1er CURSO I. T.
TELECOMUNICACIÓN – CURSO 2009-2010
TECNOLOGIA Y COMPONENTES ELECTRONICOS Y FOTONICOS
PROBLEMAS DE SEMICONDUCTORES
1.- Para un semiconductor especial a T=300°K, se sabe que EG=1,45 eV,
NC=1,0⋅1018 cm-3, NV=1,0⋅1019 cm-3. Determinar la posición del nivel de Fermi
intrínseco con respecto al centro de la banda prohibida y la concentración
intrínseca ni a esa temperatura.
2.- a) Calcular la concentración de electrones frente a la temperatura en el
rango de 200 a 600K en intervalos de 100K cuando ND=1.0⋅1014 cm-3 y NA = 0
para silicio y para germanio.
b) Obtener EF-Ei para el silicio en el rango del apartado (a) y explicar su
variación.
3.- Suponer que una oblea de silicio, otra de arseniuro de galio y otra de
germanio tienen igual concentración de átomos dopantes, ND =1.0⋅1013 cm-3 y
NA =2.5⋅1013 cm-3 a T=300°K. Para cada una de las tres obleas:
a) ¿De qué tipo es el semiconductor?
b) Calcular n y p.
4.- Una muestra de germanio intrínseco a 300°K se dopa con una
concentración de donadores ND=2⋅1014 cm-3 y de aceptadores NA=3⋅1014 cm-3.
Determinar:
a) Concentración de electrones y huecos resultante del dopado,
indicando el tipo de semiconductor obtenido. Dibujar el diagrama de
bandas
b) Si las concentraciones de impurezas fueran NA=ND=1015 cm-3,
¿Qué tipo de semiconductor resultaría?
c) Si se aplica un campo E=2 V/cm, ¿cuál sería la densidad de
corriente en los apartados (a) y (b)?
(Datos: μn=3600 cm2/V s, μp=1700 cm2/V s)
5.- En una oblea de germanio de tipo N hay 1 átomo donador por cada 108
átomos de germanio. Determinar:
a) Si la temperatura es de 300°K, ¿a qué distancia del borde de la
banda de conducción está el nivel de Fermi?
b) ¿Dónde estaría EF si se añaden impurezas hasta tener 1 átomo
donador por cada 103 átomos de Germanio?
(Datos: Peso atómico Ge= 72.59, densidad Ge=5.32 gr/cm3)
6.- Calcular la concentración de electrones y huecos en una muestra de silicio a
300K que tiene una concentración de átomos donadores ND=2⋅1014 cm-3 y de
aceptadores NA=3⋅1014 cm-3.
Dibujar el diagrama de bandas. ¿Cuánto vale EC-EF ?
7.- a) Calcular las concentraciones de portadores libres en equilibrio, n0 y p0,
para germanio a 300K si EC-EF = 0,195 eV.
b) Calcular n0 y p0 para silicio a 300K si el nivel de Fermi se encuentra 0,22
eV encima de la banda de valencia.
c) Si EC-EF = 0,25 eV en AsGa a 400K, calcular n0 y p0.
d) El valor de p0 para Silicio a 300K es 1015cm-3. Determinar EC-EF y n0.
e) Suponer EF=EV a 300K en silicio. Calcular p0.
8.- Un nuevo semiconductor tiene una banda prohibida EG=0,9 eV y se
corta en forma de paralelepípedo de longitud L=0,6 mm y sección
A=0,1 mm2. Se han introducido dopantes donadores y aceptadores, NA y
ND, en todo el semiconductor. Esto sitúa el nivel de Fermi a 0,2 eV por
debajo del nivel intrínseco a temperatura ambiente. De los dos tipos de
dopantes, solamente se conoce ND = 2·1015 cm-3.
a) Calcular NA.
b) Se calienta el semiconductor hasta 550°C y se le aplica una
diferencia de potencial de 1,2 V. Calcular la intensidad de corriente
total que circulará por él.
Datos: EG=0,9 eV; NC = NV = 3·1019 cm-3; µn = 1000 cm2/Vs; µp = 500
cm2/Vs
 c) Representar
-8
9.- Una línea de conexión de aluminio tiene una resistividad de 3,44·10 Ωm, gráficamente el
una sección transversal de 2·10-4 mm2 y una longitud de 5 mm. ¿Cuál es la potencial
caída de tensión a lo largo de la línea si la corriente que circula por ella es de electrostático y el EC
50mA? campo eléctrico. EF
d) Hallar las Ei

