UNIVERSIDAD DE ISRAEL
Telecomunicaciones
Andrés Arellano
5to Nivel
1. Utilizando de las características de la figura 2.147, determine ID, VD y VR para el
circuito de la figura 2.147a.
b. Repita la parte (a) utilizando el modelo aproximado del diodo y compare los
resultados.
c. Repita la parte (a) utilizando el modelo ideal del diodo y compare los resultados.
a)
𝐸𝐸
𝐼𝐼𝐼𝐼 =
𝑅𝑅
8𝑉𝑉
𝐼𝐼𝐼𝐼 =
0.33𝑘𝑘Ω
𝐼𝐼𝐼𝐼 = 24.24𝑚𝑚𝐴𝐴
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 0.92𝑉𝑉
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝐸𝐸 − 𝑉𝑉𝐷𝐷
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 8𝑉𝑉 − 0.92𝑉𝑉
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 7.08𝑉𝑉
b)
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 0.7𝑉𝑉
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝐸𝐸 − 𝑉𝑉𝑉𝑉
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 8 − 0.7𝑉𝑉
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 7.3𝑉𝑉
c)
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 0
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝐸𝐸 − 𝑉𝑉𝑉𝑉
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 8 − 0𝑉𝑉
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 8𝑉𝑉
Para (a) y (b), los niveles de voltaje de los diodos son bastante aproximados. Los niveles de la
parte (c) están razonablemente cerca pero como se esperaba debido al nivel de voltaje aplicado
E.
2. Con las características de la figura 2.147b, determine ID y VD para el circuito de la
figura 2.148.
b. Repita la parte (a) con R = 0.47 k
c. Repita la parte (a) con R = 0.18 k
d. ¿El nivel de VD es relativamente cercano a 0.7 V en cada caso? ¿Cómo se
comparan los niveles resultantes de ID? Comente como corresponda.
a)
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 5𝑉𝑉
𝐸𝐸
𝐼𝐼𝐼𝐼 =
𝑅𝑅
5𝑉𝑉
𝐼𝐼𝐼𝐼 =
2.2𝑘𝑘Ω
𝐼𝐼𝐼𝐼 = 2.27𝑚𝑚𝐴𝐴
Según el grafico de la figura b) la corriente es de 2mA y el voltaje de 0.7V
b)
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 5𝑉𝑉
𝐸𝐸
𝐼𝐼𝐼𝐼 =
𝑅𝑅
5𝑉𝑉
𝐼𝐼𝐼𝐼 =
0.47𝑘𝑘Ω
𝐼𝐼𝐼𝐼 = 10.64𝑚𝑚𝐴𝐴
Según el grafico de la figura b) la corriente es de 9mA y el voltaje de 0.8V
c)
𝑉𝑉𝑉𝑉 = 5𝑉𝑉
𝐸𝐸
𝐼𝐼𝐼𝐼 =
𝑅𝑅
5𝑉𝑉
𝐼𝐼𝐼𝐼 =
0.18𝑘𝑘Ω
𝐼𝐼𝐼𝐼 = 27.78𝑚𝑚𝐴𝐴
Según el grafico de la figura b) la corriente es de 22.5mA y el voltaje de 0.93V
Los valores resultantes del voltaje en el diodo son bastante cercanos, mientras que las
corrientes del diodo se extienden de 2 mA a 22,5 mA.
3. Determine el valor de R para el circuito de la figura a que producirá una corriente
a través del diodo de 10mA si 𝑬𝑬 = 𝟕𝟕 𝑽𝑽 . Use las características de la figura b para el
diodo.
