemento al diseño
del reactor. Los dos reactores que se muestran a continuación se usan como preconducción
de obleas semiconductoras. La imagen de la izquierda muestra un diseño de barril vertical
común, en el que la oblea se colocan en salientes dentro del cañón. En la imagen a la derecha
obleas se apilan dentro de un barco de cuarzo dentro de un reactor horizontal.

EJEMOLOS DE USO

Los reactores APCVD se utilizan comúnmente en la industria de la microelectrónica, donde se

utilizan para aplicar capas delgadas de materiales semiconductores, tales como silicio (Si) y
arseniuro de galio (GaAs). La imagen de la izquierda muestra un chip microelectrónico. A
continuación, la estratificación que se puede conseguir usando un reactor CVD en la oblea de
silicio.

Los reactores APCVD también son usados como herramientas y fabricación de palas de
turbinas. Una capa protectora de titanio (Ti) de espesor micrométrico sobre herramientas y
palas de turbina puede resultar en un mejor rendimiento y una vida útil más larga. La imagen
superior muestra algunas herramientas comunes de acero que han sido mejoradas por un
recubrimiento CVD.
A continuación se muestra una imagen ampliada de una capa depositada sobre la superficie de
una herramienta.

VENTAJAS
 Costo relativamente operativo ya que no se necesita vacío

DESVENTAJAS
 Uniformidad de la capa depositada comprometida a temperaturas y presiones más
altas.
 Dinámica del flujo de gas difícil de controlar a altas presiones.

REACTOR LPCVD (Los reactores quımicos de deposición en fase vapor de baja presión)

INFORMACION GENERAL

Los reactores quımicos de deposición en fase vapor de baja presión, mostrados aquí, son
similares a los reactores APCVD, pero operan bajo vacıo. En la imagen a la izquierda el cilindro
de plata sentado por encima del susceptor sostiene la bomba de vacío para este sistema.
Los componentes de un reactor LPCVD se enumeran a continuación.

1. Rotation motor
2. Adjustable R.F. coil
3. Quartz reaction tube
4. Process gas exhaust
5. Rotary vacuum feed
6. Gas inlet
7. susceptor
8. wafer

DISEÑO DE EQUIPO

La uniformidad de la capa depositada es una preocupación principal cuando se diseña un

reactor CVD. La menor presión de funcionamiento encontrada en el sistema LPCVD da como
resultado una mejor uniformidad a lo largo de la superficie, así como una mejor cobertura de
escalones. En una buena cobertura de paso a medida que la elevación superficial cambia, la
capa depositada mantiene un grosor constante. En la cobertura de paso pobre, por otro lado, el
grosor es menor en los puntos de cambio de elevación.
La cobertura inadecuada de los escalones resulta en una pobre protección de la superficie de
la herramienta y defectos en los dispositivos microelectrónicos.

Buena cobertura de escalones

Mala cobertura de pasos ( poor, mala en la imagen)

EJEMPLOS DE USO
Los recators LPCVD se utilizan en las mismas industrias que los reactores APCVD. Los
insertos que se muestran a continuación se utilizan en la industria de la maquinaria. La imagen
derecha muestra un reactor de agrupamiento de multi-obleas. Utilizado en la industria de la
microelectrónica.

VENTAJAS
 Temperaturas de reacción más bajas que los reactores APCVD.
 Buen paso de cobertura y uniformidad.
 Menor dependencia de la dinámica del flujo de gas

DESVENTAJAS
 Más caro que los reactores APCVD
 El agotamiento aguas abajo puede ocurrir en diseños horizontales.

REACTOR PECVD (Los reactores de deposición de vapor químico mejorado por plasma)

INFORMACION GENERAL / DISEÑO DE EQUIPO

Los reactores de deposición de vapor químico mejorado por plasma (PECVD) utilizan una
fuente de energía de plasma para crear un campo de plasma en el gas de deposición.
La cámara de reacción está en un vacío a temperaturas 200ºC más bajas que otros reactores
CVD.

Plasma field (campo de plasma)

Plasma: Gas de alta energía formado por partículas ionizadas. Un campo de plasma se
produce cuando la energía del gas entrante es aumentada por una fuente de radiofrecuencia u
otra fuente de plasma antes de que reaccione.

EJEMPLOS DE USO

Los reactores PECVD se utilizan en la industria de la microelectrónica para aplicaciones que

requieren tolerancias, como el microprocesador representado.

VENTAJAS
 La combinación de presiones de vacío y temperatura más baja produce una mejor
uniformidad en la capa depositada.
 Reactor se puede utilizar en otras etapas del proceso de producción microelectrónica.

DESVENTAJAS
 Muchas más variables del proceso que se deben controlar en comparación con otros
reactores CVD.
 El costo de operación se incrementa con el aumento del número de componentes