10.- Calcular la velocidad de arrastre promedio de los huecos en una barra de corrientes de
silicio a temperatura ambiente, con un área de 10-2 cm2, sabiendo que tiene una arrastre y EV

concentración de huecos de 4,5⋅1015 cm-3 y que la corriente que circula por él difusión en
es de 10 mA. x=20μm, 0 20 40 60 x (µm)
x=40μm.
11.- Hallar la concentración de huecos y electrones en silicio tipo P a 300K si Datos:EG=1.12 eV, kT=0.026 eV, ni(300K)=1010 cm-3, μn≈1360 cm2/V-sg,
la resistividad es de 0,02 Ωcm. μp≈460 cm2/V-sg.

12.- La resistividad de una oblea de silicio de tipo P a temperatura ambiente 15.- En el diagrama de bandas de la figura, correspondiente a una oblea de
es ρ = 2.72 Ω·cm. Se le añaden átomos donadores hasta que el nivel de silicio a T=300K: EC
Fermi queda 0.32 eV por encima del nivel intrínseco. ¿Qué concentración de a) Calcular el dopado para 0,45 eV
donadores ND se le ha añadido? la zona x > 20µm. Ei
b) Dibujar el campo EF
0,2 eV
13.- Considerar el semiconductor (Silicio) cuyo diagrama de bandas y eléctrico E (x) incluyendo 1,12 eV
geometría se muestran en la figura.
los valores que toma en cada EV
zona. E (eV)
c) Decir si las siguientes
corrientes son positivas, x0 x1
x (µm)
negativas o nulas: Ja,n(x0); 0 10 20
Jd,p(x0); Ja,n(x1); Jd,p(x1)
d) Dibujar el diagrama de bandas si aumenta mucho la temperatura.
a) Si se le hace pasar una corriente I = 1 mA, calcular la tensión en
extremos del semiconductor. 16.- En la figura se muestra el
b) Razonar la variación de esta tensión al aumentar la temperatura cuando campo eléctrico interno E(x) en E(V/cm)
se mantiene constante la corriente que circula por el semiconductor. un semiconductor en equilibrio
en función de la posición 500

14.- Dado un material semiconductor que presenta la estructura de bandas de la correspondiente a una oblea de
figura, silicio a T=300K. En el punto 250