Figura a. Circuito
Figura b. Características del diodo
Datos:
𝐸𝐸 = 7 𝑉𝑉
𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝐼𝐼𝐷𝐷1 = 10 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝑅𝑅 =? [𝑂𝑂ℎ𝑚𝑚𝑚𝑚]
Solución:
10 𝑚𝑚𝑚𝑚 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 0.7 𝑉𝑉 y 𝑉𝑉𝑉𝑉 = 7 [𝑉𝑉]
Figura c. Trazo de la recta de la carga y el punto de operación
𝐴𝐴 = (0.7,10 ) 𝐵𝐵 = (7,0)
𝑚𝑚 = −1.6
𝐸𝐸𝐸𝐸. 𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 𝐼𝐼𝐼𝐼 = −1.6(𝑉𝑉𝑉𝑉) + 11.2
𝐸𝐸𝐸𝐸. 𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 𝐼𝐼𝐼𝐼 = −1.6(𝑉𝑉𝑉𝑉) + 11.2
Punto de cruce entre (ID y VD)
𝐸𝐸
𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 𝑉𝑉𝑉𝑉 = 0 𝐼𝐼𝐼𝐼 = 11.2 𝑚𝑚𝑚𝑚 =
𝑅𝑅
Calculamos la Resistencia
𝐸𝐸
𝐼𝐼𝐼𝐼 = 11.2 𝑚𝑚𝑚𝑚 =
𝑅𝑅
7 𝑉𝑉
𝑅𝑅 = = 𝟎𝟎. 𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔 [𝑲𝑲Ω]
11.2 𝑚𝑚𝑚𝑚
4. a) Con las características aproximadas del diodo de Si. determine 𝑽𝑽𝑫𝑫 , 𝑰𝑰𝑫𝑫 𝒚𝒚 𝑽𝑽𝑹𝑹
para el circuito de la figura.
b) Realice el mismo análisis de la parte (a)con el modelo ideal para el diodo
c) ¿Siguieren los resultados obtenidos en las partes (a) y (b) que el modelo ideal
puede ser una buena aproximación de la respuesta real en algunas
condiciones?
Solución
Datos:
𝐸𝐸 = 30 𝑉𝑉
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑆𝑆𝑆𝑆 0.7 𝑉𝑉
𝑅𝑅 = 2.2[𝑲𝑲Ω]
a) 𝑰𝑰𝑫𝑫 = 𝑰𝑰𝑹𝑹
𝑳𝑳. 𝑽𝑽. 𝑲𝑲
−30 𝑉𝑉 + 0.7 𝑉𝑉 + 𝑰𝑰𝑹𝑹 𝑅𝑅 = 0
29.3 𝑉𝑉
𝑰𝑰𝑹𝑹 = = 13.318 [𝑚𝑚𝑚𝑚]
2.2 [𝑲𝑲Ω]
𝑽𝑽𝑫𝑫 = 𝟎𝟎. 𝟕𝟕 [𝑽𝑽]
𝑽𝑽𝑹𝑹 = 𝑰𝑰𝑹𝑹 ∗ 𝑹𝑹
𝑽𝑽𝑹𝑹 = (13.318 [𝑚𝑚𝑚𝑚]) ∗ (𝟐𝟐. 𝟐𝟐[𝑲𝑲Ω])
𝑽𝑽𝑹𝑹 = 𝟐𝟐𝟐𝟐. 𝟎𝟎𝟎𝟎 [𝑽𝑽]
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖 0 𝑉𝑉
b) 𝑰𝑰𝑫𝑫 = 𝑰𝑰𝑹𝑹
𝑳𝑳. 𝑽𝑽. 𝑲𝑲
−30 𝑉𝑉 + 0 𝑉𝑉 + 𝑰𝑰𝑹𝑹 𝑅𝑅 = 0
30 𝑉𝑉
𝑰𝑰𝑹𝑹 = = 13.636 [𝑚𝑚𝑚𝑚]
2.2 [𝑲𝑲Ω]
𝑽𝑽𝑫𝑫 = 𝟎𝟎[𝑽𝑽]
𝑽𝑽𝑹𝑹 = 𝑰𝑰𝑹𝑹 ∗ 𝑹𝑹
𝑽𝑽𝑹𝑹 = (13.636 [𝑚𝑚𝑚𝑚]) ∗ (𝟐𝟐. 𝟐𝟐[𝑲𝑲Ω])
𝑽𝑽𝑹𝑹 = 𝟑𝟑𝟑𝟑 [𝑽𝑽]
Si dado en el apartado (b) el consumo del Voltaje del Diodo es 0 y la corriente
igual por tanto son bastantes cercanos