a) Hallar la tensión externa aplicada x = 10 µm el semiconductor es

x
b) Determinar el potencial de contacto de la estructura intrínseco. 10µm 15µm 25µm
 a) Dibujar el diagrama de bandas de energía, incluyendo EF y Ei, e b) ¿Cuál es el sentido de la corriente de difusión de electrones en x2?
indicando la posición energética de los puntos principales. c) Calcular la densidad de corriente de difusión de huecos en x1. (valor
b) Calcular el dopado para la zona x>15µm. numérico)
c) En el caso de existir una corriente de difusión de electrones en la zona
10µm < x < 15µm razonar si ésta sería positiva o negativa. 19.- Se tiene un bloque de silicio en equilibrio de 10 µm de largo con un
d) Dibujar cualitativamente el diagrama de bandas si se aumenta la dopado dependiente de la posición, en el que hay dos zonas con campo
temperatura de forma apreciable. eléctrico interno diferente:
- Zona I: 0 ≤ x < 5µm → E = -500 V/cm
17.- Dado un bloque de silicio en equilibrio de 8 µm de longitud, a - Zona II: 5 µm ≤ x ≤ 10µm → E = +1050 V/cm
temperatura ambiente, que presenta diferentes dopados en varias regiones: En x = 0 el semiconductor es intrínseco.
Si el semiconductor se encuentra a 300 K:
(1) 0µm < x < 2µm E = +1250 V/cm
(2) 2µm < x < 6µm E = constante
a) Calcular el dopado en x = 5 µm, indicando de qué tipo es.
(3) 6µm < x < 8µm E=0
b) Calcular la distancia entre la banda de conducción y el nivel de Fermi
(eV) en x = 10 µm. ¿De qué tipo es el dopado?
En el punto x=0, el semiconductor es intrínseco.
Si se aumenta la temperatura hasta 500 K:
En el punto x = 5µm, las corrientes de arrastre de electrones y huecos son:
Ja,n(5µm) = -8,0 A/cm2 c) Calcular la distancia entre la banda de conducción y el nivel de
Fermi (eV) en x = 5 µm.
Ja,p(5µm) = -5,3·10-7 A/cm2
Suponer EG independiente de la temperatura y Ei en el centro de la banda
a) Calcular Ei-EF y el dopado en x = 2µm.
prohibida.
b) Calcular el campo eléctrico en la región (2). ¿Cuál es la dirección del
mismo?
20.- El diagrama de bandas de la
c) Calcular EF-Ei y el dopado en x = 6µm
figura corresponde a una oblea
I II III IV de silicio en equilibrio a EC
18.- El diagrama de bandas
T=300K. EF
de la figura corresponde a
una oblea de silicio a
E 0,1 eV Ei
a) ¿Alguna de las siguientes EV
T=300K. Se sabe que en la
gráficas representa la
región I la conductividad es x1 x2 x3 x4
distribución de campo
σ = 2,1·10-3 Ω-1·cm-1, y que
eléctrico E(x) para este
en la región II el campo
1,12 eV semiconductor?
eléctrico es
(i) (ii) (iii) (iv) (v)
│E│ = 275 V/cm.
E E E E E
a) Calcular el dopado en x1 x2
x=30µm y en la x x x x x
región IV. (el dibujo x=0 x = 10µm 30 35µm x (µm)
no está a escala)
 b) Entre las siguientes gráficas, ¿alguna de ellas representa el ND(x>150 µm) = 1015 cm-3.
potencial V(x) que aparece en el semiconductor? a) Calcular el dopado en la zona x < 100 µm
b) Calcular la corriente de difusión de electrones en x = 130 µm
(i) (ii) (iii) (iv) (v)
23.- Para el diagrama de bandas de la
V V V V V EC
figura,
x x x x x a) Representar de forma cualitativa:
(i) el campo eléctrico E (x) Ei
(ii) la concentración de electrones
c) ¿En qué punto será mayor la corriente de arrastre de huecos, en x1 o EF
n(x)
en x4? ¿Y la corriente de arrastre de electrones? Justificar muy (iii) la concentración de huecos EV
brevemente la respuesta de forma esquemática. p(x)
(iv) la corriente de arrastre de
21.- Se tiene un semiconductor de EC electrones Jn,a(x). E (eV)
germanio a 300K en equilibrio, en 0,2 eV b) Razonar brevemente en qué
el que hay dos regiones con punto será mayor la corriente de
dopado diferente, NA0 y ND0, cuyo Ei X1 X2 X
difusión de huecos
EF
diagrama de bandas simplificado
se presenta en la figura. La 0,66 eV
24.- Un bloque semiconductor unidimensional de Si en equilibrio a
EV
resistividad de la zona neutra temperatura ambiente presenta
E (eV)
x>15µm es de 0,16 Ωcm. E (eV) el diagrama de bandas de la EC
a) Calcular el dopado NA0 en x (µm) figura. En la zona
x<10µm. 25 20µm < x < 30µm la Ei
0 10 15
b) Calcular la densidad de resistividad es de 46 Ωcm. x0
EF
corriente de difusión de los Se sabe además que la corriente
huecos en x=12,5 µm. total de difusión en el punto x0 0.51 EV

c) Se añaden átomos aceptadores sólo en la zona N hasta que la diferencia 2

es de 1.75 mA/cm . 0
de potencial entre los extremos del semiconductor se reduce a 0,17 V. a) Calcular el dopado en 10 20 30 40
Calcular la densidad de impurezas aceptadoras introducidas. x <10 µm
Nota: El dibujo no está a b) Calcular el dopado en x > 40 µm
escala. c) Representar gráficamente el potencial en función de x (valores
E (V/µm)
numéricos)
22.- El campo eléctrico para 100 150 d) Representar gráficamente el campo eléctrico en función de x
un bloque de Silicio a x (µm) (valores numéricos)
temperatura ambiente en e) Dibujar el diagrama de bandas si la temperatura se eleva hasta
equilibrio se representa en 400 K, y calcular la diferencia Ei(x>40µm) - Ei(x<10µm)
la figura, en el que Hacer las aproximaciones que se estimen convenientes, justificándolas
-80
brevemente. semiconductor es intrínseco. En un punto x0 dentro de la zona
10µm < x < 20µm, la corriente total de
25.- El diagrama de bandas de la difusión es 0.25 A/cm2, y se ha
E (eV)
V (Volts)
figura corresponde a silicio a 0.35 eV determinado experimentalmente que en
temperatura ambiente. EC
ese punto la densidad de electrones es
EF 105 veces la de los huecos.
x (µm)
a) ¿Alguna de las siguientes Ei a) Partiendo de las expresiones de
gráficas representa E(x) 0.25 n y p, demostrar que para un
para este semiconductor? 0
10 20 30 40
EV
x (µm)
semiconductor en equilibrio, 10 20 30
2
np = ni y obtener la expresión
E (V/cm) E (V/cm) E (V/cm) E (V/cm) de ni.
b) Calcular el dopado en la zona x > 20µm y dibujar el diagrama de
bandas.
x (µm) x (µm) x (µm) x (µm)
c) Calcular la coordenada del punto x0.
d) En la zona x > 20µm se añaden NA = 5·1015 cm-3 átomos aceptadores.
(1) (2) (3) (4)
¿Cuál será la diferencia (EF – Ei) en esa zona si la temperatura se
b) ¿Alguna de las siguientes gráficas representa V(x) para este eleva hasta 250°C?
semiconductor? Hacer las aproximaciones que se estimen convenientes, justificándolas
brevemente.
V V V V
28.- El campo eléctrico en un bloque E (V/cm)
x (µm) x (µm) x (µm) x (µm) de Silicio a temperatura ambiente en 900
equilibrio se representa en la figura,
(1) (2) (3) (4) en el que la densidad de huecos en la
zona x>15 µm es 2,26·1013 cm-3.
c) Sabiendo que la densidad de electrones en x<5µm es 2,26·1013 cm-3, x (µm)
a) Calcular el dopado en la zona
calcular el dopado en x>45 µm. 10 15
x < 10µm y dibujar el
diagrama de bandas.
26.- Una muestra de AsGa tipo N tiene una resistividad de 7.81 Ω·cm a
b) Calcular la densidad de corriente de difusión de huecos en x = 12 µm.
temperatura ambiente. Se impurifica con átomos aceptadores con una
densidad NA = 2·1014 cm-3. EC
29.- Un bloque semiconductor de silicio en
a) Calcular la densidad de portadores mayoritarios a temperatura 0,5 eV Eip
equilibrio presenta la estructura de bandas de
ambiente.
la figura. El dopado del bloque es de tal Ei
b) A 500°C, calcular ( EF - Ei ).
forma que, a temperatura ambiente, la EF
conductividad σn de la zona N (x<0) es igual EV
27.- Un bloque de silicio a temperatura ambiente en equilibrio presenta la
que la de la zona P (x>5µm), σp. Ein
dependencia V(x) que se observa en la figura. En x < 10 µm, el
x (µm)

0 5
 a) Calcular el dopado de las dos zonas neutras: x<0, y x>5µm. c) Calcular la intensidad de corriente de difusión de huecos en
b) Calcular la corriente de difusión de electrones en x = 2,5µm. x1 = 18 µm y x2 = 30 µm a temperatura ambiente en equilibrio.
c) Representar gráficamente el campo eléctrico E(x), con valores
numéricos. 31.- Se están investigando las propiedades de un nuevo semiconductor. De él
d) Considerar ahora por separado la zona neutra N del semiconductor se conocen las movilidades, y las densidades equivalentes de estados. Se ha
(x<0), a la que asignaremos una conductividad σn0 a temperatura observado que ambas magnitudes son independientes de la temperatura:
ambiente. Si quisiéramos conseguir un bloque de AsGa tipo N con la µn = µp ≡ µ0 = 1000 cm2/V·s y NC = NV ≡ N0 = 7·1019 cm-3.
misma conductividad σn0, ¿el dopado necesario sería mayor, menor o a) Cuando no se encuentra E (eV)
igual que en el Si? dopado, la conductividad de
NOTA: El dibujo no está a escala este semiconductor a 900 K 0.4 eV
es 1000 veces mayor que a
30.- Se ha descubierto un nuevo semiconductor con EG = 1.25 eV, para el 500 K. Calcular la anchura EC
que µn = µp ≡ µ0 = 1000 cm2/V·s. Se sabe de su banda prohibida EG. EF
además que las densidades de estados Se introducen dopantes en el Ei
equivalentes son independientes de la semiconductor de forma que su
A=
temperatura e iguales para la banda de V = 1 Volt, I = 0,1 Amp
1mm2
diagrama de bandas tiene el aspecto EV
conducción y la de valencia: NC = NV mostrado en la figura, donde el 0 10 20 30 x (µm)
≡ N0 = cte. módulo del campo eléctrico en la
a) Se realiza la siguiente prueba: Se L = 2 mm zona 15 µm < x < 25 µm es |E| = 800 V/cm.
corta una muestra del b) Calcular el dopado en x > 25 µm.
semiconductor con el tamaño indicado en la figura. Se calienta esta c) Calcular la densidad de corriente de difusión de electrones en
muestra a 700°C, de forma que se encuentra en condiciones x = 20 µm.
intrínsecas. En estas condiciones, al aplicar un voltaje de 1 V circula d) Al calentar este semiconductor dopado hasta 450°C, ¿cuál será la
una corriente de 0,1 A. distancia entre EF y Ei en la zona x > 25 µm?
A partir de esta medida, E (V/cm)
calcular ni a 300K. 800
Seguidamente, se introducen dopantes 32.- Un bloque semiconductor a temperatura ambiente en equilibrio presenta
en el semiconductor de forma que, en el campo eléctrico
equilibrio a temperatura ambiente, representado en la figura. E (V/cm)
20 25 30
aparece el campo eléctrico interno La diferencia de potencial
representado en la figura. En el 10 15 x (µm) entre los dos extremos del x (µm)
extremo x = 0, el semiconductor es -400 semiconductor es
intrínseco. |ΔV| = 0,53V. Se sabe, 5 10 15 20 25 30 100
b) Dibujar el diagrama de bandas en función de x, representando EV, EC, además, que en la zona -500
Ei y EF, e indicando la diferencia entre EF y Ei (eV) en x = 10, 15 y 0 < x < 10µm, el dopado
25 µm. es ND = 1015 cm-3.
a) Calcular la densidad de átomos dopantes en la zona x > 25µm.
 b) Representar el diagrama de bandas. a) Representar el potencial electrostático
c) ¿En algún punto el semiconductor se encuentra degenerado? b) Representar el campo eléctrico E(x)
d) Calcular la corriente de difusión de electrones en x = 20µm. c) Calcular la densidad de electrones y huecos en la zona L/3 < x < 2L/3
e) Se corta el semiconductor y se toma el trozo 30µm < x < 100µm. Se d) Calcular la densidad de corriente de difusión de electrones y huecos
desea que por él circule una corriente de 6 mA a 200°C. El área del en x0.
semiconductor es de 0,25 mm2. ¿Qué voltaje se debe aplicar?
EC
EG/3

Ei EG/3
EF
33.- Para la tecnología de cámaras de imagen térmica, se utiliza un cierto
EV
material semiconductor de banda prohibida estrecha, cuyo dependencia ni(T)
se muestra en la figura. 1.E+17
Las masas efectivas de E
electrones y huecos son x

mn*/m0=0.014 y InSb x=0

x0
L/3 2L/3 L
mp*/m0=0.6, 1.E+16

respectivamente. Suponer
ni (cm-3)

condiciones de equilibrio a
300K. 1.E+15
35.- La estructura semiconductora de la figura (Germanio, 300K) representa
a) Calcular la un esquema aproximado del campo eléctrico en equilibrio de un diodo PIN
posición del nivel (tipo P-Intrínseco- tipo N), que se usa como fotodetector. Como su nombre
de Fermi intrínseco indica, la zona intermedia (8µm -10µm) es intrínseca. La diferencia de
y representar el 1.E+14 potencial entre ambos extremos de la estructura es de 0,44V en valor
diagrama de 200 250 300 350
Temperatura (K)
400 450 500
absoluto.
bandas cuando el a) Representar el
semiconductor no se encuentra dopado. ¿Cuál es la anchura de la potencial eléctrico en 5 8 10 15 20
banda prohibida? función de la
b) Si se introduce un dopado NA = 8·1016 cm-3, calcular la posición el posición. x (µm)
nivel de Fermi y representar el diagrama de bandas. b) Calcular el dopado
c) Repetir el apartado (b) si tiene tanto átomos donadores como de las zonas x<5µm y -400 V/cm
aceptadores: ND = 9·1017 cm-3 y NA = 8.7·1017 cm-3. E
x>15µm.
d) ¿Podría utilizarse este semiconductor para dispositivos en los que se c) Representar el
necesite que los portadores se muevan a gran velocidad? diagrama de bandas.
e) ¿Y para fabricar diodos con buen comportamiento rectificador? d) Calcular la densidad de corriente de arrastre de electrones en x=6µm.

34.- Considerar el bloque de GaAs (EG=1.43 eV) de longitud L=12 µm, cuyo 36.- La estructura de silicio de la figura, cuyas bandas de valencia y
diagrama de bandas a temperatura ambiente se representa en la figura. conducción se representan en la figura, se encuentra en equilibrio a
temperatura ambiente. En ella se b) Para otra aplicación, cortan una
sabe que la resistividad de la zona E barra del semiconductor de E
x<4µm (tipo N) es ρ = 4.6 Ω·cm, y EC
20µm de longitud, y en primer
que la corriente de arrastre de lugar introducen un dopado
x=0 9µm 11µm x=20µm
huecos en el punto donde se cruzan donador uniforme
15 -3
EF y Ei entre x=4 y x=8µm es de EV ND = 5,6·10 cm en toda ella. Seguidamente, en la región entre 0 y
1.1 mA/cm2. 0.55 eV 10µm introducen un dopado aceptador NA = 5,8·1015 cm-3, lo que da
a) Calcular el dopado 0
x (µm)
lugar a la formación de dos zonas neutras, separadas por una región de
2 4 6 8 10 12 14 16
en las zonas 2µm de anchura en la que hay un campo eléctrico E no nulo.
8µm<x<14µm y x>16µm y dibujar el diagrama de (i) Dibujar el diagrama de bandas de la estructura.
bandas completo. (ii) Representar el campo eléctrico E en función de x.
(iii) Calcular la corriente de difusión de electrones en x=9,5µm.
b) Representar el campo eléctrico en función de x (con
valores numéricos).
En la figura se muestra el V (Volt)
c) Representar el potencial en función de x (con valores potencial electrostático
numéricos). interno V(x) en un 0,3

37.- Dos ingenieros de Teleco de Valladolid emprendedores, que terminaron semiconductor en 0,15
2 4 6 8 10
el año pasado, han decidido montar su propia empresa en Boecillo, ya que equilibrio en función de la 0
x (µm)
tienen algunas buenas ideas A=0,1 mm
2 posición para una oblea de
que pueden tener futuro. Su silicio a T=300K. En
Vs -0,3
primer proyecto es diseñar x ≥ 10 µm el
sensores de temperatura semiconductor es de tipo N con un dopado ND = 1016 cm-3.
utilizando semiconductores. L=0,1mm a) Dibujar el diagrama de bandas de energía, incluyendo los
Han encontrado un t (°C) VS (Volts) valores de EF - Ei en las zonas neutras.
IS = 2 µA
semiconductor con 0 5,44 b) Representar gráficamente el campo eléctrico E(x).
propiedades interesantes, y 70 0,15 c) Calcular la concentración de átomos dopantes en x = 0. ¿De qué
están haciendo pruebas para tipo es el dopado en este punto?
estudiar posibles aplicaciones. Saben que NC =NV =cte.=N0=1017cm-3, y que d) Calcular la densidad de corriente de difusión de electrones en el
las movilidades de electrones y huecos son iguales, µn=µp=µ0=cte. punto x=8µm
a) Para medir la temperatura, utilizan un trozo de este semiconductor no
dopado en forma de paralelepípedo, con las dimensiones indicadas en Problemas del libro “Fundamentos de semiconductores”, R.F. Pierret:
la figura. Hacen circular por él una corriente constante IS = 2µA y - Capítulo 2: 2.8, 2.10, 2.11 (enunciado correcto apartado c:
miden el voltaje VS en sus extremos, que depende de la temperatura NA = 9·1015 cm-3), 2.12, 2.7*
- Capítulo 3: 3.3, 3.4, 3.7, 3.8, 3.9 (las figuras de los ejercicios 3.8 y 3.9
t(°C) a la que se encuentre el semiconductor. Para calibrar el
están intercambiadas en el libro)
comportamiento VS(t), han medido el voltaje a varias temperaturas (ver - Apéndice A (problemas resueltos): 2.3, 2.4, 3.1
tabla). A partir de estas medidas, ¿cuál es la anchura del gap del - Apéndice B (cuestiones con soluciones):
semiconductor EG y la movilidad µ0 de los portadores? - Conjunto A: 1; 5-20 - Conjunto B: 1; 5-21